CN102270500A - 可实现dram自复位的方法及可自复位的dram - Google Patents
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Abstract
本发明目的是提供一种可实现DRAM自复位的方法及可自复位的DRAM,可实现DRAM在多种情况下的自复位。本发明的工作原理是:内部时钟驱动计数器计数,如果无异常情况,而且无非法指令,并且接受到指定的指令,计数器被复位,从零开始计数;反之,如果有异常情况,或者有非法指令,或者没有接受到指定的指令,计数器不会被复位,计数器向上计数,直至溢出。计数器溢出会将DRAM(动态随机存取存储器)复位。作为可选,可以给内存控制器反馈信号。本发明可自复位的DRAM不需要内存控制器进行控制,也不需要整个计算机系统重新断电,上电。
Description
技术领域
本发明涉及计算机存储领域,尤其涉及动态随机存取存储器。
背景技术
关门狗(Watch Dog Timer)广泛应用于计算机领域,内置于中央处理器(CPU)或微控制器(MCU)中,包括时钟、计数器、计数器复位电路,计数器复位信号来自CPU或MCU的指定指令。当中央处理器或微控制器处于非正常工作状态,并不能自我恢复时,隔一段时间后,关门狗可以自动重启中央处理器或微控制器,使系统重新正常工作。
但是,当DRAM处于非正常工作状态时,自己不能自我恢复,需要内存控制器进行控制;或者整个计算机系统重新断电,上电。这种自我恢复的方法无法适应DRAM所面临的各种异常情况或非法指令。
发明内容
本发明目的是提供一种可实现DRAM自复位的方法及可自复位的DRAM,可实现DRAM在多种情况下的自复位。
本发明的技术解决方案是:
第一种可实现DRAM自复位的方法,包括以下步骤:
1】内部或外部时钟驱动DRAM内置计数器计数;
2】用“无异常情况”信号、“无非法指令”信号或“指定指令”信号控制DRAM内置计数器的复位;
3】用计数器溢出信号作为DRAM的复位信号。
上述步骤3用计数器溢出信号作为DRAM的复位信号是采用如下方式实现的:
将计数器溢出信号和DRAM的内部复位信号进行或运算后作为DRAM的新内部复位信号;所述DRAM的内部复位信号由DRAM外部上电复位信号生成、或者由DRAM外部复位信号与DRAM外部上电复位信号进行与运算后生成。
上述方法还可包括以下步骤:将计数器溢出信号作为DRAM的复位信号的同时反馈至内存控制器。
第二种可实现DRAM自复位的方法,包括以下步骤:
1】内部或外部时钟驱动DRAM内置计数器计数;
2】用“无异常情况”信号、“无非法指令”信号、“指定指令”信号中的至少两种信号进行“与运算”后控制DRAM内置计数器的复位;
3】用计数器溢出信号作为DRAM的复位信号。
上述步骤3用计数器溢出信号作为DRAM的复位信号是采用如下方式实现的:
将计数器溢出信号和DRAM的内部复位信号进行或运算后作为DRAM的新内部复位信号;所述DRAM的内部复位信号由DRAM外部上电复位信号生成、或者由DRAM外部复位信号与DRAM外部上电复位信号进行与运算后生成。
上述方法还可包括以下步骤:将计数器溢出信号作为DRAM的复位信号的同时反馈至内存控制器。
第一种可自复位的DRAM,包括DRAM,其特殊之处是:还包括内置的关门狗电路,所述关门狗电路的输出端接DRAM的复位端或上电复位端。
上述关门狗电路包括接口单元和计数器单元;所述计数器单元的输入端接时钟信号;所述接口单元包括“无异常情况”接口、“无非法指令”接口或“指定指令”接口,所述接口单元的输出端与计数器单元的复位端相连,所述计数器单元的输出端与DRAM的复位端或上电复位端相连。
上述关门狗电路还可包括内置的时钟单元,所述时钟单元的输出端接计数器单元的输入端;所述计数器单元的输出端与内存控制器的反馈信号输入端相连。
第二种可自复位的DRAM,包括DRAM,其特殊之处是:还包括内置的关门狗电路,所述关门狗电路的输出端接DRAM的复位端或上电复位端。
上述关门狗电路包括接口单元和计数器单元;所述计数器单元的输入端接时钟信号;所述接口单元包括“无异常情况”接口、“无非法指令”接口或“指定指令”接口中的两种或三种,所述接口单元的输出端通过“与”门后与计数器单元的复位端相连,所述计数器单元的输出端与DRAM的复位端或上电复位端相连。
上述关门狗电路还可包括内置的时钟单元,所述时钟单元的输出端接计数器单元的输入端;所述计数器单元的输出端与内存控制器的反馈信号输入端相连。
本发明的优点:
1、当本发明可自复位的DRAM处于异常状况,并且不能自我恢复以正常工作时,关门狗可对其复位,使其重新正常工作。
2、本发明可自复位的DRAM不需要内存控制器进行控制,也不需要整个计算机系统重新断电,上电。
3、本发明可自复位的DRAM只需要在整个DRAM中增加极小的比例的关门狗电路。
附图说明
图1是本发明可自复位的DRAM的工作原理图;
图2是带复位端的DRAM自复位的工作原理图;
图3是不带复位端的DRAM自复位的工作原理图。
具体实施方式
本发明可实现DRAM自复位的方法,具体包括以下步骤:
1】内部或外部时钟驱动DRAM内置计数器计数;
2】用“无异常情况”信号、“无非法指令”信号和“指定指令”信号进行“与运算”后控制DRAM内置计数器的复位;
3】将计数器溢出信号和DRAM的内部复位信号进行或运算后作为DRAM的新内部复位信号;所述DRAM的内部复位信号由DRAM外部上电复位信号生成、或者由DRAM外部复位信号与DRAM外部上电复位信号进行与运算后生成。
4】将计数器溢出信号作为DRAM的复位信号的同时反馈至内存控制器。
本发明可自复位的DRAM,包括DRAM、内置在DRAM内的关门狗电路,关门狗电路包括接口单元和计数器单元;计数器单元的输入端接时钟信号;接口单元包括“无异常情况”接口、“无非法指令”接口和“指定指令”接口,接口单元的输出端通过“与”门后与计数器单元的复位端相连,计数器单元的输出端与DRAM的复位端或上电复位端相连。时钟信号可采用外部时钟信号,也可采用内置的时钟单元提供时钟信号,此时时钟单元的输出端接计数器单元的输入端。
本发明工作原理:
内部时钟驱动计数器计数,如果无异常情况,而且无非法指令,并且接受到指定的指令,计数器被复位,从零开始计数;反之,如果有异常情况,或者有非法指令,或者没有接受到指定的指令,计数器不会被复位,计数器向上计数,直至溢出。计数器溢出会将DRAM(动态随机存取存储器)复位。作为可选,可以给内存控制器反馈信号。
如果在DRAM(动态随机存取存储器)中存在异常情况,例如:温度超标(过高或过低);或者外部电压超标(过高或过低);或者DLL(延时锁定环)计数器溢或下溢,关门狗不被复位,关门狗计数器会持续计数直至溢出,并将DRAM(动态随机存取存储器)复位。
如果在DRAM(动态随机存取存储器)中存在非法指令,例如:对关闭的字线进行读写;对激活的字线进行刷新,关门狗不被复位,关门狗计数器会持续计数直至溢出,并将DRAM(动态随机存取存储器)复位。
如果DRAM(动态随机存取存储器)不能定期接收到刷新或自刷新指令,关门狗不被复位,关门狗计数器会持续计数直至溢出,并将DRAM(动态随机存取存储器)复位。
复位采用两种方式:
如图2,当DRAM带复位端时,外部复位信号(reset)或者外部上电复位(power-on)时,DRAM(动态随机存取存储器)产生内部复位信号,这个内部复位信号或者关门狗溢出信号,都可将DRAM(动态随机存取存储器)复位;
如图3,当DRAM不带复位端时,外部上电复位(power-on)时,DRAM(动态随机存取存储器)产生内部复位信号,这个内部复位信号或者关门狗溢出信号,都可将DRAM(动态随机存取存储器)复位。
Claims (10)
1.一种可实现DRAM自复位的方法,其特征在于:包括以下步骤:
1】内部或外部时钟驱动DRAM内置计数器计数;
2】用“无异常情况”信号、“无非法指令”信号或“指定指令”信号控制DRAM内置计数器的复位;
3】用计数器溢出信号作为DRAM的复位信号。
2.根据权利要求1所述的可实现DRAM自复位的方法,其特征在于:所述用计数器溢出信号作为DRAM的复位信号是采用如下方式实现的:
将计数器溢出信号和DRAM的内部复位信号进行或运算后作为DRAM的新内部复位信号;所述DRAM的内部复位信号由DRAM外部上电复位信号生成、或者由DRAM外部复位信号与DRAM外部上电复位信号进行与运算后生成。
3.根据权利要求1或2所述的可实现DRAM自复位的方法,其还包括以下步骤:将计数器溢出信号作为DRAM的复位信号的同时反馈至内存控制器。
4.一种可实现DRAM自复位的方法,其特征在于:包括以下步骤:
1】内部或外部时钟驱动DRAM内置计数器计数;
2】用“无异常情况”信号、“无非法指令”信号、“指定指令”信号中的至少两种信号进行“与运算”后控制DRAM内置计数器的复位;
3】用计数器溢出信号作为DRAM的复位信号。
5.根据权利要求4所述的可实现DRAM自复位的方法,其特征在于:所述用计数器溢出信号作为DRAM的复位信号是采用如下方式实现的:
将计数器溢出信号和DRAM的内部复位信号进行或运算后作为DRAM的新内部复位信号;所述DRAM的内部复位信号由DRAM外部上电复位信号生成、或者由DRAM外部复位信号与DRAM外部上电复位信号进行与运算后生成。
6.根据权利要求4或5所述的可实现DRAM自复位的方法,其还包括以下步骤:将计数器溢出信号作为DRAM的复位信号的同时反馈至内存控制器。
7.一种可自复位的DRAM,包括DRAM,其特征在于:还包括内置的关门狗电路,所述关门狗电路的输出端接DRAM的复位端或上电复位端。
8.根据权利要求7所述的可自复位的DRAM,其特征在于:所述关门狗电路包括接口单元和计数器单元;所述计数器单元的输入端接时钟信号;所述接口单元包括“无异常情况”接口、“无非法指令”接口或“指定指令”接口,所述接口单元的输出端与计数器单元的复位端相连,所述计数器单元的输出端与DRAM的复位端或上电复位端相连。
9.根据权利要求7所述的可自复位的DRAM,其特征在于:所述关门狗电路包括接口单元和计数器单元;所述计数器单元的输入端接时钟信号;所述接口单元包括“无异常情况”接口、“无非法指令”接口或“指定指令”接口中的两种或三种,所述接口单元的输出端通过“与”门后与计数器单元的复位端相连,所述计数器单元的输出端与DRAM的复位端或上电复位端相连。
10.根据权利要求8或9所述的可自复位的DRAM,其特征在于:还包括内置的时钟单元,所述时钟单元的输出端接计数器单元的输入端;所述计数器单元的输出端与内存控制器的反馈信号输入端相连。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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