CN102244077A - 一种驻极体麦克风内置电容专用管芯及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种驻极体麦克风内置电容专用管芯，包括设置在同一芯片上的N沟道场效晶体管与多晶电容，所述N沟道场效晶体管与多晶电容为电连接，所述N沟道场效晶体管与多晶电容之间设置有三个P+区域；所述N沟道场效晶体管包括P型衬底与P-型区域，所述P型衬底上设有P-型区域，所述N沟道场效晶体管的源电极与漏电极沟道之间设有N阱区域；所述多晶电容包括下极板、上极板以及介质层，所述下极板与上极板之间设置有介质层。本发明将电容同N沟道场效晶体管(JFET)集成在一个硅片上，减小了封装体积、降低了成本，具有推广作用。

Description

一种驻极体麦克风内置电容专用管芯及其制备方法
技术领域
本发明涉及一种电容专用管芯，特别是涉及一种驻极体麦克风内置电容专用管芯及其制备方法。
背景技术
如专利ZL200680026071.2公开了一种具有集成电子电路的半导体管芯，被配置以安装在具有电容性换能器的壳体内，所述电子电路包括：第一电路，被配置为在输入节点接收来自所述换能器的输入信号并且在所述半导体管芯的焊盘上提供输出信号；其中所述集成电子电路包括具有耦合到所述半导体管芯的焊盘的控制输入的有源器件，以可操作地接合或断开与所述第一电路互连的第二电路，从而以所述控制输入选择的模式操作所述集成电子电路，所述第二电路与所述一电路互连，从而与所述输入节点分离。由于随集成度要求，外围电容体积偏大很难用于很多运用领域。
发明内容
本发明的目的就是针对以上技术所存在的不足，提供一种驻极体麦克风内置电容专用管芯及其制备方法，该电容专用管芯封装体积小、成本低，该制备方法简单、可靠。
为实现上述目的，本发明的具体方案为：
一种驻极体麦克风内置电容专用管芯，包括设置在同一芯片上的N沟道场效晶体管(JFET)与多晶电容，所述N沟道场效晶体管(JFET)与多晶电容为电连接，所述N沟道场效晶体管(JFET)与多晶电容之间设置有三个P+区域。
所述N沟道场效晶体管(JFET)包括P型衬底与P-型区域，所述P型衬底上设有P-型区域，所述N沟道场效晶体管(JFET)的源电极与漏电极沟道之间设有N阱区域。
所述多晶电容包括下极板、上极板以及介质层，所述下极板与上极板之间设置有介质层。
本发明中，所述N沟道场效晶体管(JFET)的N型沟道为浅沟道。
本发明中，三个所述P+区域的大小与形状相同，三个所述P+区域彼此隔离。
本发明中，所述N阱区域的宽度由顶栅的P扩散区与N阱区域之间加偏置电压控制。
本发明中，所述下极板为多晶硅制成。
本发明中，所述上极板为铝制成。
本发明中，所述介质层为耐高温氮化硅(SiN)制成。
一种制造驻极体麦克风内置电容专用管芯的方法，该方法为：在制作N阱区域后生长多晶硅，对多晶硅进行光刻图形和刻蚀处理、光刻图形和刻蚀处理后对下极板多晶硅区域进行大剂量磷注入、然后制作低压化学气相沉积的高温氮化硅做电容介质层，正面再做金属淀积即制得多晶电容，上面所述为多晶电容与N沟道场效晶体管的工艺整合过程，即制得一种驻极体麦克风内置电容专用管芯。
N沟道场效晶体管(JFET)的浅沟道N型杂质区由低浓度N型杂质浅注入退火工艺和P型栅注入后的浅扩散工艺形成。
N沟道场效晶体管(JFET)的最终沟道高度由结深更浅的顶栅扩散决定；顶栅扩散前的离子注入采用高能注入条件下的薄氧化层掩蔽处理。
本发明中，所需的所述浅注入的深度等于该能量下离子直接注入硅中深度减去氧化层厚度。
本发明中，N沟道注入与扩散杂质、N阱扩散杂质以及电容掺杂的杂质都为磷。
本发明中，所述顶栅扩散的杂质为硼。
本发明中，所述电容SiN工艺采用现有的成熟技术。
本发明具有的有益效果：将电容同N沟道场效晶体管(JFET)集成在一个硅片上，减小了封装体积、降低了成本；集成电路芯片中各元件兼容在同一硅片上；本发明尤其是在制作N沟道场效晶体管(JFET)的同时不需增加很多加工工艺，加工成本比后续封装在一起低很多，具有推广作用。
附图说明
图1为本发明的结构示意图。
图中，1、P型衬底，2、P-型区域，3、P+区域，6、N阱区域，8、上极板，9、下极版，10、顶栅，11、源电极与漏电极，21、N沟道场效晶体管，22、多晶电容。
具体实施方式
为使对本发明的结构特征及所达成的功效有更进一步的了解与认识，用以较佳的实施例及附图配合详细的说明，说明如下：
如图1所示，本发明所述一种驻极体麦克风内置电容专用管芯包括设置在同一芯片上的N沟道场效晶体管(JFET)21与多晶电容22，所述N沟道场效晶体管(JFET)21与多晶电容22为电连接，所述N沟道场效晶体管(JFET)21与多晶电容22之间设置有三个P+区域3。
所述N沟道场效晶体管(JFET)21包括P型衬底1与P-型区域2，所述P型衬底1上设有P-型区域2，所述N沟道场效晶体管(JFET)21的源电极与漏电极11沟道之间设有N阱区域6。
所述多晶电容包括下极板9、上极板8以及介质层，所述下极板9与上极板8之间设置有介质层。
进一步，所述N沟道场效晶体管(JFET)21的N型沟道为浅沟道。
进一步，三个所述P+区域3的大小与形状相同，三个所述P+区域3彼此隔离。
进一步，所述N阱区域6的宽度由上、下两个PN结之一的反向偏压控制，即由顶栅10的P扩散区与N阱区域6之间加偏置电压控制。
进一步，所述下极板9为多晶硅制成。
进一步，所述上极板8为铝制成。
进一步，所述介质层为耐高温氮化硅(SiN)制成。
一种制造驻极体麦克风内置电容专用管芯的方法，该方法为：在制作N阱区域6后生长多晶硅12，对多晶硅12进行光刻图形和刻蚀处理、光刻图形和刻蚀处理后对下极板9多晶硅区域进行大剂量磷注入、然后制作低压化学气相沉积(LPCVD)的高温氮化硅做电容介质层，正面再做金属淀积即制得多晶电容22，上面所述为多晶22电容与N沟道场效晶体管(JFET)21的工艺整合过程，即制得一种驻极体麦克风内置电容专用管芯。
N沟道场效晶体管(JFET)21的浅沟道N型杂质区由低浓度N型杂质浅注入退火工艺和P型栅注入后的浅扩散工艺形成。
N沟道场效晶体管(JFET)21的最终沟道高度由结深更浅的顶栅10扩散决定；顶栅10扩散前的离子注入采用高能注入条件下的薄氧化层掩蔽处理。
进一步，所需的所述浅注入的深度等于该能量下离子直接注入硅中深度减去氧化层厚度；顶栅10高能离子注入可增加底栅P区的浓度以提高底栅控制的灵敏性。
进一步，N沟道注入与扩散杂质、N阱扩散杂质以及电容掺杂的杂质都为磷。
进一步，所述顶栅10扩散的杂质为硼。
其中，所述电容SiN工艺采用现有的成熟技术。
本发明应用于驻极体传声器，由于随集成度要求，外围电容体积偏大很难用于很多运用领域，故本发明使外围电容集成到器件里。
本发明将电容同N沟道场效晶体管(JFET)集成在一个硅片上，减小了封装体积、降低了成本；集成电路芯片中各元件的性能达到预定的要求，如得到了饱和漏电流IDSS＝150μA～300μA、夹断电压Vp＝0.3～0.5V高性能的N沟道场效晶体管(JFET)和电容值10PF～100PF兼容在同一硅片上；在原有的N沟道场效晶体管(JFET)制造工艺基础上规范出混合兼容电容工艺设计规则和N沟道场效晶体管(JFET)工艺的PCM管理规范；本发明尤其是在制作N沟道场效晶体管(JFET)的同时不需增加很多加工工艺，加工成本比后续封装在一起低很多。
综上所述，仅为本发明的较佳实施例而已，并非用来限定本发明实施的范围，凡依本发明权利要求范围所述的形状、构造、特征及精神所为的均等变化与修饰，均应包括于本发明的权利要求范围内。

Claims (10)

1.一种驻极体麦克风内置电容专用管芯，其特征在于：其包括设置在同一芯片上的N沟道场效晶体管与多晶电容，所述N沟道场效晶体管与多晶电容为电连接，所述N沟道场效晶体管与多晶电容之间设置有三个P+区域；
所述N沟道场效晶体管包括P型衬底与P-型区域，所述P型衬底上设有P-型区域，所述N沟道场效晶体管的源电极与漏电极沟道之间设有N阱区域；
所述多晶电容包括下极板、上极板以及介质层，所述下极板与上极板之间设置有介质层。
2.根据权利要求1所述的一种驻极体麦克风内置电容专用管芯，其特征在于：所述N沟道场效晶体管的N型沟道为浅沟道。
3.根据权利要求1所述的一种驻极体麦克风内置电容专用管芯，其特征在于：三个所述P+区域的大小与形状相同。
4.根据权利要求1所述的一种驻极体麦克风内置电容专用管芯，其特征在于：所述N阱区域的宽度由顶栅的P扩散区与N阱区域之间加偏置电压控制。
5.根据权利要求1所述的一种驻极体麦克风内置电容专用管芯，其特征在于：所述下极板为多晶硅制成。
6.根据权利要求1所述的一种驻极体麦克风内置电容专用管芯，其特征在于：所述上极板为铝制成。
7.根据权利要求1所述的一种驻极体麦克风内置电容专用管芯，其特征在于：所述介质层为耐高温氮化硅制成。
8.一种制造权利要求1所述驻极体麦克风内置电容专用管芯的方法，其特征在于，该方法为：在制作N阱区域后生长多晶硅，对多晶硅进行光刻图形和刻蚀处理、光刻图形和刻蚀处理后对下极板多晶硅区域进行大剂量磷注入、然后制作低压化学气相沉积的高温氮化硅做电容介质层，正面再做金属淀积即制得多晶电容，上面所述为多晶电容与N沟道场效晶体管的工艺整合过程，即制得一种驻极体麦克风内置电容专用管芯；
N沟道场效晶体管的浅沟道N型杂质区由低浓度N型杂质浅注入退火工艺和P型栅注入后的浅扩散工艺形成；
N沟道场效晶体管的最终沟道高度由结深更浅的顶栅扩散决定；顶栅扩散前的离子注入采用高能注入条件下的薄氧化层掩蔽处理。
9.根据权利要求8所述的一种制造驻极体麦克风内置电容专用管芯的方法，其特征在于：所需的所述浅注入的深度等于该能量下离子直接注入硅中深度减去氧化层厚度。
10.根据权利要求8所述的一种制造驻极体麦克风内置电容专用管芯的方法，其特征在于：N沟道注入与扩散杂质、N阱扩散杂质以及电容掺杂的杂质都为磷；所述顶栅扩散的杂质为硼。
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Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000277532A (ja) * 1999-03-26 2000-10-06 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置
US6555857B1 (en) * 1999-03-09 2003-04-29 Sanyo Electric Co., Ltd. Semiconductor device
US20040085137A1 (en) * 2002-08-27 2004-05-06 Furst Claus Erdmann Preamplifier for two terminal electret condenser microphones
CN101288337A (zh) * 2005-07-19 2008-10-15 音频专用集成电路公司 可编程麦克风
CN101355827A (zh) * 2007-07-27 2009-01-28 苏州敏芯微电子技术有限公司 集成电路与电容式微硅麦克风的单片集成的制作方法及芯片
CN101546988A (zh) * 2008-03-28 2009-09-30 三洋电机株式会社 噪声滤波器以及噪声滤波器内置放大器电路
CN202068569U (zh) * 2011-05-30 2011-12-07 上海宝逊电声器材有限公司 一种驻极体麦克风内置电容专用管芯

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6555857B1 (en) * 1999-03-09 2003-04-29 Sanyo Electric Co., Ltd. Semiconductor device
JP2000277532A (ja) * 1999-03-26 2000-10-06 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置
US20040085137A1 (en) * 2002-08-27 2004-05-06 Furst Claus Erdmann Preamplifier for two terminal electret condenser microphones
CN101288337A (zh) * 2005-07-19 2008-10-15 音频专用集成电路公司 可编程麦克风
CN101355827A (zh) * 2007-07-27 2009-01-28 苏州敏芯微电子技术有限公司 集成电路与电容式微硅麦克风的单片集成的制作方法及芯片
CN101546988A (zh) * 2008-03-28 2009-09-30 三洋电机株式会社 噪声滤波器以及噪声滤波器内置放大器电路
CN202068569U (zh) * 2011-05-30 2011-12-07 上海宝逊电声器材有限公司 一种驻极体麦克风内置电容专用管芯

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