CN102237391A - 有机发光二极管显示器 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及有机发光二极管显示器。该有机发光二极管显示器包括：包括显示区和非显示区的基板；以矩阵形式布置在所述显示区中的子像素；形成在所述非显示区中的接触电极，该接触电极传输从外部接收到的电力，并且包括各个子像素中所包括的电极中的至少一个电极；以及包括各个子像素中所包括的绝缘层中的至少一个绝缘层的接触单元，该接触单元露出所述接触电极的一部分。各个子像素中所包括的上电极形成在所述显示区和所述非显示区中，并且通过所述接触单元电连接到所述接触电极。

Description

有机发光二极管显示器
技术领域
本发明的实施方式涉及有机发光二极管(OLED)显示器。
背景技术
本申请要求2010年4月21日提交的韩国专利申请No.10-2010-0036772的优先权，此处以引证的方式并入其内容。
在有机发光二极管(OLED)显示器中使用的有机发光元件具有自发光结构，在该自发光结构中在基板上两个电极之间形成发光层。根据发光方向，OLED显示器可以分成顶部发光型OLED显示器、底部发光型OLED显示器、和双发光型OLED显示器。根据驱动方式，OLED显示器可以分成无源矩阵型OLED显示器和有源矩阵型OLED显示器。
在OLED显示器中，多个子像素中的每一个子像素都包括晶体管单元和发光单元。晶体管单元包括开关晶体管、驱动晶体管、和电容器，而发光单元包括连接到驱动晶体管的下电极、有机发光层、和上电极。当向以矩阵形式布置的多个子像素提供扫描信号、数据信号、电力等时，被选择的子像素发光以由此显示图像。
在OLED显示器中，接触电极形成在非显示区中以向形成在显示区中的子像素的上电极供电。此外，接触电极在上电极的形成工序中电连接到上电极。但是，在相关技术的OLED显示器中，在形成在非显示区中的接触电极与形成在显示区中的上电极之间没有实现平顺接触，因而在接触电极与上电极之间产生了短路。此外，接触电极由于电场集中在接触电极的上边缘上而可能受到损坏。
发明内容
在一个方面，一种有机发光二极管显示器包括：包括显示区和非显示区的基板；以矩阵形式布置在所述显示区中的子像素；形成在所述非显示区中的接触电极，该接触电极传输从外部接收到的电力，并且包括各个子像素中所包括的电极中的至少一个电极；以及包括各个子像素中所包括的绝缘层中的至少一个绝缘层的接触单元，该接触单元露出所述接触电极的一部分，其中，各个子像素中所包括的上电极形成在所述显示区和所述非显示区中，并且通过所述接触单元电连接到所述接触电极。
附图说明
附图被包括在本说明书中以提供对本发明的进一步理解，并结合到本说明书中且构成本说明书的一部分，附图示出了本发明的实施方式，且与说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中：
图1是示意性地例示了有机发光二极管(OLED)显示器的框图；
图2例示了图1所示的子像素的电路结构；
图3是示意性地例示了图1所示的OLED显示器的平面图；
图4是图3所示的子像素的截面图；
图5到图7例示了根据本发明的第一示例性实施方式的接触单元和接触电极的结构；
图8到图10例示了根据本发明的第二示例性实施方式的接触单元和接触电极的结构；
图11和图12例示了根据本发明的第三示例性实施方式的接触单元和接触电极的结构；
图13到图15例示了根据本发明的第四示例性实施方式的接触单元和接触电极的结构；
图16和图17例示了根据本发明的第五示例性实施方式的接触单元和接触电极的结构；
图18和图19例示了根据本发明的第六示例性实施方式的接触单元和接触电极的结构；以及
图20和图21例示了根据本发明的第七示例性实施方式的接触单元和接触电极的结构。
具体实施方式
下面将详细描述本发明的实施方式，在附图中例示出了其示例。
图1是示意性地例示了有机发光二极管(OLED)显示器的框图。图2例示了图1所示的子像素的电路结构。图3是示意性地例示了图1所示的OLED显示器的平面图。图4是图3所示的子像素的截面图。
如图1和图2所示，该OLED显示器包括定时控制器TCN、数据驱动器DDRV、扫描驱动器SDRV、电源单元PWR、以及面板PNL。
定时控制器TCN使用数据驱动信号DDC来控制数据驱动器DDRV，并且同时使用选通驱动信号GDC来控制扫描驱动器SDRV。定时控制器TCN把从外部接收的视频信号转换成数据信号DATA并且将数据信号DATA提供给数据驱动器DDRV。定时控制器TCN可以以集成电路(IC)形式安装到与面板PNL相连的印刷电路板(PCB)上。
数据驱动器DDRV在定时控制器TCN的控制下通过位于面板PNL上的数据线DL1到DLn向子像素SP提供数据信号DATA。数据驱动器DDRV可以以IC形式安装在面板PNL上。
扫描驱动器SDRV在定时控制器TCN的控制下通过位于面板PNL上的扫描线SL1到SLm向子像素SP提供扫描信号。扫描驱动器SDRV可以以IC形式或以面板中栅极(GIP：gate-in-panel)形式安装在面板PNL上。
电源单元PWR产生高电位电力VDD和低电位电力GND并将它们提供给定时控制器TCN、数据驱动器DDRV、扫描驱动器SDRV、以及面板PNL中的至少一个。电源单元PWR可以安装在与面板PNL相连的印刷电路板上。
面板PNL包括以矩阵形式布置在基板上的多个子像素SP。子像素SP可以按照无源矩阵形式或者有源矩阵形式来布置。如图2所示，当以有源矩阵形式布置子像素SP时，各个子像素SP都可以具有包括开关晶体管S、驱动晶体管T、电容器Cst、以及有机发光二极管D的2T1C结构(即，包括两个晶体管T和一个电容器C)。或者，各个子像素SP都可以具有向2T1C结构添加晶体管和电容器的结构。在2T1C结构中，可以将开关晶体管S、驱动晶体管T、和电容器Cst定义为晶体管单元，并且可以将有机发光二极管D定义为发光单元。下面参照图2来描述构成具有2T1C结构的子像素SP的部件之间的连接关系。如图2所示，开关晶体管S的栅极连接到扫描线SL1(向扫描线SL1提供扫描信号)，开关晶体管S的一个端子连接到数据线DL1(向数据线DL1提供数据信号DATA)，而开关晶体管S的另一个端子连接到第一节点n1。驱动晶体管T的栅极连接到第一节点n1，驱动晶体管T的一个端子连接到与电源线VDD(向电源线VDD提供高电位电力)相连的第二节点n2，而驱动晶体管T的另一个端子连接到第三节点n3。电容器Cst的一个端子连接到第一节点n1，而电容器Cst的另一个端子连接到第三节点n3。有机发光二极管D的下电极连接到第三节点n3，而有机发光二极管D的上电极连接到接地线GND(向接地线GND提供低电位电力)。
尽管以上描述了包括在子像素SP中的晶体管S和T是n型的示例，但晶体管S和T可以是p型。晶体管S和T可以是非晶硅(a-Si)晶体管、多晶硅晶体管、氧化物晶体管、有机晶体管等。晶体管S和T可以具有底栅结构和顶栅结构。通过电源线VDD提供的高电位电力可以比通过接地线GND提供的低电位电力高。高电位电力和低电位电力由电源单元PWR提供。
上述子像素SP可以如下工作。如图2所示，当通过扫描线SL1提供了扫描信号时，开关晶体管S导通。接下来，当通过导通的开关晶体管S把通过数据线DL1而提供的数据信号DATA提供给第一节点n1时，将数据信号DATA作为数据电压存储在电容器Cst中。接着，当切断了扫描信号并截止了开关晶体管S时，根据存储在电容器Cst中的数据电压来驱动驱动晶体管T。接着，当通过电源线VDD提供的高电位电力流过接地线GND时，有机发光二极管D发出红光、绿光、和蓝光中的一种。图2所示的驱动方法仅仅是有助于理解子像素的电路结构的子像素的驱动方法的一个示例，并且本发明的实施方式并不限于图2所示的子像素SP的驱动方法。可以将子像素的其它驱动方法用于本发明的实施方式。
如图3和图4所示，该OLED显示器包括形成在构成面板的基板110a上的焊盘单元PAD、驱动IC DIC、显示区AA、以及非显示区NA。使用封装材料122(例如，前部密封剂(front sealant))将构成了面板的基板110a与密封基板110b进行封装，由此来保护形成在显示区AA中的子像素SP免受外界影响。焊盘单元PAD电连接到外部的印刷电路板，并且向面板传输由定时控制器等产生的各种信号。将构成面板的基板110a限定为显示图像的显示区AA和不显示图像的非显示区NA。以矩阵形式布置的子像素SP形成在被限定为显示区AA的基板110a上，并且传输从外部接收到的电力的接触电极CE形成在被限定成非显示区NA的基板110a上。尽管没有示出，但是连接到驱动IC DIC的数据线和扫描线、连接到焊盘单元PAD的电源线和接地线等形成在被限定成非显示区NA的基板110a上。尽管图3所示的驱动IC DIC具有在一个芯片上形成图1所示的数据驱动器DDRV和扫描驱动器SDRV的结构，但是该驱动ICDIC并不限于此。此外，基于包括在子像素SP中的下电极和上电极的结构，可以选择接触电极CE作为接地线或者电源线。在本发明的实施方式中，接触电极CE形成在显示区AA的一个表面上。但是，可以将接触电极CE形成为围绕显示区AA的两个、三个或四个表面。
下面详细描述子像素SP的结构。
如图4所示，各自包括源区、沟道区、和漏区的第一有源层111a和第二有源层111b形成在基板110a上。第一有源层111a和第二有源层111b中的每一个的源区和漏区掺杂了p型杂质或n型杂质。第一绝缘层112形成在基板110a上以覆盖第一有源层111a和第二有源层111b。第一绝缘层112可以由硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)或其它材料形成。第一栅极113a和第二栅极113b形成在第一绝缘层112上与第一有源层111a和第二有源层111b相对应的位置处。第二绝缘层114形成在第一绝缘层112上以覆盖第一栅极113a和第二栅极113b，并且露出第一有源层111a的一部分。第二绝缘层114可以由硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)或其它材料形成。连接到第一有源层111a的露出部分的源极115a和漏极115b形成在第二绝缘层114上。电容器电极115c按照与源极115a和漏极115b相同的方式形成在第二绝缘层114上。电容器电极115c与第二栅极113b形成电容器。第三绝缘层116形成在第二绝缘层114上以覆盖源极115a和漏极115b以及电容器电极115c。第三绝缘层116可以由硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)或其它材料形成。第四绝缘层117形成在第三绝缘层116上以露出源极115a和漏极115b的一部分。第四绝缘层117可以由硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)或其它材料形成。连接到源极115a和漏极115b的露出部分的下电极118形成在第四绝缘层117上。可以选择下电极118作为阳极或阴极。当选择下电极118作为阳极时，阳极118可以由诸如氧化铟锡(ITO)、和氧化铟锌(IZO)或其它材料的透明金属材料形成。第五绝缘层119形成在下电极118上以露出下电极118的一部分。第五绝缘层119可以由诸如基于苯并环丁烯(BCB)的树脂、丙烯酸树脂、和聚酰亚胺树脂的有机材料形成。可以使用其它材料。有机发光层120形成在第五绝缘层119上以覆盖下电极118的露出部分。有机发光层120可以包括空穴传输层、空穴注入层、发光层、电子注入层、以及电子传输层。此外，有机发光层120还可以包括其它功能层。有机发光层120可以发射红光、绿光、和蓝光中的至少一种。有机发光层120所包括的层中的至少一层作为虚设层形成在显示区AA外部，如图3所示。上电极121形成在有机发光层120上。可以选择上电极121作为阳极或阴极。当选择上电极121作为阴极时，阴极121可以由诸如铝(Al)和铝钕(AlNd)的不透明金属材料形成。可以使用其它材料。如图3所示，上电极121形成在显示区AA和非显示区NA中，并且通过接触单元CA电连接到接触电极CE。因此，上电极121可以通过上电极121与接触电极CE之间的电连接来接收高电位电力或低电位电力。在本发明的实施方式中，接触电极CE是形成在非显示区NA中的至少一个电极。接触单元CA形成在非显示区NA中，并且是允许接触电极CE的一部分逐渐倾斜并露出接触电极CE的逐渐倾斜部分的绝缘层。
此后，对接触电极CE和接触单元CA的结构的各种实施方式进行描述。
<第一示例性实施方式>
图5到图7例示了根据本发明的第一示例性实施方式的接触单元和接触电极的结构。
如图3和图5所示，使用与第一栅极113a和第二栅极113b相同的工序和相同的材料，将接触电极113c(CE)形成在被限定为非显示区NA的基板110a上。接触单元112、114和119(CA)包括三个绝缘层。使用与第一绝缘层112、第二绝缘层114、和第五绝缘层119相同的工序和相同的材料形成这三个绝缘层。接触单元112、114和119(CA)覆盖接触电极113c(CE)的边缘部分并且露出接触电极113c(CE)的中部。
如图3和图6所示，使用与第一栅极113a和第二栅极113b相同的工序和相同的材料，将接触电极113c(CE)形成在被限定为非显示区NA的基板110a上。接触单元112、114和117(CA)包括三个绝缘层。使用与第一绝缘层112、第二绝缘层114、和第四绝缘层117相同的工序和相同的材料形成这三个绝缘层。接触单元112、114和117(CA)覆盖接触电极113c(CE)的边缘部分并且露出接触电极113c(CE)的中部。
如图3和图7所示，使用与第一栅极113a和第二栅极113b相同的工序和相同的材料，将接触电极113c(CE)形成在被限定为非显示区NA的基板110a上。接触单元112、114、117及119(CA)包括四个绝缘层。使用与第一绝缘层112、第二绝缘层114、第四绝缘层117、及第五绝缘层119相同的工序和相同的材料形成这四个绝缘层。接触单元112、114、117及119(CA)覆盖接触电极113c(CE)的边缘部分并且露出接触电极113c(CE)的中部。
由于上电极121通过具有基于上述结构的单层结构的接触电极113c(CE)的中部而电连接到接触电极113c(CE)，因此上电极121可以平顺地接触到接触电极113c(CE)，并且可以防止电场集中在接触电极113c(CE)的上边缘上。
<第二示例性实施方式>
图8到图10例示了根据本发明的第二示例性实施方式的接触单元和接触电极的结构。
如图3和图8所示，使用与源极115a和漏极115b相同的工序和相同的材料，将接触电极115d(CE)形成在被限定为非显示区NA的基板110a上。由于使用与源极115a和漏极115b相同的工序和相同的材料形成接触电极115d(CE)，因此两个绝缘层112和114形成在接触电极115d(CE)下面。两个绝缘层112和114是第一绝缘层112和第二绝缘层114。接触单元119(CA)包括一个绝缘层。使用与第五绝缘层119相同的工序和相同的材料形成这一个绝缘层。接触单元119(CA)覆盖接触电极115d(CE)的边缘部分并露出接触电极115d(CE)的中部。
如图3和图9所示，使用与源极115a和漏极115b相同的工序和相同的材料，将接触电极115d(CE)形成在被限定为非显示区NA的基板110a上。由于使用与源极115a和漏极115b相同的工序和相同的材料形成接触电极115d(CE)，因此两个绝缘层112和114形成在接触电极115d(CE)下面。两个绝缘层112和114是第一绝缘层112和第二绝缘层114。接触单元117(CA)包括一个绝缘层。使用与第四绝缘层117相同的工序和相同的材料形成这一个绝缘层。接触单元117(CA)覆盖接触电极115d(CE)的边缘部分并露出接触电极115d(CE)的中部。
如图3和图10所示，使用与源极115a和漏极115b相同的工序和相同的材料，将接触电极115d(CE)形成在被限定为非显示区NA的基板110a上。由于使用与源极115a和漏极115b相同的工序和相同的材料形成接触电极115d(CE)，因此两个绝缘层112和114形成在接触电极115d(CE)下面。两个绝缘层112和114是第一绝缘层112和第二绝缘层114。接触单元117和119(CA)包括两个绝缘层。使用与第四绝缘层117和第五绝缘层119相同的工序和相同的材料形成这两个绝缘层。接触单元117和119(CA)覆盖接触电极115d(CE)的边缘部分并露出接触电极115d(CE)的中部。
由于上电极121通过具有基于上述结构的单层结构的接触电极115d(CE)的中部而电连接到接触电极115d(CE)，因此上电极121可以平顺地接触到接触电极115d(CE)，并且可以防止电场集中在接触电极115d(CE)的上边缘上。
<第三示例性实施方式>
图11和图12例示了根据本发明的第三示例性实施方式的接触单元和接触电极的结构。
如图3和图11所示，使用与下电极118相同的工序和相同的材料，将接触电极118b(CE)形成在被限定为非显示区NA的基板110a上。由于使用与下电极118相同的工序和相同的材料形成接触电极118b(CE)，因此两个绝缘层112和114形成在接触电极118b(CE)下面。两个绝缘层112和114是第一绝缘层112和第二绝缘层114。接触单元119(CA)包括一个绝缘层。使用与第五绝缘层119相同的工序和相同的材料形成这一个绝缘层。接触单元119(CA)覆盖接触电极118b(CE)的边缘部分并露出接触电极118b(CE)的中部。
如图3和图12所示，使用与下电极118相同的工序和相同的材料，将接触电极118b(CE)形成在被限定为非显示区NA的基板110a上。由于使用与下电极118相同的工序和相同的材料形成接触电极118b(CE)，因此三个绝缘层112、114和117形成在接触电极118b(CE)下面。三个绝缘层112、114和117是第一绝缘层112、第二绝缘层114、和第四绝缘层117。接触单元119(CA)包括一个绝缘层。使用与第五绝缘层119相同的工序和相同的材料形成这一个绝缘层。接触单元119(CA)覆盖接触电极118b(CE)的边缘部分并露出接触电极118b(CE)的中部。
由于上电极121通过具有基于上述结构的单层结构的接触电极118b(CE)的中部而电连接到接触电极118b(CE)，因此上电极121可以平顺地接触到接触电极118b(CE)，并且可以防止电场集中在接触电极118b(CE)的上边缘上。
<第四示例性实施方式>
图13到图15例示了根据本发明的第四示例性实施方式的接触单元和接触电极的结构。
如图3和图13所示，使用与第一栅极113a和第二栅极113b以及源极115a和115b相同的工序和相同的材料，将接触电极113c和115d(CE)形成在被限定为非显示区NA的基板110a上。因此，上接触电极115d(CE)形成在露出了下接触电极113c(CE)的中部的第一绝缘层112和第二绝缘层114上。接触单元119(CA)包括一个绝缘层。使用与第五绝缘层119相同的工序和相同的材料形成这一个绝缘层。接触单元119(CA)覆盖上接触电极115d的边缘部分并且露出上接触电极115d的中部。
如图3和图14所示，使用与第一栅极113a和第二栅极113b以及源极115a和漏极115b相同的工序和相同的材料，将接触电极113c和115d(CE)形成在被限定为非显示区NA的基板110a上。因此，上接触电极115d(CE)形成在露出了下接触电极113c(CE)的中部的第一绝缘层112和第二绝缘层114上。接触单元117和119(CA)包括两个绝缘层。使用与第四绝缘层117和第五绝缘层119相同的工序和相同的材料形成这两个绝缘层。接触单元117和119(CA)覆盖上接触电极115d的边缘部分并且露出上接触电极115d的中部。
如图3和图15所示，使用与第一栅极113a和第二栅极113b以及源极115a和漏极115b相同的工序和相同的材料，将接触电极113c和115d(CE)形成在被限定为非显示区NA的基板110a上。因此，上接触电极115d(CE)形成在露出了下接触电极113c(CE)的中部的第一绝缘层112和第二绝缘层114上。接触单元117(CA)包括一个绝缘层。使用与第四绝缘层117相同的工序和相同的材料形成这一个绝缘层。接触单元117(CA)覆盖上接触电极115d(CE)的边缘部分并且露出上接触电极115d(CE)的中部。
由于上电极121通过具有基于上述结构的双层结构的接触电极113c和115d(CE)的中部而电连接到接触电极113c和115d(CE)，因此上电极121可以平顺地接触到接触电极113c和115d(CE)，并且可以防止电场集中在接触电极113c和115d(CE)的上边缘上。
<第五示例性实施方式>
图16和图17例示了根据本发明的第五示例性实施方式的接触单元和接触电极的结构。
如图3和图16所示，使用与第一栅极113a和第二栅极113b以及下电极118相同的工序和相同的材料，将接触电极113c和118b(CE)形成在被限定为非显示区NA的基板110a上。因此，上接触电极118b(CE)形成在露出了下接触电极113c(CE)的中部的第一绝缘层112和第二绝缘层114上。接触单元119(CA)包括一个绝缘层。使用与第五绝缘层119相同的工序和相同的材料形成这一个绝缘层。接触单元119(CA)覆盖上接触电极118b的边缘部分并且露出上接触电极118b的中部。
如图3和图17所示，使用与第一栅极113a和第二栅极113b以及下电极118相同的工序和相同的材料，将接触电极113c和118b(CE)形成在被限定为非显示区NA的基板110a上。因此，上接触电极118b(CE)形成在露出了下接触电极113c(CE)的中部的第一绝缘层112、第二绝缘层114、和第四绝缘层117上。接触单元119(CA)包括一个绝缘层。使用与第五绝缘层119相同的工序和相同的材料形成这一个绝缘层。接触单元119(CA)覆盖上接触电极118b的边缘部分并且露出上接触电极118b的中部。
由于上电极121通过具有基于上述结构的双层结构的接触电极113c和118b(CE)的中部而电连接到接触电极113c和118b(CE)，因此上电极121可以平顺地接触到接触电极113c和118b(CE)，并且可以防止电场集中在接触电极113c和118b(CE)的上边缘上。
<第六示例性实施方式>
图18和图19例示了根据本发明的第六示例性实施方式的接触单元和接触电极的结构。
如图3和图18所示，使用与源极115a和漏极115b以及下电极118相同的工序和相同的材料，将接触电极115d和118b(CE)形成在被限定为非显示区NA的基板110a上。因此，上接触电极118b(CE)形成在露出了下接触电极115d(CE)的中部的第一绝缘层112和第二绝缘层114上。接触单元119(CA)包括一个绝缘层。使用与第五绝缘层119相同的工序和相同的材料形成这一个绝缘层。接触单元119(CA)覆盖上接触电极118b的边缘部分并且露出上接触电极118b的中部。
如图3和图19所示，使用与源极115a和漏极115b以及下电极118相同的工序和相同的材料，将接触电极115d和118b(CE)形成在被限定为非显示区NA的基板110a上。因此，上接触电极118b(CE)形成在露出了下接触电极115d(CE)的中部的第一绝缘层112、第二绝缘层114、和第四绝缘层117上。在第六示例性实施方式中，第四绝缘层117形成在上接触电极118b与下接触电极115d之间以覆盖下接触电极115d的边缘部分并露出下接触电极115d的中部。接触单元119(CA)包括一个绝缘层。使用与第五绝缘层119相同的工序和相同的材料形成这一个绝缘层。接触单元119(CA)覆盖上接触电极118b的边缘部分并且露出上接触电极118b的中部。
由于上电极121通过具有基于上述结构的双层结构的接触电极115d和118b(CE)的中部而电连接到接触电极115d和118b(CE)，因此上电极121可以平顺地接触到接触电极115d和118b(CE)，并且可以防止电场集中在接触电极115d和118b(CE)的上边缘上。
<第七示例性实施方式>
图20和图21例示了根据本发明的第七示例性实施方式的接触单元和接触电极的结构。
如图3和图20所示，使用与第一栅极113a和第二栅极113b、源极115a和漏极115b、以及下电极118相同的工序和相同的材料，将接触电极113c、115d和118b(CE)形成在被限定为非显示区NA的基板110a上。因此，中间接触电极115d(CE)和上接触电极118b(CE)形成在露出了下接触电极113c(CE)的中部的第一绝缘层112和第二绝缘层114上。接触单元119(CA)包括一个绝缘层。使用与第五绝缘层119相同的工序和相同的材料形成这一个绝缘层。接触单元119(CA)覆盖上接触电极118b的边缘部分并且露出上接触电极118b的中部。
如图3和图21所示，使用与第一栅极113a和第二栅极113b、源极115a和漏极115b、以及下电极118相同的工序和相同的材料，将接触电极113c、115d和118b(CE)形成在被限定为非显示区NA的基板110a上。因此，中间接触电极115d(CE)和上接触电极118b(CE)形成在露出了下接触电极113c(CE)的中部的第一绝缘层112、第二绝缘层114、和第四绝缘层117上。在第七示例性实施方式中，第四绝缘层117形成在上接触电极118b与中间接触电极115d之间以覆盖中间接触电极115d的边缘部分并露出中间接触电极115d的中部。接触单元119(CA)包括一个绝缘层。使用与第五绝缘层119相同的工序和相同的材料形成这一个绝缘层。接触单元119(CA)覆盖上接触电极118b的边缘部分并且露出上接触电极118b的中部。
由于上电极121通过具有基于上述结构的三层结构的接触电极113c、115d和118b(CE)的中部而电连接到接触电极113c、115d和118b(CE)，因此上电极121可以平顺地接触到接触电极113c、115d和118b(CE)，并且可以防止电场集中在接触电极113c、115d和118b(CE)的上边缘上。
如上所述，在根据本发明的示例性实施方式的OLED显示器中，由于形成在面板的非显示区中的接触电极平顺地接触到形成在面板的显示区中的上电极，因此可以防止接触电极与上电极之间的短路，并且可以防止由于电场集中在接触电极的上边缘上而引起的对接触电极的损坏。此外，本发明的示例性实施方式可以提供能够减小线电阻的接触电极的结构。
尽管参照多个示例性实施方式描述了实施方式，应理解的是本领域技术人员可想出落入本公开的原理的范围内的许多其它修改和实施方式。更具体地，在本公开、附图以及所附的权利要求的范围内，在主题组合设置的组成部分和/或设置中可以做出各种变型和修改。除了组成部分和/或设置中的变型和修改之外，替换使用对于本领域技术人员也是明显的。

Claims (10)

1.一种有机发光二极管显示器，该有机发光二极管显示器包括：
包括显示区和非显示区的基板；
以矩阵形式布置在所述显示区中的子像素；
形成在所述非显示区中的接触电极，该接触电极传输从外部接收到的电力，并且包括各个子像素中所包括的电极中的至少一个电极；以及
包括各个子像素中所包括的绝缘层中的至少一个绝缘层的接触单元，该接触单元露出所述接触电极的一部分，
其中，各个子像素中所包括的上电极形成在所述显示区和所述非显示区中，并且通过所述接触单元电连接到所述接触电极。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，使用与各个子像素中所包括的所述电极中的至少一个电极相同的工艺和相同的材料来形成所述接触电极，
其中，使用与各个子像素中所包括的所述绝缘层中的至少一个绝缘层相同的工艺和相同的材料来形成所述接触单元中所形成的所述绝缘层。
3.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，将所述接触电极形成为各个子像素中所包括的栅极，
其中，形成在所述接触单元中的所述绝缘层包括各个子像素中所包括的所述绝缘层中的至少三个绝缘层。
4.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，至少两个绝缘层形成在所述接触电极的下面，并且所述接触电极被形成为各个子像素中所包括的源极和漏极，
其中，形成在所述接触单元中的所述绝缘层包括各个子像素中所包括的所述绝缘层中的至少一个绝缘层。
5.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，所述接触电极被形成为各个子像素中所包括的栅极、源极、和漏极，
其中，形成在所述接触单元中的所述绝缘层包括各个子像素中所包括的所述绝缘层中至少一个绝缘层。
6.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，至少三个绝缘层形成在所述接触电极的下面，并且所述接触电极被形成为各个子像素中所包括的下电极，
其中，形成在所述接触单元中的所述绝缘层包括各个子像素中所包括的所述绝缘层中至少一个绝缘层。
7.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，将所述接触电极被形成为各个子像素中所包括的栅极和下电极，
其中，形成在所述接触单元中的所述绝缘层包括各个子像素中所包括的所述绝缘层中的至少三个绝缘层。
8.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，所述接触电极被形成为各个子像素中所包括的源极、漏极、和下电极，
其中，形成在所述接触单元中的所述绝缘层包括各个子像素中所包括的所述绝缘层中的至少三个绝缘层。
9.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，所述接触电极被形成为各个子像素中所包括的栅极、源极、漏极、以及下电极，
其中，形成在所述接触单元中的所述绝缘层包括各个子像素中所包括的所述绝缘层中的至少三个绝缘层。
10.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中，各个子像素包括：
第一绝缘层，其覆盖形成在所述基板上的有源层；
第二绝缘层，其覆盖形成在所述第一绝缘层上的栅极；
第三绝缘层，其露出形成在所述第二绝缘层上的源极和漏极之一；
第四绝缘层，其形成在所述第三绝缘层上并露出所述源极和所述漏极之一；
下电极，其形成在所述第四绝缘层上并且连接到所述源极和所述漏极之一；
第五绝缘层，其形成在所述第四绝缘层上并露出所述下电极的一部分；
有机发光层，其形成在所述下电极上；以及
上电极，其形成在所述有机发光层上。
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