CN102226983A - 刻蚀清洗设备及刻蚀清洗工艺 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及光伏行业硅片刻蚀清洗工艺及设备，一种刻蚀清洗设备，具有三个化学药品槽、三个DI-water水洗槽和风干仓，三个化学药品槽分别为氢氟酸/硝酸刻蚀槽、氢氧化钾刻蚀槽和氢氟酸/盐酸清洗槽，本发明能解决现有存在着明显的破片和黑点的缺陷问题。

Description

刻蚀清洗设备及刻蚀清洗工艺
技术领域
本发明涉及光伏行业硅片刻蚀清洗工艺及设备。
背景技术
图1为制绒设备原工艺流程图，wafer按照图中指示方向依次通过各个槽体，最后在风干槽体内被风刀吹干后，整个流程结束。黑色箭头所示为外围纯水在设备内的示意图，先进入RINSE3槽体，满后溢入到RINSE2，同理到RINSE1，满后溢出部分直接排出设备端；由于外围供给的纯水温度较低且不稳定，所以到dryer处时，风刀很难完全将片子吹干，造成一部分片子表面存在微小水滴，导致扩散后部分片子表面产生蓝黑点；由于吹干困难，不得不把风刀运动的频率提高到90％，震动较大，增加了破片率。
发明内容
为了克服上述缺陷，本发明要解决的技术问题是：针对现有存在着明显的缺陷问题，提供一种EVA中VA含量的测试方法。
为了克服背景技术中存在的缺陷，本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种刻蚀清洗设备，具有三个化学药品槽、三个DI-water水洗槽和风干仓，三个化学药品槽分别为氢氟酸/硝酸刻蚀槽、氢氧化钾刻蚀槽和氢氟酸/盐酸清洗槽，其特征在于：三个化学药品槽和三个水洗槽的依次排列为氢氟酸/硝酸刻蚀槽、DI-water水洗槽1、氢氧化钾清洗槽、DI-water水洗槽2、氢氟酸/盐酸清洗槽和DI-water水洗槽3，在DI-water水洗槽3连接有进水管，进水管上设置有恒温控制加热器，在DI-water水洗槽1、DI-water水洗槽2和DI-water水洗槽3之间有水管连接。
本发明采用所述的刻蚀清洗设备的刻蚀清洗工艺，硅片在氢氟酸/硝酸刻蚀槽进行刻蚀后，经过DI-water水洗槽内清洗除去残留在硅片表面的氢氟酸/硝酸，经清洗的硅片在进入氢氧化钾清洗槽进行碱反应，将经碱清洗的硅片在DI-water水洗2槽中清洗除去硅片表面参留的氢氧化钾，将经二次清洗的硅片放入氢氟酸/盐酸清洗槽进行反应后再经DI-water水洗3槽中40～60℃的水进行清洗出去残留在硅片表面的氢氟酸/盐酸，将清洗后的硅片风干，风刀频率在80～85％。有益效果：在外围供给的热水进入RINSE3槽体之前，增加高功率恒温控制加热器，把外围供给的纯水加热到50℃并保持恒温，这样三个水洗槽内的温度都基本控制在50℃，1，清洗片子的能力增强；2，热水蒸发速度要大于冷水，片子表面残留微小水滴减少，从而减少蓝黑点问题；3，由于片子表面相对较容易吹干，因此可降低dryer处风刀的运动频率，从而减少震动，降低破片率。
附图说明
图1为现有的硅片制绒设备原工艺流程图；
图2为本发明硅片制绒设备工艺流程图。
具体实施方式
实施例一
一种刻蚀清洗设备，具有三个化学药品槽、三个DI-water水洗槽和风干仓，三个化学药品槽分别为氢氟酸/硝酸刻蚀槽、氢氧化钾刻蚀槽和氢氟酸/盐酸清洗槽，其特征在于：三个化学药品槽和三个水洗槽的依次排列为氢氟酸/硝酸刻蚀槽、DI-water水洗槽1、氢氧化钾清洗槽、DI-water水洗槽2、氢氟酸/盐酸清洗槽和DI-water水洗槽3，在DI-water水洗槽3连接有进水管，进水管上设置有恒温控制加热器，在DI-water水洗槽1、DI-water水洗槽2和DI-water水洗槽3之间有水管连接。
采用所述的刻蚀清洗设备的刻蚀清洗工艺，硅片在氢氟酸/硝酸刻蚀槽进行刻蚀后，经过DI-water水洗槽内清洗除去残留在硅片表面的氢氟酸/硝酸，经清洗的硅片在进入氢氧化钾清洗槽进行碱反应，将经碱清洗的硅片在DI-water水洗2槽中清洗除去硅片表面参留的氢氧化钾，将经二次清洗的硅片放入氢氟酸/盐酸清洗槽进行反应后再经DI-water水洗3槽中40～60℃的水进行清洗出去残留在硅片表面的氢氟酸/盐酸，将清洗后的硅片风干，风刀频率在80～85％。
试验情况来看，相对改造前的比例，扩散后蓝黑点片的比例降低了60％，破片率降低了30％。
经过试验对比，温度设定在50℃，试验效果最佳，如下所示
Figure BDA0000060367960000031

Claims (2)

1.一种刻蚀清洗设备，具有三个化学药品槽、三个DI-water水洗槽和风干仓，三个化学药品槽分别为氢氟酸/硝酸刻蚀槽、氢氧化钾刻蚀槽和氢氟酸/盐酸清洗槽，其特征在于：三个化学药品槽和三个水洗槽的依次排列为氢氟酸/硝酸刻蚀槽、DI-water水洗槽1、氢氧化钾清洗槽、DI-water水洗槽2、氢氟酸/盐酸清洗槽和DI-water水洗槽3，在DI-water水洗槽3连接有进水管，进水管上设置有恒温控制加热器，在DI-water水洗槽1、DI-water水洗槽2和DI-water水洗槽3之间有水管连接。
2.采用如权利要求1所述的刻蚀清洗设备的刻蚀清洗工艺，其特征在于：硅片在氢氟酸/硝酸刻蚀槽进行刻蚀后，经过DI-water水洗槽内清洗除去残留在硅片表面的氢氟酸/硝酸，经清洗的硅片在进入氢氧化钾清洗槽进行碱反应，将经碱清洗的硅片在DI-water水洗2槽中清洗除去硅片表面参留的氢氧化钾，将经二次清洗的硅片放入氢氟酸/盐酸清洗槽进行反应后再经DI-water水洗3槽中40～60℃的水进行清洗出去残留在硅片表面的氢氟酸/盐酸，将清洗后的硅片风干，风刀频率在80～85％。
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