CN102226064A - 含有量子点的乙烯-醋酸乙烯酯胶膜及其制备方法和应用 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种含有量子点的乙烯-醋酸乙烯酯胶膜的制备方法,包括以下步骤:用改性剂对半导体量子点的表面进行亲水性或亲油性改性,再将改性后的半导体量子点均匀分散在溶剂中,形成半导体量子点墨水,然后把半导体量子点墨水、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物和助剂混合,经过热压成型或挤出成型,得到含有半导体量子点的乙烯-醋酸乙烯酯胶膜。该制备方法简单,可控性好,可操作性强,易于工业化生产。本发明还公开了一种含有量子点的乙烯-醋酸乙烯酯胶膜,应用于太阳电池,能有效提高太阳电池的利用效率。

Description

含有量子点的乙烯-醋酸乙烯酯胶膜及其制备方法和应用
技术领域
本发明涉及复合功能材料领域,尤其涉及一种含有半导体量子点的乙烯-醋酸乙烯酯共聚物(EVA)胶膜及其制备方法和应用。
背景技术
EVA是一种支化度高的无规共聚物,由无极性的乙烯单体与强极性的乙酸乙烯酯(VA)单体共聚而成,它的结构如下:
EVA与聚乙烯相比,由于受强极性乙酸乙烯酯的影响,其结晶性降低了,极性提高了,柔韧性、应力断裂性、耐挠曲开裂性、低温柔韧性和耐冲击强度有所增加,而抗冲强度、硬度、耐油脂性、熔点、热封温度和介电性能有所下降。另外,随着EVA中乙酸乙烯酯单体所占比例的不同,EVA的物理、化学及加工性能也会有很大差异(伍桂松,张晓茹,我国乙烯-乙酸乙烯共聚物现状及发展建议,化工技术经济7(2003),23-28)。通过对EVA性能的调控,EVA能够满足各种应用领域如太阳电池封装材料、农膜、运动器材、汽车用品等的需要。
作为太阳电池封装材料时,EVA是一种热固性的膜状热熔胶,常温下不发粘,便于操作。在熔融状态下,它和硅晶片、玻璃、聚氟乙烯复合膜(TPT)产生粘接,易于太阳电池的封装。同时,EVA胶膜具有透明、粘接性好、能承受大气变化且具有弹性的特点,非常适合太阳电池的应用环境。但是,如果EVA胶膜未经改性,它会受到太阳光中紫外线的破坏,发生龟裂,或降解变色,或和玻璃、TPT脱胶,无法长期使用。因此,需要采取抗紫外线老化的措施。通常是在EVA胶膜内添加紫外吸收剂和光稳定剂,其中,紫外吸收剂可以吸收紫外线,光稳定剂可以捕捉光降解过程中产生的烷基活性自由基,在光稳定化过程中起再生作用,抑制连锁反应。紫外吸收剂和光稳定剂的协同作用可以减小紫外线对EVA胶膜的破坏。在实际生产中,一般选用含28-35%乙酸乙烯酯单体的EVA做基本原料,经过熔融共混挤出颗粒,再加入助剂如抗氧剂、紫外吸收剂、光稳定剂、交联剂和增粘剂,然后经过热压或挤出成型,得到太阳能电池封装用EVA胶膜(李国雄,许妍,郑智晶,刘耀华,太阳电池EVA胶膜的研究,中国胶粘剂3(1997),8-12)。
EVA胶膜里的紫外吸收剂通常是芳香族化合物。这些芳香族化合物和羰基共轭,并在邻位或对位上有一个释放电子的胺或甲氧基。受紫外线辐照时,紫外吸收剂被激发到高能量状态,紫外吸收剂所吸收的部分能量以光(波长>380nm)辐射的方式释放出来之后,紫外吸收剂回到基态。部分紫外吸收剂在紫外线的辐照下会发生异构化,分解成同分异构体碎片而降解,这些同分异构体碎片没有紫外线吸收功能,造成了紫外吸收剂的稳定性问题(侯博,1,3,5-均三嗪类紫外线吸收剂的合成与应用,现代塑料加工应用,4(2002),24-25)。研究人员已经发现Cyasorb类紫外吸收剂在EVA胶膜中有光降解现象。在紫外吸收剂降解后,EVA的交联度大幅提高。在交联过程中,在原来的α,β-不饱和羰基处产生了新的紫外引发基团,即多烯烃。这些多烯烃由一些长短不一的共扼(C=C)n组成。而这些共扼的碳碳双键会吸收太阳光,使EVA胶膜变黄。EVA变色的速度随着紫外吸收剂的减少而加快(F.J.Perm,Characterization of ethylene vinyl acetate (EVA)encapsulant:Effects of thermal processing and weathering degradation on its discoloration 25(1992),3-23)。一旦EVA胶膜变黄,EVA胶膜的透光率下降,从而降低了太阳电池的光电转换效率。
半导体量子点对短波段的光吸收很强,因此可以采用半导体量子点来吸收紫外线。半导体量子点的稳定性比传统的紫外吸收剂高。如果用半导体量子点代替EVA胶膜中的紫外吸收剂,就不会存在光降解的问题,从而能够提高EVA胶膜抗紫外线老化的能力。另外,半导体量子点吸收紫外光后,可以在500-1000纳米的波长范围内高效地发光(v.Sark等, Modeling improvement of spectral response of solar cells by deployment of spectral converters contai
发明内容
本发明提供了一种含有量子点的乙烯-醋酸乙烯酯胶膜的制备方法,在EVA胶膜中加入半导体量子点,制备方法简单,可控性好,可操作性强,易于工业化生产。
本发明还提供了一种含有量子点的乙烯-醋酸乙烯酯胶膜,能有效提高太阳电池的光电转换效率。
一种含有量子点的乙烯-醋酸乙烯酯胶膜的制备方法,包括以下步骤:用改性剂对半导体量子点的表面进行亲水性或亲油性改性,再将改性后的半导体量子点均匀分散在溶剂中,形成半导体量子点墨水,然后把半导体量子点墨水、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物和助剂混合,经过热压成型或挤出成型过程,得到含有量子点的乙烯-醋酸乙烯酯胶膜。
现有技术中,可以采用的半导体量子点种类很多,其制备方法也各不相同。所述的半导体量子点可选用第四主族元素的单质的量子点、由第四主族元素的单质组成的合金的量子点、第三主族和第五主族元素组成的化合物半导体量子点或者由第二副族和第六主族元素组成的化合物半导体量子点。对于第四主族(IV A)元素的单质或者由第四主族(IV A)元素的单质组成的合金的量子点,如硅量子点(Si-QD)可以采取冷等离子体法合成,该合成方法可以参见中国专利ZL200910098051.1,也可以采用球磨法等其他方法;对于由第三主族(IIIA)和第五主族元素(VA)组成的化合物半导体量子点,如磷化铟量子点(InP-QD)可以采用溶胶凝胶法和低温化学法等方法合成(参见申请号为200810038846.9的中国专利);对于由第二副族(IIB)和第六主族元素(VIA)组成的化合物半导体量子点,如硒化镉量子点(CdSe-QD)通常采用水相法或者油相法合成(参见中国专利ZL200410011201.8)。
所述的半导体量子点的尺寸优选为0.5~50纳米,更利于均匀分散。一般地,采用平均尺寸和尺寸分布的标准偏差来界定半导体量子点的尺寸,所述的半导体量子点的平均尺寸为1~10纳米,所述的半导体量子点的尺寸分布的标准偏差小于平均尺寸的30%。标准偏差是指各数据偏离平均数的距离(离均差)的平均数,它是离差平方和平均后的方根。
为了提高半导体量子点的荧光量子效率,同时也为了使半导体量子点能够很均匀地分散在溶剂里,必须对半导体量子点的表面进行亲水性或者亲油性改性。所述的改性剂含有亲水基团或者亲油基团和能与半导体量子点相连不饱和碳碳双键。
所述的溶剂为极性溶剂或者非极性溶剂;在选择有机溶剂时,要考虑其稳定性、挥发性和溶解性,一方面所选用的溶剂不能与所述的半导体量子点发生化学反应,要有一定的稳定性;另一方面所选用的溶剂的挥发性要适宜。另外,要根据改性剂对半导体量子点的表面进行亲水性或亲油性改性情况具体选择。当改性剂对半导体量子点的表面进行亲水性改性时,所述的改性剂含有亲水基团和能与半导体量子点相连的不饱和碳碳双键;所述的溶剂为极性溶剂。当改性剂对半导体量子点的表面进行亲油性改性时,所述的改性剂含有亲油基团和能与半导体量子点相连的不饱和碳碳双键;所述的溶剂为非极性溶剂。根据上述方法所选溶剂有利于半导体量子点的分散,将表面经过改性的半导体量子点溶解于有机溶剂中,溶有半导体量子点的溶液称为半导体量子点墨水。
所述的改性剂可选用十一碳烯酸、丙烯酸、烯丙疏醇、丙烯胺中的一种或多种;所述的溶剂可选用乙醇;或者,所述的改性剂选用苯乙烯、正十二烯、正十八烯中的一种或多种;所述的溶剂选用正庚烷。
所述的改性剂可以过量,以充分改性半导体量子点。
所述的改性的条件为:将半导体量子点与改性剂在温度为70~90℃的无氧环境下反应或者将半导体量子点与改性剂在紫外灯的辐照下的无氧环境下反应。
所述的助剂选用抗氧剂、交联剂和增粘剂等。其中,所述的抗氧剂选用二(2,4-二枯基苯苯基)季戊四醇二亚磷酸酯、二硬酯基季戊四醇二亚磷酸酯、三(壬基苯基)亚磷酸酯、三(2,4-二叔丁基苯基)亚磷酸酯中的一种或者二种;所述的交联剂选用叔丁基过氧化2-乙基己基碳酸酯、1,1-双(叔丁基过氧化)-3,3,5-三甲基环已烷,所述的增粘剂选用γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷、r-甲基丙烯酸丙酯基三甲基硅烷。
所述的含有量子点的乙烯-醋酸乙烯酯胶膜由以下重量百分比的原料制成:半导体量子点0.01%~20%、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物65%~99.83%、抗氧剂0.05%~5%、交联剂0.1%~5%和增粘剂0.01%~5%。
所述的乙烯-醋酸乙烯酯共聚物中醋酸乙烯酯(VA)的重量百分含量优选为28%~35%。
半导体量子点墨水、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物和助剂混合的方式可采用熔融共混的方式,一般为:将VA重量百分含量为28%~35%的EVA颗粒、半导体量子点墨水、抗氧剂、交联剂和增粘剂混合均匀,经过挤出胶粒过程,得到经过改性的EVA颗粒,然后经过热压成型或挤出成型形成EVA胶膜,挤出成型可采用单螺杆挤出机熔融挤出成型或者双螺杆挤出机熔融挤出成型。形成的EVA胶膜的厚度一般为0.20~2毫米,EVA胶膜中的硅量子点的质量分数为0.1%~20%。
利用中国专利ZL200910098051.1公开的技术方案制备的硅量子点对本发明的技术方案做进一步的阐述,含有半导体量子点的乙烯-醋酸乙烯酯胶膜的制备方法,包括以下步骤:
用改性剂对硅量子点的表面进行亲水性或亲油性改性,再将改性后的硅量子点均匀分散在溶剂中,形成硅量子点墨水,然后把硅量子点墨水、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物和助剂混合,经过热压成型或挤出成型,得到含有硅量子点的乙烯-醋酸乙烯酯胶膜。
所述的改性剂为苯乙烯、正十二烯、正十八烯中的一种或多种,采用这些改性剂可对硅量子进行亲油性改性,使得改性后的硅量子点能溶解于非极性溶剂,如正庚烷;或者,改性剂可选用十一碳烯酸、丙烯酸、烯丙硫醇、烯基丙胺中的一种或多种,采用这些改性剂可对硅量子进行亲水性改性,使得改性后的硅量子点能溶解于极性溶剂,如乙醇;所述的改性的条件为:将硅量子点与改性剂在紫外灯的辐照下的无氧环境下反应;或者将硅量子点与改性剂在70℃~90℃的无氧环境下反应。通过中国专利ZL200910098051.1公开的技术方案制备的硅量子点,晶态、非晶态、颗粒尺寸大小都可以通过技术方案中的参数来控制和调节,制备的硅量子点一般表面为氢钝化,在无氧的环境下,将表面为氢钝化的硅量子点转移到烧瓶中进行氢化硅烷化反应。氢化硅烷化反应是指Si-H键对烯烃、炔烃、醛和酮的加成反应。用苯乙烯、正十二烯、正十八烯中的一种或多种,或者十一碳烯酸、丙烯酸、烯丙硫醇、烯基丙胺中的一种或多种作为改性剂对硅量子点进行改性,这些改性剂含有不饱和碳碳双键的一端与硅量子点相连,另一端是亲油基团或亲水基团,可溶于非极性溶剂或极性溶剂,实现硅量子点亲油或亲水改性。同时,由于硅量子点表面连接了碳链,减少了表面缺陷态,提高了硅量子点的荧光量子效率。
所述的溶剂为正庚烷或者乙醇。这里的溶剂可以选择部分溶剂与改性剂一起加入,能使硅量子点与改性剂更好的反应,待反应完后,将溶液挥发完,得到改性后的硅量子点,然后再加入剩余溶剂,得到硅量子点墨水。
所述的含有量子点的乙烯-醋酸乙烯酯胶膜的厚度优选为0.20mm~2mm。
所述的含有量子点的乙烯-醋酸乙烯酯胶膜在太阳电池中的应用,其应用的方法为:将玻璃、含有量子点的乙烯-醋酸乙烯酯胶膜、太阳电池片、普通商用EVA胶膜和保护层材料依次层叠进行层压,封装。
在太阳电池的应用中,所述的含有量子点的乙烯-醋酸乙烯酯胶膜的厚度有一定的要求,优选的,含有量子点的乙烯-醋酸乙烯酯胶膜经过层压、封装后的厚度为0.4~0.6毫米。
与现有技术相比,本发明有益效果主要体现在:
经过表面改性的半导体量子点在波长小于400纳米的光(即紫外光)的激发下,可以在太阳电池能够有效利用的500~1000纳米的波长范围内高效的发光,荧光量子效率大于40%,具有较高的荧光量子效率,将半导体量子点放入EVA胶膜中,起到了下转换作用,从而提高了太阳电池的效率;
EVA胶膜中加入半导体量子点后,含有半导体量子点的EVA胶膜、盖板玻璃和太阳电池片之间的折射率达到较好的匹配,从而增加太阳光的透过率,起到减反射作用,从而提高太阳电池的效率;
半导体量子点在EVA胶膜中的添加所引起的光下转换作用和减反射作用能够使太阳电池更有效地利用太阳光,进而使太阳电池的效率得到提高;
均匀分散在EVA胶膜中的半导体量子点替代紫外线吸收剂可以提高EVA胶膜抗紫外线老化的能力。
附图说明
图1是含有量子点的乙烯-醋酸乙烯酯胶膜的结构示意图,其中,1是半导体量子点,2是含有量子点的EVA胶膜;
图2是封装后的太阳电池的结构示意图,其中,3是玻璃盖板,4是含有量子点的乙烯-醋酸乙烯酯共聚物胶膜,5是半导体量子点,6是电池片,7是普通商用EVA胶膜和8是聚氟乙烯膜复合膜(TPT)。
具体实施方式
实施例1
用等离子体法制得10毫克表面为氢钝化的平均尺寸为3纳米的硅量子点。硅量子点的尺寸分布的标准偏差为平均尺寸的10%。把硅量子点置于12毫升正庚烷和十二碳烯(二者体积比为5∶1)的混合溶液中,加热到80℃,在氩气气氛下进行氢化硅烷化反应,直至溶液变得清澈,得到表面接有碳链的硅量子点。把溶液挥发完,以除去未反应的十二碳烯,然后再把表面改性过的硅量子点溶于10毫升正庚烷中,得到硅量子点墨水。硅量子点墨水中硅量子点在波长为325纳米的光的激发下,发出的荧光主要集中在波长为600±20纳米,荧光量子效率约为40%。在生产EVA的过程中,从VA重量百分含量为33%的EVA颗粒出发,通过熔融共混的方式将98.39克EVA颗粒、制得的硅量子点墨水、0.3克二(2,4-二枯基苯苯基)季戊四醇二亚磷酸酯、1克叔丁基过氧化2-乙基己基碳酸酯和0.3克γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷混合均匀,加入到双螺杆挤出机中进行混炼造粒,将双螺杆挤出机的入口段、中间段、出口段的温度设定为83℃、85℃、85℃,经过挤出胶粒过程,得到经过改性的颗粒状的EVA树脂,然后在90℃下热压成型形成如图1所示的含有硅量子点的乙烯-醋酸乙烯酯共聚物胶膜,该EVA胶膜的厚度为0.6毫米,硅量子点在该胶膜中的重量百分含量为0.01%。然后,将玻璃、此方法制得的EVA胶膜、太阳电池片、商用EVA胶膜、TPT(聚氟乙烯复合膜)按顺序依次放入层压机,在138℃下进行封装,得到经过封装的太阳电池,如图2所示的,含有量子点的乙烯-醋酸乙烯酯胶膜经过层压、封装后的厚度为0.5毫米。通过比较发现,在EVA胶膜中均匀掺入硅量子点后,太阳电池效率提高的百分比是0.5%。
实施例2
用等离子体法制得1克表面为氢钝化的平均尺寸为3.5纳米的硅量子点。硅量子点的尺寸分布的标准偏差为平均尺寸的15%。把硅量子点置于12毫升正庚烷和十八碳烯的混合溶液中(二者体积比为5∶1),加热到80℃,在氩气气氛下进行氢化硅烷化反应,直至溶液变得清澈,得到表面接有碳链的硅量子点。把溶液挥发完,以除去未反应的十八碳烯,然后再把表面改性过的硅量子点溶于12毫升正庚烷中,得到硅量子点墨水。硅量子点墨水中硅量子点在波长为325纳米的光的激发下,发出的荧光主要集中在波长为680±20纳米,荧光量子效率约为40%。在生产EVA的过程中,以VA重量百分含量为30%的EVA颗粒为聚合物基体,通过熔融共混的方式将97.4克EVA颗粒、制得的硅量子点墨水、0.3克二硬酯基季戊四醇二亚磷酸酯、1克叔丁基过氧化2-乙基己基碳酸酯和0.3克γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷混合均匀,加入到双螺杆挤出机中进行混炼造粒,将双螺杆挤出机的入口段、中间段、出口段的温度设定为83℃、85℃、85℃,经过挤出胶粒过程,得到经过改性的颗粒状的EVA树脂,然后在90℃下热压成型形成含有硅量子点的乙烯-醋酸乙烯酯共聚物胶膜,该EVA胶膜的厚度为0.6毫米,硅量子点在该EVA胶膜中的质量分数为1%。然后,将玻璃、此方法制得的EVA胶膜、太阳电池片、商用EVA胶膜、TPT(聚氟乙烯复合膜)按顺序依次放入层压机,在138℃下进行封装,得到经过封装的太阳电池,含有量子点的乙烯-醋酸乙烯酯胶膜经过层压、封装后的厚度为0.5毫米。通过比较发现,在EVA胶膜中均匀掺入硅量子点后,太阳电池效率提高的百分比是1%。
实施例3
用等离子体法制得10克表面为氢钝化的平均尺寸为4纳米的硅量子点。硅量子点的尺寸分布的标准偏差为平均尺寸的15%。把硅量子点置于12毫升的正庚烷和苯乙烯的混合液中(二者体积比为5∶1),加热到80℃,并在氩气气氛下进行氢化硅烷化反应,直至溶液变得清澈,得到表面接有苯环的硅量子点。把溶液挥发完,以除去未反应的苯乙烯,然后再把表面改性过的硅量子点溶于10毫升正庚烷中,得到硅量子点墨水。硅量子点墨水中硅量子点在波长为325纳米的光的激发下,发出的荧光主要集中在波长为720±20纳米,荧光量子效率约为48%。在生产EVA的过程中,以VA总量百分含量为28%的EVA颗粒为聚合物基体,通过熔融共混的方式将88.4克EVA颗粒、制得的硅量子点墨水、由0.15g三(壬基苯基)亚磷酸酯和0.15g三(2,4-二叔丁基苯基)亚磷酸酯组成的混合物0.3克、1克叔丁基过氧化2-乙基己基碳酸酯和0.3克γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷混合均匀,加入到双螺杆挤出机中进行混炼造粒,将双螺杆挤出机的入口段、中间段、出口段的温度设定为83℃、85℃、85℃,经过挤出胶粒过程,得到经过改性的颗粒状的EVA树脂,然后在90℃下热压成型形成含有硅量子点的乙烯-醋酸乙烯酯共聚物胶膜,该EVA胶膜的厚度为0.6毫米,硅量子点在该EVA胶膜中的质量分数为10%。然后,将玻璃、此方法制得的EVA胶膜、太阳电池片、商用EVA胶膜、TPT(聚氟乙烯复合膜)按顺序依次放入层压机,在138℃下进行封装,得到经过封装的太阳电池,含有量子点的乙烯-醋酸乙烯酯胶膜经过层压、封装后的厚度为0.5毫米。通过比较发现,在EVA胶膜中均匀掺入硅量子点后,太阳电池效率提高的百分比是3%。
实施例4
用等离子体法制得20克表面为氢钝化的平均尺寸为4.5纳米的硅量子点。硅量子点的尺寸分布的标准偏差为平均尺寸的15%。把硅量子点置于20毫升的丙烯酸中,在氩气气氛下并在紫外灯的辐照下进行氢化硅烷化反应(紫外灯发光波长为254纳米),直至混合液变得清澈。从而得到表面接有末端为羧基的碳链的硅量子点。把溶液挥发完,以除去未反应的丙烯酸,再把表面改性过的硅量子点溶于10毫升乙醇中,得到硅量子点墨水。硅量子点墨水中硅量子点在波长为325纳米的光的激发下,发出的荧光主要集中在波长为800±20纳米,荧光量子效率约为55%。在生产EVA的过程中,以VA重量百分含量为35%的EVA颗粒为聚合物基体,通过熔融共混的方式将78.4克EVA颗粒、制得的硅量子点墨水、0.1克二(2,4-二枯基苯苯基)季戊四醇二亚磷酸酯、由0.1g三(壬基苯基)亚磷酸酯和0.1g三(2,4-二叔丁基苯基)亚磷酸酯组成的混合物0.2克、1克叔丁基过氧化2-乙基己基碳酸酯和0.3克γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷混合均匀,加入到双螺杆挤出机中进行混炼造粒,将双螺杆挤出机的入口段、中间段、出口段的温度设定为83℃、85℃、85℃,经过挤出胶粒过程,得到经过改性的颗粒状的EVA树脂,然后在90℃下热压成型形成含有硅量子点的乙烯-醋酸乙烯酯共聚物胶膜。该EVA胶膜的厚度为0.6毫米,硅量子点在该EVA胶膜中的质量分数为20%。然后,将玻璃、此方法制得的EVA胶膜、太阳电池片、商用EVA胶膜、TPT(聚氟乙烯复合膜)按顺序依次放入层压机,在138℃下进行封装,得到经过封装的太阳电池,含有量子点的乙烯-醋酸乙烯酯胶膜经过层压、封装后的厚度为0.5毫米。通过比较发现,在EVA胶膜中均匀掺入硅量子点后,太阳电池效率提高的百分比是2.5%。

Claims (10)

1.一种含有量子点的乙烯-醋酸乙烯酯胶膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:用改性剂对半导体量子点的表面进行亲水性或亲油性改性,再将改性后的半导体量子点均匀分散在溶剂中,形成半导体量子点墨水,然后把半导体量子点墨水、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物和助剂混合,经过热压成型或挤出成型,得到含有量子点的乙烯-醋酸乙烯酯胶膜。
2.根据权利要求1所述的含有量子点的乙烯-醋酸乙烯酯胶膜的制备方法,其特征在于,所述的半导体量子点为第四主族元素的单质的量子点、由第四主族元素的单质组成的合金的量子点、第三主族和第五主族元素组成的化合物半导体量子点或者由第二副族和第六主族元素组成的化合物半导体量子点。
3.根据权利要求2所述的含有量子点的乙烯-醋酸乙烯酯胶膜的制备方法,其特征在于,所述的第四主族元素的单质的量子点为硅量子点;
所述的由第三主族和第五主族元素组成的化合物半导体量子点为磷化铟量子点;
所述的由第二副族和第六主族元素组成的化合物半导体量子点为硒化镉量子点。
4.根据权利要求1所述的含有量子点的乙烯-醋酸乙烯酯胶膜的制备方法,其特征在于,所述的改性剂含有亲水基团和能与半导体量子点相连的不饱和碳碳双键;所述的溶剂为极性溶剂;
或者,所述的改性剂含有亲油基团和能与半导体量子点相连的不饱和碳碳双键;所述的溶剂为非极性溶剂。
5.根据权利要求4所述的含有量子点的乙烯-醋酸乙烯酯胶膜的制备方法,其特征在于,所述的改性剂为十一碳烯酸、丙烯酸、烯丙疏醇、丙烯胺中的一种或多种;所述的溶剂为乙醇;
或者,所述的改性剂为苯乙烯、正十二烯、正十八烯中的一种或多种;所述的溶剂为正庚烷。
6.根据权利要求1所述的含有量子点的乙烯-醋酸乙烯酯胶膜的制备方法,其特征在于,所述的半导体量子点的尺寸为0.5~50纳米;
或者,所述的乙烯-醋酸乙烯酯共聚物中醋酸乙烯酯的重量百分含量为28%~35%;
或者,所述的改性的条件为:将半导体量子点与改性剂在温度为70~90℃的无氧环境下反应或者将半导体量子点与改性剂在紫外灯的辐照下的无氧环境下反应。
7.根据权利要求1所述的含有量子点的乙烯-醋酸乙烯酯胶膜的制备方法,其特征在于,所述的助剂为抗氧剂、交联剂和增粘剂;
所述的含有量子点的乙烯-醋酸乙烯酯胶膜由以下重量百分比的原料制成:半导体量子点0.01%~20%、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物65%~99.83%、抗氧剂0.05%~5%、交联剂0.1%~5%和增粘剂0.01%~5%。
8.根据权利要求1~7任一项所述的含有量子点的乙烯-醋酸乙烯酯胶膜的制备方法制备的含有量6子点的乙烯-醋酸乙烯酯胶膜。
9.根据权利要求8所述的含有量子点的乙烯-醋酸乙烯酯胶膜,其特征在于,所述的含有半导体量子点的乙烯-醋酸乙烯酯胶膜的厚度为0.20mm~2mm。
10.根据权利要求8或9所述的含有量子点的乙烯-醋酸乙烯酯胶膜在太阳电池中的应用。
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Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103151412A (zh) * 2013-02-06 2013-06-12 杭州纳晶科技有限公司 光转换薄膜及其应用和制备方法
CN103849398A (zh) * 2012-11-30 2014-06-11 洛阳新巨能高热技术有限公司 复配型农膜转光剂及其制备方法
CN104927686A (zh) * 2015-05-21 2015-09-23 杭州福斯特光伏材料股份有限公司 一种具有高光转换效率的太阳能电池封装胶膜
CN104927688A (zh) * 2015-06-03 2015-09-23 无锡市钱氏功能塑胶有限公司 Eva/硫化铅量子点复合转光封装胶膜材料的制备方法
JPWO2016194351A1 (ja) * 2015-05-29 2018-01-11 富士フイルム株式会社 波長変換部材及びそれを備えたバックライトユニット、液晶表示装置
CN108389926A (zh) * 2018-01-18 2018-08-10 合肥晶澳太阳能科技有限公司 一种光伏组件的封装方法
CN109161349A (zh) * 2018-07-12 2019-01-08 杭州福斯特应用材料股份有限公司 一种采用成核增透剂的高透光率的光伏封装材料
JP2019520696A (ja) * 2016-04-27 2019-07-18 ユニベルシタ デッリ ストゥディ ディ ミラノ−ビコッカ 間接遷移型半導体のナノ結晶をベースとする大面積の発光型太陽集光器
CN110277464A (zh) * 2018-03-14 2019-09-24 广州居一安照明科技有限公司 量子点复合材料在光伏电池中的应用
CN111205578A (zh) * 2018-11-22 2020-05-29 深圳光启超材料技术有限公司 紫外线吸收薄膜及其制备方法
CN111363483A (zh) * 2018-12-24 2020-07-03 中国科学院上海高等研究院 复合材料胶膜、光伏组件结构及制备方法
CN111868208A (zh) * 2017-08-07 2020-10-30 沙特基础工业全球技术公司 具有经稳定量子点的相分离量子点层
CN112080055A (zh) * 2020-08-25 2020-12-15 马鞍山微晶光电材料有限公司 一种发光材料色母颗粒及其制备方法和应用
CN116496722A (zh) * 2023-06-25 2023-07-28 苏州易昇光学材料股份有限公司 光伏组件用绝缘转光膜及其制备方法、光伏组件
CN118109136A (zh) * 2024-04-30 2024-05-31 苏州美艾仑新材料科技有限公司 一种无残留可转贴硅胶保护膜及其制备方法
CN118109136B (zh) * 2024-04-30 2024-07-02 苏州美艾仑新材料科技有限公司 一种无残留可转贴硅胶保护膜及其制备方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060207644A1 (en) * 2005-03-16 2006-09-21 Nanosolar, Inc. Formation of compound film for photovoltaic device
WO2007022221A2 (en) * 2005-08-16 2007-02-22 Nanosolar, Inc. Photovolatic devices with conductive barrier layers and foil substrates
CN101814555A (zh) * 2010-04-12 2010-08-25 浙江大学 一种提高太阳电池效率的方法
CN101887931A (zh) * 2010-06-28 2010-11-17 浙江大学 利用半导体量子点制造彩色太阳电池的方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060207644A1 (en) * 2005-03-16 2006-09-21 Nanosolar, Inc. Formation of compound film for photovoltaic device
WO2007022221A2 (en) * 2005-08-16 2007-02-22 Nanosolar, Inc. Photovolatic devices with conductive barrier layers and foil substrates
CN101814555A (zh) * 2010-04-12 2010-08-25 浙江大学 一种提高太阳电池效率的方法
CN101887931A (zh) * 2010-06-28 2010-11-17 浙江大学 利用半导体量子点制造彩色太阳电池的方法

Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103849398A (zh) * 2012-11-30 2014-06-11 洛阳新巨能高热技术有限公司 复配型农膜转光剂及其制备方法
CN103151412A (zh) * 2013-02-06 2013-06-12 杭州纳晶科技有限公司 光转换薄膜及其应用和制备方法
CN103151412B (zh) * 2013-02-06 2016-12-28 纳晶科技股份有限公司 光转换薄膜及其应用和制备方法
CN104927686A (zh) * 2015-05-21 2015-09-23 杭州福斯特光伏材料股份有限公司 一种具有高光转换效率的太阳能电池封装胶膜
JPWO2016194351A1 (ja) * 2015-05-29 2018-01-11 富士フイルム株式会社 波長変換部材及びそれを備えたバックライトユニット、液晶表示装置
US10273408B2 (en) 2015-05-29 2019-04-30 Fujifilm Corporation Wavelength conversion member, backlight unit including wavelength conversion member, and liquid crystal display device
CN104927688A (zh) * 2015-06-03 2015-09-23 无锡市钱氏功能塑胶有限公司 Eva/硫化铅量子点复合转光封装胶膜材料的制备方法
JP2019520696A (ja) * 2016-04-27 2019-07-18 ユニベルシタ デッリ ストゥディ ディ ミラノ−ビコッカ 間接遷移型半導体のナノ結晶をベースとする大面積の発光型太陽集光器
CN111868208A (zh) * 2017-08-07 2020-10-30 沙特基础工业全球技术公司 具有经稳定量子点的相分离量子点层
CN108389926A (zh) * 2018-01-18 2018-08-10 合肥晶澳太阳能科技有限公司 一种光伏组件的封装方法
CN110277464A (zh) * 2018-03-14 2019-09-24 广州居一安照明科技有限公司 量子点复合材料在光伏电池中的应用
CN109161349A (zh) * 2018-07-12 2019-01-08 杭州福斯特应用材料股份有限公司 一种采用成核增透剂的高透光率的光伏封装材料
CN111205578A (zh) * 2018-11-22 2020-05-29 深圳光启超材料技术有限公司 紫外线吸收薄膜及其制备方法
CN111205578B (zh) * 2018-11-22 2022-11-08 深圳光启超材料技术有限公司 紫外线吸收薄膜及其制备方法
CN111363483A (zh) * 2018-12-24 2020-07-03 中国科学院上海高等研究院 复合材料胶膜、光伏组件结构及制备方法
CN112080055A (zh) * 2020-08-25 2020-12-15 马鞍山微晶光电材料有限公司 一种发光材料色母颗粒及其制备方法和应用
CN112080055B (zh) * 2020-08-25 2023-12-01 厦门腾远资源应用科技开发有限公司 一种发光材料色母颗粒及其制备方法和应用
CN116496722A (zh) * 2023-06-25 2023-07-28 苏州易昇光学材料股份有限公司 光伏组件用绝缘转光膜及其制备方法、光伏组件
CN116496722B (zh) * 2023-06-25 2023-09-12 苏州易昇光学材料股份有限公司 光伏组件用绝缘转光膜及其制备方法、光伏组件
CN118109136A (zh) * 2024-04-30 2024-05-31 苏州美艾仑新材料科技有限公司 一种无残留可转贴硅胶保护膜及其制备方法
CN118109136B (zh) * 2024-04-30 2024-07-02 苏州美艾仑新材料科技有限公司 一种无残留可转贴硅胶保护膜及其制备方法

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