CN102225837A - 用于多晶硅铸锭的免喷涂熔融石英坩埚的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种用于多晶硅铸锭的免喷涂熔融石英坩埚的制造方法，其先将高纯熔融石英原料一起通过球磨研磨进行湿法造粒，将料浆充分搅拌后，再加入粉状高纯熔融石英原料混合均匀，然后注入石膏模具中进行充分的脱水成型，脱模；脱模后的坯体在180℃以下进行干燥，制得毛坯；对毛坯进行打磨、清洁预处理；在毛坯内表面喷涂0.2～0.7mm的氮化硅涂层；将喷有氮化硅涂层的毛坯在梭式窑炉中于1000～1300℃下烧结14～24小时。本发明较现有技术缩短了生产周期，简化了生产工艺，大大降低了能耗，提高了生产效率、成品率及企业的经济效益。
Description
技术领域
本发明属于石英坩埚制造领域，具体涉及一种用于多晶硅铸锭的免喷涂熔融石英坩埚的制造方法。
背景技术
太阳能多晶硅的迅猛发展，大大加快了多晶硅熔融铸锭所使用的熔融石英坩埚的研究发展。行业内由于坩埚成品率的问题，目前所生产的石英坩埚大多是未喷涂的，使用者在用这种坩埚时必须自备喷涂设备，在成品坩埚内部喷上一层氮化硅涂层，然后在1000℃以上烧结24个小时以上才能开始装入纯硅料进行使用。市场上也有少量免喷涂石英坩埚，但这只是在坩埚生产后继续喷涂并烧结，工艺并没有改变，而且这种工艺生产周期长，耗能巨大。现行坩埚生产中的打磨工序是在坩埚烧结以后进行，由于烧结后的坩埚硬度很高，导致对设备和磨具的要求也高，而且打磨过程中需要用大量的水进行冷却。
发明内容
本发明的目的是为了解决上述问题，提供一种用于多晶硅铸锭的免喷涂熔融石英坩埚的制造方法，该法可使石英坩埚的生产周期缩短，减化了客户使用坩埚的工艺，大大降低了能耗并提高了坩埚成品率。
本发明的目的可以通过以下措施达到：
一种用于多晶硅铸锭的免喷涂熔融石英坩埚的制造方法，其包括如下步骤：
(1)将块状及粒状高纯熔融石英原料一起通过球磨研磨进行湿法造粒，研磨后的料浆粒径为10μm～50μm；
(2)将料浆充分搅拌后，再加入粉状高纯熔融石英原料混合均匀，然后注入石膏模具中进行充分的脱水成型，脱模；
(3)脱模后的坯体在180℃以下进行干燥，制得毛坯；
(4)对毛坯进行打磨、清洁预处理；
(5)在毛坯内表面喷涂0.2～0.7mm的氮化硅涂层；
(6)将喷有氮化硅涂层的毛坯在梭式窑炉中于1000～1300℃下烧结14～24小时。
本发明的高纯熔融石英原料，其纯度一般在99.9％以上。
步骤(1)中，块状高纯熔融石英原料与粒状高纯熔融石英原料的质量比为25～30∶70～75，所述块状高纯熔融石英原料的粒径为20～60mm，所述粒状高纯熔融石英原料的粒径为5～20mm。
步骤(1)中湿法造粒过程中加入两种高纯熔融石英原料质量20～30％的水。
粉状高纯熔融石英原料与步骤(1)中所述料浆的质量比为30～40∶70～60，所述粉状高纯熔融石英原料粒径为50～200目。
步骤(2)中料浆在加入粉状高纯熔融石英原料前充分搅拌72小时以上，优选为72～200小时，进一步优选为100～170小时。该步骤中的脱水成型时间一般为5～20小时，优选为10～15小时。
步骤(3)中干燥温度优选为100～180℃。
步骤(4)中的预处理包括对坯体进行打磨和清洁步骤，打磨过程特别是采用砂轮打磨毛坯底部，该打磨过程一般只需5～25分钟；清洁过程特别是清洁毛坯内表面。
步骤(5)中所述氮化硅涂层为20～25wt％的Si3N4水溶液，该氮化硅涂层的厚度优选为0.5mm。
步骤(6)结束后可采用超声波无损探伤或X射线检查烧结好的石英坩埚，检测坩埚的成品率及其他性能。
本方法在现有工艺的基础上，将打磨步骤从成品后处理提至毛坯预处理，不仅大大降低了处理难度，而且减少了处理设备和用料消耗。本法克服了由于成品率低而将氮化硅后涂的限制，将毛坯烧结和氮化硅涂层制备合二为一，在其他步骤的配合下，不仅简化了工艺流程，更极大地减少了能源消耗和设备投入，同时还提高了坩埚的制备成品率，使成品率从60％左右提高至70～75％。
本发明的方法与无喷涂坩埚相比，因为将坩埚生产中的烧结和氮化硅涂层的烧结合二为一，缩短了生产周期，较之前缩短了30％；简化了客户的生产工艺，提高了客户的生产效率；提高了成品率及企业的经济效益。
本方法与现有的免喷涂坩埚相比，大大降低了能耗，较之前节省了40％以上。
本工艺与现有的工艺相比，提前进行底部研磨预处理杜绝了水资源的浪费，降低了处理难度，也提高了原料的利用率。
具体实施方式
实施例1
将250kg粒径为50～60mm的块状高纯熔融石英原料和750kg粒径为10～20mm的粒状高纯熔融石英原料(块状及粒状高纯熔融石英原料的质量组分：二氧化硅＞99.9％，氧化铝＜2000ppm，氧化铁＜50ppm，氧化钠＜50ppm，其它组分为原料中不可避免的杂质；下同)，投入球磨机中加入250kg的水进行湿法研磨，研磨后的料浆粒径控制在10μm～30μm。
将料浆导出球磨机后进行搅拌120小时，检查料浆的物理及化学性能；再加入673kg的干粉(100目粉状高纯熔融石英原料)进行充分搅拌；搅拌均匀后转入浇注罐注入石膏模具中，在模具中静置10个小时后进行脱模。
脱模后的坩埚毛坯进行干燥，干燥温度控制在140℃。
对干燥后的毛坯进行底部打磨，打磨时间为15分钟。
清洁打磨后的坩埚内表面。
在清洁后的坩埚内表面喷上一层0.3mm厚度的氮化硅涂层(21wt％的Si3N4水溶液)。
将喷涂好后的坩埚毛坯放入梭式窑炉内进行烧结，烧结的温度控制在1200℃，烧结时间为20小时。
用超声波无损探伤或X射线检查烧结好的石英坩埚，除去次品，即得本发明的免喷涂熔融石英坩埚。
经性能检测得知：本实施例得到的免喷涂熔融石英坩埚，成品率为70％～75％，其室温弯曲强度在17MPa以上，体积密度为1.85～1.98g/cm3，真密度为2.16～2.23g/cm3，线性膨胀系数为0.6×10-6/℃，气孔率为11％～14％。
实施例2
将300kg粒径为40～50mm的块状高纯熔融石英原料和700kg粒径为10～15mm的粒状高纯熔融石英原料，投入球磨机中加入250kg的水进行湿法研磨，研磨后的料浆粒径控制在10μm～50μm。
将料浆导出球磨机后进行搅拌168小时，检查料浆的物理及化学性能；再加入680kg的干粉(100目粉状高纯熔融石英原料)进行充分搅拌；搅拌均匀后转入浇注罐注入石膏模具中，在模具中静置15个小时后进行脱模。
脱模后的坩埚毛坯进行干燥，干燥温度控制在100℃。
对干燥后的毛坯进行底部打磨，打磨时间为15分钟。
清洁打磨后的坩埚内表面。
在清洁后的坩埚内表面喷上一层0.5mm厚度的氮化硅涂层(22wt％的Si3N4水溶液)。
将喷涂好后的坩埚毛坯放入梭式窑炉内进行烧结，烧结的温度控制在1300℃，烧结时间为24小时。
用超声波无损探伤或X射线检查烧结好的石英坩埚，即得本发明的免喷涂熔融石英坩埚。
经性能检测得知：本实施例得到的熔融石英坩埚，成品率为71％～75％，其室温弯曲强度在17MPa以上，体积密度为1.85～1.98g/cm3，真密度为2.16～2.23g/cm3，线性膨胀系数为0.6×10-6/℃，气孔率为11％～14％。
对比例1
将250kg粒径为50～60mm的块状高纯熔融石英原料和750kg粒径为10～20mm的粒状高纯熔融石英原料，投入球磨机中加入250kg的水进行湿法研磨，研磨后的料浆粒径控制在10μm～30μm。
将料浆导出球磨机后进行搅拌120小时，检查料浆的物理及化学性能；再加入673kg的干粉(100目粉状高纯熔融石英原料)进行充分搅拌；搅拌均匀后转入浇注罐注入石膏模具中，在模具中静置10个小时后进行脱模。
脱模后的坩埚毛坯进行干燥，干燥温度控制在140℃。
将干燥后的坩埚毛坯放入梭式窑炉内进行烧结，烧结的温度控制在1200℃，烧结时间为20小时，得到熔融石英坩埚。
用数控铣床配金刚石磨轮外加纯水冷却进行底部打磨，打磨时间为40分钟。
用超声波无损探伤或X射线检查打磨后的石英坩埚，除去次品，再次干燥坩埚，干燥温度为140℃，干燥时间为2小时。
在干燥后的坩埚内表面喷上一层0.3mm厚度的氮化硅涂层(21wt％的Si3N4水溶液)。
将喷涂好后的坩埚放入梭式窑炉内进行烧结，烧结的温度控制在1200℃，烧结时间为24小时。
经性能检测得知：本例得到的熔融石英坩埚，成品率在60％左右，其室温弯曲强度均在17MPa以上，体积密度为1.85～1.98g/cm3，真密度为2.16～2.23g/cm3，线性膨胀系数为0.6×10-6/℃，气孔率为11％～14％。
Claims (9)
1.一种用于多晶硅铸锭的免喷涂熔融石英坩埚的制造方法，其特征在于：包括如下步骤：
(1)将块状及粒状高纯熔融石英原料一起通过球磨研磨进行湿法造粒，研磨后的料浆粒径为10μm～50μm；
(2)将料浆充分搅拌后，再加入粉状高纯熔融石英原料混合均匀，然后注入石膏模具中进行充分的脱水成型，脱模；
(3)脱模后的坯体在180℃以下进行干燥，制得毛坯；
(4)对毛坯进行打磨、清洁预处理；
(5)在毛坯内表面喷涂0.2～0.7mm的氮化硅涂层；
(6)将喷有氮化硅涂层的毛坯在梭式窑炉中于1000～1300℃下烧结14～24小时。
2.根据权利要求1所述的用于多晶硅铸锭的免喷涂熔融石英坩埚的制造方法，其特征在于：所述氮化硅涂层为20～25wt％的Si3N4水溶液。
3.根据权利要求1所述的用于多晶硅铸锭的免喷涂熔融石英坩埚的制造方法，其特征在于：步骤(4)中打磨过程为采用砂轮打磨毛坯底部，清洁过程为清洁毛坯内表面。
4.根据权利要求1所述的用于多晶硅铸锭的免喷涂熔融石英坩埚的制造方法，其特征在于：所述块状高纯熔融石英原料与粒状高纯熔融石英原料的质量比为25～30∶70～75，所述块状高纯熔融石英原料的粒径为20～60mm，所述粒状高纯熔融石英原料的粒径为5～20mm。
5.根据权利要求1所述的用于多晶硅铸锭的免喷涂熔融石英坩埚的制造方法，其特征在于：步骤(1)中湿法造粒过程中加入高纯熔融石英原料质量20～30％的水。
6.根据权利要求1所述的用于多晶硅铸锭的免喷涂熔融石英坩埚的制造方法，其特征在于：所述粉状高纯熔融石英原料与步骤(1)中所述料浆的质量比为30～40∶70～60，所述粉状高纯熔融石英原料粒径为50～200目。
7.根据权利要求1所述的用于多晶硅铸锭的免喷涂熔融石英坩埚的制造方法，其特征在于：步骤(2)中料浆在加入粉状高纯熔融石英原料前充分搅拌72小时以上。
8.根据权利要求1所述的用于多晶硅铸锭的免喷涂熔融石英坩埚的制造方法，其特征在于：步骤(2)中脱水成型的时间为5～20小时。
9.根据权利要求1所述的用于多晶硅铸锭的免喷涂熔融石英坩埚的制造方法，其特征在于：步骤(3)中干燥温度为100～180℃。
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