CN102218413A - 石英晶片的清洗方法及清洗装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种提高清洗效率的石英晶片的清洗方法,其特征是由PLC控制装置控制,石英晶片无需取出,在同一清洗桶内用清洗液完成初洗、至少二次的清洗,所述清洗装置包括它包括设有溢水口(8)的清洗桶(3),清洗桶(3)内设有用于放置石英晶片的网笼(4),清洗桶(3)底部安装有超声波振子(9),其特征是清洗桶(3)底部设有孔,所述的孔与由电磁阀控制的进水管(5)和出水管(6)连通,所述的电磁阀、超声波振子(9)由PLC控制装置控制,实现对石英晶片的初洗、至少二次的清洗,本发明方法可行,装置结构简单,提高了装置的自动化控制程度和清洗效果,烘干时间只需20分钟,大大减少了清洗时间,提高了生产效率,降低了工人劳动强度。

Description

石英晶片的清洗方法及清洗装置
技术领域
本发明涉及一种石英晶体振荡器的加工设备,具体地说是一种清洗装置,特别是涉及一种石英晶片的清洗方法及清洗装置。
背景技术
在石英晶体振荡器制造行业中,对石英晶片清洗的洁净程度要求非常严格,因为石英晶片清洗的洁净程度直接影响石英晶体振荡器制造的产品质量。现有石英晶片的清洗装置,一般是采用多个超声波清洗槽对石英晶片逐个完成手动超声波初洗和清洗2~9次,清洗完后,将网笼里的的石英晶片取出,放入烘箱中烘干2小时。整个清洗过程的自动化程度不高,清洗时间较长,常常会因为人为因素的影响而导致清洗后的石英晶片洁净度不高。同时,由于石英晶片需在高纯水中清洗2~9次,每一次清洗完成后,石英晶片均无脱水甩干过程,使得上次清洗的残留液体有少部分混入下次清洗过程中,影响石英晶片的清洗效果。
专利号为201020180557.5,申请日为2010年04月30日,公开号为CN201644439U的专利公开了一种半自动晶片后洗装置,该装置包括初洗槽、喷淋槽、净洗槽、甩干槽和脱水槽多个槽位,工作时,晶片通过初洗槽进行初洗,初洗完成后,将晶片取出放入喷淋槽内,对其进行喷淋,喷淋完成后,又需要将晶片取出放入净洗槽内,每完成一道工序,都需要将上一槽位的晶片取出移到下一槽位中,增加了工人的劳动强度,在转移晶片时,容易因为人为因素的影响而导致清洗后的石英晶片洁净度不高;且该装置结构复杂,成本高,占地面积较大。
发明内容
本发明的目的是提供一种提高清洗效率的石英晶片的清洗方法及清洗装置。
本发明是采用如下技术方案实现其发明目的的,一种石英晶片的清洗方法,它包括对石英晶片的初洗、至少二次的清洗、烘干,使石英晶片达到工艺要求的洁净程度,所述石英晶片的初洗、至少二次的清洗是将石英晶片放入清洗装置的清洗桶中,由PLC控制装置控制,石英晶片无需取出,在同一清洗桶内用清洗液完成初洗、至少二次的清洗。
本发明为提高清洗效果,清洗时,每次清洗后都由PLC控制装置控制对石英晶片进行脱水甩干,脱水甩干的转速为800转/分钟~1000转/分钟。
本发明为提高清洗效果,清洗时,清洗液的温度为40℃~60℃,最后一次清洗时,为消除石英晶片的应力,清洗液的温度为90℃~95℃。
本发明为更加简单,达到快速烘干的效果,所述的烘干由PLC控制装置控制在清洗桶内完成。
一种实现上述石英晶片清洗方法的清洗装置,它包括设有溢水口的清洗桶,清洗桶内设有用于放置石英晶片的网笼,清洗桶底部安装有超声波振子,清洗桶底部设有孔,所述的孔与由电磁阀控制的进水管和出水管连通,所述的电磁阀、超声波振子由PLC控制装置控制,实现对石英晶片的初洗、至少二次的清洗。
本发明为对石英晶片进行脱水甩干,清洗桶内设有用于安装网笼的网笼架,网笼架安装在离心机的主轴上,所述的离心机由PLC控制装置控制,实现对石英晶片的脱水甩干。
本发明网笼架通过支架安装在离心机的主轴上,网笼架通过销轴与支架连接。
本发明为对石英晶片进行烘干,清洗桶上设有桶盖,桶盖上设有烘干器,所述的烘干器由PLC控制装置控制,实现对石英晶片的烘干。
本发明所述的烘干器为碘钨灯。
由于采用上述技术方案,本发明较好的实现了发明目的,方法可行,装置结构简单,提高了装置的自动化控制程度,在每次清洗后通过脱水甩干程序,能有效的清理残余液体,同时,采用活水清洗,提高了清洗效果,烘干时间只需20分钟,大大减少了清洗时间,大大提高了生产效率,降低了工人劳动强度。
附图说明
图1是本发明的结构示意图;
图2是本发明网笼架10、支架11的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图及实施例对本发明作进一步说明。
实施例1:
一种石英晶片的清洗方法,它包括对石英晶片的初洗、至少二次的清洗、烘干,使石英晶片达到工艺要求的洁净程度,所述石英晶片的初洗、至少二次的清洗是将石英晶片放入清洗装置的清洗桶中,由PLC控制装置控制,石英晶片无需取出,在同一清洗桶内用清洗液完成初洗、至少二次的清洗。
由图1可知,一种实现上述石英晶片清洗方法的清洗装置,它包括设有溢水口8的清洗桶3,清洗桶3内设有用于放置石英晶片的网笼4,清洗桶3底部安装有超声波振子9,清洗桶3底部设有孔,所述的孔与由电磁阀控制的进水管5和出水管6连通,所述的电磁阀、超声波振子9由PLC控制装置(可编程逻辑控制器)控制,实现对石英晶片的初洗、至少二次的清洗。
本发明工作时,首先将待洗涤的石英晶片放入网笼4内,清洗剂加入清洗桶3内,PLC控制装置控制进水管5的电磁阀打开,温度为40℃~60℃的清洗液(本实施例为50℃的高纯水)不断进入清洗桶3内;同时,PLC控制装置控制超声波振子9工作,对网笼4内的石英晶片进行初洗,多余的清洗液从溢水口8不断溢出,初洗时间5分钟~15分钟(本实施例为10分钟);初洗完成后,PLC控制装置控制进水管5的电磁阀关闭,出水管6的电磁阀打开,将清洗液排出。
然后,对石英晶片进行清洗,清洗时,PLC控制装置控制进水管5的电磁阀打开,出水管6的电磁阀关闭,温度为40℃~60℃的清洗液(本实施例为50℃的高纯水)进入清洗桶3内;PLC控制装置控制超声波振子9工作,对网笼4内的石英晶片进行清洗,多余的清洗液从溢水口8不断溢出,清洗时间5分钟~15分钟(本实施例为10分钟);清洗完成后,PLC控制装置控制进水管5的电磁阀关闭,出水管6的电磁阀打开,将清洗液排出;然后,PLC控制装置再次关闭出水管6的电磁阀,开启进水管5的电磁阀,清洗液进入清洗桶3内对网笼4内的石英晶片进行再次清洗,如此循环,对网笼4内的石英晶片清洗2次~9次(本实施例为5次)。
在对石英晶片进行最后一次清洗时,为消除石英晶片的应力,清洗液的温度为90℃~95℃(本实施例为95℃的高纯水)。
清洗完成后,取出网笼4,放入烘干箱烘干即可。
实施例2:
本发明为提高清洗效果,防止上次清洗的残留液体混入下次清洗过程中,影响石英晶片的清洗效果,清洗时,每次清洗后都由PLC控制装置控制对石英晶片进行脱水甩干,脱水甩干的转速为800转/分钟~1000转/分钟。
本发明为对石英晶片进行脱水甩干,清洗桶3内设有用于安装网笼4的网笼架10,网笼架10安装在离心机7的主轴12上,所述的离心机7由PLC控制装置控制,实现对石英晶片的脱水甩干。
由图2可知,本发明为防止网笼4变形,网笼架10通过支架11安装在离心机7的主轴12上,网笼架10通过销轴13与支架11连接。
本发明工作时,石英晶片的初洗步骤同实施例1,在清洗步骤中,每次清洗后,PLC控制装置控制离心机7启动,转速为800转/分钟~1000转/分钟(本实施例为900转/分钟),对网笼4内的石英晶片脱水甩干2分钟~4分钟(本实施例为2分钟)。
余同实施例1。
实施例3:
本发明为更加简单,达到快速烘干的效果,所述的烘干由PLC控制装置控制在清洗桶内完成。
本发明为对石英晶片进行烘干,清洗桶3上设有桶盖1,桶盖1上设有烘干器,所述的烘干器由PLC控制装置控制,实现对石英晶片的烘干。所述的烘干器为碘钨灯2。
本发明工作时,石英晶片的初洗、清洗步骤同实施例1、2,在最后一次脱水甩干时,PLC控制装置控制烘干器工作(本实施例为碘钨灯2),在甩干的同时,同时使用碘钨灯2进行烘烤,烘干时间15分钟~30分钟(本实施例为20分钟)。
本发明方法可行,装置结构简单,提高了清洗装置的自动化控制程度,在每次清洗后通过脱水甩干程序,能有效的清理残余液体,同时,采用活水清洗,提高了清洗效果,烘干时间只需20分钟左右,大大缩短了清洗时间,提高了生产效率,降低了工人劳动强度。

Claims (10)

1.一种石英晶片的清洗方法,它包括对石英晶片的初洗、至少二次的清洗、烘干,使石英晶片达到工艺要求的洁净程度,其特征是所述石英晶片的初洗、至少二次的清洗是将石英晶片放入清洗装置的清洗桶中,由PLC控制装置控制,石英晶片无需取出,在同一清洗桶内用清洗液完成初洗、至少二次的清洗。
2.根据权利要求1所述的石英晶片的清洗方法,其特征是清洗时,每次清洗后都由PLC控制装置控制对石英晶片进行脱水甩干。
3.根据权利要求2所述的石英晶片的清洗方法,其特征是脱水甩干的转速为800转/分钟~1000转/分钟。
4.根据权利要求1所述的石英晶片的清洗方法,其特征是清洗液的温度为40℃~60℃,最后一次清洗时,清洗液的温度为90℃~95℃。
5.根据权利要求1或2或3或4所述的石英晶片的清洗方法,其特征是所述的烘干由PLC控制装置控制在清洗桶内完成。
6.一种实现如权利要求1所述石英晶片清洗方法的清洗装置,它包括设有溢水口(8)的清洗桶(3),清洗桶(3)内设有用于放置石英晶片的网笼(4),清洗桶(3)底部安装有超声波振子(9),其特征是清洗桶(3)底部设有孔,所述的孔与由电磁阀控制的进水管(5)和出水管(6)连通,所述的电磁阀、超声波振子(9)由PLC控制装置控制,实现对石英晶片的初洗、至少二次的清洗。
7.根据权利要求6所述的清洗装置,其特征是清洗桶(3)内设有用于安装网笼(4)的网笼架(10),网笼架(10)安装在离心机(7)的主轴(12)上,所述的离心机(7)由PLC控制装置控制,实现对石英晶片的脱水甩干。
8.根据权利要求7所述的清洗装置,其特征是所述的网笼架(10)通过支架(11)安装在离心机(7)的主轴(12)上,网笼架(10)通过销轴(13)与支架(11)连接。
9.根据权利要求6或7或8所述的清洗装置,其特征是清洗桶(3)上设有桶盖(1),桶盖(1)上设有烘干器,所述的烘干器由PLC控制装置控制,实现对石英晶片的烘干。
10.根据权利要求9所述的清洗装置,其特征是所述的烘干器为碘钨灯(2)。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102825029A (zh) * 2012-09-07 2012-12-19 铜陵日科电子有限责任公司 石英晶体网盒清洗装置
CN104259128A (zh) * 2014-08-01 2015-01-07 苏州普京真空技术有限公司 一种晶振片清洗方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN2356761Y (zh) * 1999-01-22 2000-01-05 陕西师范大学 新型高频超声恒温清洗机
JP2000262993A (ja) * 1999-03-19 2000-09-26 Toshiba Corp 基板洗浄装置及び基板洗浄方法
US20070240736A1 (en) * 2006-04-13 2007-10-18 Tsukasa Watanabe Substrate cleaning method, substrate cleaning system and program storage medium
CN201348988Y (zh) * 2008-12-19 2009-11-18 上海集成电路研发中心有限公司 半导体硅片清洗装置
CN201702135U (zh) * 2010-04-19 2011-01-12 锦州日鑫硅材料有限公司 超声循环硅片清洗机

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN2356761Y (zh) * 1999-01-22 2000-01-05 陕西师范大学 新型高频超声恒温清洗机
JP2000262993A (ja) * 1999-03-19 2000-09-26 Toshiba Corp 基板洗浄装置及び基板洗浄方法
US20070240736A1 (en) * 2006-04-13 2007-10-18 Tsukasa Watanabe Substrate cleaning method, substrate cleaning system and program storage medium
CN201348988Y (zh) * 2008-12-19 2009-11-18 上海集成电路研发中心有限公司 半导体硅片清洗装置
CN201702135U (zh) * 2010-04-19 2011-01-12 锦州日鑫硅材料有限公司 超声循环硅片清洗机

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102825029A (zh) * 2012-09-07 2012-12-19 铜陵日科电子有限责任公司 石英晶体网盒清洗装置
CN104259128A (zh) * 2014-08-01 2015-01-07 苏州普京真空技术有限公司 一种晶振片清洗方法

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