CN102217113A - 有机电致发光元件以及显示器设备 - Google Patents

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Abstract

提供了可以降低驱动电压的有机电致发光元件。在阳极(11)和阴极(31)之间提供有机层(20)，该有机层具有从阳极(11)侧起n掺杂层(21)、空穴传输层(22)、发光层(23)和电子传输层(24)依次叠置的结构。n掺杂层(21)包含六氰基六氮杂三亚苯和4，4’，4”-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯基胺。当向有机层(20)施加电场时，空穴以足够的效率从阳极(11)注入发光层(23)。

Description

有机电致发光元件以及显示器设备
技术领域
本发明涉及用于彩色显示器等的有机电致发光元件以及使用该有机电致发光元件的显示器设备。
背景技术
最近，作为阴极射线管(CRT)的替代显示器设备，已活跃地研究和开发了平板显示器，因为平板显示器重量轻并且功耗低。特别是，注意力集中在使用有机电致发光元件作为自发光显示元件(所谓的发光元件)的显示器设备上。
根据发光的提出方向，用于显示器设备的有机电致发光元件分为例如底部发射型和底部发射型。作为底部发射型，有机电致发光元件是已知的，其配置为在透明基片例如玻璃基片上具有包括透明电极材料例如ITO(氧化铟锡)的阳极，在阳极上具有有机层，并在有机层的顶部具有阴极。有机层的配置使得例如空穴传输层、发光层和电子传输层从阳极侧起依次叠置。在该有机电致发光元件中，当从阴极注入的电子与从阳极注入的空穴复合时在发光层中产生光，该光从基片侧(底侧)提出。
另一方面，作为顶部发射型，包括下述的有机电致发光元件：它的配置使得阴极、有机层和阳极使用与底部发射型有机电致发光元件相同的材料从基片侧依次叠置，或者下述的有机电致发光元件：它在上侧具有包括透明或半透射电极材料的电极(上电极)。在这种情况下，光从基片侧的相对侧提出。当顶部发射型有机电致发光元件用于在基片上具有包括薄膜晶体管(TFT)的驱动电路的有源矩阵显示器设备时，有机电致发光元件在提高发光区域的开口率方面是有利的，因为光在不被驱动电路干扰的情况下提出。
在这样的顶部发射型中，可以由高反光金属膜在基片侧形成电极，其可以用作阳极。铝或银用作形成金属膜的材料。然而，当包括铝等的金属膜用作阳极时，由于金属膜具有低的功函数，空穴难以从阳极直接注入有机层中。这导致空穴缺乏，引起驱动电压升高以及发光效率降低的趋势，这是个缺点。因此，以提出了一种技术，其中在阳极上提供包括六氮杂三亚苯衍生物的层以促进向有机层的空穴注入(参见专利文献1)。
此外，提出了一种技术，其中当阳极由具有高功函数的材料例如ITO形成时，在阳极上提供p掺杂层以抑制驱动电压的提高(参见非专利文献1)。p掺杂层由包括被p型掺杂剂化合物掺杂的p型主体化合物的材料形成。作为该p型主体化合物和p型掺杂剂化合物，分别使用4，4’，4”-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯基胺和2，3，5，6-四氟-7，7，8，8-四氰基对苯醌二甲烷。
文献列表
专利文献
专利文献1：日本未审查专利申请公布(PCT申请的翻译)No.2006-503443。
非专利文献1：Jingsong Huang和五位其他人，“Low-voltage organicelectroluminescent devices using pin structures”，APPLIED PHYSICSLETTERS，2002年1月7日，80，1，139-141页。
发明内容
然而，专利文献1和非专利文献1的技术没有充分地降低有机电致发光元件的驱动电压，导致需要用于获得驱动电压的更大降低的技术。
在考虑到这样的缺点的情况下作出了本发明，并且本发明的一个目的是提供有机电致发光元件和显示器设备，其中获得了驱动电压的降低。
根据本发明的一个实施方案的有机电致发光元件在阳极和阴极之间包括有机层，该有机层包括发光层，其中该有机层在阳极和发光层之间具有n掺杂层，该n掺杂层包括n型主体化合物和n型掺杂剂化合物。此外，根据本发明的一个实施方案的显示器设备包括该实施方案的上述有机电致发光元件。“n掺杂”指的是主体和掺杂到主体中的掺杂剂具有如下关系：其中掺杂剂分子的最高已占分子轨道(HOMO)能量的绝对值高于主体分子的最低未占分子轨道(LUMO)能量的绝对值。也就是说，在该关系中满足(掺杂剂分子的HOMO能量的绝对值)＞(主体分子的LUMO能量的绝对值)。此外，“n掺杂层”指的是包括n型主体化合物作为主体并包括n型掺杂剂化合物作为掺杂剂的层，该主体和掺杂剂化合物满足以上n掺杂关系。
在根据本发明的实施方案的有机电致发光元件和显示器设备中，阳极和发光层之间的n掺杂层中的n型掺杂剂化合物的HOMO能量的绝对值高于n型主体化合物的LUMO能量的绝对值。因此，当电场不施加或者施加于电极之间时，电子容易地从n型掺杂剂化合物的HOMO提出到n型主体化合物的LUMO中。因此，n型掺杂剂化合物带正电并且n型主体化合物变成电子通道，使得n型主体化合物的负空间电荷弛豫，导致电荷转移过程中n掺杂层的电阻降低。除此以外，可能关系到电荷转移的电子浓度提高，这有利于电荷转移。因此，当在电极之间施加电场时，施加于有机层的电压的提高得到抑制，并且因此从阳极侧通过n掺杂层有效转移的空穴和从阴极侧有效转移的电子在发光层中复合，导致发光。
根据本发明的实施方案的有机电致发光元件和显示器设备，由于在阳极和发光层之间提供包括n型主体化合物和n型掺杂剂化合物的n掺杂层，使得可以降低驱动电压。
附图说明
图1：显示根据本发明第一实施方案的有机电致发光元件的配置的截面图。
图2：用于表示阳极和n掺杂层之间的电荷转移的图。
图3：用于表示阳极和p掺杂层之间的电荷转移的图。
图4：显示具有该有机电致发光元件的显示器设备的配置的截面图。
图5：显示根据本发明的第二实施方案的配线结构的截面图。
图6：显示实验例中电压和电流之间的关系的图。
具体实施方式
下面将参照附图详细地说明本发明的实施方案。以下列顺序进行说明。
1.第一实施方案
(1-1)有机电致发光元件(顶部发射型的实例)
(1-2)显示器设备(有机电致发光元件的使用实例)
2.第二实施方案(配线材料)
<1.第一实施方案>
[(1-1)有机电致发光元件(顶部发射型的实例)]
图1显示了根据本发明的第一实施方案的有机电致发光元件的截面配置。该有机电致发光元件(有机EL元件)用于显示器设备例如彩色显示器。有机电致发光元件具有阳极11和阴极31之间的有机层20。有机层20具有下述的结构：其中n掺杂层21、空穴传输层22、发光层23和电子传输层24从阳极11侧起依次叠置。在此，说明顶部发射型有机电致发光元件，其中从发光层23发射的光(以下称为发射光)从阴极31侧提出。
阳极11提供于基片例如透明基片上，该基片包括玻璃、硅基片或者膜状柔性基片。当包括有机电致发光元件的显示器设备通过有源矩阵方法驱动时，对于每个像素，阳极11在基片形成为矩阵，该基片具有驱动电路例如用于每个像素的TFT。
阳极11的形成优选使得阳极可以基本上反射可见光的所有波长组分。作为形成阳极11的材料，例如，可以优选具有4.5eV或更低的功函数的导电材料。这是因为由这样的材料形成的阳极11的可见光反射比提高，并获得高的发光效率。这样的材料的实例包括下列材料：铝、镍、银、金、铂、钯、硒、铑、钌、铱、铼、钨、钼、铬、钽和铌，或者含有这些金属中的一种或两种或更多种的合金，或者各种金属或合金的氧化物。此外，提及锡氧化物、ITO、锌氧化物和钛氧化物。这些材料可以单一地使用，或者可以以组合方式使用。特别是，阳极11优选含有铝，并且更优选是含有铝作为主要组分并含有具有与铝相比相对较低的功函数的元素作为次要组分的合金(以下称为铝合金)。这是因为这样的合金具有高的反射比并且相对较廉价。铝合金中的次要组分优选是镧系元素。镧系元素不具有高的功函数。然而，当该合金含有镧系元素时，阳极11变得高度稳定并且表现出足够的空穴注入性能。除了镧系元素，铝合金可以含有硅或铜作为次要组分。铝合金中作为次要组分的元素的含量优选为10重量％或更低。根据这一点，阳极表现出高的反射比、高的传导性和对基片10的良好粘附。此外，在有机电致发光元件的制造过程中，高的反射比良好地稳定地保持，并且获得高加工精度和高化学稳定性。
此外，阳极11可以形成为具有两层结构，该结构具有包括透明导电材料例如ITO或IZO的层，该层形成于含有上述金属元素的反射膜上(在有机层20侧)。
有机层20的n掺杂层21将空穴有效地注入空穴传输层22中，并包括n型主体化合物和n型掺杂剂化合物。在此，将参照图2和3说明n掺杂层21中的电荷转移。图2显示了该实施方案中n掺杂层21中的主体分子和掺杂剂分子各自的HOMO和LUMO能级和阳极11的功函数之间的关系。图3显示了在作为该实施方案的参考实例的p掺杂层中主体分子和掺杂剂分子各自的HOMO和LUMO能级与阳极的功函数之间的关系。
如图2中所示，在n掺杂层21中，n型主体化合物的LUMO能级NHL和HOMO能级NHH低于阳极11的功函数Wf。此外，n型掺杂剂化合物的HOMO能级NDH位于n型主体化合物的LUMO能级NHL和HOMO能级NHH之间。因此，当电场不施加或施加于n掺杂层21时，电子容易地从n型掺杂剂化合物的HOMO(NDH)提出到n型主体化合物的LUMO(NHL)。结果，由于n型掺杂剂化合物带正电并且n型主体化合物变成电子通道，n型主体化合物的负空间电荷弛豫。因此，在电荷转移过程中n掺杂层21的电阻降低。此外，可能关系到电荷转移的电子浓度因而提高，并因此有利于电荷转移。
相反，如图3中所示，在p掺杂层中，p型主体分子的HOMO能级PHH和p型掺杂剂分子的LUMO能级PDL低于阳极11的功函数Wf。然而，p型掺杂剂分子的LUMO能级PDL高于p型主体分子的HOMO能级PHH。因此，当电场不施加或施加于p掺杂层时，电子从p型主体分子的HOMO能级PHH提出到p型掺杂剂分子的LUMO能级PDL。结果，p型主体分子带正电并且p型掺杂剂分子变成电子通道。因此，当具有高功函数的材料例如ITO用于阳极时，在p掺杂层中，p型掺杂剂分子的负空间电荷难以提高。然而，当具有低功函数的材料用于阳极时，负空间电荷倾向于提高。结果，在电荷转移过程中p掺杂层的电阻升高。
也就是说，当在包括具有低功函数(例如4.5eV或更低)的材料的阳极11上提供p掺杂层时，驱动电压难以降低，但是当在其上提供n掺杂层21时，驱动电压可以降低。
此外，n型掺杂剂化合物的HOMO能量(NDH)和n型主体化合物的LUMO能量(NHL)的绝对值之差优选为2eV或更低。根据这一点，电子更容易地从NDH提出，导致驱动电压的更大的降低。
n型掺杂剂化合物在n掺杂层21中的含量(掺杂量)优选为2质量％或更高。根据这一点，与该含量小于2质量％的情况相比获得高的电压降低效果。特别是，n型掺杂剂化合物在n掺杂层21中的含量优选为2质量％或更多以及10质量％或更少。根据这一点，与该含量在以上范围之外的情况相比获得高的效果。
任何化合物可以用作n型主体化合物，只要该化合物具有图2中所示的与n型掺杂剂化合物的关系。特别是，可以优选式(3)表示的化合物(六氮杂三亚苯衍生物)。通过使用该化合物，降低了驱动电压并改善了空穴注入效率，并因而获得了高的发光效率。
[化学式1]
Figure BDA0000061821230000061
(Z1至Z6各自为氢基团、卤素基团、氰基、硝基、甲硅烷基、羟基、氨基、芳基氨基、具有20或更少的碳数并包括羰基的基团、具有20或更少的碳数并具有羰基酯键的基团、具有20或更少的碳数的烷基、具有20或更少的碳数的烯基、具有20或更少的碳数的烷氧基、具有30或更少的碳数并包括芳环的基团或者具有30或更少的碳数并包括杂环的基团，或者各个基团的衍生物，其中Z1和Z2、Z3和Z4或者Z5和Z6可以彼此键合以形成环。)
在式(3)的说明中Z1至Z6的每一个可以为以上基团的任意之一，并且相邻的基团(Z1和Z2、Z3和Z4或者Z5和Z6)可以彼此键合以形成环。式(3)的说明中的“衍生物”指的是这样的基团：其中待引入的原子基团中的某些或全部氢原子被另一原子基团取代。这同样适用于下面描述的式(1)、(2)、(4)和(5)中。
作为式(3)表示的化合物，列举了式(3-1)表示的化合物。也就是说，列举了式(3-1)的六氰基氮杂三亚苯。此外，式(3)的化合物不限于式(3-1)表示的化合物，只要相关化合物具有式(3)表示的结构。
[化学式2]
Figure BDA0000061821230000071
尽管任何化合物可以用作n型掺杂剂化合物，只要该化合物具有图2所示的与n型主体化合物的关系，但是可以优选式(1)和(2)表示的一种或多种胺化合物。通过使用该化合物，能够更有效地表现出以上效果。
[化学式3]
Figure BDA0000061821230000072
(R1至R3各自为氢基团、卤素基团、羟基、氨基、具有20或更少的碳数的芳基氨基、具有20或更少的碳数并包括羰基的基团、具有20或更少的碳数并包括羰基酯键的基团、具有20或更少的碳数的烷基、具有20或更少的碳数的烯基、具有20或更少的碳数的烷氧基或者具有20或更少的碳数并包括芳环的基团，或者各个基团的衍生物。)
[化学式4]
Figure BDA0000061821230000073
(R4至R7各自为氢基团、卤素基团、羟基、氨基、具有20或更少的碳数的芳基氨基、具有20或更少的碳数并包括羰基的基团、具有20或更少的碳数并包括羰基酯键的基团、具有20或更少的碳数的烷基、具有20或更少的碳数的烯基、具有20或更少的碳数的烷氧基或者具有20或更少的碳数并包括芳环的基团，或者各个基团的衍生物，其中R4和R5或者R6和R7可以彼此键合以形成环。R8是单价或二价基团。)
式(1)的说明中的R1至R3各自是以上基团的任意之一。作为R1至R3之一而引入的芳基氨基包括例如二苯基氨基。芳基氨基的衍生物包括例如咔唑基。此外，作为具有20或更少的碳数并包括芳环的基团，列举下列基团。苯基、萘基、芴基、蒽基、菲基、并四苯基、芘基、
Figure BDA0000061821230000081
基、荧蒽基、联苯基、三联苯基、三苯基甲基、甲苯基和叔丁基苯基，或者这些基团的衍生物。
作为式(1)表示的胺化合物，例如列举式(1-1)表示的化合物。也就是说，列举式(1-1)的4，4’，4”-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯基胺(m-MTDATA)。胺化合物不限于式(1-1)表示的化合物，只要相关化合物具有式(1)表示的结构。
[化学式5]
式(2)的说明中的R4至R7各自是以上基团的任意之一，并且R4和R5或者R6和R7可以彼此键合以形成环。作为芳基氨基，其衍生物，以及具有20或更少的碳数并包括芳环的基团，各个基团作为R4至R7之一引入，列举与R1至R3的说明中相同的基团。式(2)的说明中的R8，作为在形成胺化合物的两个氮原子之间连接的连接基团，是任意一种二价基团，但是可以是单价基团。作为R8的这种单价基团包括例如与作为R4至R7引入的那些相同的基团。
作为式(2)表示的胺化合物，例如，列举式(2-1)表示的化合物。也就是说，列举式(2-1)的N4，N4’-二萘-1-基-N4，N4’-二苯基-联苯-4，4’-二胺(αNPD)。胺化合物不限于式(2-1)表示的化合物，只要相关的胺化合物具有式(2)表示的结构。例如，可以使用具有单价基团作为R8以及5.3eV的HOMO能量绝对值的化合物。
[化学式6]
Figure BDA0000061821230000091
n型掺杂剂化合物可以是除了式(1)和(2)表示的胺化合物以外的化合物，并且可以包括例如式(4)或(5)表示的胺化合物。
[化学式7]
Figure BDA0000061821230000092
(R9至R14各自为氢基团、卤素基团、羟基、氨基、具有20或更少的碳数的芳基氨基、具有20或更少的碳数并包括羰基的基团、具有20或更少的碳数并包括羰基酯键的基团、具有20或更少的碳数的烷基、具有20或更少的碳数的烯基、具有20或更少的碳数的烷氧基或者具有20或更少的碳数并包括芳环的基团，或者各个基团的衍生物。)
[化学式8]
Figure BDA0000061821230000093
(R15至R20各自为氢基团、卤素基团、羟基、氨基、具有20或更少的碳数的芳基氨基、具有20或更少的碳数并包括羰基的基团、具有20或更少的碳数并包括羰基酯键的基团、具有20或更少的碳数的烷基、具有20或更少的碳数的烯基、具有20或更少的碳数的烷氧基或者具有20或更少的碳数并包括芳环的基团，或者各个基团的衍生物，其中R15和R20、R16和R17或者R18和R19可以彼此键合以形成环。R21至R23各自是二价基团。)
空穴传输层22用于将从n掺杂层21注入的空穴有效地传输到发光层23。可以使用任何材料作为形成空穴传输层22的材料，只要该材料可以有效地传输空穴。例如，列举下列材料。这些材料可以单独使用，或者可以以混合方式使用。
汽油、苯乙烯胺、三苯基胺、卟啉、三亚苯、氮杂三亚苯、四氰基对苯醌二甲烷、三唑、咪唑、噁二唑、多芳基烷烃、苯二胺、芳基胺、噁唑、蒽、芴酮、腙以及芪，或者它们的衍生物。杂环共轭体系的单体、低聚物或者聚合物，例如聚硅烷化合物、乙烯基咔唑化合物、噻吩化合物或苯胺化合物。
具体地说，列举下列化合物。
4，4’，4”-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯基胺(m-MTDATA；式(2-1)表示的化合物)，α-萘基苯基苯二胺，卟啉，金属四苯基卟啉，金属酞氰、六氰基氮杂三亚苯(式(3-1)表示的化合物)，7，7，8，8-四氰基对苯醌二甲烷(TCNQ)，式(6)表示的2，3，5，6-四氟-7，7，8，8-四氰基对苯醌二甲烷(F4-TCNQ)，四氰基-4，4，4-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯基胺，N，N，N’，N’-四(对甲苯基)对苯二胺，N，N，N’，N’-四苯基-4，4’-二氨基联苯，以及N-苯基咔唑。4-二-对甲苯基氨基芪，聚(对亚苯基亚乙烯基)，聚(噻吩亚乙烯基)以及聚(2，2’-噻吩基吡咯)。
[化学式9]
Figure BDA0000061821230000101
发光层23对应于下述的区域：其中当在阳极11和阴极31之间施加电场时，从阳极11侧注入的空穴与从阴极31侧注入的电子复合，导致发光。形成发光层23的材料优选具有发光能力(为空穴和电子提供复合位点并由这样的复合实现发光的能力)，并且具有例如电荷注入能力和电荷传输能力。这改善发光效率，并且此外能够实现发光，即使不提供空穴传输层22、电子传输层24或阴极31的第一层31A。本文中提到的电荷注入能力指的是在施加电场的过程中使得空穴从n掺杂层21注入的能力以及使得电子从阴极31注入的能力。电荷传输能力指的是使得注入的空穴和电子通过电场力转移的能力。
作为形成发光层23的材料，列举例如以下材料。
萘衍生物，茚衍生物，菲衍生物，芘衍生物，并四苯衍生物，三亚苯衍生物，蒽衍生物，苝衍生物，苉衍生物，荧蒽衍生物，苯并苊(acephenanthrylene)衍生物，戊芬(pentaphene)衍生物，并五苯衍生物，六苯并苯衍生物，丁二烯衍生物，芪衍生物，三(8-羟基喹啉)铝配合物(Alq)，或者双(羟基苯并喹啉)铍配合物。具体地说，列举式(2-1)表示的化合物αNPD。
此外，在发光层23中，例如，可以将各种颜色(蓝、绿和红)的发光染料(发光客体材料)掺杂到作为主体的化合物(主体材料)中。在这种情况下，当施加电场时，根据相关发光染料的颜色而发射各种颜色的光。
形成主体材料的材料包括例如形成发光层23的材料。也就是说，该材料包括下列材料。
萘衍生物，茚衍生物，菲衍生物，芘衍生物，并四苯衍生物，三亚苯衍生物，蒽衍生物，苝衍生物，苉衍生物，荧蒽衍生物，苯并苊衍生物，戊芬衍生物，并五苯衍生物，六苯并苯衍生物，丁二烯衍生物，芪衍生物，三(8-羟基喹啉)铝配合物(Alq)，或者双(羟基苯并喹啉)铍配合物。
具体地说，列举例如9，10-二(2-萘基)蒽(AND)等。
作为发光客体化合物，使用具有高发光效率的材料，例如有机发光材料，例如低分子荧光染料、荧光聚合物，以及金属配合物。下面，将说明各种颜色的发光客体材料。
蓝色发光客体材料指的是发射波长范围的峰值在约400nm至490nm范围内的化合物。这样的有机化合物包括以下所列。列举萘衍生物、蒽衍生物、并四苯衍生物、苯乙烯胺衍生物或双(吖嗪基(azinyl))甲烷硼配合物。具体地说，列举氨基萘衍生物、氨基蒽衍生物、氨基
Figure BDA0000061821230000111
衍生物、氨基芘衍生物、苯乙烯胺衍生物或者双(吖嗪基)甲烷硼配合物。这些材料可以单独使用或者可以以混合方式使用。
绿色发光客体材料指的是发射波长范围的峰值在约490nm至580nm范围内的化合物。这样的有机化合物包括以下所列。萘衍生物、蒽衍生物、芘衍生物、并四苯衍生物、荧蒽衍生物、苝衍生物、香豆灵衍生物、喹吖啶酮衍生物、茚并[1，2，3-cd]苝衍生物或者双(吖嗪基)甲烷硼配合物吡喃基染料。具体地说，列举氨基蒽衍生物、荧蒽衍生物、香豆灵衍生物、喹吖啶酮衍生物、茚并[1，2，3-cd]苝衍生物和双(吖嗪基)甲烷硼配合物。这些材料可以单独使用或者可以以混合方式使用。
红色发光客体材料指的是发射波长范围的峰值在约580nm至700nm范围内的化合物。这样的有机化合物包括以下所列。尼罗红、吡喃衍生物例如DCM1({4-二氰基亚甲基-2-甲基-6(对二甲基氨基苯乙烯基)-4H-吡喃))或者DCJT({4-二氰基亚甲基-2-叔丁基-6-(久洛尼定基(julolidyl)苯乙烯基)吡喃))，方酸(sqarylium)衍生物、卟啉衍生物、二氢卟酚衍生物以及欧罗蒂啉(eurodiline)衍生物。这些材料可以单独使用或者可以以混合方式使用。
在发光层23中，各颜色的发光客体材料的使用可以使得发射一种颜色的光，或者可以使得各自发射一种颜色的光的发光层叠置以获得白色发光。也就是说，发光层23可以是蓝色发光层、绿色发光层和红色发光层之一，或者可以是其中多层叠置的白色发光层。
电子传输层24用于将从阴极31注入的电子有效传输到发光层23。形成电子传输层24的材料包括例如下列材料。喹诺酮、苝、菲络啉、双苯乙烯基(bisstyryl)、吡嗪、三唑、噁唑、噁二唑和芴，或者这些材料的衍生物，或者其金属配合物。具体地说，列举下列化合物。三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)、蒽、萘、菲、芘、蒽、苝、丁二烯、香豆灵、吖啶、芪和1，10-菲络啉，或者这些材料的衍生物，或者其金属配合物。这些材料可以单独使用或者可以以混合方式使用。
阴极31是用于向发光层23施加电场的电极，并由透光材料形成。根据这一点，来自发光层23的发光以及该发光在阳极11的表面上的反射光从阴极31提出至外侧。在阴极31中，使用具有低功函数的材料的层形成于发光层23侧，并且第一层31A和第二层31B依次从发光层23侧叠置。
第一层31A由具有高透光性和低功函数并可以有效地向电子传输层24中注入电子的材料形成。也就是说，第一层31A充当电子注入层。这样的材料包括例如碱金属氧化物、碱金属氟化物、碱土金属氧化物或碱土金属氟化物，例如Li2O、Cs2O、LiF或CaF2。
此外，第二层31B由具有透光性和良好的传导性的材料例如MgAg或Ca的薄膜电极材料形成。此外，当有机电致发光元件具有腔体结构(其中发射光在于阳极11和阴极31之间共振的同时被提出)时，第二层31B可以由半透射反射材料例如10nm厚的Mg-Ag(9∶1)形成。
此外，阴极31可以具有下述结构：其中将第三层(未示出)作为密封电极叠置于第二层31B上以根据需要抑制电极的劣化。
这样的有机电致发光元件可以例如以以下方式制造。
首先，通过蒸发方法或溅射方法将阳极11形成于基片上。然后，通过真空蒸发方法等将n掺杂层21、空穴传输层22、发光层23和电子传输层24依次叠置，从而形成有机层20。最后，通过真空蒸发方法等将第一层31A和第二层31B依次叠置，从而形成阴极31。这样，完成了图1中所示的有机电致发光元件。
在该实施方案的有机电致发光元件中，当在阳极11和阴极31之间施加电压并因而向有机层20施加电场时，来自阳极11的空穴通过n掺杂层21和空穴传输层22有效地转移到发光层23。另一方面，来自阴极31的电子通过电子传输层24有效地传输到发光层23。这样，从阳极11侧转移的空穴和从阴极31侧转移的电子在发光层23中复合，导致发光。来自发光层23的发光以及该发光在阳极11表面上的反射光通过阴极31传输并输出。在此，在n掺杂层21中，如图2所示，电子容易地从n型掺杂剂化合物的HOMO(NDH)提出到n型主体化合物的LUMO(NHL)。因此，由于n型掺杂剂化合物带正电并且n型主体化合物变成电子通道，使得n型主体化合物的负空间电荷弛豫，因而电荷转移过程中n掺杂层21的电阻降低。此外，可能关系到电荷转移的电子浓度提高，因此通常有利于电荷转移。
也就是说，在有机电致发光元件中，由于在阳极11和发光层23之间提供n掺杂层21，可以降低驱动电压，并且因而可以改善发光效率。在这种情况下，当n型掺杂剂化合物在n掺杂层21中的含量为2质量％或更高时，可以更多地降低驱动电压。
当阳极11含有铝时，与其中阳极包括具有高功函数的材料的情况相比可以获得高的效果。
接下来，将说明有机电致发光元件的应用实例。为给出显示器设备的例子，以以下方式使用有机电致发光元件。
[(1-2)显示器设备]
图4显示了显示器设备的截面配置。该显示器设备具有下述配置：其中在具有驱动电路(未示出)例如TFT的驱动基片10上提供绝缘层12和有机电致发光元件1R、1G和1B。在该显示器设备中，在有机电致发光元件1R、1G和1B上形成保护层32以覆盖这些元件，并通过提供于保护层32上的粘合层33将密封基片40附着于保护层32上，从而在整个面积上将显示器设备密封。也就是说，本文中所述的显示器设备通过有源矩阵方法驱动。
驱动基片10的设计使得将每个有机电致发光元件1R、1G和1B的驱动电路(未示出)例如TFT以及平面化绝缘膜(未示出)提供于透明基片例如玻璃基片、硅基片或膜状柔性基片上。
有机电致发光元件1R、1G或1B具有与上述有机电致发光元件相同的配置。在该显示器设备中，假定从有机电致发光元件1R、1G和1B提出的光分别具有红色、绿色和蓝色。此外，由于下面所述的密封基片40具有滤色器(未示出)，有机发光元件1R、1G和1B的发光层23在此具有相同的配置。然而，发光层23可以分别具有不同的配置。在这样的情况下，有机电致发光元件1R、1G和1B的发光层23包括不同的发光客体材料。
绝缘层12用于保证各个有机电致发光元件1R、1G和1B的阳极11和阴极31之间的绝缘，并用于将各个发光区域精确调整为期望的形状。在基片10上在有机电致发光元件1R、1G和1B的阳极11之间提供绝缘层12，以围绕每个阳极11，从而形成开口。这样的绝缘层12由例如光敏材料如聚酰亚胺形成。此外，此处即使在绝缘层12上相继地形成有机层20和阴极31，也仅在绝缘层12的每个开口中(在阳极11上方)产生发光。
保护层32用于防止水进入有机层20，并且由具有低透水性和低吸水性的材料形成，并具有足够的厚度。此外，保护层32由对于发光层23产生的光具有高透射性能并具有例如80％或更高的透射比的材料形成。例如，这样的保护层32具有约2微米至3微米的厚度，并由无定形绝缘材料形成。具体地说，该保护层优选由无定形硅(α-Si)、无定形碳化硅(α-SiC)、无定形氮化硅(α-Si1-xNx)或无定形碳(α-C)形成。无定形绝缘材料不形成颗粒，因此具有低的吸水性，得到良好的保护层32。保护层32可以由透明导电材料例如ITO形成。
粘合层33由例如热固性树脂或者(UV)紫外固化树脂形成。
相对于有机电致发光元件1R、1G和1B位于阴极31侧的密封基片40与粘合层32结合将有机电致发光元件1R、1G和1B密封。密封基片40由可以传输有机电致发光元件1R、1G或1B产生的光的材料例如玻璃形成。例如，在密封基片40上提供滤色器(未示出)。这使得可以实现下述设计：在有机电致发光元件1R、1G或1B产生的光被提出的同时，被有机电致发光元件1R、1G和1B以及有机电致发光元件1R、1G或1B之间的配线(未示出)反射的外侧光被吸收，从而可以改善对比度。
尽管可以在密封基片40的任一侧的表面上提供滤色器，但是该滤色器优选提供于有机电致发光元件1R、1G和1B侧上的。根据这一点，可以防止滤色器暴露于表面，并因而可以将其用粘合层33保护。此外，降低了发光层23和滤色器之间的距离，这可以避免从有机电致发光元件1R、1G或1B发射的光进入不同颜色的相邻滤色器并从而导致颜色混合的现象。滤色器包括红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器(均未示出)，它们对应于有机电致发光元件1R、1G和1B依次布置。红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器分别形成为例如矩形，其中没有间隙。红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器可以分别由与颜料混合的树脂形成。选择颜料，以将光透射比调整为在红、绿或蓝的目标波长范围内高而在其它波长范围内低。
可以例如以以下方式制造显示器设备。
首先，制备驱动基片10，并通过例如溅射方法在驱动基片10上形成阳极11，并通过例如干法蚀刻将阳极11形成预定的形状。
然后，将光敏树脂涂布于基片10的整个面积上以覆盖阳极11，并通过例如光刻法相应于发光区域形成开口，然后将光敏树脂烧蚀，从而形成绝缘层12。
此后，根据例如与有机电致发光元件的制造中相同的工序形成有机层20，然后在有机层20上形成阴极31。这样，形成有机电致发光元件1R、1G和1B。
在形成有机电致发光元件元件1R、1G和1B后，在其上形成保护膜32。作为形成保护膜32的方法，优选列举沉积法例如蒸发法或CVD法，其中各个沉积颗粒的能量足够小以避免影响在下的层。此外，可取地，在形成阴极31后相继地形成保护膜32，而不使阴极31暴露于大气。根据这一点，可以防止有机层20由于大气中的水或氧而劣化。此外，可取地将保护膜32的沉积温度设定为正常温度，以防止有机层20的劣化导致的亮度降低，并且可取地将保护膜32在最小膜应力条件下沉积，以防止膜的分离。
此外，例如将红色滤色器的材料通过旋转涂布等涂布于密封基片40上，并通过光刻技术将涂布的材料图案化，然后烧蚀以形成红色滤色器。接下来，以与红色滤色器相同的方式依次形成蓝色滤色器和绿色滤色器。
然后，在保护膜32上形成粘合层33，并将密封基片40附着到保护膜32上，粘合层33位于其间。此时，密封基片40上形成有滤色器的表面优选位于有机电致发光元件1R、1G和1B侧。这样，完成了图4中所示的显示器设备。
在这样的显示器设备中，当在阳极11和阴极31之间施加驱动电压并且基于图像数据选择各个有机电致发光元件1R、1G和1B的阴极31时，向有机层20施加电场。当为有机层20施加电场时，空穴与电子在发光层23中复合，导致发光的产生。通过滤色器和密封基片40将发光提出。
根据该显示器设备，由于各个有机电致发光元件1R、1G和1B的有机层20在阳极11和发光层23之间具有n掺杂层21，因此可以降低驱动电压。其它操作和效果与有机电致发光元件中相同。
此外，尽管在该实施方案中将有机层20配置为n掺杂层21、空穴传输层22、发光层23和电子传输层24，但这不是限制性的。也就是说，有机层20仅需要在发光层23和阳极11之间具有n掺杂层21，并且可以按需要具有其它层。这同样适用于阴极31中的配置。
此外，尽管该实施方案主要在形成有机层20的各层即n掺杂层21、空穴传输层22、发光层23和电子传输层24各自形成为单层的情况下进行说明，但是各层可以形成为多层。即使在这样的情况下，也可以获得相同的操作和效果。
<2.第二实施方案(配线材料)>
根据本发明的第二实施方案的配线材料用于安装于显示器设备等中的电路板，并且是包括n型主体材料和n型掺杂剂材料的n掺杂有机导电材料。根据这一点，电流的施加可以在低压下进行。
例如，该配线材料可以用于图5中所示的配线结构。图5示意性地表示了使用该配线材料的配线结构。该配线结构具有n掺杂层52作为第一电极51(例如阳极)和第二电极53(例如阴极)之间的包括配线材料的层。
例如，第一电极51具有与有机电致发光元件的阳极11相同的配置。此外，n掺杂层52由包括n型主体材料和n型掺杂剂材料的配线材料形成，并因而具有与n掺杂层21相同的配置。第二电极53具有其中第一层53A和第二层53B从n掺杂层52侧起叠置的结构，并例如具有与阴极31相同的配置(第一层31A和第二层32B)。此外，尽管第二电极53可以和阴极31中一样具有透光性，但是电极53可以由非透光材料形成，例如与第一电极51相同的材料。
例如，该配线结构可以通过经由蒸发法等在基片上叠置第一电极51、n掺杂层52和第二电极53而制造。
在该配线结构中，当在电极之间不施加或施加电场时，如图2所示，在n掺杂层52中，电子容易地从n型掺杂剂化合物的HOMO(NDH)提出到n型主体化合物的LUMO(NHL)。因此，由于n型掺杂剂化合物带正电并且n型主体化合物变成电子通道，n型主体化合物的负空间电荷弛豫，并且电荷转移过程中n掺杂层52的电阻降低。此外，可能关系到电荷转移的电子浓度提高，这有利于电荷转移。也就是说，根据该配线结构，与使用不同于形成n掺杂层52的材料的有机材料的情况相比，可以在低电压下进行电流的施加。结果，根据该配线材料，可以在不使用金属材料等的情况下获得低电阻有机化合物配线。
实施例
将详细描述本发明的实施例。
(实验例1-1至1-5)
图5中所示的配线结构根据以下工序生产。
首先，通过RF磁控溅射在玻璃基片上形成包括200nm厚的铝的第一电极51(A1)。然后，将形成有第一电极51的基片放到等离子体装置中，并在真空气氛中进行氧等离子体(80W和10Pa)处理3分钟以清洁基片的表面。然后，将清洁后的基片放到蒸发装置中，并在真空气氛中在该装置中形成100nm厚的n掺杂层52。在此，将式(3-1)表示的化合物(HAT)用作n型主体化合物并将式(2-1)表示的化合物(αNPD)用作n型掺杂剂化合物，并将这些化合物共蒸发，同时调整n型掺杂剂化合物的含量以获得表1中所示的组成。具体地说，将n掺杂层52中的n型掺杂剂化合物的含量调整为0.5质量％(实验例1-1)、1质量％(实验例1-2)、2质量％(实验例1-3)、4质量％(实验例1-4)或者10质量％(实验例1-5)。然后，以0.3nm的厚度真空蒸发氟化锂(LiF)作为第二电极53的第一层53A，并在第一层53A上以10nm的厚度共蒸发镁-银合金(MgAg，10∶1的质量比)作为第二层53B。然后，将基片放到等离子体CVD装置中，并在该装置中在第二层53B上形成氮化硅膜(1微米厚)。最后，将UV固化树脂滴到氮化硅膜上，并将玻璃基片附着于其上用于密封。这样，完成了图5中所示的配线结构。
(实验例1-6)
通过与实验例1-1中相同的工序生产配线结构，不同之处在于通过真空蒸发以100nm的厚度形成包括式(3-1)表示的化合物(HAT)的层来代替n掺杂层52。
[表1]
Figure BDA0000061821230000181
在实验例1-1至1-6的每个配线结构的电极之间施加最高达3V的电压，以测量电流密度。作为结果，获得了图6中所示的结果。
如图6中所示，与实验例1-6(其中未形成n掺杂层52)相比，在实验例1-1至1-5中(其中在电极之间形成n掺杂层52)电流密度非常高。此外，在实验例1-3至1-5中(其中n掺杂层52中n型掺杂剂化合物的含量为2质量％或更高)，与实验例1-1和1-2(其中该含量小于2质量％)相比，电流密度非常高。这些表明，通过使用含有n型主体化合物和n型掺杂剂化合物以形成n掺杂层52的配线材料，能够在较低的电压下施加电流。此外还表明，当配线材料中的n型掺杂剂化合物的含量为2质量％或更高时，能够在更低的电压下施加电流。
(实验例2-1)
根据下列工序生产图1中所示的有机电致发光元件。
首先，通过RF磁控溅射在玻璃基片上形成包括200nm厚的铝(A1)的阳极11。然后，将形成有阳极11的基片放到等离子体装置中，并在真空气氛中进行氧等离子体(80W和10Pa)处理3分钟以清洁基片的表面。然后，将清洁后的基片放到蒸发装置中，并在真空气氛中在该装置中形成有机层20。在此，首先通过共蒸发在阳极11上形成n掺杂层21(20nm厚)，将n型掺杂剂化合物的含量调整为4质量％。此时，将式(3-1)表示的化合物(HAT)用作n型主体化合物，并将式(1-1)表示的化合物(m-MTDATA)用作n型掺杂剂。然后，分别蒸发包括m-MTDATA的空穴传输层22(20nm厚)、包括αNPD的发光层23(20nm厚)和包括Alq的电子传输层24。然后，以0.3nm的厚度真空蒸发氟化锂(LiF)作为阴极31的第一层31A，并在第一层31A上以10nm的厚度共蒸发镁-银合金(MgAg，10∶1的质量比)作为第二层31B。然后，将基片放到等离子体CVD装置中，并在该装置中在第二层31B上形成氮化硅膜(1微米厚)。最后，将UV固化树脂滴到氮化硅膜上，并将玻璃基片附着于其上用于密封。这样，完成了图1中所示的有机电致发光元件。表2显示了本文中使用的n掺杂层21中n型主体化合物和n型掺杂剂化合物各自的HOMO和LUMO能量的绝对值(eV)。
(实验例2-2)
通过与实验例2-1中相同的工序生产有机电致发光元件，不同之处在于当形成n掺杂层21时，使用αNPD(式(2-1))作为n型掺杂剂化合物来代替m-MTDATA(式(1-1))。
(实验例2-3)
通过与实验例2-1中相同的工序生产有机电致发光元件，不同之处在于通过真空蒸发以20nm的厚度形成包括式(3-1)表示的化合物的层来代替n掺杂层21。
(实验例2-4)
通过与实验例2-1中相同的工序生产有机电致发光元件，不同之处在于形成包括式(3-1)表示的化合物和式(6)表示的化合物F4-TCNQ的层(20nm厚)来代替n掺杂层21。在此，通过共蒸发形成该层以使得F4-TCNQ的含量为4体积％。
在100mA/cm2的电流密度下测量实验例2-1至2-4的各个有机电致发光元件的驱动电压和发光效率。作为结果，获得了表3中所示的结果。
[表2]
  HOMO(eV)   LUMO(eV)
 式(3-1)；HAT   7.0   4.4
 式(1-1)；m-MTDATA   5.1   -
 式(2-1)；αNPD   5.4   -
 式(6)；F4-TCNQ   8.3   5.2
[表3]
Figure BDA0000061821230000201
如图3中所示，与实验例2-3和2-4(其中未形成n掺杂层21)相比，在实验例2-1和2-2(其中形成了n掺杂层21)中驱动电压低并且因而发光效率高。在这种情况下，如表2中所示，m-MTDATA或αNPD(n型掺杂剂化合物)的HOMO能量与式(3-1)表示的化合物(n型主体化合物)的LUMO能量的绝对值之差为2eV或更小。当用所谓的p型掺杂剂化合物F4-TCNQ代替n型掺杂剂化合物时，未获得驱动电压的降低效果。
这表明，有机电致发光元件具有阳极11和发光层23之间的n掺杂层21，使得能够降低驱动电压并因而改善发光效率。在此，实验例1-1至1-5的结果表明，当n掺杂层21中n型掺杂剂化合物的含量为2质量％或更多时，可以更多地降低驱动电压。
尽管已使用实施方案和实施例说明了本发明，但是本发明不限于以上实施方案和实施例中说明的具体方面，并且可以进行多种修改和变化。例如，尽管已针对顶部发射型有机电致发光元件说明了实施方案和实施例，但是可以使用底部发射型有机电致发光元件。在这种情况下，场发射元件具有下述的结构：其中阴极、有机层和阳极依次叠置于由透明材料形成的基片上，并且有机层具有下述的结构：其中电子传输层、发光层和空穴传输层从阴极侧依次叠置。
尽管这些实施方案已针对有源矩阵显示器设备进行了说明，但是可以使用无源显示器设备。

Claims (9)

1.有机电致发光元件，其在阳极和阴极之间包含有机层，该有机层包含发光层，
其中该有机层在阳极和发光层之间具有n掺杂层，该n掺杂层包含n型主体化合物和n型掺杂剂化合物。
2.根据权利要求1的有机电致发光元件，
其中n掺杂层中n型掺杂剂化合物的含量为2质量％或更多。
3.根据权利要求1的有机电致发光元件，
其中该阳极含有铝作为组成元素。
4.根据权利要求1的有机电致发光元件，
其中该有机层在n掺杂层和发光层之间具有空穴传输层。
5.根据权利要求1的有机电致发光元件，
其中n型掺杂剂化合物是式(1)和(2)表示的胺化合物中的一种或多种：
[化学式1]
Figure FDA0000061821220000011
R1至R3各自为氢基团、卤素基团、羟基、氨基、具有20或更少的碳数的芳基氨基、具有20或更少的碳数并包括羰基的基团、具有20或更少的碳数并包括羰基酯键的基团、具有20或更少的碳数的烷基、具有20或更少的碳数的烯基、具有20或更少的碳数的烷氧基或者具有20或更少的碳数并包括芳环的基团，或者各个基团的衍生物；
[化学式2]
Figure FDA0000061821220000012
R4至R7各自为氢基团、卤素基团、羟基、氨基、具有20或更少的碳数的芳基氨基、具有20或更少的碳数并包括羰基的基团、具有20或更少的碳数并包括羰基酯键的基团、具有20或更少的碳数的烷基、具有20或更少的碳数的烯基、具有20或更少的碳数的烷氧基或者具有20或更少的碳数并包括芳环的基团，或者各个基团的衍生物，其中R4和R5或者R6和R7可以彼此键合以形成环，并且R8是二价基团。
6.根据权利要求1的有机电致发光元件，
其中n型主体化合物是式(3)表示的化合物：
[化学式3]
Figure FDA0000061821220000021
Z1至Z6各自为氢基团、卤素基团、氰基、硝基、甲硅烷基、羟基、氨基、芳基氨基、具有20或更少的碳数并包括羰基的基团、具有20或更少的碳数并具有羰基酯键的基团、具有20或更少的碳数的烷基、具有20或更少的碳数的烯基、具有20或更少的碳数的烷氧基、具有30或更少的碳数并包括芳环的基团或者具有30或更少的碳数并包括杂环的基团，或者各个基团的衍生物，其中Z1和Z2、Z3和Z4或者Z5和Z6可以彼此键合以形成环。
7.根据权利要求1的有机电致发光元件，
其中n型掺杂剂化合物的最高已占分子轨道(HOMO)能量与n型主体化合物的最低未占分子轨道(LUMO)能量之间的绝对值之差为2eV或更小。
8.根据权利要求1的有机电致发光元件，
其中阳极具有反光性，并且阴极具有透光性，并且
从发光层发射的光从阴极侧输出。
9.显示器设备，其包含：
有机电致发光元件，该有机电致发光元件在阳极和阴极之间具有有机层，该有机层包含发光层，
其中该有机层在阳极和发光层之间具有n掺杂层，该n掺杂层包含n型主体化合物和n型掺杂剂化合物。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104737625B (zh) * 2012-10-11 2016-11-16 株式会社日本有机雷特显示器 有机el显示单元、其制造方法、油墨以及电子设备

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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KR101137388B1 (ko) * 2009-11-13 2012-04-20 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 전계 발광 장치
KR101805144B1 (ko) * 2010-06-14 2017-12-05 노발레드 게엠베하 유기 발광 장치
JP5471937B2 (ja) * 2010-07-27 2014-04-16 セイコーエプソン株式会社 発光素子、表示装置および電子機器
TWI622198B (zh) * 2012-07-18 2018-04-21 樂金顯示科技股份有限公司 有機發光裝置
KR102602245B1 (ko) * 2016-02-12 2023-11-14 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
JP6901883B2 (ja) * 2017-03-22 2021-07-14 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置の製造方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100377321B1 (ko) * 1999-12-31 2003-03-26 주식회사 엘지화학 피-형 반도체 성질을 갖는 유기 화합물을 포함하는 전기소자
US7560175B2 (en) * 1999-12-31 2009-07-14 Lg Chem, Ltd. Electroluminescent devices with low work function anode
JP2004079413A (ja) * 2002-08-21 2004-03-11 Nec Corp 有機エレクトロルミネッセント素子
JP2006294895A (ja) * 2005-04-12 2006-10-26 Sony Corp 有機電界発光素子
JP5116992B2 (ja) * 2005-05-27 2013-01-09 富士フイルム株式会社 有機ｅｌ素子
JP4673279B2 (ja) * 2005-12-20 2011-04-20 三星モバイルディスプレイ株式會社 有機発光表示素子及びその製造方法
WO2007105906A1 (en) * 2006-03-14 2007-09-20 Lg Chem, Ltd. Organic light emitting diode having high efficiency and process for fabricating the same
KR101426717B1 (ko) * 2006-12-04 2014-08-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 발광 장치 및 전자 기기
US7728512B2 (en) * 2007-03-02 2010-06-01 Universal Display Corporation Organic light emitting device having an external microcavity

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104737625B (zh) * 2012-10-11 2016-11-16 株式会社日本有机雷特显示器 有机el显示单元、其制造方法、油墨以及电子设备

Also Published As

Publication number Publication date
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