CN102203020A - 用来使玻璃熔体均化的方法和设备 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及通过对轴进行加热，减少可能在搅拌容器的搅拌器轴上冷凝并落回到玻璃熔体中的挥发的贵金属氧化物对玻璃熔体的污染的方法。在一个实施方式中，所述搅拌器轴包括内部空腔，以及设置在所述空腔内的加热元件。所述加热元件将所述轴加热至足以防止挥发的物质在轴表面上冷凝的温度。

Description

用来使玻璃熔体均化的方法和设备
发明背景
技术领域
本发明一般涉及用来减少玻璃熔体中的污染物的方法，更具体涉及在玻璃搅拌工艺过程中减少冷凝形成的污染物。
背景技术
化学均一性和热均一性是良好的玻璃成形操作的关键部分。玻璃熔融操作的功能通常是制备具有可接受的气体或固体夹杂物水平的玻璃，但是此种玻璃经常包括化学上不同的相形成的带(条痕或条纹)。玻璃的这些不均匀组分由熔融工艺过程中的各种常规现象引起，包括难熔物溶解，熔融层化，玻璃表面挥发以及温度差。所产生的带由于颜色和/或折射率的差异，在玻璃中可以观察到。
一种用来改进玻璃的均一性的方法是使得熔融的玻璃通过位于熔融器下游的搅拌室。所述搅拌室装有搅拌器，所述搅拌器具有中心轴，使用合适的电动机使得中心轴旋转。从该轴伸出多个桨叶，用来在熔融玻璃从搅拌室的顶部到其底部通过搅拌室的时候，对熔融的玻璃进行混合。本发明涉及在不会进一步向所得的玻璃中引入缺陷的情况下对搅拌室进行操作，具体来说，不会引入由于冷凝的氧化物造成的缺陷。
玻璃搅拌室中的挥发性氧化物可能是由玻璃和搅拌室中存在的任何元素形成的。最具挥发性和破坏性的氧化物中有些是由Pt、As、Sb、B和Sn形成的。玻璃熔体中可冷凝氧化物的主要来源包括热的铂表面(对于PtO2)、以及玻璃自由表面(对于B2O3、As4O6、Sb4O6和SnO2)。所谓“玻璃自由表面”是指接触搅拌室内气氛的玻璃表面。因为玻璃自由表面之上的气氛比搅拌室外的气氛热，前一气氛中可能包含上述中的任何一种或所有的物质或者其它挥发性物质，玻璃自由表面之上的气氛有向上流经任意开口，比如从搅拌轴与搅拌室盖子之间的环形空间通过的固有趋势。因为随着搅拌器轴与玻璃自由表面之间的距离增加，搅拌室轴通常变得更冷，如果轴和/或盖子的温度低于包含在搅拌室气氛内的挥发性氧化物的露点，这些氧化物会冷凝到轴表面上。在其它的较冷的表面上也可能发生冷凝，包括搅拌器的盖子，特别是搅拌器盖子的环形区域。当产生的冷凝物达到足够尺寸时，它们会脱落，落到玻璃中并造成在玻璃产品中的夹杂物缺陷或气泡缺陷。
发明内容
在本发明的一个实施方式中，揭示了一种搅拌玻璃熔体的方法，该方法包括使得熔融的玻璃流过搅拌室，所述搅拌室包括盖子，所述盖子具有通过该盖子的通道，所述搅拌室还包括搅拌器，所述搅拌器包括贯穿所述盖子通道的轴，在所述搅拌器轴和盖子之间形成环形间隙，并用设置在搅拌器轴的内部空腔中的加热元件对搅拌器轴的一部分进行加热。
在另一个实施方式中，描述了一种用来搅拌玻璃熔体的设备，其包括构造成容纳熔融玻璃的搅拌室，所述搅拌室包括盖子，该盖子限定了通过该盖子的通道；搅拌器，所述搅拌器包括贯穿所述通道、延伸到搅拌室中的轴，所述盖子和搅拌器轴限定了在它们之间的环形间隙，其中，所述搅拌器轴限定了轴内部的空腔；以及加热元件，其设置在所述搅拌器轴空腔之内，用来对通过环形间隙的轴的至少一部分进行加热。
在又一个实施方式中，本发明揭示了一种用来搅拌玻璃熔体的设备，其包括：构造成容纳熔融玻璃的搅拌室，所述搅拌室包括盖子，所述盖子限定出通过该盖子的通道；搅拌器，该搅拌器具有贯穿该通道、延伸到搅拌室中的轴；所述盖子和轴之间的空间限定了环形间隙；和位于轴外部的至少一个红外加热元件，用来对与环形间隙相邻的轴的部分进行加热。
参见附图，通过以下说明性的描述将更容易理解本发明，同时将更清楚地了解本发明的其它目的、特征、细节和优点，以下描述不是限制性的。
附图说明
图1是1200℃(最下面的曲线)至1550℃(最上面的曲线)的四种温度的铂的质量损失(纵轴)-氧气分压(横轴)的图。
图2是两种氧气含量(10％是下面的曲线；20％是上面的曲线)的铂的质量损失(纵轴)-温度(横轴)曲线图。
图3是两种温度(1550℃是下面的曲线；1645℃是上面的曲线)的铂的质量损失(纵轴)-气流(横轴)曲线图。
图4是对于三种不同的氧气浓度，铂族金属铂和铑各自的总压力(纵轴)-温度(横轴)曲线图。
图5显示根据本发明一个实施方式的用来搅拌玻璃的示例性室的的截面图，其包括加热元件，所述加热元件设置在由搅拌轴限定的内部空腔之内。
图6是图5的内部空腔的部分的截面图，显示根据本发明实施方式的示例性的电阻加热元件。
图7是图5的内部空腔的部分的截面图，显示根据本发明实施方式设置在搅拌器轴内部的示例性的感应加热元件，其包括冷却供应管线，用来供应穿过加热元件的冷却剂。
图8是示例性的搅拌轴的截面图，显示根据本发明的实施方式设置在搅拌器轴外侧上的感应加热元件(未显示冷却剂供应管线)。
图9是根据本发明另一个实施方式的截面图，其包括设置在围绕搅拌器轴的环形间隙的外部并且与该环形间隙相邻的示例性的辐射加热元件。
图10是根据本发明的实施方式，用来加热搅拌器轴的激光辐射加热元件的截面图。
具体实施方式
如上文所讨论，本发明涉及玻璃片中的铂族缺陷的问题。更具体来说，本发明涉及在制造工艺中的流动的熔融玻璃具有自由表面，以及位于自由表面之处或上方的一个或多个暴露的表面的一些位置处形成铂族金属的冷凝物。(在本文中，术语″在……处或之上″当用来表示结构或表面(包含铂族金属)与流动的熔融玻璃的自由表面之间的空间关系的时候，包括位于自由表面处或自由表面之上的结构或表面。类似地，术语″在……处或之下″用于相同的目的的时候，包括流动的熔融玻璃的自由表面位于包含铂族金属的结构或表面之处和之下的情况)
因为与高温有关，在自由表面之处或之上的某些位置，铂族金属可以发生氧化，形成金属蒸气(例如PtO2蒸气)，该蒸气可以回复成金属，在自由表面处或之上的其他位置冷凝成金属颗粒。然后这些铂族金属颗粒可以回″落″到自由表面上，或者夹杂在玻璃流体中，由此在成品的玻璃片中形成缺陷(通常是夹杂物)。
包含通过此种机理形成的铂族金属的缺陷(本文称作″铂族冷凝物缺陷″或简称″冷凝物缺陷″)具有能够将其与包含通过其他机理形成的铂族金属的缺陷区别开的特征。因此，冷凝物缺陷具有晶体形状，它们的最大尺寸等于或大于50微米。
不希望被任何具体理论所限制，认为铂族冷凝物缺陷源自以下化学和热力学作用。该问题的主要来源是铂族金属可以与氧一起进入的双向反应。例如，对于铂和铑，双向反应之一可以写作以下反应式：
Figure BPA00001358270200041
Figure BPA00001358270200042
其它的包括铂的反应可以产生PtO和其他氧化物，其他包括铑的反应可以产生RhO，RhO2和其他氧化物。
这些反应的正向反应进行可以看作铂族冷凝物缺陷的“起始来源”(起始点)。如图1-3所示，影响这些正向反应速率的主要因素是氧气分压pO2，温度和流速。
具体来说，图1显示了对于四种不同温度，pO2对铂的正向反应的影响，即，1200℃-星形数据点；1450℃-三角形数据点；1500℃-正方形数据点；1550℃-菱形数据点。该图中的横轴是氧气分压，单位为％，而纵轴是铂的质量损失，单位为克/厘米2/秒。直线是对试验数据的线性拟合。从图1可以看到，铂的氧化和蒸发基本上随着氧气分压的增大而线性增大，随着温度的升高，该影响的斜率越来越大。
图2更详细地显示了温度的影响。该图中的横轴是温度，单位为℃，纵轴是铂的质量损失，单位为克/厘米2/秒。菱形数据点表示氧气分压为10％的气氛的情况，而正方形数据点表示氧气分压为20％的情况。通过数据点的曲线为指数拟合。从该数据可以明显地看出，铂的氧化和蒸发随着温度的升高迅速(呈指数关系)增大。尽管图2未显示，但是其它的试验表明，Pt的挥发在大约～600℃开始。
图3显示铂族金属的氧化和蒸发中涉及的第三个主要参数的影响，即含氧气的气氛在金属表面上的流速。此图中的横轴是通过在测试中用来容纳铂样品的容器的流速，单位为标准升/分钟(SLPM)，而在图1和图2中，纵轴是铂的质量损失，单位为克/厘米2/秒。三角形数据点是温度为1550℃的情况，而菱形数据点是在1645℃得到的。两种情况的氧气分压均为20％。
从图3可以看到，对于这两种温度，随着流速增大，当离开停滞条件的时候，铂的质量损失快速增大，然后趋于稍微成水平，对于较低温度下尤其如此。尽管不希望被任何特定操作理论限制，认为在裸露的金属表面的流量增大会剥去金属-气体界面的氧化物层，促进更快速氧化。还认为流动会抑制金属表面上氧化物的平衡蒸气压的建立，这在动力学上可以减小挥发性物质产生的速率。
将图1-3一起进行考虑，可以看到铂族冷凝物缺陷的起始来源，即铂族金属的氧化和蒸发，随着pO2，温度和流速中的每一种条件增大而增大，合并的影响基本上是加合的。因此，冷凝物缺陷的起始来源可以被认为是流动的熔融玻璃的自由表面附近的结构的那些区域，在这些区域，包含铂族金属的物质接触较高的氧气浓度、较高的温度和/或处于较高的流速(相对于其它的区域)，上述三种条件中的两种或三种的组合是非常不利的(非常麻烦的)起始来源。
铂族金属本身的氧化/蒸发不会导致冷凝物缺陷。倒不如说，必须从在流动的熔融玻璃的自由表面上方的蒸气/气态气氛中冷凝固体，产生颗粒，然后该颗粒可以回“落”到自由表面上，或者通过其他方式夹杂在流动的玻璃中，由此成为玻璃板内的冷凝物缺陷。以上反应式(1)和(2)的逆向反应促进了铂族金属的冷凝，因此可以看作用于固体颗粒形成的″转变器″。
造成逆向反应速率加快的因素包括温度和/或pO2的下降。图4显示与冷凝过程有关的热力学。该图中的横轴是温度，单位为℃，而纵轴是在包含铂族金属的气态物质的气氛中的总压力。图中显示的热力学计算是对于80重量％铂-20重量％铑合金进行的。成对的(i)实线，(ii)长虚线和(iii)短虚线分别表示pO2值为0.2大气压，0.01大气压和0.001大气压的气氛。对于各对线条，一对线条中的上面一条表示铂，下面一条表示铑。
从该图中可以看到，当高温区域中产生的铂和/或铑蒸气移动到较冷的区域中，它们变得不稳定，导致母材金属的固体颗粒冷凝。图中顶部的三个圆点显示在pO2为0.2个大气压的气氛中铂的此种效果。从这些点可以看到，随着温度从1450℃降至1350℃，气氛中含铂物质的总压力必须从约1.5x10-6大气压降至约8.0x10-7大气压。用于该含铂物质的气压降低的机理是冷凝，即从气态转化为固态。
图4还显示了当在高度氧化区域内产生的铂和/或铑蒸气移动到具有较低氧气含量的区域中，也会发生形成固体物质的情况。沿着T＝1450℃线的这三个圆点显示了此种效果。随着pO2从0.2大气压(最上面的三个点)降至0.001大气压(最下面的点)，气氛中含铂物质的总压力必须从约1.5x10-6大气压降至约8.0x10-9大气压。而且，该降低意味着必须形成铂的固体形式。该固体形成组成金属冷凝物颗粒，该颗粒可以回落或者夹杂到熔融玻璃流中，在固化的玻璃片中形成金属斑点。
图5显示用来实施根据本发明的实施方式，对玻璃熔体进行均化的方法的示例性设备。图5的搅拌室10包括进入管12和排出管14。在图示的实施方式中，熔融玻璃16经进入管12流入搅拌室中(如箭头18所示)，并经排出管14流出搅拌室(如箭头20所示)。搅拌室10包括至少一个壁24，所述壁优选是圆筒形的，通常基本上是垂直取向的，但是搅拌室10可以具有其它的形状和取向。较佳地，搅拌室壁包含铂或铂合金。
搅拌室10还包括搅拌器26，搅拌器26包括轴28以及多个从轴朝着搅拌室壁24方向向外延伸的桨叶30。轴28通常基本上是垂直取向的，并且可旋转地安装，从而使得从轴下部伸出的桨叶30在至少部分地浸没于熔融玻璃16的自由表面32之下的搅拌室内旋转。例如，可以通过合适的齿轮传动装置或者带或链条传动，通过电动机34使得搅拌器26旋转。熔融玻璃表面温度通常在约1400℃至1600℃的范围内，但根据玻璃的组成可能高些或低些。搅拌器26优选由铂组成，但是可以是铂合金-例如分散增强的铂(例如氧化锆增强或者氧化铑铂合金)，或者任何其他适合用来搅拌熔融玻璃的耐火材料。
根据本实施方式，搅拌室10还包括搅拌室盖子36。搅拌室盖子36可以直接安置在壁24上，或者在壁与盖之间设置高温密封材料，壁与盖之间的密封在任何情况下都应足以防止在壁与盖之间有可以察觉的气流。搅拌室盖子36还限定了通道38，搅拌器轴28通过所述通道38。通过搅拌室盖子通道的轴28在轴28和盖子26之间形成环形间隙40。搅拌室盖子36通常被耐火绝缘层42覆盖，所述耐火绝缘层也可以位于围绕轴28的至少一部分的位置。
根据本实施方式，最好如图6显示，与环形间隙40相邻的轴28的至少一部分限定了空腔44，所述空腔包括设置在其中的加热元件46，优选与环形间隙40相邻。搅拌室轴可以是空心的，用来节省使用的昂贵的铂或铂合金。在图6所示的实施方式中，导电环48a和48b的作用是将电流输送给加热元件46。加热元件46可以是例如图5所示的电阻加热元件。因此，第一导电环48a与轴28电连接，以及与电阻元件的一端(即在点50处)电连接。所述电阻元件可以是例如高温金属丝线圈52(例如铂、钨、钼或其合金)，所述线圈设置在由高温陶瓷(例如AN485)构成的耐火成形件54周围。或者，电阻元件可以是一个或多个金属条、棒、或者电阻元件的其他形式。例如，所述电阻元件可以设置在耐火成形件54表面中形成的凹槽内。图6中的示例性的电阻元件显示为线圈。
在一些实施方式中，空腔44可以包含惰性气氛，例如包含氮气或氦气的气氛，以防止加热元件氧化。特别对于钨之类的虽然具有高电流承载能力，但是特别容易氧化的电阻元件来说，惰性气氛可能是实用的。可以使用其它的惰性气体，例如稀有气体类。
第二个导电环48b设置在轴28的周围，但通过绝缘层56与轴28电绝缘。例如，轴28的外部的一部分可以涂覆电绝缘陶瓷耐火绝缘层42(例如Alundum AN485或等效材料)，该绝缘层设置在第二导电环48b和轴28之间。电阻元件的另一端58通过轴28(例如经由绝缘套管60)，与第二导电环48b相连。电刷62从电源(图中未显示)经由供电线路63(图1)向导电环48a，48b供电，然后电流流过加热元件。电刷62可以是碳刷，或者可以包含铜或者任何其他适合作为电刷的材料。较佳的是，所述电流是交流电流。较佳的是，导电环48a，48b与环形间隙40相距足够的垂直距离，从而最大程度减小可能从导电环上的间隙40放出的挥发性物质的冷凝，同时最大程度减小对导电环的加热。
在另一个实施方式中，加热元件46可以是感应线圈，如图7的截面图所示，以促进轴28的直接感应加热。因为所述线圈可以承载高电流，该线圈通常是空心的，因此可以使得冷却流体流经线圈。因此，可能需要旋转连接件或接合件(未显示)，以分别通过冷却剂输送管线45、47向线圈内部供应移动冷却流体(例如水)以及使得水从线圈内部流出。
在图8所示的另一个实施方式中，可以通过将感应加热线圈设置在轴外部，采用感应加热对轴进行加热。可以调节施加在线圈上的电能，使得设置的线圈与轴的距离足以防止挥发物冷凝在线圈上。与之前的情况一样，应当对感应线圈进行选择，使得能够将间隙40附近的轴28的至少一部分加热到至少约400℃，优选至少约600℃，更优选至少约1200℃，更加优选至少约1400℃。如前文所述，通常通过冷却通道(未显示)对感应线圈供应冷却流体。
可以将多个加热元件46设置在空腔44之内，以便沿着与环形间隙40相邻的轴28的长度产生预定的温度梯度。同时还可以使用多对的导电环。
加热元件46应能够将轴28的至少一部分加热到至少约400℃，优选至少约600℃，更优选至少约1200℃，更加优选至少约1400℃。
在一个实施方式中，可以使用防护罩64(图5)将通过环形间隙40向上流动的挥发性气体偏转，以防止其冷凝在导电环48a，48b上，并防止碎屑(例如从电刷62上侵蚀或者磨损的颗粒(例如炭粉))下落通过环形间隙40，进入搅拌室10的内部。
在图9所示的又一个实施方式中，可以将一个或多个辐射源66(例如石英红外加热器)设置在轴28周围，对环形间隙40相邻的轴28进行加热。所述加热元件可以以各种形状、尺寸和功率输出从市场上容易购得。红外石英加热器可以互相等距地(等角度地)围绕轴28设置。有利的是，使用辐射加热器66使加热器能设置在与环形间隙40相距足够距离的位置，从而防止从环形间隙40流出的挥发性材料冷凝，以及随后的由于在加热器上的冷凝造成的加热器腐蚀。较佳的是，辐射加热器66布置成将与环形间隙40相邻的轴28的温度保持在至少约为400℃，优选至少约为600℃，更优选至少约为1200℃，更加优选至少约为1400℃。搅拌室内的温度越接近目标温度，则从防止来自搅拌室的挥发性气体冷凝来看，加热将更有效。但是，在不对轴进行辅助加热的情况下高于轴温度的任意轴温度升高都是有益的。
或者，可以如图10所示，用一个或多个激光器对轴进行辐射加热，其中辐射源66(激光器66)产生激光束68，照射在环形间隙40附近的轴28上。如果需要的话，可以除去绝缘层42的一些部分，以促进将激光束68移动到更接近环形间隙40。较佳的是，所述激光器是红外激光器，产生红外光能。辐射加热元件66应当能够用足够的功率对轴28进行辐照，将间隙40附近的轴28的至少一部分加热到至少约400℃，优选至少约600℃，更优选至少约1200℃，更加优选至少约1400℃。在另一种情况下，可以将微波发生器(例如回旋管)用作辐射源66。
使用一对1000瓦的加热器和铂搅拌器轴进行表明辐射加热元件的试验。加热器在标准的120伏电流下运行，需要少量的水冷却(小于1加仑/分钟)。加热器包括钨丝，该钨丝能够将设置在加热器附近的部件加热至大约1600℃。使用设定在80％输出的加热器，在几分钟内将轴加热至～775℃至～875℃。这些加热器未针对该应用优化。轴实际上吸收多少能量尤其取决于辐射能的发射率和轴对辐射能的吸收。在模拟中，通过轴的旋转，轴周边周围的温度是均匀的。
本领域的技术人员显而易见的是，可以在不偏离本发明的范围和精神的情况下对本发明进行各种修改和变动。因此，本发明人的意图是本发明覆盖本发明的修改和变动，只要这些修改和变动在所附权利要求书和其等同方案的范围之内。

Claims (23)

1.一种搅拌玻璃熔体的方法，包括：
使得熔融玻璃(16)流过搅拌室(10)，所述搅拌室包括盖子(36)，所述盖子(36)包括通过该盖子(36)的通道(38)，所述搅拌室还包括搅拌器(26)，所述搅拌器(26)包括贯穿所述盖子通道的轴(28)，在所述搅拌器轴和盖子之间形成环形间隙(40)；以及
用设置在所述搅拌器轴的内部空腔(44)中的加热元件(46)对搅拌器轴的至少一部分进行加热。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述加热元件(46)包括多个加热元件。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述多个加热元件中的至少一个的热量输出进行改良，以便沿着所述搅拌器轴(28)的长度产生预定的温度梯度。
4.如权利要求1-3中任一项所述的方法，其特征在于，通过所述环形间隙(40)的轴(28)的温度保持在约等于或高于400℃。
5.如权利要求1-4中任一项所述的方法，其特征在于，所述加热元件(46)包含选自铂、钨、钼或其合金的金属。
6.如权利要求1-5中任一项所述的方法，其特征在于，所述空腔(44)包括位于其中的惰性气体。
7.如权利要求1-6中任一项所述的方法，其特征在于，所述加热元件(46)与设置在搅拌器轴(28)上的导电环(48a，48b)电连接。
8.如权利要求1-6中任一项所述的方法，其特征在于，所述轴(28)被感应加热。
9.如权利要求1-7中任一项所述的方法，其特征在于，所述加热元件(46)是电阻线圈或感应线圈。
10.如权利要求1-9中任一项所述的方法，其特征在于，所述加热元件(46)与环形间隙相邻。
11.一种用于搅拌玻璃熔体的设备，该设备包括：
构造成容纳熔融玻璃(16)的搅拌室(10)，所述搅拌室包括盖子(36)，所述盖子限定了通过该盖子的通道(38)；
搅拌器(26)，其包括贯穿所述通道、延伸到搅拌室中的轴(28)，所述盖子和搅拌器轴限定了在它们之间的环形间隙(40)，其中，所述搅拌器轴限定了所述轴内部的空腔(44)；以及
加热元件(46)，其设置在搅拌器轴空腔之内，用来对通过所述环形间隙的轴的至少一部分进行加热。
12.如权利要求11所述的设备，所述设备还包括设置在搅拌器轴空腔(44)内的多个加热元件(46)。
13.如权利要求11或12所述的设备，其特征在于，所述多个加热元件(46)布置成沿着轴(28)的长度提供预定的温度分布。
14.如权利要求11-13中任一项所述的设备，所述设备还包括防护罩(64)，所述防护罩设置在轴(28)周围、盖子(36)上方。
15.如权利要求11-14中任一项所述的设备，所述设备还包括与轴(28)接触的导电环(48a，48b)，用来为加热元件(46)供应电流。
16.如权利要求11-14中任一项所述的设备，其特征在于，所述加热元件(46)是感应线圈。
17.如权利要求11-16中任一项所述的设备，其特征在于，所述空腔(44)包括位于其中的惰性气氛。
18.一种用于搅拌玻璃熔体的设备，该设备包括：
构造成容纳熔融玻璃(16)的搅拌室(10)，所述搅拌室包括盖子(36)，所述盖子限定了通过该盖子的通道(38)；
搅拌器(26)，该搅拌器包括贯穿所述通道、延伸到所述搅拌室中的轴(28)，在所述盖子和所述轴之间的空间限定了环形间隙(40)；以及
位于轴外部的至少一个辐射加热元件(66)，其用来使用具有足够功率的光对与环形间隙相邻的轴的部分进行辐照，将轴的至少一部分加热到至少约400℃。
19.如权利要求18所述的设备，其特征在于，所述辐射加热元件(66)是红外光源。
20.如权利要求18或19所述的设备，其特征在于，所述辐射加热元件(66)是激光器。
21.一种搅拌玻璃熔体的方法，包括：
使得熔融玻璃(16)流过搅拌室(10)，所述搅拌室包括盖子(36)，所述盖子(36)包括通过该盖子(36)的通道(38)，所述搅拌室还包括搅拌器(26)，所述搅拌器(26)包括贯穿所述盖子通道的轴(28)，在所述搅拌器轴和盖子之间形成环形间隙(40)；以及
用辐射加热元件(66)对搅拌器轴的至少一部分进行加热，所述辐射加热元件(66)用具有足够功率的光辐照轴的所述部分，将所述轴的被辐射的部分加热到至少约400℃。
22.如权利要求21所述的方法，其特征在于，所述辐射加热元件(66)是激光器。
23.如权利要求21或22所述的方法，其特征在于，所述光是红外光。
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