CN102201412B - 单栅非易失性快闪存储单元、存储器件及其制造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 238000007667 floating Methods 0.000 claims abstract description 186
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 126
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims abstract description 52
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 32
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 51
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 34
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 20
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical group N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 abstract description 4
- 239000002784 hot electron Substances 0.000 description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000009881 electrostatic interaction Effects 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003978 SiClx Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GDFCWFBWQUEQIJ-UHFFFAOYSA-N [B].[P] Chemical compound [B].[P] GDFCWFBWQUEQIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000007792 gaseous phase Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- XZWYZXLIPXDOLR-UHFFFAOYSA-N metformin Chemical compound CN(C)C(=N)NC(N)=N XZWYZXLIPXDOLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- -1 phosphonium ion Chemical class 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/788—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate with floating gate
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
- H01L29/66825—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET with a floating gate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B41/00—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates
- H10B41/40—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates characterised by the peripheral circuit region
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B41/00—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates
- H10B41/60—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates the control gate being a doped region, e.g. single-poly memory cell
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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Abstract
本发明提供了一种单栅非易失性快闪存储单元、包括该存储单元的存储器件及其制造方法，该存储单元包括半导体结构及可动开关，所述可动开关包括：支撑部件和导电互连部件，所述支撑部件位于所述导电互连部件的外围，且与所述层间介质层连接，所述导电互连部件悬置在所述开口上方，当向所述导电互连部件施加电压时，则所述导电互连部件与所述浮栅结构电连接。本发明提供的单栅非易失性快闪存储单元，控制电路简单，制造成本低，可靠性高，功耗低，效率高。
Description
技术领域
本发明涉及半导体存储器，特别涉及一种单栅非易失性快闪存储单元、存储器件及其制造方法。
背景技术
通常，用于存储数据的半导体存储器分为易失性存储器和非易失性存储器，易失性存储器易于在电中断时丢失其数据，而非易失性存储器即使在供电中断后仍能保持片内信息。目前可得到的非易失存储器有几种形式，包括电可编程只读存储器(EPROM)、电可擦除编程只读存储器(EEPROM)和快闪存储器(flash memory)。与其它的非易失性存储器相比，快闪存储器具有存储数据的非易失性、低功耗、电重写能力以及低成本等特性，因此，非易失性存储器已广泛地应用于各个领域，包括嵌入式系统，如PC及外设、电信交换机、蜂窝电话、网络互联设备、仪器仪表和汽车器件，同时还包括新兴的语音、图像、数据存储类产品，如数字相机、数字录音机和个人数字助理。
例如在公开号CN101051653A的中国专利申请中提供了一种单栅存储单元，参见图1，给出了现有技术的单栅存储单元的截面图。该单栅存储单元由N型衬底12或N阱制成。均为P+型的第一区域14，第二区域16和第三区域18位于该N阱或N型衬底12中。该第一区域14，第二区域16和第三区域18彼此间隔开，限定了第一区域14与第二区域16之间的第一沟道区域24，以及在第二区域16与第三区域18之间的第二沟道26。在第一沟道区域24之上的是与第一沟道区24间隔开并且绝缘的控制栅极20。该控制栅极20覆盖该第一沟道区域24，但是与第一区域14和第二区域16少量重叠或不重叠。在第二沟道区域26之上的是与第二沟道区26间隔开并且绝缘的浮置栅极22，该浮置栅极22覆盖该第二沟道区域26，但是与第二区域16和第三区域18少量重叠或不重叠。在写操作中，将例如+5伏的正电压施加到第一区域14，将接地的较低电压施加到第三区域18，将接地的低电压施加到控制栅极24，因为第一区域14，第二区域16和第一沟道区域24形成了P型晶体管，因此施加0伏到控制栅极20将导通第一沟道区域24，于是来自第一区域14的+5伏电压将通过第一沟道区域24传送到第二区域16。在第二区域16处，根据热载流子机理，空穴将通过沟道被注入到浮置栅极22，完成写操作。
现有技术中，擦写操作一般是利用热电子或者电子隧穿的原理来完成。因此擦写操作需要较高的操作电压，例如一般擦写的操作电压为7V～20V。因此在制造工艺中，必须包含高压器件，制造工艺复杂，成本较高。同时擦写过程中的热电子及电子隧穿的反复擦写容易造成晶体管的失效。
发明内容
本发明解决的技术问题是，提供一种单栅非易失性快闪存储单元及其制造方法，提高了存储单元的可靠性。
为了解决上述问题，本发明提供了一种单栅非易失性快闪存储单元，包括：半导体结构，所述半导体结构包括衬底、位于衬底中的第一导电类型的掺杂阱，位于掺杂阱内及其上的控制栅晶体管和浮栅晶体管，其中控制栅晶体管源极和浮栅晶体管的漏极共用，所述浮栅晶体管具有浮栅结构，所述半导体结构上具有层间介质层；
还包括：可动开关，设置于所述浮栅结构上方，所述可动开关对应位置的层间介质层中具有暴露浮栅结构的开口，所述可动开关包括：支撑部件和导电互连部件，所述支撑部件位于所述导电互连部件的外围，且与所述层间介质层连接，并将所述导电互连部件悬置在所述开口上方，当向所述导电互连部件施加电压时，则所述导电互连部件与所述浮栅结构电连接。
优选的，所述浮栅结构包括浮栅部和浮栅延伸部；
可动开关，设置于所述浮栅延伸部上方，所述可动开关对应位置的层间介质层中具有暴露浮栅延伸部的开口，所述可动开关包括：支撑部件和导电互连部件，所述支撑部件连接在所述导电互连部件的外围，且与所述层间介质层连接，所述导电互连部件通过所述支撑部件悬置在所述开口上方，当向所述导电互连部件施加电压，则所述导电互连部件进入所述开口和所述浮栅延伸部导电互连。
优选的，所述第一掺杂类型为N型，第二掺杂类型为P型。
优选的，所述第一掺杂类型为P型，第二掺杂类型为N型。
优选的，所述支撑部件为绝缘材料，所述支撑部件为分布在导电互连部件对称的两侧的引脚，且所述支撑部件和所述导电互连部件连接的一端位于导电互连部件下方，与层间介质层连接的一端位于层间介质层上方。
优选的，所述浮栅结构包括浮栅极和位于所述浮栅极上的绝缘层，所述开口包括：所述层间介质层中的介质层开口，及对应于介质层开口中央区域的浮栅延伸部的绝缘层中的开口，即浮栅延伸部开口；所述浮栅延伸部开口位于所述介质层开口的中央区域。
优选的，所述导电互连部件对应于所述浮栅延伸部开口的位置向浮栅延伸部一侧凸出，且所述凸出位置和所述浮栅延伸部开口位置对应。
优选的，所述导电互连部件对应于所述开口的中央区域。
优选的，所述导电互连部件为金属材料。
一种包括阵列排列的上述单栅非易失性快闪存储单元的单栅非易失性快闪存储器件。
一种单栅非易失性快闪存储单元的制造方法，包括步骤：
提供半导体结构，所述半导体结构包括衬底、位于衬底中的第一导电类型的掺杂阱，位于掺杂阱及其上的控制栅晶体管和浮栅晶体管，其中控制栅晶体管源极和浮栅晶体管的漏极共用，所述浮栅晶体管具有浮栅结构，所述控制栅晶体管和浮栅晶体管上具有层间介质层；
对所述半导体结构进行刻蚀，在所述浮栅结构上的层间介质层中形成第一开口；
在所述第一开口中填充牺牲介质；
在所述层间介质层上形成阻挡层，所述阻挡层覆盖部分所述牺牲介质；
刻蚀所述阻挡层，在所述阻挡层中形成暴露所述牺牲介质的第二开口；
在所述牺牲介质表面的所述阻挡层上形成导电层，所述导电层覆盖所述第二开口；
去除所述第一开口中的牺牲介质。
优选的，所述浮栅结构包括浮栅部和浮栅延伸部；
所述在浮栅结构上的层间介质层中形成第一开口为：在所述浮栅延伸部上的层间介质层中形成第一开口。
优选的，所述浮栅结构包括浮栅极和位于所述浮栅极上的绝缘层，对所述半导体结构进行刻蚀形成第一开口的步骤包括：
对所述层间介质层进行刻蚀，形成介质层开口；
对所述介质层开口内的所述绝缘层进行刻蚀，在介质层开口内的绝缘层中形成开口，即浮栅延伸部开口。
优选的，所述阻挡层位于第一开口的中央区域，所述第二开口位于第一开口的中央区域。
优选的，所述绝缘层的材料为氮化硅。
优选的，所述导电层的材料为金属。
与现有技术相比，本发明主要具有以下优点：
本发明通过在浮栅结构上方设置可动开关，所述可动开关对应位置的层间介质层中具有暴露浮栅结构的开口，所述可动开关包括：支撑部件和导电互连部件，所述支撑部件连接在所述导电互连部件的外围，且与所述层间介质层连接，所述导电互连部件通过所述支撑部件悬置在所述开口上方，当向所述导电互连部件施加电压，则所述导电互连部件和所述浮栅结构导电互连。从而在进行擦写操作时，只要给可动开关加电压，则所述导电互连部件和所述浮栅结构导电互连，从而就可以给浮栅结构中存储或者消除电荷，实现存储单元的存储和擦除。这样就不需要通过控制栅晶体管来给浮栅晶体管中的浮栅充放电，而是通过可动开关还给浮栅充放电，可动开关是由低压控制(3V～6V)，因此由于不需要高压，就不需要在控制电路中制作高压器件，所以简化了控制电路的结构；并且由于不需要高压实现擦写，因此增加了器件的可靠性；并且还避免了现有技术中利用热电子对浮栅进行写操作过程中电流产生的功耗；进一步的由于直接对浮栅进行擦写操作，从而大大缩短了写操作和擦除操作的时间，提高了工作效率。
附图说明
通过附图中所示的本发明的优选实施例的更具体说明，本发明的上述及其它目的、特征和优势将更加清晰。在全部附图中相同的附图标记指示相同的部分。并未刻意按实际尺寸等比例缩放绘制附图，重点在于示出本发明的主旨。
图1是一种现有的单栅存储单元的截面图；
图2是本发明一实施例的单栅非易失性快闪存储单元的结构图；
图3为图2沿A-A’方向的剖面图；
图4为图2沿B-B’方向的剖面图；
图5为图2沿C-C’方向的剖面图；
图6为本发明的单栅非易失性快闪存储单元制造方法的流程图；
图7至图11为单栅非易失性快闪存储单元制造方法的示意图。
具体实施方式
由背景技术可知，现有的单栅存储单元，擦写操作利用热电子或者电子隧穿的原理，需要较高电压才能实现，一般擦写的操作电压为7V～20V。因此在制造工艺中，必须包含高压器件，制造工艺复杂。本发明的存储单元的擦写，由可动开关对其进行充放电而实现，可动开关是有低压控制(3V～6V)，因此可以省去控制电路中的高压器件，从而简化了控制电路，降低制造成本。同时擦写过程中的热电子及电子隧穿的反复擦写容易造成晶体管的失效，在本发明中避免了高压擦除，因此提供了产品在使用过程中的可靠性。另外，现有的单栅存储单元进行擦写操作的时候需要开启器件沟道，并且沟道中流过大电流才能形成热电子，因此增加了功耗，而本发明避免了现有技术中利用热电子对浮栅进行写操作过程中电流产生的功耗。现有的擦除操作是利用栅极氧化层在高压偏置下电子隧穿的原理，因此速度较慢，本发明利用可动开关直接对浮栅进行擦写，因此提高了擦写速度。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实现方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广，因此本发明不受下面公开的具体实施的限制。
其次，本发明利用示意图进行详细描述，在详述本发明实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是实例，其在此不应限制本发明保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。
图2为本发明一实施例的单栅非易失性快闪存储单元的结构图。如图2所示，单栅非易失性快闪存储单元包括：半导体结构，所述半导体结构包括衬底100、位于衬底100中的第一导电类型的掺杂阱105，位于掺杂阱105内及其上的控制栅晶体管110和浮栅晶体管120，其中控制栅晶体管源极和浮栅晶体管的漏极共用，所述浮栅晶体管120具有浮栅结构，浮栅结构可以包括浮栅部120G和浮栅延伸部140。所述半导体结构上具有层间介质层(未图示)。所述存储单元还包括可动开关200。
具体的，所述衬底100可以是单晶硅、多晶硅或非晶硅；所述衬底100也可以是硅、锗、砷化镓或硅锗化合物；该衬底100还可以具有外延层或绝缘层上硅结构；所述衬底100还可以是其它半导体材料，这里不再一一列举。
所述第一导电类型可以为N型或者P型，下面以第一导电类型为N型，第二导电类型为P型为例进行说明。在所述衬底100中具有N阱105，所述N阱可以用本领域技术人员所习知的方法形成，例如，在半导体衬底100上先通过光刻工艺定义出形成N阱的区域，然后进行离子注入，形成N阱，注入的离子为N型离子，例如磷离子。
在N阱中及其上具有控制栅晶体管110和浮栅晶体管120，控制栅晶体管110和浮栅晶体管120均为PMOS晶体管，当然如果是在P阱中就为NMOS晶体管。控制栅晶体管110，用于对存储单元进行读写操作，浮栅晶体管120，用于进行数据存储。所述控制栅晶体管110和浮栅晶体管120上具有层间介质层130，在所述层间介质层上还可以具有其它的互连层，所述层间介质层用于不同互连层之间的绝缘。
所述层间介质层130的材料通常选自SiO2或者掺杂的SiO2，例如USG(Undoped silicon glass，没有掺杂的硅玻璃)、BPSG(Borophosphosilicate glass，掺杂硼磷的硅玻璃)、BSG(borosilicate glass，掺杂硼的硅玻璃)、PSG(Phosphosilitcate Glass，掺杂磷的硅玻璃)等。
上述半导体结构可以为本领域技术人员熟知的单栅存储单元中的控制栅晶体管和浮栅晶体管结构，因此不再赘述。
图3为图2沿A-A’方向的剖面图，在本实施例中，参考图3，所述浮栅结构包括：浮栅部120G和浮栅延伸部140。浮栅结构还包括浮栅极1202和位于浮栅极1202上的绝缘层1203，换言之，在浮栅延伸部140中包括浮栅极1202，例如浮栅极为多晶硅层，浮栅延伸部140还包括位于浮栅极1202上的绝缘层1203，例如绝缘层1203为氮化硅或者但氧化硅材料。所述绝缘层的作用是对半导体结构上不需要形成金属接触的位置进行保护，使得仅在半导体结构上需要的位置形成金属接触。绝缘层1203上覆盖有层间介质层130。
图4为图2沿B-B’方向的剖面图，参考图4，所述存储单元还包括可动开关200，可动开关200设置于所述浮栅结构上方，在本实施例中，所述可动开关200设置于浮栅延伸部140上方，所述可动开关200对应位置的浮栅延伸部140中具有暴露浮栅极1202的开口1204，所述可动开关200包括：支撑部件210和导电互连部件220，所述支撑部件210连接在所述导电互连部件220的外围，且与所述层间介质层130连接，所述导电互连部件220通过所述支撑部件210悬置在所述开口1204上方，当向所述导电互连部件220施加电压，则所述导电互连部件220在静电作用下可以进入所述开口1204和所述浮栅极1202导电互连。为了使得所述导电互连部件220在较低的电压下(例如3V～6V)就能进入所述开口1204和所述浮栅极1202导电互连，所述层间介质层130的厚度优选的为0.2μm～1μm。
在其它实施例中，所述浮栅结构可以仅包括浮栅部120G，不包括浮栅延伸部140，所述可动开关可以设置于所述浮栅部120G上，设置方法与本实施例中类似。
图5为图2沿C-C’方向的剖面图。在一具体实现中，所述支撑部件210为绝缘材料，所述导电互连部件220为金属材料。如图5所示，所述支撑部件210为分布在导电互连部件220对称的两侧的引脚，也可以为分布在导电互连部件220四周的绝缘材料层，例如氮化硅层。所述支撑部件210和所述导电互连部件220连接的一端位于导电互连部件220下方，与层间介质层130连接的一端位于层间介质层130上方，这样可以起到将所述导电互连部件220支撑在所述开口上方，使其悬置的作用。当向所述导电互连部件220施加电压，则所述导电互连部件220在静电作用下，所述导电互连部件220和所述浮栅极1202导电互相吸引，因此所述支撑部件210弯曲，所述导电互连部件220进入所述开口1204和所述浮栅极1202导电互连。在所述导电互连部件220和所述浮栅极1202导电互连时，所述支撑部件210起到刚性支撑作用，同时增加机械疲劳度，支撑部件可以为除氮化硅之外还可以为其他材料，例如SiO2、SiON、Poly或者Silicon等材料。
为了使得所述导电互连部件220和所述浮栅极1202导电互连时，所述支撑部件210弯曲并不断裂，需要将所述支撑部件120的形状、厚度、宽度以及导电互连部件220的厚度结合起来。优选的，所述支撑部件210的形状可以为一条或者多条横跨所述导电互连部件220两侧的条带状结构，所述支撑部件210从所述导电互连部件220两侧伸出的部分和层间介质层连接。所述支撑部件210从所述导电互连部件220两侧伸出的部分可以为直线型引脚，也可以为折线形引脚，也可以为布满导电互连部件220侧边的块状引脚等等。对于上述结构使得所述支撑部件210弯曲并不断裂，所需的支撑部件120的厚度为500埃～3000埃(具体的取值还和支撑部件的宽度有关，但是该厚度保证了任何宽度都不会断裂)、导电互连部件220的厚度为500埃～5000埃(具体的取值还和支撑部件的宽度有关，但是该厚度保证了任何宽度都不会断裂)。
在一优选实施方式中，所述开口包括所述层间介质层中的介质层开口及对应介质层开口中央区域的绝缘层中的开口，即浮栅延伸部开口，且介质层开口和所述浮栅延伸部贯通，构成所述开口。
在一优选实施方式中，所述导电互连部件对应于所述浮栅延伸部开口的位置向浮栅结构一侧凸出。并且所述导电互连部件对应于所述开口的中央区域，换言之，所述导电互连部件的尺寸小于所述开口尺寸，从而所述导电互连部件220可以与开口1204的侧壁不接触的情况下进入所述开口1204，使得导电互连部件的向浮栅结构一侧凸出的位置和所述浮栅延伸部140开口内的浮栅极1202接触。例如还可以所述浮栅延伸部开口位于所述介质层开口中央区域，且所述导电互连部件凸出位置和所述浮栅延伸部开口位置对应。
为了保证所述导电互连部件220进入所述开口1204和所述浮栅极1202导电互连时，所述导电互连部件220和所述浮栅极1202之间可以形成良好的电性接触，优选的，所述导电互连部件220凸出位置相对浮栅结构的表面正方形，且所述正方形的面积为0.01μm2～25μm2。
所述开口1204的尺寸可以根据所述导电互连部件的尺寸来设置，保证所述开口侧边和所述导电互连部件之间的距离大于0。例如所述开口的长和宽分别为所述导电互连部件的长和宽的1.5倍至3倍。
另外在其它实施例中，所述浮栅结构还可以仅包括浮栅极，不包括绝缘层，这样所述开口仅包括介质层开口。
所述导电互连部件悬置在所述开口1204上方，从而在写操作的时候对导电互连部件220施加5V的正电压，则在静电作用下导电互连部件220与开口内的浮栅导电层1202互相吸引接触，从而导电互连，这样浮栅内就被存储正电荷。在擦除的时候，对导电互连部件220施加-5V的正电压，则在静电作用下导电互连部件220与开口内的浮栅导电层1202互相吸引接触，从而导电互连，这样浮栅内的正电荷就被擦除。
本发明通过设置可动开关，实现了直接对浮栅进行写操作和擦出操作，现有技术中擦除操作，一般利用热电子或者电子隧穿的原理，需要较高电压才能实现，一般擦写的操作电压为7V～20V。因此在制造工艺中，必须包含高压器件，制造工艺复杂。本发明的存储单元的擦写，由可动开关对其进行充放电而实现，可动开关是由低压控制(3V～6V)，因此可以省去控制电路中的高压器件，从而简化了控制电路，降低制造成本。同时现有技术中擦写过程中的热电子及电子隧穿的反复擦写容易造成晶体管的失效，在本发明中避免了高压擦除，因此提供了产品在使用过程中的可靠性。并且避免了现有技术中利用热电子对浮栅进行写操作过程中电流产生的功耗。另外本发明由于直接对浮栅进行擦写操作，从而大大缩短了写操作和擦除操作的时间，提高了工作效率。
图6为本发明的单栅非易失性快闪存储单元制造方法的流程图，下面参考图6对本发明的单栅非易失性快闪存储单元制造方法及上述实施例中的单栅非易失性快闪存储单元结构进行进一步说明。
本实施例中单栅非易失性快闪存储单元包括：
步骤S10，提供半导体结构。
具体的参考，图7，所述半导体结构包括衬底100、位于衬底100中的N型的掺杂阱105，位于掺杂阱105及其上的控制栅晶体管(未图示)和浮栅晶体管(未图示)，其中控制栅晶体管源极和浮栅晶体管的漏极共用，所述浮栅晶体管具有浮栅结构，所述控制栅晶体管和浮栅晶体管上具有层间介质层130。
步骤S20，对所述半导体结构进行刻蚀，在所述浮栅结构上的层间介质层130中形成第一开口。
具体的，参考图8，可以利用本领域技术人员熟知的光刻和刻蚀的方法形成第一开口1206。例如在一具体实现中，可以在半导体结构上利用旋涂(spinon)工艺涂布光刻胶，接着通过曝光将掩膜版上的与第一开口相对应的图形转移到光刻胶上，然后利用显影液将相应部位的光刻胶去除，以形成光刻胶图形。
接着，所述刻蚀层间介质层可以是任何常规刻蚀技术，比如化学刻蚀技术或者等离子体刻蚀技术，在本实施例中，采用等离子体刻蚀技术，采用CF4、CHF3、CH2F2、CH3F、C4F8或者C5F8中的一种或者几种作为反应气体刻蚀层间介质层130直至形成暴露浮栅结构的第一开口。
一般的，所述浮栅结构还可以包括浮栅部(未图示)和浮栅延伸部140。所述浮栅结构可以包括浮栅极1202和位于浮栅极上的绝缘层1203，换言之，在浮栅延伸部140中包括浮栅极1202，例如浮栅极为多晶硅层，浮栅延伸部140还包括位于浮栅极1202上的绝缘层1203，例如绝缘层1203为氮化硅或者但氧化硅材料。所述绝缘层的作用是对半导体结构上不需要形成金属接触的位置进行保护，使得仅在半导体结构上需要的位置形成金属接触。
所述对半导体结构进行刻蚀，在所述浮栅结构上的层间介质层中形成第一开口具体可以包括步骤：
对所述层间介质层进行刻蚀，形成介质层开口。
接着，对介质层开口内的浮栅延伸部140上形成暴露部分浮栅延伸部140的光掩膜图形，然后对所述介质层开口内暴露的所述绝缘层进行刻蚀，形成浮栅延伸部开口。所述介质层开口和所述浮栅延伸部开口构成第一开口1206，所述第一开口1206就暴露浮栅延伸部140中的浮栅极1202。
在一优选实施方式中，所述浮栅延伸部开口位于介质层开口的中央区域。
步骤S30，在所述第一开口中填充牺牲介质。
具体的，参考图9，所述填充牺牲介质1208的工艺可以利用：化学气相沉积或者旋涂工艺，例如涂覆光刻胶层。填充第一开口直到和层间介质层130齐平。
步骤S40，在所述层间介质层130上形成阻挡层，所述阻挡层覆盖部分所述牺牲介质1208。
具体的，参考图10，在层间介质层130上可以利用化学气相沉积方法形成阻挡层1209，所述阻挡层1209的材料可以具体为氮化硅。
在一具体实现中，所述阻挡层可以覆盖第一开口的中央区域的牺牲介质1208。从而使得阻挡层1209暴露第一开口边缘区域的所述牺牲介质1208。
步骤S50，刻蚀所述阻挡层，在所述阻挡层中形成暴露部分所述牺牲介质的第二开口。
具体的，参考图10，在所述阻挡层表面形成光掩膜图形，在光掩膜图形掩蔽下进行刻蚀，形成第二开口1210，第二开口1210暴露所述牺牲介质。所述刻蚀方法可以利用本领域技术人员熟知的方法，例如等离子体刻蚀。
优选的，所述第二开口对应于所述浮栅延伸结构开口的位置。
步骤S60，在所述牺牲介质表面的阻挡层上形成导电层，所述导电层覆盖所述第二开口。
具体的，参考图11，所述形成具体工艺条件包括：物理气相沉积靶材材料为金属，例如铝，反应温度为250摄氏度至500摄氏度，腔室压力为10毫托至18毫托，直流功率为10000瓦至40000瓦，氩气流量为每分钟2标准立方厘米至每分钟20标准立方厘米，填充所述第二开口1210，直至形成覆盖所述第二开口1210的金属层。
例如可以进行刻蚀，去除所述阻挡层1209上多余的导电层，仅保留第二开口1210边缘处(即所述牺牲介质对应的所述阻挡层上)及第二开口1210内的阻挡层1209上的导电层。在形成导电层1212的时候，由于导电层1212首先要填充第二开口1210，因此在第二开口1210的位置导电层1212会向浮栅延伸部140方向凸出，也就是对应于所述浮栅延伸部140开口的位置的导电层会凸出。从而使得在形成存储单元后，在静电的作用下，导电层会和所述浮栅延伸部开口内的浮栅极1202接触，导电互连。
步骤S70，去除所述第一开口中的牺牲介质。
具体的，继续参考图11，可以利用清洗或者灰化的方法去除牺牲介质。所述牺牲介质处上述实施例中的材料之外还可以为其它的容易通过清洗和灰化的方法去除的材料。从而形成了如图4所示的结构。
优选的，所述阻挡层位于第一开口的中央区域，所述第二开口位于第一开口的中央区域。所述浮栅延伸部开口位于所述介质层开口的中央区域，且所述导电层的向浮栅延伸部方向凸出位置和所述浮栅延伸部开口位置对应。
另外在上述实施例中还可以第一掺杂类型为P型，第二掺杂类型为N型。
另外，在其它实施例中也可以不设置浮栅延伸部。所述可动开关直接在浮栅部上形成。
除此之外，本发明还提供了一种包括阵列排列的上述单栅非易失性快闪存储单元的单栅非易失性快闪存储器件。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制。任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。
Claims (16)
1.一种单栅非易失性快闪存储单元，包括：半导体结构，所述半导体结构包括衬底、位于衬底中的第一导电类型的掺杂阱，位于掺杂阱内及其上的控制栅晶体管和浮栅晶体管，其中控制栅晶体管源极和浮栅晶体管的漏极共用，所述浮栅晶体管具有浮栅结构，所述半导体结构上具有层间介质层；
其特征在于，还包括：
可动开关，设置于所述浮栅结构上方，所述可动开关对应位置的层间介质层中具有暴露浮栅结构的开口；
所述可动开关包括：支撑部件和导电互连部件，所述支撑部件位于所述导电互连部件的外围，且与所述层间介质层连接，并将所述导电互连部件悬置在所述开口上方，当向所述导电互连部件施加电压时，则所述导电互连部件与所述浮栅结构电连接。
2.根据权利要求1所述的单栅非易失性快闪存储单元，其特征在于，所述浮栅结构包括浮栅部和浮栅延伸部；
可动开关，设置于所述浮栅延伸部上方，所述可动开关对应位置的层间介质层中具有暴露浮栅延伸部的开口，所述可动开关包括：支撑部件和导电互连部件，所述支撑部件连接在所述导电互连部件的外围，且与所述层间介质层连接，所述导电互连部件通过所述支撑部件悬置在所述开口上方，当向所述导电互连部件施加电压，则所述导电互连部件进入所述开口和所述浮栅延伸部导电互连。
3.根据权利要求2所述的单栅非易失性快闪存储单元，其特征在于，所述掺杂阱为N型，控制栅晶体管和浮栅晶体管均为PMOS晶体管。
4.根据权利要求2所述的单栅非易失性快闪存储单元，其特征在于，所述掺杂阱为P型，控制栅晶体管和浮栅晶体管均为NMOS晶体管。
5.根据权利要求2所述的单栅非易失性快闪存储单元，其特征在于，所述支撑部件为绝缘材料，所述支撑部件为分布在导电互连部件对称的两侧的引脚，且所述支撑部件和所述导电互连部件连接的一端位于导电互连部件下方，与层间介质层连接的一端位于层间介质层上方。
6.根据权利要求5所述的单栅非易失性快闪存储单元，其特征在于，所述浮栅结构还包括浮栅极和位于所述浮栅极上的绝缘层，所述开口包括：所述层间介质层中的介质层开口，及对应于介质层开口中央区域的浮栅延伸部的绝缘层中的开口，即浮栅延伸部开口；
所述浮栅延伸部开口位于所述介质层开口的中央区域。
7.根据权利要求6所述的单栅非易失性快闪存储单元，其特征在于，所述导电互连部件对应于所述浮栅延伸部开口的位置向浮栅延伸部一侧凸出，且所述凸出位置和所述浮栅延伸部开口位置对应。
8.根据权利要求2所述的单栅非易失性快闪存储单元，其特征在于，所述导电互连部件对应于所述开口的中央区域。
9.根据权利要求2所述的单栅非易失性快闪存储单元，其特征在于，所述导电互连部件为金属材料。
10.一种包括阵列排列的权利要求1所述的单栅非易失性快闪存储单元的单栅非易失性快闪存储器件。
11.一种单栅非易失性快闪存储单元的制造方法，其特征在于，包括步骤：
提供半导体结构，所述半导体结构包括衬底、位于衬底中的第一导电类型的掺杂阱，位于掺杂阱及其上的控制栅晶体管和浮栅晶体管，其中控制栅晶体管源极和浮栅晶体管的漏极共用，所述浮栅晶体管具有浮栅结构，所述控制栅晶体管和浮栅晶体管上具有层间介质层；
对所述半导体结构进行刻蚀，在所述浮栅结构上的层间介质层中形成第一开口；
在所述第一开口中填充牺牲介质；
在所述层间介质层上形成阻挡层，所述阻挡层覆盖部分所述牺牲介质；
刻蚀所述阻挡层，在所述阻挡层中形成暴露所述牺牲介质的第二开口；
在所述牺牲介质表面的阻挡层上形成导电层，所述导电层覆盖所述第二开口；
去除所述第一开口中的牺牲介质。
12.根据权利要求11所述的单栅非易失性快闪存储单元的制造方法，其特征在于，所述浮栅结构包括浮栅部和浮栅延伸部；
所述在浮栅结构上的层间介质层中形成第一开口为：在所述浮栅延伸部上的层间介质层中形成第一开口。
13.根据权利要求12所述的单栅非易失性快闪存储单元的制造方法，其特征在于，所述浮栅结构还包括浮栅极和位于所述浮栅极上的绝缘层，对所述半导体结构进行刻蚀形成第一开口的步骤包括：
对所述层间介质层进行刻蚀，形成介质层开口；
对所述介质层开口内的所述绝缘层进行刻蚀，在介质层开口内的绝缘层中形成开口，即浮栅延伸部开口。
14.根据权利要求12所述的单栅非易失性快闪存储单元的制造方法，其特征在于，所述阻挡层位于第一开口的中央区域，所述第二开口位于第一开口的中央区域。
15.根据权利要求13所述的单栅非易失性快闪存储单元的制造方法，其特征在于，所述绝缘层的材料为氮化硅。
16.根据权利要求12所述的单栅非易失性快闪存储单元的制造方法，其特征在于，所述导电层的材料为金属。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2010101357060A CN102201412B (zh) | 2010-03-25 | 2010-03-25 | 单栅非易失性快闪存储单元、存储器件及其制造方法 |
| US13/637,019 US20130069136A1 (en) | 2010-03-25 | 2011-01-26 | Single-gate non-volatile flash memory cell, memory device and manufacturing method thereof |
| PCT/CN2011/070640 WO2011116644A1 (zh) | 2010-03-25 | 2011-01-26 | 单栅非易失性快闪存储单元、存储器件及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2010101357060A CN102201412B (zh) | 2010-03-25 | 2010-03-25 | 单栅非易失性快闪存储单元、存储器件及其制造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102201412A CN102201412A (zh) | 2011-09-28 |
| CN102201412B true CN102201412B (zh) | 2013-04-03 |
Family
ID=44661969
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2010101357060A Active CN102201412B (zh) | 2010-03-25 | 2010-03-25 | 单栅非易失性快闪存储单元、存储器件及其制造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20130069136A1 (zh) |
| CN (1) | CN102201412B (zh) |
| WO (1) | WO2011116644A1 (zh) |
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| US9728637B2 (en) | 2013-11-14 | 2017-08-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Mechanism for forming semiconductor device with gate |
| US9281215B2 (en) | 2013-11-14 | 2016-03-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Mechanism for forming gate |
| CN106981493B (zh) * | 2017-03-27 | 2018-10-23 | 芯成半导体（上海）有限公司 | 闪存单元的制备方法 |
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- 2010-03-25 CN CN2010101357060A patent/CN102201412B/zh active Active
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2011
- 2011-01-26 US US13/637,019 patent/US20130069136A1/en not_active Abandoned
- 2011-01-26 WO PCT/CN2011/070640 patent/WO2011116644A1/zh active Application Filing
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20130069136A1 (en) | 2013-03-21 |
| WO2011116644A1 (zh) | 2011-09-29 |
| CN102201412A (zh) | 2011-09-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: SHANGHAI LEXVU OPTO MIRCOELECTRICS TECHNOLOGY CO., Free format text: FORMER OWNER: JIANGSU LIHENG ELECTRONIC CO., LTD. Effective date: 20130123 |
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| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| COR | Change of bibliographic data |
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|
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|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
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|
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| TR01 | Transfer of patent right |
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