CN102197337A - 有源矩阵基板、有源矩阵基板的制造方法、液晶面板、液晶面板的制造方法、液晶显示装置、液晶显示单元、电视接收机 - Google Patents

有源矩阵基板、有源矩阵基板的制造方法、液晶面板、液晶面板的制造方法、液晶显示装置、液晶显示单元、电视接收机 Download PDF

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Abstract

一种液晶面板，在1个像素(101)中设有第1和第2像素电极(17a、17b)，上述液晶面板具备：第1上层电容电极(37a)，其连接到第1像素电极(17a)；第2上层电容电极(37b)，其连接到第2像素电极(17b)；以及第1下层电容电极(47a)和第2下层电容电极(47b)，其与扫描信号线(16x)形成于同一层，第1下层电容电极(47a)连接到第1像素电极(17a)，第2下层电容电极(47b)连接到第2像素电极(17b)，第1像素电极(17a)经过晶体管(12a)连接到数据信号线(15x)，在第1上层电容电极(37a)与第2下层电容电极(47b)之间形成有电容，在第2上层电容电极(37b)与第1下层电容电极(47a)之间形成有电容。

Description

有源矩阵基板、有源矩阵基板的制造方法、液晶面板、液晶面板的制造方法、液晶显示装置、液晶显示单元、电视接收机
技术领域
本发明涉及在1像素区域中设有多个像素电极的有源矩阵基板和使用该有源矩阵基板的液晶显示装置(像素分割方式)。
背景技术
为了提高液晶显示装置的γ特性的视场角依赖性(例如抑制画面的泛白等)，提出了如下液晶显示装置(像素分割方式，例如参照专利文献1)：将设于1个像素的多个子像素控制为不同的亮度，利用这些子像素的面积灰度级来显示中间灰度级。
在专利文献1记载的有源矩阵基板中，如图48所示，3个像素电极121a～121c在1个像素区域中沿着数据信号线115排列，晶体管116的源极电极116s连结到接触电极117a，接触电极117a和控制电极118经过引出配线119连接，控制电极118和接触电极117b经过引出配线126连接，接触电极117a和像素电极121a经过接触孔120a连接，接触电极117b和像素电极121c经过接触孔120b连接，电漂浮的像素电极121b隔着绝缘层与控制电极118重叠，像素电极121b与像素电极121a、121c分别电容耦合(电容耦合型的像素分割方式)。另外，在控制电极118与电容配线113的重叠部分形成有保持电容。在采用该有源矩阵基板的液晶显示装置中，能使与像素电极121a、121c对应的子像素分别为亮子像素，使与像素电极121b对应的子像素为暗子像素，能利用这些亮子像素(2个)、暗子像素(1个)的面积灰度级先显示中间灰度级。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本公开专利公报“特开2006-39290号公报(2006年2月9日日公开)”
发明内容
发明要解决的问题
然而，在图48的有源矩阵基板中，例如，在控制电极118与像素电极121b发生短路的情况下，虽然能切断引出配线119来避免从数据信号线对像素电极121b写入信号电位，然而像素电极121b就失去了与像素电极121a的电容耦合。这样，在以往的有源矩阵基板中，与像素电极121b对应的子像素(暗子像素)容易成为缺陷，有可能降低成品率。
鉴于上述课题，在本发明中，提出了在电容耦合型的像素分割方式的有源矩阵基板中提高其成品率的结构。
用于解决问题的方案
本有源矩阵基板的特征在于，具备扫描信号线、数据信号线以及连接到扫描信号线和数据信号线的晶体管，在1个像素区域中设有第1像素电极和第2像素电极，上述有源矩阵基板具备：第1导电体，其电连接到上述第1像素电极；第2导电体，其电连接到上述第2像素电极；以及第1电容电极和第2电容电极，上述第1电容电极和上述第2电容电极与上述扫描信号线形成于同一层，并且上述第1电容电极电连接到上述第1像素电极，上述第2电容电极电连接到上述第2像素电极，上述第1像素电极经过上述晶体管连接到上述数据信号线，在上述第1导电体与上述第2电容电极之间形成有电容，在上述第2导电体与上述第1电容电极之间形成有电容。
上述结构是在电容耦合型的像素分割方式的有源矩阵基板中，将设于1像素区域的第1像素电极和第2像素电极经过并联的2个电容(耦合电容)连接的结构。这样，在制造工序等中，即使在一方电容产生问题，也能利用另一方电容维持第1像素电极和第2像素电极的电容耦合。例如，在第1导电体和第2像素电极发生短路的情况下，能将第1导电体在与第1像素电极的连接位置和短路位置之间切断来维持第1像素电极和第2像素电极的电容耦合。由此，能提高本有源矩阵基板和具备本有源矩阵基板的液晶面板的制造成品率。
在本有源矩阵基板中，也能构成为还在上述第1导电体与上述第2像素电极之间形成有电容，或者在上述第2导电体与上述第1像素电极之间形成有电容。
在本有源矩阵基板中，也能构成为在上述第1电容电极与上述第1像素电极之间的层中形成有上述第2导电体，上述第1电容电极与上述第2导电体隔着第1绝缘膜重叠，由此在上述第1电容电极和上述第2导电体间形成有电容，上述第2导电体与上述第1像素电极隔着第2绝缘膜重叠，由此在上述第2导电体和上述第1像素电极间形成有电容。
在本有源矩阵基板中，也能构成为在上述第2电容电极与上述第2像素电极之间的层中形成有上述第1导电体，上述第2电容电极与上述第1导电体隔着第1绝缘膜重叠，由此在上述第2电容电极和上述第1导电体间形成有电容，上述第1导电体与上述第2像素电极隔着第2绝缘膜重叠，由此在上述第1导电体和上述第2像素电极间形成有电容。
在本有源矩阵基板中，也能构成为还在上述第1导电体与上述第2像素电极之间形成有电容，在上述第2导电体与上述第1像素电极之间形成有电容。
在本有源矩阵基板中，也能构成为在上述第1电容电极与上述第1像素电极之间的层中形成有上述第2导电体，上述第1电容电极与上述第2导电体隔着第1绝缘膜重叠，由此在上述第1电容电极和上述第2导电体间形成有电容，上述第2导电体与上述第1像素电极隔着第2绝缘膜重叠，由此在上述第2导电体和上述第1像素电极间形成有电容，在上述第2电容电极与上述第2像素电极之间的层中形成有上述第1导电体，上述第2电容电极与上述第1导电体隔着上述第1绝缘膜重叠，由此在上述第2电容电极和上述第1导电体间形成有电容，上述第1导电体与上述第2像素电极隔着上述第2绝缘膜重叠，由此在上述第1导电体和上述第2像素电极间形成有电容。
在本有源矩阵基板中，也能构成为上述第1导电体与上述第2电容电极重叠的第1重叠部和上述第2导电体与上述第1电容电极重叠的第2重叠部跨越上述第1像素电极和上述第2像素电极的间隙。
在本有源矩阵基板中，也能构成为还具备形成在上述像素区域内的第3像素电极，上述第3像素电极与上述第1像素电极电连接。
在本有源矩阵基板中，也能构成为具备：第3导电体，其电连接到上述第2像素电极；以及第3电容电极，其与上述扫描信号线形成于同一层，并且电连接到上述第3像素电极，在上述第3导电体与上述第3电容电极之间形成有电容。
在本有源矩阵基板中，也能构成为还在上述第3导电体与上述第3像素电极之间形成有电容。
在本有源矩阵基板中，也能构成为上述第1导电体和上述第2导电体与上述晶体管的一方导通电极形成于同一层。
在本有源矩阵基板中，也能构成为上述第1绝缘膜是栅极绝缘膜。
在本有源矩阵基板中，也能构成为上述第2绝缘膜是覆盖上述晶体管的沟道的层间绝缘膜。
在本有源矩阵基板中，也能构成为上述晶体管的一方导通电极经过接触孔连接到上述第1像素电极，并且该导通电极经过从该导通电极引出的引出配线连接到上述第1导电体。
在本有源矩阵基板中，也能构成为上述晶体管的一方导通电极与上述第1像素电极经过接触孔连接，并且上述第1像素电极与上述第1导电体经过接触孔连接。
在本有源矩阵基板中，也能构成为一方像素电极包围着另一方像素电极。
在本有源矩阵基板中，也能构成为以上述扫描信号线的延伸方向为行方向，上述第1像素电极和上述第2像素电极在列方向上排列。
在本有源矩阵基板中，也能构成为在行方向上相邻的2个像素区域中，其一方的第1像素电极与另一方的第2像素电极在行方向上邻接。
在本有源矩阵基板中，也能构成为在列方向上相邻的2个像素区域中，其一方的第1像素电极与另一方的第2像素电极在列方向上邻接。
在本有源矩阵基板中，也能构成为具备保持电容配线，上述保持电容配线与上述第1像素电极或者电连接到上述第1像素电极的导电体形成电容，并且与上述第2像素电极或者电连接到上述第2像素电极的导电体形成电容。
在本有源矩阵基板中，也能构成为上述保持电容配线具备从该保持电容配线分支的保持电容配线延伸部，上述保持电容配线延伸部在俯视时包围上述像素区域地沿着上述数据信号线和上述扫描信号线延伸，并且与上述第1像素电极和上述第2像素电极重叠。
在本有源矩阵基板中，也能构成为上述第1像素电极和上述第2像素电极的间隙发挥取向限制构造物的功能。
在本有源矩阵基板中，也能构成为上述第1导电体的面积比上述第2电容电极的面积大，并且上述第2导电体的面积比上述第1电容电极的面积大，或者，上述第1导电体的面积比上述第2电容电极的面积小，并且上述第2导电体的面积比上述第1电容电极的面积小。
本有源矩阵基板的特征在于，具备扫描信号线、数据信号线以及连接到扫描信号线和数据信号线的晶体管，在1个像素区域中设有第1像素电极和第2像素电极，上述有源矩阵基板具备：第1导电体，其电连接到上述第1像素电极；第2导电体，其电连接到上述第2像素电极；以及第2电容电极，其与上述扫描信号线形成于同一层，并且电连接到上述第2像素电极，上述第1像素电极经过上述晶体管连接到数据信号线，在上述第1导电体与上述第2电容电极之间形成有电容，在上述第2导电体与上述第1像素电极之间形成有电容。
本有源矩阵基板的特征在于，具备扫描信号线、数据信号线以及连接到扫描信号线和数据信号线的晶体管，在1个像素区域中设有第1像素电极和第2像素电极，上述有源矩阵基板具备：第1导电体，其电连接到上述第1像素电极；第2导电体，其电连接到上述第2像素电极；以及第1电容电极，其与上述扫描信号线形成于同一层，并且电连接到上述第1像素电极，上述第1像素电极经过上述晶体管连接到数据信号线，在上述第1导电体与上述第2像素电极之间形成有电容，在上述第2导电体与上述第1电容电极之间形成有电容。
在本有源矩阵基板中，也能构成为还在上述第1导电体与上述第2像素电极之间形成有电容。
在本有源矩阵基板中，也能构成为还在上述第2导电体与上述第1像素电极之间形成有电容。
本有源矩阵基板的制造方法的特征在于，上述有源矩阵基板具备扫描信号线、数据信号线以及连接到扫描信号线和数据信号线的晶体管，在1个像素区域中设有第1像素电极和第2像素电极，上述有源矩阵基板的制造方法包含如下工序：形成第1电容电极和第2电容电极，上述第1电容电极电连接到上述第1像素电极，上述第2电容电极电连接到上述第2像素电极；形成第1导电体和第2导电体，上述第1导电体电连接到上述第1像素电极和上述晶体管的一方导通电极，并且与上述第2电容电极形成电容，上述第2导电体电连接到上述第2像素电极，并且与上述第1电容电极形成电容；检测上述第1导电体与上述第2像素电极的短路和上述第2导电体与上述第1像素电极的短路中的至少一方；以及在检测出上述第1导电体与上述第2像素电极的短路的情况下，将上述第1导电体在与上述第1像素电极的连接位置和短路位置之间切断，在检测出上述第2导电体与上述第1像素电极的短路的情况下，将上述第2导电体在与上述第2像素电极的连接位置和短路位置之间切断。
本液晶面板的制造方法的特征在于，上述液晶面板具备扫描信号线、数据信号线以及连接到扫描信号线和数据信号线的晶体管，在1个像素中设有第1像素电极和第2像素电极，上述液晶面板的制造方法包括如下工序：形成第1电容电极和第2电容电极，上述第1电容电极电连接到上述第1像素电极，上述第2电容电极电连接到上述第2像素电极；形成第1导电体和第2导电体，上述第1导电体电连接到上述第1像素电极和上述晶体管的一方导通电极，并且与上述第2电容电极形成电容，上述第2导电体电连接到上述第2像素电极，并且与上述第1电容电极形成电容；检测上述第1导电体与上述第2像素电极的短路和上述第2导电体与上述第1像素电极的短路中的至少一方；以及在检测出上述第1导电体与上述第2像素电极的短路的情况下，将上述第1导电体在与上述第1像素电极的连接位置和短路位置之间切断，在检测出上述第2导电体与上述第1像素电极的短路的情况下，将上述第2导电体在与上述第2像素电极的连接位置和短路位置之间切断。
本液晶面板的特征在于：具备上述有源矩阵基板。另外，本液晶显示单元的特征在于：具备上述液晶面板和驱动器。另外，本液晶显示装置的特征在于：具备上述液晶显示单元和光源装置。另外，本电视接收机的特征在于：具备上述液晶显示装置和接收电视播放的调谐部。
发明效果
如以上那样，本发明是在电容耦合型的像素分割方式的有源矩阵基板中，将设于1个像素区域的第1像素电极和第2像素电极经过并联的2个电容(耦合电容)连接的结构。这样，在制造工序等中，即使在一方电容中发生问题，也能利用另一方电容来维持第1像素电极和第2像素电极的电容耦合，因此能提高本有源矩阵基板的制造成品率。
附图说明
图1是表示本实施方式1的液晶面板的结构的电路图。
图2是表示图1的液晶面板的一个具体例的平面图。
图3是图2的X1-Y1向视截面图。
图4是图2的X2-Y2向视截面图。
图5是表示具备图1的液晶面板的液晶显示装置的驱动方法的时序图。
图6是表示采用图5的驱动方法的情况下的每帧的显示状态的示意图。
图7是表示图2的液晶面板的修正方法的平面图。
图8是图2的变形结构的X-Y向视截面图。
图9是表示图1示出的液晶面板的其它具体例的平面图。
图10是表示图9的液晶面板的修正方法的平面图。
图11是表示本实施方式1的液晶面板的其它结构的电路图。
图12是表示图11示出的液晶面板的具体例的平面图。
图13是表示本实施方式1的液晶面板的其它结构的电路图。
图14是表示在具备图13的液晶面板的液晶显示装置中采用图5的驱动方法的情况下的每帧的显示状态的示意图。
图15是表示图13示出的液晶面板的具体例的平面图。
图16是表示图1示出的液晶面板的其它具体例的平面图。
图17是图16的X1-Y1向视截面图。
图18是图16的X2-Y2向视截面图。
图19是表示图16示出的液晶面板的其它具体例的平面图。
图20是表示本实施方式2的液晶面板的结构的电路图。
图21是表示图20示出的液晶面板的具体例的平面图。
图22是图21的X1-Y1向视截面图。
图23是图21的X2-Y2向视截面图。
图24是表示本实施方式2的液晶面板的其它结构的电路图。
图25是表示图24示出的液晶面板的具体例的平面图。
图26是图25的X1-Y1向视截面图。
图27是图25的X2-Y2向视截面图。
图28是表示图24示出的液晶面板的其它具体例的平面图。
图29是表示图24示出的液晶面板的其它具体例的平面图。
图30是表示本实施方式3的液晶面板的结构的电路图。
图31是表示图30示出的液晶面板的具体例的平面图。
图32是图31的X1-Y1向视截面图。
图33是图31的X2-Y2向视截面图。
图34是表示本实施方式4的液晶面板的结构的电路图。
图35是表示图34示出的液晶面板的具体例的平面图。
图36是表示图34示出的液晶面板的具体例的平面图。
图37是表示本实施方式4的液晶面板的其它结构的电路图。
图38是表示图37示出的液晶面板的具体例的平面图。
图39是表示本实施方式5的液晶面板的结构的电路图。
图40是表示图39示出的液晶面板的具体例的平面图。
图41是表示图2示出的液晶面板的变形例的平面图。
图42的(a)是表示本液晶显示单元的结构的示意图，(b)是表示本液晶显示装置的结构的示意图。
图43是说明本液晶显示装置的整体结构的框图。
图44是说明本液晶显示装置的功能的框图。
图45是说明本电视接收机的功能的框图。
图46是表示本电视接收机的结构的分解立体图。
图47是表示在图35示出的液晶面板中产生了对准偏差的状态的平面图。
图48是表示以往的液晶面板的结构的平面图。
具体实施方式
使用附图如下说明本发明的实施方式的例子。此外，为了便于说明，以下设扫描信号线的延伸方向为行方向。其中，在具备本液晶面板(或者用于该液晶面板的有源矩阵基板)的液晶显示装置的利用(视听)状态中，该扫描信号线当然既可以横方向上延伸也可以在纵方向上延伸。另外，适当省略记载形成于液晶面板的取向限制用构造物。
〔实施方式1〕
图1是实施方式1的液晶面板的一部分的等效电路图。如图1所示，本液晶面板具备：在列方向(图中上下方向)上延伸的数据信号线(15x、15y)、在行方向(图中左右方向)上延伸的扫描信号线(16x、16y)、在行和列方向上排列的像素(101～104)、保持电容配线(18p、18q)以及和共用电极(相对电极)com，各像素的构造相同。此外，包括像素101、102的像素列与包括像素103、104的像素列邻接，包括像素101、103的像素行与包括像素102、104的像素行邻接。
在本液晶面板中，与1个像素对应设有1个数据信号线和1个扫描信号线。对1个像素在列方向上排列设有2个像素电极，设于像素101的2个像素电极17a、17b和设于像素102的2个像素电极17c、17d配置为一列，并且设于像素103的2个像素电极17A、17B和设于像素104的2个像素电极17C、17D配置为一列，像素电极17a和17A、像素电极17b和17B、像素电极17c和17C、像素电极17d和17D分别在行方向上邻接。
在像素101中，像素电极17a、17b经过并联配置的耦合电容Cab1、Cab2连接，像素电极17a经过连接到扫描信号线16x的晶体管12a连接到数据信号线15x，在像素电极17a与保持电容配线18p之间形成有保持电容Cha，在像素电极17b与保持电容配线18p之间形成有保持电容Chb，在像素电极17a与共用电极com间形成有液晶电容Cla，在像素电极17b和共用电极com间形成有液晶电容Clb。
另外，在列方向上与像素101邻接的像素102中，像素电极17c、17d经过并联配置的耦合电容Ccd1、Ccd2连接，像素电极17c经过连接到扫描信号线16y的晶体管12c连接到数据信号线15x，在像素电极17c与保持电容配线18q之间形成有保持电容Chc，在像素电极17d与保持电容配线18q之间形成有保持电容Chd，在像素电极17c和共用电极com间形成有液晶电容Clc，在像素电极17d和共用电极com间形成有液晶电容Cld。
另外，在行方向上与像素101邻接的像素103中，像素电极17A、17B经过并联配置的耦合电容CAB1、CAB2连接，像素电极17A经过连接到扫描信号线16x的晶体管12A连接到数据信号线15y，在像素电极17A与保持电容配线18p之间形成有保持电容ChA，在像素电极17B与保持电容配线18p之间形成有保持电容ChB，在像素电极17A和共用电极com间形成有液晶电容ClA，在像素电极17B和共用电极com间形成有液晶电容ClB。
在具备本液晶面板的液晶显示装置中，依次进行扫描，依次选择扫描信号线16x、16y。例如，在选择了扫描信号线16x的情况下，像素电极17a(经过晶体管12a)连接到数据信号线15x，像素电极17a和像素电极17b经过耦合电容Cab1、Cab2进行电容耦合，因此设Cla的电容值＝Clb的电容值＝Cl，Cha的电容值＝Chb的电容值＝Ch，Cab1的电容值＝C1，Cab2的电容值＝C2，设晶体管12a截止后的像素电极17a的电位为Va，晶体管12a截止后的像素电极17b的电位为Vb，则为Vb＝Va×〔(C1+C2)/(Cl+Ch+C1+C2)〕〕。即，|Va|≥|Vb|(此外，例如|Va|意味着Va与com电位＝Vcom的电位差)，因此在中间灰度级显示时，使包括像素电极17a的子像素为亮子像素，使包括像素电极17b的子像素为暗子像素，能利用这些亮、暗子像素的面积灰度级来进行显示。由此，能提高上述液晶显示装置的视场角特性。
图2示出图1的像素101的具体例。如该图所示，在数据信号线15x和扫描信号线16x的交叉部附近配置有晶体管12a，在由两个信号线(15x、16x)划分的像素区域中，长方形形状的像素电极17a和长方形形状的像素电极17b在列方向上排列，成为第1像素电极的外周的4边中的1边与成为第2像素电极的外周的4边中的1边邻接。并且，第1、第2上层电容电极37a、37b都与该邻接的2个边的间隙(像素电极17a、17b的间隙)重叠配置。另外，第1下层电容电极47a与该邻接的2个边的间隙(像素电极17a、17b的间隙)和第2上层电容电极37b(第2导电体)重叠配置，第2下层电容电极47b与该邻接的2个边的间隙(像素电极17a、17b的间隙)和第1上层电容电极37a(第1导电体)重叠配置。保持电容配线18p具备从该保持电容配线18p分支的保持电容配线延伸部，设为在俯视时与像素电极17a、17b的边缘的一部分重叠地延伸。
更详细地说，在像素电极17a与像素电极17b的间隙中，第1上层电容电极37a和第2上层电容电极37b在行方向上并列配置，第1下层电容电极47a和第2下层电容电极47b在行方向上并列配置，第1上层电容电极37a与第2下层电容电极47b重叠，并且第2上层电容电极37b与第1下层电容电极47a重叠，这些重叠部分在行方向上并列配置。保持电容配线18p的保持电容配线延伸部设为包围像素区域地沿着数据信号线15x、15y和扫描信号线16x、16y延伸，并且与像素电极17a、17b的除了形成间隙的两边以外的各自的3边重叠地延伸。根据该保持电容配线18p的形状，能抑制电荷从数据信号线15x、15y和扫描信号线16x、16y飞入，因此能得到改善漂浮像素的残影的效果。另外，利用分支构造能使保持电容配线18p具有冗余性，因此能提高成品率。此外，这种保持电容配线18p的构造能应用于后述的液晶面板的各方式中，能得到同样的效果。
并且，在扫描信号线16x上形成有晶体管12a的源极电极8a和漏极电极9a，源极电极8a连接到数据信号线15x。漏极电极9a连接到漏极引出配线27a，漏极引出配线27a与形成于同一层的第1上层电容电极37a连结，并且连接到接触电极77a，接触电极77a经过接触孔11a连接到像素电极17a。
第1上层电容电极37a隔着栅极绝缘膜与第2下层电容电极47b重叠，连接到第2下层电容电极47b的第2下层电容电极延伸部28b连接到接触电极78b，接触电极78b经过接触孔68b连接到像素电极17b。由此，在第1上层电容电极37a与第2下层电容电极47b的重叠部分形成有像素电极17a、17b间的耦合电容Cab1(参照图1)。
另外，第2上层电容电极37b隔着栅极绝缘膜与第1下层电容电极47a重叠，并且连接到第2上层电容电极37b的第2上层电容电极延伸部29b连接到接触电极79b，接触电极79b经过接触孔69b连接到像素电极17b。连接到第1下层电容电极47a的第1下层电容电极延伸部29a连接到接触电极79a，接触电极79a经过接触孔69a连接到像素电极17a。由此，在第2上层电容电极37b与第1下层电容电极47a的重叠部分形成有像素电极17a、17b间的耦合电容Cab2(参照图1)。
另外，像素电极17a与保持电容配线18p隔着层间绝缘膜和栅极绝缘膜重叠，在两者的重叠部分形成有保持电容Cha(参照图1)。另外，像素电极17b与保持电容配线18p隔着层间绝缘膜和栅极绝缘膜重叠，在两者的重叠部分形成有保持电容Chb(参照图1)。此外，其它像素的结构(各部件的形状和配置以及连接关系)与像素101的结构相同。
根据该结构，包括像素电极17a的子像素为“亮”，包括像素电极17b的子像素为“暗”。
另外，根据该结构，耦合电容(Cab1、Cab2)在上层电容电极(37a、37b)与下层电容电极(47a、47b)之间隔着栅极绝缘膜形成。即，在本结构中，形成耦合电容的绝缘膜是栅极绝缘膜。关于这一点，在以往的结构(例如专利文献1)中，形成耦合电容的绝缘膜是覆盖晶体管的层间绝缘膜。一般而言，与覆盖晶体管的层间绝缘膜相比，栅极绝缘膜在高温下形成，因此栅极绝缘膜更容易得到致密的膜。因此，与以往的结构相比，本结构在抑制耦合电容形成部的电极间产生短路这一点是优选的。此外，这种利用栅极绝缘膜形成耦合电容的构造能应用于后述的液晶面板的各方式，能得到同样的效果。
图3是图2的X1-Y1向视截面图。如该图所示，本液晶面板具备：有源矩阵基板3、与有源矩阵基板3相对的彩色滤光片基板30以及配置在两个基板(3、30)间的液晶层40。
在有源矩阵基板3中，在玻璃基板31上形成有第2下层电容电极47b、第2下层电容电极延伸部28b以及接触电极78b，覆盖它们形成有无机栅极绝缘膜22。此外，虽未图示，扫描信号线也形成在基板上。在无机栅极绝缘膜22的上层，形成有半导体层(i层和n+层，未图示)、与n+层接触的源极电极和漏极电极(均未图示)、漏极引出配线27a、第1上层电容电极37a以及接触电极77a，覆盖它们形成有无机层间绝缘膜25。在无机层间绝缘膜25上形成有像素电极17a、17b，而且，覆盖它们(像素电极17a、17b)形成有取向膜(未图示)。
在此，用接触孔11a贯通无机层间绝缘膜25，由此连接像素电极17a和接触电极77a。另外，用接触孔68b贯通无机层间绝缘膜25和无机栅极绝缘膜22，由此连接像素电极17b和接触电极78b。即，将像素电极17a和第1上层电容电极37a电连接，将像素电极17b和第2下层电容电极47b电连接。并且，第1上层电容电极37a与第2下层电容电极47b隔着无机栅极绝缘膜22重叠，由此形成有耦合电容Cab1(参照图1)。
图4是图2的X2-Y2向视截面图。如该图所示，在有源矩阵基板3中，在玻璃基板31上形成有第1下层电容电极47a、第1下层电容电极延伸部29a以及接触电极79a，覆盖它们形成有无机栅极绝缘膜22。此外，虽未图示，扫描信号线也形成在基板上。在无机栅极绝缘膜22的上层形成有：半导体层(i层和n+层、未图示)与n+层接触的源极电极和漏极电极(均未图示)、第2上层电容电极37b、第2上层电容电极延伸部29b以及接触电极79b，覆盖它们形成有无机层间绝缘膜25。在无机层间绝缘膜25上形成有像素电极17a、17b，而且覆盖它们(像素电极17a、17b)形成有取向膜(未图示)。
在此，用接触孔69a贯通无机层间绝缘膜25和无机栅极绝缘膜22，由此连接像素电极17a和接触电极79a。另外，用接触孔69b贯通无机层间绝缘膜25，由此连接像素电极17b和接触电极79b。即，将像素电极17a和第1下层电容电极47a电连接，将像素电极17b和第2上层电容电极37b电连接。并且，第2上层电容电极37b与第1下层电容电极47a隔着无机栅极绝缘膜22重叠，由此形成有耦合电容Cab2(参照图1)。
此外，如图3和图4所示，在彩色滤光片基板30中，在玻璃基板32上形成有着色层14，在其上层形成有共用电极(com)28，而且覆盖它形成有取向膜(未图示)。
图5是示出具备图1和图2示出的液晶面板的本液晶显示装置(常黑模式的液晶显示装置)的驱动方法的时序图。此外，Sv和SV表示分别提供给邻接的2个数据信号线(例如，15x、15y)的信号电位，Gx、Gy表示提供给扫描信号线16x、16y的栅极导通脉冲信号，Va、Vb、VA、VB、Vc、Vd分别表示像素电极17a、17b、17A、17B、17c、17d的电位。
如图5所示，在该驱动方法中，依次选择扫描信号线，使提供供给数据信号线的信号电位的极性按1个水平扫描期间(1H)反转，并且使在各帧中的相同序位的水平扫描期间提供的信号电位的极性以1帧为单位反转，并且在相同水平扫描期间对邻接的2个数据信号线提供相反极性的信号电位。
具体地说，在连续的帧F1、F2中，在F1中依次选择扫描信号线(例如，按顺序选择扫描信号线16x、16y)，对邻接的2个数据信号线中的一方(例如数据信号线15x)，在第1个水平扫描期间(例如包括像素电极17a的写入期间)提供正极性的信号电位，在第2个水平扫描期间(例如包括像素电极17c的写入期间)提供负极性的信号电位，对上述2个数据信号线中的另一方(例如数据信号线15y)，在第1个水平扫描期间(例如包括像素电极17A的写入期间)提供负极性的信号电位，在第2个水平扫描期间(例如包括像素电极17C的写入期间)提供正极性的信号电位。由此，如图5所示，为|Va|≥|Vb|，|Vc|≥|Vd|，|VA|≥|VB|，包括像素电极17a(正极性)的子像素为亮子像素(以下为“亮”)，包括像素电极17b(正极性)的子像素为暗子像素(以下为“暗”)，包括像素电极17c(负极性)的子像素为“亮”，包括像素电极17d(负极性)的子像素为“暗”，包括像素电极17A(负极性)的子像素为“亮”，包括像素电极17B(负极性)的子像素为“暗”，作为整体如图6(a)那样。
另外，在F2中，依次选择扫描信号线(例如按顺序选择扫描信号线16x、16y)，对邻接的2个数据信号线中的一方(例如数据信号线15x)，在第1个水平扫描期间(例如包括像素电极17a的写入期间)提供负极性的信号电位，在第2个水平扫描期间(例如包括像素电极17c的写入期间)提供正极性的信号电位，对上述2个数据信号线中的另一方(例如数据信号线15y)，在第1个水平扫描期间(例如包括像素电极17A的写入期间)提供正极性的信号电位，在第2个水平扫描期间(例如包括像素电极17C的写入期间)提供负极性的信号电位。由此，如图5所示，为|Va|≥|Vb|，|Vc|≥|Vd|，|VA|≥|VB|，包括像素电极17a(负)的子像素为“亮”，包括像素电极17b(负)的子像素为“暗”，包括像素电极17c(正极性)的子像素为“亮”，包括像素电极17d(正极性)的子像素为“暗”，包括像素电极17A(正极性)的子像素为“亮”，包括像素电极17B(正极性)的子像素为“暗”，作为整体如图6(b)那样。
此外，在图2中省略了取向限制用构造物的记载，例如在MVA(multidomain vertical alignment：多畴垂直取向)方式的液晶面板中，例如如图41所示，在像素电极17a中设有取向限制用的狭缝S1～S4，在彩色滤光片基板的像素电极17a所对应的部分设有取向限制用的肋L1、L2，在像素电极17b中设有取向限制用的狭缝S5～S8，在彩色滤光片基板的像素电极17b所对应的部分设有取向限制用的肋L3、L4。此外，也可以在彩色滤光片基板的共用电极中设置取向限制用的狭缝来代替设置上述取向限制用的肋。
在图2的液晶面板中，使像素电极17a和像素电极17b利用并联的2个耦合电容(Cab1、Cab2)连接(电容耦合)，因此例如在图2的P处漏极引出配线27a(在制造工序等中)发生断线，也能利用第2上层电容电极37b维持像素电极17a、17b的电容耦合。另外，在第1上层电容电极37a与第2下层电容电极47b发生短路的情况下，也能进行如下修正工序：将漏极引出配线27a在接触孔11a以后的部分切断，或者将第1上层电容电极37a在与漏极引出配线27a的连接位置用激光切断，或者将第2下层电容电极47b在与像素电极17b的连接位置用激光切断，由此维持像素电极17a、17b的电容耦合。另外，在第2上层电容电极37b与第1下层电容电极47a发生短路的情况下，将第2上层电容电极37b在与像素电极17b的连接位置用激光切断，或者将第1下层电容电极47a在与像素电极17a的连接位置用激光切断即可。而且，在第1上层电容电极37a与数据信号线15x发生短路的情况下，在第1上层电容电极37a与像素电极17a的连接位置和第2下层电容电极47b与像素电极17b的连接位置这两处用激光切断即可。同样，在第2上层电容电极37b与数据信号线15y发生短路的情况下，在第2上层电容电极37b与像素电极17b的连接位置和第1下层电容电极47a与像素电极17a的连接位置这两处用激光切断即可。
在有源矩阵基板的阶段进行上述修正工序的情况下，从有源矩阵基板的里面(玻璃基板侧)对漏极引出配线27a(接触孔11a以后的部分)照射激光将其切断(参照图7)，或者从有源矩阵基板的表面(与玻璃基板相反的一侧)经过像素电极17a、17b的间隙对第1上层电容电极37a照射激光将其切断。如上述那样从有源矩阵基板的表面照射激光将第1上层电容电极37a切断的手法具有在修正工序时不必使有源矩阵基板反转的优点。另一方面，在液晶面板阶段进行上述修正工序的情况下，也从液晶面板里面(有源矩阵基板的玻璃基板侧)对漏极引出配线27a(接触孔11a以后的部分)照射激光将其切断，或者经过像素电极17a、17b的间隙对第1上层电容电极37a照射激光将其切断即可。
由上所述，根据本实施方式，能提高液晶面板、该液晶面板所用的有源矩阵基板的制造成品率。此外，在图48示出的以往的有源矩阵基板(参照)中，当引出配线119发生断线时，无法进行像素电极121b的电位控制。另外，在控制电极118与电容配线113发生短路的情况下，虽然能通过切断引出配线119来对像素电极121a写入信号电位，但是像素电极121b会失去与像素电极121a的电容耦合。
另外，在图2的液晶面板中具有如下优点：第1、第2下层电容电极47a、47b分别比第1、第2上层电容电极37a、37b面积大，因此在各电容电极的对准发生某种程度的偏差的情况下，第1下层电容电极47a与第2上层电容电极37b的重叠面积和第2下层电容电极47b与第1上层电容电极37a的重叠面积，即2个耦合电容(Cab1、Cab2)的总量不易发生变化。此外，也可以构成为第1、第2上层电容电极37a、37b分别比第1、第2下层电容电极47a、47b面积大，在这种情况下也能得到与上述相同的效果。
下面说明本液晶面板的制造方法。液晶面板的制造方法包括：有源矩阵基板制造工序、彩色滤光片基板制造工序以及使两个基板贴合而填充液晶的组装工序。另外，在有源矩阵基板制造工序和组装工序中的至少一方的中途或者之后进行检查工序，在检查工序中检测出像素(子像素)缺陷的情况下，增加用于对其进行修正的修正工序。
下面说明有源矩阵基板制造工序。
首先，在玻璃、塑料等的基板上利用溅射法形成钛、铬、铝、钼、钽、钨、铜等的金属膜、它们的合金膜或者它们的层叠膜(厚度
Figure BPA00001350858600171
)，然后利用光刻技术(Photo Engraving Process，以下称为“PEP技术”)进行图案化，形成扫描信号线、晶体管的栅极电极(有时扫描信号线也兼作栅极电极)、栅极金属层(第1、第2下层电容电极47a、47b)和保持电容配线。
然后，对形成有扫描信号线等的基板整体利用CVD(Chemical Vapor Deposition：化学气相沉积)法形成氮化硅、氧化硅等的无机绝缘膜(厚度
Figure BPA00001350858600181
的程度)，形成栅极绝缘膜。例如，使形成氮化硅膜时的基板温度为350℃。
接着，在栅极绝缘膜上(基板整体)，利用CVD法连续形成本征非晶硅膜(厚度
Figure BPA00001350858600182
)和掺杂有磷的n+非晶硅膜(厚度)，然后，利用PEP技术进行图案化，在栅极电极上岛状地形成包括本征非晶硅层和n+非晶硅层的硅层叠体。
接着，对形成有硅层叠体的基板整体，利用溅射法形成钛、铬、铝、钼、钽、钨、铜等的金属膜、它们的合金膜或者它们的层叠膜(厚度
Figure BPA00001350858600184
)，然后利用PEP技术进行图案化，形成数据信号线、晶体管的源极电极、漏极电极、漏极引出配线和导电体(第1、第2上层电容电极37a、37b)。
进而，以源极电极和漏极电极作为掩模，蚀刻除去构成硅层叠体的n+非晶硅层，形成晶体管的沟道。在此，半导体层可以如上述那样利用非晶硅膜形成，也可以形成多晶硅膜，另外，也可以对非晶硅膜和多晶硅膜进行激光退火处理来提高结晶性。由此，半导体层内的电子的移动速度变快，能提高晶体管(TFT)的特性。
接着，对形成有数据信号线等的基板整体，利用CVD法形成氮化硅、氧化硅等的无机绝缘膜(厚度
Figure BPA00001350858600185
)，形成无机层间绝缘膜。例如，使形成氮化硅膜时的基板温度为250℃。
然后，利用PEP技术蚀刻除去层间绝缘膜或者层间绝缘膜和栅极绝缘膜，形成各种接触孔。接着，对形成有接触孔的层间绝缘膜上的基板整体，利用溅射法形成包括ITO(Indium Tin Oxide：铟锡氧化物)、IZO(Indium Zinc Oxide：铟锌氧化物)、氧化锌、氧化锡等的透明导电膜(厚度
Figure BPA00001350858600186
)，然后利用PEP技术进行图案化，形成各像素电极。
最后，对像素电极上的基板整体，以厚度
Figure BPA00001350858600187
印刷聚酰亚胺树脂，然后进行焙烧，用旋转布在1方向上进行摩擦处理，形成取向膜。由以上工序制造有源矩阵基板。
下面说明彩色滤光片基板制造工序。
首先，对玻璃、塑料等的基板上(基板整体)形成铬薄膜或者含有黑色颜料的树脂之后，利用PEP技术进行图案化，形成黑矩阵。然后，对黑矩阵的间隙用颜料分散法等形成红色、绿色和蓝色的彩色滤光片层(厚度为2μm的程度)。
接着，对彩色滤光片层上的基板整体形成包括ITO、IZO、氧化锌、氧化锡等的透明导电膜(厚度为
Figure BPA00001350858600191
的程度)，形成共用电极(com)。
最后，对共用电极上的基板整体以厚度
Figure BPA00001350858600192
印刷聚酰亚胺树脂，然后进行焙烧，用旋转布在1个方向上进行摩擦处理，形成取向膜。能如上述那样制造彩色滤光片基板。
下面说明组装工序。
首先，对有源矩阵基板和彩色滤光片基板的一方，利用网版印刷将包括热固化性环氧树脂等的密封材料涂敷成留出液晶注入口的部分的框状图案，在另一方基板上撒布球状的隔离物，上述球状的隔离物具有与液晶层的厚度相当的直径，包括塑料或者二氧化硅。
然后，使有源矩阵基板和彩色滤光片基板贴合，使密封材料固化。
最后，对由有源矩阵基板和彩色滤光片基板以及密封材料围起的空间，利用减压法注入液晶材料之后，对液晶注入口涂敷UV固化树脂，利用UV照射密封液晶材料来形成液晶层。如上这样制造液晶面板。
下面说明在有源矩阵基板制造工序的中途(例如在像素电极形成后、取向膜形成之前)或者在有源矩阵基板制造工序后进行的第1检查工序。在第1检查工序中，对有源矩阵基板进行外观检查、电气光学检查等，由此检测短路产生位置(短路部)。短路中有例如导电体(第1、第2上层电容电极37a、37b)与电容电极(第1、第2下层电容电极47a、47b)的短路、导电体(第1、第2上层电容电极37a、37b)与数据信号线(15x、15y)的短路。此外，所谓外观检查，是指利用CCD照相机等对配线图案进行光学检查，所谓电气光学检查，是与有源矩阵基板相对地设置调制器(modulator)(电气光学元件)之后，在有源矩阵基板和调制器之间施加电压并且使光射入，用CCD照相机捕捉该光的亮度变化来对配线图案进行电气光学检查。
在检测出短路位置的情况下，进行对短路的导电体或者与它连接的导电体部分(例如漏极引出配线)用激光切断的修正工序。该激光切断例如采用YAG(Yttrium Aluminium Garnet：钇铝石榴石)激光的四次谐波(波长266nm)。这样能提高切断精度。另外，在检测出短路位置的情况下，有时要进行利用激光等进行除去(trimming：修整)经过接触孔连接到短路的导电体的像素电极中的在该接触孔内的部分的修正工序。此外，在第1检查工序后进行的修正工序中，通常能从有源矩阵基板的表面(像素电极侧)或者里面(基板侧)照射激光。
此外，第1检查工序和修正工序除了在像素电极的形成后，也可以在导电体(第1、第2上层电容电极37a、37b)的形成后或者晶体管的沟道形成后进行。这样，能在制造工序的较早期阶段修正缺陷，能提高有源矩阵基板的制造成品率。
下面说明在组装工序之后进行的第2检查工序。在该第2检查工序中，对液晶面板进行点亮检查，由此检测短路位置。短路中有例如第1、第2上层电容电极37a、37b与电容电极(第1、第2下层电容电极47a、47b)的短路、第1、第2上层电容电极37a、37b与数据信号线15x、15y的短路。具体地说，例如对各扫描信号线输入偏置电压为-10V、周期为16.7msec、脉冲宽度为50μsec的+15V的脉冲电压的栅极检查信号，使全部的TFT成为导通状态。再对各数据信号线输入每16.7msec极性发生反转的±2V的电位的源极检查信号，经过各TFT的源极电极和漏极电极对像素电极写入与±2V对应的信号电位。同时，对共用电极(com)和保持电容配线以直流输入-1V的电位的共用电极检查信号。此时，对在像素电极和共用电极之间构成的液晶电容和在保持电容配线与像素电极之间构成的保持电容施加电压，由该像素电极构成的子像素成为点亮状态。然后在例如导电体与数据信号线的短路位置，该像素电极与数据信号线导通成为亮点(常黑)。由此，检测出短路位置。
在检测出短路位置的情况下，进行将短路的导电体或者与它连接的导电体部分(例如漏极引出配线)用激光切断的修正工序。此外，在第2检查工序后进行的修正工序中，通常从有源矩阵基板的里面(有源矩阵基板的基板侧)进行激光照射。
返回图3，也可以在图3的无机层间绝缘膜25上设有比它厚的有机层间绝缘膜，如图8所示，使沟道保护膜(层间绝缘膜)为二层构造。这样，能得到减少各种寄生电容、防止配线彼此的短路以及减少平坦化带来像素电极的开裂等效果。
图8的无机层间绝缘膜25、有机层间绝缘膜26和接触孔11a、68b能例如如下那样形成。即，在形成晶体管、数据信号线之后，使用SiH4气体、NH3气体以及N2气体的混合气体，以CVD覆盖基板整个面地形成包括厚度约为
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的SiNx的无机层间绝缘膜25(钝化膜)。然后，用旋涂法、模具涂敷法形成厚度约为3μm的包括正型感光性丙烯酸树脂的有机层间绝缘膜26。接着，进行光刻来形成有机层间绝缘膜26的贯通部分和各种接触用图案，再以图案化的有机层间绝缘膜26为掩模，用CF4气体和O2气体的混合气体在接触孔11a的位置对无机层间绝缘膜25进行干式蚀刻，在接触孔68b的位置对无机层间绝缘膜25和栅极绝缘膜22进行干式蚀刻。具体地说，例如用光刻工序在接触孔11a的部分对有机绝缘膜进行半曝光，从而在显影结束时残留薄的有机层间绝缘膜，另一方面，在上述光刻工序中对接触孔68b的部分进行全曝光，从而在显影结束时不残留有机层间绝缘膜。在此，如果用CF4气体和O2气体的混合气体进行干式蚀刻，会在接触孔11a的部分首先除去(有机层间绝缘膜的)残膜，然后除去无机层间绝缘膜25，在接触孔68b的部分首先除去有机层间绝缘膜下的无机层间绝缘膜25，然后除去栅极绝缘膜22。此外，有机层间绝缘膜26也可以是例如包括SOG(旋涂玻璃)材料的绝缘膜，另外，有机层间绝缘膜26也可以包含丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺树脂、聚氨酯树脂、酚醛树脂和硅氧烷树脂中的至少1个。
也可以将图2的像素101变形为图9那样。在图9的结构中，将晶体管12a的漏极电极9a经过接触孔11a连接到像素电极17a，将像素电极17a和第1上层电容电极37a经过接触孔68a连接。这样能缩短连接漏极电极9a和第1上层电容电极37a的漏极引出配线，能提高开口率。另外，在图9的液晶面板中，利用并联的2个耦合电容(Cab1、Cab2)连接(电容耦合)像素电极17a和像素电极17b，因此在制造工序等中接触孔68a形成得不合格的情况下，也能维持像素电极17a、17b的电容耦合。另外，在第1上层电容电极37a与第2下层电容电极47b或者数据信号线15x(在制造工序等中)发生短路的情况下，如图10所示，也能利用激光等除去(修整)像素电极17a中的接触孔68a内的部分，将像素电极17a和第1上层电容电极37a电分离，由此能维持像素电极17a、17b的电容耦合。
在图1的液晶面板中，设于1个像素的2个像素电极中接近晶体管的像素电极连接到该晶体管，但是不限于此。也可以如图11所示，使设于1个像素的2个像素电极中远离晶体管的像素电极连接到该晶体管。
图12示出图11的像素101的具体例。在图12的液晶面板中，晶体管12a配置在数据信号线15x和扫描信号线16x的交叉部附近，在由两个信号线(15x、16x)划分的像素区域中，长方形形状的像素电极17a和长方形形状的像素电极17b在列方向上排列，成为第1像素电极的外周的4边中的1边与成为第2像素电极的外周的4边中的1边邻接。并且，第1、第2上层电容电极37a、37b各自与该邻接的2个边的间隙(像素电极17a、17b的间隙)、像素电极17a以及像素电极17b重叠配置。另外，第1下层电容电极47a与该邻接的2个边的间隙(像素电极17a、17b的间隙)和第2上层电容电极37b重叠配置，第2下层电容电极47b与该邻接的2个边的间隙(像素电极17a、17b的间隙)和第1上层电容电极37a重叠配置。保持电容配线18p具备从该保持电容配线18p分支的保持电容配线延伸部，在俯视时与像素电极17a、17b的边缘的一部分重叠地延伸设置。
更详细地说，在像素电极17a与像素电极17b的间隙中，第1上层电容电极37a和第2上层电容电极37b在行方向上并列配置，第1下层电容电极47a和第2下层电容电极47b在行方向上并列配置，第1上层电容电极37a与第2下层电容电极47b重叠，并且第2上层电容电极37b与第1下层电容电极47a重叠，这些重叠部分在行方向上并列配置。保持电容配线18p的保持电容配线延伸部包围像素区域地设置，与像素电极17a、17b的除了形成间隙的两边以外的各自的3边重叠。
并且，在扫描信号线16x上形成有晶体管12a的源极电极8a和漏极电极9a，源极电极8a连接到数据信号线15x。漏极电极9a连接到漏极引出配线27a，漏极引出配线27a与形成于同一层的第2上层电容电极37b连结。连接到第2上层电容电极37b的第2上层电容电极延伸部29b连接到接触电极79b，接触电极79b经过接触孔69b连接到像素电极17b。
第2上层电容电极37b隔着栅极绝缘膜与第1下层电容电极47a重叠，连接到第1下层电容电极47a的第1下层电容电极延伸部29a连接到接触电极79a，接触电极79a经过接触孔69a连接到像素电极17a。由此，在第2上层电容电极37b与第1下层电容电极47a的重叠部分形成有像素电极17a、17b间的耦合电容Cab2(参照图11)。
另外，第1上层电容电极37a隔着栅极绝缘膜与第2下层电容电极47b重叠，并且连接到第1上层电容电极37a的第1上层电容电极延伸部28a连接到接触电极78a，接触电极78a经过接触孔68a连接到像素电极17a。连接到第2下层电容电极47b的第2下层电容电极延伸部28b连接到接触电极78b，接触电极78b经过接触孔68b连接到像素电极17b。由此，在第1上层电容电极37a与第2下层电容电极47b的重叠部分形成有像素电极17a、17b间的耦合电容Cab1(参照图11)。
另外，像素电极17a与保持电容配线18p隔着层间绝缘膜和栅极绝缘膜重叠，在两者的重叠部分形成有保持电容Cha(参照图11)。另外，像素电极17b与保持电容配线18p隔着层间绝缘膜和栅极绝缘膜重叠，在两者的重叠部分形成有保持电容Chb(参照图11)。此外，其它像素的结构(各部件的形状和配置以及连接关系)与像素101的结构相同。
根据该结构，包括像素电极17a的子像素为“暗”，包括像素电极17b的子像素为“亮”。
在图12的液晶面板中，利用并联的2个耦合电容(Cab1、Cab2)连接(电容耦合)像素电极17a和像素电极17b，因此例如在图12的P处第2上层电容电极37b与第1下层电容电极47a(在制造工序等中)发生短路的情况下，进行将第2上层电容电极37b在与像素电极17b的连接位置和短路位置间用激光切断的修正工序，由此能维持像素电极17a、17b的电容耦合。另外，在第1上层电容电极37a与第2下层电容电极47b发生短路的情况下，只要将第1上层电容电极37a在与像素电极17a的连接位置和短路位置间用激光切断即可。
另外，在图12的液晶面板中具有如下优点：第1、第2下层电容电极47a、47b分别比第1、第2上层电容电极37a、37b面积大，因此在各电容电极的对准出现某种程度的偏差的情况下，第1下层电容电极47a与第2上层电容电极37b的重叠面积和第2下层电容电极47b与第1上层电容电极37a的重叠面积，即耦合电容(Cab1、Cab2)的总量不易变化。此外，也可以是第1、第2上层电容电极37a、37b分别比第1、第2下层电容电极47a、47b面积大的结构，在这种情况下也能得到与上述同样的效果。
在图1的液晶面板中，将各像素中接近晶体管的像素电极连接到该晶体管，但是不限于此。也可以如图13所示，在行方向上相邻的2个像素的一方中，将接近晶体管的一方像素电极连接到该晶体管，在另一方中将远离晶体管的一方像素电极连接到该晶体管。
在具备图13的液晶面板的液晶显示装置中，当如图5那样驱动数据信号线15x、15y时，在帧F1中，包括像素电极17a(正极性)的子像素为“亮”，包括像素电极17b(正极性)的子像素为“暗”，包括像素电极17c(负极性)的子像素为“亮”，包括像素电极17d(负极性)的子像素为“暗”，包括像素电极17A(负极性)的子像素为“暗”，包括像素电极17B(负极性)的子像素为“亮”，作为整体成为图14(a)那样。另外，在帧F2中，包括像素电极17a(负极性)的子像素为“亮”，包括像素电极17b(负极性)的子像素为“暗”，包括像素电极17c(正极性)的子像素为“亮”，包括像素电极17d(正极性)的子像素为“暗”，包括像素电极17A(正极性)的子像素为“暗”，包括像素电极17B(正极性)的子像素为“亮”，作为整体如图14(b)那样。
根据图13的液晶面板，没有亮子像素在行方向上并列或暗子像素彼此在行方向上并列的情况，因此能减少行方向的条状不均。
图15示出图13的像素101、103的具体例。如该图所示，在像素101中，晶体管12a配置在数据信号线15x和扫描信号线16x的交叉部附近，在由两个信号线(15x、16x)划分的像素区域中，长方形形状的像素电极17a和长方形形状的像素电极17b在列方向上排列，成为第1像素电极的外周的4边中的1边与成为第2像素电极的外周的4边中的1边邻接。并且，第1、第2上层电容电极37a、37b各自与该邻接的2个边的间隙(像素电极17a、17b的间隙)重叠配置。另外，第1下层电容电极47a与该邻接的2个边的间隙(像素电极17a、17b的间隙)和第2上层电容电极37b重叠配置，第2下层电容电极47b与该邻接的2个边的间隙(像素电极17a、17b的间隙)和第1上层电容电极37a重叠配置。保持电容配线18p具备从该保持电容配线18p分支的保持电容配线延伸部，在俯视时与像素电极17a、17b的边缘的一部分重叠地延伸设置。
更详细地说，在像素电极17a与像素电极17b的间隙中，第1上层电容电极37a和第2上层电容电极37b在行方向上并列配置，第1下层电容电极47a和第2下层电容电极47b在行方向上并列配置，第1上层电容电极37a与第2下层电容电极47b重叠，并且第2上层电容电极37b与第1下层电容电极47a重叠，这些重叠部分在行方向上并列配置。保持电容配线18p的保持电容配线延伸部包围像素区域设置，与像素电极17a、17b的除了形成间隙的两边以外的各自的3边重叠。
并且，在扫描信号线16x上形成有晶体管12a的源极电极8a和漏极电极9a，源极电极8a连接到数据信号线15x。漏极电极9a连接到漏极引出配线27a，漏极引出配线27a与形成于同一层的第1上层电容电极37a连结，并且连接到接触电极77a，接触电极77a经过接触孔11a连接到像素电极17a。
第1上层电容电极37a隔着栅极绝缘膜与第2下层电容电极47b重叠，连接到第2下层电容电极47b的第2下层电容电极延伸部28b连接到接触电极78b，接触电极78b经过接触孔68b连接到像素电极17b。由此，在第1上层电容电极37a与第2下层电容电极47b的重叠部分形成有像素电极17a、17b间的耦合电容Cab1(参照图13)。
另外，第2上层电容电极37b隔着栅极绝缘膜与第1下层电容电极47a重叠，并且连接到第2上层电容电极37b的第2上层电容电极延伸部29b连接到接触电极79b，接触电极79b经过接触孔69b连接到像素电极17b。连接到第1下层电容电极47a的第1下层电容电极延伸部29a连接到接触电极79a，接触电极79a经过接触孔69a连接到像素电极17a。由此，在第2上层电容电极37b与第1下层电容电极47a的重叠部分形成有像素电极17a、17b间的耦合电容Cab2(参照图13)。
另外，像素电极17a与保持电容配线18p隔着层间绝缘膜和栅极绝缘膜重叠，在两者的重叠部分形成有保持电容Cha(参照图13)。另外，像素电极17b与保持电容配线18p隔着层间绝缘膜和栅极绝缘膜重叠，在两者的重叠部分形成有保持电容Chb(参照图13)。
根据该结构，在像素101中，包括像素电极17a的子像素为“亮”，包括像素电极17b的子像素为“暗”。
另一方面，在像素103中，晶体管12A配置在数据信号线15y和扫描信号线16x的交叉部附近，在由两个信号线(15y、16x)划分的像素区域中，长方形形状的像素电极17A和长方形形状的像素电极17B在列方向上排列，成为第1像素电极的外周的4边中的1边与成为第2像素电极的外周的4边中的1边邻接。并且，第1、第2上层电容电极37A、37B各自与该邻接的2个边的间隙(像素电极17A、17B的间隙)重叠配置。另外，第1下层电容电极47A与该邻接的2个边的间隙(像素电极17A、17B的间隙)和第2上层电容电极37B重叠配置，第2下层电容电极47B与该邻接的2个边的间隙(像素电极17A、17B的间隙)和第1上层电容电极37A重叠配置。保持电容配线18p具备从该保持电容配线18p分支的保持电容配线延伸部，在俯视时与像素电极17A、17B的边缘的一部分重叠地延伸设置。
更详细地说，在像素电极17A与像素电极17B的间隙中，第1上层电容电极37A和第2上层电容电极37B在行方向上并列配置，第1下层电容电极47A和第2下层电容电极47B在行方向上并列配置，第1上层电容电极37A与第2下层电容电极47B重叠，并且第2上层电容电极37B与第1下层电容电极47A重叠，这些重叠部分在行方向上并列配置。保持电容配线18p的保持电容配线延伸部包围像素区域设置，与像素电极17A、17B的除了形成间隙的两边以外的各自的3边重叠。
并且，在扫描信号线16x上形成有晶体管12A的源极电极8A和漏极电极9A，源极电极8A连接到数据信号线15y。漏极电极9A连接到漏极引出配线27A，漏极引出配线27A与形成于同一层的第2上层电容电极37B连结。连接到第2上层电容电极37B的第2上层电容电极延伸部29B连接到接触电极79B，接触电极79B经过接触孔69B连接到像素电极17B。
第2上层电容电极37B隔着栅极绝缘膜与第1下层电容电极47A重叠，连接到第1下层电容电极47A的第1下层电容电极延伸部29A连接到接触电极79A，接触电极79A经过接触孔69A连接到像素电极17A。由此，在第2上层电容电极37B与第1下层电容电极47A的重叠部分形成有像素电极17A、17B间的耦合电容CAB2(参照图13)。
另外，第1上层电容电极37A隔着栅极绝缘膜与第2下层电容电极47B重叠，并且连接到第1上层电容电极37A的第1上层电容电极延伸部28A连接到接触电极78A，接触电极78A经过接触孔68A连接到像素电极17A。连接到第2下层电容电极47B的第2下层电容电极延伸部28B连接到接触电极78B，接触电极78B经过接触孔68B连接到像素电极17B。由此，在第1上层电容电极37A与第2下层电容电极47B的重叠部分形成有像素电极17A、17B间的耦合电容CAB1(参照图13)。
另外，像素电极17A与保持电容配线18p隔着层间绝缘膜和栅极绝缘膜重叠，在两者的重叠部分形成有保持电容ChA(参照图13)。另外，像素电极17B与保持电容配线18p隔着层间绝缘膜和栅极绝缘膜重叠，在两者的重叠部分形成有保持电容ChB(参照图13)。
根据该结构，在像素103中，包括像素电极17A的子像素为“暗”，包括像素电极17B的子像素为“亮”。
也可以将图2和图9的像素101变形为图16那样。在图16的结构中，省略图9中的第1下层电容电极47a，在与像素电极17a重叠的区域中，第1上层电容电极37a和第2上层电容电极37b在行方向上并列配置，第1上层电容电极37a与第2下层电容电极47b重叠。保持电容配线18p的保持电容配线延伸部包围像素区域设置，与像素电极17a、17b的除了形成间隙的两边以外的各自的3边重叠。
在扫描信号线16x上形成有晶体管12a的源极电极8a和漏极电极9a，源极电极8a连接到数据信号线15x。漏极电极9a连接到漏极引出配线27a，漏极引出配线27a连接到接触电极77a，接触电极77a经过接触孔11a连接到像素电极17a。
第1上层电容电极37a隔着栅极绝缘膜与第2下层电容电极47b重叠，并且连接到第1上层电容电极37a的第1上层电容电极延伸部28a连接到接触电极78a，接触电极78a经过接触孔68a连接到像素电极17a。连接到第2下层电容电极47b的第2下层电容电极延伸部28b连接到接触电极78b，接触电极78b经过接触孔68b连接到像素电极17b。由此，在第1上层电容电极37a与第2下层电容电极47b的重叠部分形成有像素电极17a、17b间的耦合电容Cab1(参照图1)。
另外，第2上层电容电极37b隔着层间绝缘膜与像素电极17a重叠。连接到第2上层电容电极37b的第2上层电容电极延伸部29b连接到接触电极79b，接触电极79b经过接触孔69b连接到像素电极17b。由此，在第2上层电容电极37b与像素电极17a的重叠部分形成有像素电极17a、17b间的耦合电容Cab2(参照图1)。
另外，像素电极17a与保持电容配线18p隔着层间绝缘膜和栅极绝缘膜重叠，在两者的重叠部分形成有保持电容Cha(参照图1)。另外，像素电极17b与保持电容配线18p隔着层间绝缘膜和栅极绝缘膜重叠，在两者的重叠部分形成有保持电容Chb(参照图1)。此外，其它像素的结构(各部件的形状和配置以及连接关系)与像素101的结构相同。
根据该结构，包括像素电极17a的子像素为“亮”，包括像素电极17b的子像素为“暗”。
图17为图16的X1-Y1向视截面图。如该图所示，本液晶面板具备有源矩阵基板3、与有源矩阵基板3相对的彩色滤光片基板30以及配置在两个基板(3、30)间的液晶层40。
在有源矩阵基板3中，在玻璃基板31上形成有第2下层电容电极47b、第2下层电容电极延伸部28b以及接触电极78b，覆盖它们形成有无机栅极绝缘膜22。此外，虽未图示，扫描信号线也形成在基板上。在无机栅极绝缘膜22的上层，形成有半导体层(i层和n+层，未图示)、与n+层接触的源极电极和漏极电极(均未图示)、第1上层电容电极37a、第1上层电容电极延伸部28a以及接触电极78a，覆盖它们形成有无机层间绝缘膜25。在无机层间绝缘膜25上形成有像素电极17a、17b，而且覆盖它们(像素电极17a、17b)形成有取向膜(未图示)。
在此，用接触孔68a贯通无机层间绝缘膜25，由此连接像素电极17a和接触电极78a。另外，用接触孔68b贯通无机层间绝缘膜25和无机栅极绝缘膜22，由此连接像素电极17b和接触电极78b。即，将像素电极17a与第1上层电容电极37a电连接，将像素电极17b与第2下层电容电极47b电连接。并且，第1上层电容电极37a与第2下层电容电极47b隔着无机栅极绝缘膜22重叠，由此形成有耦合电容Cab1(参照图1)。此外，在第1上层电容电极37a的上层，隔着无机层间绝缘膜25形成有像素电极17a。
图18是图16的X2-Y2向视截面图。如该图所示，在有源矩阵基板3中，在玻璃基板31上形成有无机栅极绝缘膜22。此外，虽未图示，扫描信号线也形成在基板上。在无机栅极绝缘膜22的上层形成有半导体层(i层和n+层，未图示)、与n+层接触的源极电极和漏极电极(均未图示)、第2上层电容电极37b、第2上层电容电极延伸部29b以及接触电极79b，覆盖它们形成有无机层间绝缘膜25。在无机层间绝缘膜25上形成有像素电极17a、17b，而且覆盖它们(像素电极17a、17b)形成有取向膜(未图示)。
在此，用接触孔69b贯通无机层间绝缘膜25，由此连接像素电极17b和接触电极79b。即，将像素电极17b与第2上层电容电极37b电连接。并且，第2上层电容电极37b与像素电极17a隔着无机层间绝缘膜25重叠，由此形成有耦合电容Cab2(参照图1)。
此外，如图17和图18所示，在彩色滤光片基板30中，在玻璃基板32上形成有着色层14，在其上层形成有共用电极(com)28，而且覆盖它形成有取向膜(未图示)。
在图16的液晶面板中，利用平面地并联的2个耦合电容((Cab1)、(Cab2))连接(电容耦合)像素电极17a和像素电极17b，因此例如在图16的P处第1上层电容电极37a与第2下层电容电极47b或者数据信号线15x(在制造工序等中)发生短路的情况下，进行将第1上层电容电极37a在接触孔68a和短路位置之间用激光切断的修正工序，由此能维持像素电极17a、17b的电容耦合。此外，在第1上层电容电极37a与第2下层电容电极47b发生短路进行上述激光切断的情况下，像素电极17b与第1上层电容电极37a导通成为相同电位，第1上层电容电极37a与像素电极17a隔着无机层间绝缘膜25重叠，从而能维持像素电极17a与像素电极17b的电容耦合。
也可以将图16的像素101变形为图19那样。在图19的结构中，在与像素电极17b重叠的区域中，第1上层电容电极37a和第2上层电容电极37b在行方向上并列配置，第2上层电容电极37b与第1下层电容电极47a重叠。
根据该结构，第1上层电容电极37a隔着层间绝缘膜与像素电极17b重叠，连接到第1上层电容电极37a的第1上层电容电极延伸部28a连接到接触电极78a，接触电极78a经过接触孔68a连接到像素电极17a。由此，在第1上层电容电极37a与像素电极17b的重叠部分形成有像素电极17a、17b间的耦合电容Cab1(参照图1)。
另外，第2上层电容电极37b隔着栅极绝缘膜与第1下层电容电极47a重叠，并且连接到第2上层电容电极37b的第2上层电容电极延伸部29b连接到接触电极79b，接触电极79b经过接触孔69b连接到像素电极17b。连接到第1下层电容电极47a的第1下层电容电极延伸部29a连接到接触电极79a，接触电极79a经过接触孔69a连接到像素电极17a。由此，在第2上层电容电极37b与第1下层电容电极47a的重叠部分形成有像素电极17a、17b间的耦合电容Cab2(参照图1)。
在图19的液晶面板中，与图16的液晶面板同样，利用平面地并联的2个耦合电容((Cab1)、(Cab2))连接(电容耦合)像素电极17a和像素电极17b，因此例如在图19的P处第2上层电容电极37b与第1下层电容电极47a或者数据信号线15y(在制造工序等中)发生短路的情况下，进行将第2上层电容电极37b在接触孔69b和短路位置之间用激光切断的修正工序，由此能维持像素电极17a、17b的电容耦合。此外，在第2上层电容电极37b与第1下层电容电极47a发生短路进行上述激光切断的情况下，像素电极17a与第2上层电容电极37b导通，成为相同电位，第2上层电容电极37b与像素电极17b隔着无机层间绝缘膜25重叠，从而维持像素电极17a与像素电极17b的电容耦合。
如上所述，根据图16和图19的结构，一方上层电容电极与下层电容电极重叠，另一方上层电容电极与像素电极重叠，这些重叠部平面地并联配置，因此能提高液晶面板、液晶面板所用的有源矩阵基板的制造成品率。
〔实施方式2〕
图20是实施方式2的液晶面板的一部分的等效电路图。如图20所示，本液晶面板具备：在列方向(图中上下方向)上延伸的数据信号线(15x、15y)、在行方向(图中左右方向)上延伸的扫描信号线(16x、16y)、在行和列方向上排列的像素(101～104)、保持电容配线(18p、18q)以及共用电极(相对电极)com，各像素的构造相同。此外，包括像素101、102的像素列与像素103、104包括的像素列邻接，包括像素101、103的像素行与包括像素102、104的像素行邻接。
在本液晶面板中，与1个像素对应设有1个数据信号线和1个扫描信号线。在1个像素中，在列方向上排列设有2个像素电极，设于像素101的2个像素电极17a、17b与设于像素102的2个像素电极17c、17d配置为一列，并且设于像素103的2个像素电极17A、17B与设于像素104的2个像素电极17C、17D配置为一列，像素电极17a与17A、像素电极17b与17B、像素电极17c与17C、像素电极17d与17D分别在行方向上邻接。
在像素101中，像素电极17a、17b经过在俯视时在行方向上并联配置的耦合电容Cab1、Cab2以及与耦合电容Cab2在层叠方向上并联配置的耦合电容Cab21连接，像素电极17a经过连接到扫描信号线16x的晶体管12a连接到数据信号线15x，在像素电极17a与保持电容配线18p之间形成有保持电容Cha，在像素电极17b与保持电容配线18p之间形成有保持电容Chb，在像素电极17a与共用电极com间形成有液晶电容Cla，在像素电极17b与共用电极com间形成有液晶电容Clb。
另外，在与像素101在列方向上邻接的像素102中，像素电极17c、17d经过在俯视时在行方向上并联配置的耦合电容Ccd1、Ccd2以及与耦合电容Ccd2在层叠方向上并联配置的耦合电容Ccd21连接，像素电极17c经过连接到扫描信号线16y的晶体管12c连接到数据信号线15x，在像素电极17c与保持电容配线18q之间形成有保持电容Chc，在像素电极17d与保持电容配线18q之间形成有保持电容Chd，在像素电极17c与共用电极com间形成有液晶电容Clc，在像素电极17d与共用电极com间形成有液晶电容Cld。
另外，在与像素101在行方向上邻接的像素103中，像素电极17A、17B经过在俯视时在行方向上并联配置的耦合电容CAB1、CAB2以及与耦合电容CAB2在层叠方向上并联配置的耦合电容CAB21连接，像素电极17A经过连接到扫描信号线16x的晶体管12A连接到数据信号线15y，在像素电极17A与保持电容配线18p之间形成有保持电容ChA，在像素电极17B与保持电容配线18p之间形成有保持电容ChB，在像素电极17A与共用电极com间形成有液晶电容ClA，在像素电极17B与共用电极com间形成有液晶电容ClB。
当在具备本液晶面板的液晶显示装置中如图5那样驱动数据信号线15x、15y时，在帧F1中，包括像素电极17a(正极性)的子像素为“亮”，包括像素电极17b(正极性)的子像素为“暗”，包括像素电极17c(负极性)的子像素为“亮”，包括像素电极17d(负极性)的子像素为“暗”，包括像素电极17A(负极性)的子像素为“亮”，包括像素电极17B(负极性)的子像素为“暗”，作为整体成为图6(a)那样。另外，在帧F2中，包括像素电极17a(负)的子像素为“亮”，包括像素电极17b(负)的子像素为“暗”，包括像素电极17c(正极性)的子像素为“亮”，包括像素电极17d(正极性)的子像素为“暗”，包括像素电极17A(正极性)的子像素为“亮”，包括像素电极17B(正极性)的子像素为“暗”，作为整体成为图6(b)那样。
图21示出图20的像素101的具体例。如该图所示，晶体管12a配置在数据信号线15x和扫描信号线16x的交叉部附近，在由两个信号线(15x、16x)划分的像素区域中，长方形形状的像素电极17a和长方形形状的像素电极17b在列方向上排列，成为第1像素电极的外周的4边中的1边与成为第2像素电极的外周的4边中的1边邻接。第1、第2上层电容电极37a、37b各自与像素电极17a重叠配置。另外，第1下层电容电极47a与像素电极17a和第2上层电容电极37b重叠配置，第2下层电容电极47b与像素电极17a和第1上层电容电极37a重叠配置。保持电容配线18p具备从该保持电容配线18p分支的保持电容配线延伸部，在俯视时与像素电极17a、17b的边缘的一部分重叠地延伸设置。
更详细地说，在与像素电极17a重叠的区域中，第1上层电容电极37a和第2上层电容电极37b在行方向上并列配置，第1下层电容电极47a和第2下层电容电极47b在行方向上并列配置，第1上层电容电极37a与第2下层电容电极47b重叠，并且第2上层电容电极37b与第1下层电容电极47a重叠，这些重叠部分在行方向上并列配置。保持电容配线18p的保持电容配线延伸部包围像素区域设置，与像素电极17a、17b的除了形成间隙的两边以外的各自的3边重叠。
并且，在扫描信号线16x上形成有晶体管12a的源极电极8a和漏极电极9a，源极电极8a连接到数据信号线15x。漏极电极9a连接到漏极引出配线27a，漏极引出配线27a连接到接触电极77a，接触电极77a经过接触孔11a连接到像素电极17a。
与漏极引出配线27a形成于同一层的第1上层电容电极37a隔着栅极绝缘膜与第2下层电容电极47b重叠，并且连接到第1上层电容电极37a的第1上层电容电极延伸部28a连接到接触电极78a，接触电极78a经过接触孔68a连接到像素电极17a。连接到第2下层电容电极47b的第2下层电容电极延伸部28b连接到接触电极78b，接触电极78b经过接触孔68b连接到像素电极17b。由此，在第1上层电容电极37a与第2下层电容电极47b的重叠部分形成有像素电极17a、17b间的耦合电容Cab1(参照图20)。
另外，第2上层电容电极37b隔着栅极绝缘膜与第1下层电容电极47a重叠，并且隔着层间绝缘膜与像素电极17a重叠。连接到第2上层电容电极37b的第2上层电容电极延伸部29b连接到接触电极79b，接触电极79b经过接触孔69b连接到像素电极17b。连接到第1下层电容电极47a的第1下层电容电极延伸部29a连接到接触电极79a，接触电极79a经过接触孔69a连接到像素电极17a。由此，在第2上层电容电极37b与第1下层电容电极47a的重叠部分形成有像素电极17a、17b间的耦合电容Cab2(参照图20)，在第2上层电容电极37b与像素电极17a的重叠部分形成有像素电极17a、17b间的耦合电容Cab21(参照图20)。
另外，像素电极17a与保持电容配线18p隔着层间绝缘膜和栅极绝缘膜重叠，在两者的重叠部分形成有保持电容Cha(参照图20)。另外，像素电极17b与保持电容配线18p隔着层间绝缘膜和栅极绝缘膜重叠，在两者的重叠部分形成有保持电容Chb(参照图20)。此外，其它像素的结构(各部件的形状和配置以及连接关系)与像素101的结构相同。
根据该结构，包括像素电极17a的子像素为“亮”，包括像素电极17b的子像素为“暗”。
图22是图21的X1-Y1向视截面图。如该图所示，本液晶面板具备有源矩阵基板3、与有源矩阵基板3相对的彩色滤光片基板30以及配置在两个基板(3、30)间的液晶层40。
在有源矩阵基板3中，在玻璃基板31上形成有第2下层电容电极47b、第2下层电容电极延伸部28b以及接触电极78b，覆盖它们形成有无机栅极绝缘膜22。此外，虽未图示，扫描信号线也形成在基板上。在无机栅极绝缘膜22的上层形成有：半导体层(i层和n+层，未图示)、与n+层接触的源极电极和漏极电极(均未图示)、第1上层电容电极37a、第1上层电容电极延伸部28a以及接触电极78a，覆盖它们形成有无机层间绝缘膜25。在无机层间绝缘膜25上形成有像素电极17a、17b，而且覆盖它们(像素电极17a、17b)形成有取向膜(未图示)。
在此，用接触孔68a贯通无机层间绝缘膜25，由此连接像素电极17a和接触电极78a。另外，用接触孔68b贯通无机层间绝缘膜25和无机栅极绝缘膜22，由此连接像素电极17b和接触电极78b。即，将像素电极17a与第1上层电容电极37a电连接，将像素电极17b与第2下层电容电极47b电连接。并且，第1上层电容电极37a与第2下层电容电极47b隔着无机栅极绝缘膜22重叠，由此形成有耦合电容Cab1(参照图20)。此外，在第1上层电容电极37a的上层隔着无机层间绝缘膜25形成有像素电极17a。
图23是图21的X2-Y2向视截面图。如该图所示，在有源矩阵基板3中，在玻璃基板31上形成有第1下层电容电极47a、第1下层电容电极延伸部29a以及接触电极79a，覆盖它们形成有无机栅极绝缘膜22。此外，虽未图示，扫描信号线也形成在基板上。在无机栅极绝缘膜22的上层形成有：半导体层(i层和n+层，未图示)、与n+层接触的源极电极和漏极电极(均未图示)、第2上层电容电极37b、第2上层电容电极延伸部29b以及接触电极79b，覆盖它们形成有无机层间绝缘膜25。在无机层间绝缘膜25上形成有像素电极17a、17b，而且覆盖它们(像素电极17a、17b)形成有取向膜(未图示)。
在此，用接触孔69a贯通无机层间绝缘膜25和无机栅极绝缘膜22，由此连接像素电极17a和接触电极79a。另外，用接触孔69b贯通无机层间绝缘膜25，由此连接像素电极17b和接触电极79b。即，将像素电极17a与第1下层电容电极47a电连接，将像素电极17b与第2上层电容电极37b电连接。并且，第2上层电容电极37b与第1下层电容电极47a隔着无机栅极绝缘膜22重叠，由此形成有耦合电容Cab2(参照图20)。另外，第2上层电容电极37b与像素电极17a隔着无机层间绝缘膜25重叠，由此形成有耦合电容Cab21(参照图20)。
此外，如图22和图23所示，在彩色滤光片基板30中，在玻璃基板32上形成有着色层14，在其上层形成有共用电极(com)28，而且覆盖其形成有取向膜(未图示)。
在图21的液晶面板中，利用平面地并联的2个耦合电容((Cab1)、(Cab2+Cab21))连接(电容耦合)像素电极17a和像素电极17b，因此例如在图21的P处第1上层电容电极37a、第2下层电容电极47b或者数据信号线15x(在制造工序等中)发生短路的情况下，进行将第1上层电容电极37a在接触孔68a和短路位置之间用激光切断的修正工序，由此能维持像素电极17a、17b的电容耦合。此外，在第1上层电容电极37a与第2下层电容电极47b发生短路，进行上述激光切断的情况下，像素电极17b与第1上层电容电极37a导通，成为相同电位，第1上层电容电极37a与像素电极17a隔着无机层间绝缘膜25重叠，从而能维持像素电极17a与像素电极17b的电容耦合。而且，在制造工序等中接触孔68a形成得不合格的情况下，也能维持像素电极17a、17b的电容耦合。此外，在第2上层电容电极37b、第1下层电容电极47a或者像素电极17a发生短路的情况下，只要将第2上层电容电极37b在接触孔69b和短路位置之间用激光切断即可。
在进行上述修正工序的情况下，例如从有源矩阵基板的里面(玻璃基板侧)对第1上层电容电极延伸部28a(接触孔68a以后的部分)照射激光来将其切断。此外，在第1上层电容电极37与数据信号线15x或者像素电极17b发生短路的情况下，利用激光等除去(修整)像素电极17a中的接触孔68a内的部分，使像素电极17a与第1上层电容电极37a电分离，由此也能维持像素电极17a、17b的电容耦合。
由上所述，根据本实施方式，能提高液晶面板、液晶面板所用的有源矩阵基板的制造成品率。
另外，在图21的液晶面板中具有如下优点：第1、第2下层电容电极47a、47b分别比第1、第2上层电容电极37a、37b面积大，因此在各电容电极的对准发生某种程度的偏差的情况下，第1下层电容电极47a与第2上层电容电极37b的重叠面积和第2下层电容电极47b与第1上层电容电极37a的重叠面积，即耦合电容((Cab1)、(Cab2+Cab21))的总量不易变化。此外，也可以是第1、第2上层电容电极37a、37b分别比第1、第2下层电容电极47a、47b面积大的结构，在这种情况下也能得到与上述同样的效果。
也可以将图21的像素101变形为图25那样。此外，图24是与图25的液晶面板对应的等效电路图。如图24所示，例如在像素101中，像素电极17a、17b经过在俯视时在行方向上并联配置的耦合电容Cab1、Cab2以及与耦合电容Cab1在层叠方向上并联配置的耦合电容Cab11连接，像素电极17a经过连接到扫描信号线16x的晶体管12a连接到数据信号线15x，在像素电极17a与保持电容配线18p之间形成有保持电容Cha，在像素电极17b与保持电容配线18p之间形成有保持电容Chb，在像素电极17a和共用电极com间形成有液晶电容Cla，在像素电极17b和共用电极com间形成有液晶电容Clb。
更详细地说，如图25所示，第1、第2上层电容电极37a、37b各自与像素电极17b重叠配置。第1下层电容电极47a与像素电极17b和第2上层电容电极37b重叠配置，第2下层电容电极47b与像素电极17b和第1上层电容电极37a重叠配置。保持电容配线18p具备从该保持电容配线18p分支的保持电容配线延伸部，在俯视时与像素电极17a、17b的边缘的一部分重叠地延伸设置。
更详细地说，在与像素电极17b重叠的区域中，第1上层电容电极37a和第2上层电容电极37b在行方向上并列配置，第1下层电容电极47a和第2下层电容电极47b在行方向上并列配置，第1上层电容电极37a与第2下层电容电极47b重叠，并且第2上层电容电极37b与第1下层电容电极47a重叠，这些重叠部分在行方向上并列配置。保持电容配线18p的保持电容配线延伸部包围像素区域设置，与像素电极17a、17b的除了形成间隙的两边以外各自的3边重叠。
并且，在扫描信号线16x上形成有晶体管12a的源极电极8a和漏极电极9a，源极电极8a连接到数据信号线15x。漏极电极9a连接到漏极引出配线27a，漏极引出配线27a连接到接触电极77a，接触电极77a经过接触孔11a连接到像素电极17a。
第1上层电容电极37a隔着栅极绝缘膜与第2下层电容电极47b重叠，并且隔着层间绝缘膜与像素电极17b重叠。连接到第1上层电容电极37a的第1上层电容电极延伸部28a连接到接触电极78a，接触电极78a经过接触孔68a连接到像素电极17a。连接到第2下层电容电极47b的第2下层电容电极延伸部28b连接到接触电极78b，接触电极78b经过接触孔68b连接到像素电极17b。由此，在第1上层电容电极37a与第2下层电容电极47b的重叠部分形成有像素电极17a、17b间的耦合电容Cab1(参照图24)，在第1上层电容电极37a与像素电极17b的重叠部分形成有像素电极17a、17b间的耦合电容Cab11(参照图24)。
另外，第2上层电容电极37b隔着栅极绝缘膜与第1下层电容电极47a重叠，并且连接到第2上层电容电极37b的第2上层电容电极延伸部29b连接到接触电极79b，接触电极79b经过接触孔69b连接到像素电极17b。连接到第1下层电容电极47a的第1下层电容电极延伸部29a连接到接触电极79a，接触电极79a经过接触孔69a连接到像素电极17a。由此，在第2上层电容电极37b与第1下层电容电极47a的重叠部分形成有像素电极17a、17b间的耦合电容Cab2(参照图24)。
另外，像素电极17a与保持电容配线18p隔着层间绝缘膜和栅极绝缘膜重叠，在两者的重叠部分形成有保持电容Cha(参照图24)。另外，像素电极17b与保持电容配线18p隔着层间绝缘膜和栅极绝缘膜重叠，在两者的重叠部分形成有保持电容Chb(参照图24)。
图26是图25的X1-Y1向视截面图。如该图所示，本液晶面板具备：有源矩阵基板3、与该有源矩阵基板3相对的彩色滤光片基板30以及配置在两个基板(3、30)间的液晶层40。
在有源矩阵基板3中，在玻璃基板31上形成有第2下层电容电极47b、第2下层电容电极延伸部28b以及接触电极78b，覆盖它们形成有无机栅极绝缘膜22。此外，虽未图示，扫描信号线也形成在基板上。在无机栅极绝缘膜22的上层形成有：半导体层(i层和n+层，未图示)、与n+层接触的源极电极和漏极电极(均未图示)、第1上层电容电极37a、第1上层电容电极延伸部28a以及接触电极78a，覆盖它们形成有无机层间绝缘膜25。在无机层间绝缘膜25上形成有像素电极17a、17b，而且覆盖它们(像素电极17a、17b)形成有取向膜(未图示)。
在此，用接触孔68a贯通无机层间绝缘膜25，由此连接像素电极17a和接触电极78a。另外，用接触孔68b贯通无机层间绝缘膜25和无机栅极绝缘膜22，由此连接像素电极17b和接触电极78b。即，将像素电极17a与第1上层电容电极37a电连接，将像素电极17b与第2下层电容电极47b电连接。并且，第1上层电容电极37a与第2下层电容电极47b隔着无机栅极绝缘膜22重叠，由此形成耦合电容Cab1(参照图24)。另外，第1上层电容电极37a与像素电极17b隔着无机层间绝缘膜25重叠，由此形成有耦合电容Cab11(参照图24)。
图27是图25的X2-Y2向视截面图。如该图所示，在有源矩阵基板3中，在玻璃基板31上形成有第1下层电容电极47a、第1下层电容电极延伸部29a以及接触电极79a，覆盖它们形成有无机栅极绝缘膜22。此外，虽未图示，扫描信号线也形成在基板上。在无机栅极绝缘膜22的上层形成有：半导体层(i层和n+层，未图示)、与n+层接触的源极电极和漏极电极(均未图示)、第2上层电容电极37b、第2上层电容电极延伸部29b以及接触电极79b，覆盖它们形成有无机层间绝缘膜25。在无机层间绝缘膜25上形成有像素电极17a、17b，而且覆盖它们(像素电极17a、17b)形成有取向膜(未图示)。
在此，用接触孔69a贯通无机层间绝缘膜25和无机栅极绝缘膜22，由此连接像素电极17a和接触电极79a。另外，用接触孔69b贯通无机层间绝缘膜25，由此连接像素电极17b和接触电极79b。即，将像素电极17a与第1下层电容电极47a电连接，将像素电极17b与第2上层电容电极37b电连接。并且，第2上层电容电极37b与第1下层电容电极47a隔着无机栅极绝缘膜22重叠，由此形成有耦合电容Cab2(参照图24)。此外，在第2上层电容电极37b的上层隔着无机层间绝缘膜25形成有像素电极17b。
此外，如图26和图27所示，在彩色滤光片基板30中，在玻璃基板32上形成有着色层14，在其上层形成有共用电极(com)28，而且覆盖它形成有取向膜(未图示)。
在图25的液晶面板中，利用平面地并联的2个耦合电容((Cab1+Cab11)、(Cab2))连接(电容耦合)像素电极17a和像素电极17b，因此例如在图25的P处第2上层电容电极37b、第1下层电容电极47a或者数据信号线15y(在制造工序等中)发生短路的情况下，进行将第2上层电容电极37b在接触孔69b和短路位置之间用激光切断的修正工序，由此能维持像素电极17a、17b的电容耦合。此外，在第2上层电容电极37b与第1下层电容电极47a发生短路，进行了上述激光切断的情况下，像素电极17a与第2上层电容电极37b导通，成为相同电位，第2上层电容电极37b与像素电极17b隔着无机层间绝缘膜25重叠，从而能维持像素电极17a与像素电极17b的电容耦合。
也可以将图21和图25的像素101变形为图28那样。在图28的结构中，省略图21中的第1下层电容电极47a，各自的一部分被切去的长方形形状的像素电极17a、17b相互咬合地在列方向上排列。第1上层电容电极37a与像素电极17b重叠配置，第2上层电容电极37b与像素电极17a重叠地在行方向上与第1上层电容电极37a并列配置。另外，第2下层电容电极47b与像素电极17b和第1上层电容电极37a重叠配置。即，第1上层电容电极37a和第2上层电容电极37b在行方向上并列配置，第2下层电容电极47b、第1上层电容电极37a和像素电极17b按顺序在层叠方向上重叠，并且第2上层电容电极37b与像素电极17a在层叠方向上重叠，这些重叠部分在行方向上并列配置。保持电容配线18p的保持电容配线延伸部包围像素区域地设置，与像素电极17a、17b的除了形成间隙的两边以外的各自的3边重叠。
在扫描信号线16x上形成有晶体管12a的源极电极8a和漏极电极9a，源极电极8a连接到数据信号线15x。漏极电极9a连接到漏极引出配线27a，漏极引出配线27a连接到接触电极77a，接触电极77a经过接触孔11a连接到像素电极17a。
第1上层电容电极37a隔着栅极绝缘膜与第2下层电容电极47b重叠，并且隔着层间绝缘膜与像素电极17b重叠。连接到第1上层电容电极37a的第1上层电容电极延伸部28a连接到接触电极78a，接触电极78a经过接触孔68a连接到像素电极17a。连接到第2下层电容电极47b的第2下层电容电极延伸部28b连接到接触电极78b，接触电极78b经过接触孔68b连接到像素电极17b。由此，在第1上层电容电极37a与第2下层电容电极47b的重叠部分形成有像素电极17a、17b间的耦合电容Cab1(参照图24)，在第1上层电容电极37a与像素电极17b的重叠部分形成有像素电极17a、17b间的耦合电容Cab11(参照图24)。
另外，第2上层电容电极37b隔着层间绝缘膜与像素电极17a重叠。连接到第2上层电容电极37b的第2上层电容电极延伸部29b连接到接触电极79b，接触电极79b经过接触孔69b连接到像素电极17b。由此，在第2上层电容电极37b与像素电极17a的重叠部分形成有像素电极17a、17b间的耦合电容Cab2(参照图24)。
另外，像素电极17a与保持电容配线18p隔着层间绝缘膜和栅极绝缘膜重叠，在两者的重叠部分形成有保持电容Cha(参照图24)。另外，像素电极17b与保持电容配线18p隔着层间绝缘膜和栅极绝缘膜重叠，在两者的重叠部分形成有保持电容Chb(参照图24)。此外，其它像素的结构(各部件的形状和配置以及连接关系)与像素101的结构相同。
根据该结构，包括像素电极17a的子像素为“亮”，包括像素电极17b的子像素为“暗”。
也可以将图28的像素101变形为图29那样。在图29的结构中，省略与像素电极17b重叠的第2下层电容电极47b，第1下层电容电极47a与像素电极17a重叠。即，第1上层电容电极37a和第2上层电容电极37b在行方向上并列配置，第1上层电容电极37a和像素电极17b在层叠方向上重叠，并且第1下层电容电极47a、第2上层电容电极37b和像素电极17a按顺序在层叠方向上重叠，这些重叠部分在行方向上并列配置。
更详细地说，第1上层电容电极37a隔着层间绝缘膜与像素电极17b重叠，连接到第1上层电容电极37a的第1上层电容电极延伸部28a连接到接触电极78a，接触电极78a经过接触孔68a连接到像素电极17a。由此，在第1上层电容电极37a与像素电极17b的重叠部分形成有像素电极17a、17b间的耦合电容Cab1(参照图24)。
另外，第2上层电容电极37b隔着栅极绝缘膜与第1下层电容电极47a重叠，并且连接到第2上层电容电极37b的第2上层电容电极延伸部29b连接到接触电极79b，接触电极79b经过接触孔69b连接到像素电极17b。连接到第1下层电容电极47a的第1下层电容电极延伸部29a连接到接触电极79a，接触电极79a经过接触孔69a连接到像素电极17a。由此，在第2上层电容电极37b与第1下层电容电极47a的重叠部分形成有像素电极17a、17b间的耦合电容Cab2(参照图24)，在第2上层电容电极37b与像素电极17a的重叠部分形成有像素电极17a、17b间的耦合电容Cab21(未图示)。
根据这些图28和图29的结构，能提高液晶面板、液晶面板所用的有源矩阵基板的制造成品率。
〔实施方式3〕
图30是实施方式3的液晶面板的一部分的等效电路图。如图30所示，本液晶面板具备：在列方向(图中上下方向)上延伸的数据信号线(15x、15y)、在行方向(图中左右方向)上延伸的扫描信号线(16x、16y)、在行和列方向上排列的像素(101～104)、保持电容配线(18p、18q)以及共用电极(相对电极)com，各像素的构造相同。此外，包括像素101、102的像素列与包括像素103、104的像素列邻接，包括像素101、103的像素行与包括像素102、104的像素行邻接。
在本液晶面板中，与1个像素对应设有1个数据信号线和1个扫描信号线。在1个像素中，在列方向上排列设有2个像素电极，设于像素101的2个像素电极17a、17b和设于像素102的2个像素电极17c、17d配置为一列，并且设于像素103的2个像素电极17A、17B和设于像素104的2个像素电极17C、17D配置为一列，像素电极17a与17A、像素电极17b与17B、像素电极17c与17C、像素电极17d与17D分别在行方向上邻接。
在像素101中，像素电极17a、17b经过在俯视时在行方向上并联配置的耦合电容Cab1、Cab2、与该耦合电容Cab1在层叠方向上并联配置的耦合电容Cab11以及与该耦合电容Cab2在层叠方向上并联配置的耦合电容Cab21连接，像素电极17a经过连接到扫描信号线16x的晶体管12a连接到数据信号线15x，在像素电极17a与保持电容配线18p之间形成有保持电容Cha，在像素电极17b与保持电容配线18p之间形成有保持电容Chb，在像素电极17a与共用电极com间形成有液晶电容Cla，在像素电极17b与共用电极com间形成有液晶电容Clb。
另外，在与像素101在列方向上邻接的像素102中，像素电极17c、17d经过在俯视时在行方向上并联配置的耦合电容Ccd1、Ccd2、与该耦合电容Ccd1在层叠方向上并联配置的耦合电容Ccd11、与该耦合电容Ccd2在层叠方向上并联配置的耦合电容Ccd21连接，像素电极17c经过连接到扫描信号线16y的晶体管12c连接到数据信号线15x，在像素电极17c与保持电容配线18q之间形成有保持电容Chc，在像素电极17d与保持电容配线18q之间形成有保持电容Chd，在像素电极17c与共用电极com间形成有液晶电容Clc，在像素电极17d与共用电极com间形成有液晶电容Cld。
另外，在与像素101在行方向上邻接的像素103中，像素电极17A、17B经过在俯视时在行方向上并联配置的耦合电容CAB1、CAB2、与该耦合电容CAB1在层叠方向上并联配置的耦合电容CAB11以及与该耦合电容CAB2在层叠方向上并联配置的耦合电容CAB21连接，像素电极17A经过连接到扫描信号线16x的晶体管12A连接到数据信号线15y，在像素电极17A与保持电容配线18p之间形成有保持电容ChA，在像素电极17B与保持电容配线18p之间形成有保持电容ChB，在像素电极17A与共用电极com间形成有液晶电容ClA，在像素电极17B与共用电极com间形成有液晶电容ClB。
当在具备本液晶面板的液晶显示装置中如图5那样驱动数据信号线15x、15y时，在帧F1中，包括像素电极17a(正极性)的子像素为“亮”，包括像素电极17b(正极性)的子像素为“暗”，包括像素电极17c(负极性)的子像素为“亮”，包括像素电极17d(负极性)的子像素为“暗”，包括像素电极17A(负极性)的子像素为“亮”，包括像素电极17B(负极性)的子像素为“暗”，作为整体如图6(a)那样。另外，在帧F2中，包括像素电极17a(负)的子像素为“亮”，包括像素电极17b(负)的子像素为“暗”，包括像素电极17c(正极性)的子像素为“亮”，包括像素电极17d(正极性)的子像素为“暗”，包括像素电极17A(正极性)的子像素为“亮”，包括像素电极17B(正极性)的子像素为“暗”，作为整体如图6(b)那样。
图31示出图30的像素101的具体例。如该图所示，晶体管12a配置在数据信号线15x和扫描信号线16x的交叉部附近，在由两个信号线(15x、16x)划分的像素区域中，各自的一部分被切去的长方形形状的像素电极17a、17b相互咬合地在列方向上排列。第1上层电容电极37a与像素电极17b重叠配置，第2上层电容电极37b与像素电极17a重叠配置。另外，第1下层电容电极47a与像素电极17a和第2上层电容电极37b重叠配置，第2下层电容电极47b与像素电极17b和第1上层电容电极37a重叠配置。保持电容配线18p具备从该保持电容配线18p分支的保持电容配线延伸部，在俯视时与像素电极17a、17b的边缘的一部分重叠地延伸设置。
更详细地说，第1上层电容电极37a和第2上层电容电极37b在行方向上并列配置，第1下层电容电极47a和第2下层电容电极47b在行方向上并列配置，第2下层电容电极47b、第1上层电容电极37a和像素电极17b按顺序在层叠方向上重叠，并且第1下层电容电极47a、第2上层电容电极37b和像素电极17a按顺序在层叠方向上重叠，这些重叠部分在行方向上并列配置。保持电容配线18p的保持电容配线延伸部包围像素区域地设置，与像素电极17a、17b的除了形成间隙的各边以外的各自的3边重叠。
并且，在扫描信号线16x上形成有晶体管12a的源极电极8a和漏极电极9a，源极电极8a连接到数据信号线15x。漏极电极9a连接到漏极引出配线27a，漏极引出配线27a连接到接触电极77a，接触电极77a经过接触孔11a连接到像素电极17a。
第1上层电容电极37a隔着栅极绝缘膜与第2下层电容电极47b重叠，并且隔着层间绝缘膜与像素电极17b重叠。连接到第1上层电容电极37a的第1上层电容电极延伸部28a连接到接触电极78a，接触电极78a经过接触孔68a连接到像素电极17a。连接到第2下层电容电极47b的第2下层电容电极延伸部28b连接到接触电极78b，接触电极78b经过接触孔68b连接到像素电极17b。由此，在第1上层电容电极37a与第2下层电容电极47b的重叠部分形成有像素电极17a、17b间的耦合电容Cab1(参照图30)，在第1上层电容电极37a与像素电极17b的重叠部分形成有像素电极17a、17b间的耦合电容Cab11(参照图30)。
另外，第2上层电容电极37b隔着栅极绝缘膜与第1下层电容电极47a重叠，并且隔着层间绝缘膜与像素电极17a重叠。连接到第2上层电容电极37b的第2上层电容电极延伸部29b连接到接触电极79b，接触电极79b经过接触孔69b连接到像素电极17b。连接到第1下层电容电极47a的第1下层电容电极延伸部29a连接到接触电极79a，接触电极79a经过接触孔69a连接到像素电极17a。由此，在第2上层电容电极37b与第1下层电容电极47a的重叠部分形成有像素电极17a、17b间的耦合电容Cab2(参照图30)，在第2上层电容电极37b与像素电极17a的重叠部分形成有像素电极17a、17b间的耦合电容Cab21(参照图30)。
另外，像素电极17a与保持电容配线18p隔着层间绝缘膜和栅极绝缘膜重叠，在两者的重叠部分形成有保持电容Cha(参照图30)。另外，像素电极17b与保持电容配线18p隔着层间绝缘膜和栅极绝缘膜重叠，在两者的重叠部分形成有保持电容Chb(参照图30)。此外，其它像素的结构(各部件的形状和配置以及连接关系)与像素101的结构相同。
根据该结构，包括像素电极17a的子像素为“亮”，包括像素电极17b的子像素为“暗”。
图32是图31的X1-Y1向视截面图。如该图所示，本液晶面板具备：有源矩阵基板3、与有源矩阵基板3相对的彩色滤光片基板30以及配置在两个基板(3、30)间的液晶层40。
在有源矩阵基板3中，在玻璃基板31上形成有第2下层电容电极47b、第2下层电容电极延伸部28b以及接触电极78b，覆盖它们形成有无机栅极绝缘膜22。此外，虽未图示，扫描信号线也形成在基板上。在无机栅极绝缘膜22的上层形成有：半导体层(i层和n+层，未图示)、与n+层接触的源极电极和漏极电极(均未图示)、第1上层电容电极37a、第1上层电容电极延伸部28a以及接触电极78a，覆盖它们形成有无机层间绝缘膜25。在无机层间绝缘膜25上形成有像素电极17a、17b，而且覆盖它们(像素电极17a、17b)形成有取向膜(未图示)。
在此，用接触孔68a贯通无机层间绝缘膜25，由此连接像素电极17a和接触电极78a。另外，用接触孔68b贯通无机层间绝缘膜25和无机栅极绝缘膜22，由此连接像素电极17b和接触电极78b。即，将像素电极17a与第1上层电容电极37a电连接，将像素电极17b与第2下层电容电极47b电连接。并且，第1上层电容电极37a与第2下层电容电极47b隔着无机栅极绝缘膜22重叠，由此形成有耦合电容Cab1(参照图30)。另外，第1上层电容电极37a与像素电极17b隔着无机层间绝缘膜25重叠，由此形成有耦合电容Cab11(参照图30)。
图33是图31的X2-Y2向视截面图。如该图所示，在有源矩阵基板3中，在玻璃基板31上形成有第1下层电容电极47a、第1下层电容电极延伸部29a以及接触电极79a，覆盖它们形成有无机栅极绝缘膜22。此外，虽未图示，扫描信号线也形成在基板上。在无机栅极绝缘膜22的上层形成有：半导体层(i层和n+层，未图示)、与n+层接触的源极电极和漏极电极(均未图示)、第2上层电容电极37b、第2上层电容电极延伸部29b以及接触电极79b，覆盖它们形成有无机层间绝缘膜25。在无机层间绝缘膜25上形成有像素电极17a、17b，而且覆盖它们(像素电极17a、17b)形成有取向膜(未图示)。
在此，用接触孔69a贯通无机层间绝缘膜25和无机栅极绝缘膜22，由此连接像素电极17a和接触电极79a。另外，用接触孔69b贯通无机层间绝缘膜25，由此连接像素电极17b和接触电极79b。即，将像素电极17a与第1下层电容电极47a电连接，将像素电极17b与第2上层电容电极37b电连接。并且，第2上层电容电极37b与第1下层电容电极47a隔着无机栅极绝缘膜22重叠，由此形成有耦合电容Cab2(参照图30)。另外，第2上层电容电极37b与像素电极17a隔着无机层间绝缘膜25重叠，由此形成有耦合电容Cab21(参照图30)。
此外，如图32和图33所示，在彩色滤光片基板30中，在玻璃基板32上形成有着色层14，在其上层形成有共用电极(com)28，而且覆盖它形成有取向膜(未图示)。
在图31的液晶面板中，利用平面地并联的2个耦合电容((Cab1+Cab11)、(Cab2+Cab21))连接(电容耦合)像素电极17a和像素电极17b，因此例如在图31的P处第1上层电容电极37a、第2下层电容电极47b或者像素电极17b(在制造工序等中)发生短路的情况下，进行将第1上层电容电极37a在接触孔68a和短路位置之间用激光切断的修正工序，由此能维持像素电极17a、17b的电容耦合。而且，在制造工序等中接触孔68a形成得不合格的情况下，也能维持像素电极17a、17b的电容耦合。此外，在第2上层电容电极37b、第1下层电容电极47a或者像素电极17a发生短路的情况下，只要将第2上层电容电极37b在接触孔69b和短路位置之间用激光切断即可。
在进行上述修正工序的情况下，例如从有源矩阵基板的里面(玻璃基板侧)对第1上层电容电极延伸部28a(接触孔68a以后的部分)照射激光将其切断。此外，在第1上层电容电极37a、第2下层电容电极47b或者像素电极17b发生短路的情况下，利用激光等除去(修整)像素电极17a中的接触孔68a内的部分，使像素电极17a与第1上层电容电极37a电分离，由此也能维持像素电极17a、17b的电容耦合。
由上所述，根据本实施方式，能提高液晶面板、液晶面板所用的有源矩阵基板的制造成品率。另外，形成耦合电容的重叠部除了平面的并联配置以外，在层叠方向上也并联配置，因此与图2的液晶面板相比能使耦合电容值变大。因此，例如，电容电极的面积较小也能得到所希望的耦合电容值，因此能维持电容耦合并且实现开口率的提高。
另外，在图31的液晶面板中具有如下优点：第1、第2下层电容电极47a、47b分别比第1、第2上层电容电极37a、37b面积大，因此在各电容电极的对准存在某种程度的偏差的情况下，第1下层电容电极47a与第2上层电容电极37b的重叠面积和第2下层电容电极47b与第1上层电容电极37a的重叠面积，即耦合电容((Cab1+Cab11)、(Cab2+Cab21))的总量不易变化。此外，也可以是第1、第2上层电容电极37a、37b分别比第1、第2下层电容电极47a、47b面积大的结构，在这种情况下也能得到与上述同样的效果。
〔实施方式4〕
图34是实施方式4的液晶面板的一部分的等效电路图。如图34所示，在本液晶面板中具备：在列方向(图中上下方向)上延伸的数据信号线(15x、15y)、在行方向(图中左右方向)上延伸的扫描信号线(16x、16y)、在行和列方向上排列的像素(101～104)、保持电容配线(18p、18q)以及共用电极(相对电极)com，各像素的构造相同。此外，包括像素101、102的像素列与包括像素103、104的像素列邻接，包括像素101、103的像素行与包括像素102、104的像素行邻接。
在本液晶面板中，与1个像素对应设有1个数据信号线和1个扫描信号线。另外，在1个像素中，设为2个像素电极中的一方包围另一方，在像素101中设有像素电极17b和包围它的像素电极17a，在像素102中设有像素电极17d和包围它的像素电极17c，在像素103中设有像素电极17B和包围它的像素电极17A，在像素104中设有像素电极17D和包围它的像素电极17C。
图35示出图34的像素101的具体例。如该图所示，晶体管12a配置在数据信号线15x和扫描信号线16x的交叉部附近，在由两个信号线(15x、16x)划分的像素区域中，配置有在行方向上观察成V字形状的像素电极17b和包围它的像素电极17a，保持电容配线18p横穿像素中央在行方向上延伸。具体地说，像素电极17b包括：位于保持电容配线18p上相对于行方向成大致90°的第1边、从第1边的一端相对于行方向成大致45°延伸的第2边、从第1边的另一端相对于行方向成大致315°延伸的第3边、在保持电容配线18p上具有一端而与第2边平行并且比它短的4边、连接到第4边的一端而与第3边平行并且比它短的5边、连结第2和第4边的第6边以及连结第3和第5边的第7边，像素电极17a的内周包括与上述第1～第7边相对的7个边。
此外，像素电极17b的第1边和与它相对的像素电极17a的内周的一边的间隙为第1间隙K1，像素电极17b的第2边和与它相对的像素电极17a的内周的一边的间隙为第2间隙K2，像素电极17b的第3边和与它相对的像素电极17a的内周的一边的间隙为第3间隙K3，像素电极17b的第4边和与它相对的像素电极17a的内周的一边的间隙为第4间隙K4，像素电极17b的第5边和与它相对的像素电极17a的内周的一边的间隙为第5间隙K5。并且，第1、第2上层电容电极37a、37b分别与第3间隙K3交叉地相对于保持电容配线18p的行方向成大致225°延伸，与像素电极17a和像素电极17b重叠配置。
并且，在扫描信号线16x上形成有晶体管12a的源极电极8a和漏极电极9a，源极电极8a连接到数据信号线15x。漏极电极9a连接到漏极引出配线27a，漏极引出配线27a连接到接触电极77a，接触电极77a经过接触孔11a连接到像素电极17a。
第1上层电容电极37a隔着栅极绝缘膜与第2下层电容电极47b重叠，并且隔着层间绝缘膜与像素电极17b重叠。连接到第1上层电容电极37a的接触电极78a经过接触孔68a连接到像素电极17a。连接到第2下层电容电极47b的接触电极78b经过接触孔68b连接到像素电极17b。由此，在第1上层电容电极37a与第2下层电容电极47b的重叠部分形成有像素电极17a、17b间的耦合电容Cab1(参照图34)，在第1上层电容电极37a与像素电极17b的重叠部分形成有像素电极17a、17b间的耦合电容Cab11(参照图34)。
另外，第2上层电容电极37b隔着栅极绝缘膜与第1下层电容电极47a重叠，并且隔着层间绝缘膜与像素电极17a重叠。连接到第2上层电容电极37b的接触电极79b经过接触孔69b连接到像素电极17b。连接到第1下层电容电极47a的接触电极79a经过接触孔69a连接到像素电极17a。由此，在第2上层电容电极37b与第1下层电容电极47a的重叠部分形成有像素电极17a、17b间的耦合电容Cab2(参照图34)，在第2上层电容电极37b与像素电极17a的重叠部分形成有像素电极17a、17b间的耦合电容Cab21(参照图34)。
另外，像素电极17a与保持电容配线18p隔着层间绝缘膜和栅极绝缘膜重叠，在两者的重叠部分形成有保持电容Cha(参照图34)。另外，像素电极17b与保持电容配线18p隔着层间绝缘膜和栅极绝缘膜重叠，在两者的重叠部分形成有保持电容Chb(参照图34)。此外，其它像素的结构(各部件的形状和配置以及连接关系)与像素101的结构相同。
根据该结构，包括像素电极17a的子像素为“亮”，包括像素电极17b的子像素为“暗”。
在图35的液晶面板中，利用在平面方向和层叠方向上并联的耦合电容((Cab1+Cab11)、(Cab2+Cab21))连接(电容耦合)像素电极17a和像素电极17b，因此与实施方式3的结构同样，能提高液晶面板、液晶面板所用的有源矩阵基板的制造成品率，并且能使耦合电容值变大。因此，例如电容电极的面积较小也能得到所希望的耦合电容值，因此能维持电容耦合并且实现开口率的提高。
另外，在图35的液晶面板中，第1、第2上层电容电极37a、37b分别比第1、第2下层电容电极47a、47b面积大。而且第1上层电容电极37a与第2下层电容电极47b的重叠部(第1重叠部)和第2上层电容电极37b与第1下层电容电极47a的重叠部(第2重叠部)跨越像素电极17a、17b的间隙(第3间隙K3)而构成。由此，在各电容电极的对准出现偏差的情况下，第1上层电容电极37a与第2下层电容电极47b的重叠部产生的耦合电容(Cab1)、第2上层电容电极37b与第1下层电容电极47a的重叠部产生的耦合电容(Cab2)、第1、第2上层电容电极37a、37b与像素电极17a、17b的重叠部产生的耦合电容(Cab11，Cab21)也会相互补偿，具有耦合电容的总量(Cab1+Cab11+Cab2+Cab21)不易变化的优点。
用图47如下说明具体例。图47示出栅极层与源极、漏极层的对准相对于保持电容配线18p的行方向在大致225°方向(图中的箭头方向)出现偏差的状态。与图35的未产生对准偏差的状态相比，第1上层电容电极37a与第2下层电容电极47b的重叠部分的面积减少，因此耦合电容Cab1为Cab1-α，相应地第2上层电容电极37b与第1下层电容电极47a的重叠部分的面积增加，因此耦合电容Cab2为Cab2+α。另外，第1上层电容电极37a与像素电极17b的重叠部分的面积减少，因此耦合电容Cab11为Cab11-β，相应地第2上层电容电极37b与像素电极17a的重叠部分的面积增加，因此耦合电容Cab2为Cab2+β。这样，即使产生对准偏差，也能利用这4个耦合电容将该变动量相互补偿，因此能抑制作为耦合电容整体的电容值(总量)的变动。此外，也可以是第1、第2下层电容电极47a、47b分别比第1、第2上层电容电极37a、37b面积大的结构，在这种情况下也能得到与上述同样的效果。
另外，在图35的液晶面板中，像素电极17a包围电漂浮的像素电极17b，因此该像素电极17a发挥保护电极的功能，能抑制电荷飞入像素电极17b等。由此，能抑制包括像素电极17b的子像素(暗子像素)的残影。
此外，在图35中省略了取向限制用构造物的记载，例如在MVA(多畴垂直取向)方式的液晶面板中，例如图36所示，像素电极17a、17b的间隙K2～K5发挥取向限制用构造物的功能，在彩色滤光片基板的像素电极17b所对应的部分设有与间隙K2、K4平行的肋L3和与间隙K3、K5平行的肋L4，在彩色滤光片基板的像素电极17a所对应的部分设有与间隙K2、K4平行的肋L1、L5和与间隙K3、K5平行的肋L2、L6。此外，也可以在彩色滤光片基板的共用电极中设置取向限制用的狭缝来代替设置上述取向限制用的肋。
在图34中，设于1个像素的2个像素电极中的一方包围另一方，将该包围的一方像素电极连接到晶体管，但是不限于此。也能如图图37那样，设于1个像素的2个像素电极中的一方包围另一方，将该被包围的一方像素电极连接到晶体管。
图38示出图37的像素101的具体例。如该图所示，像素电极17a、17b和保持电容配线18p的形状和配置与图35相同，第1、第2上层电容电极37a、37b各自与第3间隙K3交叉地相对于行方向成大致315°延伸，与像素电极17a和像素电极17b重叠配置。
并且，在扫描信号线16x上形成有晶体管12a的源极电极8a和漏极电极9a，源极电极8a连接到数据信号线15x。漏极电极9a连接到漏极引出配线27a，漏极引出配线27a连接到接触电极77b，接触电极77b经过接触孔11b连接到像素电极17b。
第2上层电容电极37b隔着栅极绝缘膜与第1下层电容电极47a重叠，并且隔着层间绝缘膜与像素电极17a重叠。连接到第2上层电容电极37b的接触电极79b经过接触孔69b连接到像素电极17b。连接到第1下层电容电极47a的接触电极79a经过接触孔69a连接到像素电极17a。由此，在第2上层电容电极37b与第1下层电容电极47a的重叠部分形成有像素电极17a、17b间的耦合电容Cab1(参照图37)，在第2上层电容电极37b与像素电极17a的重叠部分形成有像素电极17a、17b间的耦合电容Cab11(参照图37)。
另外，第1上层电容电极37a隔着栅极绝缘膜与第2下层电容电极47b重叠，并且隔着层间绝缘膜与像素电极17b重叠。连接到第1上层电容电极37a的接触电极78a经过接触孔68a连接到像素电极17a。连接到第2下层电容电极47b的接触电极78b经过接触孔68b连接到像素电极17b。由此，在第1上层电容电极37a与第2下层电容电极47b的重叠部分形成有像素电极17a、17b间的耦合电容Cab2(参照图37)，在第1上层电容电极37a与像素电极17b的重叠部分形成有像素电极17a、17b间的耦合电容Cab21(参照图37)。
另外，像素电极17a与保持电容配线18p隔着层间绝缘膜和栅极绝缘膜重叠，在两者的重叠部分形成有保持电容Cha(参照图37)。另外，像素电极17b与保持电容配线18p隔着层间绝缘膜和栅极绝缘膜重叠，在两者的重叠部分形成有保持电容Chb(参照图37)。此外，其它像素的结构(各部件的形状和配置以及连接关系)与像素101的结构相同。
根据该结构，包括像素电极17a的子像素为“暗”，包括像素电极17b的子像素为“亮”。
在图38的液晶面板中，能提高液晶面板、液晶面板所用的有源矩阵基板的制造成品率，并且能使耦合电容值变大。因此，例如电容电极的面积较小也能得到所希望的耦合电容值，因此能维持电容耦合并且实现开口率的提高。除此以外，由于是与暗子像素对应的像素电极17a包围与亮子像素对应的像素电极17b的结构，因此也能得到能清晰地显示空间频率高的视频的效果。
〔实施方式5〕
图39是实施方式5的液晶面板的一部分的等效电路图。如图39所示，在本液晶面板中具备：在列方向(图中上下方向)上延伸的数据信号线(15x、15y)、在行方向(图中左右方向)上延伸的扫描信号线(16x、16y)、在行和列方向上排列的像素(101～104)、保持电容配线(18p、18q)以及共用电极(相对电极)com，各像素的构造相同。此外，包括像素101、102的像素列与包括像素103、104的像素列邻接，包括像素101、103的像素行与包括像素102、104的像素行邻接。
在本液晶面板中，与1个像素对应设有1个数据信号线和1个扫描信号线。另外，在1个像素中设有3个像素电极，在像素101中设有像素电极17a、17b、17a′，在像素102中设有像素电极17c、17d、17c′，在像素103中设有像素电极17A、17B、17A′，在像素104中设有像素电极17C、17D、17C′。
图40示出图39的像素101的具体例。如该图所示，晶体管12a配置在数据信号线15x和扫描信号线16x的交叉部附近，在由两个信号线(15x、16x)划分的像素区域中，具备：成梯形形状的像素电极17a；成梯形形状的像素电极17a′，其位于相对于保持电容配线18p的行方向大致315°的位置，与像素电极17a相对地配置；以及像素电极17b，其配置在该像素电极17a、17a′间的区域中，与像素电极17a、17a′的形状对应地配置。另外，保持电容配线18p横穿像素电极17a、17b在行方向上延伸。
根据这种结构，像素电极17a、17b、17a′分别如下配置：像素电极17a的一部分接近扫描信号线16x，像素电极17a′的一部分接近扫描信号线16y，像素电极17b的一方端部接近扫描信号线16x，并且另一方端部接近扫描信号线16y。换言之，像素电极17a、17a′各自的至少一部分分别接近扫描信号线16x、16y配置，并且像素电极17b将扫描信号线16x、16y彼此连结地在列方向上延伸配置。
在扫描信号线16x上形成有晶体管12a的源极电极8a和漏极电极9a，源极电极8a连接到数据信号线15x。漏极电极9a连接到漏极引出配线27a，漏极引出配线27a连接到接触电极77a，接触电极77a经过接触孔11a连接到像素电极17a。
第1上层电容电极37a隔着栅极绝缘膜与第2下层电容电极47b重叠，并且隔着层间绝缘膜与像素电极17b重叠。连接到第1上层电容电极37a的第1上层电容电极延伸部28a经过接触孔68a连接到像素电极17a。第2下层电容电极47b经过接触孔68b连接到像素电极17b。由此，在第1上层电容电极37a与第2下层电容电极47b的重叠部分形成有像素电极17a、17b间的耦合电容Cab1(参照图39)，在第1上层电容电极37a与像素电极17b的重叠部分形成有像素电极17a、17b间的耦合电容Cab11(参照图39)。
另外，第2上层电容电极37b隔着栅极绝缘膜与第1下层电容电极47a重叠，并且隔着层间绝缘膜与像素电极17a重叠。连接到第2上层电容电极37b的第2上层电容电极延伸部29b经过接触孔69b连接到像素电极17b。第1下层电容电极47a经过接触孔69a连接到像素电极17a。由此，在第2上层电容电极37b与第1下层电容电极47a的重叠部分形成有像素电极17a、17b间的耦合电容Cab2(参照图39)，在第2上层电容电极37b与像素电极17a的重叠部分形成有像素电极17a、17b间的耦合电容Cab21(参照图39)。
另外，与第1、第2上层电容电极37a、37b形成于同一层的保持电容电极38a经过接触孔70a连接到像素电极17a，由此形成保持电容Cha(参照图39)，与第1、第2上层电容电极37a、37b形成于同一层的保持电容电极38b经过接触孔70b连接到像素电极17b，由此形成有保持电容Chb(参照图39)。此外，其它像素的结构(各部件的形状和配置以及连接关系)与像素101的结构相同。
根据该结构，包括像素电极17a、17a′的子像素为“亮”，包括像素电极17b的子像素为“暗”。
此外，如图40所示，也可以是在像素电极17a′、17b间也形成有耦合电容的结构。具体地说，第3上层电容电极37b′隔着栅极绝缘膜与第3下层电容电极47a′重叠，并且隔着层间绝缘膜与像素电极17a′重叠。连接到第3上层电容电极37b′的第2上层电容电极延伸部29b经过接触孔69b连接到像素电极17b。第3下层电容电极47a′经过接触孔69a′连接到像素电极17a′。由此，在第3上层电容电极37b′与第3下层电容电极47a′的重叠部分形成有像素电极17a′、17b间的耦合电容，在第3上层电容电极37b′与像素电极17a′的重叠部分形成有像素电极17a′、17b间的耦合电容。
由此，能提高液晶面板、液晶面板所用的有源矩阵基板的制造成品率，并且能使耦合电容值变大。
另外，在图40的液晶面板中具有如下优点：第1、第2上层电容电极37a、37b分别比第1、第2下层电容电极47a、47b面积大，因此在各电容电极的对准存在某种程度的偏差的情况下，第1上层电容电极37a与第2下层电容电极47b的重叠面积和第2上层电容电极37b与第1下层电容电极47a的重叠面积，即耦合电容((Cab1+Cab11)、(Cab2+Cab21))的总量也不易变化。此外，也可以是第1、第2下层电容电极47a、47b分别比第1、第2上层电容电极37a、37b面积大的结构，在这种情况下也能得到与上述同样的效果。
在此，图41示出使实施方式1的图2示出的液晶面板为MVA构造的情况的结构。如该图所示，在像素电极17a中设置取向限制用的狭缝S1～S4，在彩色滤光片基板的像素电极17a所对应的部分设置取向限制用的肋L1、L2，在像素电极17b中设置取向限制用的狭缝S5～S8，在彩色滤光片基板的像素电极17b所对应的部分设置取向限制用的肋L3、L4。此外，也可以在彩色滤光片基板的共用电极中设置取向限制用的狭缝来代替设置上述取向限制用的肋。
最后，说明本发明的液晶显示单元和液晶显示装置的结构例。在上述各实施方式中，如下构成本液晶显示单元和液晶显示装置。即，在本液晶面板的两面贴附2个偏光板A、B，使得偏光板A的偏振光轴与偏光板B的偏振光轴相互正交。此外，也可以根据需要对偏光板层叠光学补偿片等。然后，如图42(a)所示，连接驱动器(栅极驱动器202、源极驱动器201)。在此，作为一个例子说明利用TCP(Tape Career Package：卷带式封装)方式连接驱动器。首先，将ACF(Anisotropic Conductive Film：各向异性导电膜)临时压接到液晶面板的端子部。然后，从卷带冲切出载有驱动器的TCP，将其与面板端子电极对准位置，进行加热、主压接。然后，用ACF连接用于将驱动器TCP彼此连结的电路基板209(PWB：Printed Wiring Board：印刷线路板)和TCP的输入端子。由此，完成液晶显示单元200。然后，如图42(b)所示，经过电路基板203将显示控制电路209连接到液晶显示单元的各驱动器(201、202)，与照明装置(背光源单元)204成为一体，由此成为液晶显示装置210。
此外，本申请所说的“电位的极性”，是指在成为基准的电位以上(正)或者在成为基准的电位以下(负)。在此，成为基准的电位可以是共用电极(相对电极)的电位的Vcom(公共电位)，也可以是其它任意电位。
图43表示本液晶显示装置的结构的框图。如该图所示，本液晶显示装置具备：显示部(液晶面板)、源极驱动器(SD)、栅极驱动器(GD)以及显示控制电路。源极驱动器驱动数据信号线，栅极驱动器驱动扫描信号线，显示控制电路驱动源极驱动器和栅极驱动器。
显示控制电路从外部的信号源(例如调谐器)接受表示要显示的图像的数字视频信号Dv、与该数字视频信号Dv对应的水平同步信号HSY和垂直同步信号VSY以及用于控制显示动作的控制信号Dc。另外，显示控制电路根据接受的这些信号Dv、HSY、VSY、Dc，作为用于使该数字视频信号Dv所表示的图像显示于显示部的信号而生成：数据开始脉冲信号SSP、数据时钟信号SCK、电荷共享信号sh、表示要显示的图像的数字图像信号DA(与视频信号Dv对应的信号)、栅极开始脉冲信号GSP、栅极时钟信号GCK以及栅极驱动器输出控制信号(扫描信号输出控制信号)GOE，输出它们。
更详细地说，根据需要对视频信号Dv用内部存储器进行定时调整等之后，作为数字图像信号DA从显示控制电路输出，作为包括与该数字图像信号DA所表示的图像的各像素对应的脉冲的信号生成数据时钟信号SCK，根据水平同步信号HSY作为按1水平扫描期间在规定期间成为高电平(H电平)的信号生成数据开始脉冲信号SSP，根据垂直同步信号VSY作为按1帧期间(1垂直扫描期间)在规定期间成为H电平的信号生成栅极开始脉冲信号GSP，根据水平同步信号HSY生成栅极时钟信号GCK，根据水平同步信号HSY和控制信号Dc生成电荷共享信号sh以及栅极驱动器输出控制信号GOE。
如上述那样在显示控制电路中生成的信号中，数字图像信号DA、电荷共享信号sh、控制信号电位(数据信号电位)的极性的信号POL、数据开始脉冲信号SSP以及数据时钟信号SCK被输入源极驱动器，栅极开始脉冲信号GSP、栅极时钟信号GCK以及栅极驱动器输出控制信号GOE被输入栅极驱动器。
源极驱动器根据数字图像信号DA、数据时钟信号SCK、电荷共享信号sh、数据开始脉冲信号SSP以及极性反转信号POL按1水平扫描期间依次生成与数字图像信号DA所表示的图像的各扫描信号线中的像素值相当的模拟电位(信号电位)，将这些数据信号输出到数据信号线(例如15x、15X)。
栅极驱动器根据栅极开始脉冲信号GSP和栅极时钟信号GCK以及栅极驱动器输出控制信号GOE生成栅极导通脉冲信号，将它们输出到扫描信号线，由此选择地驱动扫描信号线。
如上述那样利用源极驱动器和栅极驱动器驱动显示部(液晶面板)的数据信号线和扫描信号线，由此经过连接到所选择的扫描信号线的晶体管(TFT)从数据信号线对像素电极写入信号电位。由此对各子像素的液晶层施加电压，由此控制来自背光源的光的透过量，使各子像素显示数字视频信号Dv所表示的图像。
下面说明将本液晶显示装置应用于电视接收机时的一个结构例。图44是表示电视接收机用的液晶显示装置800的结构的框图。液晶显示装置800具备：液晶显示单元84、Y/C分离电路80、视频色度电路81、A/D转换器82、液晶控制器83、背光源驱动电路85、背光源86、微机(微型计算机)87以及灰度级电路88。此外，液晶显示单元84包括液晶面板和用于驱动液晶面板的源极驱动器和栅极驱动器。
在上述结构的液晶显示装置800中，首先，从外部对Y/C分离电路80输入作为电视信号的复合彩色视频信号Scv，从而分离为亮度信号和色度信号。这些亮度信号和色度信号由视频色度电路81变换为与光的3原色对应的模拟RGB信号，而且该模拟RGB信号利用A/D转换器82变换为数字RGB信号。该数字RGB信号被输入液晶控制器83。另外，在Y/C分离电路80中，还从由外部输入的复合彩色视频信号Scv取出水平和垂直同步信号，这些同步信号也经过微机87输入液晶控制器83。
在规定的定时将来自液晶控制器83的数字RGB信号和基于上述同步信号的定时信号一起输入液晶显示单元84。另外，在灰度级电路88中生成彩色显示的3原色R、G、B各自的灰度级电位，这些灰度级电位也被提供给液晶显示单元84。在液晶显示单元84中，根据这些RGB信号、定时信号和灰度级电位利用内部的源极驱动器、栅极驱动器等生成驱动用信号(数据信号＝信号电位、扫描信号等)，根据这些驱动用信号在内部的液晶面板显示彩色图像。此外，在利用该液晶显示单元84显示图像时，需要从液晶显示单元内的液晶面板的后方照射光，在该液晶显示装置800中，在微机87的控制下背光源驱动电路85驱动背光源86，由此对液晶面板的里面照射光。包括上述处理，微机87进行系统整体的控制。此外，作为从外部输入的视频信号(复合彩色视频信号)，不仅能使用基于电视播放的视频信号，也能使用利用照相机拍摄的视频信号、经过互联网线路供给的视频信号等，在该液晶显示装置800中，能进行基于各种视频信号的图像显示。
在用液晶显示装置800显示基于电视播放的图像的情况下，如图45所示，液晶显示装置800连接着调谐部90来构成本电视接收机601。该调谐部90从由天线(未图示)接收的接收波(高频信号)中抽出要接收的频道的信号，变换为中频信号，对该中频信号进行检波来取出作为电视信号的复合彩色视频信号Scv。该复合彩色视频信号Scv如上所述输入液晶显示装置800，利用该液晶显示装置800显示基于该复合彩色视频信号Scv的图像。
图46是表示本电视接收机的一个结构例的分解立体图。如该图所示，本电视接收机601作为其结构要素除了液晶显示装置800以外还具有第1箱体801和第2箱体806，构成为用第1箱体801和第2箱体806包入并夹持液晶显示装置800。在第1箱体801中形成有使由液晶显示装置800显示的图像透过的开口部801a。另外，第2箱体806覆盖液晶显示装置800的背面侧，设有用于操作该显示装置800的操作用电路805，并且在下方安装有支撑用部件808。
本发明不限于上述实施方式，根据技术常识将上述实施方式适当地变更、组合得到的方案仍包含于本发明的实施方式。
工业实用性
本发明的有源矩阵基板和具备该有源矩阵基板的液晶面板例如适用于液晶电视。
附图标记说明
101～104像素
12a、12c、12A、12C晶体管
15x、15y数据信号线
16x、16y扫描信号线
17a、17b、17c、17d像素电极
17A、17B、17C、17D像素电极
17a′、17A′、17c′、17C′像素电极
18p、18q保持电容配线
22无机栅极绝缘膜(第1绝缘膜)
25无机层间绝缘膜(第2绝缘膜)
26有机层间绝缘膜
37a第1上层电容电极(第1导电体)
37b第2上层电容电极(第2导电体)
37b′第3上层电容电极(第3导电体)
47a第1下层电容电极(第1电容电极)
47b第2下层电容电极(第2电容电极)
47a′第3下层电容电极(第3电容电极)
84液晶显示单元
601电视接收机
800液晶显示装置

Claims (33)

1.一种有源矩阵基板，其特征在于：
具备扫描信号线、数据信号线以及连接到扫描信号线和数据信号线的晶体管，在1个像素区域中设有第1像素电极和第2像素电极，
上述有源矩阵基板具备：第1导电体，其电连接到上述第1像素电极；第2导电体，其电连接到上述第2像素电极；以及第1电容电极和第2电容电极，上述第1电容电极和上述第2电容电极与上述扫描信号线形成于同一层，并且上述第1电容电极电连接到上述第1像素电极，上述第2电容电极电连接到上述第2像素电极，
上述第1像素电极经过上述晶体管连接到上述数据信号线，
在上述第1导电体与上述第2电容电极之间形成有电容，在上述第2导电体与上述第1电容电极之间形成有电容。
2.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于：
还在上述第1导电体与上述第2像素电极之间形成有电容，或者在上述第2导电体与上述第1像素电极之间形成有电容。
3.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于：
在上述第1电容电极与上述第1像素电极之间的层中形成有上述第2导电体，
上述第1电容电极与上述第2导电体隔着第1绝缘膜重叠，由此在上述第1电容电极和上述第2导电体间形成有电容，上述第2导电体与上述第1像素电极隔着第2绝缘膜重叠，由此在上述第2导电体和上述第1像素电极间形成有电容。
4.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于：
在上述第2电容电极与上述第2像素电极之间的层中形成有上述第1导电体，
上述第2电容电极与上述第1导电体隔着第1绝缘膜重叠，由此在上述第2电容电极和上述第1导电体间形成有电容，上述第1导电体与上述第2像素电极隔着第2绝缘膜重叠，由此在上述第1导电体和上述第2像素电极间形成有电容。
5.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于：
还在上述第1导电体与上述第2像素电极之间形成有电容，在上述第2导电体与上述第1像素电极之间形成有电容。
6.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于：
在上述第1电容电极与上述第1像素电极之间的层中形成有上述第2导电体，
上述第1电容电极与上述第2导电体隔着第1绝缘膜重叠，由此在上述第1电容电极和上述第2导电体间形成有电容，上述第2导电体与上述第1像素电极隔着第2绝缘膜重叠，由此在上述第2导电体和上述第1像素电极间形成有电容，
在上述第2电容电极与上述第2像素电极之间的层中形成有上述第1导电体，
上述第2电容电极与上述第1导电体隔着上述第1绝缘膜重叠，由此在上述第2电容电极和上述第1导电体间形成有电容，上述第1导电体与上述第2像素电极隔着上述第2绝缘膜重叠，由此在上述第1导电体和上述第2像素电极间形成有电容。
7.根据权利要求6所述的有源矩阵基板，其特征在于：
上述第1导电体与上述第2电容电极重叠的第1重叠部和上述第2导电体与上述第1电容电极重叠的第2重叠部跨越上述第1像素电极和上述第2像素电极的间隙。
8.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于：
还具备形成在上述像素区域内的第3像素电极，
上述第3像素电极与上述第1像素电极电连接。
9.根据权利要求8所述的有源矩阵基板，其特征在于：
具备：第3导电体，其电连接到上述第2像素电极；以及第3电容电极，其与上述扫描信号线形成于同一层，并且电连接到上述第3像素电极，
在上述第3导电体与上述第3电容电极之间形成有电容。
10.根据权利要求9所述的有源矩阵基板，其特征在于：
还在上述第3导电体与上述第3像素电极之间形成有电容。
11.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于：
上述第1导电体和上述第2导电体与上述晶体管的一方导通电极形成于同一层。
12.根据权利要求3、4、6中的任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于：
上述第1绝缘膜是栅极绝缘膜。
13.根据权利要求3、4、6中的任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于：
上述第2绝缘膜是覆盖上述晶体管的沟道的层间绝缘膜。
14.根据权利要求1～13中的任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于：
上述晶体管的一方导通电极经过接触孔连接到上述第1像素电极，并且该导通电极经过从该导通电极引出的引出配线连接到上述第1导电体。
15.根据权利要求1～13中的任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于：
上述晶体管的一方导通电极与上述第1像素电极经过接触孔连接，并且上述第1像素电极与上述第1导电体经过接触孔连接。
16.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于：
一方像素电极包围着另一方像素电极。
17.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于：
以上述扫描信号线的延伸方向为行方向，上述第1像素电极和上述第2像素电极在列方向上排列。
18.根据权利要求17所述的有源矩阵基板，其特征在于：
在行方向上相邻的2个像素区域中，其一方的第1像素电极与另一方的第2像素电极在行方向上邻接。
19.根据权利要求17所述的有源矩阵基板，其特征在于：
在列方向上相邻的2个像素区域中，其一方的第1像素电极与另一方的第2像素电极在列方向上邻接。
20.根据权利要求1～19中的任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于：
具备保持电容配线，上述保持电容配线与上述第1像素电极或者电连接到上述第1像素电极的导电体形成电容，并且与上述第2像素电极或者电连接到述第2像素电极的导电体形成电容。
21.根据权利要求20所述的有源矩阵基板，其特征在于：
上述保持电容配线具备从该保持电容配线分支的保持电容配线延伸部，
上述保持电容配线延伸部在俯视时包围上述像素区域地沿着上述数据信号线和上述扫描信号线延伸，并且与上述第1像素电极和上述第2像素电极重叠。
22.根据权利要求1～21中的任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于：
上述第1像素电极和上述第2像素电极的间隙发挥取向限制构造物的功能。
23.根据权利要求1～22中的任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于：
上述第1导电体的面积比上述第2电容电极的面积大，并且上述第2导电体的面积比上述第1电容电极的面积大，或者，
上述第1导电体的面积比上述第2电容电极的面积小，并且上述第2导电体的面积比上述第1电容电极的面积小。
24.一种有源矩阵基板，其特征在于：
具备扫描信号线、数据信号线以及连接到扫描信号线和数据信号线的晶体管，在1个像素区域中设有第1像素电极和第2像素电极，
上述有源矩阵基板具备：第1导电体，其电连接到上述第1像素电极；第2导电体，其电连接到上述第2像素电极；以及第2电容电极，其与上述扫描信号线形成于同一层，并且电连接到上述第2像素电极，
上述第1像素电极经过上述晶体管连接到数据信号线，
在上述第1导电体与上述第2电容电极之间形成有电容，在上述第2导电体与上述第1像素电极之间形成有电容。
25.一种有源矩阵基板，其特征在于：
具备扫描信号线、数据信号线以及连接到扫描信号线和数据信号线的晶体管，在1个像素区域中设有第1像素电极和第2像素电极，
上述有源矩阵基板具备：第1导电体，其电连接到上述第1像素电极；第2导电体，其电连接到上述第2像素电极；以及第1电容电极，其与上述扫描信号线形成于同一层，并且电连接到上述第1像素电极，
上述第1像素电极经过上述晶体管连接到数据信号线，
在上述第1导电体与上述第2像素电极之间形成有电容，在上述第2导电体与上述第1电容电极之间形成有电容。
26.根据权利要求24所述的有源矩阵基板，其特征在于：
还在上述第1导电体与上述第2像素电极之间形成有电容。
27.根据权利要求25所述的有源矩阵基板，其特征在于：
还在上述第2导电体与上述第1像素电极之间形成有电容。
28.一种有源矩阵基板的制造方法，其特征在于：
上述有源矩阵基板具备扫描信号线、数据信号线以及连接到扫描信号线和数据信号线的晶体管，在1个像素区域中设有第1像素电极和第2像素电极，
上述有源矩阵基板的制造方法包含如下工序：
形成第1电容电极和第2电容电极，上述第1电容电极电连接到上述第1像素电极，上述第2电容电极电连接到上述第2像素电极；
形成第1导电体和第2导电体，上述第1导电体电连接到上述第1像素电极和上述晶体管的一方导通电极，并且与上述第2电容电极形成电容，上述第2导电体电连接到上述第2像素电极，并且与上述第1电容电极形成电容；
检测上述第1导电体与上述第2像素电极的短路和上述第2导电体与上述第1像素电极的短路中的至少一方；以及
在检测出上述第1导电体与上述第2像素电极的短路的情况下，将上述第1导电体在与上述第1像素电极的连接位置和短路位置之间切断，在检测出上述第2导电体与上述第1像素电极的短路的情况下，将上述第2导电体在与上述第2像素电极的连接位置和短路位置之间切断。
29.一种液晶面板的制造方法，其特征在于：
上述液晶面板具备扫描信号线、数据信号线以及连接到扫描信号线和数据信号线的晶体管，在1个像素中设有第1像素电极和第2像素电极，
上述液晶面板的制造方法包括如下工序：
形成第1电容电极和第2电容电极，上述第1电容电极电连接到上述第1像素电极，上述第2电容电极电连接到上述第2像素电极；
形成第1导电体和第2导电体，上述第1导电体电连接到上述第1像素电极和上述晶体管的一方导通电极，并且与上述第2电容电极形成电容，上述第2导电体电连接到上述第2像素电极，并且与上述第1电容电极形成电容；
检测上述第1导电体与上述第2像素电极的短路和上述第2导电体与上述第1像素电极的短路中的至少一方；以及
在检测出上述第1导电体与上述第2像素电极的短路的情况下，将上述第1导电体在与上述第1像素电极的连接位置和短路位置之间切断，在检测出上述第2导电体与上述第1像素电极的短路的情况下，将上述第2导电体在与上述第2像素电极的连接位置和短路位置之间切断。
30.一种液晶面板，
具备权利要求1～27中的任一项所述的有源矩阵基板。
31.一种液晶显示单元，其特征在于：
具备权利要求30所述的液晶面板和驱动器。
32.一种液晶显示装置，其特征在于：
具备权利要求31所述的液晶显示单元和光源装置。
33.一种电视接收机，其特征在于：
具备权利要求32所述的液晶显示装置和接收电视播放的调谐部。
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