CN102193335A

CN102193335A - 衬底台的盖、光刻设备的衬底台、光刻设备和器件制造方法

Info

Publication number: CN102193335A
Application number: CN2011100650059A
Authority: CN
Inventors: R·W·L·拉法瑞; N·J·J·罗塞特; A·N·兹德瑞乌卡夫; J·W·斯塔伍德埃姆; B·L·J·比哲
Original assignee: ASML Netherlands BV
Current assignee: ASML Netherlands BV
Priority date: 2010-03-16
Filing date: 2011-03-15
Publication date: 2011-09-21
Anticipated expiration: 2031-03-15
Also published as: NL2006203A; TWI436171B; CN102193335B; US20110228248A1; KR101321411B1; TW201202865A; JP5611865B2; JP2011205093A; KR20110104454A

Abstract

本发明公开了一种衬底台的盖、光刻设备的衬底台、光刻设备和器件制造方法，尤其提供了一种用于浸没光刻设备中的衬底台的盖，该盖至少覆盖衬底与其中容纳了衬底的衬底台中的凹陷之间的间隙。

Description

衬底台的盖、光刻设备的衬底台、光刻设备和器件制造方法

技术领域

本发明涉及一种用于衬底台的盖、一种用于光刻设备的衬底台、一种光刻设备以及一种器件制造方法。

背景技术

光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成在所述IC的单层上待形成的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。通常，图案的转移是通过把图案成像到提供到衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上进行的。通常，单独的衬底将包含被连续形成图案的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包括：所谓步进机，在所述步进机中，通过将全部图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分；以及所谓扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。也能够以通过将图案压印(imprinting)到衬底上的方式从图案形成装置将图案转移到衬底上。

已经提出将光刻投影设备中的衬底浸入到具有相对高的折射率的液体(例如水)中，以便填充投影系统的最终元件和衬底之间的空间。在一实施例中，液体为蒸馏水，尽管也可以应用其他液体。本发明的一实施例将参考液体进行描述。然而，其他液体可能也是合适的，尤其是润湿性流体、不可压缩的流体和/或折射率比空气高的流体，期望地是折射率比水高的流体。除气体之外的流体尤其是期望的。这样能够实现更小特征的成像，因为曝光辐射在液体中将会具有更短的波长。(液体的作用也可以看作提高系统的有效数值孔径(NA)并且也增加了焦深。)还提出了其他浸没液体，包括其中悬浮有固体颗粒(例如石英)的水，或具有纳米颗粒悬浮物(例如具有最大尺寸达10nm的颗粒)的液体。这种悬浮的颗粒可以具有或不具有与它们悬浮所在的液体相似或相同的折射率。其他可能合适的液体包括烃(例如芳香烃、氟化烃和/或水溶液)。

将衬底或衬底和衬底台浸入液体浴器(参见，例如美国专利US4,509,852)意味着在扫描曝光过程中应当加速大体积的液体。这可能需要额外的或更大功率的电动机，而且液体中的湍流可能会导致不希望的或不能预期的效果。

已经提出的其它布置包括受限的浸没系统和全润湿浸没系统。在受限的浸没系统中，液体供给系统通过使用液体限制系统仅将液体提供在衬底的局部区域上和在投影系统的最终元件与衬底之间(通常衬底具有比投影系统的最终元件更大的表面积)。提出来的一种用于设置上述布置方案的方法在公开号为WO99/49504的PCT专利申请出版物中公开了。

在全润湿浸没系统中，如在公开号为WO 2005/064405的PCT专利申请出版物中公开的，浸没液体不受限制。在这样的系统中，衬底的整个顶表面被覆盖在液体中。这可能是有利的，因为然后所述衬底的整个顶表面被暴露于大致相同的条件。这可以有利于衬底的温度控制和处理。在WO 2005/064405中，液体供给系统提供液体至投影系统的最终元件和衬底之间的间隙中。液体被允许泄漏在衬底的其余部分上。在衬底台的边缘处的阻挡件防止液体流走，使得可以以一种可控制的方式从衬底台的所述顶表面移除液体。

浸没系统可以是流体处理系统或设备。在浸没系统中，浸没流体由流体处理系统、结构或设备来处理。在一实施例中，流体处理系统可供给浸没流体并且因此可以是流体供给系统。在一实施例中，流体处理系统可以至少部分地限制浸没流体，并且因此是流体限制系统。在一实施例中，流体处理系统可以给浸没流体提供阻挡件，并且因此可以是阻挡构件，例如流体限制结构。在一实施例中，流体处理系统可以生成或使用气体流，例如帮助控制浸没流体的流动和/或位置。气体流可以形成密封，以限制浸没流体，使得流体处理结构可以被称为密封构件；这样的密封构件可以是流体限制结构。流体处理系统可以位于投影系统和衬底台之间。在一实施例中，浸没液体被用作浸没流体。在这种情形中，流体处理系统可以是液体处理系统。在对上述的描述的提及中，在这一段落中对相对于流体所限定的特征的提及可以被理解成包括相对于液体所限定的特征。

在流体处理系统或液体限制结构中，液体被限制到空间中，例如限制结构中的空间。所述空间可以由限制结构的主体、下方的表面(例如衬底台、被支撑到衬底台上的衬底、遮蔽构件和/或测量台)以及在局部区域浸没系统的情形中的在流体处理系统或液体限制结构与下方的结构之间(即在浸没空间中)的液体弯液面所限定。在全润湿的系统的情形中，液体被允许从浸没空间流出到衬底和/或衬底台的顶表面上。

在欧洲专利申请公开出版物No.EP1420300和美国专利申请公开出版物No.US2004-0136494中，公开了一种成对的或双台浸没式光刻设备的方案，通过引用将其全部内容并入本文中。这种设备设置有两个用于支撑衬底的台。调平(levelling)测量在没有浸没液体的台的第一位置处进行，曝光在存在浸没液体的台的第二位置处进行。可选的是，所述设备仅具有一个台。

在浸没式光刻设备中对衬底曝光之后，衬底台被从其曝光位置移开，到达衬底可以被移除和被不同的衬底所替换所在的位置。这被称为衬底更换。在双平台光刻设备(例如ASML的“双扫描”光刻设备)中，衬底台的更换在投影系统下面进行。

发明内容

在光刻设备中，通过衬底保持器将衬底支撑在衬底台上。衬底保持器可以位于衬底台的凹陷中。所述凹陷可以被设定尺寸，使得当衬底被衬底保持器支撑时，衬底的顶表面大致与围绕衬底的衬底台的表面处于同一平面中。在衬底的周围可以存在位于衬底的边缘和衬底台的边缘之间的间隙。这样的间隙可能在光刻设备的浸没系统中是不期望的。随着间隙在投影系统的最终元件和下方的表面之间的空间中的浸没液体下面移动，限制结构和下方的表面之间的弯液面穿过所述间隙。穿过所述间隙可能增加弯液面的不稳定性。弯液面的稳定性可以随着限制结构和衬底台之间的相对速度(例如扫描速度或步进速度)的增加而减小。逐渐不稳定的弯液面具有增加缺陷率的风险。例如，不稳定的弯液面可以将气体封闭成为浸没液体中的气泡，或可能导致液滴从浸没空间逸出。这样的气泡可能被抽取到空间中，而导致成像缺陷。液滴可能是污染物源，在它蒸发时可能带来热负载，且它之后可能与弯液面碰撞，从而导致气泡被抽取到所述空间中。

穿过间隙的一个或更多的问题可以通过提供两相抽取系统而被减小。两相抽取系统从间隙抽取诸如浸没液体和气体(其可能存在为液体中的气泡)的流体。缺陷源(诸如释放气泡到空间中，或液滴从空间逸出)如果没有被消除的话，也可以被减少。然而，设置这样的抽取系统可以将热负载赋予到衬底台和衬底上。这可能对在衬底上所形成的图案的重叠精度产生负面作用。间隙可以内在地限制可以用于实现对衬底可靠成像的扫描速度。

因此，期望例如提供一种系统，用以增加弯液面的稳定性和降低缺陷率，例如降低产生气泡或释放液滴的可能性。

在本发明的一个方面中，提供了一种用在光刻设备中的盖，所述光刻设备包括具有基本上平坦的上表面的衬底台，在所述基本上平坦的上表面中形成凹陷，所述凹陷配置成容纳和支撑衬底，所述盖包括基本上平坦的主体，所述主体在使用中围绕所述衬底从所述上表面延伸至所述衬底的上主面的周边部，用于覆盖所述凹陷的边缘与所述衬底的边缘之间的间隙，所述盖包括相对柔性部，所述相对柔性部在使用中围绕所述衬底延伸，所述相对柔性部配置成具有比所述盖的其余部分更低的刚度。

在本发明的一个方面中，提供了一种用于光刻设备的衬底台，所述衬底台具有基本上平坦的上表面，在所述基本上平坦的上表面中形成凹陷，所述凹陷配置成容纳和支撑衬底，所述衬底台包括：

盖，配置使得在使用中所述盖围绕所述衬底从所述上表面延伸至所述衬底的上主面的周边部，用于覆盖所述凹陷的边缘与所述衬底的边缘之间的间隙；

致动器系统，配置成在关闭位置和敞开位置之间移动所述盖，在所述关闭位置处，所述盖接触在所述凹陷中支撑的衬底的所述上表面，在所述敞开位置处，所述盖被设置成与所述凹陷中的衬底分开；和

控制器，配置成基于表示围绕所述衬底的周边部的所述衬底的上主面相对于所述衬底台的上表面的高度或围绕所述衬底的周边部的所述衬底台的上表面相对于围绕所述衬底的周边部的所述衬底的上主面的高度的数据，控制所述致动器系统。

盖，配置使得在使用中所述盖围绕所述衬底从所述上表面延伸至所述衬底的上主面的周边部，用于覆盖所述凹陷的边缘与所述衬底的边缘之间的间隙；和

在所述凹陷中的支撑部，配置成支撑在所述凹陷内的所述衬底，所述支撑部配置成使得用于支撑所述衬底的周边部的所述支撑部的刚度大于用于支撑所述衬底的中心区域的所述支撑部的刚度。

在本发明的一个方面中，提供了一种将衬底装载到光刻设备的衬底台上的方法，所述衬底台具有基本上平坦的上表面，在所述基本上平坦的上表面中形成凹陷，所述凹陷配置成容纳和支撑衬底，所述方法包括以下步骤：

装载衬底至所述凹陷；和

使用致动器系统移动盖至一位置，在所述位置处，所述盖围绕所述衬底从所述衬底台的上表面延伸至所述衬底的上主面的周边部，用于覆盖所述凹陷的边缘与所述衬底的边缘之间的间隙，

其中基于表示围绕所述衬底的周边部的所述衬底的上主面相对于所述衬底台的上表面的高度或围绕所述衬底的周边部的所述衬底台的上表面相对于围绕所述衬底的周边部的所述衬底的上主面的高度的数据，控制所述致动器系统。

支撑件，配置成支撑所述盖，

其中所述盖可释放地连接至所述支撑件。

附图说明

下面仅通过示例的方式，参考示意性附图对本发明的实施例进行描述，其中示意性附图中相应的参考标记表示相应的部件，在附图中：

图1示出根据本发明的实施例的光刻设备；

图2和图3示出用于光刻投影设备中作为液体供给系统的流体处理结构；

图4示出用于光刻投影设备中的另外的液体供给系统；

图5示出了可以在本发明的实施例中作为液体供给系统使用的液体限制结构的横截面视图；

图6示出了根据本发明的一个方面的衬底容纳部的平面视图；

图7和8分别示出了根据本发明的一个方面的位于敞开和关闭位置的盖的平面视图；

图9和10分别示出根据本发明的一个方面的在关闭和敞开位置的盖的平面视图；

图11、12和13分别示出根据本发明的一个方面的用于在关闭位置、中间位置和敞开位置的盖的致动器系统的横截面；

图14和15示出可以在本发明的一个方面的致动器系统中使用的移动引导件的布置的横截面视图；

图16、17和18示出根据本发明的一个方面的用于分别位于关闭位置、中间位置和敞开位置的盖的致动器系统；

图19示出根据本发明的一个方面的盖的布置的横截面视图；

图20和21示出根据本发明的一个方面的盖的横截面视图；

图22示出根据本发明的一个方面的盖的布置的横截面视图；

图23至26示意性示出根据本发明的一个方面的盖的边缘的可能的配置；

图27示意性地示出根据本发明的一个方面的移动盖的致动器系统的控制系统；

图28至34示意性地显示出根据本发明的一个方面的盖的布置的横截面视图；

图35和36显示根据本发明的一个方面的衬底台的支撑部的布置；

图37显示可释放地将盖连接至支撑件的布置；

图38显示可释放地将盖连接至支撑件的另一布置；

图39显示可释放地将盖连接至支撑件的另一布置；

图40显示可释放地将盖和支撑件连接至致动器系统的布置；

图41显示可释放地将盖、支撑件以及横向致动器平台连接至横梁致动器平台的布置；和

图42显示可释放地将盖、支撑件以及横向致动器平台以及横梁致动器平台连接至衬底台的布置。

具体实施方式

图1示意地示出了根据本发明的一个实施例的光刻设备。所述光刻设备包括：

-照射系统(照射器)IL，其配置用于调节辐射束B(例如，紫外(UV)辐射或深紫外(DUV)辐射)；

-支撑结构(例如掩模台)MT，其构造用于支撑图案形成装置(例如掩模)MA，并与配置用于根据确定的参数精确地定位图案形成装置MA的第一定位装置PM相连；

-衬底台(例如晶片台)WT，其构造用于保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)W，并与配置用于根据确定的参数精确地定位衬底W的第二定位装置PW相连；和

-投影系统(例如折射式投影透镜系统)PS，其配置用于将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一根或多根管芯)上。

照射系统IL可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件、或其任意组合，以引导、成形、或控制辐射。

所述支撑结构MT保持图案形成装置MA。支撑结构MT以依赖于图案形成装置MA的方向、光刻设备的设计以及诸如图案形成装置MA是否保持在真空环境中等其他条件的方式来保持图案形成装置MA。所述支撑结构MT可以采用机械的、真空的、静电的或其它夹持技术来保持图案形成装置MA。所述支撑结构MT可以是框架或台，例如，其可以根据期望成为固定的或可移动的。所述支撑结构MT可以确保图案形成装置MA位于所需的位置上(例如相对于投影系统PS)。在这里任何使用的术语“掩模版”或“掩模”都可以认为与更上位的术语“图案形成装置”同义。

这里所使用的术语“图案形成装置”应该被广义地理解为表示能够用于将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束、以便在衬底的目标部分上形成图案的任何装置。应当注意，被赋予辐射束的图案可能不与在衬底的目标部分上的所需图案完全相符(例如如果该图案包括相移特征或所谓的辅助特征)。通常，被赋予辐射束的图案将与在目标部分上形成的器件中的特定的功能层相对应，例如集成电路。

图案形成装置MA可以是透射式的或反射式的。图案形成装置MA的示例包括掩模、可编程反射镜阵列以及可编程液晶显示(LCD)面板。掩模在光刻术中是公知的，并且包括诸如二元掩模类型、交替型相移掩模类型、衰减型相移掩模类型和各种混合掩模类型之类的掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，每一个小反射镜可以独立地倾斜，以便沿不同方向反射入射的辐射束。所述已倾斜的反射镜将图案赋予由所述反射镜矩阵反射的辐射束。

这里使用的术语“投影系统”应该广义地解释为包括任意类型的投影系统。所述投影系统的类型可以包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、电磁型和静电型光学系统、或其任意组合。所述投影系统的选择或组合是如对于所使用的曝光辐射所适合的、或对于诸如使用浸没液或使用真空之类的其它因素所适合的。这里使用的术语“投影透镜”可以认为是与更上位的术语“投影系统”同义。

如这里所示的，所述设备是透射型的(例如，采用透射式掩模)。替代地，所述设备可以是反射型的(例如，采用如上所述类型的可编程反射镜阵列，或采用反射式掩模)。

所述光刻设备可以是具有两个(双台)或更多衬底台(和/或两个或更多的图案形成装置台)的类型。在这种“多台”机器中，可以并行地使用附加的台，或可以在一个或更多个台上执行预备步骤的同时，将一个或更多个其它台用于曝光。

参照图1，所述照射器IL接收从辐射源SO发出的辐射束。该源SO和所述光刻设备可以是分立的实体(例如当该源SO为准分子激光器时)。在这种情况下，不会将该源SO考虑成形成光刻设备的一部分，并且通过包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器的束传递系统BD的帮助，将所述辐射束从所述源SO传到所述照射器IL。在其它情况下，所述源SO可以是所述光刻设备的组成部分(例如当所述源SO是汞灯时)。可以将所述源SO和所述照射器IL、以及如果需要时设置的所述束传递系统BD一起称作辐射系统。

所述照射器IL可以包括用于调整所述辐射束的角强度分布的调整器AD。通常，可以对所述照射器IL的光瞳平面中的强度分布的至少所述外部和/或内部径向范围(一般分别称为σ-外部和σ-内部)进行调整。此外，所述照射器IL可以包括各种其它部件，例如积分器IN和聚光器CO。可以将所述照射器IL用于调节所述辐射束B，以在其横截面中具有所需的均匀性和强度分布。与所述源SO相似，可以将照射器IL考虑成或不考虑成形成光刻设备的一部分。例如，照射器IL可以是光刻设备的组成部分或可以是与光刻设备分立的实体。在后者的情形中，可以配置光刻设备用以允许将照射器IL安装到其上。可选地，照射器IL是可拆卸的，且可以被独立地提供(例如通过光刻设备制造商或另一供应商来提供)。

所述辐射束B入射到保持在支撑结构(例如，掩模台)MT上的所述图案形成装置(例如，掩模)MA上，并且通过所述图案形成装置MA来形成图案。已经穿过图案形成装置MA之后，所述辐射束B通过投影系统PS。所述投影系统PS将辐射束B聚焦到所述衬底W的目标部分C上。通过第二定位装置PW和位置传感器IF(例如，干涉仪器件、线性编码器或电容传感器)的帮助，可以精确地移动所述衬底台WT，例如以便将不同的目标部分C定位于所述辐射束B的路径中。类似地，例如在从掩模库的机械获取之后，或在扫描期间，可以将所述第一定位装置PM和另一个位置传感器(图1中未明确示出)用于相对于所述辐射束B的路径精确地定位图案形成装置MA。通常，可以通过形成所述第一定位装置PM的一部分的长行程模块(粗定位)和短行程模块(精定位)的帮助来实现支撑结构MT的移动。类似地，可以采用形成所述第二定位装置PW的一部分的长行程模块和短行程模块来实现所述衬底台WT的移动。在步进机的情况下(与扫描器相反)，支撑结构MT可以仅与短行程致动器相连，或者可以是固定的。可以使用图案形成装置对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准图案形成装置MA和衬底W。尽管所示的衬底对准标记占据了专用目标部分，但是它们可以位于目标部分之间的空间(这些公知为划线对齐标记)中。类似地，在将多于一个的管芯设置在图案形成装置MA上的情况下，所述图案形成装置对准标记M1、M2可以位于所述管芯之间。

所示的设备可以用于以下模式中的至少一种中：

在步进模式中，在将支撑结构MT和衬底台WT保持为基本静止的同时，将赋予所述辐射束B的整个图案一次投影到目标部分C上(即，单一的静态曝光)。然后，将所述衬底台WT沿X和/或Y方向移动，使得可以对不同目标部分C曝光。在步进模式中，曝光场的最大尺寸限制了在单一的静态曝光中成像的所述目标部分C的尺寸。

在扫描模式中，在对支撑结构MT和衬底台WT同步地进行扫描的同时，将赋予所述辐射束B的图案投影到目标部分C上(即，单一的动态曝光)。衬底台WT相对于支撑结构MT的速度和方向可以通过所述投影系统PS的(缩小)放大率和图像反转特征来确定。在扫描模式中，曝光场的最大尺寸限制了单一动态曝光中所述目标部分C的宽度(沿非扫描方向)，而所述扫描运动的长度确定了所述目标部分C的高度(沿所述扫描方向)。

在另一种模式中，将保持可编程图案形成装置的支撑结构MT保持为基本静止，并且在对所述衬底台WT进行移动或扫描的同时，将赋予所述辐射束B的图案投影到目标部分C上。在这种模式中，通常采用脉冲辐射源，并且在所述衬底台WT的每一次移动之后、或在扫描期间的连续辐射脉冲之间，根据需要更新所述可编程图案形成装置。这种操作模式可易于应用于利用可编程图案形成装置(例如，如上所述类型的可编程反射镜阵列)的无掩模光刻术中。

也可以采用上述使用模式的组合和/或变体，或完全不同的使用模式。

将液体提供到投影系统PS的最终元件和衬底之间的一种布置是所谓的局部浸没系统IH。在这种系统中使用了液体处理系统，其中仅将液体提供到衬底W的局部区域。在平面视图中，液体所填充的空间小于衬底W的顶部表面，并且在液体所填充的区域相对于投影系统PS基本上保持静止的同时，衬底W在所述区域下面移动。图2-5中示出了四种不同类型的液体局部供给系统。

如图2和图3所示，液体优选地沿着衬底W相对于所述最终元件的移动方向，通过至少一个入口供给到衬底上。在所述液体已经在投影系统下面通过后，所述液体通过至少一个出口去除。也就是说，当衬底在所述元件下面沿着-X方向被扫描时，液体在所述元件的+X一侧供给并且在-X一侧去除。图2是所述布置的示意图，其中液体通过入口供给，并在所述元件的另一侧通过与低压源相连的出口去除。在图2的图示中，液体沿着衬底相对于所述最终元件的移动方向供给，但这不是必需的。可以在所述最终元件周围设置各种方向和数目的入口和出口；图3示出了一个实例，其中在所述最终元件的周围在每一侧上以规则的重复方式设置了四组入口和出口。液体供给和液体回收装置中的箭头表示液体流动的方向。

在图4中示出了另一个采用液体局部供给系统的浸没式光刻方案。液体由位于投影系统PS两侧上的两个槽状入口供给，由设置在入口沿径向向外的位置上的多个离散的出口去除。所述入口可以设置在板上，所述板在其中心有孔，投影束通过该孔投影。液体由位于投影系统PS的一侧上的一个槽状入口提供，由位于投影系统PS的另一侧上的多个离散的出口去除，这造成投影系统PS和衬底W之间的液体薄膜流。选择使用哪组入口和出口组合可以依赖于衬底W的移动方向(另外的入口和出口组合是不起作用的)。在图4的横截面视图中，箭头显示从入口进入和从出口流出的液体流动方向。

已经提出的另一种布置是提供设置有液体限制构件的液体供给系统，所述液体限制构件沿投影系统PS的最终元件和衬底台WT之间的空间的边界的至少一部分延伸。图5中示出了这种布置。尽管可以在Z方向上(在光轴的方向上)存在一些相对移动，但是液体限制构件在XY平面内相对于投影系统基本上是静止的。在液体限制构件和衬底W的表面之间形成密封。在一实施例中，在液体限制结构和衬底W的表面之间形成密封且所述密封可以是无接触密封(例如气体密封)。在第US2004-0207824号的美国专利申请公开出版物中公开了这样的系统，在此处通过参考将其全部内容并入本文中。

图5示意性地示出具有液体限制结构12的液体局部供给系统。液体限制结构12沿投影系统PS的最终元件和衬底台WT或衬底W之间的空间11的边界的至少一部分延伸。(请注意，在下文中提及的衬底W的表面也另外地或可替换地表示衬底台WT的表面，除非另外地特别指出。)尽管可以在Z方向上(在光轴的方向上)存在一些相对移动，但是液体限制结构12在XY平面内相对于投影系统PS基本上是静止的。在一实施例中，在液体限制结构12和衬底W的表面之间形成密封，且所述密封可以是无接触密封，例如流体密封，期望地是气体密封。

液体限制结构12至少部分地将液体保持在投影系统PS的最终元件和衬底W之间的浸没空间11中。对衬底W的无接触密封16可围绕投影系统PS的像场形成，使得液体被限制在衬底W的表面和投影系统PS的最终元件之间的空间11内。所述浸没空间11至少部分地由位于投影系统PS的最终元件下面且围绕投影系统PS的所述最终元件的液体限制结构12形成。液体经液体入口13进入到在投影系统PS下面的空间11中和液体限制结构12内。可通过液体出口13移除所述液体。所述液体限制结构12可延伸到略微高于投影系统PS的最终元件的位置上。液面升高至所述最终元件的上方，以便提供液体的缓冲。在一实施例中，所述液体限制结构12具有内周，所述内周在上端部处与投影系统PS或其最终元件的形状紧密地一致，且例如可以是圆的。在底部处，所述内周与像场的形状紧密地一致(例如是矩形的)，但这不是必需的。

在一实施例中，液体被气体密封16保持在浸没空间11中，在使用过程中，所述气体密封16形成于液体限制结构12的底部和衬底W的表面之间。其它类型的密封也是可以的，如没有密封(例如在全润湿实施例中)或密封由液体限制结构12的下表面和正对表面(例如衬底W、衬底台WT或这两者的组合的表面)之间的毛细力来实现。

所述气体密封16由气体(例如空气或者合成空气，但在一实施例中，是N₂或者其它惰性气体)形成。在气体密封16中的所述气体经由入口15在压力作用下被提供到介于液体限制结构12和衬底W之间的间隙。所述气体通过出口14被抽取。在气体入口15上的过压、出口14上的真空水平以及所述间隙的几何形状被布置成使得形成限制所述液体的向内的高速气流。气体作用于液体限制结构12和衬底W之间的液体上的力把液体保持在浸没空间11中。所述入口/出口可以是围绕空间11的环形槽。所述环形槽可以是连续的或不连续的。气流有效地将液体保持在空间11中。在公开号为US2004-0207824的美国专利申请出版物中公开了这样的系统。

其它的布置是可以的，如根据下文中的描述所了解的，本发明的实施例可以使用任意类型的局部浸没系统。

在局部浸没系统中，在液体限制结构的一部分和下方的表面(例如衬底W和/或衬底台WT的表面)之间形成密封。密封可以由液体限制结构和下方的表面之间的液体的弯液面来限定。所述下方的表面和液体限制结构之间的相对移动超过临界速度可能导致密封(例如弯液面)的破损。超过临界速度，密封可能破损，从而使得液体(例如成液滴的形式)从液体限制结构逸出或气体(即成气泡的形式)被封闭在浸没空间的浸没液体中。

液滴可以是缺陷源。液滴可以施加热负载到在它蒸发时所在的表面上。液滴可以是污染物源，在它被蒸发之后留下干燥的液渍。如果液滴位于在投影系统的下面移动的下方的表面上的路径中，那么该液滴可以接触弯液面。弯液面和液滴之间的所产生的碰撞可能导致在液体中形成气泡。气泡可能是缺陷源。可以将浸没液体中的气泡抽吸到投影系统和衬底之间的空间中，在该空间中它可能干扰成像投影束。

可以由所述下方的表面的性质来确定临界速度。间隙相对于限制结构的临界速度可以小于例如衬底等相对平坦的表面的临界速度。在将扫描速度增加到高于下表面的一部分的最低临界速度时，扫描速度将超过对于下方的表面的更多部分的临界速度。所述问题在高扫描速度时可能更加显著。然而，因为生产量增加，所以期望提高扫描速度。

图6显示出可以用于支撑衬底W的衬底台WT的平面视图。衬底台可以具有基本上平坦的上表面21。在上表面21中具有凹陷22，所述凹陷22被配置以容纳和支撑衬底W。

衬底支撑件可以设置在凹陷中，所述衬底支撑件可以是凹陷的表面。凹陷22的表面可以包括多个突起，衬底的下表面支撑到所述突起上。所述凹陷的表面可以包括阻挡件。可以在所述凹陷的表面中形成多个开口。阻挡件围绕所述突起，以限定在衬底W的下表面下面的空间。所述开口连接至负压源。在衬底位于开口上方时，在衬底W的下面形成空间。所述空间可以通过负压操作被抽空。这一布置可以被使用，用于将衬底W固定至衬底台WT。

在一布置中，所述凹陷可以被配置使得衬底的主表面(即上表面和下表面)基本上平行于衬底台的上表面21。在一布置中，衬底W的上表面可以被布置成与衬底台的上表面21基本上共平面。

应当认识到，在本申请中，诸如“上”和“下”的术语可以被使用来限定所描述的系统中的部件的相对位置。然而，这些术语的使用仅是为了在设备被在特定方向上使用时描述部件的相对位置方便的目的。它们不是要规定所述设备可以被使用所在的方向。

如图6所示，可以在衬底W的边缘和凹陷22的边缘之间设置间隙23。根据本发明的一个方面，盖25被设置成围绕衬底W延伸。盖25从衬底W的上表面的外周部分(在一实施例中其可以是衬底的边缘)延伸至衬底台WT的上表面21。盖25可以完全覆盖衬底W的边缘和凹陷22的边缘之间的间隙23。另外，盖25的敞开的中心部26可以由盖的内边缘来限定。敞开的中心部26可以被布置使得在使用时，盖25不覆盖衬底W的、图案化的辐射束将被期望投影到其上的部分。盖的内边缘可以覆盖衬底W的、与由图案化的投影束进行成像的衬底表面相邻的部分。所述盖被设置远离由图案化的投影束曝光的衬底的那些部分。

如在图6所示，在盖25放置在衬底W上时，敞开的中心部26的尺寸可以略小于衬底W的上表面的尺寸。如图6所示，如果衬底W的形状是圆形，那么，当在平面视图中观看时，盖25的形状可以是大致环形。

盖25可以是成薄盖板的形式。该盖板可以例如由不锈钢形成。也可以使用其它材料。该盖板可以涂覆有由Plasma Electronic GmbH提供的所述类型的Lipocer涂层。Lipocer可以是疏液性(例如疏水性)的涂层，且比较能够耐受曝光辐射和浸没液体(其可能是高腐蚀性的)的损害。关于Lipocer的更多的信息可以在于2008年2月6日申请的第US12/367,000号美国专利申请中找到，在此处通过引用将其全部内容并入本文中。

如图22中示意性地显示的，疏液涂层141(诸如Lipocer层)可以涂覆到盖25的下表面25a(即所述表面)，其在使用时可以从衬底W的上表面的周边部延伸至衬底台WT的上表面21。在下表面25a上设置这样的涂层141可以最小化或减小浸没液体在盖25下面的泄漏。例如，涂层141可以减小浸没液体在盖25和衬底W的上表面之间的泄漏。最小化或减小这样的浸没液体泄漏可能又减小了浸没液体被传递至衬底W的底侧的可能性。这可以减小可能由于所谓的后侧污染物而引入的缺陷。最小化或减小浸没液体的泄漏可以减小衬底W上的热负载。

在盖25的下表面25a上的涂层141可以被选择为抗粘结层。或者说，涂层141可以被选择用于防止、最小化或减小盖25粘结至衬底W的上表面和/或衬底台WT的上表面21。在盖25被从衬底W和衬底台WT移除时，这可以防止或减小对盖25、衬底W和/或衬底台WT的损害。

将疏液和/或抗粘结的涂层141使用在盖25的下表面25a上，可以防止或减小污染物颗粒在盖25的下表面上的聚集。这样的污染物颗粒可能导致对盖25、衬底W和/或衬底台WT中任何部件的损害，或提供衬底W上的后续的缺陷源。可替代地或另外地，这样的污染物颗粒可能妨碍在盖25与衬底W的上表面和/或衬底台WT的上表面21之间形成充分的密封，从而导致了浸没液体的泄漏，这可能是不被期望的。因此，可能期望防止这样的污染物颗粒的聚集。

盖25的下表面25a和/或被涂覆至盖25的下表面25a的涂层141的下表面141a可以配置成具有低的表面粗糙度。例如，对于喷涂涂层，表面粗糙度R_A可以小于1μm。对于沉积的涂层，表面粗糙度R_A可以小于200nm。通常，减小盖的下表面25a和/或被涂覆至盖25的下表面25a的涂层141的下表面141a的表面粗糙度，可以减小衬底W的表面上的应力集中。与衬底接触的盖25的一部分的表面粗糙度R_A在使用时可能期望小于200nm，期望小于50nm，或期望小于10nm。

确保盖25的下表面25a和/或被涂覆至盖25的下表面25a的涂层141的下表面141a的表面粗糙度是低的，还可以帮助减小或最小化浸没液体在盖25下面的泄漏。可以布置盖25，使得盖25的下表面25a和/或被涂覆至盖25的下表面25a的涂层141的下表面141a的平坦度被最大化。这可以提供在盖25与衬底W和/或衬底台WT之间的优化的接触，从而减小或最小化浸没液体的泄漏。

如在图22中示意性显示的，涂层142可以可替代地或另外地被设置在盖25的上表面25b上。盖25的上表面25b或在盖的上表面25b上的涂层142的上表面142b可以被选择为平滑的。这可以减小弯液面被钉扎的可能性。例如，盖25的上表面25b或在盖的上表面25b上的涂层142的上表面142b可以是平滑的，使得表面的峰至谷距离小于10μm，期望地小于5μm。

盖25的上表面25b的涂层142可以选择为抵抗由暴露至辐射和浸没液体引起的损害。这可以帮助确保盖的工作寿命足够长以防止与更换盖25相关的不必要的成本，所述成本包括光刻设备的停机时间。盖25的上表面25b上的涂层142可以被选择成疏液的，如上文所述的。这样的涂层可以提供对于浸没液体的较高的后退接触角。这又可能允许更高的扫描速度被使用，且例如没有来自于弯液面的浸没液体的损失，如上文所述。如上文所述，可以由Lipocer形成盖25的上表面25b上的涂层142。

应当理解，可以由单层的材料形成盖25的下和上表面25a、25b上的涂层141、142。可替代地，涂层141、142中的一个或两个可以由多个层形成。例如，所述层可以由不同的材料形成，从而给涂层141、142提供了不同的优点。还应当理解，盖25的下和上表面25a、25b上的涂层141、142可以是彼此相同的或不同的。

盖板例如可以是25μm厚。它可以被蚀刻用于局部地减小厚度，例如在一个或更多的边缘处。在局部地减小的区域中，它可能是10μm厚。可以通过诸如激光烧蚀、研磨以及抛光等其它工艺减小盖的一部分的厚度。

如图22所示，盖25的边缘25c、25d(即用于分离盖25的下和上表面25a、25b的边缘)可以基本上垂直于盖25的下和上表面25a、25b。这样的布置可能相对易于制造。

然而，在图22显示的布置中，盖25的边缘25c、25d可以形成衬底W的表面和衬底台WT的上表面21上的台阶。这样的台阶可能是不被期望的。具体地，如上文所述，在衬底W和衬底台WT相对于液体限制结构移动时，必须注意确保：由液体限制结构与衬底W和/或衬底台WT之间的液体的弯液面形成的密封不能损坏。在表面上引入台阶，可以减小液体限制结构与衬底W和/或衬底台WT之间的临界速度，在达到该临界速度时，液体限制结构和/或衬底W/衬底台WT可以移动而不破坏密封(例如弯液面)。

盖25的一个或更多的边缘25c、25d可以配置成提供减小的台阶。例如，如上文所述，盖的厚度可以在一个或更多的边缘处被局部地减小。例如，盖的一个或更多的边缘25c、25d可以配置成具有如在图23至26中任一个所述示意性地显示的轮廓。

如图23所示，盖25的边缘可以配置成具有其中盖25逐渐减小至点的部143。因此，这样的盖可以没有台阶。然而，盖25的最远的边缘可易于损坏。

在可替代的布置中，如图24所示，盖25可以具有包括台阶146的边缘部145以及在台阶146和盖25的主体之间的锥度部，该台阶146的厚度小于盖25的厚度，该盖25的主体具有全部厚度。例如，盖25的主体可以是25μm厚，台阶146可以是10μm厚。这样的布置与具有垂直的边缘25c、25d的盖相比，具有更小的台阶，但是与如图23所示的布置相比可能更不容易边缘损坏。

如图23和24所示，盖25的边缘的锥度部143、145可以配置成相对于与边缘的距离线性地增加厚度。然而，这不是必须的。如图25和26所示，其分别对应于图23和24，锥度部147、148可以替代地为弯曲的。这可以避免例如在锥度部和盖25的其余部分之间或在锥度部和在盖25的边缘处的减小的台阶之间设置尖角。这样的尖角可以是液体限制结构和下方的表面之间的密封(例如弯液面)中的不稳定性的来源。因此，避免这样的尖角可以减小从弯液面损失液滴的可能性，从而减小了如上文所述的可能的缺陷。

如图23至26所示，盖25的下角(即在使用时可能与衬底W和/或衬底台WT的上表面接触的角)可以是相对尖的角。这可以在盖25与衬底W和/或衬底台WT之间提供相对好的密封。然而，应当理解，替代地下角可以是弯曲的。这可以减小损坏衬底W的可能性。

通常，避免在盖上的尖角可能便于在需要时在盖25上设置涂层。

应当理解，虽然图23至26显示具有锥度部的一个边缘和/或圆化(rounded)部，但是盖25的一个或更多的边缘可以是有锥度的和/或具有如上文所述的一个或更多的圆化的角。此外，盖25的边缘可以具有锥度部和/或圆化的角的不同的各自的布置。

在一实施例中，盖25的上表面25b或盖25的上表面25b上的涂层142的上表面142b可以被配置成尽可能地平坦。这可以进一步减小了上文所述的弯液面的任何不稳定性，从而减小了从弯液面损失液滴和产生如上文所述的后续的缺陷的可能性。

在一实施例中，盖可以是衬底台的一部分。致动器系统可以被设置成在至少关闭和敞开位置之间移动盖。在关闭位置处，盖25可以与凹陷22内的衬底W的上表面接触。在关闭位置处，盖25可以与衬底台WT的上表面21接触。在关闭位置处，盖25可以覆盖衬底W的边缘和凹陷22的边缘之间的间隙23。

盖25可以配置成使得随着间隙相对于空间中的浸没液体在浸没空间11的下面穿过，间隙被关闭。通过关闭间隙，弯液面在穿过间隙时的稳定性可以被改善。在一实施例中，盖与凹陷22内的衬底W的上表面和衬底台WT的上表面21中的一个或两个形成密封。提供了与衬底W的上表面和衬底台WT的上表面21两者密封的盖25可以防止浸没液体进入到间隙23中。盖可以减小浸没液体到间隙23中的流入。由于间隙在空间11的下面穿过，盖可以帮助减小(如果没有防止的话)气泡流入到空间11中。

在敞开位置处，盖25可以被相对于凹陷22的表面移动远离其关闭位置的位置。在衬底被凹陷22的表面支撑时，盖25可以设置成与衬底W是分离的。敞开位置可以布置成使得在盖25位于敞开位置时，可以从衬底台WT卸下衬底W。如果衬底W未出现在凹陷22中，那么可以将衬底W装载到衬底台WT上。

在一实施例中，致动器系统可以配置成使得，在从关闭位置至敞开位置移动盖25时，它扩大了盖25的敞开的中心部26，如图8所示。在这样的过程中，盖25的敞开的中心部26可以被充分地放大，使得在敞开位置，敞开的中心部26大于衬底W的上表面。盖25的敞开的中心部26可以被充分地放大，用于使衬底W能够穿过盖25的敞开的中心部26。

在一实施例中，衬底W可以通过将盖25移动至敞开位置且使得衬底W穿过盖25的敞开的中心部26而装载到衬底台上，或从其上卸下。在将衬底W装载到衬底台WT上的情形下，如果衬底W已经穿过盖25的敞开的中心部26，那么衬底W可以被容纳在衬底台WT的凹陷22中。随后，可以通过致动器系统将盖25移动至关闭位置，在该关闭位置处，它覆盖在衬底W的边缘和衬底W被支撑所在的凹陷22的边缘之间的间隙23。

致动器系统可以配置成，使得在将盖25移动至敞开位置时，盖25的多个部分被相对彼此沿着不同的各自的方向移动。这一布置可以用于在盖25移动至敞开位置时扩大盖25的敞开的中心部26。例如，致动器系统可以配置成，使得它可以沿着各自的方向移动盖25的每一部分。所述各自的方向可以是在将盖移动至敞开位置时远离敞开的中心部26。

在一实施例中，致动器系统可以配置成弹性地使得盖25的至少一部分变形。例如，在致动器沿着各自的不同的方向移动盖25的多个部分用于扩大敞开的中心部26时，致动器系统可以使得盖25的至少一部分弹性地变形。

图7和8显示出分别在关闭和敞开位置的根据本发明的实施例的盖25的平面视图。如图所示，盖25可以在平面视图中是大致环形形状。盖25的内周31(例如圆周)可以限定在盖25处于关闭位置时盖25的敞开的中心部26。可以在盖25的内周(例如圆周)31和外周(例如圆周)32之间在盖25的大致环形形状中设置缺口。

在诸如图7和8中显示的布置中，盖25具有多个部分35，多个部分35中的每个部分通过致动器系统在各自的不同的方向上是可移动的。在移动多个部分35时，盖25的敞开的中心部26可以被扩大或减小。可以将所述多个部分组合在一起，用于形成单个一体的盖。然而，如在图8中所示，设置跨过盖25的周边(圆周)的缺口30可以便于使得盖25弹性变形，用于扩大敞开的中心部26。

如图8所示，在敞开位置处，盖25的敞开的中心部26可以被扩大，以使得它大于在衬底W支撑所在的凹陷22的横截面。然而，这不是必须的，敞开的中心部26仅需要被充分地扩大，用于使得衬底W穿过盖25的敞开的中心部26。

虽然图7和8的布置包括从盖25的内周31至外周32的缺口30，但是这不是必须的。可以在没有缺口30的情况下通过使用致动器系统使得盖25充分地弹性变形。这可能依赖于形成盖25的材料。它可能依赖于为了使得衬底W穿过敞开的中心部26所需要的盖25的敞开的中心部26的扩大程度。

可以设置另外的缺口，以便于盖25的扩大(例如通过弹性变形)，从而扩大根据本发明的这一方面的盖25的敞开的中心部26。

包括单个缺口30可能不能充分地减小在弯液面穿过间隙时弯液面上的不稳定性。它可以降低盖不能有效地减小浸没液体进入衬底W的边缘和凹陷22的边缘之间的间隙中的流动的可能性。它可以降低盖25在减小在弯液面穿过间隙时在浸没空间中形成气泡方面的效率。至少一个缺口30的设置可以显著地减小可能在盖25中引起的应力，用于扩大敞开的中心部26。这可以增加盖25的寿命。此外，这可以减小将盖25移动至敞开位置所使用的致动力。这又可以减小对致动器系统的要求，且减小可能由致动器系统产生的衬底台WT上的热负载。

此处公开的任意盖的设置，除了减少由气泡引起的缺陷和/或减少气泡之外，还可以具有对于光刻设备内的衬底台的各种另外的优点，如上文所述。

可以减少对衬底台WT和浸没系统的清洗。进而，这可以减少光刻设备的停机时间。

盖可以减少污染物从衬底W的上表面至衬底W的下表面的转移。这可以减少可能由于所谓的背侧污染而引入的缺陷。

用于覆盖在衬底W的边缘和凹陷22的边缘之间的间隙的盖的设置可以使得衬底W的边缘能够以比采用另外的方式所可能的速度更高的速度穿过投影系统和浸没系统。这可以增加光刻设备的生产量。

盖的设置可以消除对用于从衬底W的边缘和凹陷22的边缘之间的间隙移除浸没液体和气泡的抽取系统的需要。这可以减小施加至衬底台WT的热负载。可以改善衬底台WT的热稳定性。因此可以改善在衬底W上所形成的图案的重叠精度。

用于在衬底W的边缘和凹陷22的边缘之间的间隙的抽取系统可以是两相抽取器。这种类型的抽取器可以产生由流动引起的振动。因此，盖的设置可以导致这样的抽取器被舍弃(不需要)，其可以减小在衬底台WT内的振动。

如上文所公开的，盖的设置可以导致整体上比使用用于衬底W的边缘和凹陷22的边缘之间的间隙的抽取器的系统更简单的系统。在间隙23上设置盖可以减小整个设备的商品成本。

应当认识到，如上所述，根据本发明的一个方面的盖的设置可以消除对在衬底W的边缘和凹陷22的边缘之间的间隙处的抽取系统的需要。然而，根据本发明的一个方面的盖可以结合抽取系统一起使用。上述的优点仍然可以具备，这是因为对抽取系统的要求可以被降低。

图9和10示出根据本发明的一实施例的盖25的布置的平面视图。在图9和10中示出的盖类似于在图7和8中示出的盖，为了简短，仅详细地讨论其差别。

如图所示，盖25由多个分立的部40形成。在关闭位置处，所述部40被布置成邻靠盖25的相邻的部40，用以形成单个盖25。例如，如图9所示，对于圆形的衬底W，当盖25的每一分立的部40在关闭位置处彼此邻靠时，分立的部40的组合提供具有大致环形形状的盖25。

致动器系统被配置成使得它可以在不同方向上移动盖25的部分，用于将盖从关闭位置移动至敞开位置。在例如图9和10所示的盖25的情形中，盖25的每一这样的部分是分立的部40中的一个。致动器系统在各自的不同的方向上移动盖25的每一分立的部40。

如上所述，在盖25处于敞开位置时，盖25的分立的部40可以被设定成彼此分离开，从而提供了可以使衬底W从中穿过的被扩大的敞开的中心部26。

图11、12和13示出分别在关闭位置、中间位置和敞开位置处的可以在本发明的一个方面中使用的致动器系统的横截面图。

如图11所示，在关闭位置处，盖25的每一部分被设置在衬底台WT的上表面21和衬底W的上表面的周边部分45上并在其之间延伸。在将盖25从关闭位置移动至敞开位置时，致动器系统50可以被配置成使得盖25的每一部分首先在基本上垂直于衬底W的上表面和衬底台WT的上表面21的方向上移动。

图12显示出如上所述的在最初的移动之后位于关闭和敞开位置之间的中间位置的盖25的一部分。

在从敞开位置移动至关闭位置时，盖25可以被移动至如图12所示的中间位置，使得盖25可以随后仅通过在基本上垂直于衬底W的上表面和衬底台WT的上表面21的方向上的移动而被移动至关闭位置。

这样布置可以有利于保证：在盖25接触衬底W或靠近衬底W时，盖25相对于衬底W的相对移动仅在基本上垂直于衬底W的上表面的方向上。这可以防止或减少污染物颗粒在衬底W的边缘处的生成。这可以防止或减少在衬底W的边缘处的之前存在的污染物颗粒朝向图案形成所在的衬底W的上表面的移动。在通过在基本上垂直于衬底W的表面的方向上移动盖而接触衬底W时，所施加至衬底W的力在基本上垂直于衬底W的方向上被施加。由于力被围绕衬底W的周边施加，所以所施加的力是基本上均匀的。因此，由力的施加所引起的衬底W上的扭曲如果没有被最小化，也能被减小。通过应用盖25而使衬底W平面中的力即使不能被最小化，也能被减小，从而限制了衬底W在凹陷中的移动。即使不能通过施加盖25至衬底W边缘来避免位置误差，也可以减小所述位置误差。

致动器系统50可以被配置成使得它可以通过在基本上平行于衬底W的上表面和衬底台WT的上表面21的方向上移动盖25的每一部分，来在图12中显示的中间位置和图13中显示的敞开位置之间移动盖25的每一部分。

致动器系统50可以配置成使得，在从关闭位置移动至敞开位置时，首先将盖25移动远离衬底W的上表面，之后将其移动使得敞开的中心部26被扩大。同理，致动器系统50可以配置成，使得在从敞开位置移动至关闭位置时，盖25被移动使得首先减小敞开的中心部26的尺寸。之后，盖25被移动，使得它与上表面21和衬底W的上表面的周边区域45接触。

如图11、12和13所示，致动器系统50可以包括致动器平台51，所述致动器平台51被配置成在基本上垂直于衬底W的上表面和衬底台WT的上表面21的方向(例如竖直方向)上提供盖25的移动。致动器平台51可以被称为横梁(transverse)致动器平台。

致动器系统50可以包括致动器平台52，所述致动器平台52被配置以在基本上平行于衬底W的上表面和衬底台WT的上表面21的方向上(例如在水平方向上)提供盖25的移动。致动器平台52可以被称为横向(lateral)致动器平台。

致动器系统50可以包括用于盖25的每一部分的致动器平台51、52。可替代地，例如，单个致动器平台51可以被设置，且对于盖25的所有部分是公共的。

在图11、12和13中显示的致动器系统50布置成使得，致动器平台51、52设置有气动致动器。因此，可以通过增加或减小在各自的体积53、54内的气体压力来致动每一致动器平台51、52，该各自的体积53、54配置成用作致动器平台51、52内的气动致动器的汽缸。应当理解，通过提供比围绕所述体积的周围气体压力大或小的气体压力至所述体积，每一平台的致动可以在每一方向上是正的。

可替代地或另外地，每一致动器平台51、52可以通过增加或减小在致动器平台51、52内的各自的体积53、54中的气体压力而被沿着一个方面正向地致动。每一致动器平台51、52可以通过使用弹性元件而沿着相反的方向返回。在这样的布置中，弹性元件可以将致动器平台51、52偏置至一位置。在这种情形中，气动致动器可以克服弹性元件动作，用于将致动器平台51、52移动至其可替代的静止/稳定位置。

应当理解，虽然使用气动致动器可能是有利的，但是可替代的致动器可以用于致动器平台51、52中的一个或两个。例如，可以使用静电致动器和/或电磁致动器。

致动器平台51可以配置成，用于确保基本上仅有的被设置的移动是沿着基本上垂直于衬底W的上表面和衬底台WT的上表面21的方向。致动器平台51可以包括一个或更多的移动引导件。一个或更多的移动引导件配置成允许致动器平台51的部件沿着基本上垂直于衬底W的上表面和衬底台WT的上表面21的方向相对移动。然而，移动引导件减小或最小化致动器平台51的部件沿着基本上平行于衬底W的上表面和衬底台WT的上表面21的方向的移动。

图14和15显示出可以被使用以帮助确保致动器平台51仅提供在特定方向上的移动的移动引导件的布置的横截面图。这样的方向可以是基本上垂直于衬底W的上表面和衬底台WT的上表面21的方向。图14显示出当盖25位于关闭位置时的移动引导件60。图15示出当盖25位于敞开位置处的移动引导件60。

如图所示，致动器平台51包括第一和第二部件61、62。第一和第二部件61、62可以通过如上文所描述的所提供的致动器的方式在基本上垂直于衬底W的上表面和衬底台WT的上表面21的方向上彼此相对地移动。弹性铰链63被设置在致动器平台51的第一和第二部件61、62之间。弹性铰链63允许第一和第二部件61、62在基本上垂直于衬底W的上表面和衬底台WT的上表面21的方向上移动。弹性铰链63被配置以限制在基本上垂直于这一期望的移动方向的方向上的移动。

应当认识到，可以使用可替代的或另外的移动引导件。然而，如上所述的一个或更多的这样的弹性铰链的使用可能是有益的，这是因为这种形式的移动引导件不具有摩擦力或期望地将摩擦力最小化。摩擦力可以减小在盖25被移动至关闭位置时被施加到衬底W的上表面上的力的可再现性。

图16、17和18显示出可以与本发明的一个方面一起使用的另外的致动器系统。图16显示出在盖25处于关闭位置时的致动器系统70。图17显示出在中间位置的致动器系统70。图18显示出在盖25位于敞开位置时的致动器系统70。

在图16、17和18中显示出的致动器系统70可以提供比图11、12和13显示出的致动器系统更简单的致动器系统。不需要分立的致动器平台。相反，盖25的每一部分连接至被安装在衬底台WT内的移动引导件72、73的系统中的活塞71。

移动引导件72可以与活塞71一起操作，用于在基本上垂直于衬底W的上表面和衬底台WT的上表面21的方向上将盖25从关闭位置移动至中间位置。移动引导件73可以被布置成使得它与活塞71一起在基本上平行于衬底W的上表面和衬底台WT的上表面21的方向上移动盖25。为了在关闭和敞开位置之间移动盖25，在活塞71的一侧或两侧上的气体压力可以通过将移动引导件72、73中的一者或两者连接至适合的负压或过压源74、75来进行改变。

图16、17和18示出可以应用至用于提供在本申请中描述的盖的任何布置的本发明的一个方面。盖25可以被配置成使得，在关闭位置处，它不仅覆盖衬底W的边缘和衬底台中的凹陷22的边缘之间的间隙23，而且它还覆盖另外的间隙77。例如，另外的间隙可以存在于致动器系统和更远离衬底保持器的衬底台的一部分(例如额外的部件78)之间。该额外的部件78可以是为了监控衬底台WT相对于投影系统的位置和/或位移所使用的传感器系统的部件。

如图19所示，开口80可以形成在凹陷的表面中。开口80可以是连接至负压源81的气体出口。该气体出口80可以布置成使得盖25的下侧25a上的压力小于上侧25b上的压力。气体出口80的操作可以帮助确保：在关闭位置处，盖25被固定至衬底W的上表面的周边区域45。

如图19所示，衬底台WT中的凹陷22可以设置有第二盖85，该第二盖85从凹陷22的边缘延伸。第二盖85配置成使得，在衬底W在凹陷22内时，衬底W的下表面的周边区域86接触第二盖85。第二盖85可以有利于进一步减小从衬底W的上表面至衬底W的下表面的任何浸没液体的转移。应当理解，如果例如使用圆形衬底W，那么第二盖85可以通常是环形形状。第二盖85可以具有与盖25相同的厚度。它可以比盖25厚。通常，第二盖85的厚度可以在10微米和100微米之间。

如图19所示，在衬底W位于凹陷22中且盖25位于关闭位置时，盖25、凹陷22的边缘、衬底W的边缘以及第二盖85可以限定封闭空间87。第二盖85可以具有外侧85a和内侧85b，该外侧85a在封闭空间87的外部，该内侧85b在封闭空间87的内部。第二盖85的外侧85a可以与邻接封闭空间87的第二盖85的内侧85b相对。封闭空间87可以连接至气体出口80，该气体出口80又连接至负压源81。封闭空间87中的压力可以小于外侧85a上的压力。

在这样的布置中，第二盖85可以施加力至衬底W的下表面的周边区域86。在盖25和第二盖85的适合的布置中，通过盖25和第二盖85施加至衬底W的力可以是相等的，但是沿着相反的方向。在这样的布置中，衬底W的周边上的净力可以是零或被最小化，从而减小了衬底W的变形。

图20和21显示了本发明的实施例的横截面视图，其中盖125的不同的布置被提供用于覆盖衬底W的边缘和支撑衬底W的衬底台WT中的凹陷22的边缘之间的间隙23。具体地，本发明的实施例的盖125可以配置成移动远离衬底台WT，用于允许将衬底W装载到衬底台WT中的凹陷22/从衬底台WT中的凹陷22卸载衬底W。在这样的布置中，在将盖125移动至敞开位置时不必扩大盖125的敞开的中心部。

与上文讨论的布置相同之处在于，盖125被布置成围绕衬底W的边缘的材料薄板形式。盖125从衬底W的上表面的周边区域45延伸至衬底容纳部的上表面21。可以提供连接至负压源128的用于气体出口的开口127。盖125的下侧125a处的空间中的压力可以低于盖125的上侧125b处的气体压力。压力差可以被用于固定盖125和基本上防止盖125在使用期间的任何移动。

为了防止或减小盖125的变形，盖125可以包括在盖125位于凹陷22中的衬底W的顶部上时从盖125的下表面125a延伸至凹陷22的底部的一个或更多的支撑件126。

为了移动盖125以便允许装载和卸载衬底W，例如机械臂等盖运送系统130可以被提供。具体地，运送系统130可以设置在与衬底台WT相同的光刻设备的隔室中，且可以配置成从衬底台WT移除盖125，用于允许装载和卸载衬底W。盖运送系统130可以被具体地配置，使得当盖125与衬底W接触或靠近衬底W时，盖125的移动仅在基本上垂直于衬底W的上表面和衬底台WT的上表面21的方向上。

如上文所述，在本发明的实施例中，例如在图11至18显示的例子中，可以提供致动器系统，该致动器系统将盖25从敞开位置移动至关闭位置，在敞开位置处，可以将衬底W装载到衬底台WT上和/或可以从衬底台WT卸载衬底W，在关闭位置处，盖25从衬底台WT的上表面21延伸至衬底W的周边。在关闭位置处，盖25可以与衬底W的周边部和衬底台WT的上表面21物理接触，尤其是如果盖25形成密封的话更是如此。这样的物理接触可能导致损坏盖25、衬底W和/或衬底台WT的上表面21中的一个或更多个。因此，可以提供用于致动器系统的适合的控制系统。

在本发明的一实施例中，可以设置如图27示意性地显示的控制系统。如图所显示，设置了控制器150，用于控制对盖25进行定位的致动器系统151。为了帮助确保相对于衬底W和/或衬底台WT精确地移动盖，控制器150可以使用数据，该数据表示衬底W的至少周边部的上表面相对于衬底台WT的上表面21(或反之亦然)的高度。这样的数据可以例如之前在量测工作站152获取，该量测工作站可以是光刻设备的一部分或包括光刻设备的光刻系统的一部分。

如图27显示的，所述数据可以储存在存储器153中直到被控制器150请求为止。然而，应当理解还可以直接提供数据给控制器150。

基于表示衬底W的周边部的上表面相对于衬底台WT的上表面21(或反之亦然)的高度的数据，控制器150可以确定盖25应当被移动至的位置，用于提供盖25与衬底W的上表面和衬底台WT的上表面21之间的期望的接触。

应当理解，可以给控制器150提供适合的反馈机制，用于控制致动器系统151将盖25移动至由控制器150确定的期望的位置。

例如可以配置控制器150用于帮助确保：在关闭位置处的盖25的位置充分靠近或接触衬底W的周边部的上表面，用于防止、减小或最小化浸没液体的泄漏。可替代地或另外地，可以配置控制器150用于帮助确保：在盖25处于关闭位置时，通过盖25的下表面施加到衬底W的周边部的上表面上的力在给定的范围内。例如，可能期望确保：所述力小于特定值，用于防止或减小损坏衬底W的可能性。可替代地或另外地，可能期望保证：通过盖25的下表面施加到衬底W的周边部的上表面上的力超过特定值，用于保证进行充分的接触来控制浸没液体在盖25下面的泄漏。

在本发明的一实施例中，表示衬底W的周边部的上表面相对于衬底台WT的上表面21(或反之亦然)的高度的数据可以提供在围绕衬底W的周边部的多个位置处的相对高度的数据。根据这样的数据，控制器150能够确定在围绕衬底W的边缘的多个位置处的盖25的各个部分的期望的位置。

在本发明的一实施例中，致动器系统151可以对应地配置成能够在围绕盖25的多个位置处独立地调整盖25的高度。在这样的布置中，在控制位于关闭位置的盖25的定位时，可以考虑衬底W和/或衬底台WT的上表面的高度的局部变化。这又可以帮助防止或减小浸没液体的泄漏和/或对衬底W、衬底台WT和/或盖25的损坏。

如上文所示出的，在将盖25移动至关闭位置时，它可以施加力到衬底W的周边部的上表面上。应当理解，可以独立于用于移动盖25的致动器系统的控制系统的布置而施加所述力。施加到衬底W上的力可能足以使得衬底W的上表面移动，例如由于衬底的变形和/或支撑衬底W的衬底台WT的支撑部分的变形而产生。衬底W的上表面的这样的移动可能是不被期望的，这是因为它可能导致在衬底W上形成的图案中的误差。

在本发明的一实施例中，盖25可以设置有相对柔性(即刚度比盖的其余部分低)的区域。这样的相对柔性的部分可以配置成使得，在将盖25移动至关闭位置时，施加到盖上的力和/或在相对于衬底W和/或衬底台WT定位盖时的任何误差，导致盖的相对柔性部的变形，而不是衬底W或支撑衬底的衬底台WT的支撑部的变形。

图28至32示意性地显示了具有相对柔性部的本发明的实施例的盖25的布置的横截面视图。如图28至30所示，盖25可以由材料的单个部形成，可以设置一个或更多的相对柔性部，在该柔性部中减小盖的厚度。例如，如图28所示，盖25的一个或更多的边缘部161、162可以具有比盖25的主体的其余部分163的厚度小的厚度。因此厚度减小的部分161、162的刚度小于盖25的主体的其余部分163的刚度。

盖25的厚度减小的部分161、162可以围绕盖25，例如沿着盖25的整个内侧和/或外侧边缘延伸。还应当理解，在一些布置中，仅盖25的一个边缘具有厚度减小的部分，用于提供相对柔性部。

应当理解，这样的布置可以与上文讨论的实施例结合，其中盖25的边缘是有锥度的。在这一情形中，应当理解厚度减小的部分161、162的边缘161a、162a可以是有锥度的。类似地，下文描述的在图29至34中显示的盖的边缘可以是有锥度的。然而，为了简洁，这没有对于下文讨论的每一实施例都进行详细描述。

如图29所示，盖25的相对柔性部可以通过在盖25的下表面中形成沟槽165来提供。沟槽165导致了盖25的相关部166，其具有减小的厚度和因此减小的刚度。应当理解，沟槽165可以围绕盖25延伸。因此，在使用时，沟槽165可以定位在围绕衬底的整个周边延伸的、在衬底W的边缘和衬底台WT中的凹陷的边缘之间的间隙上方。

虽然图29显示一种布置，在该布置中单个沟槽165设置在盖25的下表面中，但是应当理解，可以设置多个沟槽用于增加盖25的部分的柔性。然而，通常期望保持盖25的主体的足够的部分具有相对高的刚度，即盖的部分具有全部的厚度，用于帮助确保盖25不会在使用时过度变形。

如图30显示，可以组合图28和29中显示的布置。或者说，盖25可以具有在盖25的一个或更多的边缘处的厚度减小的部分161、162，且还可以设置有在盖25的下表面上的一个或更多的沟槽165。

在对应的另外的布置中，如分别在图31至33中显示的，盖25的主体可以由连接至材料171的至少一个支撑部的材料171的平坦部形成。材料170的平坦部和材料171的支撑部的组合提供了具有全部厚度并因此具有相对高的刚度的盖25的主体的部分。盖25的主体的部提供了具有相对低的刚度的厚度减小的盖25的部161、162，所述主体的部由没有被材料171的支撑部支撑的平坦材料170形成。同理，材料171的两个支撑部之间的间隙提供了沟槽165，该沟槽165提供盖25的相对柔性部。

虽然未在图28至33中显示，但是应当理解，本发明的这一方面中的盖25可以包括诸如在上文讨论的支撑件，包括将盖25连接至致动器系统的支撑件。

图34显示了本发明的一个实施例，其中盖25的主体被一个或更多的支撑件172支撑。如图所示，盖25具有在盖25的每一边缘处的厚度减小部161、162，从而提供了盖25的相对柔性部。另外，沟槽165设置在盖25的下表面中。沟槽165被定位成使得每一沟槽围绕盖25延伸，处于在盖25的各自的边缘和在一个或更多的支撑件172的位置之间的位置。因此，沟槽165提供盖25的另外的相对柔性部。应当理解，在这一布置的变形中，可以省略盖25的一个或更多的相对柔性部。

在本发明的一实施例中，可以配置将衬底支撑在凹陷22中的衬底台WT的支撑部，用于补偿通过盖25施加到衬底W上的力。

如图35和36所示，可以在衬底台WT上支撑衬底W的支撑部中设置多个凸起180。布置凸起180用于在多个分离的位置处支撑衬底W的下表面。因此，每个凸起180承受通过衬底W施加到衬底台WT上的力的一部分。

如上文所述，在衬底W的情形中，在衬底W上力通过盖25施加到衬底W的周边部上，通过衬底W施加到衬底台WT上的力的分布可能是不均匀的。尤其是，与用于支撑衬底的中心部的凸起180上的力相比，衬底W可以施加更大的力到用于支撑衬底W的周边部的凸起180上。

如图35所示，在本发明的一实施例中，衬底台WT可以配置成，使得支撑部每单位面积的凸起180的数量在衬底台WT的支撑部的周边区域181中大于衬底台WT的支撑部的中心部182。

在一实施例中，凸起180的密度的分布(即每单位面积的数量)可以被选择为，使得对于期望通过盖25施加到衬底W的力，力的分布使得施加到每一凸起180上的力基本上对于衬底台WT的支撑部的周边部181和衬底台WT的支撑部的中心部182是相同的。通过确保在每一凸起180上的力是基本上相同的，在使用时每一凸起180上的变形可能是相同的。这可以防止凸起180的扭曲的不均匀的图案，凸起180的所述扭曲可以例如引起衬底W的变形。例如，如果衬底台WT的支撑部的周边部181中的凸起180变形大于衬底台WT的支撑部的中心部182中的凸起180的变形，那么衬底W的边缘可以被相对于衬底W的中心部变形。

图36显示与盖25一起使用的衬底台WT的支撑部的另一布置。如图所示，不是增加周边区域中的支撑部的每单位面积的凸起180的数量，而是相对于衬底台WT的支撑部的中心区域中的凸起180的宽度来增加周边区域中的凸起183的宽度。因此，对于给定的可允许的变形，周边区域中的较宽的凸起183与中心区域中的较窄的凸起180相比，可以支撑更大的力。

如对于图35中的布置，图36中显示的支撑部可以配置成使得，对于通过衬底W施加到支撑部上的力的给定的分布，提供了凸起180、183的一致的变形，从而减小了衬底W的变形。

应当理解，可以使用图35和36中显示的布置的组合。因此，在衬底台WT的支撑部的周边区域中，每单位面积可以设置更大数量的凸起，每一凸起与设置在衬底台WT的支撑部的中心区域中的凸起相比，可以具有更大的宽度。

在使用具有如上所述的盖25的光刻设备期间，盖25的状况可能随着时间劣化。例如，由于施加到其上的力，可以使得盖25的形状变形。可替代地或另外地，可以将污染物沉积到盖25的表面上。可替代地或另外地，盖25上的涂层可以被损坏或劣化。

在一实施例中，上文描述的任意布置中的盖25可以连接至通过可释放的连接支撑它的一个或更多的支撑件。因此，可以更换盖25。尤其是，可以用新的盖更换盖25。可以丢弃已经被移除的盖25。可替代地，盖25可以根据对于再次使用所必须的要求而被清洗和/或被再涂覆和/或被修理。通常，期望在从光刻设备移除盖25时，如果被移除的盖25之后被再次使用，那么不同的盖25可以放置在其位置上。这可以减小光刻设备的停机时间。

图37显示本发明的实施例的可释放连接的实施例。如图所示，支撑盖25的支撑件200可以包括支撑柱201和支撑部202。可以使用其它的支撑件的通用配置。应当理解，支撑件200可以连接至如上所述的致动器系统。可替代地，支撑件200可以用作延伸至上文所述的图20和21中显示的布置中的凹陷22的底表面的支撑件。

如图所示，可以通过粘结层303将盖25连接至支撑件200的支撑部202。在这一布置的变形中，可以设置所谓的双面粘结件来替代简单的粘结层203。双面粘结件可以例如由塑料材料或聚合物的基板形成，该基板支撑用粘结剂涂覆的上和下表面。

双面粘结件可以预先制备有适合的尺寸，适于安装到支撑件200的支撑部202上。相应地，双面粘结件可以通过双面粘结件的一侧上的粘结剂连接至支撑部202，且通过双面粘结件的另一侧上的粘结剂连接至盖25。因此，可以将盖25方便地连接至支撑件200，从而减小了形成所述连接所需要的时间。

粘结层203可以具有例如约5-50μm的厚度。双面粘结件可以具有例如约50-500μm的厚度。因此，支撑件200的尺寸可以被选择成考虑粘结层203和/或双面粘结件的厚度，用于保证盖25设置在正确的位置上。

图38显示用于将盖25连接至支撑件200的另一布置。如图所示，支撑件200的支撑部202可以包括凹陷202a，在凹陷202a中可以设置粘结层203或双面粘结件。凹陷202a的设置可以便于通过提供限定的区域设置粘结层203，在该限定的区域中提供粘结剂203。

凹陷202的设置可以进一步使得能够精确地定位盖25。尤其是，盖25相对于支撑件200的位置可以通过支撑件200的支撑部202的非凹陷部202b来限定。这可以提供例如比诸如图37中显示的布置更大的精确度，在图37显示的布置中，盖25通过粘结层203或双面粘结件连接至支撑件的支撑部202，且支撑部202不包括凹陷。在这样的布置中，盖25相对于支撑件200的位置可能由于粘结层203和/或双面粘结件的任何压缩性而有小的变化。

应当理解，可替代地或另外地，可以设置粘结层203和/或双面粘结件的凹陷可以形成在盖25的下侧上。

如上文所述，可以设置盖25，且在盖25的下表面25a上有涂层。然而，依赖于涂层的性质，它可能不具有好的粘结性质。例如，如果粘结剂或双面粘结件连接至涂层，那么可以减小粘结层203或双面粘结件之间的连接强度。

在一种布置中，盖25可以配置成使得不在盖25被连接至支撑件200所在的区域中设置涂层。例如，在施加涂层到盖25的过程中，相关的区域可以设置有防止涂层被涂覆到所述区域的遮蔽件(mask)。随后，可以移除所述遮蔽件。

图39显示用于将盖25连接至支撑件200的另一布置的实施例。在这一布置中，腔205形成在支撑件200和盖25之间。可以通过导管206(例如连接至负压源)对腔205抽真空。相应地，盖25可以通过真空夹具连接至支撑件200。

如图39所示，可以通过凹陷202a形成腔205，该凹陷202a形成在类似于图38中显示的布置中的支撑件200的支撑部202的上表面中。应当理解，如对于图37显示的布置的变形，如上文所述，凹陷可替代地或另外地形成在盖25的下表面中，用于提供腔205。

为了更换根据图39显示的实施例的盖25，腔205中的气体压力可以被增加，例如增加至周围气体环境的压力，从而允许从支撑件200移除盖25。因此，应当理解，具有一个或更多的阀和控制器的适合的系统可以设置至气体导管206。之后可以将替代的盖25放置在适合的位置，再次降低腔205中的压力，用于提供真空夹持。

应当理解，可以手动地执行盖25的移除和更换，和/或可以通过诸如上文所述的盖运送系统130来进行。

应当理解，图37至39仅示意性地示出支撑件200。支撑件200可以具有任何便利的形式。例如，如上文所述，可以在衬底W的边缘和凹陷22的边缘之间的间隙内设置沿着盖25分布的多个支撑件200。在一个实施例中，支撑件200的形状可以是环形。

为了从如上文所述盖25通过粘结层203或双面粘结件所连接至的支撑件200移除盖25，可以将力施加到盖25上，直到释放通过粘结层203或双面粘结件所形成的连接为止。或者说，可以施加足以克服粘结剂的力。在已经移除盖25之后，可以从支撑件200清洁掉来自粘结层203或双面粘结件的任何残留的粘结剂。在此之后，新盖25可以通过新的粘结层203或新的双面粘结件连接至支撑件200。

在本发明的一实施例中，盖25可以被从支撑盖25的支撑件200移除，新盖25连接至支撑件200，同时支撑件位于光刻设备内。因此，可以设置用于更换盖25的简单的布置。

在一种布置中，支撑件200可以配置成使得它可以被从光刻设备移除，同时仍然连接至盖25。因此，可以通过替换包括盖25和支撑件200的模块来实施在光刻设备中更换盖25。因此，在离线情况下，可以例如以上文讨论的方式从支撑件200拆卸盖25，新或经过修理的盖25连接至支撑件200，用于提供用在后续的操作中的经过修理的模块，以在光刻设备或另一光刻设备中更换盖25。

图40显示盖25的布置，盖25可以用其支撑件200移除。如图所示，支撑件200可以连接至致动器系统50，该致动器系统50用于通过可释放的连接器210来控制盖25的位置。因此，在盖25将被更换时，可释放的连接器210被释放，允许移除盖25和支撑件200。在此之后，替代的盖25可以通过将其支撑件200连接至致动器系统50的可释放的连接器210来提供。

例如可以由机械夹具来形成可释放的连接器210，例如其中通过由诸如弹簧、磁性夹具或真空夹具等弹性构件提供的夹持力来固定支撑件200。可以使用用于提供可释放的连接器210的可替代的布置。

图41显示允许移除盖25且同时连接至支撑件200的系统的布置。如图所示，支撑件200可以连接至横向致动器平台52，如上文所述，该横向致动器平台52又连接至横梁致动器平台51。在这种布置中，横向致动器平台52可以通过可释放的连接器215连接至横梁致动器平台51。

用于接合两个致动器平台51、52的可释放的连接器215，如图40显示的可释放的连接器210，可以例如是机械夹具、磁性夹具或真空夹具。可以使用可替代的用于提供可释放的连接器215的布置。

为了移除盖25，释放可释放的连接器215，从而允许移除包括盖25、支撑件200和横向致动器平台52的模块。之后，替代的模块可以通过可释放的连接器215装配和连接至所述设备。如上文所述，被移除的模块可以是离线时可修理的，用于准备再次使用。

图42显示了允许移除盖25且同时连接至支撑件200的系统的布置。如图所示，支撑件200可以连接至横向致动器平台52，如上文所述，该横向致动器平台52又连接至横梁致动器平台51。在这一布置中，横向致动器平台52和横梁致动器平台51的组合可以通过可释放的连接器216连接至衬底台WT。

用于将两个致动器平台51、52与衬底台WT接合的可释放连接器216，如对于图40和41中显示的可释放的连接器210、215，可以例如是机械夹具、磁性夹具或真空夹具。可以使用可替代的用于提供可释放连接器216的布置。

为了移除盖25，释放可释放的连接器216，从而允许移除包括盖25、支撑件200、横向致动器平台52和横梁致动器平台51的模块。之后，替代的模块可以通过可释放的连接器216装配和连接至所述设备。如上文所述，被移除的模块可以是离线时可修理的，用于准备再次使用。

应当理解，其中用支撑件200移除盖25的上述的布置可以具有优点：为了更换盖25的光刻设备的停机时间被减小。

此外，这样的布置可能便于相对于支撑件200精确地定位盖25。

此外，应当理解，在通过粘结层203或双面粘结件将盖25连接至支撑件200且在离线时从支撑件200移除盖25(即其中支撑件200可以借助于盖25从光刻设备移除)的布置中，对于粘结层203或双面粘结件的粘结剂来说可以提供对所使用的粘结剂的更大的选择自由度。尤其是，因为可以在离线时涂覆粘结剂，可以使用长干燥时间的粘结剂。

对于为离线检修而将支撑件200以及可选地横向致动器平台52和/或横梁致动器51被借助于盖25从光刻设备移除的布置，可以在再次使用之前，清洁支撑件200以及在可应用的情况下的横向致动器平台52和/或横梁致动器平台51。

本发明的实施例可以通过以下的各个方面来实现：

在第一方面中，提供一种用在光刻设备中的盖，所述光刻设备包括具有基本上平坦的上表面的衬底台，凹陷形成在所述基本上平坦的上表面中，所述凹陷配置成容纳和支撑衬底，所述盖包括基本上平坦的主体，所述主体在使用中围绕所述衬底从所述上表面延伸至所述衬底的上主面的周边部，用于覆盖所述凹陷的边缘与所述衬底的边缘之间的间隙，所述盖包括相对柔性部，所述相对柔性部在使用中围绕所述衬底延伸，所述相对柔性部配置成具有比所述盖的其余部分更低的刚度。

在根据上述第一方面的第二方面中，所述盖的相对柔性部包括所述盖的区域，在所述区域中，所述盖的厚度小于所述盖的主体的其余部分的厚度。

在根据上述第一方面或第二方面的第三方面中，所述盖包括侧边缘，所述内侧边缘在使用中围绕所述衬底的周边部延伸且限定了所述盖的敞开的中心部，所述盖的相对柔性部包括沿着所述盖的内侧边缘的区域，在所述区域中所述盖的厚度小于所述盖的主体的其余部分的厚度。

在根据上述第一方面至第三方面中的任一方面的第四方面中，所述盖的相对柔性部包括在所述盖的下表面中形成的沟槽，所述沟槽在使用中围绕所述衬底且在所述衬底的边缘与所述凹陷的边缘之间的间隙上方延伸。

在根据上述第一方面至第四方面中的任一方面的第五方面中，所述盖包括：

所述盖的主体的外侧边缘，所述外侧边缘在使用中围绕在所述衬底台的上表面中的凹陷延伸；

所述盖的主体的内侧边缘，所述内侧边缘在使用中围绕所述衬底的周边部延伸且限定敞开的中心部；和

多个支撑件，所述支撑件布置成围绕所述盖的主体的下表面，每一支撑件在所述盖的各个部分的内侧边缘和外侧边缘之间，

其中沿着所述内侧边缘和/或外侧边缘的所述盖的厚度小于所述盖的主体的其余部分的厚度，和

其中所述盖的下表面包括在所述多个支撑件和所述内侧边缘之间的围绕所述盖延伸的沟槽、和/或在所述多个支撑件和所述外侧边缘之间的围绕所述盖延伸的沟槽。

在根据上述第五方面的第六方面中，所述盖还包括致动器系统，所述致动器系统配置成在敞开位置和关闭位置之间移动所述盖，在所述敞开位置处，衬底能够被装载到所述凹陷中和/或从所述凹陷卸载，在所述关闭位置处，所述盖在所述凹陷中的衬底的周边部与所述衬底台的上表面之间延伸，所述致动器系统提供力至所述多个支撑件，用于移动所述盖。

在根据上述第一方面至第六方面中的任一方面的第七方面中，所述盖的主体由单件的材料形成。

在根据上述第一方面至第六方面中的任一方面的第八方面中，所述盖包括：

材料的支撑部，其连接至所述主体的材料的平坦部的下表面；和

所述盖的主体的沟槽和/或部分，其厚度小于所述盖的主体的其余部分的厚度，所述其余部分由没有被材料的所述支撑部支撑的材料的所述平坦部的区域所提供。

在根据上述第一方面至第八方面中的任一方面的第九方面中，所述盖的主体包括具有一部分的边缘，在所述部分中所述盖的主体的厚度逐渐增加。

在根据上述第一方面至第九方面中的任一方面的第十方面中，所述盖配置成使得，在所述盖的主体在所述凹陷中的衬底的周边部与所述衬底台的上表面之间延伸时，所述盖的主体的上表面的平滑度使得所述表面的峰至谷的距离小于10μm，期望地小于5μm。

在根据上述第一方面至第十方面中的任一方面的第十一方面中，所述盖的下表面包括表面粗糙度R_A小于1μm的涂层，期望地所述表面粗糙度R_A小于200nm，期望地小于50nm，期望地小于10nm。

在根据上述第一方面至第十一方面中的任一方面的第十二方面中，所述盖的上表面和/或下表面包括疏液的涂层。

在根据上述第一方面至第十二方面中的任一方面的第十三方面中，所述盖的上表面包括能够耐受曝光辐射的损害的涂层。

在本发明的第十四方面中，提供一种用于光刻设备的衬底台，所述衬底台具有基本上平坦的上表面，在所述基本上平坦的上表面中形成凹陷，所述凹陷配置成容纳和支撑衬底，所述衬底台包括如根据权利要求1至13中任一项所述的盖。

在本发明的第十五方面中，提供一种光刻设备，所述光刻设备包括根据上述第十四方面所述的衬底台。

在本发明的第十六方面中，提供一种用于光刻设备的衬底台，所述衬底台具有基本上平坦的上表面，在所述基本上平坦的上表面中形成凹陷，所述凹陷配置成容纳和支撑衬底，所述衬底台包括：

盖，配置成使得在使用中所述盖围绕所述衬底从所述上表面延伸至所述衬底的上主面的周边部，用于覆盖在所述凹陷的边缘与所述衬底的边缘之间的间隙；

在根据上述第十六方面的第十七方面中，所述控制器配置成基于所述数据来确定提供所述盖的下表面与所述衬底的上主面和/或所述衬底台的上表面之间的接触所需要的所述盖的位置。

在根据上述第十七方面的第十八方面中，所述控制器配置成基于所述数据来确定确保所述盖的下表面与所述衬底的上主面之间的接触力在需要的范围内所需要的盖的位置。

在根据上述第十六方面至第十八方面中的任一方面的第十九方面中，所述致动器系统配置成独立地控制所述盖在围绕所述盖的多个位置处的高度，所述控制器所使用的数据表示在围绕所述衬底的周边部的多个位置处的高度。

在根据上述第十六方面至第十九方面中的任一方面的第二十方面中，所述盖的主体包括具有一部分的边缘，在所述部分中所述盖的主体的厚度逐渐增加。

在根据上述第十六方面至第二十方面中的任一方面的第二十一方面中，所述盖配置成使得，在所述盖在所述凹陷中的衬底的周边部与所述衬底台的上表面之间延伸时，所述盖的上表面的平滑度使得所述表面的峰至谷的距离小于10μm，期望地小于5μm。

在根据上述第十六方面至第二十一方面中的任一方面的第二十二方面中，所述盖的下表面包括表面粗糙度R_A小于1μm的涂层，期望地所述表面粗糙度R_A小于200nm，期望地小于50nm，期望地小于10nm。

在根据上述第十六方面至第二十二方面中的任一方面的第二十三方面中，所述盖的上表面和/或下表面包括疏液的涂层。

在根据上述第十六方面至第二十三方面中的任一方面的第二十四方面中，所述盖的上表面包括能够耐受曝光辐射的损害的涂层。

在本发明的第二十五方面中，提供一种光刻系统，所述光刻系统包括：

根据上述第十六方面至第二十四方面中的任一方面所述的衬底台；和

量测工作站，配置成测量所述高度和提供数据给所述衬底台的控制器，用于控制移动所述盖的致动器系统。

在本发明的第二十六方面中，提供一种用于光刻设备的衬底台，所述衬底台具有基本上平坦的上表面，在所述基本上平坦的上表面中形成凹陷，所述凹陷配置成容纳和支撑衬底，所述衬底台包括：

盖，配置使得在使用中所述盖围绕所述衬底从所述上表面延伸至所述衬底的上主面的周边部，用于覆盖在所述凹陷的边缘与所述衬底的边缘之间的间隙；和

在根据上述第二十六方面的第二十七方面中，用于支撑所述衬底的周边区域和中心区域的所述支撑部的相对刚度被选择使得，对于通过所述盖施加到所述衬底的上表面上的预期的力，用于支撑所述衬底的所述周边区域和中心区域的所述支撑部的所述部分的变形基本上是相同的。

在根据上述第二十六或第二十七方面的第二十八方面中，所述支撑部包括多个凸起，所述凸起支撑所述衬底的下表面，在用于支撑所述衬底的周边部的区域中的所述支撑部的每单位面积的凸起的数量大于在用于支撑所述衬底的中心区域的区域中的所述支撑部的每单位面积的凸起的数量。

在根据上述第二十六方面至第二十八方面中的任一方面的第二十九方面中，所述支撑部包括多个凸起，所述凸起支撑所述衬底的下表面，在用于支撑所述衬底的周边部的区域中所述凸起的宽度大于在用于支撑所述衬底的中心区域的区域中的所述凸起的宽度。

在本发明的第三十方面中，提供一种光刻设备，所述光刻设备包括根据在根据上述第二十六方面至第二十九方面中的任一方面的第三十方面中，所述的衬底台。

在本发明的第三十一方面中，提供一种将衬底装载到光刻设备的衬底台上的方法，所述衬底台具有基本上平坦的上表面，在所述基本上平坦的上表面中形成凹陷，所述凹陷配置成容纳和支撑衬底，所述方法包括以下步骤：

装载衬底至所述凹陷；和

在根据上述第三十一方面的第三十二方面中，所述方法还包括步骤：

测量围绕所述衬底的周边部的所述衬底的上主面相对于所述衬底台的上表面的高度或围绕所述衬底的周边部的所述衬底台的上表面相对于围绕所述衬底的周边部的所述衬底的上主面的高度，用于提供所述数据。

在本发明的第三十三方面中，提供一种用于光刻设备的衬底台，所述衬底台具有基本上平坦的上表面，在所述基本上平坦的上表面中形成凹陷，所述凹陷配置成容纳和支撑衬底，所述衬底台包括：

支撑件，配置成支撑所述盖，

其中所述盖可释放地连接至所述支撑件。

在根据上述第三十三方面的第三十四方面中，所述盖通过粘结层、和/或双面粘结件、和/或真空夹具连接至所述支撑件。

在根据上述第三十三或三十四方面的第三十五方面中，所述衬底台，还包括致动器系统，所述致动器系统配置成在关闭位置和敞开位置之间移动所述盖，在所述关闭位置处，所述盖接触在所述凹陷中支撑的衬底的所述上表面，在所述敞开位置处，所述盖被设置成与所述凹陷中的衬底分开，其中所述支撑件通过可释放的连接器连接至所述致动器系统。

在根据上述第三十三方面至第三十五方面中的任一方面的第三十六方面中，所述衬底台还包括致动器系统，所述致动器系统配置成在关闭位置和敞开位置之间移动所述盖，在所述关闭位置处，所述盖接触在所述凹陷中支撑的衬底的所述上表面，在所述敞开位置处，所述盖被设置成与所述凹陷中的衬底分开，所述致动器系统包括横向致动器平台和横梁致动器平台，所述横向致动器平台配置成沿平行于所述衬底的上主面的方向移动所述盖，所述横梁致动器平台配置成沿着垂直于所述衬底的上主面的方向移动所述盖，其中所述支撑件连接至所述横向致动器平台且所述横向致动器平台通过可释放的连接器连接至所述横梁致动器平台。

在根据上述第三十五或三十六方面的第三十七方面中，所述可释放的连接器包括机械夹具、和/或磁性夹具、和/或真空夹具。

虽然在本文中详述了光刻设备用在例如IC(集成电路)制造中，但是应该理解到这里所述的光刻设备可以有制造具有微米尺度或甚至纳米尺度的特征的其他的应用，例如制造集成光学系统、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等。本领域技术人员应该认识到，在这种替代应用的情况中，可以将其中使用的任意术语“晶片”或“管芯”分别认为是与更上位的术语“衬底”或“目标部分”同义。这里所指的衬底可以在曝光之前或之后进行处理，例如在轨道(一种典型地将抗蚀剂层涂到衬底上，并且对已曝光的抗蚀剂进行显影的工具)、量测工具和/或检验工具中。在可应用的情况下，可以将所述公开内容应用于这种和其它衬底处理工具中。另外，所述衬底可以处理一次以上，例如为产生多层IC，使得这里使用的所述术语“衬底”也可以表示已经包含多个已处理层的衬底。

这里使用的术语“辐射”和“束”包含全部类型的电磁辐射，包括：紫外(UV)辐射(例如具有约365、248、193、157或126nm的波长)。

在允许的情况下，术语“透镜”可以指的是不同类型的光学部件中的任何一个或组合，包括折射式的和反射式的光学部件。

为了操作本发明的部件(例如致动器)的一个或更多的移动，可以有一个或更多的控制器。控制器可以具有用于接收、处理和发送信号的任何适合的配置。例如，每一控制器可以包括一个或更多的处理器，用以执行包括用于上述方法的机器可读指令的计算机程序。控制器可以包括用于存储这样的计算机程序的数据存储介质和/或用以容纳这种介质的硬件。

尽管以上已经描述了本发明的具体实施例，但应该认识到，本发明可以以与上述明确描述的不同的方式来实现。例如，本发明的实施例可以采用包含用于描述如上面公开的方法的一个或更多的机器可读指令序列的计算机程序的形式，或具有存储其中的这样的计算机程序的数据存储介质(例如半导体存储器、磁盘或光盘)的形式。另外，机器可读指令可以内嵌于两个或更多的计算机程序中。所述两个或更多的计算机程序可以被储存在一个或更多的不同的存储器和/或数据存储介质中。所述计算机程序可以适合于控制如在此处所提及的控制器。

本发明的一个或更多的实施例可以应用到任何浸没式光刻设备，尤其是但不限于上面提到的那些类型的光刻设备，而且不论浸没液体是否以浴器的形式提供，或仅在衬底的局部表面区域上提供，或在衬底和/或衬底台上是非限制性的。在非限制的布置中，浸没液体可以在所述衬底台和/或衬底的表面上流动，使得基本上衬底台和/或衬底的整个未覆盖的表面都被浸湿。在这种非限制浸没系统中，液体供给系统可以不限制浸没液体，或者其可以提供一定比例的浸没液体限制，但不是基本上完全地对浸没液体进行限制。

这里提到的液体供给系统应该被广义地解释。在某些实施例中，液体供给系统可以是一种机构或多个结构的组合，其提供液体到投影系统和衬底和/或衬底台之间的空间。液体供给系统可以包括用于将液体供给至空间的一个或更多的结构、一个或更多的液体入口、一个或更多的气体入口、一个或更多的气体出口、和/或一个或更多的液体出口的组合。在一实施例中，所述空间的表面可以是衬底和/或衬底台的一部分，或者所述空间的表面可以完全覆盖衬底和/或衬底台的表面，或者所述空间可以包围衬底和/或衬底台。所述液体供给系统可以可选地进一步包括用于控制液体的位置、数量、品质、形状、流量或其它任何特征的一个或更多个的元件。

此外，虽然已经在特定的实施例和例子的情形中公开了本发明，但是本领域技术人员应当理解，本发明可以超出特定公开的实施例扩展至其它可替代的实施例和/或本发明的使用以及它们的明显的修改和等同物。另外，虽然已经详细地显示且描述了本发明的许多变体，但是落入到本发明的范围内的其它的修改基于本发明的公开内容对本领域技术人员来说是容易明白的。例如，设想可以对实施例的特定的特征和方面进行各种组合或子组合，且它们仍然落入到本发明的范围内。因此，应当理解，所公开的实施例的各种特征和方面可以彼此结合或替换，用以形成所公开的发明的变化的模式。因此，意图是此处所公开的本发明的范围不应当仅由上述的特定公开的实施例所限制，而是应当仅由对随附的权利要求的合理解释来确定。

以上描述旨在进行解释，而不是限制性的。因而，本领域普通技术人员可以理解，在不背离所附权利要求的保护范围的前提下可以对所描述的本发明进行修改。

Claims

1.一种用在光刻设备中的盖，所述光刻设备包括具有基本上平坦的上表面的衬底台，凹陷形成在所述基本上平坦的上表面中，所述凹陷配置成容纳和支撑衬底，所述盖包括基本上平坦的主体，所述主体在使用中围绕所述衬底从所述上表面延伸至所述衬底的上主面的周边部，用于覆盖所述凹陷的边缘与所述衬底的边缘之间的间隙，所述盖包括相对柔性部，所述相对柔性部在使用中围绕所述衬底延伸，所述相对柔性部配置成具有比所述盖的其余部分更低的刚度。

2.根据权利要求1所述的盖，其中所述盖的相对柔性部包括所述盖的区域，在所述区域中，所述盖的厚度小于所述盖的主体的其余部分的厚度。

3.一种用于光刻设备的衬底台，所述衬底台具有基本上平坦的上表面，在所述基本上平坦的上表面中形成凹陷，所述凹陷配置成容纳和支撑衬底，所述衬底台包括如根据权利要求1至2中任一项所述的盖。

4.一种光刻设备，所述光刻设备包括根据权利要求3所述的衬底台。

5.一种用于光刻设备的衬底台，所述衬底台具有基本上平坦的上表面，在所述基本上平坦的上表面中形成凹陷，所述凹陷配置成容纳和支撑衬底，所述衬底台包括：

6.一种光刻系统，所述光刻系统包括：

根据权利要求5所述的衬底台；和

7.一种用于光刻设备的衬底台，所述衬底台具有基本上平坦的上表面，在所述基本上平坦的上表面中形成凹陷，所述凹陷配置成容纳和支撑衬底，所述衬底台包括：

8.一种光刻设备，所述光刻设备包括根据权利要求7所述的衬底台。

9.一种将衬底装载到光刻设备的衬底台上的方法，所述衬底台具有基本上平坦的上表面，在所述基本上平坦的上表面中形成凹陷，所述凹陷配置成容纳和支撑衬底，所述方法包括以下步骤：

装载衬底至所述凹陷；和

10.一种用于光刻设备的衬底台，所述衬底台具有基本上平坦的上表面，在所述基本上平坦的上表面中形成凹陷，所述凹陷配置成容纳和支撑衬底，所述衬底台包括：

支撑件，配置成支撑所述盖，

其中所述盖可释放地连接至所述支撑件。