CN102193183A - 滤光器及其制造方法、分析设备以及光设备 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title abstract description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 139
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 34
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims abstract 6
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 98
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 97
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 93
- 230000004913 activation Effects 0.000 claims description 49
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 claims description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 30
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 22
- 238000005987 sulfurization reaction Methods 0.000 claims description 9
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 abstract description 5
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 26
- 238000005375 photometry Methods 0.000 description 20
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 20
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 15
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 13
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 13
- -1 gold Chemical class 0.000 description 11
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 11
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 10
- BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N bis(2-ethylhexyl) phthalate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC(CC)CCCC BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 9
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 6
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 6
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 5
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 5
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 238000010422 painting Methods 0.000 description 5
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 4
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 4
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 3
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 3
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 3
- CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N octamethyltrisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 2
- DKNPRRRKHAEUMW-UHFFFAOYSA-N Iodine aqueous Chemical compound [K+].I[I-]I DKNPRRRKHAEUMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 2
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004568 cement Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical compound S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical group NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 description 1
- 210000000988 bone and bone Anatomy 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003760 hair shine Effects 0.000 description 1
- 125000001188 haloalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000026030 halogenation Effects 0.000 description 1
- 238000005658 halogenation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910000037 hydrogen sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 1
- IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N isocyanate group Chemical group [N-]=C=O IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000468 ketone group Chemical group 0.000 description 1
- 239000005355 lead glass Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 125000004437 phosphorous atom Chemical group 0.000 description 1
- 230000005622 photoelectricity Effects 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 229940072033 potash Drugs 0.000 description 1
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Substances [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 235000015320 potassium carbonate Nutrition 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 description 1
- 230000011514 reflex Effects 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 description 1
- 125000002769 thiazolinyl group Chemical group 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/12—Generating the spectrum; Monochromators
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- G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
- G02B26/001—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements based on interference in an adjustable optical cavity
Abstract
本发明涉及滤光器及其制造方法、分析设备以及光设备。本发明的滤光器具有对置的第1、第2基板、在第1、第2基板上设置的第1、第2反射膜、在第1、第2基板上设置的第1、第2接合膜、以及在第1、第2反射膜的表面形成的第1、第2阻隔膜，第1阻隔膜的臭氧或紫外线的透射率比第1反射膜低，第2阻隔膜的臭氧或紫外线的透射率比第2反射膜低，在制造或实际使用滤光器时，保护反射膜免受臭氧或紫外线的影响，不会使滤光器特性变差。
Description
技术领域
本发明涉及滤光器及其制造方法、分析设备以及光设备等。
背景技术
提出有使透射波长可变的干涉滤波器(专利文献1)。如专利文献1的图1所示，该干涉滤波器具备保持为相互平行的一对基板、和在这一对基板上相互对置且以具有一定间隔间隙的方式形成的一对反射膜。向一对反射膜间入射的光因与法布里-珀罗干涉仪相同的原理而被多重反射，特定波段以外的光由于干涉而被抵消，仅有特定波段的光发生透射。通过使一对反射膜间的间隙可变，该干涉滤波器起到带通滤波器的作用，被称为标准具(etalon)。
一对反射膜可以由例如专利文献2所示的电介质多层膜、确保高反射率的金属膜形成。另外，在一对基板上分别形成接合膜，使各接合膜的表面活化而接合起来(专利文献3，4)。
在先技术文献
专利文献
【专利文献1】日本特开平11-142752号公报
【专利文献2】日本特开2009-134028号公报
【专利文献3】日本特开2008-116669号公报
【专利文献4】日本特许第4337935号公报
发明内容
在专利文献3的接合方法中，一对基板是借助于在一对基板上分别形成的金属膜(接合膜)而固相接合的。然而，金属膜的固相接合会受到表面粗糙度的影响，缺乏接合可靠性。
另一方面，专利文献4的接合方法是用臭氧、紫外线使接合膜活化而接合的。该接合膜的活化工序中，已明确了由金属或电介质多层膜形成的一对反射膜受到损害而发生变质或恶化，从而反射率可能会降低。一对反射膜也会由于滤光器所配置的环境而受到臭氧、紫外线的恶劣影响。
因此，在本发明的若干方式中，提供一种在制造滤光器时或实际使用时能保护一对反射膜免受臭氧、紫外线的影响而不会使滤光器特性变差的滤光器及其制造方法、分析设备以及光设备。
(1)本发明的一个方式所涉及的滤光器的制造方法，其特征在于，具有如下工序：
在第1基板上形成第1接合膜的工序，所述第1基板形成有第1反射膜，
在第2基板上形成第2接合膜的工序，所述第2基板形成有第2反射膜，
形成第1阻隔膜的工序，所述第1阻隔膜覆盖所述第1基板的所述第1反射膜的表面，
形成第2阻隔膜的工序，所述第2阻隔膜覆盖所述第2基板的所述第2反射膜的表面，
利用臭氧或紫外线对所述第1、第2接合膜分别赋予活化能的工序，以及
接合已活化的所述第1、第2接合膜而将所述第1、第2基板黏在一起的工序，
所述第1阻隔膜在对所述第1接合膜赋予活化能之前形成，
所述第2阻隔膜在对所述第2接合膜赋予活化能之前形成。
根据本发明的一个方式，在利用臭氧或紫外线对第1、第2接合膜赋予活化能时，可以利用第1、第2阻隔膜抑制臭氧或紫外线入射到第1、第2反射膜。因此，能够抑制第1、第2反射膜因臭氧或紫外线而变质或恶化，能够抑制第1、第2反射膜的反射率降低。
(2)在本发明的一个方式中，所述第1阻隔膜和所述第1接合膜可以利用同一材料在同一工序中形成，所述第2阻隔膜和所述第2接合膜可以利用同一材料在同一工序中形成。
这样一来，就可以在同一个工序中实施用于形成第1阻隔膜的工序以及第1接合膜的成膜工序，可以在同一个工序中实施用于形成第2阻隔膜的工序以及第2接合膜的成膜工序，没有必要增设用于形成第1、第2阻隔膜的工序。第1、第2阻隔膜与上述第1、第2接合膜可以用任何方法来制作，例如可以利用等离子体聚合法、CVD法、PVD法之类的各种气相成膜法、各种液相成膜法等来制作。其中，优选利用等离子体聚合法来制作。利用等离子体聚合法，可以高效地制作致密且匀质的膜。
(3)在本发明的一个方式中，上述第1、第2接合膜及上述第1、第2阻隔膜分别含有具有硅氧烷键的Si骨架和与上述Si骨架键合的脱离基团而形成，在赋予上述第1、第2接合膜活化能的工序中，包括所述脱离基团从所述第1、第2接合膜的所述Si骨架脱离而形成未结合键的工序，在上述第1、第2接合膜的接合工序中，可以包括使已活化的上述第1、第2接合膜各自的上述未结合键彼此键合的工序。
这样一来，在第1、第2接合膜的接合工序中，就可以使已活化的第1、第2接合膜各自的未结合键彼此键合，从而将第1、第2基板牢固地接合。第1、第2阻隔膜分别含有具有硅氧烷(Si-O-Si)键的Si骨架和与Si骨架键合的脱离基团而形成。气体的通过路径被硅氧烷键阻断而能够具有对臭氧气体等的高气体阻隔性。另外，第1、第2阻隔膜由于不具有未结合键因此反应性低，而具有难以氧化或硫化的性质。进而，硅氧烷键像SiO2膜那样能吸收包括紫外线的波段在内的200nm以下的波长。第1、第2阻隔膜即使吸收紫外线而激发也只是能量状态增高，由于硅氧烷键的键能高于因紫外线而获得的激发能，因此状态没有变化。
(4)本发明的另一方式涉及的滤光器，其特征在于，具有：
第1基板，
与所述第1基板对置的第2基板，
设置在所述第1基板上的第1反射膜，
设置在所述第2基板上的、与所述第1反射膜对置的第2反射膜，
设置在所述第1基板上的第1接合膜，
设置在所述第2基板上的、以在所述第1、第2反射膜间设置一定间隔的方式与所述第1接合膜接合的第2接合膜，
在所述第1反射膜表面上形成的第1阻隔膜，以及
在所述第2反射膜表面上形成的第2阻隔膜，
所述第1阻隔膜的臭氧或紫外线的透过率比所述第1反射膜低，
所述第2阻隔膜的臭氧或紫外线的透过率比所述第2反射膜低。
该滤光器可以利用第1、第2阻隔膜来抑制臭氧或紫外线入射到第1、第2反射膜。因此，可以抑制第1、第2反射膜因臭氧或紫外线而发生变质或恶化，可以抑制第1、第2反射膜的反射率降低。由此，在滤光器暴露于紫外线或臭氧环境中的实际使用时、在制造利用臭氧或紫外线赋予第1、第2接合膜以活化能的滤光器时，可以抑制第1、第2反射膜发生变质或恶化。
(5)在本发明的另一方式中，所述第1阻隔膜的硫化性可以低于所述第1反射膜，所述第2阻隔膜的硫化性可以低于所述第2反射膜。
这样一来，就可以抑制第1、第2反射膜被硫化氢等硫化而发生变质或恶化。
(6)在本发明的另一方式中，上述第1、第2阻隔膜可以是与利用等离子体聚合法形成的上述第1、第2接合膜同时形成的等离子体聚合膜。利用等离子体聚合法，不仅可以形成致密且匀质的第1、第2阻隔膜和第1、第2接合膜，而且由于不增加成膜工序而可以维持低成本。
(7)本发明的另一方式中，上述第1、第2接合膜和上述第1、第2阻隔膜分别在等离子体聚合时含有具有硅氧烷键的Si骨架和与所述Si骨架键合的脱离基团，上述第1、第2接合膜可以将利用活化能使所述脱离基团从所述Si骨架脱离而形成的未结合键彼此键合而接合。
就第1、第2接合膜而言，活化时的未结合键彼此键合，可以将第1、第2基板牢固地接合。另一方面，就第1、第2阻隔膜各自而言，气体的通过路径被硅氧烷键阻断而具有高气体阻隔性，由于不具有未结合键因此反应性低，硅氧烷键能够吸收紫外线。
(8)在本发明的另一方式中，定义了包含上述滤光器的分析设备。作为这种分析设备，使由被分析对象反射、吸收、透射或发光的光入射到波长可变的滤光器中，用受光元件接受透过滤光器的各波长的光，利用运算电路对来自受光元件的信号进行运算，由此可以测定例如各波长的强度，对颜色、气体中的混合成分等进行分析。
(9)根据本发明的其他方式，定义了包含上述滤光器的光设备。作为这种光设备，可以列举例如光码分复用(OCDM：Optical code Division Multiplexing)、波分复用(WDM：Wavelength Division Multiplexing)等光复用通信系统的发报机。WDM中，根据构成光脉冲信号的光脉冲波长来识别通道。OCDM虽然可以根据符号化的光脉冲信号的模式匹配来识别通道，但是构成光脉冲信号的光脉冲包含不同波长的光成分。因此，光复用通信系统的发报机中，有必要使用多个波长的光，若使用本发明的一个方式所涉及的滤光器，则可以从来自单一光源的光得到多个波长的光。
附图说明
图1是本发明的一个实施方式所涉及的滤光器整体的纵向剖面图。
图2是截断图1所示滤光器的一部分的立体示意图。
图3是模式地表示赋予活化能之前的等离子体聚合膜(第1、第2阻隔膜)的构造的示意图。
图4是模式地表示赋予活化能之后的等离子体聚合膜的构造的示意图。
图5(A)～图5(C)是分别表示第1基板的第1～第3制造工序的图。
图6(A)～图6(C)是分别表示第1基板的第4～第6制造工序的图。
图7(A)～图7(D)是分别表示第2基板的第1～第4制造工序的图。
图8(A)～图8(D)是分别表示第2基板的第5～第8制造工序的图。
图9是表示对活化前的第1、第2接合膜赋予活化能的工序的图。
图10是表示第1、第2基板的接合工序的图。
图11是本发明其他实施方式即分析设备的框图。
图12是表示用图11所示装置进行的分光测定操作的流程图。
图13是本发明另一实施方式即光设备的框图。
符号说明
10-滤光器、20-第1基板、20A1-第1对置面、20A2-第2对置面、20A3-第3对置面、20A4-第4对置面、30-第2基板、30A-对置面、40-第1反射膜、50-第2反射膜、60-第1电极、62-第1配线层、64-第1电极引出部、68-第1引线、70-第2电极、72-第2配线层、74-第2电极引出部、76-第2引线、80-间隙可变驱动部(静电驱动器)、100、110-第1、第2接合膜、100A、110A-活化前的第1、第2接合膜、100B、110B-活化后的第1、第2接合膜、120-第1阻隔膜、130-第2阻隔膜、200-分析设备(测色仪)、300-光设备、301-Si骨架、302-硅氧烷键、303-脱离基团、304-活性键(未结合键)、G1-第1间隙、G2-第2间隙
具体实施方式
以下，对本发明的优选实施方式进行详细说明。应予说明，下面所说的本实施方式并不是不合理地限定本申请要求保护的范围所记载的本发明内容，而本实施方式中说明的全部构成作为本发明的解决手段未必是必需的。
1.滤光器构造的概要
图1是本实施方式的滤光器10的整体的纵向剖面图，图2是将滤光器10的一部分截断后的立体示意图。图1及图2所示的滤光器10包括第1基板20、与第1基板20对置的第2基板30。本实施方式中，将第1基板20作为固定基板或基础基板，将第2基板30作为可动基板或光圈基板，但可以是任一方或双方为可动。
第1、第2基板20、30分别由例如钠钙玻璃、结晶玻璃、石英玻璃、铅玻璃、钾玻璃、硼硅酸玻璃、无碱玻璃等各种玻璃、水晶等形成。在本实施方式中，各基板20、30的构成材料为合成石英玻璃。第1、第2基板20、30各自的一边形成例如10mm的正方形，作为圆形的光圈发挥作用的那部分的最大直径例如是5mm。
第1基板20具有与第2基板30对置的对置面20A，第2基板30具有与第1基板20对置的对置面30A。在本实施方式中，对置面20A形成有例如各自高度不同的第1～第4对置面20A1～20A4，对置面30A平坦地形成。
第1基板20的第1对置面20A1上形成有第1反射膜40，第2对置面20A2上形成有第1电极60，第3对置面20A3上形成有第1接合膜100，第4对置面20A4上形成有相互绝缘的第1配线层及转接配线层62B。第2基板30的对置面30A上分别形成有与第1反射膜40对置的第2反射膜50、与第1电极60对置的第2电极70、与第1接合膜100对置的第2接合膜110、以及与转接配线层62B对置的第2配线层72。另外，在第1反射膜40的表面形成有第1阻隔膜120，在第2反射膜50的表面形成有第2阻隔膜130。
另外，如图1所示，在第1、第2基板20、30的外周部形成有用于将第1电极60与外部连接的第1电极引出部64、和用于将第2电极70与外部连接的第2电极引出部74。第1电极引出部64中，与第1电极60导通的第1配线层62与第1引线68连接。第2电极引出部74中，在第2基板30上形成的第2配线层72借助焊锡等导电件66与第1基板20侧的转接配线层62B导通，转接配线层62B上连接有第2引线76。
作为基础基板的第1基板20，通过蚀刻使厚度形成为例如500μm的玻璃基板形成第1～第4对置面20A1～20A4。第1基板20在与第2基板30对置的对置面20A中的中央的第1对置面20A1上形成有例如圆形的第1反射膜40。第2基板30，通过蚀刻使厚度形成为例如200μm的玻璃基板形成如图2所示的薄壁例如环状的光圈部32，其中心位置形成厚壁的反射膜支撑部34。第2基板30在与第1基板20对置的对置面30A上在反射膜支撑部34的位置形成有与第1反射膜40对置的例如圆形的第2反射膜50。
第1、第2反射膜40、50形成例如直径约为3mm的圆形。该第1、第2反射膜40、50用同一材料以同一厚度形成。第1、第2反射膜40、50例如使用溅射法或蒸镀法将Ag、Al、SiO2、TiO2、Ta2O5等材料形成单层膜或层叠而成膜，最外表面形成Ag、Al等金属膜。第1、第2反射膜40、50可以形成单层金属层，也可以例如将TiO2和SiO2交替地层叠而形成电介质多层膜。
进而，在与第1、第2基板20、30的各对置面20A1、20A2、30A相反侧的面，在与第1、第2反射膜40、50对应的位置可以形成无图示的防反射膜(AR)。该防反射膜通过将低折射率膜和高折射率膜交替层叠而形成，在第1、第2基板20、30的界面，使可见光的反射率降低，使透射率增大。
在表面形成有第1、第2阻隔膜120、130的第1、第2反射膜40、50，隔着图1所示的第1间隙G1对置地配置。另外，在本实施方式中，将第1反射膜40作为固定镜，将第2反射膜50作为可动镜，但也可以与上述第1、第2基板20、30的方式相对应地将第1、第2反射膜40、50中的任一方或双方设为可动。
在俯视图中位于第1反射膜40周围的位置并在第1基板20的第1对置面20A1周围的第2对置面20A2上形成有第1电极60。同样地，在第2基板30的对置面30A上，与第1电极60对置地设置有第2电极70。第1电极60与第2电极70如图2所示，例如形成环状，隔着图1所示的第2间隙G2对置地配置。另外，第1、第2电极60、70的表面可以用绝缘膜覆盖。
在本实施方式中，第1基板20的对置面20A具有形成有第1反射膜40的第1对置面20A1、以及在俯视图中配置在第1对置面20A1的周围并形成有第1电极60的第2对置面20A2。第1对置面20A1和第2对置面20A2可以是同一面，但在本实施方式中，第1对置面20A1和第2对置面20A2之间有高低平面差，第2对置面20A2设置在比第1对置面20A1更靠近第2基板30的位置。由此，第1间隙G1＞第2间隙G2的关系成立。不限于此，也可以是第1间隙G1＜第2间隙G2。
第1、第2电极60、70用同一材料以同一厚度形成。第1、第2电极60、70在本实施方式中，使用以氧化锡为杂质掺杂而成的透明ITO(Indium Tin Oxide：氧化铟锡)、利用溅射法以例如0.1μm左右的厚度成膜。因此，驱动部的间隙根据凹部的深度、电极的厚度、接合膜的厚度来确定。这里，电极部的材料不限于ITO，材料也可以使用金等金属，但在本实施方式中，出于透明且容易确认是否放电等理由使用ITO。
此处，一对第1、第2电极60、70作为使第1、第2反射膜40、50间的第1间隙G1的大小可变的间隙可变驱动部80发挥作用。本实施方式的间隙可变驱动部80是静电驱动器。静电驱动器80对一对第1、第2电极60、70赋予电位差，利用由此产生的静电引力使一对第1、第2电极60、70间的第2间隙G2的大小可变，由此使第2基板30对于第1基板20相对地移动，从而使第1、第2反射膜40、50间的第1间隙G1的大小可变。另外，间隙可变驱动部80不限于静电驱动器，也可以用压电元件等来代替。
2.接合膜和阻隔膜
在俯视图中位于第1电极60周围的位置并在第1基板20的第2对置面20A2周围的第3对置面20A3上形成有第1接合膜100。同样地，在第2基板30的对置面30A上与第1接合膜100对置地设有第2接合膜110。
第1阻隔膜120覆盖第1反射膜40的表面而形成，用臭氧或紫外线的透过率低于第1反射膜40的材料形成。同样地，第2阻隔膜130覆盖第2反射膜50的表面而形成，用臭氧或紫外线的透过率低于第2反射膜50的材料形成。
此处，第1、第2接合膜100、110可以在通过臭氧或紫外线照射而被赋予活化能后进行接合。并且，第1阻隔膜120可以在至少对第1接合膜100赋予活化能之前形成，第2阻隔膜130可以在至少对第2接合膜110赋予活化能之前形成。这样一来，在通过臭氧或紫外线照射对第1接合膜100或第2接合膜110赋予活化能时，就可以抑制臭氧或紫外线入射到第1反射膜40或第2反射膜50。这样，第1、第2反射膜40、50可以抑制因暴露于臭氧、紫外线中而发生变质或恶化，抑制反射率降低。
第1、第2反射膜40、50尤其是在作为高反射膜时有时会使用金属膜例如Ag、Al等。这些金属膜的耐环境性差，例如会由于暴露在氧等离子体的臭氧中或者暴露在通过照射紫外线而产生的臭氧中而使得金属氧化膜发生变质。进而，金属膜如果被紫外线照射会因光电效应而使金属原子离子化，变得容易氧化或硫化。另一方面，作为第1、第2反射膜40、50即使使用电介质多层膜，也会由于电介质多层膜用金属氧化膜等形成而难以与氧发生本来的反应，有可能受到物理破坏或者过度氧化而使膜质发生变化。本实施方式中，利用第1、第2阻隔膜120、130抑制了第1、第2反射膜40、50的这些变质、恶化。
另外，第1、第2阻隔膜120、130的形成时期未必限于赋予活化能工序之前。这是因为在滤光器10组装到使用紫外线的设备时，就可以保护第1、第2反射膜免受臭氧、紫外线的影响。这样，在考虑滤光器10的实际使用时，如果从长期保护第1、第2反射膜40、50的观点来讲，第1、第2阻隔膜120、130优选是除了耐受臭氧或紫外线以外、耐环境性也强的膜质。特别是，第1、第2阻隔膜120、130优选还具有如下特性：与第1、第2反射膜40、50相比较，与硫化氢(H2S)等的反应性(硫化性)更低、与卤素类的反应性(卤化性)更低、从作为商品的可靠性角度考虑耐湿性更高等其他特性。
这里，第1、第2接合膜100、110可以是利用等离子体聚合法成膜而得到的等离子体聚合膜。此时，第1、第2阻隔膜120、130可以是与第1、第2接合膜100、110同时形成的等离子体聚合膜。这样，就可以将第1、第2阻隔膜120、130的成膜工序兼用作第1、第2接合膜100、110的成膜工序，没必要增加制造工序，因此可以维持滤光器10的低成本化。
在等离子体聚合时，第1、第2接合膜100、110及第1、第2阻隔膜120、130各自可以含有具有硅氧烷(Si-O-Si)键的Si骨架和与Si骨架键合的脱离基团。
图3模式地示出了这种等离子体聚合膜的构造。图3示出了由等离子体聚合膜形成的第1、第2阻隔膜120、130的构造，并且，与由等离子体聚合膜形成的第1、第2接合膜100、110的赋予活化能之前的构造是相同的。因此，下面参照图3对第1、第2阻隔膜120、130进行说明，此说明也适用于第1、第2接合膜100、110赋予活化能之前的第1、第2接合膜100A、110A(参照后述的图6(C)及图8(D))。
另外，图4示出了通过活化能使具有图3所示构造的赋予活化能之前的第1、第2接合膜100A、110A活化后的第1、第2接合膜100B、110B(参照后述的图9)的构造。
第1、第2阻隔膜120、130如图3所示，活化后的第1、第2接合膜100B、110B如图4所示，均含有硅氧烷(Si-O-Si)键302，具有例如具有不规则原子构造的Si骨架301。图3所示的第1、第2阻隔膜120、130具有与Si骨架301键合的脱离基团303。另一方面，图4所示的活化后的第1、第2接合膜100B、110B，脱离基团303从Si骨架301脱离而具有活性键(未结合键)304。另外，活性键304也包括在Si骨架301中未被终端化的结合键(以下也称为“未结合键”或“悬挂键”)和该未结合键被羟基(OH基)终端化的键。
第1、第2阻隔膜120、130及活化后的第1、第2接合膜100B、110B由于含有硅氧烷键302且受到具有不规则原子构造的Si骨架301的影响而形成难以变形的坚固的膜。考虑这是由于Si骨架301的结晶性降低，因而不易产生晶界的错位、偏离等缺陷的缘故。因此，膜自身的接合强度、耐化学药品性和尺寸精度提高，在最终获得的第1、第2接合膜100、110及第1、第2阻隔膜120、130中，可以得到耐化学药品性及尺寸精度高的膜，第1、第2阻隔膜120、130可以得到高的接合强度。
上述第1、第2阻隔膜120、130的特性也可以由具有包含硅氧烷(Si-O-Si)键302的Si骨架301、和与Si骨架301键合的脱离基团303的构造来进行说明。即，气体的通过路径被硅氧烷(Si-O-Si)键302阻断而能够具有高气体阻隔性。另外，第1、第2阻隔膜120、130由于不具有图4所示的未结合键304，因此反应性低，具有难以氧化或硫化的性质。进而，硅氧烷(Si-O-Si)键302像SiO2那样会吸收包括紫外线波段在内的200nm以下的波长。第1、第2阻隔膜120、130即使吸收紫外线而激发也只是能量状态增高，由于硅氧烷(Si-O-Si)键302的键能比因紫外线而得到的激发能高，因此状态没有变化。
具有图3构造的赋予活化能之前的第1、第2接合膜100A、110A如被赋予活化能，则脱离基团303从Si骨架301脱离，如图4所示，活化后的第1、第2接合膜100B、110B的表面及内部产生活性键304。由此，活化后的第1、第2接合膜100B、110B的表面呈现粘合性，第1、第2接合膜100B、110B的活性键304中的未结合键彼此键合，由此得到图1所示的接合后的第1、第2接合膜100、110。具备已活化的第1接合膜100B的第1基板20可以以较高的尺寸精度牢固且高效地与具备已活化的第2接合膜110B的第2基板30接合。
第1、第2阻隔膜120、130及活化后的第1、第2接合膜100B、110B成为不具有流动性的固体状。因此，与以往具有流动性的液态或粘液状的粘合剂相比，膜的厚度和形状几乎没有变化。由此，膜的尺寸精度与以往相比有显著提高。进而，无需粘结剂固化所需的时间，因此以短时间就能牢固地接合。
第1、第2阻隔膜120、130及第1、第2接合膜100、110特别优选在从构成膜的全部原子中除去H原子后的原子中，Si原子的含有率和O原子的含有率的总计为10～90原子％左右，更优选20～80原子％左右。如果Si原子和O原子的含有率在该范围内，则对于接合膜31而言，Si原子和O原子形成牢固的网络，对于第1、第2阻隔膜120、130及第1、第2接合膜100、110而言，膜自身变得牢固。另外，第1、第2接合膜100、110可以以较高的接合强度将第1、第2基板20、30接合。
另外，第1、第2阻隔膜120、130及第1、第2接合膜100、110中的Si原子和O原子的存在比例优选是3∶7～7∶3左右，更优选4∶6～6∶4左右。通过将Si原子和O原子的存在比例设定在该范围内，膜的稳定性提高。由此，第1、第2接合膜100、110可以以较高的接合强度将第1、第2基板20、30接合。
另外，第1、第2阻隔膜120、130及第1、第2接合膜100、110中的Si骨架301的结晶度优选是45％以下，更优选40％以下。由此，Si骨架301成为充分地包含不规则原子构造的结构。因此，使上述的Si骨架301的特性明显。
另外，第1、第2阻隔膜120、130及第1、第2接合膜100、110优选在其构造中包含Si-H键。该Si-H键是硅烷经等离子体聚合法在发生聚合反应时在聚合物中生成的，认为此时Si-H键会阻碍有规则地进行硅氧烷键的生成。因此，硅氧烷键是为了避免Si-H键而形成的，Si骨架301的原子构造的规则性降低。这样一来，利用等离子体聚合法，可以高效地形成结晶度低的Si骨架301。
另一方面，并不是说第1、第2阻隔膜120、130及第1、第2接合膜100、110中的Si-H键的含有率越多结晶度就越低。具体来讲，在红外吸收光谱中，将归属于硅氧烷键的峰强度设为1时，归属于Si-H键的峰强度优选在0.001～0.2左右，更优选0.002～0.05左右，进而优选0.005～0.02左右。通过使Si-H键与硅氧烷键的比例在该范围内，原子构造就相对地最为不规则。因此，Si-H键的峰强度与硅氧烷键的峰强度之比在该范围内时，第1、第2阻隔膜120、130及第1、第2接合膜100、110的耐化学药品性及尺寸精度特别优异，第1、第2接合膜100、110的接合强度也优异。
另外，与Si骨架301键合的脱离基团303如上所述，通过从Si骨架301脱离，而起到使接合膜31产生活性键的作用。因此，通过对脱离基团303赋予能量，可以比较简单且均一地脱离脱离基团，但在未赋予能量时，有必要切实可靠地键合在Si骨架301上以便不发生脱离。
从这个观点出发，脱离基团303优选使用包含H原子、B原子、C原子、N原子、O原子、P原子、S原子及卤素系原子、或者这些原子的基团，从以与Si骨格301键合的方式配置有这些原子的原子团中选择的至少一种构成的基团。该脱离基团303对赋予能量导致的键合/脱离的选择性比较优异。因此，这种脱离基团303能充分满足上述的必要性，可以得到更高的第1、第2接合膜100、110的粘合性。
另外，作为上述那样的以与Si骨架301键合的方式配置有各原子的原子团(基团)，可以列举例如甲基、乙基之类的烷基、乙烯基、烯丙基之类的烯基、醛基、酮基、羧基、氨基、酰胺基、硝基、卤代烷基、巯基、磺酸基、氰基、异氰酸酯基等。
在这些各基团中，脱离基团303特别优选是烷基。烷基的化学稳定性高，因此包含烷基的第1、第2阻隔膜120、130的耐候性及耐化学药品性等阻隔性优异。
这里，当脱离基团303为甲基(-CH3)时，其优选的含有率由红外吸收光谱中的峰强度作以下规定。即，在红外吸收光谱中，当将归属于硅氧烷键的峰强度设为1时，归属于甲基的峰强度优选是0.05～0.45左右，更优选是0.1～0.4左右，进而优选是0.2～0.3左右。通过使甲基的峰强度相对于硅氧烷键的峰强度比例在该范围内，就可以防止甲基阻碍硅氧烷键生成为必需以上，且活化后的第1、第2接合膜100B、110B中产生必要且足够个数的活性键304，因此活化后的第1、第2接合膜100B、110B产生足够的粘合性。另外，第1、第2阻隔膜120、130呈现出由甲基所带来的足够的耐候性及耐化学药品性等阻隔性。
作为具有这种特征的第1、第2阻隔膜120、130及第1、第2接合膜100、110的构成材料，可以列举例如聚有机硅氧烷这样的包含硅氧烷键的聚合物等。由聚有机硅氧烷构成的膜，其自身具有优异的机械特性。另外，对许多材料都显示出特别优异的粘合性。因此，由聚有机硅氧烷构成的第1、第2接合膜100、110显示出特别强的粘附力，其结果，可以将第1、第2基板20、30牢固地接合。
另外，聚有机硅氧烷通常显示出疏水性(非粘合性)，但通过被赋予活化能而可以容易地使有机基团脱离，亲水性发生变化，从而呈现出粘合性，具有容易且可靠地对该非粘合性和粘合性进行控制的优点。
另外，该疏水性(非粘合性)主要是由于聚有机硅氧烷中所含的烷基所带来的作用。因此，由聚有机硅氧烷构成的活化前的第1、第2接合膜100A、110A通过被赋予活化能还具有如下优点：使得表面呈现粘合性，并且表面以外的部分会得到由上述的烷基带来的作用、效果。因此，第1、第2阻隔膜120、130及第1、第2接合膜100、110的耐候性及耐化学药品性优异。
此外，在聚有机硅氧烷中，尤其优选以八甲基三硅氧烷的聚合物为主要成分。以八甲基三硅氧烷的聚合物为主要成分的第1、第2接合膜100、110的粘合性尤其优异，所以特别优选。另外，以八甲基三硅氧烷为主要成分的原料在常温下为液态，具有适度的粘度，因此还具有容易处理的优点。
另外，第1、第2阻隔膜120、130及第1、第2接合膜100、110的平均厚度优选1～1000nm左右，更优选2～800nm左右。通过使第1、第2接合膜100、110的平均厚度在该范围内，不仅可以防止尺寸精度显著降低，而且可以更牢固地将第1、第2基板20、30接合。即，在其平均厚度低于下限值时，可能无法得到足够的接合强度，而平均厚度高于上限值时，有可能尺寸精度显著降低。
进而，若平均厚度在上述范围内，则可以确保某种程度的形状追随性。因此，即使在第1、第2基板20、30的接合面上存在凹凸，其凹凸的高度也不同，但可以使第1、第2接合膜100、110粘附从而追随凹凸的形状。其结果是，第1、第2接合膜100、110可以吸收凹凸，缓解在其表面产生的凹凸高度，可以提高相互的密合性。
这样的第1、第2阻隔膜120、130及第1、第2接合膜100、110可以用任何方法制作，可以利用等离子体聚合法、CVD法、PVD法之类的各种气相成膜法、各种液相成膜法等来制作，在这些方法中优选用等离子体聚合法制作。若利用等离子体聚合法，则可以高效地制成致密且匀质的膜。由此，用等离子体聚合法制成的第1、第2接合膜100、110可以将第1、第2基板20、30特别牢固地接合。进而，用等离子体聚合法制成的第1、第2接合膜100、110被赋予活化能，活化后的状态能维持较长的时间。因此，可以实现滤光器10的制造过程的简单化、高效化。
3.滤光器的制造方法
3.1.第1基板20的制造工序
图5(A)～图5(C)及图6(A)～图6(C)示出了第1基板20的制造工序。首先，如图5(A)所示，将合成石英玻璃基板的两面进行镜面研磨，制作厚度500μm的第1基板20。
接着，在第1基板20的两面20A、20B上，形成由厚度例如为50nm的Cr膜及在其上的厚度500nm的Au膜构成的掩模层(在图5(B)中省略了，但与图7(B)的掩模层140、141相同)，在单面20A侧的掩模层上涂布抗蚀剂(未图示)，在单面20A上实施用于形成凹部22的抗蚀图案形成，该凹部22用于形成第1对置面20A1。然后，用碘和碘化钾的混合液对抗蚀剂开口部的Au膜进行蚀刻，用硝酸铈铵水溶液对Cr膜进行蚀刻，用氢氟酸水溶液以例如约1.5μm的深度对凹部22进行湿法蚀刻(参照图5(B))。然后，将抗蚀剂及掩模层从第1基板20上剥离。
接着，在第1基板20的两面20A、20B形成掩模层，在单面20A的掩模层上涂布抗蚀剂(未图示)，在形成有凹部22的面20A上，进一步实施用于形成第2、第4对置面20A2、20A4的抗蚀图案形成。然后，对抗蚀剂开口部的Au膜和Cr膜进行蚀刻，例如用氢氟酸水溶液以约1μm的深度对单面20A进行湿法蚀刻(参照图5(C))。由此，在第1基板20的对置面20A上同时形成第2、第4对置面20A2、20A4，与此同时，未被蚀刻的对置面20A就成为第3对置面20A3。之后，将抗蚀剂和掩模层从第1基板20上剥离。
接下来，在第1基板20的已蚀刻的面上使用溅射法以例如0.1μm的厚度形成整个面的ITO膜。在该ITO膜上涂布抗蚀剂，实施抗蚀图案的形成，例如用硝酸和盐酸的混合液对ITO膜进行蚀刻，剥离抗蚀剂。由此，在第1基板20的第2对置面20A2上形成第1电极60，在第1基板20的第4对置面20A4上形成第1配线层62(参照图6(A))。
接着，仅在第1基板20上的第1反射膜40的形成区域实施开口用的抗蚀图案形成，利用溅射法或蒸镀法将反射膜材料成膜。使第1反射膜材料从第2基板20侧以例如厚度50nm的SiO2、厚度50nm的TiO2、厚度50nm的Ag的顺序层叠。然后，通过将抗蚀剂剥离，第1反射膜材料被拿走，仅在抗蚀剂上有开口的区域残留第1反射膜材料，形成第1反射膜40(参照图6(B))。
然后，仅在应当形成第1接合膜100A及第1阻隔膜120的区域实施开口用的抗蚀图案形成，利用等离子体CVD法以厚度例如30nm形成兼作接合膜及阻隔膜的等离子体聚合膜。等离子体聚合膜的主要材料优选上述的聚有机硅氧烷。就等离子体聚合而言，在一对电极间施加的高频功率的频率为1～100kHz，优选是10～60kHz，腔体内压力为1×10-5～10Torr，优选1×10-4～1Torr(133.3×10-4～133.3Pa)，原料气体流量为0.5～200sccm，优选1～100sccm，载气流量为5～750sccm，优选10～500sccm，处理时间为1～10分钟，优选4～7分钟。
然后，通过将抗蚀剂剥离，等离子体聚合膜被拿走，形成第1接合膜100A及第1阻隔膜120(参照图6(C))。由此，第1基板20完成。
3.2.第2基板30的制造工序
图7(A)～图7(D)及图8(A)～图8(D)示出了第2基板30的制造工序。首先，对合成石英玻璃基板的两面进行镜面研磨，制作厚度200μm的第2基板30(参照图7(A))。
接着，在第2基板30的两面30A、30B上形成由厚度为例如50nm的Cr膜及在其上的厚度500nm的Au膜构成的掩模层140、142(参照图7(B))。
接着，在第2基板30的掩模层140上涂布抗蚀剂(未图示)，在单面30B实施用于形成光圈部32(参照图2)的抗蚀图案形成。然后，用碘和碘化钾的混合液对掩模层140的Au膜进行蚀刻，用硝酸铈铵水溶液对掩模层140的Cr膜进行蚀刻，形成图案化后的掩模层141(参照图7(C))。
接着，将第2基板30浸入氢氟酸水溶液中，对光圈部32蚀刻如约150μm(参照图7(D))。光圈部32的厚度达到例如约50μm，包括反射膜支撑部34的壁厚区域残留200μm的厚度。
接着，分别将第2基板30的两面30A、30B上附着的抗蚀剂、掩模层141、142剥离(参照图8(A))。
接着，在第2基板30的与抗蚀剂面30B相反的面30A上，使用溅射法将ITO膜以例如0.1μm的厚度成膜。在该ITO膜上涂布抗蚀剂，实施用于形成第2电极70及第2配线层72的抗蚀图案形成，用硝酸和盐酸的混合液对ITO膜进行蚀刻。然后，将抗蚀剂从第2基板30上除去(参照图8(B))。
接着，在第2基板30上形成有第2电极70的单面30A上，仅在第2反射膜50的形成区域实施进行开口的抗蚀图案形成，利用溅射法或蒸镀法将第2反射膜材料成膜。作为成膜例子，从第2基板30侧以厚度50nm的SiO2、厚度50nm的TiO2、厚度50nm的Ag的顺序层叠。然后，通过将抗蚀剂剥离，第2反射膜材料被拿走，形成第2反射膜50(参照图8(C))。
接着，仅在应该形成第2接合膜110A及第2阻隔膜130的区域实施开口用的抗蚀图案形成，利用等离子体CVD法以例如30nm的厚度形成兼作接合膜及阻隔膜的等离子体聚合膜。等离子体聚合膜的主要材料优选上述的聚有机硅氧烷。然后，通过将抗蚀剂剥离，等离子体聚合膜被拿走，形成第2接合膜110A及第2阻隔膜130(参照图8(D))。由此，第2基板30完成。
3.3.第1、第2基板的接合工序
图9及图10示出了第1、第2基板20、30的接合工序。图9模式地示出了对活性化前的第1、第2接合膜100A、110A赋予活化能的工序。对第1、第2接合膜100A、110A赋予活化能的方法有很多种，但这里以两个例子进行说明。
一个例子是，利用臭氧进行活化，例如可以举出O2等离子体处理。O2等离子体处理的情况，在O2流量例如为20～40cc/分钟、压力例如为20～35Pa、RF功率例如为150～250W的条件下，在等离子体处理容器中以例如每10～40秒对第1、第2基板20、30分别进行处理。
另一个例子是，利用紫外线(UV)照射进行活化，例如作为UV光源使用发光波长150～300nm，优选使用160～200nm，对活化前的第1、第2接合膜100A、110A以间距3～3000nm、优选10～1000nm照射1～10分钟例如数分钟的紫外线。例如可以如图9所示使第1、第2基板20、30层叠，使紫外线透射例如石英玻璃制的第1基板20和/或第2基板30来照射紫外线。或者也可以对第1、第2基板20、30分别进行处理，对活化前的第1、第2接合膜100A、110A直接照射紫外线。
在该活化能赋予工序中，如上所述，脱离基团303从活化前的第1、第2接合膜100A、110A的Si骨架301上脱离，赋予活化能后的第1、第2接合膜100B、110B产生活性键304而被活化。另外，在活化能赋予工序中，如上所述，第1、第2阻隔膜120、130可以保护第1、第2反射膜40、50免受臭氧或紫外线的影响。
赋予活化能后，进行第1、第2基板20、30的调整，如图10所示，将第1、第2基板20、30重叠，并施加荷重。此时，如上所述，赋予活化能后的第1、第2接合膜100B、110B的活性键(未结合手)304彼此键合，将第1、第2接合膜100、110牢固地接合。由此，第1、第2基板20、30彼此的接合完成。之后，形成图1所示的第1电极引出部64、和用于将第2电极70与外部连接的第2电极引出部74，滤光器10完成。
4.分析设备
图11是表示本发明所涉及的一实施方式的分析设备的一例、即测色仪的大致构成的框图。
在图11中，测色仪200具备光源装置202、分光测定装置203和测色控制装置204。该测色仪200从光源装置202向检测对象A射出例如白色光，使由检测对象A反射的光即检测对象光入射到分光测定装置203。接着，用分光测定装置203对检测对象光进行分光，实施对分光后的各波长的光的光量进行测定的分光特性测定。换言之，使由检测对象A反射的光即检测对象光入射到滤光器(标准具)10，实施对从标准具10透射的透射光的光量进行测定的分光特性测定。接着，测色控制装置204基于所得到的分光特性，对检测对象A的测色处理，即，对什么波长的颜色含量多少进行分析。
光源装置202具备光源210、多个透镜212(图11中仅有一个)，将白色光向检测对象A射出。另外，多个透镜212包括准直透镜，光源装置202利用准直透镜将从光源210射出的白色光变成平行光，从未图示的投射透镜向检测对象A射出。
分光测定装置203如图11所示，具备标准具10、包括受光元件的受光部220、驱动电路230和控制电路部240。另外，分光测定装置203在与标准具10对置的位置具备将由检测对象A反射的反射光(测定对象光)导入内部的未图示的入射光学透镜。
受光部220由多个光电交换元件(受光元件)构成，产生与受光量对应的电信号。并且，受光部220与控制电路部240连接，将产生的电信号作为受光信号输出到控制电路部240。另外，可以将标准具10和受光部(受光元件)220进行单元化，由此构成滤光器模块。
驱动电路230与标准具10的第1电极60、第2电极70及控制电路部240连接。该驱动电路230基于从控制电路部240输入的驱动控制信号，在第1电极60及第2电极70间施加驱动电压，使第2基板30移动到规定的变位位置。作为驱动电压，以在第1电极60和第2电极70之间产生所需电压的方式施加即可，例如可以对第1电极60施加规定电压，将第2电极70作为地电位。作为驱动电压，优选使用直流电压。
控制电路部240对分光测定装置203的整体操作进行控制。该控制电路部240如图11所示，由例如CPU250、存储部260等构成。而且，CPU250基于在存储部260中存储的各种程序、各种数据实施分光测定处理。存储部260具备例如存储器或硬盘等存储介质而构成，可以将各种程序、各种数据等适当地读出并存储。
此处，存储部260中，作为程序存储了电压调整部261、间隙测定部262、光量识别部263及测定部264。另外，间隙测定部262如上述也可以省略。
另外，存储部260中存储了与用于调整第1间隙G1的间隔而施加于静电驱动器80的电压值和施加该电压值的时间相关联的电压表数据265。
测色控制装置204与分光测定装置203及光源装置202连接，实施光源装置202的控制、基于由分光测定装置203取得的分光特性的测色处理。作为该测色控制装置204，可以使用例如通用的个人电脑、便携式信息终端、除此之外还有测色专用电脑等。
而且，测色控制装置204如图11所示，具备光源控制部272、分光特性取得部270及测色处理部271等而构成。
光源控制部272与光源装置202连接。并且，光源控制部272基于例如利用者的设定输入，对光源装置202输出规定的控制信号，使规定亮度的白色光从光源装置202射出。
分光特性取得部270与分光测定装置203连接，取得从分光测定装置203输入的分光特性。
测色处理部271基于分光特性实施对检测对象A的色度进行测定的测色处理。例如，测色处理部271将从分光测定装置203取得的分光特性图形化，实施向未图示的打印机、显示器等输出装置进行输出等的处理。
图12是表示分光测定装置203的分光测定操作的流程图。首先，控制电路部240的CPU250使电压调整部261、光量识别部263及测定部264启动。另外，作为CPU250的初始状态，将测定次数变量n初始化(设定为n＝0)(步骤S1)。另外，测定次数变量n取0以上的整数值。
然后，测定部264在初始状态、即未对静电驱动器80施加电压的状态下，对透射标准具10的光的光量进行测定(步骤S2)。另外，该初始状态下的第1间隙G1的大小，例如可以在制造分光测定装置时预先进行测定并存储在存储部260中。而且，将此处得到的初始状态的透射光的光量及第1间隙G1的大小输出到测色控制装置204。
接着，电压调整部261读取在存储部260中存储的电压表数据265(步骤S3)。另外，电压调整部261在测定次数变量n上加上“1”(步骤S4)。
然后，电压调整部261从电压表数据265取得与测定次数变量n对应的第1、第2段电极62、64的电压数据及电压施加期间数据(步骤S5)。而且，电压调整部261对驱动电路230输出驱动控制信号，实施按照电压表数据265的数据来驱动静电驱动器80的处理(步骤S6)。
另外，测定部264在施加时间经过时机实施分光测定处理(步骤S7)。即，测定部264利用光量识别部263来测定透射光的光量。另外，测定部264对将分光测定结果向测色控制装置204输出进行控制，所述分光测定结果是与测得的透射光的光量和透射光的波长关联的。另外，光量的测定可以如下进行，即，预先将多次或所有次数的光量数据存储于存储部260中，在取得多次光量的数据或全部光量的数据后，综合，就得到各自的光量。
然后，CPU250对测定次数变量n是否达到最大值N进行判断(步骤S8)，如果判断测定次数变量n为N，则结束一系列的分光测定操作。另一方面，在步骤S8中，当测定次数变量n小于N时，返回步骤S4，实施在测定次数变量n上加上“1”的处理，重复步骤S5～步骤S8的处理。
5.光设备
图13示出了本发明涉及的一实施方式的光设备的一例即波分复用通信系统的发报机的大致构成的框图。在波分复用(WDM：Wavelength Division Multiplexing)通信中，利用波长不同的信号互不干涉的特性，将波长不同的多个光信号在一根光纤内多重使用，不增设光纤线路就能够使数据的传送量提高。
在图13中，波分复用发报机300具有来自光源310的光所入射的滤光器10，多个波长λ0、λ1、λ2、…的光从滤光器10透射。每个波长都设置发报机311、312、313。将来自发报机311、312、313的多通道的光脉冲信号用波分复用装置321复合成一个信号，然后输送到一根光纤传送路331。
本发明可以同样地应用于光码分复用(OCDM：Optical Code DivisionMultiplexing)发报机。OCDM利用符号化的光脉冲信号的图案匹配来识别通道，这是因为构成光脉冲信号的光脉冲包含不同波长的光成分。
上面对几个实施方式进行了说明，但本领域技术人员可以容易地理解：在实质上不脱离本发明的范围及效果的很多变形例都是可行的。因此，这种变形例全部包括在本发明的范围内。例如，在说明书或附图中，至少一次与更广义或意义相同的不同用语一起记载的用语，在说明书或附图中的所有位置都可以替换成该不同的用语。
Claims (10)
1.一种滤光器的制造方法，其特征在于，具有如下工序：
在第1基板上形成第1接合膜的工序，所述第1基板形成有反射光并能透射特定波长的光的第1反射膜，
在第2基板上形成第2接合膜的工序，所述第2基板形成有反射光并能透射特定波长的光的第2反射膜，
形成第1阻隔膜的工序，所述第1阻隔膜覆盖所述第1基板的所述第1反射膜的表面而保护所述第1反射膜，
形成第2阻隔膜的工序，所述第2阻隔膜覆盖所述第2基板的所述第2反射膜的表面而保护所述第2反射膜，
利用臭氧或紫外线对所述第1、第2接合膜分别赋予活化能的工序，以及
接合已活化的所述第1、第2接合膜而将所述第1、第2基板黏在一起的工序，
所述第1阻隔膜在对所述第1接合膜赋予活化能之前形成，
所述第2阻隔膜在对所述第2接合膜赋予活化能之前形成。
2.根据权利要求1所述的滤光器的制造方法，其特征在于，用同一材料在同一工序中形成所述第1阻隔膜和所述第1接合膜，用同一材料在同一工序中形成所述第2阻隔膜和所述第2接合膜。
3.根据权利要求1或2所述的滤光器的制造方法，其特征在于，
所述第1、第2接合膜和所述第1、第2阻隔膜分别含有具有硅氧烷键的Si骨架和与所述Si骨架键合的脱离基团而形成，
在对所述第1、第2接合膜赋予活化能的工序中，包括所述脱离基团从所述第1、第2接合膜的所述Si骨架脱离而形成未结合键的工序，
在所述第1、第2接合膜的接合工序中，包括使已活化的所述第1、第2接合膜各自的所述未结合键彼此键合的工序。
4.一种滤光器，其特征在于，具有：
第1基板，
与所述第1基板对置的第2基板，
设置在所述第1基板上的、反射光并能透射特定波长的光的第1反射膜，
设置在所述第2基板上的、与所述第1反射膜对置的、反射光并能透射特定波长的光的第2反射膜，
设置在所述第1基板上的第1接合膜，
设置在所述第2基板上的、以在所述第1、第2反射膜间设置一定间隔的方式与所述第1接合膜接合的第2接合膜，
设置在所述第1反射膜表面上的第1阻隔膜，以及
设置在所述第2反射膜表面上的第2阻隔膜，
所述第1阻隔膜的臭氧透过率比所述第1反射膜低，
所述第2阻隔膜的臭氧透过率比所述第2反射膜低。
5.一种滤光器，其特征在于，具有：
第1基板，
与所述第1基板对置的第2基板，
设置在所述第1基板上的、反射光并能透射特定波长的光的第1反射膜，
设置在所述第2基板上的、与所述第1反射膜对置的、反射光并能透射特定波长的光的第2反射膜，
设置在所述第1基板上的第1接合膜，
设置在所述第2基板上的、以在所述第1、第2反射膜间设置一定间隔的方式与所述第1接合膜接合的第2接合膜，
设置在所述第1反射膜表面上的第1阻隔膜，以及
设置在所述第2反射膜表面上的第2阻隔膜，
所述第1阻隔膜的紫外线透射率比所述第1反射膜低，
所述第2阻隔膜的紫外线透射率比所述第2反射膜低。
6.根据权利要求4或5所述的滤光器，其特征在于，
所述第1阻隔膜的硫化性比所述第1反射膜低，
所述第2阻隔膜的硫化性比所述第2反射膜低。
7.根据权利要求4～6中任一项所述的滤光器，其特征在于，
所述第1、第2阻隔膜是与利用等离子体聚合法形成的所述第1、第2接合膜同时形成的等离子体聚合膜。
8.根据权利要求7所述的滤光器，其特征在于，
所述第1、第2接合膜和所述第1、第2阻隔膜分别在等离子体聚合时含有具有硅氧烷键的Si骨架和与所述Si骨架键合的脱离基团，
所述第1、第2接合膜是将利用活化能使所述脱离基团从所述Si骨架脱离而形成的未结合键彼此键合而接合的。
9.一种分析设备，包含权利要求4～8中任一项所述的滤光器。
10.一种光设备，包含权利要求4～8中任一项所述的滤光器。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010-057291 | 2010-03-15 | ||
| JP2010057291A JP5458983B2 (ja) | 2010-03-15 | 2010-03-15 | 光フィルターの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102193183A true CN102193183A (zh) | 2011-09-21 |
Family
ID=44148448
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2011100497294A Pending CN102193183A (zh) | 2010-03-15 | 2011-02-28 | 滤光器及其制造方法、分析设备以及光设备 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8512492B2 (zh) |
| EP (1) | EP2369397A1 (zh) |
| JP (1) | JP5458983B2 (zh) |
| KR (1) | KR20110103879A (zh) |
| CN (1) | CN102193183A (zh) |
| TW (1) | TWI493222B (zh) |
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- 2011-02-28 CN CN2011100497294A patent/CN102193183A/zh active Pending
- 2011-03-11 TW TW100108367A patent/TWI493222B/zh not_active IP Right Cessation
- 2011-03-11 EP EP11157863A patent/EP2369397A1/en not_active Withdrawn
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|---|---|
| KR20110103879A (ko) | 2011-09-21 |
| TW201137391A (en) | 2011-11-01 |
| JP2011191493A (ja) | 2011-09-29 |
| US20110222159A1 (en) | 2011-09-15 |
| US8512492B2 (en) | 2013-08-20 |
| TWI493222B (zh) | 2015-07-21 |
| JP5458983B2 (ja) | 2014-04-02 |
| EP2369397A1 (en) | 2011-09-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20110921 |
|
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |