CN102180438A - 一种可调谐三角形金属纳米粒子阵列结构的制作方法 - Google Patents

一种可调谐三角形金属纳米粒子阵列结构的制作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102180438A
CN102180438A CN2011100753125A CN201110075312A CN102180438A CN 102180438 A CN102180438 A CN 102180438A CN 2011100753125 A CN2011100753125 A CN 2011100753125A CN 201110075312 A CN201110075312 A CN 201110075312A CN 102180438 A CN102180438 A CN 102180438A
Authority
CN
China
Prior art keywords
nano
metal nano
nanosphere
metal
triangle
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN2011100753125A
Other languages
English (en)
Inventor
高平
杨欢
李飞
罗先刚
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Institute of Optics and Electronics of CAS
Original Assignee
Institute of Optics and Electronics of CAS
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Institute of Optics and Electronics of CAS filed Critical Institute of Optics and Electronics of CAS
Priority to CN2011100753125A priority Critical patent/CN102180438A/zh
Publication of CN102180438A publication Critical patent/CN102180438A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Abstract

一种可调谐三角形金属纳米粒子阵列结构的制作方法，步骤：(1)根据透射波长的需要选择合适型号的基底，对基底进行清洗、亲水化处理；(2)在基底表面均匀的自组装一层纳米球；(3)采用反应离子刻蚀机RIE工艺对制作的纳米球自组装层进行刻蚀，改变纳米球的间隙的尺寸大小；(4)利用刻蚀后的纳米球自组装作为模具，在球与球之间的间隙处填充金属；(5)通过Lift off工艺去除纳米球自组装层，得到阵列化的金属纳米结构芯片。本发明制作的金属纳米结构芯片的光学性质可控，可应用于局域表面等离子体共振(LSPR)传感、表面增强拉曼光谱(SERS)探测领域，实现生物、化学分子的快速检测。

Description

一种可调谐三角形金属纳米粒子阵列结构的制作方法
技术领域
本发明为一种可调谐三角形金属纳米粒子阵列结构的制作方法，该芯片采用反应离子刻蚀工艺结合纳米球光刻(NSL)技术制作而成。
背景技术
近年来，纳米材料的独特光学、磁学、电子学和力学特性已经受到研究人员的广泛关注。贵金属纳米颗粒由于其独特的光学特性，在这方面尤为受到关注。当入射光的频率与金属纳米颗粒中的自由电子的集体振动发生共振时，将产生局域化的、非传播的局域表面等离子体共振(LSPR)现象。大量研究表明金属纳米粒子的光学特性特别是LSPR频率与金属纳米颗粒的组成成分、大小、外形和局域介电环境有着密切相关的联系。因此，使得金属纳米粒子在新型传感器，纳电子及光子器件、表面增强光谱学及生物医学等诸多领域都有着极为重要的应用。
在激发局域表面等离子体共振的金属纳米结构制作方面，众多微纳加工手段已被应用于金属纳米结构的制备工艺上，例如电子束光刻(EBL)、聚焦离子束(FIB)、纳米球光刻(NSL)等。电子束光刻和聚焦离子束虽然具有高分辨率、重复性高等优点，但其加工成本高、耗时。纳米球光刻源于Fischer和Zingsheim在1981年提出的聚苯乙烯纳米球自组装。美国西北大学Van Duyne等人利用此原理制备了不同结构周期的金属纳米结构阵列，并利用此金属纳米结构阵列开展了大量的局域表面等离子体共振(LSPR)传感和表面增强拉曼光谱(SERS)探测研究。实验证明纳米球光刻具有低成本、高产出、重复性高等优点。但在传统的纳米球光刻加工流程中，纳米球的直径直接决定了制备的纳米粒子的尺寸大小和粒子间间隙的距离。因此，单一直径的纳米球只能得到单一尺寸及间隙的纳米粒子，要获得不同尺寸及间隙的纳米粒子就需要选取不同直径的纳米球。
发明内容
本发明要解决的技术问题是：克服现有技术的不足，提供一种可调谐三角形金属纳米粒子阵列结构的制作方法，通过结合反应离子刻蚀工艺和纳米球光刻(NSL)技术，控制刻蚀气体、气流量、功率及时间，刻蚀单一直径的纳米球阵列制备可调谐的三角形金属纳米粒子阵列结构。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种可调谐三角形金属纳米粒子阵列结构的制作方法，其特点在于步骤如下：
(1)根据透射波长的需要选择基底，对基底进行清洗、亲水化处理；
(2)在经亲水化处理后的基底表面均匀的自组装一层纳米球；所述纳米球直径为200nm-500nm；
(3)采用反应离子刻蚀工艺对制作的纳米球自组装层进行刻蚀，改变纳米球的间隙的尺寸大小；所述反应离子刻蚀工艺中采用的刻蚀气体流量为5SCCM-50SCCM；所述反应离子刻蚀工艺中采用的刻蚀功率为5W-100W；所述反应离子刻蚀工艺中采用的刻蚀时间为30s～300s；
(4)利用刻蚀后的纳米球自组装作为模具，利用真空镀膜机在2～3×10-4Pa的真空度下在模板表面沉积一层30nm-60nm厚的金属膜，在球与球之间的间隙处填充金属，填充金属的厚度为20nm-60nm；
(5)通过Lift off工艺去除纳米球自组装层，仅留下球的间隙处的金属，得到阵列化的金属纳米结构芯片，且三角形金属纳米粒子阵列的相邻粒子尖端之间的间隙＜20nm；
(6)利用光源照射芯片，再用光谱测试仪探测透射光获得结构的消光光谱曲线，分析其光学性质。
所述步骤(1)中的基底材料为可见光材料玻璃或石英。
所述步骤(2)中的纳米球可为二氧化硅球、硅球或聚苯乙烯球。
所述步骤(3)反应离子刻蚀工艺中采用的刻蚀气体为氧气、三氟甲烷、六氟化硫或四氟化碳。
所述步骤(4)中的金属膜和填充的金属为银、金、铝或铜。
本发明与现有的技术相比具有以下优点：
(1)由于金属纳米粒子激发的电磁能量主要集中于粒子的尖角处，尖角越尖其能产生的表面等离子体共振就越强，因此采用本发明方法制作的三角形金属纳米粒子阵列尖角质量比传统方法制作的三角形金属纳米粒子阵列的高。
(2)本发明制备的三角形金属纳米粒子阵列的相邻粒子尖端之间的间隙可＜20nm，这样可以提高相邻三角形金属纳米粒子尖角处电磁能量的耦合，进一步提高传感灵敏度。
(3)本发明制备的三角形技术纳米粒子阵列的局域表面等离子体共振波长可调，从可见光波段到近红外波段。
(4)本发明可以实现金属纳米粒子的大面积制作，且重复性较高，且成本较低。
(5)本发明制作的三角形金属纳米粒子阵列消光光谱峰值明显，消光效率较传统方法制作的三角形金属纳米粒子阵列的高。
(6)本发明制作的金属纳米结构芯片的光学性质可控，可应用于局域表面等离子体共振(LSPR)传感、表面增强拉曼光谱(SERS)探测领域，实现生物、化学分子的快速检测。
附图说明
图1是可调谐三角形金属纳米粒子阵列结构的制备流程示意图；
图2是实例1中经2min刻蚀时间所得到的三角形银纳米阵列的结构示意图；
图3是实例2中经4min刻蚀时间所得到的三角形银纳米阵列的结构示意图；
图4是实例3中经2min30s刻蚀时间所得到的三角形银纳米阵列的结构示意图；
图5是实例1中图2结构的消光光谱曲线；
图6是实例2中图3结构的消光光谱曲线；
图7是实例3中图4结构的消光光谱曲线。
具体实施方式
下面结合附图及具体实施方式详细介绍本发明。但本发明的保护范围并不仅限于以下实例，应包含权利要求书中的全部内容。
实施例1，利用本发明实现粒径为130nm、相邻粒子尖端之间的间隙为82nm、厚度为50nm的三角形银纳米阵列结构的制作。
(1)选择尺寸为10mm×20mm×10mm的K9玻璃作为芯片基底，对基底进行清洗、亲水化处理；
(2)取直径为430nm、浓度为10％的单分散聚苯乙烯纳米球水溶液6μL滴到玻璃基底进行自组装，室温干燥后得到单层排布的聚苯乙烯纳米球阵列；
(3)将已自组装好的聚苯乙烯纳米球用反应离子刻蚀机利用氧气进行刻蚀，功率为5W，氧气流量20SCCM，刻蚀时间分别为2min；
(4)将经过刻蚀处理后的聚苯乙烯纳米球放入真空镀膜系统的工作腔室，在3×10-4pa的真空度下在其表面沉积一层银膜，银的纯度为99.99％，膜层厚度为50nm；
(5)通过Lift off工艺去除聚苯乙烯纳米球及其表层金属，仅留下球的间隙处的三角形金属纳米结构，得到阵列化的三角形金属纳米结构。其结构示意图如图2所示。图2为经2min刻蚀时间所得到的粒径为130nm、相邻粒子尖端之间的间隙为82nm的三角形银纳米阵列结构；
(6)将步骤(5)所制得的三角形金属纳米结构芯片置于透射光谱测试系统中，测试其消光光谱曲线，本例中采用的光源为LS-1卤钨灯光源(Ocean Optics，USA)，光谱仪为USB4000(Ocean Optics，USA)，测试曲线如图5所示。图5为经2min刻蚀时间所得到的三角形银纳米阵列结构的消光光谱曲线，峰值在677.81nm处。
实施例2，利用本发明实现粒径为160nm、相邻粒子尖端之间的间隙为36nm、厚度为50nm的三角形银纳米阵列结构的制作。
(1)选择尺寸为10mm×10mm×10mm的石英作为芯片基底，对基底进行清洗、亲水化处理；
(2)取直径为430nm、浓度为10％的单分散聚苯乙烯纳米球水溶液6μL滴到玻璃基底进行自组装，室温干燥后得到单层排布的聚苯乙烯纳米球阵列；
(3)将已自组装好的聚苯乙烯纳米球用反应离子刻蚀机利用氧气进行刻蚀，功率为5W，氧气流量20SCCM，刻蚀时间分别为4min；
(4)将经过刻蚀处理后的聚苯乙烯纳米球放入真空镀膜系统的工作腔室，在3×10-4pa的真空度下在其表面沉积一层银膜，银的纯度为99.99％，膜层厚度为50nm；
(5)通过Lift off工艺去除聚苯乙烯纳米球及其表层金属，仅留下球的间隙处的三角形金属纳米结构，得到阵列化的三角形金属纳米结构。其结构示意图如图3所示。图3为经4min刻蚀时间所得到的粒径为160nm、相邻粒子尖端之间的间隙为36nm的三角形银纳米阵列结构；
(6)将步骤(5)所制得的三角形金属纳米结构芯片置于透射光谱测试系统中，测试其消光光谱曲线，本例中采用的光源为LS-1卤钨灯光源(Ocean Optics，USA)，光谱仪为USB4000(Ocean Optics，USA)，测试曲线如图6所示。图6为经4min刻蚀时间所得到的三角形银纳米阵列结构的消光光谱曲线，峰值在780.22nm处。
实施例3，利用本发明实现粒径为140nm、相邻粒子尖端之间的间隙为40nm、厚度为40nm的三角形银纳米阵列结构的制作。
(1)选择尺寸为10mm×10mm×10mm的石英作为芯片基底，对基底进行清洗、亲水化处理；
(2)取直径为430nm、浓度为10％的单分散聚苯乙烯纳米球水溶液6μL滴到玻璃基底进行自组装，室温干燥后得到单层排布的聚苯乙烯纳米球阵列；
(3)将已自组装好的聚苯乙烯纳米球用反应离子刻蚀机利用氧气进行刻蚀，功率为5W，氧气流量20SCCM，刻蚀时间分别为2min30s；
(4)将经过刻蚀处理后的聚苯乙烯纳米球放入真空镀膜系统的工作腔室，在3×10-4pa的真空度下在其表面沉积一层银膜，银的纯度为99.99％，膜层厚度为40nm；
(5)通过Lift off工艺去除聚苯乙烯纳米球及其表层金属，仅留下球的间隙处的三角形金属纳米结构，得到阵列化的三角形金属纳米结构。其结构示意图如图4所示。图4为经4min刻蚀时间所得到的粒径为140nm、相邻粒子尖端之间的间隙为40nm的三角形银纳米阵列结构；
(6)将步骤(5)所制得的三角形金属纳米结构芯片置于透射光谱测试系统中，测试其消光光谱曲线，本例中采用的光源为LS-1卤钨灯光源(Ocean Optics，USA)，光谱仪为USB4000(Ocean Optics，USA)，测试曲线如图7所示。图7为经4min刻蚀时间所得到的三角形银纳米阵列结构的消光光谱曲线，峰值在689.48nm处。
本发明说明书中未作详细描述的内容属于本领域专业技术人员公知的现有技术。

Claims (5)

1.一种可调谐三角形金属纳米粒子阵列结构的制作方法，其特征在于步骤如下：
(1)根据透射波长的需要选择基底，对基底进行清洗、亲水化处理；
(2)在经亲水化处理后的基底表面均匀的自组装一层纳米球；所述纳米球直径为200nm-500nm；
(3)采用反应离子刻蚀工艺对制作的纳米球自组装层进行刻蚀，改变纳米球的间隙的尺寸大小；所述反应离子刻蚀工艺中采用的刻蚀气体流量为5SCCM-50SCCM；所述反应离子刻蚀工艺中采用的刻蚀功率为5W-100W；所述反应离子刻蚀工艺中采用的刻蚀时间为30s～300s；
(4)利用刻蚀后的纳米球自组装作为模具，利用真空镀膜机在2～3×10-4Pa的真空度下在模板表面沉积一层30nm-60nm厚的金属膜，在球与球之间的间隙处填充金属，所填充金属的厚度为20nm-60nm；
(5)通过Lift off工艺去除纳米球自组装层，仅留下球的间隙处的金属，得到三角形金属纳米阵列化的金属纳米结构芯片，且三角形金属纳米粒子阵列的相邻粒子尖端之间的间隙＜20nm。
2.根据权利要求1所述的一种可调谐三角形金属纳米粒子阵列结构的制作方法，其特征在于：所述步骤(1)中的基底材料为可见光材料玻璃或石英。
3.根据权利要求1所述的一种可调谐三角形金属纳米粒子阵列结构的制作方法，其特征在于：所述步骤(2)中的纳米球可为二氧化硅球、硅球或聚苯乙烯球。
4.根据权利要求1所述的一种可调谐三角形金属纳米粒子阵列结构的制作方法，其特征在于：所述步骤(3)反应离子刻蚀工艺中采用的刻蚀气体为氧气、三氟甲烷、六氟化硫或四氟化碳。
5.根据权利要求1所述的一种可调谐三角形金属纳米粒子阵列结构的制作方法，其特征在于：所述步骤(4)中的金属膜和填充的金属为银、金、铝或铜。
CN2011100753125A 2011-03-28 2011-03-28 一种可调谐三角形金属纳米粒子阵列结构的制作方法 Pending CN102180438A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2011100753125A CN102180438A (zh) 2011-03-28 2011-03-28 一种可调谐三角形金属纳米粒子阵列结构的制作方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2011100753125A CN102180438A (zh) 2011-03-28 2011-03-28 一种可调谐三角形金属纳米粒子阵列结构的制作方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN102180438A true CN102180438A (zh) 2011-09-14

Family

ID=44566767

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2011100753125A Pending CN102180438A (zh) 2011-03-28 2011-03-28 一种可调谐三角形金属纳米粒子阵列结构的制作方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN102180438A (zh)

Cited By (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102530845A (zh) * 2012-02-14 2012-07-04 中国人民解放军国防科学技术大学 三角形金属纳米孔阵列的制备方法
CN102628808A (zh) * 2012-04-13 2012-08-08 中国科学院光电技术研究所 高灵敏度、高稳定性表面增强拉曼芯片的制备方法及应用方法
CN102910576A (zh) * 2012-11-16 2013-02-06 重庆绿色智能技术研究院 高灵敏的表面增强拉曼传感芯片制作方法
CN103011059A (zh) * 2012-12-17 2013-04-03 江南大学 一种调控纳米球凸平面阵列型sers基底结构的方法
CN103145095A (zh) * 2013-03-26 2013-06-12 吉林大学 一种全色结构色或可变色颜色图案阵列的制备方法
CN103335984A (zh) * 2013-06-09 2013-10-02 清华大学 一种基于lspr的无实体壁微阵列芯片及其应用
CN103512869A (zh) * 2013-10-11 2014-01-15 华东理工大学 具有等离子体共振散射响应的纳米孔芯片的制备方法
CN104076013A (zh) * 2013-07-03 2014-10-01 青岛派科森光电技术股份有限公司 一种基于lspr传感器的海上溢油检测系统及检测方法
CN104671197A (zh) * 2015-02-26 2015-06-03 中国科学院合肥物质科学研究院 可转移有序金属纳/微米孔模板的制备方法
CN104849254A (zh) * 2014-02-18 2015-08-19 中国人民解放军军事医学科学院微生物流行病研究所 一种基于表面增强拉曼散射的微流控检测芯片
CN104108680B (zh) * 2014-06-19 2016-02-03 北京大学深圳研究生院 一种微球阵列针尖的制备方法
CN105973867A (zh) * 2016-05-06 2016-09-28 厦门大学 一种类金属与金属复合空心腔阵列结构及其制备方法
CN106800274A (zh) * 2017-02-20 2017-06-06 吉林大学 一种调节二维金属纳米粒子阵列的间距、密度和光学性质的方法
CN107101988A (zh) * 2017-03-16 2017-08-29 中国科学院合肥物质科学研究院 一种金膜覆盖的高密度纳米针尖阵列及其应用
CN108502840A (zh) * 2018-03-29 2018-09-07 中国科学技术大学 一种高效率制备环状纳米间隙有序阵列的方法
CN109856116A (zh) * 2019-02-28 2019-06-07 吉林大学 一种利用表面增强拉曼散射原位监测化学反应的分级纳米锥阵列及其制备方法
CN110108668A (zh) * 2019-05-14 2019-08-09 东北大学 一种基于银三角板的u型光纤lspr传感器
CN110844876A (zh) * 2019-11-19 2020-02-28 北京工业大学 一种石墨烯辅助制备大面积金属纳米颗粒阵列的工艺方法
CN111636065A (zh) * 2020-05-15 2020-09-08 扬州大学 银三角环纳米颗粒阵列/单层石墨烯薄膜复合材料及其制备方法
CN111636057A (zh) * 2020-05-15 2020-09-08 扬州大学 一种银三角形纳米颗粒阵列/单层石墨烯薄膜复合材料
CN111693511A (zh) * 2020-07-24 2020-09-22 江苏致微光电技术有限责任公司 一种耐高温局域表面等离子体纳米传感器件及其制备方法和应用
CN111929277A (zh) * 2020-06-03 2020-11-13 中国科学院苏州生物医学工程技术研究所 间距可调的贵金属纳米粒子一维组装体及其在纳米传感器中的应用
CN112921276A (zh) * 2021-01-22 2021-06-08 电子科技大学 一种基于2d贵金属纳米结构的sers基底的制备方法
CN112986171A (zh) * 2021-02-23 2021-06-18 南京大学 一种等离激元共振增强基底及其制备方法和应用
CN112981324A (zh) * 2021-02-07 2021-06-18 南京大学 一种液相纳米红外光谱等离激元共振增强基底及其制备方法和应用

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20010006851A1 (en) * 2000-01-05 2001-07-05 Choi Jun-Hee Method of forming micro structure having surface roughness due to nano-sized surface features
US6906845B2 (en) * 2001-11-26 2005-06-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Micro-mechanical device having anti-stiction layer and method of manufacturing the device
CN1887688A (zh) * 2006-07-14 2007-01-03 清华大学 利用纳米球反相多孔模板制备尺寸可控纳米点阵列的方法
CN101281133A (zh) * 2008-05-12 2008-10-08 中国科学院合肥智能机械研究所 大面积微纳树状结构阵列的表面增强拉曼活性基底的制备方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20010006851A1 (en) * 2000-01-05 2001-07-05 Choi Jun-Hee Method of forming micro structure having surface roughness due to nano-sized surface features
US6906845B2 (en) * 2001-11-26 2005-06-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Micro-mechanical device having anti-stiction layer and method of manufacturing the device
CN1887688A (zh) * 2006-07-14 2007-01-03 清华大学 利用纳米球反相多孔模板制备尺寸可控纳米点阵列的方法
CN101281133A (zh) * 2008-05-12 2008-10-08 中国科学院合肥智能机械研究所 大面积微纳树状结构阵列的表面增强拉曼活性基底的制备方法

Cited By (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102530845B (zh) * 2012-02-14 2014-09-17 中国人民解放军国防科学技术大学 三角形金属纳米孔阵列的制备方法
CN102530845A (zh) * 2012-02-14 2012-07-04 中国人民解放军国防科学技术大学 三角形金属纳米孔阵列的制备方法
CN102628808A (zh) * 2012-04-13 2012-08-08 中国科学院光电技术研究所 高灵敏度、高稳定性表面增强拉曼芯片的制备方法及应用方法
CN102910576A (zh) * 2012-11-16 2013-02-06 重庆绿色智能技术研究院 高灵敏的表面增强拉曼传感芯片制作方法
CN103011059A (zh) * 2012-12-17 2013-04-03 江南大学 一种调控纳米球凸平面阵列型sers基底结构的方法
CN103145095A (zh) * 2013-03-26 2013-06-12 吉林大学 一种全色结构色或可变色颜色图案阵列的制备方法
CN103335984B (zh) * 2013-06-09 2015-10-28 清华大学 一种基于lspr的无实体壁微阵列芯片及其应用
CN103335984A (zh) * 2013-06-09 2013-10-02 清华大学 一种基于lspr的无实体壁微阵列芯片及其应用
CN104076013A (zh) * 2013-07-03 2014-10-01 青岛派科森光电技术股份有限公司 一种基于lspr传感器的海上溢油检测系统及检测方法
CN103512869A (zh) * 2013-10-11 2014-01-15 华东理工大学 具有等离子体共振散射响应的纳米孔芯片的制备方法
CN104849254B (zh) * 2014-02-18 2018-04-24 中国人民解放军军事医学科学院微生物流行病研究所 一种基于表面增强拉曼散射的微流控检测芯片
CN104849254A (zh) * 2014-02-18 2015-08-19 中国人民解放军军事医学科学院微生物流行病研究所 一种基于表面增强拉曼散射的微流控检测芯片
CN104108680B (zh) * 2014-06-19 2016-02-03 北京大学深圳研究生院 一种微球阵列针尖的制备方法
CN104671197A (zh) * 2015-02-26 2015-06-03 中国科学院合肥物质科学研究院 可转移有序金属纳/微米孔模板的制备方法
CN105973867A (zh) * 2016-05-06 2016-09-28 厦门大学 一种类金属与金属复合空心腔阵列结构及其制备方法
CN105973867B (zh) * 2016-05-06 2018-08-31 厦门大学 一种类金属与金属复合空心腔阵列结构及其制备方法
CN106800274A (zh) * 2017-02-20 2017-06-06 吉林大学 一种调节二维金属纳米粒子阵列的间距、密度和光学性质的方法
CN107101988B (zh) * 2017-03-16 2020-08-28 中国科学院合肥物质科学研究院 一种金膜覆盖的高密度纳米针尖阵列及其应用
CN107101988A (zh) * 2017-03-16 2017-08-29 中国科学院合肥物质科学研究院 一种金膜覆盖的高密度纳米针尖阵列及其应用
CN108502840B (zh) * 2018-03-29 2020-08-28 中国科学技术大学 一种高效率制备环状纳米间隙有序阵列的方法
CN108502840A (zh) * 2018-03-29 2018-09-07 中国科学技术大学 一种高效率制备环状纳米间隙有序阵列的方法
CN109856116A (zh) * 2019-02-28 2019-06-07 吉林大学 一种利用表面增强拉曼散射原位监测化学反应的分级纳米锥阵列及其制备方法
CN110108668A (zh) * 2019-05-14 2019-08-09 东北大学 一种基于银三角板的u型光纤lspr传感器
CN110844876B (zh) * 2019-11-19 2022-06-24 北京工业大学 一种石墨烯辅助制备大面积金属纳米颗粒阵列的工艺方法
CN110844876A (zh) * 2019-11-19 2020-02-28 北京工业大学 一种石墨烯辅助制备大面积金属纳米颗粒阵列的工艺方法
CN111636065A (zh) * 2020-05-15 2020-09-08 扬州大学 银三角环纳米颗粒阵列/单层石墨烯薄膜复合材料及其制备方法
CN111636057A (zh) * 2020-05-15 2020-09-08 扬州大学 一种银三角形纳米颗粒阵列/单层石墨烯薄膜复合材料
CN111929277A (zh) * 2020-06-03 2020-11-13 中国科学院苏州生物医学工程技术研究所 间距可调的贵金属纳米粒子一维组装体及其在纳米传感器中的应用
CN111929277B (zh) * 2020-06-03 2021-06-01 中国科学院苏州生物医学工程技术研究所 间距可调的贵金属纳米粒子一维组装体及其在纳米传感器中的应用
CN111693511A (zh) * 2020-07-24 2020-09-22 江苏致微光电技术有限责任公司 一种耐高温局域表面等离子体纳米传感器件及其制备方法和应用
CN112921276B (zh) * 2021-01-22 2022-03-15 电子科技大学 一种基于2d贵金属纳米结构的sers基底的制备方法
CN112921276A (zh) * 2021-01-22 2021-06-08 电子科技大学 一种基于2d贵金属纳米结构的sers基底的制备方法
CN112981324A (zh) * 2021-02-07 2021-06-18 南京大学 一种液相纳米红外光谱等离激元共振增强基底及其制备方法和应用
CN112981324B (zh) * 2021-02-07 2022-05-17 南京大学 一种液相纳米红外光谱等离激元共振增强基底及其制备方法和应用
CN112986171A (zh) * 2021-02-23 2021-06-18 南京大学 一种等离激元共振增强基底及其制备方法和应用

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102180438A (zh) 一种可调谐三角形金属纳米粒子阵列结构的制作方法
Li et al. Ag nanowire/nanoparticle-decorated MoS 2 monolayers for surface-enhanced Raman scattering applications
Wang et al. Flexible, transparent and highly sensitive SERS substrates with cross-nanoporous structures for fast on-site detection
Zuo et al. Highly sensitive surface enhanced Raman scattering substrates based on Ag decorated Si nanocone arrays and their application in trace dimethyl phthalate detection
US8898811B2 (en) Metal nanopillars for surface-enhanced Raman spectroscopy (SERS) substrate and method for preparing same
CN102628808A (zh) 高灵敏度、高稳定性表面增强拉曼芯片的制备方法及应用方法
Chang et al. A wafer-scale backplane-assisted resonating nanoantenna array SERS device created by tunable thermal dewetting nanofabrication
CN109856116B (zh) 一种利用表面增强拉曼散射原位监测化学反应的分级纳米锥阵列及其制备方法
Zuo et al. Multiple plasmon couplings in 3D hybrid Au-nanoparticles-decorated Ag nanocone arrays boosting highly sensitive surface enhanced Raman scattering
CN109467043A (zh) 一种集成微凹面镜的sers基底及其制备方法
Upender et al. SERS study of molecules on Ag nanocluster films deposited on glass and silicon substrates by cluster deposition method
Zhang et al. Plasmonic structure with nanocavity cavities for SERS detection of pesticide thiram
Zhu et al. Increasing polarization-dependent SERS effects by optimizing the axial symmetry of plasmonic nanostructures
Ke et al. Unpacking the toolbox of two-dimensional nanostructures derived from nanosphere templates
Chen et al. Ordered gold nanobowl arrays as substrates for surface-enhanced Raman spectroscopy
Zuo et al. Quadrupolar plasmon resonance in arrays composed of small-sized Ag nanoparticles prepared by a dewetting method
Liu et al. Induced SERS activity in Ag@ SiO2/Ag core‐shell nanosphere arrays with tunable interior insulator
Zhang et al. Generalized green synthesis of diverse LnF 3–Ag hybrid architectures and their shape-dependent SERS performances
Xia et al. Hole arrayed metal-insulator-metal structure for surface enhanced Raman scattering by self-assembling polystyrene spheres
Chen et al. Preparation of metallic triangular nanoparticle array with controllable interparticle distance and its application in surface-enhanced Raman spectroscopy
Sun et al. Increasing local field by interfacial coupling in nanobowl arrays
Zhang et al. Engineering of flexible granular Au nanocap ordered array and its surface enhanced Raman spectroscopy effect
CN207882154U (zh) 基于表面等离激元效应的光纤表面增强拉曼探针
CN103710686B (zh) 一种制备表面增强红外光谱银基底的方法
Wang et al. Plasmonic properties and sensor application of the Ag nanocaps

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C12 Rejection of a patent application after its publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20110914