CN102174695A - 铝导电化学氧化方法 - Google Patents

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孟江燕
王云英
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Abstract

一种铝导电化学氧化方法,方法步骤为:(1)将准备配制溶液体积一半的去离子水加入容器中;(2)将三氧化铬/铬酐2.5~4.0g/L、氟化钠3.0~4.0g/L和磷酸11.0~13.0g/L加入去离子水中,搅拌使其溶解均匀;(3)再加入去离子水至所需体积;(4)把氧化溶液的温度控制在16~38℃;(5)将待氧化的铝放入氧化溶液15-30秒即可。本发明的优点是氧化膜具有导电性,表面电阻为500-1000欧姆。

Description

铝导电化学氧化方法
技术领域
本发明涉及一种铝导电化学氧化的方法,尤其涉及一种氧化后表面电阻为500~1000欧姆的化学氧化方法。
背景技术
为了提高铝的耐腐蚀性能通常要进行化学或电化学氧化,但形成的氧化膜都是不导电的绝缘体。但某些电器设备要求铝氧化膜是导电的,且要求表面电阻小于1000欧姆。
发明内容
本发明的目的在于提供一种铝导电化学氧化方法,该方法氧化的铝表面氧化膜具有低的表面电阻,其值500~1000欧姆。
本发明是这样实现的,方法步骤为: (1)将准备配制溶液体积一半的去离子水(体积电阻大2×105欧姆·厘米)加入容器中;
(2)将三氧化铬/铬酐2.5~4.0g/L、氟化钠3.0~4.0 g/L和磷酸11.0~13.0g/L加入去离子水中,搅拌使其溶解均匀;
(3)再加入去离子水(体积电阻大于2×105欧姆·厘米)至所需体积;
(4)把氧化溶液的温度控制在16~38℃;
(5)将待氧化的铝放入氧化溶液15-30秒即可。
该溶液对铝形成的氧化膜具有导电性,表面电阻为500~1000欧姆。
本发明的优点是:化学药品少、氧化时间短、氧化温度低,且氧化膜的表面电阻为500~1000欧姆。
具体实施方式
实施例1
本发明是这样实现的,方法步骤为: (1)将准备配制溶液体积一半的去离子水(体积电阻大2×105欧姆·厘米)加入容器中;
(2)将三氧化铬/铬酐2.5g/L、氟化钠3.0 g/L和磷酸11.0g/L加入去离子水中,搅拌使其溶解均匀;
(3)再加入去离子水(体积电阻大于2×105欧姆·厘米)至所需体积;
(4)把氧化溶液的温度控制在16℃;
(5)将待氧化的铝放入氧化溶液30秒即可。
实施例2
本发明是这样实现的,方法步骤为: (1)将准备配制溶液体积一半的去离子水(体积电阻大2×105欧姆·厘米)加入容器中;
(2)将三氧化铬/铬酐4.0g/L、氟化钠4.0 g/L和磷酸13.0g/L加入去离子水中,搅拌使其溶解均匀;
(3)再加入去离子水(体积电阻大于2×105欧姆·厘米)至所需体积;
(4)把氧化溶液的温度控制在38℃;
(5)将待氧化的铝放入氧化溶液15秒即可。
实施例3
本发明是这样实现的,方法步骤为: (1)将准备配制溶液体积一半的去离子水(体积电阻大2×105欧姆·厘米)加入容器中;
(2)将三氧化铬/铬酐2.5g/L、氟化钠3.0 g/L和磷酸11.0g/L加入去离子水中,搅拌使其溶解均匀;
(3)再加入去离子水(体积电阻大于2×105欧姆·厘米)至所需体积;
(4)把氧化溶液的温度控制在38℃;
(5)将待氧化的铝放入氧化溶液20秒即可。
实施例4
本发明是这样实现的,方法步骤为: (1)将准备配制溶液体积一半的去离子水(体积电阻大2×105欧姆·厘米)加入容器中;
(2)将三氧化铬/铬酐4.0g/L、氟化钠4.0 g/L和磷酸13.0g/L加入去离子水中,搅拌使其溶解均匀;
(3)再加入去离子水(体积电阻大于2×105欧姆·厘米)至所需体积;
(4)把氧化溶液的温度控制在16℃;
(5)将待氧化的铝放入氧化溶液25秒即可。
氧化膜性能:
外观:略带淡黄色并有淡的彩虹;
耐腐蚀性:室温下在3%NaCl溶液浸泡80小时,不腐蚀;
表面电阻:500~1000欧姆。

Claims (1)

1.一种铝导电化学氧化方法,其特征是方法步骤为: 
(1)将准备配制溶液体积一半的去离子水加入容器中;
(2)将三氧化铬/铬酐2.5~4.0g/L、氟化钠3.0~4.0 g/L和磷酸11.0~13.0g/L加入去离子水中,搅拌使其溶解均匀;
(3)再加入去离子水至所需体积;
(4)把氧化溶液的温度控制在16~38℃;
(5)将待氧化的铝放入氧化溶液15-30秒即可。
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CN104294250A (zh) * 2014-09-04 2015-01-21 安徽华东光电技术研究所 一种在铝合金基体上导电氧化的溶液配方和表面处理方法
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PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
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C12 Rejection of a patent application after its publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

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