CN102162831A - 晶圆参数的检测方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种晶圆参数的检测方法，包括：探针单元与晶圆上的第一测试区域接触；所述探针单元与测试机台连接，开启所述测试机台上的测试键，所述测试机台利用测试模块测量所述第一测试区域中测试点的所有参数；所述探针单元移位至所述晶圆上的第二测试区域，并与所述第二测试区域接触，所述测试机台利用测试模块测量所述第二测试区域中测试点的所有参数；所述探针单元移位至所述晶圆上剩余的测试区域，直至完成所述晶圆上所有测试区域中测试点的所有参数测试。本发明提供的晶圆参数的检测方法不仅节省了晶圆参数的检测时间，并且降低了在接触性测试中探针单元的接触频率，大大延长了探针单元的使用寿命，有利于减少检测晶圆参数的成本。

Description

晶圆参数的检测方法
技术领域
本发明涉及晶圆参数信息领域，尤其涉及一种晶圆参数的检测方法。
背景技术
晶圆制造过程中，通常是按一定顺序的工艺步骤在晶圆上进行一系列的处理，必须对每个操作步骤进行精确的控制，才能保证后续工艺的有效性。在其中的某次操作失误后能立即检测出来，可以避免后续操作造成不必要的经济损失。因此，在晶圆材料处理时进行及时有效的检测是一个非常关键的环节。在对晶圆进行检测时，一般通过检测机台来判定所测晶圆的好坏。
所述检测机台与探针单元连接，所述探针单元与晶圆上的测试点接触，检测机台通过测试模块对测试点的参数进行测量。一般地，检测机台通过测试模块对第一测试区域中测试点的第一参数进行测量，对该参数测量完毕后，检测机台控制探针单元移动至第二测试区域进行测量，而当需要对第一测试区域中测试点的第二参数进行测量时，又需要检测机台控制探针单元移动至第一测试区域中进行测量，而测量完该第一测试点的第二参数后，又使探针单元移动到别的测试区域，而此时第一测试区域中的测试点还包括没有测试的参数。因此，在这种晶圆参数的检测方法中，需要探针单元不停的在不同的测试区域往复，既浪费了晶圆参数的测试时间，又容易对探针单元造成损害。
发明内容
本发明的目的在于提供晶圆参数的检测方法，以解决现有测量方法晶圆参数的测试时间过长以及对探针单元造成损害的问题。
根据上述目的，本发明提供一种晶圆参数的检测方法，所述晶圆参数的检测方法包括探针单元与晶圆上的第一测试区域接触；所述探针单元与测试机台连接，开启所述测试机台上的测试键，所述测试机台利用测试模块测量所述第一测试区域中测试点的所有参数；所述探针单元移位至所述晶圆上的第二测试区域，并与所述第二测试区域接触，所述测试机台利用测试模块测量所述第二测试区域中测试点的所有参数；所述探针单元移位至所述晶圆上剩余的测试区域，直至完成所述晶圆上所有测试区域中测试点的所有参数测试。
优选地，在所述测试点的所有参数中包括四端电阻。
优选地，在所述测试机台利用所述测试模块依次测量测试区域中测试点的所有参数时，首先对所述四端电阻进行测量。
优选地，所述探针单元通过与其连接的测试机台控制所述探针单元的移位。
优选地，在所述测试机台利用所述测试模块依次测量测试区域中测试点的所有参数之前，对测试机台进行初始化处理。
优选地，所述探针单元包括一个或多个探针。
优选地，所述多个探针的数量与每个测试区域中测试点的数量相等。
优选地，所述测试机台与所述测试模块之间通过通用接口总线连接。
本发明提供的晶圆参数的检测方法通过对测试模块的设置，能够在探针单元与测试区域接触后，完成对测试区域内所有测试点的所有参数的测试，而不必使探针单元往复于测试区域之间以完成对测试点所有参数的测量。本发明提供的晶圆参数的检测方法不仅节省了晶圆参数的检测时间，并且降低了在接触性测试中探针单元的接触频率，大大延长了探针单元的使用寿命，有利于减少检测晶圆参数的成本。
附图说明
图1为本发明实施例提供的晶圆参数的检测方法的流程图。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本发明提出进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比率，仅用于方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
本发明的核心思想在于，提供一种晶圆参数的检测方法，通过对测试模块的设置，能够在探针单元与测试区域接触后，完成对测试区域内所有测试点的所有参数的测试，而不必使探针单元往复于测试区域之间以完成对测试点所有参数的测量。本发明提供的晶圆参数的检测方法不仅节省了晶圆参数的检测时间，并且降低了在接触性测试中探针单元的接触频率，大大延长了探针单元的使用寿命，有利于减少检测晶圆参数的成本。
请参考图1，其为本发明实施例提供的晶圆参数的检测方法的流程图，结合该图1，该检测方法包括以下步骤：
S11、探针单元与晶圆上的第一测试区域接触；
S12、所述探针单元与测试机台连接，开启所述测试机台上的测试键，所述测试机台利用测试模块测量所述第一测试区域中测试点的所有参数；
S13、所述探针单元移位至所述晶圆上的第二测试区域，并与所述第二测试区域接触，所述测试机台利用测试模块测量所述第二测试区域中测试点的所有参数；
S14、所述探针单元移位至所述晶圆上剩余的测试区域，直至完成所述晶圆上所有测试区域中测试点的所有参数测试。
参照上述步骤，对本发明实施例的晶圆参数的检测方法作更详尽的说明。
在进行步骤S11时，所述探针单元包括一个或多个探针，相应地，晶圆上的第一测试区域包括一个测试点或多个测试点。具体地，所述一个探针的测试端与一个测试点接触，或者多个探针的测试端分别与多个测试点接触。
在进行步骤S12之前，将所述测试机台与所述测试模块之间通过通用接口总线(GPIB)连接，在进行检测前需要确保所述测试机台与所述测试模块之间通信正常，并且对所述测试机台进行初始化处理。
在步骤S12中，所述探针单元位于探针台中，首先，通过探针台的视频功能找到第一测试区域的测试点，目前用于工业上测量晶圆参数特性的方法中有四探针测量法，其为接触性测量方式，在本实施例中，所述探针单元包括四个探针，将四个探针分别与第一测试区域中的四个测试点接触，测试机台利用测试模块测量所述第一测试区域中的四个测试点的所有晶圆性能参数，在所有的晶圆性能参数中包括四端电阻，由于该参数测试的时间较长，因此在模块测量的设计中安排首先测量四端电阻这个参数，在测量四端电阻这个参数的同时可以测量其他参数，缩短了测试时间。在本领域的普通技术人员应该理解，探针的数量不仅仅局限为四个，还可以是六个，即探针台中具有六个探针，或者为更多个，相应地，第一测试区域中的测试点为六个或者更多个。
在步骤S13中，在对第一测试区域的测试点的所有参数测量完毕后，测试机台控制所述探针单元移位至所述晶圆上的第二测试区域，并与所述第二测试区域接触，所述测试机台利用测试模块测量所述第二测试区域中测试点的所有参数，测量方法与所述第一测试区域中测试点的过程相同，在此不予赘述。
在步骤S14中，所述探针单元移位至所述晶圆上剩余的测试区域，直至完成所述晶圆上所有测试区域中测试点的所有参数测试。本发明提供的晶圆参数的检测方法中平均每个晶圆比现有检测方法节省68.9％的时间。
综上所述，本发明提供的一种晶圆参数的检测方法，通过对测试模块的设置，能够在探针单元与测试区域接触后，完成对测试区域内所有测试点的所有参数的测试，而不必使探针单元往复于测试区域之间以完成对测试点所有参数的测量。本发明提供的晶圆参数的检测方法不仅节省了晶圆参数的检测时间，并且降低了在接触性测试中探针单元的接触频率，大大延长了探针单元的使用寿命，有利于减少检测晶圆参数的成本。
显然，本领域的技术人员可以对发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (8)

1.一种晶圆参数的检测方法，包括：
探针单元与晶圆上的第一测试区域接触；
所述探针单元与测试机台连接，开启所述测试机台上的测试键，所述测试机台利用测试模块测量所述第一测试区域中测试点的所有参数；
所述探针单元移位至所述晶圆上的第二测试区域，并与所述第二测试区域接触，所述测试机台利用测试模块测量所述第二测试区域中测试点的所有参数；
所述探针单元移位至所述晶圆上剩余的测试区域，直至完成所述晶圆上所有测试区域中测试点的所有参数测试。
2.如权利要求1所述的晶圆参数的检测方法，其特征在于，在所述测试点的所有参数中包括四端电阻。
3.如权利要求2所述的晶圆参数的检测方法，其特征在于，在所述测试机台利用所述测试模块依次测量测试区域中测试点的所有参数时，首先对所述四端电阻进行测量。
4.如权利要求1至3中任一项中的晶圆参数的检测方法，其特征在于，所述探针单元通过与其连接的测试机台控制所述探针单元的移位。
5.如权利要求1至3中任一项中的晶圆参数的检测方法，其特征在于，在所述测试机台利用所述测试模块依次测量测试区域中测试点的所有参数之前，对测试机台进行初始化处理。
6.如权利要求1至3中任一项中的晶圆参数的检测方法，其特征在于，所述探针单元包括一个或多个探针。
7.如权利要求6所述的半导体参数测量系统的检测方法，其特征在于，所述多个探针的数量与每个测试区域中测试点的数量相等。
8.如权利要求1至3中任一项中的晶圆参数的检测方法，其特征在于，所述测试机台与所述测试模块之间通过通用接口总线连接。
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