CN102161597A - 一种仿印度红石纹陶瓷的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种在烧制过程釉层出现窑变而形成印度红石纹的陶瓷制造方法，配制含氧化铁和二氧化锆的第一釉浆，含氧化钴、氧化镍、三氧化二铬、氧化铁和二氧化锰的第二釉浆，含二氧化锡、二氧化锆、氧化镍和氧化钴的第三釉浆，在陶瓷坯体上依次施第一釉浆、第二釉浆和第三釉浆，烧制后陶瓷制品釉层出现窑变，在釉层出现红色、浅红色、灰黑色和白色等多种色斑，色斑颜色的深浅和分布状况与印度红石头十分相近似，具有印度红石头外观视觉效果。
Description
技术领域
本发明涉及陶瓷的制造方法，尤其涉及具有石纹外观效果的陶瓷制品的制造方法。
背景技术
具有石头纹理效果的陶瓷制品由于具有特别的观赏效果，作为花瓶、摆设、用具或者收藏品受到消费者的青睐，具有广阔的市场空间。因此，它成为陶瓷制品装饰的一个发展方向。
中国发明专利申请公开说明书CN1218020A提出了一种在陶瓷上形成大理石纹饰的方法，首先提供一高密度、粘度小、高稠度的底釉，然后将比重小、粘度大、低稠度的面釉缓缓倒入底釉中，由于两种釉比重及粘度的落差，面釉在底釉中未立即分解，并漂浮于底釉的表层，接着划动釉面使其产生大理石纹，然后将素烧胚部分浸于釉中滚转一圈，使釉彩覆于胚上，完成上釉程序后在高温中烧制即产生大理石纹。该方法操作难以控制，再现性较差，成品率低，并且难以形成不能形成石头的自然色斑。
CN1241497A、CN1424190A、CN1546294A、CN1727147A、CN1887558A以及CN101585210A公开的具有石纹表层的陶瓷是采用机械方法将一种或多种色浆分散在陶瓷素坯表面，烧成后陶瓷表面显示多种色浆颜色来体现石头斑纹。但是这些方法操作复杂，并且由于斑纹过于规整，仿石效果较差。
CN1923747A认为，将色素包裹在熔块中，烧成后可形成仿石材图案釉面陶瓷，但由于色素斑块过小，出现石材图案与天然石头差距较大。
CN101066890A认为，在陶瓷泥坯上施一层底釉，制备底釉坯，将底釉坯表面沾取含有气泡的色釉，由于色釉浆泡破灭形成大理石花纹，这种方法适应性能强，能够适用于器型复杂的陶瓷产品，但色斑单一，陶瓷产品表面平整度较差，与自然石头纹理差距较远。
发明内容
本发明的目的在于提供一种操作简易，在烧制过程釉层出现窑变而形成印度红石纹的陶瓷制造方法。
该方法包括以下步骤：
A.按重量百分比配制含氧化铁25～35％，二氧化锆65～75％的第一色基材料，按第一色基材料重量的50～60％加水研磨，按第一色基材料和透明基础釉重量比20∶100的比例将研磨后的第一色基材料与透明基础釉混合，加水配成总含固量50～52％的第一釉浆；
B.按重量百分比配制含氧化钴14～16％，氧化镍9～11％，三氧化二铬14～16％，氧化铁18～22％，二氧化锰38～42％的第二色基材料，按第二色基材料重量的50～60％加水研磨，按第二色基材料和透明基础釉重量比20∶100的比例将研磨后的第二色基材料与透明基础釉混合，加水配成总含固量50～52％的第二釉浆；
C.按重量百分比配制含二氧化锡11～13％，二氧化锆78～82％，氧化镍4～6％，氧化钴2～4％的第三色基材料，按第三色基材料重量的50～60％加水研磨，按第三色基材料和透明基础釉重量比20∶100的比例将研磨后的第三色基材料与透明基础釉混合，加水配成总含固量50～52％的第三釉浆；
D.在陶瓷坯体上施第一釉浆，自然干燥0.5～1小时后施第二釉浆，再自然干燥1～1.5小时后施第三釉浆，第一釉浆、第二釉浆和第三釉浆的用量之比为1∶0.35～0.40∶0.28～0.32；
E.施釉后的陶瓷坯体进行烧制：在200～800℃时每小时升温180～200℃，800～1100℃时每小时升温90～100℃，1100～1260℃时每小时升温50～60℃，到达1260～1270℃时停火降温，冷却后陶瓷坯体成为仿印度红石纹陶瓷制品。
本发明中，透明基础釉是陶瓷工业中使用的普通透明釉，或者称为熔块。
在步骤A中，优选的第一色基材料的重量百分含量为氧化铁30％，二氧化锆70％。
在步骤B中，优选的第二色基材料重量百分含量为氧化钴15％，氧化镍10％，三氧化二铬15％，氧化铁20％，二氧化锰40％。
在步骤C中，优选的第三色基材料的重量百分含量为二氧化锡12％，二氧化锆80％，氧化镍5％，氧化钴3％。
在步骤D中，优选的第一釉浆、第二釉浆和第三釉浆的用量之比为1∶0.38∶0.30。
在步骤E中，烧制过程在温度为800～900℃时，采用还原方式烧制，即加大燃料用量但不增加空气流量，窑炉中燃料在缺氧状态下燃烧，此外的其它温度范围采用氧化方式烧制，即燃料在氧气充分的状态下完全燃烧。
本发明在烧成过程釉层出现窑变，烧成后的陶瓷制品在釉层出现红色、浅红色、灰黑色和白色等多种色斑，色斑颜色的深浅和分布状况与印度红石头十分相近似，具有印度红石头外观视觉效果，本发明施釉操作不难控制，烧制过程与普通釉面陶瓷基本相同。由于采用低铅、低镉材料，产品符合美国加州65和欧盟铅镉标准。
附图说明
图1是实施例1的方法制作的陶瓷制品表面外观效果图。
图2是图1陶瓷制品的局部表面外观效果图。
具体实施方式
实施例1
按重量百分比配制含氧化铁30％，二氧化锆70％的第一色基材料，按第一色基材料重量的60％加水研磨，按第一色基材料和透明基础釉重量比20∶100的比例将研磨后的第一色基材料与透明基础釉混合，加水配成总含固量50％的第一釉浆。
按重量百分比配制含氧化钴15％，氧化镍10％，三氧化二铬15％，氧化铁20％，二氧化锰40％的第二色基材料，按第二色基材料和透明基础釉重量比20∶100的比例将研磨后的第二色基材料与透明基础釉混合，加水配成总含固量50％的第二釉浆。
按重量百分比配制含二氧化锡12％，二氧化锆80％，氧化镍5％，氧化钴3％的第三色基材料，按第三色基材料重量的60％加水研磨，按第三色基材料和透明基础釉重量比20∶100的比例将研磨后的第三色基材料与透明基础釉混合，加水配成总含固量50％的第三釉浆。
在陶瓷坯体上采用浸泡法施第一釉浆，自然干燥0.8小时后采用喷施法均匀喷施第二釉浆，再自然干燥1小时后采用喷施法均匀喷施第三釉浆，第一釉浆干燥后的厚度约为0.2mm，第一釉浆、第二釉浆和第三釉浆的用量之比为1∶0.38∶0.30。
施釉后的陶瓷坯体进行烧制：在开始时缓慢加热，使陶瓷坯体中的水分缓慢蒸发，防止陶瓷坯体变形，加热1小时后可升高到80℃，之后逐渐加大火力，经1小时后升高到200℃，在200～800℃之间每小时升温200℃，温度升高到800℃后，在800～900℃之间，采用还原方式烧制，即加大燃料用量但不增加空气流量，窑炉中燃料在缺氧状态下不完全燃烧，1小时后温度升高到900℃，之后增加空气流量，窑炉中燃料完全燃烧，在900～1100℃之间每小时升温100℃，1100～1260℃之间每小时升温60℃，到达1260℃时停火降温，冷却到室温后打开窑炉，陶瓷坯体成为仿印度红石纹陶瓷制品。
该陶瓷制品外观视觉效果如图1和图2所示，图2是按比例尺1∶1的局部表面外观图，从图1和图2可见，在釉层出现红色、浅红色、灰黑色和白色等多种色斑，色斑颜色的深浅和分布状况与印度红石头十分相近似，具有明确的印度红石头外观视觉效果。
Claims (6)
1.一种仿印度红石纹陶瓷的制造方法，其特征在于：包括以下步骤：
A.按重量百分比配制含氧化铁25～35％，二氧化锆65～75％的第一色基材料，按第一色基材料重量的50～60％加水研磨，按第一色基材料和透明基础釉重量比20∶100的比例将研磨后的第一色基材料与透明基础釉混合，加水配成总含固量50～52％的第一釉浆；
B.按重量百分比配制含氧化钴14～16％，氧化镍9～11％，三氧化二铬14～16％，氧化铁18～22％，二氧化锰38～42％的第二色基材料，按第二色基材料重量的50～60％加水研磨，按第二色基材料和透明基础釉重量比20∶100的比例将研磨后的第二色基材料与透明基础釉混合，加水配成总含固量50～52％的第二釉浆；
C.按重量百分比配制含二氧化锡11～13％，二氧化锆78～82％，氧化镍4～6％，氧化钴2～4％的第三色基材料，按第三色基材料重量的50～60％加水研磨，按第三色基材料和透明基础釉重量比20∶100的比例将研磨后的第三色基材料与透明基础釉混合，加水配成总含固量50～52％的第三釉浆；
D.在陶瓷坯体上施第一釉浆，自然干燥0.5～1小时后施第二釉浆，再自然干燥1～1.5小时后施第三釉浆，第一釉浆、第二釉浆和第三釉浆的用量之比为1∶0.35～0.40∶0.28～0.32；
E.施釉后的陶瓷坯体进行烧制：在200～800℃时每小时升温180～200℃，800～1100℃时每小时升温90～100℃，1100～1260℃时每小时升温50～60℃，到达1260～1270℃时停火降温，冷却后陶瓷坯体成为仿印度红石纹陶瓷制品。
2.根据权利要求1所述仿印度红石纹陶瓷的制造方法，其特征在于，在步骤A中，第一色基材料的重量百分含量为氧化铁30％，二氧化锆70％。
3.根据权利要求1所述仿印度红石纹陶瓷的制造方法，其特征在于，在步骤B中，第二色基材料重量百分含量为氧化钴15％，氧化镍10％，三氧化二铬15％，氧化铁20％，二氧化锰40％。
4.根据权利要求1所述仿印度红石纹陶瓷的制造方法，其特征在于，在步骤C中，第三色基材料的重量百分含量为二氧化锡12％，二氧化锆80％，氧化镍5％，氧化钴3％。
5.根据权利要求1所述仿印度红石纹陶瓷的制造方法，其特征在于，在步骤D中，第一釉浆、第二釉浆和第三釉浆的用量之比为1∶0.38∶0.30。
6.根据权利要求1所述仿印度红石纹陶瓷的制造方法，其特征在于，在步骤E中，烧制过程在温度为800～900℃时，采用还原方式烧制，此外的其它温度范围采用氧化方式烧制。
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