CN102157651A - 发光器件及其制造方法、发光器件封装以及照明系统 - Google Patents
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Abstract
本发明提供发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装、以及照明系统。发光器件包括：发光结构层，该发光结构层包括第一导电类型半导体层；第二导电类型半导体层；以及第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层。发光结构层的至少一个横向表面具有A面和M面的解理刻面。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求于2010年1月11日提交的韩国专利申请No.10-2010-0002434的优先权，通过引用将其整体合并在此。
技术领域
本公开涉及发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装、以及照明系统。
背景技术
发光二极管(LED)被用作发光器件。
这样的LED是将电流转换为光的半导体发光器件。
从LED发射的光的波长根据用于制造LED的半导体材料而变化。这是因为发射的光的波长取决于半导体材料的带隙。各带隙表现价带电子和导电电子之间的能量差。
随着LED的亮度增加，LED被用作用于显示器、车辆、以及照明的光源。而且，通过使用荧光物质或者组合具有各种颜色的LED可以实现发射高度有效的白光的LED。
发明内容
实施例提供具有新结构的发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装、以及照明系统。
实施例还提供具有提高的光提取效率的发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装、以及照明系统。
在一个实施例中，发光器件包括：发光结构层，该发光结构层包括第一导电类型半导体层；第二导电类型半导体层；以及在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层，其中发光结构层的至少一个横向表面具有A面和M面的解理刻面。
在另一实施例中，发光器件封装包括：封装主体；封装主体上的第一和第二电极，该第一和第二电极被相互电气地分离；封装主体上的发光器件，该发光器件被电气地连接到第一和第二电极；以及封装主体上的成型构件，该成型构件包围发光器件，其中发光器件包括发光结构层，该发光结构层包括第一导电类型半导体层；第二导电类型半导体层；以及在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层，并且发光结构层的至少一个横向表面具有A面和M面的解理刻面。
在又一实施例中，照明系统包括：基板；和基板上的发光模块，该发光模块包括发光器件，其中发光器件包括发光结构层，该发光结构层包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、以及第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层，并且发光结构层的至少一个横向表面具有A面和M面的解理刻面。
在又一实施例中，一种制造发光器件的方法，包括：在C面蓝宝石衬底上形成包括第一导电类型半导体层、有源层、以及第二导电类型半导体层的发光结构层；将C面蓝宝石衬底和发光结构层刻划为芯片单元以在发光结构层的至少一个横向表面上形成A面和M面的解理刻面。
在附图和下面的描述中，阐述一个或者多个实施例的细节。根据描述和附图以及权利要求，其它的特征将会是显而易见的。
附图说明
图1是示出蓝宝石的晶体结构的视图。
图2是示出是III-V族氮化物化合物半导体的GaN的晶胞的视图。
图3是示出C面蓝宝石衬底的原子排列的视图。
图4是其中C面蓝宝石衬底被刻划成芯片单元的状态的视图。
图5和图6是其中以不同于图4的角度的角度刻划C面蓝宝石衬底的状态的视图。
图7是示出其中以相对于A面倾斜的角度刻划C面蓝宝石衬底的状态的解理面和C面蓝宝石衬底的晶格结构的视图。
图8是其上生长GaN的蓝宝石衬底的截面图。
图9是示出发光结构层的原子排列的视图。
图10和图11是根据实施例的发光器件的截面图。
图12是根据实施例的包括发光器件的发光器件封装的截面图。
图13是根据实施例的使用发光器件或者发光器件封装的背光单元的透视图。
图14是根据实施例的使用发光器件或者发光器件封装的照明单元的透视图。
具体实施方式
在实施例的描述中，将会理解的是，当层(或者膜)、区域、图案或者结构被称为在另一层(或者膜)、区域、垫或者图案“上”时，“上”和“下”的术语包括“直接地”和“间接地”的意义。此外，将会基于附图进行关于每层的“上”和“下”的参考。
在附图中，为了方便或清楚起见，每层的厚度或尺寸可以被夸大、省略或示意性绘制。而且，每个元件的尺寸没有完全反映真实尺寸。
在下文中，将会参考附图详细地描述发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装、以及照明系统。
图1是示出蓝宝石的晶体结构的视图。
蓝宝石晶胞20具有六方晶体结构。图1示出蓝宝石晶胞20的A面22、C面24、M面26、以及R面28的位置和方向。A面22垂直于C面，并且M面26限定蓝宝石晶胞20的横向表面。R面28以相对于C面24的大约57.6度的角度倾斜。蓝宝石晶胞20具有在同一面上以大约120度的角度相互交叉的轴a1、a2、以及a3和垂直于该面的轴C。
图2是示出是III-V族氮化物化合物半导体的GaN的晶胞的视图。
GaN晶胞30具有六方晶体结构。GaN晶胞30具有限定横向表面的M面32和限定顶表面和底表面的C面34。
当在蓝宝石的C面24上生长GaN时，GaN的栅格布局从蓝宝石的栅格布局偏移大约30度。即，在沿着轴C切割其上生长GaN的蓝宝石的情况下，当蓝宝石的A面22暴露于横向表面时，在蓝宝石上生长的GaN的M面32被暴露。
图3是示出C面蓝宝石衬底的原子排列的视图，并且图4是其中C面蓝宝石衬底被刻划成芯片单元的状态的视图。
C面蓝宝石衬底200具有与图3相同的蓝宝石原子排列，并且在C面蓝宝石衬底200上生长GaN以形成发光器件的发光结构层。
参考图4，C面蓝宝石衬底200被刻划成多个单元芯片210。作为刻划方法，给出使用激光的方法以及使用钻石刀具等等的机械方法。例如，激光隐形刻划可以被用于刻划C面蓝宝石衬底200。
通常，在垂直于和平行于A面的方向上刻划C面蓝宝石衬底200。即，在垂直于M面的m方向和垂直于A面的方向上刻划C面蓝宝石衬底200。
因此，C面蓝宝石衬底200的单元芯片210具有A面和M面的清洁的解理刻面。
图5和图6是其中以不同于图4的角度的角度刻划C面蓝宝石衬底的状态的视图。
当如图5中所示以相对于A面的大约30度的角度刻划C面蓝宝石衬底200或者如图6中所示以相对于A面的大约60度的角度刻划C面蓝宝石衬底200时，由于具有六方晶体结构的蓝宝石的特性导致C面蓝宝石衬底200的单元芯片210具有A面和M面的清洁的解理刻面。
即，A面的解理刻面形成在C面蓝宝石衬底200的单元芯片210的四个横向表面当中的两个横向表面上，M面的解理刻面形成在四个横向表面的其它两个面上。
图7是示出其中以相对于A面倾斜的角度刻划C面蓝宝石衬底的状态的解理刻面和C面蓝宝石衬底的晶体结构的视图。
参考图7，当以相对于A面的大约30度的角度刻划C面蓝宝石衬底200时，形成M面的解理刻面。而且，当以相对于A面的大约60度的角度刻划C面蓝宝石衬底200时，形成A面的解理刻面。
然而，当以相对于A面的大约30度的不是整数倍的角度刻划C面蓝宝石衬底200时，例如，当在相对于A面的大约15度的角度刻划C面蓝宝石衬底200时，交替地形成A面的解理刻面和M面的解理刻面。
而且，当以相对于A面的大约30度的不是整数倍的角度刻划C面蓝宝石衬底200时，A面和M面交替地形成在生长在C面蓝宝石衬底200上的GaN上。
图8是其上生长GaN的蓝宝石衬底的截面图。
参考图8，III-V族氮化物化合物半导体层可以生长在蓝宝石衬底110上。
蓝宝石衬底110是C面蓝宝石衬底。未掺杂的氮化物半导体层120被布置在蓝宝石衬底110的C面上。包括第一导电类型半导体层130、有源层140、以及第二导电类型半导体层150的发光结构层160被布置在未掺杂的氮化物半导体层120上。
缓冲层可以被布置在蓝宝石衬底110和未掺杂的氮化物半导体层120之间。
而且，第一导电类型半导体层130可以在没有形成未掺杂的氮化物半导体层120的情况下直接地生长在缓冲层上，或者第一导电类型半导体层130可以直接地生长在蓝宝石衬底110上。
发光结构层160可以包括GaN基半导体层。例如，第一导电类型半导体层130可以包括GaN层、InGaN层、AlGaN层、或者InAlGaN层，其中注入n型杂质。第二导电类型半导体层150可以包括GaN层、InGaN层、AlGaN层、或者InAlGaN层，其中注入p型杂质。有源层140可以包括GaN阱层/GaN势垒层或者InGaN阱层/GaN势垒层，或者GaN阱层/AlGaN势垒层。
被布置在蓝宝石衬底110上的发光结构层160可以被刻划成芯片单元以构成激光二极管或者发光二极管。
在这里，以是相对于A面的大约30度的整数倍的角度刻划蓝宝石衬底110，并且蓝宝石衬底110的四个横向表面分别具有其中交替地形成A面和M面的解理刻面。
类似地，生长在蓝宝石衬底110上的发光结构层160的四个横向表面中的每一个具有其中交替地形成A面和M面的解理刻面。
图9是示出发光结构层的原子排列的视图。
参考图9，发光结构层160可以具有四个横向表面。至少一个横向表面可以具有其中交替地形成垂直于m方向的A面和垂直于a方向的M面的解理刻面。
当A面和M面的解理刻面形成在发光结构层160的横向表面上时，发光结构层160的横向表面的粗糙增加。而且，当发光结构层160的横向表面的粗糙增加时，在发光结构层160中产生的光可以被容易地提取到横向表面以增加发光器件的横向发光效率。
图10和图11是根据实施例的发光器件的截面图。
参考图10，在发光器件中，未掺杂的氮化物半导体层120被布置在蓝宝石衬底110上。包括第一导电类型半导体层130、有源层140、以及第二导电类型半导体层150的发光结构层160被布置在未掺杂的氮化物半导体层120上。发光结构层160可以被选择性地移除。第一电极层170被布置在第一导电类型半导体层130上，并且第二电极层180被布置在第二导电类型半导体层150上。
参考图11，在发光器件中，发光结构层160被布置在第二电极层180上，并且第一电极层被布置在发光结构层160上。
第二电极层180可以包括导电支撑衬底181；反射层182，该反射层182被布置在导电支撑衬底181上；以及欧姆接触层183，该欧姆接触层183被布置在反射层182上。而且，发光结构层160可以包括第二导电类型半导体层150，该第二导电类型半导体层150被布置在欧姆接触层183上；有源层140，该有源层140被布置在第二导电类型半导体层150上；以及第一导电类型半导体层130，该第一导电类型半导体层130被布置在有源层140上。
如图9中所示，图10和图11的发光结构层160中的每一个的至少一个横向表面可以具有解理刻面，该解理刻面具有A面和M面。
图12是根据实施例的包括发光器件的发光器件封装的截面图。
参考图12，根据实施例的发光器件封装600包括：封装主体300、设置在封装主体300上的第一和第二电极310和320、设置在封装主体300上并且电气地连接到第一和第二电极310和320的发光器件100、以及包围发光器件100的成型构件500。
封装主体300可以由硅材料、合成树脂材料、或者金属材料形成。而且，倾斜表面可以被布置在发光器件100的周围。
第一电极和第二电极310和320被彼此电气地分离，以向发光器件100提供电力。而且，第一电极和第二电极310和320可以反射在发光器件100中产生的光，以增加光效率。而且，第一电极和第二电极310和320可以排出在发光器件100中产生的热。
发光器件100可以包括如图10中所示的横向型发光器件或者如图11中所示的垂直型发光器件。发光器件100可以被布置在封装主体300或者第一和第二电极310和320上。
发光器件100可以通过布线400电气地连接到第一电极310和/或第二电极320。由于在本实施例中描述了垂直型发光器件100作为示例，所以可以使用一条布线400。或者，当发光器件100是垂直型发光器件时，可以使用两条布线400。当发光器件100是倒装芯片型发光器件时，可以不提供布线400。
成型构件500可以包围发光器件100，以保护发光器件100。而且，磷光体可以被包含在成型构件500中，以改变从发光器件100发射的光的波长。
因为具有改进的光提取效率的发光器件100被应用于发光器件封装600，所以根据实施例的发光器件封装600可以具有优异的光效率。
多个发光器件封装600可以被排列在衬底上。诸如导光板、棱镜片、扩散片、以及荧光片的光学构件可以被布置在从发光器件封装600发射的光的路径上。发光器件封装、衬底、以及光学构件可以用作背光单元或者照明单元。例如，照明系统可以包括背光单元、照明单元、指示装置、灯、以及街灯。
图13是根据实施例的使用发光器件或者发光器件封装的背光单元的透视图。然而，图13的背光单元1100是照明系统的示例，本公开不限于此。
参考图13，背光单元1100可以包括底框1140、布置在底框1140中的导光构件1120、以及布置在导光构件1120的至少一侧或者上表面上的发光模块1110。而且，反射片1130可以被布置在导光构件1120下面。
底框1140可以具有盒形状，该盒形状具有开口的上侧以容纳导光构件1120、发光模块1110、以及反射片1130。底框1140可以由金属材料或者树脂材料形成，但是不限于此。
发光模块1110可以包括：基板衬底700和安装在基板700上的多个发光器件封装600。多个发光器件封装600可以向导光构件1120提供光。
如图13中所示，发光模块1110可以被布置在底框1140的内表面中的任何一个上。因此，发光模块1110可以朝着导光构件1120的至少一个横向表面提供光。
发光模块1110可以被布置在底框1140中，以朝着导光构件1120的下表面提供光。可以根据背光单元1100的设计，对此进行各种改变，但不限于此。
导光构件1120可以被布置在底框1140内。导光构件1120可以接收从发光模块1110提供的光以产生平面光，然后将平面光导向液晶面板(未示出)。
例如，导光构件1120可以是导光面板(LGP)。LGP可以由诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)的树脂基材料、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)树脂、聚碳酸酯(PC)树脂、环烯烃共聚物(COC)树脂、以及聚萘二甲酸乙二酯(PEN)树脂中的一个形成。
光学片1150可以被布置在导光构件1120上。
例如，光学片1150可以包括扩散片、聚光片、亮度增强片、以及荧光片中的至少一个。例如，扩散片、聚光片、亮度增强片、以及荧光片可以被堆叠以形成光学片1150。在这样的情况下，扩散片1150可以均匀地扩散从发光模块1110发射的光，并且可以通过聚光片将扩散光聚集到显示面板(未示出)。在此，从聚光片发射的光是随机偏振的光。亮度增强片可以增强从聚光片发射的光的偏振度。例如，聚光片可以是水平和/或垂直棱镜片。而且，亮度增强片可以是双亮度增强膜。荧光片可以是包括磷光体的透光板或者膜。
反射片1130可以被布置在导光构件1120下。反射片1130将通过导光构件1120的下表面发射的光朝着导光构件1120的发光表面反射。
反射片1130可以由具有优秀的反射率的材料，例如PET树脂、PC树脂、或者PVC树脂形成，但是不限于此。
图14是示出根据实施例的使用发光器件或者发光器件封装的照明单元的透视图。然而，图14的照明单元1200是照明系统的示例，本公开不限于此。
参考图14，照明单元1200可以包括：壳体1210、布置在壳体1210上的发光模块1230、以及布置在壳体1210上以接收来自于外部电源的电力的连接端子1220。
壳体1210可以由具有良好散热性质的材料形，例如，由金属材料或者树脂材料形成。
发光模块1230可以包括：基板700和安装在基板700上的至少一个发光器件封装600。
电路图案可以被印制在电介质上以形成基板700。例如，基板700可以包括印刷电路板(PCB)、金属芯PCB、柔性PCB、以及陶瓷PCB。
而且，基板700可以由有效反射材料形成，或者具有其上从其表面有效地反射光的颜色，例如，白色或者银色。
至少一个发光器件封装600可以被安装在基板700上。发光器件封装600可以包括至少一个发光二极管(LED)。LED可以包括分别发射具有红色、绿色、蓝色或者白色的光的彩色LED，和发射紫外(UV)线的UV LED。
发光模块1230可以具有LED的各种组合，以获得彩色感觉和亮度。例如，可以将白色LED、红色LED、绿色LED彼此组合以确保高显色指数。而且，荧光片可以进一步布置在从发光模块1230发射的光的路径上。荧光片改变从发光模块1230发射的光的波长。例如，当从发光模块1230发射的光具有蓝色波长带时，荧光片可以包括黄色磷光体。因此，从发光模块1230发射的光经过荧光片，以最终发射白光。
连接端子1220可以被电气地连接至发光模块1230，以向发光模块1230提供电力。参考图14，连接端子1220螺纹联接到插座形式的外部电源，但是不限于此。例如，连接端子1220可以具有插头形状，并且因此，可以被插入到外部电源中。替代地，连接端子1220可以通过布线连接到外部电源。
如上所述，在照明系统中，导光构件、扩散片、聚光片、亮度增强片、以及荧光片中的至少一个可以被布置在从发光模块发射的光的路径上，以获得想要的光学效果。
如上所述，由于照明系统包括根据实施例的发光器件封装，所以照明系统可以发射具有高的发光效率的光。
在本说明书中对于“一个实施例”、“实施例”、“示例性实施例”等的引用意味着结合实施例描述的特定特征、结构或特性被包括在本发明的至少一个实施例中。在说明书中，在各处出现的这类短语不必都表示相同的实施例。此外，当结合任何实施例描述特定特征、结构或特性时，都认为结合实施例中的其它实施例实现这样的特征、结构或特性也是本领域技术人员所能够想到的。
虽然已经参照本发明的多个示例性实施例描述了实施例，但是应该理解，本领域的技术人员可以想到许多落入本公开原理的精神和范围内的其它修改和实施例。更加具体地，在本公开、附图和所附权利要求书的范围内，主题组合布置的组成部件和/或布置方面的各种变化和修改都是可能性。除了组成部件和/或布置方面的变化和修改之外，对于本领域的技术人员来说，替代使用也将是显而易见的。
Claims (15)
1.一种发光器件，所述发光器件包括发光结构层，所述发光结构层包括：
第一导电类型半导体层；
所述第一导电类型半导体层上的有源层；以及
所述有源层上的第二导电类型半导体层；
其中所述发光结构层的第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层的侧面交替地包括A面和M面的解理刻面。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述发光结构层的第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层的所有侧面交替地包括A面和M面的解理刻面。
3.根据权利要求1所述的发光器件，其中C面蓝宝石衬底被布置在所述发光结构层下面。
4.根据权利要求3所述的发光器件，包括所述第一导电类型半导体层上的第一电极层和所述第二导电类型半导体层上的第二电极层。
5.根据权利要求1所述的发光器件，包括发光结构层上的第一电极层和所述发光结构层下面的第二电极层。
6.根据权利要求5所述的发光器件，其中所述第二电极层包括导电支撑衬底；反射层，所述反射层被布置在所述导电支撑衬底上；以及欧姆接触层，所述欧姆接触层被布置在所述反射层上。
7.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述发光结构层是III-V族氮化物化合物半导体层。
8.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述发光结构层是GaN基半导体层。
9.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一导电类型半导体层包括n型杂质，并且所述第二导电类型半导体层包括p型杂质。
10.一种发光器件封装，包括：
封装主体；
所述封装主体上的第一和第二电极，所述第一和第二电极相互电气地分离；
封装主体上的根据权利要求1至权利要求6中的任何一项所述的发光器件，所述发光器件被电气地连接到所述第一和第二电极；以及
所述封装主体上的成型构件，所述成型构件包围所述发光器件。
11.一种制造发光器件的方法，包括：
形成发光结构层，所述发光结构层具有位于C面蓝宝石衬底上的第一导电类型半导体层、位于所述第一导电类型半导体层上的有源层、以及位于所述有源层上的第二导电类型半导体层，和
将所述C面蓝宝石衬底和所述发光结构层刻划为芯片单元以便于所述发光结构层的所述第一导电类型半导体和所述第二导电类型半导体层的所有侧面交替地包括A面和M面的解理刻面。
12.根据权利要求11所述的制造发光器件的方法，其中所述发光结构层由III-V族氮化物化合物半导体层形成。
13.根据权利要求11所述的制造发光器件的方法，其中所述发光结构层是GaN基半导体层。
14.根据权利要求11所述的制造发光器件的方法，其中所述发光结构层包括第一导电类型半导体层、有源层、以及第二导电类型半导体层。
15.根据权利要求11所述的制造发光器件的方法，其中以相对于所述C面蓝宝石衬底的A面的30°的非整数倍的角度执行刻划。
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| KR101883843B1 (ko) * | 2012-02-16 | 2018-08-01 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 소자의 벽개면 형성 방법 |
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| KR102434868B1 (ko) * | 2017-06-16 | 2022-08-22 | 엘지전자 주식회사 | 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0435197A (ja) * | 1990-05-25 | 1992-02-05 | Mitsubishi Electric Corp | 伝送端末装置 |
| JPH05190896A (ja) * | 1992-01-17 | 1993-07-30 | Rohm Co Ltd | Ｌｅｄアレイ及びその製造方法 |
| CN101395727A (zh) * | 2006-03-01 | 2009-03-25 | 罗姆股份有限公司 | 发光元件和该发光元件的制造方法 |
| CN101409231A (zh) * | 2007-05-18 | 2009-04-15 | 索尼株式会社 | 半导体层生长方法、半导体发光元件及制造方法、电子器件 |
| US20090101936A1 (en) * | 2006-04-27 | 2009-04-23 | Hidenori Kamei | Semiconductor light emitting element and wafer |
| CN101556985A (zh) * | 2003-04-30 | 2009-10-14 | 美商克立股份有限公司 | 具有小型光学元件的高功率发光器封装 |
| CN101621110A (zh) * | 2005-11-25 | 2010-01-06 | 三星电机株式会社 | 侧面发光二极管封装件 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3557011B2 (ja) * | 1995-03-30 | 2004-08-25 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子、及びその製造方法 |
| JP3580631B2 (ja) | 1996-02-29 | 2004-10-27 | 京セラ株式会社 | 単結晶サファイア基板及び単結晶サファイアの分割方法及び単結晶サファイア体 |
| EP1104031B1 (en) * | 1999-11-15 | 2012-04-11 | Panasonic Corporation | Nitride semiconductor laser diode and method of fabricating the same |
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| JP2009021361A (ja) * | 2007-07-11 | 2009-01-29 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 窒化物系半導体発光素子、および窒化物系半導体発光素子を作製する方法 |
| KR100877774B1 (ko) * | 2007-09-10 | 2009-01-16 | 서울옵토디바이스주식회사 | 개선된 구조의 발광다이오드 |
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Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0435197A (ja) * | 1990-05-25 | 1992-02-05 | Mitsubishi Electric Corp | 伝送端末装置 |
| JPH05190896A (ja) * | 1992-01-17 | 1993-07-30 | Rohm Co Ltd | Ｌｅｄアレイ及びその製造方法 |
| CN101556985A (zh) * | 2003-04-30 | 2009-10-14 | 美商克立股份有限公司 | 具有小型光学元件的高功率发光器封装 |
| CN101621110A (zh) * | 2005-11-25 | 2010-01-06 | 三星电机株式会社 | 侧面发光二极管封装件 |
| CN101395727A (zh) * | 2006-03-01 | 2009-03-25 | 罗姆股份有限公司 | 发光元件和该发光元件的制造方法 |
| US20090101936A1 (en) * | 2006-04-27 | 2009-04-23 | Hidenori Kamei | Semiconductor light emitting element and wafer |
| CN101409231A (zh) * | 2007-05-18 | 2009-04-15 | 索尼株式会社 | 半导体层生长方法、半导体发光元件及制造方法、电子器件 |
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