CN102138199B - 狭缝阀门的控制 - Google Patents
狭缝阀门的控制 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102138199B CN102138199B CN2009801346841A CN200980134684A CN102138199B CN 102138199 B CN102138199 B CN 102138199B CN 2009801346841 A CN2009801346841 A CN 2009801346841A CN 200980134684 A CN200980134684 A CN 200980134684A CN 102138199 B CN102138199 B CN 102138199B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- slit valve
- slit
- opening
- chamber
- main body
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 45
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 25
- 230000006835 compression Effects 0.000 claims description 16
- 238000007906 compression Methods 0.000 claims description 16
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 claims description 5
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 23
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 21
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 230000008676 import Effects 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
- F16K—VALVES; TAPS; COCKS; ACTUATING-FLOATS; DEVICES FOR VENTING OR AERATING
- F16K3/00—Gate valves or sliding valves, i.e. cut-off apparatus with closing members having a sliding movement along the seat for opening and closing
- F16K3/02—Gate valves or sliding valves, i.e. cut-off apparatus with closing members having a sliding movement along the seat for opening and closing with flat sealing faces; Packings therefor
- F16K3/16—Gate valves or sliding valves, i.e. cut-off apparatus with closing members having a sliding movement along the seat for opening and closing with flat sealing faces; Packings therefor with special arrangements for separating the sealing faces or for pressing them together
- F16K3/18—Gate valves or sliding valves, i.e. cut-off apparatus with closing members having a sliding movement along the seat for opening and closing with flat sealing faces; Packings therefor with special arrangements for separating the sealing faces or for pressing them together by movement of the closure members
- F16K3/188—Gate valves or sliding valves, i.e. cut-off apparatus with closing members having a sliding movement along the seat for opening and closing with flat sealing faces; Packings therefor with special arrangements for separating the sealing faces or for pressing them together by movement of the closure members by means of hydraulic forces
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
- F16K—VALVES; TAPS; COCKS; ACTUATING-FLOATS; DEVICES FOR VENTING OR AERATING
- F16K51/00—Other details not peculiar to particular types of valves or cut-off apparatus
- F16K51/02—Other details not peculiar to particular types of valves or cut-off apparatus specially adapted for high-vacuum installations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
- H01L21/67772—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving removal of lid, door, cover
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T137/00—Fluid handling
- Y10T137/0318—Processes
- Y10T137/0391—Affecting flow by the addition of material or energy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Details Of Valves (AREA)
- Sliding Valves (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本文所公开的实施例一般涉及利用狭缝阀门以密封处理腔室的方法。所述门一开始由针对所述处理腔室的开口下方的位置上升至升高位置。所述门接着扩大直到所述门上的O形环刚好与密封表面接触为止。接着,所述门再次扩大以使所述O形环压抵所述密封表面。所述门的扩大是通过将气体流入所述门的内部容积而达成。通过控制所述门内所建立的压力,则所述门的扩大速度受到控制,以确保所述门温和地与所述密封表面接触,并且所述门接着压抵所述密封表面。因此,可防止所述门以过大的力量接触所述密封表面,而过大力量的接触会使所述处理腔室摇动,并且所述过大力量的接触会产生可能会污染工艺的不期望微粒。
Description
技术领域
本发明的实施例一般涉及狭缝阀门,以及利用狭缝阀门以密封腔室的方法。
背景技术
在半导体、平板显示器、光伏/太阳能板以及其它基板处理系统中,通常将真空腔室(即,加载锁定、传送腔室、处理腔室)排置为群集式、直列式(in-line)或群集式/直列式的组合,以处理基板。这些系统可以采单一基板或批式基板的方式来处理基板。在处理过程中,基板会于腔室之间传送,而所述腔室内必须维持或建立真空。为了允许进入腔室内部,并能够进行真空操作,通常在腔室壁穿设有形状为狭缝的开口,而用以容纳待处理的基板。
在二真空腔室之间的各界面,可存在有狭缝阀组件。狭缝阀门为可移动地致动,以开启或关闭狭缝阀通道。当开启狭缝阀通道时,允许一或多个基板透过所述狭缝而传送于二真空腔室之间。当狭缝阀门将狭缝阀通道关闭时,基板无法通过狭缝阀通道而于二真空腔室之间传送,且二真空腔室为彼此隔离。举例来说,真空腔室的中的一个真空腔室为处理腔室,而所述处理腔室需与其它腔室(例如其它处理腔室或传送腔室)隔离。
随着用于制造平板显示器的基板尺寸增大,则所述基板的制造设备也会变大。因此,隔离一个真空腔室(或加载锁定腔室)与另一真空腔室的门或闸门也变得较大,或者更具体地说变得较长,因为二腔室之间的狭缝开口必须变得较长,以容纳通过所述狭缝开口的基板的大宽度。
因此,需要一种能够对用于处理大面积基板的腔室进行密封的狭缝阀门。
发明内容
本文所公开的实施例一般涉及利用狭缝阀门以密封处理腔室的方法。门一开始由针对处理腔室的开口下方的位置上升至升高位置。门接着以第一速度而扩大(expand),直到门上的密封构件刚好与密封表面接触为止,所述第一速度约12mm/sec至约18mm/sec。接着,门再次以第二速度扩大,以使密封构件压抵密封表面,所述第二速度约0.5mm/sec至约0.7mm/sec。门的扩大是通过将气体流入门的内部容积而达成。通过控制门内所建立的压力,则门的扩大速度受到控制,以确保门温和地与密封表面接触,并确保门接着快速压抵密封表面。因此,可防止门以过大的力量接触密封表面,而过大力量的接触会使处理腔室摇动,并且所述过大力量的接触会产生可能会污染工艺的不期望微粒。
在一个实施例中,公开一种密封腔室的方法,所述腔室耦接至狭缝阀组件。腔室具有开口,且开口的尺寸允许基板通过所述开口间。所述方法包括:将狭缝阀组件主体内的狭缝阀门由第一位置朝第一方向而垂直致动至第二位置;将狭缝阀门的至少一第一部分朝一方向(实质垂直于上述垂直致动的方向)以第一时间周期(period of time)、第一距离以及第一速度而线性致动;以及接着将狭缝阀门的所述第一部分以第二时间周期、第二距离以及第二速度而线性致动。狭缝阀门具有与所述狭缝阀门耦接的一或多个密封构件。狭缝阀组件主体具有由壁所界定出的内部容积,以及延伸穿过所述狭缝阀组件主体的开口,而所述开口与腔室的开口对准。第二距离小于所述第一距离,第二速度小于第一速度,且第二时间周期约为第一时间周期的四分之一。
在另一实施例中,公开一种密封腔室的方法,所述腔室具有开口,且开口的尺寸允许基板通过所述开口间。所述方法包括:将气体流入狭缝阀门的内部,以使狭缝阀门的内部加压至第一压力。狭缝阀门设置在狭缝阀组件主体中,且所述狭缝阀组件主体与腔室耦接,而狭缝阀组件主体具有穿设所述狭缝阀组件主体中之开口,且所述开口与腔室的开口对准,所述狭缝阀门具有围住内部容积的壁。所述方法更包括:使狭缝阀门扩大,直到耦接至狭缝阀门的一或多个密封构件接触所述壁的内侧表面,且狭缝阀门与所述壁的所述内侧表面相隔第一距离为止。所述方法还包括:将所述气体流入狭缝阀门的内部,以使狭缝阀门的内部加压至第二压力,所述第二压力大于第一压力。所述方法又包括:使一或多个密封构件压缩于狭缝阀门与所述壁的所述内侧表面之间,藉此,狭缝阀门与所述壁的所述内侧表面相隔第二距离,且第二距离小于第一距离。
在另一实施例中,公开一种狭缝阀门组件。所述组件包括:狭缝阀腔室主体,所述狭缝阀腔室主体具有至少一个开口,且所述至少一个开口的尺寸允许基板通过所述至少一个开口间。所述狭缝阀腔室主体具有由壁所界定出的第一内部容积。所述组件还包括:狭缝阀门,所述狭缝阀门设置在狭缝阀腔室主体内,而狭缝阀门为可扩大的(expandable),并具所述狭缝阀门有第二容积。所述组件还包括:一或多个密封构件,所述一或多个密封构件与狭缝阀门耦接;一或多个弹簧,所述一或多个弹簧设置在第二内部容积中;以及一或多个支撑轴杆,所述一或多个支撑轴杆与狭缝阀门耦接。致动器与一或多个轴杆耦接,并且致动器能够使轴杆以及位于狭缝阀腔室主体内的狭缝阀门上升及下降。所述致动器能够使狭缝阀门由第一位置(位于至少一个开口下方)移动至第二位置,所述第二位置位于第一位置上方。所述组件又包括:控制箱,所述控制箱与致动器、狭缝阀门以及狭缝阀腔室主体耦接。
附图说明
以可以详细地理解本发明的上述特征的方式,通过参考实施例,可得到上文简要概述的本发明的更加具体的说明,一些实施例示出于附图中。然而应指出,附图仅仅示出了本发明的典型实施例,并因此不被认为是限制本发明的范围,因为本发明可容许其他等效的实施例。
图1示出耦接至狭缝阀组件的二腔室的概要图式。
图2A示出根据本发明的一个实施例的狭缝阀组件200的等角图。
图2B示出由底部观看图2A的控制箱204的等角图。
图3A示出狭缝阀门组件300的概要剖面视图,在所述狭缝阀门组件300中狭缝阀门306是位于下降位置。
图3B示出图3A的狭缝阀门组件300的概要剖面视图,在所述狭缝阀门组件300中狭缝阀门306是位于升高位置。
图3C示出图3A的狭缝阀门组件300的概要剖面视图,在所述狭缝阀门组件300中狭缝阀门306是位于关闭位置。
图4A示出根据另一实施例的狭缝阀门组件400,在所述狭缝阀门组件400中狭缝阀门402是处于扩大之前的升高位置。
图4B示出图4A的狭缝阀门组件400,在所述狭缝阀门组件400中狭缝阀门402是扩大至关闭位置。
图5示出根据另一实施例的狭缝阀组件500的概要剖面视图。
图6示出关闭狭缝阀门的顺序的图表。
为了便于理解,已经在可能的情况下,使用相同的元件符号指示各图式中共有的相同的元件。可以设想,在一个实施例中所公开的元件也可有利地用于其他实施例,而无需特别指明。
具体实施方式
本文所公开的实施例一般涉及利用狭缝阀门以密封处理腔室的方法。门一开始由针对处理腔室的开口下方的位置上升至升高位置。门接着以第一速度而扩大(expand),直到门上的密封构件刚好与密封表面接触为止,所述第一速度约12mm/sec至约18mm/sec。接着,门再次以第二速度扩大,以使密封构件压抵密封表面,所述第二速度约0.5mm/sec至约0.7mm/sec。门的扩大是通过将气体流入门的内部容积而达成。通过控制门内所建立的压力,则门的扩大速度受到控制,以确保门温和地与密封表面接触,并确保门接着快速压抵密封表面。因此,可防止门以过大的力量接触密封表面,而过大力量的接触会使处理腔室摇动,并且所述过大力量的接触会产生可能会污染工艺的不期望微粒。
本发明的下方描述有关于购自美商业凯科技公司(AKT America,Inc.)的狭缝阀组件以及腔室,美商业凯科技公司(AKT America,Inc.)是加州圣克拉拉的应用材料公司(Applied Materials,Inc.)的子公司。应了解本发明也可使用其它狭缝阀组件及其它腔室,包括由其它制造商所出售的狭缝阀组件及腔室。
图1为耦接至狭缝阀组件的二腔室的概要图式。如图1所示,二腔室102、104的各腔室具有穿设各腔室中的开口108、110,而所述开口108、110是允许基板进入及离开腔室102、104。所述腔室102、104可以通过狭缝阀组件106而耦接在一起,而狭缝阀组件106密封所述腔室102、104,以使腔室102、104彼此为环境隔离(environmentally isolate)。狭缝阀组件106可具有一或多个门112、114,而所述门112、114密封所述开口108、110。
图2A为根据本发明的一个实施例的狭缝阀组件200的等角视图。组件200包括上方主体,所述上方主体具有与腔室接合的密封面212。可设置O形环210以确保良好的真空密封。O形环210围绕主体202中的开口214,而开口214的尺寸允许基板通过开口214中。
组件200由控制箱204所控制。图2B为由图2A的底部所视的控制箱204的等角视图。控制箱204具有多个连接器206、208、218、220,以允许控制箱204耦接至其它部件。
如下文将讨论,狭缝阀门由下降位置(lowered position)上升,并且狭缝阀门接着扩大以压抵组件的密封面214的内侧表面。为了使狭缝阀门上升,将垂直汽缸耦接至狭缝阀门及控制箱204。垂直汽缸可以位于壳盖(cover)216内部。壳盖216将主体202与控制箱204分隔开。在处理过程中,主体202可达到超过150℃的温度,而此种温度会使得控制箱204的电气部件失效。因此,壳盖216提供控制箱204的隔热。为了提供额外的隔热,控制箱204可通过一或多个间隔件222而与壳盖216隔开。在一个实施例中,间隔件222可包括陶瓷。
连接器206可允许氮气气源耦接至组件200。可通过将氮气流入狭缝阀门的内部用于使狭缝阀门扩大。连接器218可耦接至阀,当狭缝阀门开启时,所述阀允许氮气由狭缝阀门逸散,而氮气可被允许离开狭缝阀门,使得狭缝阀门达到大气压力。真空泵可耦接至连接器208,以抽空狭缝阀门的内部,并使扩大的狭缝阀门缩回。洁净干燥空气(clean dry air)可以透过连接器220而提供至致动器。洁净干燥空气可供应至使垂直汽缸移动的致动器。
图3A为狭缝阀门组件300的概要剖面视图,在所述狭缝阀门组件300中狭缝阀门306位于下降位置。图3B为图3A的狭缝阀门组件300的概要剖面视图,在所述狭缝阀门组件300中狭缝阀门306位于升高位置。图3C为图3A的狭缝阀门组件300的概要剖面视图,在所述狭缝阀门组件300中狭缝阀门306位于关闭位置。狭缝阀门306设置在组件主体302中。主体302具有穿设主体302中的二开口304A、304B,所述开口304A、304B允许将基板由一腔室传递至另一腔室。
应了解到图中所示及所描述的狭缝阀门306由下降位置移动至升高位置,然可预期所述狭缝阀门可用于狭缝阀门由狭缝阀开口上方的升高位置而致动至下降位置,所述下降位置在狭缝阀开口前方。
狭缝阀门306通过垂直轴杆308而由下降位置上升至升高位置。垂直轴杆308由控制箱310所控制,而垂直轴杆308设置在壳盖312内。当垂直轴杆308往上移动时,狭缝阀门306跟着往上移动。另外,当垂直轴杆308往上移动时,壳盖312则压缩。
一旦位于升高位置,气体则可导入狭缝阀门306的内部容积332内。在一个实施例中,气体可包括氮气。可将足够的气体导入狭缝阀门306的内部容积332中,以使狭缝阀门306扩大,藉此,O形环314、316刚好与主体302的内侧表面318、320接触。狭缝阀门306扩大以允许狭缝阀门306的第一侧328朝向主体302的内侧表面318移动。狭缝阀门306的扩大还使得狭缝阀门306的第二侧330朝向主体302的内侧表面320(内侧表面318的相对侧)移动。
当狭缝阀门306的第二侧330移动时,控制箱310与垂直轴杆308也随着第二侧330而横向移动。然而,壳盖312则在连接点322A-D枢转。在一个实施例中,于横向移动的过程中,垂直轴杆308与控制箱310可横向移位,而并未发生垂直移位,或是仅稍微垂直移位。
可设置有一或多个侦测器324以侦测O形环314、316最初接触内侧表面318、320的时间。侦测器324可将讯号传送至控制箱310,而控制箱310不但可控制轴杆308的垂直移动,还可控制进入狭缝阀门306内的气体的流动。可以基于来自侦测器324的反馈而控制气体的流动。之后,可以改变进入狭缝阀门306内部的气体的流动速率,以使O形环314、316压抵内侧表面318、320,并提供真空密封。
因此,为了关闭狭缝阀门306,会进行两个步骤的过程。在第一步骤中,气体以第一流动速率而导引进入狭缝阀门306的内部容积332中,以允许狭缝阀门306扩大第一距离,藉此,狭缝阀门306的O形环314、316首先与狭缝阀门主体302的内侧表面318、320接触。接着,气体以第二流动速率而导引进入狭缝阀门306的内部容积332中,以使狭缝阀门306内的压力升高,因而使O形环314、316压抵主体302的内侧表面318、320,藉以提供有效密封。上述的压抵作动包括使狭缝阀门306扩大第二距离,而第二距离小于第一距离。
通过扩大狭缝阀门306直到O形环314、316刚好接触主体302的内侧表面318、320为止,则可防止狭缝阀门306以过大的力量接触主体302的内侧表面318、320。若狭缝阀门306以过大的力量扩大并且狭缝阀门306以过大的力量接触主体302的内侧表面318、320,则狭缝阀组件300以及与狭缝阀组件300耦接的任何腔室可能会摇动,并可能产生微粒而污染腔室中的基板,或是所产生的微粒会通过狭缝阀组件300。
在一个实施例中,第一步骤进行约1秒至约2秒,并且第一步骤使狭缝阀门306扩大约15mm至约20mm。在另一实施例中,第二步骤进行约1秒至约2秒,并且第二步骤使狭缝阀门306扩大约1mm至约1.25mm。
为了开启狭缝阀门306,狭缝阀门306的内部容积332则通气(vent)至大气。然而,狭缝阀门306并未完全缩回。因此,可通过真空泵而对狭缝阀门306的内部容积332进行抽空(evacuate),所述真空泵耦接至狭缝阀门306。通过在狭缝阀门306的内部容积332中抽吸真空,则狭缝阀门306可缩回至狭缝阀门306之原始位置。一旦完全缩回,狭缝阀门306可接着下降。
在一个实施例中,于狭缝阀门306已上升之后,狭缝阀门306、垂直轴杆308及控制箱310可以横向移位。横向移位仅会伴随有狭缝阀门306些微或无扩大,藉此,O形环314刚好接触主体302的内侧表面320。之后,可通过将气体导入狭缝阀门306的内部容积332而使狭缝阀门306扩大,藉此,O形环316刚好接触主体302的内侧表面318。接着,将更多气体导入狭缝阀门306的内部容积332中,以使O形环314、316压抵主体302的内侧表面318、320。为了开启狭缝阀门,则内部容积332通气至大气并且内部容积332接着抽空。之后,狭缝阀门306下降。
在另一实施例中,狭缝阀门306可在上升之前处于真空。当狭缝阀门306处于下降位置时,狭缝阀门306可具有抽空的内部容积322。接着,当狭缝阀门上升,狭缝阀门306的内部容积332可通气至大气一段时间,而所述时间足以允许O形环314、316接触狭缝阀组件主体302的内侧表面318、320。接着,狭缝阀门306的内部容积332可通气至大气,以允许O形环314、316压抵狭缝阀门组件300的内侧,因而提供真空密封。狭缝阀门306可基于压缩构件(例如弹簧)而扩大,而所述压缩构件是允许由压缩位置扩大至扩大位置,藉以将狭缝阀门306推出或扩大。为了开启狭缝阀门306,狭缝阀门306的内部容积332可被抽空及/或压缩构件可被压缩。
图4A示出根据本发明的另一实施例的狭缝阀门组件400,而狭缝阀门402处于扩大之前的升高位置。图4B示出图4A的狭缝阀门组件400,在所述狭缝阀门组件400中狭缝阀门402是扩大至关闭位置。为了协助狭缝阀门402的扩大,可在狭缝阀门402内的容积406中放置一或多个弹簧404。可将气体导入容积406中以压缩弹簧404,并使O形环压抵狭缝阀门主体内侧的密封表面。容积406可耦接至真空泵,以对容积406进行抽空,并允许弹簧404扩大回至弹簧404之正常位置。应了解虽然图中示出弹簧404并描述,但也可以使用能够抵抗压缩的其它物件。
应了解到图中所示及所描述的狭缝阀门402由下降位置移动至升高位置,然可预期所述狭缝阀门可用于狭缝阀门由狭缝阀开口上方的升高位置而致动至下降位置,所述下降位置在狭缝阀开口前方。
图5为根据本发明的另一实施例的狭缝阀门500的概要剖面视图。狭缝阀门500包括二门表面502、504,以及二O形环506、508,而当狭缝阀门500扩大时,O形环506、508将会关闭狭缝阀门500中的开口并且O形环506、508将会密封腔室。狭缝阀门500的内部容积510可填充有处理气体以使狭缝阀门500扩大。可设置风箱518以密封所述容积510,并允许容积510中的压力增加。容积可以透过数个阀512、514、516(视需要而开启或关闭)而耦接至大气、气体源以及真空。
另可设置额外风箱520。风箱520可耦接至狭缝阀门500的一侧或两侧。在一个实施例中,风箱520耦接至接触件(contact)522。风箱520与接触件522在狭缝阀门收缩时作为减震器(shock absorber),以防止狭缝阀门500摇动并且狭缝阀门500产生可能污染基板的微粒。在狭缝阀门500收缩的过程中,接触件522温和地接触狭缝阀门的内侧表面,接着,风箱520随着狭缝阀门500的压缩而温和地压缩。应了解到虽然上文描述针对风箱520,但也可使用其它抗压缩元件,例如弹簧。
当关闭狭缝阀门500时,可将气体导入内部容积510中以增加容积510内的压力。气体可采一顺序导入,以确保狭缝阀门500在关闭时不会产生微粒。图6为示出根据本发明的实施例而关闭狭缝阀门的顺序的图表。在狭缝阀门500关闭的过程中,阀512、516开启至大气,且关闭真空。在第一时间周期(time period),狭缝阀门500上升。在图6中,以1秒为例而作为狭缝阀门500上升的时间周期。接着,狭缝阀门500扩大,而在扩大的第一步骤中,狭缝阀门500可扩大直到O形环506、508接触狭缝阀门主体的壁。
在图6中,第一扩大示出为线A,所述第一扩大使狭缝阀门500扩大约18mm。第一扩大通过开启阀524而允许气体以高速(利用控制器以控制气流)进入内部容积510。在实例1中,扩大是进行约0.1秒,在实例2中,扩大进行约0.5秒。之后,O形环506、508压抵(压缩抵靠)狭缝阀门主体。上述的压缩作动通过关闭阀524并开启阀526而使内部容积510中的压力增加。气体接着流入内部容积以缓慢加压内部容积510至较高压力。在实例1中,O形环506、508的压缩进行约1.9秒。在实例2中,O形环的压缩进行约1.5秒。在实例1或实例2中,压缩步骤的时间长于初始扩大步骤的时间。另外,压缩步骤的持续时间长于狭缝阀门500上升的时间。应了解在实例1及实例2中所使用的时间周期仅作为范例,而非用于限制本发明。也可使用技术人员所判定的其它时间周期。举例来说,时间周期可以为较长,但是基板的生产量必须做一折衷。压缩时间与初始扩大时间的比率可以为约3∶1至约19∶1。
通过两个步骤的过程来扩大狭缝阀门,则可降低狭缝阀组件或与所述狭缝阀组件耦接的腔室的摇动。两个步骤的过程可允许腔室的密封不会产生微粒,因而污染处理中的基板或是稍后进行处理的基板。
虽然上文针对本发明的实施例,但也可设计本发明的其他和进一步的实施例而不偏离本发明的基本范围,本发明的范围由后附权利要求书所决定。
Claims (13)
1.一种密封腔室的方法,所述腔室耦接至狭缝阀组件,且所述腔室具有开口,所述开口的尺寸是允许基板通过所述开口间,所述方法包括:
将狭缝阀组件主体内的狭缝阀门由第一位置朝第一方向而致动至第二位置,所述狭缝阀门具有与所述狭缝阀门耦接的一或多个第一O形环,所述狭缝阀组件主体具有由壁所界定出的内部容积,所述狭缝阀组件主体具有延伸穿过所述狭缝阀组件主体的开口,且所述开口是与所述腔室的所述开口对准;
将所述狭缝阀门的至少一第一部分朝第二方向以第一时间周期、第一距离以及第一速度致动,其中所述第二方向实质垂直于所述第一方向,所述第一速度介于12mm/sec至18mm/sec;
侦测所述一或多个第一O形环接触所述壁的内侧表面的时间;以及
响应所述侦测步骤而将所述狭缝阀门的所述第一部分朝所述第二方向以第二时间周期、第二距离以及第二速度致动,并使所述第二距离小于所述第一距离,所述第二速度为0.5mm/sec至0.7mm/sec,且所述第二时间周期小于所述第一时间周期。
2.如权利要求1所述的方法,更包括在朝所述第二方向致动的过程中,增加所述狭缝阀门的所述内部容积。
3.如权利要求1所述的方法,更包括侦测所述一或多个第一O形环最初与所述壁的内侧表面接触的时间,且其中在所述第二时间周期的过程中,所述一或多个第一O形环压抵所述壁的内侧表面。
4.如权利要求1所述的方法,其中所述朝所述第二方向致动的步骤更包括使气体流入所述狭缝阀门的内部中,并使所述狭缝阀门扩大。
5.如权利要求1所述的方法,其中所述朝所述第二方向致动的步骤更包括使所述狭缝阀门的第一部分朝所述第二方向延伸,并同时使所述狭缝阀门的第二部分朝第三方向移动一距离,其中所述第三方向与所述第二方向为反向,所述距离实质等于所述第一距离。
6.如权利要求5所述的方法,其中所述狭缝阀门耦接至支撑轴杆以及控制面板,其中随着所述第二部分朝所述第三方向移动,所述支撑轴杆以及所述控制面板一同朝所述第三方向移动。
7.如权利要求5所述的方法,更包括:
以所述第二部分接触所述壁的内侧表面,其中所述第二部分是耦接至一或多个第二O形环,并且所述方法更包括侦测所述一或多个第二O形环接触所述内侧表面的时间;以及
在朝所述第二方向致动的过程中,使所述一或多个第二O形环压抵所述内侧表面。
8.如权利要求1所述的方法,更包括:
在朝所述第二方向致动的同时,压缩所述狭缝阀门内的一或多个弹簧;以及
使气体流入所述狭缝阀门的内部容积中。
9.一种密封腔室的方法,所述腔室具有开口,且所述开口的尺寸是允许基板通过所述开口间,所述方法包括:
将气体流入狭缝阀门的内部,以使所述狭缝阀门的所述内部加压至第一压力,所述狭缝阀门设置在狭缝阀组件主体中,且所述狭缝阀组件主体是与所述腔室耦接,所述狭缝阀组件主体具有穿设所述狭缝阀组件主体中的开口,且所述开口是与所述腔室的所述开口对准,所述狭缝阀门具有围住内部容积的壁;
使所述狭缝阀门扩大,直到耦接至所述狭缝阀门的一或多个第一O形环接触所述壁的内侧表面,且所述狭缝阀门与所述壁的所述内侧表面相隔第一距离为止,所述扩大以介于12mm/sec至18mm/sec的第一速度进行;
将所述气体流入所述狭缝阀门的所述内部,以使所述狭缝阀门的所述内部加压至第二压力;以及
使所述一或多个第一O形环压缩于所述狭缝阀门与所述壁的所述内侧表面之间,藉此,所述狭缝阀门与所述壁的所述内侧表面相隔第二距离,且所述第二距离小于所述第一距离,所述压缩以介于0.5mm/sec至0.7mm/sec的第二速度进行。
10.如权利要求9所述的方法,更包括:
侦测所述一或多个第一O形环接触所述壁的所述内侧表面的时间;以及
响应所述侦测步骤,而控制进入所述狭缝阀门的所述内部的气体流动。
11.如权利要求9所述的方法,更包括使所述狭缝阀门由位于所述开口下方的位置上升。
12.如权利要求9所述的方法,更包括在将所述气体流入所述狭缝阀门的所述内部的同时,压缩所述狭缝阀门内的一或多个弹簧。
13.如权利要求9所述的方法,更包括在将所述气体流入所述狭缝阀门的所述内部的同时,压缩一或多个弹簧,且所述一或多个弹簧设置在所述狭缝阀门内。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US9328808P | 2008-08-29 | 2008-08-29 | |
US61/093,288 | 2008-08-29 | ||
US12/538,237 | 2009-08-10 | ||
US12/538,237 US8297591B2 (en) | 2008-08-29 | 2009-08-10 | Slit valve control |
PCT/US2009/054469 WO2010025081A2 (en) | 2008-08-29 | 2009-08-20 | Slit valve control |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102138199A CN102138199A (zh) | 2011-07-27 |
CN102138199B true CN102138199B (zh) | 2013-11-27 |
Family
ID=41722235
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2009801346841A Active CN102138199B (zh) | 2008-08-29 | 2009-08-20 | 狭缝阀门的控制 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8297591B2 (zh) |
JP (1) | JP5543463B2 (zh) |
KR (1) | KR101364010B1 (zh) |
CN (1) | CN102138199B (zh) |
TW (1) | TWI435016B (zh) |
WO (1) | WO2010025081A2 (zh) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20120042828A1 (en) * | 2010-08-17 | 2012-02-23 | Primestar Solar, Inc. | Slit valve for vacuum chamber module |
JP5044725B1 (ja) * | 2012-04-27 | 2012-10-10 | 株式会社ブイテックス | シール材のつぶし量が制御可能なゲートバルブ |
TWI484531B (zh) * | 2012-05-31 | 2015-05-11 | Archers Inc | 閥門總成以及閥門 |
EP2876341B1 (de) * | 2013-11-21 | 2015-10-21 | VAT Holding AG | Verfahren zum Betrieb eines Ventils |
USD796562S1 (en) | 2016-04-11 | 2017-09-05 | Applied Materials, Inc. | Plasma outlet liner |
KR101840940B1 (ko) | 2016-09-12 | 2018-03-21 | 에스케이실트론 주식회사 | 고온 상압 기상성장장치에 마련되는 챔버 간의 개폐 장치 |
US10224224B2 (en) * | 2017-03-10 | 2019-03-05 | Micromaterials, LLC | High pressure wafer processing systems and related methods |
JP6405067B1 (ja) * | 2018-04-13 | 2018-10-17 | 株式会社ブイテックス | ゲートバルブの制御方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1788175A (zh) * | 2003-05-13 | 2006-06-14 | 应用材料股份有限公司 | 密封-处理室-开口的方法与装置 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4747577A (en) * | 1986-07-23 | 1988-05-31 | The Boc Group, Inc. | Gate valve with magnetic closure for use with vacuum equipment |
CH675286A5 (zh) * | 1988-02-04 | 1990-09-14 | Sulzer Ag | |
US5975492A (en) * | 1997-07-14 | 1999-11-02 | Brenes; Arthur | Bellows driver slot valve |
JPH11182699A (ja) * | 1997-12-22 | 1999-07-06 | Toshiba Corp | ゲートバルブ |
US6079693A (en) * | 1998-05-20 | 2000-06-27 | Applied Komatsu Technology, Inc. | Isolation valves |
US6347918B1 (en) * | 1999-01-27 | 2002-02-19 | Applied Materials, Inc. | Inflatable slit/gate valve |
JP4092028B2 (ja) * | 1999-02-08 | 2008-05-28 | 新明和工業株式会社 | 真空ゲート弁 |
JP2001021048A (ja) * | 1999-06-29 | 2001-01-26 | Varian Inc | ランプアクチュエータ機構を有するゲートバルブ |
JP3425938B2 (ja) * | 2000-12-14 | 2003-07-14 | 入江工研株式会社 | ゲート弁 |
US6854708B2 (en) * | 2002-07-22 | 2005-02-15 | Mdc Vacuum Products Corporation | High-vacuum valve with retractable valve plate to eliminate abrasion |
US7841582B2 (en) * | 2004-06-02 | 2010-11-30 | Applied Materials, Inc. | Variable seal pressure slit valve doors for semiconductor manufacturing equipment |
US7422653B2 (en) * | 2004-07-13 | 2008-09-09 | Applied Materials, Inc. | Single-sided inflatable vertical slit valve |
US7494107B2 (en) * | 2005-03-30 | 2009-02-24 | Supercritical Systems, Inc. | Gate valve for plus-atmospheric pressure semiconductor process vessels |
US7469715B2 (en) * | 2005-07-01 | 2008-12-30 | Applied Materials, Inc. | Chamber isolation valve RF grounding |
-
2009
- 2009-08-10 US US12/538,237 patent/US8297591B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2009-08-20 WO PCT/US2009/054469 patent/WO2010025081A2/en active Application Filing
- 2009-08-20 CN CN2009801346841A patent/CN102138199B/zh active Active
- 2009-08-20 KR KR1020117007242A patent/KR101364010B1/ko active IP Right Grant
- 2009-08-20 JP JP2011525103A patent/JP5543463B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2009-08-28 TW TW98129085A patent/TWI435016B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1788175A (zh) * | 2003-05-13 | 2006-06-14 | 应用材料股份有限公司 | 密封-处理室-开口的方法与装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8297591B2 (en) | 2012-10-30 |
JP2012501421A (ja) | 2012-01-19 |
KR101364010B1 (ko) | 2014-02-17 |
WO2010025081A3 (en) | 2010-05-06 |
TWI435016B (zh) | 2014-04-21 |
KR20110063794A (ko) | 2011-06-14 |
US20100051111A1 (en) | 2010-03-04 |
CN102138199A (zh) | 2011-07-27 |
TW201026981A (en) | 2010-07-16 |
WO2010025081A2 (en) | 2010-03-04 |
JP5543463B2 (ja) | 2014-07-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN102138199B (zh) | 狭缝阀门的控制 | |
KR102302238B1 (ko) | 전자 디바이스 제조 로드 포트 장치, 시스템들, 및 방법들 | |
US20080210307A1 (en) | Control of slit valve door seal pressure | |
US6612546B2 (en) | Gate valve with delayed retraction of counter plate | |
KR200491849Y1 (ko) | 슬릿 밸브 도어들을 구비한 로드 락 챔버 | |
US9752703B2 (en) | Methods and apparatus to reduce shock in a slit valve door | |
US20060011140A1 (en) | Single-sided inflatable vertical slit valve | |
KR20050121750A (ko) | 처리 챔버의 개구를 밀봉하기 위한 방법 및 장치 | |
WO2003107396B1 (en) | SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND RELATED SYSTEMS AND METHODS | |
JP2012501421A5 (zh) | ||
WO2000017555A1 (en) | Two speed air cylinder for slit valve motion control | |
JP2005016715A (ja) | コントロールボックス | |
US12106987B2 (en) | Safeguarding device, wafer transport container with at least one safeguarding device, safeguarding system and method with the safeguarding device | |
CN216643087U (zh) | 一种真空压力隔离阀 | |
KR20060024206A (ko) | 로드록 챔버 및 이를 이용한 반도체 제조 장치 | |
JP2010014289A (ja) | 高温ガス圧処理装置及び高温ガス圧処理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C53 | Correction of patent for invention or patent application | ||
CB02 | Change of applicant information |
Address after: American California Applicant after: Applied Materials Inc. Address before: American California Applicant before: Applied Materials Inc. |
|
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant |