CN102136259A - 产生液晶显示器的削角电压的削角电路及其方法 - Google Patents

Abstract

一种产生液晶显示器的削角电压的削角电路及其方法；包含一位准调整器、一相位调整器、一相位比较器及一削角器。该位准调整器是用以调整一输入电压的准位，以产生一第一电压；该相位调整器是耦接于该位准调整器，用以根据一相位调整信号，调整该第一电压的相位，以产生一第二电压；该相位比较器是耦接于该位准调整器与该相位调整器，用以比较该第一电压与该第二电压，以产生一比较结果；该削角器是耦接于该位准调整器、该相位调整器与该相位比较器，用以根据该第一电压、该第二电压与该比较结果，输出一削角电压。

Description

产生液晶显示器的削角电压的削角电路及其方法

技术领域

本发明是有关于一种产生液晶显示器的削角电压的削角电路及其方法，尤指一种可在任意时间点产生液晶显示器的削角电压的削角电路及其方法。

背景技术

请参照图1，图1为先前技术说明应用在GIP(gate in panel)面板的削角电路100的示意图。如图1所示，削角电路100包含一位准调整器102与一削角单元104，其中削角电路100可内建在一电源IC内部。位准调整器102调整一输入电压LS_I的准位，以产生一第一电压LS。削角单元104是耦接于位准调整器102，用以接收第一电压LS，并根据第一电压LS产生一削角电压LS_O，其中削角电压LS_O即为GIP面板所使用的薄膜晶体管的栅极电压。请参照图2，图2为说明输入电压LS_I、第一电压LS及削角电压LS_O的波形的示意图，其中输入电压LS_I的准位是从0至高电压VDD。如图2所示，削角电压LS_O的放电时间是由一外接电容C决定，且一般说来，削角电压LS_O是削到电压VDDA。而削角电压LS_O的放电斜率是由一外接电阻R决定，其中VEEG为栅极低电压以及VGH为栅极高电压。因此，先前技术是对薄膜晶体管的栅极电压作削角，减轻GIP面板的闪烁现象及改善面板均匀度，以提高画面质量。但先前技术的缺点是在第一电压LS的负缘才会开始做削角的动作，无法在第一电压LS的任意时间点做削角(例如在第一电压LS正缘做削角)。

发明内容

本发明的一实施例提供一种产生液晶显示器的削角电压的削角电路。该削角电路包含一位准调整器、一相位调整器、一相位比较器及一削角器。该位准调整器是用以调整一输入电压的准位，以产生一第一电压；该相位调整器是耦接于该位准调整器，用以接收该第一电压，并根据一相位调整信号，调整该第一电压的相位，以产生一第二电压；该相位比较器是耦接于该位准调整器与该相位调整器，用以接收该第一电压与该第二电压，其中该相位比较器是用以比较该第一电压与该第二电压，以产生一比较结果；该削角器是耦接于该位准调整器、该相位调整器与该相位比较器，用以根据该第一电压、该第二电压与该比较结果，输出该削角电压。

本发明的另一实施例提供一种产生液晶显示器的削角电压的方法。该方法包含调整一输入电压的准位，以产生一第一电压；根据一相位调整信号，调整该第一电压的相位，以产生一第二电压；比较该第一电压与该第二电压，以产生一比较结果；根据该第一电压、该第二电压与该比较结果，输出该削角电压。

本发明提供一种产生液晶显示器的削角电压的削角电路及其方法。该削角电路及其方法是利用一位准调整器调整一输入电压的准位，以产生一第一电压，利用一相位调整器调整该输入电压的相位，以产生一第二电压，再利用一相位比较器比较该第一电压的相位与该第二电压的相位，以产生一比较结果。一削角器的第一削角单元与第二削角单元即可根据该第一电压、该第二电压与该比较结果，输出一削角电压。因此，本发明可在任意时间点上产生削角的动作，并可减轻一GIP面板的闪烁现象及改善该GIP面板均匀度，以提高画面质量。

附图说明

图1为先前技术说明应用在GIP面板的削角电路系统的示意图。

图2为说明输入电压、第一电压及削角电压的波形的示意图。

图3为本发明的一实施例说明一种产生液晶显示器的削角电压的削角电路的示意图。

图4为说明削角器的示意图。

图5A为说明当第一电压的相位落后第二电压时，削角电路产生的削角电压的示意图。

图5B及图5C为分段说明当第一电压的相位落后第二电压时，第一削角单元的动作的示意图。

图6A为说明当第一电压的相位领先第二电压时，削角电路产生的削角电压的示意图。

图6B及图6C为分段说明当第一电压的相位领先第二电压时，第二削角单元的动作的示意图。

图7为本发明的另一实施例说明一种产生液晶显示器的削角电压的方法的流程图。

具体实施方式

请参照图3，图3为本发明的一实施例说明一种产生液晶显示器的削角电压的削角电路300的示意图。削角电路300包含一位准调整器302、一相位调整器304、一相位比较器306及一削角器308。位准调整器302是用以调整一输入电压LS_I的准位，以产生一第一电压LS；相位调整器304是耦接于位准调整器302，用以接收第一电压LS，并根据一相位调整信号PR_I，调整第一电压LS的相位，以产生一第二电压PS；相位比较器306是耦接于位准调整器302与相位调整器304，用以接收第一电压LS与第二电压PS，其中相位比较器306是用以比较第一电压LS的相位与第二电压PS的相位，以产生一比较结果PC；削角器308是耦接于位准调整器302、相位调整器304与相位比较器306，用以根据第一电压LS、第二电压PS与比较结果PC，输出一削角电压LS_O。

削角器308包含一第一传输栅3082、一第一削角单元3084、一第二削角单元3086、一第二传输栅3088及一第三传输栅3090。第一传输栅3082是耦接于相位调整器304与相位比较器306；第一削角单元3084是耦接于位准调整器302与第一传输栅3082；第二削角单元3086是耦接于位准调整器302与第一传输栅3082；第二传输栅3088是耦接于第一削角单元3084、第二削角单元3086及相位比较器306；第三传输栅3090是耦接于第一削角单元3084、第二削角单元3086及相位比较器306。

请参照图4，图4为说明削角器308的示意图。第一削角单元3084具有一第一端，耦接于位准调整器302，用以接收第一电压LS，一第二端，耦接于第一传输栅3082，一第三端，耦接于位准调整器302，用以接收第一电压LS，一第四端，耦接于第二传输栅3088，一第五端，用以接收一栅极低电压VEEG，及一第六端，耦接于第三传输栅3090。第一削角单元3084包含一第一N型金氧半晶体管30842、一第二N型金氧半晶体管30844、一第一P型金氧半晶体管30846、一第三N型金氧半晶体管30848及一第二P型金氧半晶体管30850。第一N型金氧半晶体管30842具有一第一端，耦接于第一削角单元3084的第一端，一第二端，耦接于第一N型金氧半晶体管30842的第一端，及一第三端；第二N型金氧半晶体管30844具有一第一端，耦接于第一N型金氧半晶体管30842的第三端，一第二端，耦接于第一削角单元3084的第二端，及一第三端，耦接于第一削角单元3084的第六端；第一P型金氧半晶体管30846具有一第一端，耦接于第二N型金氧半晶体管30844的第三端，一第二端，耦接于第二N型金氧半晶体管30844的第二端，及一第三端；第三N型金氧半晶体管30848具有一第一端，耦接于第一P型金氧半晶体管30846的第三端，一第二端，耦接于第一削角单元3084的第三端，及一第三端，耦接于第一削角单元3084的第四端；第二P型金氧半晶体管30850具有一第一端，耦接于第二N型金氧半晶体管30844的第三端，一第二端，耦接于第一削角单元3084的第三端，及一第三端，耦接于第一削角单元3084的第五端。

如图4所示，第二削角单元3086具有一第一端，耦接于位准调整器302，用以接收第一电压LS，一第二端，耦接于第三传输栅3090，一第三端，耦接于位准调整器302，用以接收第一电压LS，一第四端，耦接于第一传输栅3082，一第五端，耦接于第二传输栅3088，及一第六端，用以接收栅极低电压VEEG。第二削角单元3086包含一第四N型金氧半晶体管30862、一第三P型金氧半晶体管30864、一第四P型金氧半晶体管30866、一第五N型金氧半晶体管30868及一第五P型金氧半晶体管30870。第四N型金氧半晶体管30862具有一第一端，耦接于第二削角单元3086的第一端，一第二端，耦接于第二削角单元3086的第一端，及一第三端，耦接于第二削角单元3086的第二端；第三P型金氧半晶体管30864具有一第一端，耦接于第四N型金氧半晶体管30862的第三端，一第二端，耦接于第二削角单元3086的第三端，及一第三端；第四P型金氧半晶体管30866具有一第一端，耦接于第四N型金氧半晶体管30862的第三端，一第二端，耦接于第二削角单元3086的第三端，及一第三端；第五N型金氧半晶体管30868具有一第一端，耦接于第三P型金氧半晶体管30864的第三端，一第二端，耦接于第二削角单元3086的第四端，及一第三端，耦接于第二削角单元3086的第五端；第五P型金氧半晶体管30870具有一第一端，耦接于第四P型金氧半晶体管30866的第三端，一第二端，耦接于第二削角单元3086的第四端，及一第三端，耦接于第二削角单元3086的第六端。

如图4所示，第一传输栅3082具有一第一端，耦接于相位调整器304，用以接收第二电压PS，一第二端，耦接于相位比较器306，用以接收比较结果PC，一第三端，耦接于第一削角单元3084的第二端，及一第四端，耦接于第二削角单元3086的第四端，其中第一传输栅3082是用以根据比较结果PC，传送第二电压PS至第一削角单元3084或第二削角单元3086。第一传输栅3082包含一第六N型金氧半晶体管30822及一第六P型金氧半晶体管30824。第六N型金氧半晶体管30822具有一第一端，耦接于第一传输栅3082的第一端，一第二端，耦接于第一传输栅3082的第二端，及一第三端，耦接于第一传输栅3082的第三端；第六P型金氧半晶体管30824具有一第一端，耦接于第一传输栅3082的第一端，一第二端，耦接于第一传输栅3082的第二端，及一第三端，耦接于第一传输栅3082的第四端。

如图4所示，第二传输栅3088具有一第一端，耦接于第一削角单元3084的第四端，一第二端，耦接于一外接电阻R，一第三端，耦接于相位比较器306，用以接收比较结果PC，及一第四端，耦接于该第二削角单元的第五端，其中第二传输栅3088是用以根据比较结果PC，将第一削角单元3084的第六端的电位或第二削角单元3086的第二端的电位透过外接电阻R放电至一电压VDDA。第二传输栅3088包含一第七N型金氧半晶体管30882及一第七P型金氧半晶体管30884。第七N型金氧半晶体管30882具有一第一端，耦接于第二传输栅3088的第一端，一第二端，耦接于第二传输栅3088的第三端，及一第三端，耦接于第二传输栅3088的第二端；第七P型金氧半晶体管30884具有一第一端，耦接于第二传输栅3088的第四端，一第二端，耦接于第二传输栅3088的第三端，及一第三端，耦接于第二传输栅3088的第二端。

如图4所示，第三传输栅3090具有一第一端，耦接于第二削角单元3086的第二端，一第二端，耦接于相位比较器306，用以接收比较结果PC，一第三端，耦接于第一削角单元3084的第六端，及一第四端，用以输出削角电压LS_O，其中第三传输栅3090是用以根据比较结果PC，决定第一削角单元3084的第六端或第二削角单元3086的第二端输出削角电压LS_O。第三传输栅3090包含一第八P型金氧半晶体管30902及一第八N型金氧半晶体管30904。第八P型金氧半晶体管30902具有一第一端，耦接于第三传输栅3090的第一端，一第二端，耦接于第三传输栅3090的第二端，及一第三端，耦接于第三传输栅3090的第四端；第八N型金氧半晶体管30904具有一第一端，耦接于第三传输栅3090的第三端，一第二端，耦接于3090第三传输栅的第二端，及一第三端，耦接于第三传输栅3090的第四端。

请参照图5A、图5B及图5C，图5A为说明当第一电压LS的相位落后第二电压PS时，削角电路300产生的削角电压LS_O的示意图，图5B及图5C为分段说明当第一电压LS的相位落后第二电压PS时，第一削角单元3084的动作的示意图。如图5A所示，当第一电压LS落后第二电压PS时间T1时，比较结果PC为一逻辑高电位，且削角电压LS_O根据第二电压PS的负缘开始放电，并于第一电压LS的负缘结束放电，亦即可藉由时间T1控制削角电压LS_O的放电时间(削角的时间)。因为比较结果PC为逻辑高电位，所以第六N型金氧半晶体管30822、第七N型金氧半晶体管30882及第八N型金氧半晶体管30904开启，因此第一削角单元3084的第二端透过第一传输栅3082接收第二电压PS、第一削角单元3084的第四端透过第二传输栅3088耦接于外接电阻R及第一削角单元3084的第六端透过第三传输栅3090输出削角电压LS_O。另外，削角电压LS_O的放电斜率是由第一削角单元3084的寄生电容与外接电阻R所决定。但因为第一削角单元3084的寄生电容很小，所以可藉由外接电阻R控制削角电压LS_O的放电斜率。另外，在图5C中，栅极高电压VGH以“1”表示以及栅极低电压VEEG以“0”表示。如图4、图5B及第5C图所示，在图5B的I区，第一电压LS为“0”以及第二电压PS为“1”，所以第一N型金氧半晶体管30842关闭、第二N型金氧半晶体管30844开启、第一P型金氧半晶体管30846关闭、第三N型金氧半晶体管30848关闭及第二P型金氧半晶体管30850开启。因为，第二P型金氧半晶体管30850开启，所以削角电压LS_O经由第一削角单元3084的第五端被下拉至“0”。在图5B的II区，第一电压LS为“1”以及第二电压PS为“1”，所以第一N型金氧半晶体管30842开启、第二N型金氧半晶体管30844开启、第一P型金氧半晶体管30846关闭、第三N型金氧半晶体管30848开启及第二P型金氧半晶体管30850关闭。因为，第一N型金氧半晶体管30842开启和第二N型金氧半晶体管30844开启，所以削角电压LS_O经由第一削角单元3084的第一端被上拉至“1”。在图5B的III区，第一电压LS为“1”以及第二电压PS为“0”，所以第一N型金氧半晶体管30842开启、第二N型金氧半晶体管30844关闭、第一P型金氧半晶体管30846开启、第三N型金氧半晶体管30848开启及第二P型金氧半晶体管30850关闭。因为，第一P型金氧半晶体管30846开启及第三N型金氧半晶体管30848开启，所以削角电压LS_O经由第一削角单元3084的第四端透过第二传输栅3088被外接电阻R放电至电压VDDA。在图5B的IV区，第一电压LS为“0”以及第二电压PS为“0”，所以第一N型金氧半晶体管30842关闭、第二N型金氧半晶体管30844关闭、第一P型金氧半晶体管30846开启、第三N型金氧半晶体管30848关闭及第二P型金氧半晶体管30850开启。因为，第二P型金氧半晶体管30850开启，所以削角电压LS_O经由第一削角单元3084的第五端被下拉至“0”。

请参照图6A、图6B及图6C，图6A为说明当第一电压LS的相位领先第二电压PS时，削角电路300产生的削角电压LS_O的示意图，图6B及图6C为分段说明当第一电压LS的相位领先第二电压PS时，第二削角单元3086的动作的示意图。如图6A所示，当第一电压LS领先第二电压PS时间T2时，比较结果PC为一逻辑低电位，且削角电压LS_O根据第一电压LS的负缘开始放电，并于第二电压PS的负缘结束放电，亦即可藉由时间T2控制削角电压LS_O的放电时间(削角的时间)。因为比较结果PC为逻辑低电位，所以第六P型金氧半晶体管30824、第七P型金氧半晶体管30884及第八P型金氧半晶体管30902开启，因此第二削角单元3086的第四端透过第一传输栅3082接收第二电压PS、第二削角单元3086的第五端透过第二传输栅3088耦接于外接电阻R及第二削角单元3086的第二端透过第三传输栅3090输出削角电压LS_O。另外，削角电压LS_O的放电斜率是由第二削角单元3086的寄生电容与外接电阻R所决定。但因为第二削角单元3086的寄生电容很小，所以可藉由外接电阻R控制削角电压LS_O的放电斜率。另外，在图6C中，栅极高电压VGH以“1”表示以及栅极低电压VEEG以“0”表示。如图4、图6B及图6C所示，在图6B的I’区，第一电压LS为“1”以及第二电压PS为“0”，所以第四N型金氧半晶体管30862开启、第三P型金氧半晶体管30864关闭、第四P型金氧半晶体管30866关闭、第五N型金氧半晶体管30868关闭及第五P型金氧半晶体管30870开启。因为，第四N型金氧半晶体管30862开启，所以削角电压LS_O经由第二削角单元3086的第一端被上拉至“1”。在图6B的II’区，第一电压LS为“1”以及第二电压PS为“1”，所以第四N型金氧半晶体管30862开启、第三P型金氧半晶体管30864关闭、第四P型金氧半晶体管30866关闭、第五N型金氧半晶体管30868开启及第五P型金氧半晶体管30870关闭。因为，第四N型金氧半晶体管30862开启，所以削角电压LS_O经由第二削角单元3086的第一端被上拉至“1”。在图6B的III’区，第一电压LS为“0”以及第二电压PS为“1”，所以第四N型金氧半晶体管30862关闭、第三P型金氧半晶体管30864开启、第四P型金氧半晶体管30866开启、第五N型金氧半晶体管30868开启及第五P型金氧半晶体管30870关闭。因为，第三P型金氧半晶体管30864开启及第五N型金氧半晶体管30868开启，所以削角电压LS_O经由第二削角单元3086的第五端透过第二传输栅3088被外接电阻R放电至电压VDDA。在图6B的IV’区，第一电压LS为“0”以及第二电压PS为“0”，所以第四N型金氧半晶体管30862关闭、第三P型金氧半晶体管30864开启、第四P型金氧半晶体管30866开启、第五N型金氧半晶体管30868关闭及第五P型金氧半晶体管30870开启。因为，第四P型金氧半晶体管30866开启及第五P型金氧半晶体管30870开启，所以削角电压LS_O经由第二削角单元3086的第六端被下拉至“0”。

请参照图7，图7为本发明的另一实施例说明一种产生液晶显示器的削角电压的方法的流程图。图7的方法是利用图3的削角电路300说明，详细步骤如下：

步骤700：   开始；

步骤702：   调整输入电压LS_I的准位，以产生第一电压LS；

步骤704：   根据相位调整信号PR_I，调整第一电压LS的相位，以产生第二电压PS；

步骤706：   比较第一电压LS的相位是否领先第二电压PS的相位，并产生比较结果PC；如果是，进行步骤708；如果否，跳至步骤710；

步骤708：   第二削角单元3086根据第一电压LS、第二电压PS与比较结果PC，输出削角电压LS_O；

步骤710：   第一削角单元3084根据第一电压LS、第二电压PS与比较结果PC，输出削角电压LS_O。

在步骤702中，位准调整器302调整输入电压LS_I的准位，以产生第一电压LS。在步骤704中，相位调整器304根据相位调整信号PR_I，调整第一电压LS的相位，以产生第二电压PS。在步骤706中，相位比较器306比较第一电压LS的相位与第二电压PS的相位，以产生比较结果PC。在步骤708中，当第一电压LS的相位领先第二电压PS的相位时，第二削角单元3086根据比较结果PC透过第一传输栅3082接收第二电压PS。然后第二削角单元3086根据第二电压PS、第一电压LS与比较结果PC，输出削角电压LS_O。在步骤710中，当第一电压LS的相位落后第二电压PS的相位时，第一削角单元3084根据比较结果PC透过第一传输栅3082接收第二电压PS。然后第一削角单元3084根据第二电压PS、第一电压LS与比较结果PC，输出削角电压LS_O。

综上所述，本发明所提供的产生液晶显示器的削角电压的削角电路及其方法，是利用位准调整器调整输入电压的准位，以产生第一电压，利用相位调整器调整输入电压的相位，以产生第二电压，再利用相位比较器比较第一电压的相位与第二电压的相位，以产生比较结果。削角器的第一削角单元与第二削角单元即可根据第一电压、第二电压与比较结果，输出削角电压。因此，本发明可在任意时间点上产生削角的动作，并可减轻GIP面板的闪烁现象及改善GIP面板均匀度，以提高画面质量。

以上所述仅为本发明的较佳实施例，凡依本发明申请专利范围所做的均等变化与修饰，皆应属本发明的涵盖范围。

Claims (10)

1.一种产生液晶显示器的削角电压的削角电路，其特征在于，包含：

一位准调整器，用以调整一输入电压的准位，以产生一第一电压；

一相位调整器，耦接于该位准调整器，用以接收该第一电压，并根据一相位调整信号，调整该第一电压的相位，以产生一第二电压；

一相位比较器，耦接于该位准调整器与该相位调整器，用以接收该第一电压与该第二电压，其中该相位比较器是用以比较该第一电压与该第二电压，以产生一比较结果；及

一削角器，耦接于该位准调整器、该相位调整器与该相位比较器，用以根据该第一电压、该第二电压与该比较结果，输出该削角电压。

2.如权利要求1所述的削角电路，其特征在于，该削角器包含：

一第一传输栅，耦接于该相位调整器与该相位比较器；

一第一削角单元，耦接于该位准调整器与该第一传输栅；

一第二削角单元，耦接于该位准调整器与该第一传输栅；

一第二传输栅，耦接于该第一削角单元、该第二削角单元及该相位比较器；及

一第三传输栅，耦接于该第一削角单元、该第二削角单元及该相位比较器。

3.如权利要求2所述的削角电路，其特征在于，该第一削角单元具有一第一端，耦接于该位准调整器，用以接收该第一电压，一第二端，耦接于该第一传输栅，一第三端，耦接于该位准调整器，用以接收该第一电压，一第四端，耦接于该第二传输栅，一第五端，用以接收一栅极低电压，及一第六端，耦接于该第三传输栅，其中该第一削角单元包含：

一第一N型金氧半晶体管，具有一第一端，耦接于该第一削角单元的第一端，一第二端，耦接于该第一端，及一第三端；

一第二N型金氧半晶体管，具有一第一端，耦接于该第一N型金氧半晶体管的第三端，一第二端，耦接于该第一削角单元的第二端，及一第三端，耦接于该第一削角单元的第六端；

一第一P型金氧半晶体管，具有一第一端，耦接于该第二N型金氧半晶体管的第三端，一第二端，耦接于该第二N型金氧半晶体管的第二端，及一第三端；

一第三N型金氧半晶体管，具有一第一端，耦接于该第一P型金氧半晶体管的第三端，一第二端，耦接于该第一削角单元的第三端，及一第三端，耦接于该第一削角单元的第四端；及

一第二P型金氧半晶体管，具有一第一端，耦接于该第二N型金氧半晶体管的第三端，一第二端，耦接于该第一削角单元的第三端，及一第三端，耦接于该第一削角单元的第五端。

4.如权利要求2所述的削角电路，其特征在于，该第二削角单元具有一第一端，耦接于该位准调整器，用以接收该第一电压，一第二端，耦接于该第三传输栅，一第三端，耦接于该位准调整器，用以接收该第一电压，一第四端，耦接于该第一传输栅，一第五端，耦接于该第二传输栅，及一第六端，用以接收该栅极低电压，其中该第二削角单元包含：

一第四N型金氧半晶体管，具有一第一端，耦接于该第二削角单元的第一端，一第二端，耦接于该第一端，及一第三端，耦接于该第二削角单元的第二端；

一第三P型金氧半晶体管，具有一第一端，耦接于该第四N型金氧半晶体管的第三端，一第二端，耦接于该第二削角单元的第三端，及一第三端；

一第四P型金氧半晶体管，具有一第一端，耦接于该第四N型金氧半晶体管的第三端，一第二端，耦接于该第二削角单元的第三端，及一第三端；

一第五N型金氧半晶体管，具有一第一端，耦接于该第三P型金氧半晶体管的第三端，一第二端，耦接于该第二削角单元的第四端，及一第三端，耦接于该第二削角单元的第五端；及

一第五P型金氧半晶体管，具有一第一端，耦接于该第四P型金氧半晶体管的第三端，一第二端，耦接于该第二削角单元的第四端，及一第三端，耦接于该第二削角单元的第六端。

5.如权利要求2所述的削角电路，其特征在于，该第一传输栅具有一第一端，耦接于该相位调整器，用以接收该第二电压，一第二端，耦接于该相位比较器，用以接收该比较结果，一第三端，耦接于该第一削角单元的第二端，及一第四端，耦接于该第二削角单元的第四端，其中该第一传输栅是用以根据该比较结果，传送该第二电压至该第一削角单元或该第二削角单元，该第一传输栅包含：

一第六N型金氧半晶体管，具有一第一端，耦接于该第一传输栅的第一端，一第二端，耦接于该第一传输栅的第二端，及一第三端，耦接于该第一传输栅的第三端；及

一第六P型金氧半晶体管，具有一第一端，耦接于该第一传输栅的第一端，一第二端，耦接于该第一传输栅的第二端，及一第三端，耦接于该第一传输栅的第四端。

6.如权利要求2所述的削角电路，其特征在于，该第二传输栅具有一第一端，耦接于该第一削角单元的第四端，一第二端，耦接于一外接电阻，一第三端，耦接于该相位比较器，用以接收该比较结果，及一第四端，耦接于该第二削角单元的第五端，其中该第二传输栅是用以根据该比较结果，将该第一削角单元的第六端的电位或该第二削角单元的第二端的电位透过该外接电阻放电至一电压，该第二传输栅包含：

一第七N型金氧半晶体管，具有一第一端，耦接于该第二传输栅的第一端，一第二端，耦接于该第二传输栅的第三端，及一第三端，耦接于该第二传输栅的第二端；及

一第七P型金氧半晶体管，具有一第一端，耦接于该第二传输栅的第四端，一第二端，耦接于该第二传输栅的第三端，及一第三端，耦接于该第二传输栅的第二端。

7.如权利要求2所述的削角电路，其特征在于，该第三传输栅具有一第一端，耦接于该第二削角单元的第二端，一第二端，耦接于该相位比较器，用以接收该比较结果，一第三端，耦接于该第一削角单元的第六端，及一第四端，用以输出该削角电压，其中该第三传输栅是用以根据该比较结果，决定该第一削角单元的第六端或该第二削角单元的第二端输出该削角电压，该第三传输栅包含：

一第八P型金氧半晶体管，具有一第一端，耦接于该第三传输栅的第一端，一第二端，耦接于该第三传输栅的第二端，及一第三端，耦接于该第三传输栅的第四端；及

一第八N型金氧半晶体管，具有一第一端，耦接于该第三传输栅的第三端，一第二端，耦接于该第三传输栅的第二端，及一第三端，耦接于该第三传输栅的第四端。

8.一种产生液晶显示器的削角电压的方法，其特征在于，包含：

    调整一输入电压的准位，以产生一第一电压；

根据一相位调整信号，调整该第一电压的相位，以产生一第二电压；

比较该第一电压的相位与该第二电压的相位，以产生一比较结果；及

根据该第一电压、该第二电压与该比较结果，输出该削角电压。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，当该比较结果显示该第一电压的相位落后该第二电压的相位时，一削角器的第一削角单元根据该第一电压、该第二电压与该比较结果，输出该削角电压。

10.如权利要求8所述的方法，其特征在于，当该比较结果显示该第一电压的相位领先该第二电压的相位时，该削角器的第二削角单元根据该第一电压、该第二电压与该比较结果，输出该削角电压。

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