CN102130122B - 锗硅异质结三极管的版图结构 - Google Patents
锗硅异质结三极管的版图结构 Download PDFInfo
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Abstract
本发明公开了一种低成本锗硅异质结三极管的版图结构，该异质结三极管版图以集电极、基极、发射极、基极和集电极为单元进行重复排列，相邻的单元共用集电极。通过这种阵列结构使集电极的串联电阻较原来的阵列结构大大减小，由此提高异质结三极管的射频性能。
Description
技术领域
本发明涉及一种三极管的版图设计，具体涉及一种锗硅异质结三极管的版图结构设计。
背景技术
传统的锗硅异质结三级管制备工艺中，是利用埋层和外延层作为异质结三极管的集电极连接，以降低集电极电阻。其三极管阵列的版图结构设计为集电极-基极-发射极-基极-发射极(中间为基极和发射极的单元重复排列)--集电极的结构来实现的，即仅在一长串版图两端设置集电极，三极管阵列是通过埋层和外延层来实现集电极共接，再由金属层引出。而低成本的异质结三极管结构直接采用埋层作为集电极连接来实现。由于没有使用外延层，所以当采用传统的阵列排列时，会增大集电极的串联电阻，扩大阵列中集电极串联电阻的不均匀性，降低了三级管的射频性能(Ft)。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是基于低成本的锗硅异质结三极管结构，提供了一种三极管的阵列版图结构，它可以降低版图中集电极的串联电阻，并使集电极的串联电阻均匀分布。
为解决上述技术问题，本发明的锗硅异质结三极管的版图结构的技术解决方案为：该锗硅异质结三极管版图以集电极、基极、发射极、基极和集电极为单元进行重复排列。
本发明的版图结构中，将集电极-基极-发射极-基极-集电极为一个单元重复排列，使集电极的串联电阻减小并均匀分布，由此提高异质结三极管的射频性能。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：
图1是本发明的版图结构示意图；
图2是采用本发明的版图结构制备的三极管单体的剖面图；
图3是现有的三极管阵列的等效电路图；
图4是采用本发明的版图结构制备的三极管阵列的等效电路图。
具体实施方式
如图1所示，为本发明的锗硅异质结三极管的版图结构，以集电极、基极、发射极、基极和集电极为单元进行重复排列。版图结构中相邻的单元可设为共用集电极。本发明的版图结构可用于仅以埋层作为集电极连接的锗硅异质结三极管制备中。图2为采用这种版图结构所制备的锗硅异质结三极管的单体剖面图，其中集电极10通过打在集电区2埋层1上的通孔51引出来实现，图中1为埋层，2为集电区；3为由外延锗硅构成的基区，由通孔5和金属6引出形成基极20；4为由多晶硅构成的发射区，由通孔5和金属6引出形成发射极30。所有的发射极共接，所有的基极共接，所有的极电极共接，共接可通过后道的金属化工艺完成。
采用本发明的版图结构制备的锗硅异质三极管阵列结构，等效的电路图如图4所示，每个三级管的集电极均相当于串联了R阻值的电阻。而采用原有的版图结构制备的低成本锗硅异质结三极管的阵列结构的等效电路中(见图3)，所有的三极管集电极端的串联电阻并不相同，两边为相当于R阻值的电阻，向里依次增大，到中间阻值最大，为R*(n/2)阻值。因此，本发明的版图结构设计，插入多个集电极引出端降低了集电极的串联电阻，并使之均匀分布，由此提高了低成本锗硅异质结三极管的射频性能。
Claims (1)
1.一种锗硅异质结三极管的版图结构，其特征在于：所述锗硅异质结三极管版图以集电极、基极、发射极、基极和集电极为单元进行重复排列；所述相邻的单元共用集电极；所述版图结构用于以埋层作为集电极连接的锗硅异质结三极管制备中；所述版图结构中的所有发射极共接，所有基极共接，所有集电极共接。
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| CN102130122A CN102130122A (zh) | 2011-07-20 |
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| US4943343A (en) * | 1989-08-14 | 1990-07-24 | Zaher Bardai | Self-aligned gate process for fabricating field emitter arrays |
| CN1294414A (zh) * | 1999-10-21 | 2001-05-09 | 松下电器产业株式会社 | 横型异质结双极三极管及其制造方法 |
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2010
- 2010-01-20 CN CN2010100273316A patent/CN102130122B/zh active Active
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