CN102127759B - 一种石墨基体表面上化学镀钴的方法 - Google Patents
一种石墨基体表面上化学镀钴的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102127759B CN102127759B CN 201110073830 CN201110073830A CN102127759B CN 102127759 B CN102127759 B CN 102127759B CN 201110073830 CN201110073830 CN 201110073830 CN 201110073830 A CN201110073830 A CN 201110073830A CN 102127759 B CN102127759 B CN 102127759B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- graphite matrix
- solution
- neutral
- deionized water
- activation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 84
- 239000010439 graphite Substances 0.000 title claims abstract description 84
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 84
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 title claims abstract description 81
- 238000007747 plating Methods 0.000 title claims abstract description 40
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 32
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 title claims abstract description 32
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims abstract description 42
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 41
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 claims abstract description 33
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims abstract description 32
- 230000001235 sensitizing effect Effects 0.000 claims abstract description 14
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims abstract description 7
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims abstract description 6
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 5
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M sodium hydroxide Inorganic materials [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 25
- 230000004913 activation Effects 0.000 claims description 23
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 19
- 206010070834 Sensitisation Diseases 0.000 claims description 17
- 230000008313 sensitization Effects 0.000 claims description 17
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 10
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 8
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 claims description 5
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 claims description 5
- GVPFVAHMJGGAJG-UHFFFAOYSA-L cobalt dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Co+2] GVPFVAHMJGGAJG-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 5
- 239000001488 sodium phosphate Substances 0.000 claims description 5
- 229910000162 sodium phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 5
- RYFMWSXOAZQYPI-UHFFFAOYSA-K trisodium phosphate Chemical compound [Na+].[Na+].[Na+].[O-]P([O-])([O-])=O RYFMWSXOAZQYPI-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 5
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 claims description 4
- 239000001509 sodium citrate Substances 0.000 claims description 4
- HRXKRNGNAMMEHJ-UHFFFAOYSA-K trisodium citrate Chemical compound [Na+].[Na+].[Na+].[O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O HRXKRNGNAMMEHJ-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 4
- 229940038773 trisodium citrate Drugs 0.000 claims description 4
- -1 5~10mL/L Substances 0.000 claims description 2
- 229910021626 Tin(II) chloride Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims description 2
- PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L palladium(II) chloride Chemical compound Cl[Pd]Cl PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- 235000011150 stannous chloride Nutrition 0.000 claims description 2
- AXZWODMDQAVCJE-UHFFFAOYSA-L tin(II) chloride (anhydrous) Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Sn+2] AXZWODMDQAVCJE-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 abstract 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 35
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 5
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 4
- 239000002585 base Substances 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 3
- ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N Phosphorous acid Chemical compound OP(O)=O ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000003760 magnetic stirring Methods 0.000 description 2
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 206010024769 Local reaction Diseases 0.000 description 1
- 101150003085 Pdcl gene Proteins 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005844 autocatalytic reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000002484 cyclic voltammetry Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 1
- 238000009996 mechanical pre-treatment Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 description 1
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Chemically Coating (AREA)
Abstract
本发明公开了一种石墨基体表面上化学镀钴的方法:石墨基体依次用碱液除油、酸液粗化、敏化液敏化、活化液活化、还原液还原处理后,得到预处理的石墨基体;将预处理的石墨基体浸入80~90℃的化学镀钴液中,静置反应15~120s,取出后用去离子水清洗至中性,得到表面化学镀钴的石墨基体。本发明所用设备简单、操作方便、生产效率高,钴粒子的颗粒大小可以简单的通过控制化学镀时间控制,而且原料易得,适于工业化生产。
Description
(一)技术领域
本发明涉及一种化学镀的工艺方法,尤其是一种在石墨基体上化学镀钴的工艺方法。
(二)背景技术
直接甲醇燃料电池备受关注的背后,仍然存在一系列无法完全解决的问题。其催化剂价格昂贵,催化效果不够理想为扼制其发展的主要原因之一。实验证明Co的添加在一定程度上有效的降低其催化剂价格并能获得更好的催化性能。化学镀具有操作简单,容易控制等优点。镀层厚度非常均匀,镀液的分散力可接近100%,尤其适合复杂形状基材。可使得电极表面催化剂分布均匀,不存在局部反应剧烈而导致的局部过热现象。此外,化学镀可通过一定的前处理后在金属及非金属材料上施镀。化学镀依靠基材自催化活性起镀,使得镀层与基材具有很好的结合力,得到的电极其催化剂与基材结合力好,不易脱落。
(三)发明内容
本发明提供一种在石墨基体表面上化学镀钴的方法。
本发明采用如下的工艺方案:
一种石墨基体表面上化学镀钴的方法,所述方法为:石墨基体依次用碱液除油、酸液粗化、敏化液敏化、活化液活化、还原液还原处理后,得到预处理的石墨基体;将预处理的石墨基体浸入80~90℃的化学镀钴液中,静置反应15~120s,取出后用去离子水清洗至中性,得到表面化学镀钴的石墨基体;
所述敏化液组成终浓度为:氯化亚锡10~15g/L,溶剂为水,盐酸调pH值为0.5~2;
所述活化液组成终浓度为:氯化钯0.5~1g/L,37%盐酸5~10ml/L,溶剂为水;
所述还原液组成终浓度为:次亚磷酸钠15~20g/L,溶剂为水;
所述化学镀钴液组成终浓度为:氯化钴25~30g/L,次亚磷酸钠25~30g/L,柠檬酸三钠55~60g/L,硼酸25~30g/L,氯化铵45~50g/L,溶剂为去离子水,氨水调pH值为9~10。
所述石墨基体优选为块状石墨基体。
所述碱液优选为NaOH溶液。
所述碱液除油优选在40kHz频率的超声波下进行。
所述的酸液优选为HNO3溶液。
进一步,本发明所述方法优选为以下步骤:
(1)石墨基体在40~45℃,40kHz频率的超声波下用70~80g/L的NaOH溶液清洗3~4h,然后用去离子水洗涤至中性,得到除油后的石墨基体;
(2)除油后的石墨基体在室温下,40kHz频率超声波下用68%HNO3溶液清洗1~2h,静置24~48h后用去离子水洗涤至中性,得到粗化后的石墨基体;
(3)粗化后的石墨基体在室温搅拌下用敏化液敏化30~60min后用去离子水洗涤至中性,得到敏化后的石墨基体;
(4)敏化后的石墨基体在55~65℃下用活化液活化30~60min后用去离子水洗涤至中性,得到活化后的石墨基体;
(5)活化后的石墨基体在室温下,还原液中还原静置1~3min后用去离子水洗涤至中性,得到预处理的石墨基体;
(6)预处理的石墨基体浸入80~90℃的化学镀钴液中,静置反应15~120s,取出后用去离子水清洗至中性,得到表面化学镀钴的石墨基体。
更优选的,本发明所述方法按以下步骤进行:
(1)石墨基体在40℃,40kHz频率的超声波下用80g/L的NaOH溶液清洗3h,然后用去离子水洗涤至中性,得到除油后的石墨基体;
(2)除油后的石墨基体在室温下,40kHz频率超声波下用68%HNO3溶液清洗2h,静置24h后用去离子水洗涤至中性,得到粗化后的石墨基体;
(3)粗化后的石墨基体在室温搅拌下用敏化液敏化30min后用去离子水洗涤至中性,得到敏化后的石墨基体;
(4)敏化后的石墨基体在60℃下用活化液活化30min后用去离子水洗涤至中性,得到活化后的石墨基体;
(5)活化后的石墨基体在室温下,还原液中还原静置1~3min后用去离子水洗涤至中性,得到预处理的石墨基体;
(6)预处理的石墨基体浸入80~90℃的化学镀钴液中,静置反应120s,取出后用去离子水清洗至中性,得到表面化学镀钴的石墨基体。
本发明所述敏化液及活化液可重复再利用,只需每次使用前加入适量盐酸,敏化液调pH值为0.5~2,活化液调pH值为1~2即可。
所述化学镀钴液的配制方法为:以去离子水为溶剂,按组方量在氯化钴水溶液中依次加入柠檬酸三钠水溶液、硼酸水溶液、次亚磷酸钠水溶液和氯化铵水溶液,最后用氨水调节镀液pH值至9~10。
本发明提供的石墨基体表面化学镀钴的方法有益效果主要体现在:
(1)本发明所用设备简单、操作方便、生产效率高。
(2)钴粒子的颗粒大小可以简单的通过控制化学镀时间控制。
(3)本发明的原料易得,适于工业化生产。
(四)具体实施方式
下面结合具体方式对本发明进行进一步描述:
实施例1
样品基体为块状石墨,大小为22×14×2.5mm长方体,具体操作步骤为:
1、试样基体机械预处理:表面用砂纸打磨,使得石墨表面尽量粗糙。
2、除油:称取4gNaOH,加入去离子水至50ml,于磁力搅拌器中搅拌均匀以配制出80g/L的NaOH溶液。在40℃,40kHz频率的超声波下清洗3h。除油完后去离子水清洗观察是否表面有均匀覆盖的水膜,无水珠或水膜破裂,如果石墨的表面存在水珠或者出现水膜破裂现象则需要重新处理。后用去离子水清洗至中性。
3、粗化:采用68%HNO3溶液,在25℃,40kHz频率超声波下清洗2h,静置24h。后用去离子水清洗至中性。
4、敏化:用量筒量取4ml 37%HCl溶液,加入去离子水至100ml,搅拌均匀后配成盐酸水溶液。称取1.5g SnCl2·2H2O,将其溶解于已配制好的100ml盐酸水溶液中,加入1g锡粒,用磁力搅拌器搅拌均匀制成敏化液。敏化液PH控制在1。在25℃,磁力搅拌器不断搅拌的情况下敏化30min。后用去离子水洗涤至中性。
5、活化:配制成浓度为0.5g/L的PdCl2及10ml/L的37%HCl的活化溶液,溶剂为去离子水,用磁力搅拌器搅拌均匀配得活化液,在60℃水浴中活化30min。后用去离子水洗涤至中性。
6、还原:称取1g NaH2PO2·H2O,加去离子水配置为50ml的NaH2PO2·H2O还原液,将活化后的石墨试样置于其中,在室温下还原1-3min。后用去离子水洗涤至中性,得到预处理的石墨基体。
7、配置化学镀钴液,以配置50ml镀液为例:称取1.4g氯化钴、3g柠檬酸三钠、1.5g硼酸、1.25g次亚磷酸钠、2.5g氯化铵,分别用少量去离子水溶解,以氯化钴为主溶液,在不断搅拌的情况下依次加入柠檬酸三钠溶液、硼酸溶液、次亚磷酸钠溶液和氯化铵溶液。加入氨水调节pH值至10,并调镀液体积为50mL。
8、施镀:将配置好的化学镀液水浴至85℃。将步骤7得到的预处理后的石墨基体静置于镀液中120s。取出后用去离子水清洗至中性,得到表面化学镀钴的石墨基体。
9、测试:采用循环伏安法对试样进行测试。结果显示其在酸性介质中对甲醇的氧化峰电位为0.45V,峰电流为3.46e-3A。
实施例2
按照实例1的方法制备表面化学镀钴的石墨基体,所不同在于:步骤8中的工艺参数为:静置于镀液中15s。
按照实例1方法测试试样。结果显示其在酸性介质中对甲醇的氧化峰电位为0.55V,峰电流为9.14e-4A。
实施例3
按照实例1的方法制备表面化学镀钴的石墨基体,所不同在于:步骤8中的工艺参数为:静置于镀液中80s。
按照实例1方法测试试样。结果显示其在酸性介质中对甲醇的氧化峰电位为0.51V,峰电流为1.43e-3A。
实施例4
按照实例1的方法制备表面化学镀钴的石墨基体,所不同在于:步骤5中的工艺参数为:在65℃水浴中敏化60min。
按照实例1方法测试试样。结果显示其在酸性介质中对甲醇的氧化峰电位为0.43V,峰电流为3.72e-3A。
Claims (7)
1.一种石墨基体表面上化学镀钴的方法,其特征在于所述方法为:石墨基体依次用碱液除油、酸液粗化、敏化液敏化、活化液活化、还原液还原处理后,得到预处理的石墨基体;将预处理的石墨基体浸入80~90℃的化学镀钴液中,静置反应15~120s,取出后用去离子水清洗至中性,得到表面化学镀钴的石墨基体;
所述敏化液组成终浓度为:氯化亚锡10~15g/L,溶剂为水,盐酸调pH值为0.5~2;
所述活化液组成终浓度为:氯化钯0.5~1g/L,37%盐酸5~10mL/L,溶剂为水;
所述还原液组成终浓度为:次亚磷酸钠15~20g/L,溶剂为水;所述化学镀钴液组成终浓度为:氯化钴25~30g/L,次亚磷酸钠25~30g/L,柠檬酸三钠55~60g/L,硼酸25~30g/L,氯化铵45~50g/L,溶剂为去离子水,氨水调pH值为9~10。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于所述石墨基体为块状石墨基体。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于所述碱液为NaOH溶液。
4.如权利要求1所述的方法,其特征在于所述碱液除油在40kHz频率的超声波下进行。
5.如权利要求1所述的方法,其特征在于所述的酸液为HNO3溶液。
6.如权利要求1所述的方法,其特征在于所述方法包括以下步骤:
(1)石墨基体在40~45℃,40kHz频率的超声波下用70~80g/L的NaOH溶液清洗3~4h,然后用去离子水洗涤至中性,得到除油后的石墨基体;
(2)除油后的石墨基体在室温下,40kHz频率超声波下用68%HNO3溶液清洗1~2h,静置24~48h后用去离子水洗涤至中性,得到粗化后的石墨基体;
(3)粗化后的石墨基体在室温搅拌下用敏化液敏化30~60min后用去离子水洗涤至中性,得到敏化后的石墨基体;
(4)敏化后的石墨基体在55~65℃下用活化液活化30~60min后用去离子水洗涤至中性,得到活化后的石墨基体;
(5)活化后的石墨基体在室温下,还原液中还原静置1~3min后用去离子水洗涤至中性,得到预处理的石墨基体;
(6)预处理的石墨基体浸入80~90℃的化学镀钴液中,静置反应15~120s,取出后用去离子水清洗至中性,得到表面化学镀钴的石墨基体。
7.如权利要求1所述的方法,其特征在于所述方法包括以下步骤:
(1)石墨基体在40℃,40kHz频率的超声波下用80g/L的NaOH溶液清洗3h,然后用去离子水洗涤至中性,得到除油后的石墨基体;
(2)除油后的石墨基体在室温下,40kHz频率超声波下用68%HNO3溶液清洗2h,静置24h后用去离子水洗涤至中性,得到粗化后的石墨基体;
(3)粗化后的石墨基体在室温搅拌下用敏化液敏化30min后用去离子水洗涤至中性,得到敏化后的石墨基体;
(4)敏化后的石墨基体在60℃下用活化液活化30min后用去离子水洗涤至中性,得到活化后的石墨基体;
(5)活化后的石墨基体在室温下,还原液中还原静置1~3min后用去离子水洗涤至中性,得到预处理的石墨基体;
(6)预处理的石墨基体浸入80~90℃的化学镀钴液中,静置反应120s,取出后用去离子水清洗至中性,得到表面化学镀钴的石墨基体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN 201110073830 CN102127759B (zh) | 2011-03-25 | 2011-03-25 | 一种石墨基体表面上化学镀钴的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN 201110073830 CN102127759B (zh) | 2011-03-25 | 2011-03-25 | 一种石墨基体表面上化学镀钴的方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102127759A CN102127759A (zh) | 2011-07-20 |
CN102127759B true CN102127759B (zh) | 2013-01-23 |
Family
ID=44266019
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN 201110073830 Active CN102127759B (zh) | 2011-03-25 | 2011-03-25 | 一种石墨基体表面上化学镀钴的方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN102127759B (zh) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104060266B (zh) * | 2014-05-15 | 2016-04-13 | 浙江工业大学 | 一种石墨基体表面上铂钴复合镀的方法 |
CN110453206B (zh) * | 2019-08-08 | 2021-07-20 | 长春工业大学 | 夹金属层鳞片石墨及其制备方法和应用 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1198972A (zh) * | 1998-04-21 | 1998-11-18 | 冶金工业部钢铁研究总院 | 镍基合金粉的表面化学镀镍方法 |
CN1847453A (zh) * | 2006-05-12 | 2006-10-18 | 武士威 | 低温化学镀镍溶液 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5910427B2 (ja) * | 1976-10-12 | 1984-03-08 | シ−ビ−エス・ソニ−レコ−ド株式会社 | 無電解ニツケルメツキ法 |
JP2005194618A (ja) * | 2003-12-31 | 2005-07-21 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 非導電性基体を金属化する方法およびそれにより形成される金属化非導電性基体 |
-
2011
- 2011-03-25 CN CN 201110073830 patent/CN102127759B/zh active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1198972A (zh) * | 1998-04-21 | 1998-11-18 | 冶金工业部钢铁研究总院 | 镍基合金粉的表面化学镀镍方法 |
CN1847453A (zh) * | 2006-05-12 | 2006-10-18 | 武士威 | 低温化学镀镍溶液 |
Non-Patent Citations (3)
Title |
---|
JP昭53-46440A 1978.04.26 |
JP特开2005-194618A 2005.07.21 |
杜光旭等.陶瓷粉化学镀钴工艺研究.《电镀与涂饰》.2006,第25卷(第7期),第10-14页. * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102127759A (zh) | 2011-07-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN102747345B (zh) | 通过浸镍活化在pcb铜电路表面化学镀镍的方法 | |
CN100406613C (zh) | 激光诱导选择性化学镀的方法 | |
CN101774025A (zh) | 一种镀银铜粉的制备方法 | |
CN101054663A (zh) | 非金属基体化学镀的一种活化工艺 | |
CN105274504B (zh) | 一种在膨胀石墨表面化学镀铜的方法 | |
CN103611932A (zh) | 一种铜粉表面包覆磷镍合金层的超声化学制备方法 | |
CN102211186A (zh) | 一种树枝状铜粉表面镀银的方法 | |
CN102332324A (zh) | 一种复合导电粒子及其制备方法 | |
CN111069591A (zh) | 一种镍钴合金颗粒改性石墨烯微片吸波复合粉体的制备方法 | |
CN107868947B (zh) | 一种活化液及其制备方法和无钯活化化学镀镍方法 | |
CN104862677A (zh) | 一种活化pcb电路表面实现化学镀镍的方法 | |
CN104625087A (zh) | 一种水热制备银纳米线的方法 | |
CN108057446A (zh) | 氨硼烷水解制氢Co-Mo-B纳米催化剂及制备方法 | |
CN102127759B (zh) | 一种石墨基体表面上化学镀钴的方法 | |
CN102689016B (zh) | 一种超细镍粉的制备方法 | |
CN104014810A (zh) | 一种利用醋酸奥曲肽为模板制备链球状钴铂合金的方法 | |
CN101956224A (zh) | 用于纳米复合镀层的电镀方法 | |
CN102766859B (zh) | 一种海绵铁除氧滤料改性方法 | |
CN103506620A (zh) | 铁/钛酸钡核壳粒子 | |
JPH0613753B2 (ja) | 無電解メッキに使用する微細な金属体を含む溶液の製造方法 | |
CN110644016A (zh) | 水电解离析氢用磷化镍-碳布自支撑电极的制备方法 | |
CN109763162A (zh) | 一种用于金属包覆粉的电镀装置及方法 | |
CN103611933B (zh) | 一种超声化学高效制备镍包覆铜复合粉末的方法 | |
JP2019084491A (ja) | 担体担持パラジウムコア白金シェル微粒子コロイド、担体担持パラジウムコア白金シェル微粒子触媒、及びそれらの製造方法ならびに電池 | |
KR101420915B1 (ko) | 무전해 도금법에 의한 전자파 차폐용 도전성 섬유의 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
TR01 | Transfer of patent right | ||
TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20201109 Address after: 11th floor, donglecheng international, Shuguang Road, Chengguan Street, Dongming County, Heze City, Shandong Province Patentee after: Heze Jianshu Intelligent Technology Co., Ltd Address before: Hangzhou City, Zhejiang province 310014 City Zhaohui District Six Patentee before: ZHEJIANG University OF TECHNOLOGY |