CN102113212B - 平衡-不平衡信号变换器及其形成方法 - Google Patents
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Abstract
一种平衡-不平衡(balun)信号变换器(48)，其包括：不平衡端口(30)；耦合到该不平衡端口的平衡端口(50)，该平衡端口包括第一端子(52)和第二端子(54)；耦合到第一端子的第一电容器(90)；耦合到地和第一电容器的第一电感器(92)；耦合到第二端子的第二电容器(94)；以及耦合到地和第二电容器的第二电感器(96)。该变换器还可以包括耦合到不平衡端口的端子的第三电容器(84)；以及耦合到该第三电容器和第三端子的第三电感器(82)。
Description
技术领域
本发明一般涉及一种平衡-不平衡信号变换器。更具体地，本发明涉及具有高二次谐波抑制的平衡-不平衡信号变换器。
背景技术
平衡-不平衡(balun，balanced-to-unbalanced，平衡到不平衡)信号变换器是一种无源电子电路，其用于将不平衡信号(即，与接地有关的不平衡)转换成平衡信号(例如，与接地有关的平衡)，并且反过来是将平衡信号转换成不平衡信号。输入到平衡-不平衡变换器的不平衡端口的信号可在平衡-不平衡变换器的两个平衡端口之间分割，平衡-不平衡变换器提供具有相同幅值但是彼此之间的相位相差180度的信号。例如，平衡-不平衡变换器可用在无线或有线通信系统的发送电路和接收电路中，并且用于平衡放大器、混合器、压控振荡器和天线系统的构造。
在制造过程中，出现的工艺变化会影响到电路性能并导致产率损耗。对于平衡-不平衡变换器而言，电路性能包括插入损耗、共模抑制和二次谐波抑制。插入损耗定义为在平衡-不平衡变换器中产生的信号损失量。共模抑制是两条线的公共信号在其目的地被消除的现象。二次谐波抑制是频率为基频两倍的信号被抑制以提高性能的现象。因此，需要一种用于处理变化的具有高容差的平衡-不平衡变换器，使得电路性能和产率不被降低。
附图说明
通过实施例阐述本发明，但是本发明并不受到这些附图的限制，其中相同的附图标记表示相同的部件。为了简单和清楚而示出附图中的部件，并且这些部件并不需要严格地按照比例绘制。
图1示出了根据本发明的实施例的用于变换信号的系统的框图；
图2示出了用于集成在图1的系统中的平衡-不平衡信号变换器的电路示意图的实施例；
图3示出了图2的平衡-不平衡信号变换器的顶部平面视图；以及
图4示出了平衡-不平衡信号变换器的示例性电气特性的图。
具体实施方式
用于变换信号的系统包括插入在不平衡装置和平衡装置之间的平衡-不平衡(平衡到不平衡)信号变换器。该平衡-不平衡信号变换器包括变换器，该变换器可以是对称的，并且设置有平衡端口和不平衡端口。在一个实施例中，两个调谐电路耦合到平衡端口。与变换器组合的调谐电路产生偏移谐振，该偏移谐振导致了对于二次谐波抑制的更宽的带宽。因此，尤其针对于制造工艺中的电容器变化容差度，提高了工艺变化的容差度。结果是，产率和电路性能没有降低并且可以得到改进。
图1示出了根据本发明的一个实施例的用于变换信号的系统20的框图。系统20包括不平衡装置22、平衡装置24以及插入在不平衡装置22和平衡装置24之间的平衡-不平衡信号变换器26。不平衡装置22可以是提供单端输出信号或者接收单端输入信号的多个装置或部件中的任意一个。平衡装置24可以是接收差分输入信号或者提供差分输出信号的多个装置或部件中的任意一个。系统20可以作为集成电路形成在基板28上。或者，不平衡装置22、平衡装置24以及平衡-不平衡信号变换器26可利用分立部件的组合形成或者形成为位于分立基板上的集成电路。可以提供额外的、不同的或者更少的部件。
基板28可以是硅、砷化镓(GaAs)或其组合，或者是其它公知或将会出现的半导体材料。基板28可以与集成无源装置工艺、互补金属氧化物半导体(CMOS)集成电路工艺或者其它半导体工艺一起使用以在芯片上形成系统20。基板28限定电路平面，其中利用蚀刻、沉积或其它技术形成系统20。虽然这里平衡-不平衡信号变换器26被描述为利用半导体工艺技术在基板上形成，但是在其它实施例中，平衡-不平衡信号变换器26可以利用分立无源部件的组合来实现。
平衡-不平衡信号变换器26包括不平衡外部端口30和平衡外部端口32。不平衡外部端口30包括一对不平衡端子34和36。在一个实施例中，端子34连接到不平衡装置22的单端端口38，并且端子36可以接地。外部平衡端口32包括一对平衡端口40和42，并且平衡装置24包括相应的一对差分端口44和46。在一个实施例中，端口40连接到差分端口44，并且端口42连接到差分端口46。端口30和32所采用的术语“外部”在这里是指将信号传送到平衡-不平衡信号变换器26和从平衡-不平衡信号变换器26传送信号的输入/输出部分。
平衡-不平衡信号变换器26提供不平衡装置22和平衡装置24之间的耦合。更具体地，平衡-不平衡信号变换器26可以用于来自不平衡装置22的不平衡输入信号到传送到平衡装置24的平衡输出信号之间的转换。此外，平衡-不平衡信号变换器26还可以用于来自平衡装置24的平衡输入信号到传送到不平衡装置22的不平衡输出信号之间的转换。
图2示出了在系统20(图1)中集成的平衡-不平衡信号变换器26的电路示意图的实施例。平衡-不平衡信号变换器26包括变换器或平衡-不平衡变换器48，其具有构成不平衡外部端口30的不平衡端子34和36。变换器48还包括由端子52和54形成的平衡端口50。变换器48包括两个或更多电感器，这些电感器也可被称为绕组、线圈或者折叠(folds)60、62。在一个实施例中，不平衡端口30的端子34和36形成在电感器60的相对端。在示出的实施例中，可包括电感器82和电容器84的二次谐波抑制电路80连接在端子34和电感器60的一端之间。平衡端口50的端子52和54形成在电感器62的相对端。此外，端子52连接到平衡外部端口32的端口40。端口50的端子54连接到平衡外部端口32的端口42。
此外，在一个实施例中，变换器48包括插入在不平衡端子34和36之间的调谐电容器56。在示出的实施例中，调谐电容器56连接在二次谐波抑制电路80和端子36之间。此外，变换器48包括插入在端子52和54之间的调谐电路86和88。在一个实施例中，调谐电路86包括连接到电感器62的电容器90和接地的电感器92。因此，调谐电路86可以是分流LC电路。类似地，在一个实施例中，调谐电路88包括连接到电感器62的电容器94和接地的电感器96。因此，调谐电路88可以是分流LC电路。换言之，调谐电路86和88桥接电感器62的差分端口。调谐电路86和88独立地调谐以获得相同或不同的值，以产生偏移谐振。该偏移谐振导致对于二次谐波抑制更宽的带宽，这提高了工艺变化的容差度。如将会根据进一步描述更好地理解的那样，调谐电路86和88的存在导致可以被看作为一个宽波谷的两个二次谐波波谷，这提高过工艺变化的容差度。
通过示例，当不平衡外部端口30用作不平衡装置22(图1)的输入并且平衡外部端口32用作到平衡装置24(图1)的输出时，用于变换由双向箭头73表示的来自不平衡装置22的信号的方法需要利用变换器48对信号73进行变换或分割，以形成端子52上的信号分量70以及端子54上的信号分量72。利用平衡-不平衡变换器48调节信号分量72的相位，以使其与信号分量70平衡。信号分量70和相移信号分量72从平衡外部端口32的端口40和42输出至平衡装置24(图1)。
借助于另一示例，当平衡外部端口32用作来自平衡装置24的输入并且不平衡外部端口30用作到不平衡装置22的输出时，转换信号的方法需要接收信号作为端口40和42处的第一和第二信号分量70和72。利用平衡-不平衡变换器48来调节信号分量72的相位，以使其与信号分量70平衡。信号分量70和相移信号分量72输入到变换器48，在那里变换成输出信号，即信号73。然后信号73从变换器48输出到不平衡装置22。
图3示出了包括变换器48和调谐电路86和88的平衡-不平衡信号变换器26的顶部平面视图。平衡-不平衡信号变换器26被实现为安装在基板28上的集成电路，其可以是独立的装置。但是在其它实施例中，变换器26可与如上所述的基板28上的其它电路相组合。在该示例中，平衡-不平衡信号变换器26利用集成无源装置工艺技术生产。这里采用的集成无源装置(IPD)是一种无源电子装置或无源电子部件，其不需要用于其操作的能量源，并且可以利用半导体工艺技术来制造。通过利用半导体晶片加工技术能够大批量地制造具有非常高的精确度、良好的可复制性和低成本的IPD。如上所述，调谐电路86和88的存在使得加工变化容差度得以提高。因此，平衡-不平衡信号变换器26的布局代表IPD实现方式，其中所有描述的部件都形成在基板28的表面上。
在图3中所示的实施例中，不平衡外部端口30(图1)的端子34和36被示出为可以通过键合线(未示出)与其它部件例如不平衡装置22(图1)和接地互连的焊盘。类似地，平衡外部端口32(图1)的端口40和42被示出为可以通过键合线与其它部件例如平衡装置24(图1)互连的焊盘。在该示例中，电感器60是输入，其具有在基板28上形成两圈的迹线，并且电感器62是输出，其具有在基板28上形成四圈的迹线。因此，变换器48可以产生1比4的阻抗变换率，例如，从50欧姆变换成200欧姆。
电感器60和62对称地设置在基板28上，因此变换器48是对称变换器。通过双向箭头74来表示这种对称，其表示对称变换器48的上半部与对称变换器48的下半部对称或者相同。二次谐波抑制电路80的引入导致产生了不对称结构，从而改进了二次谐波抑制。然而，也可以不使用二次谐波抑制电路80，因为该电路带来的优点会小于被该电路增加给平衡-不平衡信号变换器26的额外空间的缺点。
图4示出平衡-不平衡信号变换器26的典型电气特性的图100。图100包括插入损耗曲线102，单位为分贝，横坐标为频率。仿真发现：在2.45GHz处存在良好的插入损耗，因为插入损耗曲线102在2.45GHz接近0dB。希望插入损耗曲线尽可能接近0dB，因为该曲线越接近0dB，则信号从输入传输至输出时的减少就越小。插入损耗曲线102中的波谷106导致良好的差分信号的二次谐波抑制。希望波谷106尽可能为负。
图100还包括共模抑制(CMR)曲线104，单位为分贝，横坐标为频率。CMR曲线104在2.45GHz处的波谷为变换器26在基频处的共模抑制。波谷110和108一起为形成用于共模信号的二次谐波抑制的谐振器。仿真发现：两个波谷110和108可以形成为频率相互比较靠近，使得它们像是一个宽波谷并且能够形成为具有足够的负分贝值。在一个实施例中，波谷110和108应当小于大约-35dB。例如，希望分贝值小于-20dB(例如，-30dB，-40dB等)。此外，希望获得宽的波谷，因为宽的波谷对应于能够通过具有高变化例如电容变化(例如，大于+/-10％的电容变化，或者更具体而言大约+/-15％的电容变化)的工艺来制造变换器。
一些实施例包括以下内容：
项目1.一种平衡-不平衡(balun)信号变换器，其包括：不平衡端口；耦合到不平衡端口的平衡端口，该平衡端口包括第一端子和第二端子；耦合到第一端子的第一电容器；耦合到地和第一电容器的第一电感器；耦合到第二端子的第二电容器；以及耦合到地和第二电容器的第二电感器。项目2.根据项目1的变换器，其中不平衡端口包括第三端子，并且该变换器还包括：耦合到第三端子的第三电容器；以及耦合到第三电容器和第三端子的第三电感器。项目3.根据项目1的变换器，其中该平衡-不平衡信号变换器包括对称变换器。项目4.根据项目1的变换器，还包括基板，并且其中该变换器被实现为形成在该基板上的集成电路。项目5.根据项目1的变换器，其中该变换器实现为分立无源部件的组合。项目6.根据项目1的变换器，还包括第三电感器，其中第一电容器和第二电容器连接到第三电感器。项目7.根据项目6的变换器，还包括：第四电感器，其中不平衡端口由第四电感器的第三和第四端子形成。项目8.根据项目7的变换器，其中第三电感器能够感应流过第四电感器的电流。项目9.根据项目1的变换器，还包括：第一外部端口，其中第一电容器通过第一端子耦合到第一外部端口；以及第二外部端口，其中第二电容器通过第二端子耦合到第二外部端口。项目10.根据项目9的变换器，其中第一外部端口和第二外部端口耦合到平衡装置。
项目11.一种平衡-不平衡(balun)信号变换器，其包括：不平衡端口；耦合到不平衡端口的平衡端口，该平衡端口包括第一端子和第二端子；具有第三端子和第四端子的第一电容器，其中第三端子连接到平衡端口的第一端子；具有第五端子和第六端子的第一电感器，其中第一电感器的第五端子连接到第一电容器的第四端子，并且第一电感器的第六端子接地；具有第七端子和第八端子的第二电容器，其中第二电容器的第七端子连接到平衡端口的第二端子；以及具有第九端子和第十端子的第二电感器，其中第一电感器的第九端子连接到第二电容器的第八端子，并且第二电感器的第十端子接地。项目12.根据项目11的变换器，还包括：第三电感器，其连接到第一电容器的第三端子和第二电容器的第七端子。项目13.根据项目12的变换器，还包括：能够感应流过第三电感器的电流的第四电感器；以及连接到第四电感器的第三电容器。项目14.根据项目13的变换器，还包括：连接到第三电容器的第四电容器；以及连接到第四电容器的第三电感器。项目15.根据项目13的变换器，还包括基板，并且其中该变换器被实现为形成在该基板上的集成电路。项目16.根据项目13的变换器，其中该变换器被实现为分立无源部件的组合。项目17.根据项目1的变换器，还包括：第一外部端口，其中第一电容器通过第一端子耦合到第一外部端口；以及第二外部端口，其中第二电容器通过第二端子耦合到第二外部端口。项目18.根据项目9的变换器，其中第一外部端口和第二外部端口耦合到平衡装置。
项目19.一种用于形成平衡-不平衡(balun)信号变换器的方法，其包括：设置不平衡端口；设置耦合到不平衡端口的平衡端口，该平衡端口包括第一端子和第二端子；设置耦合到第一端子的第一电容器；设置耦合到地和第一电容器的第一电感器；设置耦合到第二端子的第二电容器；以及设置耦合到地和第二电容器的第二电感器。项目20.根据项目19的方法，还包括：设置耦合到第三端子的第三电容器，其中不平衡端口包括第三端子；以及设置耦合到第三电容器和第三端子的第三电感器。
现在应当理解的是，本发明提出了一种平衡-不平衡变换器，它能够通过具有高变化的工艺来制造，而没有牺牲电路性能或产率。该平衡-不平衡变换器包括具有平衡端口和不平衡端口的变换器，并且两个调谐电路耦合到平衡端口。调谐电路产生偏移谐振，该偏移谐振导致对于二次谐波抑制的更宽的带宽。
虽然参照具体实施例描述了本发明，但是在不脱离如由所附的权利要求所限定的本发明范围的前提下，还可以进行多种的改进和变化。例如，平衡-不平衡信号变换器26还可以包括连接到端子54的电感器64，以改进共模抑制。因此，说明书和附图只是示例性的而非限制性的，所有这些改进方式都应包含在本发明的范围内。这里结合具体实施例所述的所有有益效果、优点或问题解决方案都不应当被认为是任意或所有权利要求中限定的关键的、需要的或必须的特征或元素。
由于实现本发明的装置的绝大部分都是由本领域技术人员所熟知的电子部件和电路所构成，因此没有进一步地详细解释电路的细节，除非其是理解本发明内容所必须的，以便于不致于混淆本发明的教导。
因此，可以理解的是，这里所述的架构仅仅是示例性的，实际上也可以采用许多其它架构来实现相同的功能。在摘要中，仍然具有明确含义，用于实现相同的功能的部件的布置被有效“关联”以便实现所需功能。因此，这里组合以实现特定功能的任何两个部件可以认为彼此“关联”以便实现所需功能，而与架构或中间部件无关。类似地，这样关联的任何两个部件都可以认为是彼此之间“可操作地连接”或“可操作地耦合”以实现所需功能。
这里采用的术语“耦合”不限于直接耦合或机械耦合。而且，这里采用的术语“一个”被限定为一个或多个。并且，权利要求书中采用的前置语例如“至少一个”和“一个或多个”不应当理解为加以不定冠词“一个”的另一个权利要求的部件将包含这样描述的权利要求的部件的任何特定的权利要求限制为仅仅包含一个这种部件的发明，即使同一权利要求中包含前置语“一个或多个”或“至少一个”以及例如“一个”的不定冠词。对于定冠词来说也是同样的道理。除非有特别的声明，术语“第一”和“第二”仅用于任意地区分采用该术语描述的两个部件。因此，这些术语不必用于表示这些部件的时间或其它优先级。
Claims (8)
1.一种平衡－不平衡（balun）信号变换器，其特征在于：
不平衡端口（30）；
耦合到所述不平衡端口（30）的平衡端口（50），所述平衡端口（50）的特征在于，第一端子（52）和第二端子（54）；
耦合到所述第一端子（52）的第一电容器（90）；
耦合到地和所述第一电容器（90）的第一电感器（92）；
耦合到所述第二端子（54）的第二电容器（94）；
耦合到地和所述第二电容器（94）的第二电感器（96）；以及
第三电感器（62），其中所述第一电容器（90）和所述第二电容器（94）被连接到所述第三电感器（62）；
第四电感器（60），其中所述不平衡端口（30）由所述第四电感器的第三端子和第四端子（34、36）形成；
插入在第三端子（34）和第四端子（36）之间的调谐电容器（56）。
2.根据权利要求1的变换器，其中所述变换器还包括：
耦合到所述第三端子（34）的第三电容器（84）；以及
耦合到所述第三电容器（84）和所述第三端子（34）的第五电感器（82）。
3.根据权利要求1的变换器，其特征进一步在于：
第一外部端口（40），其中所述第一电容器（90）通过所述第一端子（52）耦合到所述第一外部端口；以及
第二外部端口（42），其中所述第二电容器（94）通过所述第二端子（54）耦合到所述第二外部端口。
4.一种形成平衡－不平衡（balun）信号变换器（48）的方法，其特征在于：
设置不平衡端口（30）；
设置耦合到所述不平衡端口（30）的平衡端口（50），所述平衡端口（50）的特征在于，第一端子（52）和第二端子（54）；
设置耦合到所述第一端子（52）的第一电容器（90）；
设置耦合到地和所述第一电容器（90）的第一电感器（92）；
设置耦合到所述第二端子（54）的第二电容器（94）；
设置耦合到地和所述第二电容器（94）的第二电感器（96）；
设置第三电感器（62），其中所述第一电容器（90）和所述第二电容器（94）被连接到所述第三电感器（62）；
设置第四电感器（60），其中，所述不平衡端口（30）由所述第四电感器的第三端子和第四端子（34、36）形成；并且
设置插入在第三端子（34）和第四端子（36）之间的调谐电容器（56）。
5.根据权利要求1的变换器，其中所述平衡－不平衡信号变换器（48）包括对称变换器。
6.根据权利要求1的变换器，其特征进一步在于基板，并且其中所述变换器被实现为形成在所述基板上的集成电路。
7.根据权利要求1的变换器，其中所述变换器被实现为分立无源部件的组合。
8.根据权利要求1的变换器，其中所述第三电感器（62）能够感应流过所述第四电感器的电流。
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| CN104145191B (zh) * | 2012-03-02 | 2019-12-10 | 皇家飞利浦有限公司 | 用于放大射频信号的装置和方法 |
| US9373879B2 (en) * | 2012-11-15 | 2016-06-21 | Qualcomm Incorporated | Compact power divider/combiner with flexible output spacing |
| US9166731B2 (en) * | 2013-05-23 | 2015-10-20 | Qualcomm Incorporated | Transformer with integrated notch filter |
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| US9634639B2 (en) * | 2015-09-10 | 2017-04-25 | Harris Corporation | Tunable electronic circuit which converts balanced signals to unbalanced signals |
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Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1523705A (zh) * | 2003-02-20 | 2004-08-25 | 株式会社村田制作所 | 平衡-不平衡转换电路与层状平衡-不平衡转换器 |
| US6925142B2 (en) * | 2001-07-19 | 2005-08-02 | Siemens Aktiengesellschaft | Computer tomography detector module, detector formed therefrom, and operating method |
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Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6925142B2 (en) * | 2001-07-19 | 2005-08-02 | Siemens Aktiengesellschaft | Computer tomography detector module, detector formed therefrom, and operating method |
| CN1523705A (zh) * | 2003-02-20 | 2004-08-25 | 株式会社村田制作所 | 平衡-不平衡转换电路与层状平衡-不平衡转换器 |
| CN1702960A (zh) * | 2004-05-25 | 2005-11-30 | St微电子公司 | 平衡－不平衡变换器和低通滤波器 |
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