CN102111962B - 半圆型细线路制作方法及装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种半圆型细线路制作方法，包括：对已增加涂覆层的电路板进行曝光显影；对经曝光显影后从所述涂覆层中显示出来的部分进行蚀刻；褪去经曝光显影后未显示出来的区域上的涂覆层，对褪去涂覆层后生成的细线路进行微蚀操作，生成半圆型细线路。本发明还公开了一种半圆型细线路制作装置。采用本发明可以解决现有技术中提到的褪膜后增加的磨刷或喷砂处理不能精确控制，容易导致生成的细线路断线或偏移的问题。
Description
技术领域
本发明涉及电路板的制作方法领域，尤其是涉及一种半圆型细线路制作方法及一种半圆型细线路制作装置。
背景技术
目前，电路板越来越朝着精密细线路方向发展，在应用中，线路越密，线路表面散热功能就需要加强。采用常规做法用酸性蚀刻或碱性蚀刻做出来的线路横截面积形状是梯形或类似梯形，理论上，对同规格的线路而言，半圆形的线路散热面积是梯形散热面积的1.57倍，因此，为解决线路表面散热功能需要加强的问题，现有技术提出在电路板上制作半圆型细线路，现以四层板为例说明，具体处理流程如图1所示：
步骤101、利用贴干膜工艺流程为待处理的电路板增加涂覆层；
步骤102、对贴了干膜的电路板进行曝光显影；
步骤103、对经步骤102曝光显影后从干膜中显示出来的部分进行蚀刻，褪膜后生成半圆型细线路。
但是，采用上述步骤生成半圆型细线路有一定的缺陷，步骤103在褪膜后通常会增加磨刷或喷砂处理，以保证生成的细线路更截面接近于半圆型，但是磨刷或喷砂处理不能精确控制，容易导致生成的细线路断线或偏移。
发明内容
本发明实施例提供了一种半圆型细线路制作方法，用于解决现有技术中提到的褪膜后增加的磨刷或喷砂处理不能精确控制，容易导致生成的细线路断线或偏移的问题，该方法包括：
对已增加涂覆层的电路板进行曝光显影；
对经曝光显影后从所述涂覆层中显示出来的部分进行蚀刻；
褪去经曝光显影后未显示出来的区域上的涂覆层，对褪去涂覆层后生成的细线路进行微蚀操作，生成半圆型细线路。
较佳的，所述对已增加涂覆层的电路板进行曝光显影，包括：
对采用涂覆油墨工艺流程增加涂覆层的电路板进行曝光显影。
较佳的，所述涂覆油墨工艺流程采用的涂覆控制参数包括：涂覆速度、油墨粘度、油墨厚度；
其中，所述涂覆速度为3.6m/min，所述油墨粘度为80sec，所述油墨厚度为8um-10um。
较佳的，采用贴干膜工艺流程增加涂覆层时，所述涂覆层的褪膜速度为2.5m/min；
采用涂覆油墨工艺流程增加涂覆层时，所述涂覆层的褪膜速度为5m/min。
较佳的，所述对褪去涂覆层后生成的细线路进行微蚀操作，包括：
对所述褪去涂覆层后生成的细线路进行线宽截面切片操作时，控制微蚀速率，使得所述褪去涂覆层后生成的细线路线宽截面比为预设的半圆型比值。
较佳的，所述控制微蚀速率，包括：将所述微蚀速率控制在0.7-1.0m/min。
较佳的，所述对褪去涂覆层后生成的细线路进行微蚀操作，包括：
利用纯水、电路板专用的硫酸-双氧水系列的铜面微蚀液和30%双氧水组成的化学试剂对所述褪去涂覆层后生成的细线路进行微蚀操作，其中，所述纯水的体积比为75-85％，所述电路板专用的硫酸-双氧水系列的铜面微蚀液的体积比为8-25％，所述30%双氧水的体积比为5-25％。
本发明实施例还提供了一种半圆型细线路制作装置，用于解决现有技术中提到的褪膜后增加的磨刷或喷砂处理不能精确控制，容易导致生成的细线路断线或偏移的问题，包括：
显影单元，用于对已增加涂覆层的电路板进行曝光显影；
蚀刻单元，用于对经曝光显影后从所述涂覆层中显示出来的部分进行蚀刻，生成褪去涂覆层后生成的细线路；
微蚀单元，用于褪去经曝光显影后未显示出来的区域上的涂覆层，对褪去涂覆层后生成的细线路进行微蚀操作，生成半圆型细线路。
较佳的，所述显影单元包括：
第二显影子单元，用于对采用涂覆油墨工艺流程增加涂覆层的电路板进行曝光显影。
较佳的，所述微蚀单元进一步用于：对所述褪去涂覆层后生成的细线路做线宽截面切片操作时，控制微蚀速率，使得所述褪去涂覆层后生成的细线路线宽截面比为预设的半圆型比值。
较佳的，所述微蚀单元进一步用于：所述微蚀单元进一步用于：利用纯水、电路板专用的硫酸-双氧水系列的铜面微蚀液和30%双氧水组成的化学试剂对所述褪去涂覆层后生成的细线路进行微蚀操作，其中，所述纯水的体积比为75-85％，所述电路板专用的硫酸-双氧水系列的铜面微蚀液的体积比为8-25％，所述30%双氧水的体积比为5-25％。
在本发明实施例中，对已增加涂覆层的电路板进行曝光显影，对经曝光显影后从涂覆层中显示出来的部分进行蚀刻，褪去经曝光显影后未显示出来的区域上的涂覆层，对褪去涂覆层后生成的细线路进行微蚀操作，生成半圆型细线路。避免了现有技术中提到的蚀刻后增加的磨刷或喷砂处理不能精确控制，容易导致生成的细线路断线或偏移的问题，微蚀操作能够被较精确地控制，能较好地维护线路，有效地解决了现有的半圆型细线路制作方法的技术难点。
进一步，采用涂覆油墨工艺流程为待处理的电路板增加的涂覆层，能够避免显影时部分线路产生弯曲的情况，并且相对于贴干膜而言，褪膜速度加快，降低褪膜时药水对生成的细线路的攻击，能较好地维护线路，避免线路在蚀刻时断线或偏移。
附图说明
图1是背景技术中半圆型细线路制作方法的具体流程图；
图2是本发明实施例提供的半圆型细线路制作方法的具体流程图；
图3是本发明实施例提供的半圆型细线路制作装置的结构示意图；
图4是本发明实施例提供的显影单元的结构示意图。
具体实施方式
为解决现有技术中提到的蚀刻后增加的磨刷或喷砂处理不能精确控制，容易导致生成的细线路断线或偏移的问题，本发明实施例提供了一种半圆型细线路制作方法，具体处理流程如图2所示，包括：
步骤201、对已增加涂覆层的电路板进行曝光显影；
步骤202、对经曝光显影后从所述涂覆层中显示出来的部分进行蚀刻；
步骤203、褪去涂覆层，对褪去涂覆层后生成的细线路进行微蚀操作，生成半圆型细线路。
如图2所示流程，步骤201在实施时，可以有多种方式为待处理的电路板增加涂覆层，例如，可以如现有技术中提到的采用贴干膜工艺流程为待处理的电路板增加涂覆层，也可以采用其他更优的实施方式，如采用涂覆油墨工艺流程为待处理的电路板增加涂覆层。当然，还可以采用其他实施方式，能够为待处理的电路板增加涂覆层即可。
对于涂覆油墨工艺流程而言，其采用的涂覆控制参数包括：涂覆速度、油墨粘度、油墨厚度，等等。涂覆控制参数的取值不同，涂覆层的质量及其他相关属性也不同。在本例中，可以采用的较佳的涂覆控制参数为：涂覆速度为3.6m/min，油墨粘度为80sec，油墨厚度为8um-10um。本领域技术人员公知，油墨的解析度高于干膜，因此，采用涂覆油墨工艺流程可生成的细线路在精度上要优于采用贴干膜工艺流程生成的细线路，前者可生成的细线路线宽及线距为12um/12um，后者可生成的细线路线宽及线距为45um/45um。
另外，根据油墨厚度参数值可以看出，相对于贴干膜工艺流程而言，采用涂覆油墨工艺流程增加的涂覆层厚度（8um-10um）要远远小于采用贴干膜工艺流程增加的涂覆层厚度（40um）。本领域技术人员公知，涂覆层厚度越厚，褪膜时间越久，因此，采用涂覆油墨工艺流程能够有效地缩短褪膜的时间，通常，采用贴干膜工艺流程增加涂覆层时，涂覆层的褪膜速度为2.5m/min，采用涂覆油墨工艺流程增加涂覆层时，涂覆层的褪膜速度为5m/min。步骤203在实施时，采用涂覆油墨工艺流程时褪膜速度加快，降低褪膜时药水对生成的细线路的攻击，能较好地维护线路，避免线路在蚀刻时断线或偏移。
另外，本领域技术人员公知，油墨的附着力要高于干膜，因此，在生产细线路时，能够避免显影时线路产生弯曲的情况，能较好地维护线路，避免线路在蚀刻时断线或偏移。
如图2所示流程，步骤201及步骤202在实施时，本例中，曝光显影选用手动平行曝光机进行操作，其抽真空可达680mmhg，光源为平行光，能够减少线路失真，曝光能量级通常选用5级，显示速度控制在3.6m/min，显影点控制在50-60％，碳酸钠Na2CO3深度控制在0.9-1.1％，PH（Hydrogen ionconcentration，氢离子浓度指数）值控制在10.8-11.2。在其他实施例中，曝光显影选用的器械及对应参数均可调，根据实际情况及操作人员的选择而定。
如图2所示流程，步骤202在实施时，对经曝光显影后从涂覆层中显示出来的部分进行蚀刻，蚀刻速度控制在3.9m/min，为保证生成的细线路截面更偏近半圆型，实施时只使用一段时刻机，调整上下压力使上下蚀刻能力基本相同，为保证线宽满足设定的线宽要求，通常将上线宽控制在20-30um，蚀刻后生成褪去涂覆层后生成的细线路。
如图2所示流程，步骤203在实施时，经蚀刻后褪去涂覆层，通过调整微蚀速率来控制微蚀量，实施时，对生成的褪去涂覆层后生成的细线路进行线宽截面切片操作，控制微蚀速率，使得褪去涂覆层后生成的细线路线宽截面比为预设的半圆型比值，通常，可以将微蚀速率控制在0.7-1.0m/min，此时获得的线宽截面比最接近预设的半圆型比值。
如图2所示流程，步骤203在实施时，可以利用纯水、电路板专用的硫酸-双氧水系列的铜面微蚀液和30%双氧水H202组成的化学试剂对褪去涂覆层后生成的细线路进行微蚀操作，其中，在较优的实施例中，纯水的体积比为75-85％，电路板专用的硫酸-双氧水系列的铜面微蚀液的体积比为8-25％，30%H202的体积比为5-25％。微蚀的化学反应原理如下：
Cu＋H2O2=CuO＋H2O
CuO＋H2SO4=CuSO4＋H2O
2H2O2=O2＋2H2O。
当然，还可以采用包含其他成分的化学试剂，能够实现对褪去涂覆层后生成的细线路进行微蚀操作的目的即可。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种半圆型细线路制作装置，具体结构如图3所示，包括：
显影单元301，用于对已增加涂覆层的电路板进行曝光显影；
蚀刻单元302，用于对经曝光显影后从涂覆层中显示出来的部分进行蚀刻，生成褪去涂覆层后生成的细线路；
微蚀单元303，用于褪去涂覆层，对褪去涂覆层后生成的细线路进行微蚀操作，生成半圆型细线路。
在一个实施例中，如图4所示结构，显影单元301可以包括：
第一显影子单元401，用于对采用贴干膜工艺流程增加涂覆层的电路板进行曝光显影；
第二显影子单元402，用于对采用涂覆油墨工艺流程增加涂覆层的电路板进行曝光显影。
在一个实施例中，如图3所示结构，微蚀单元303可以进一步用于：对褪去涂覆层后生成的细线路做线宽截面切片操作时，控制微蚀速率，使得褪去涂覆层后生成的细线路线宽截面比为预设的半圆型比值。
在一个实施例中，如图3所示结构，微蚀单元303可以进一步用于：利用纯水、电路板专用的硫酸-双氧水系列的铜面微蚀液和30%双氧水组成的化学试剂对褪去涂覆层后生成的细线路进行微蚀操作，其中，纯水的体积比为75-85％，电路板专用的硫酸-双氧水系列的铜面微蚀液的体积比为8-25％，30%双氧水的体积比为5-25％。
在本发明实施例中，对已增加涂覆层的电路板进行曝光显影，对经曝光显影后从涂覆层中显示出来的部分进行蚀刻，褪去经曝光显影后未显示出来的区域上的涂覆层，对褪去涂覆层后生成的细线路进行微蚀操作，生成半圆型细线路。避免了现有技术中提到的蚀刻后增加的磨刷或喷砂处理不能精确控制，容易导致生成的细线路断线或偏移的问题，微蚀操作能够被较精确地控制，能较好地维护线路，有效地解决了现有的半圆型细线路制作方法的技术难点。
进一步，采用涂覆油墨工艺流程为待处理的电路板增加的涂覆层，能够避免显影时线路产生弯曲的情况，并且相对于贴干膜而言，褪膜速度加快，降低褪膜时药水对生成的细线路的攻击，能较好地维护线路，避免线路在蚀刻时断线或偏移。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变形而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变形属于本发明权利要求及其等同技术范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变形在内。
Claims (11)
1.一种半圆型细线路制作方法，其特征在于，包括：
对已增加涂覆层的电路板进行曝光显影；
对经曝光显影后从所述涂覆层中显示出来的部分进行蚀刻；
褪去经曝光显影后未显示出来的区域上的涂覆层，对褪去涂覆层后生成的细线路进行微蚀操作，生成半圆型细线路。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对已增加涂覆层的电路板进行曝光显影，包括：
对采用涂覆油墨工艺流程增加涂覆层的电路板进行曝光显影。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述涂覆油墨工艺流程采用的涂覆控制参数包括：涂覆速度、油墨粘度、油墨厚度；
其中，所述涂覆速度为3.6m/min，所述油墨粘度为80sec，所述油墨厚度为8um-10um。
4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，采用贴干膜工艺流程增加涂覆层时，所述涂覆层的褪膜速度为2.5m/min；
采用涂覆油墨工艺流程增加涂覆层时，所述涂覆层的褪膜速度为5m/min。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对褪去涂覆层后生成的细线路进行微蚀操作，包括：
对所述褪去涂覆层后生成的细线路进行线宽截面切片操作时，控制微蚀速率，使得所述褪去涂覆层后生成的细线路线宽截面比为预设的半圆型比值。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述控制微蚀速率，包括：将所述微蚀速率控制在0.7-1.0m/min。
7.如权利要求1、5或6任一项所述的方法，其特征在于，所述对褪去涂覆层后生成的细线路进行微蚀操作，包括：
利用纯水、电路板专用的硫酸-双氧水系列的铜面微蚀液和30%双氧水组成的化学试剂对所述褪去涂覆层后生成的细线路进行微蚀操作，其中，所述纯水的体积比为75-85％，所述电路板专用的硫酸-双氧水系列的铜面微蚀液的体积比为8-25％，所述30%双氧水的体积比为5-25％。
8.一种半圆型细线路制作装置，其特征在于，包括：
显影单元，用于对已增加涂覆层的电路板进行曝光显影；
蚀刻单元，用于对经曝光显影后从所述涂覆层中显示出来的部分进行蚀刻；
微蚀单元，用于褪去经曝光显影后未显示出来的区域上的涂覆层，对褪去涂覆层后生成的细线路进行微蚀操作，生成半圆型细线路。
9.如权利要求8所述的装置，其特征在于，所述显影单元包括：
第二显影子单元，用于对采用涂覆油墨工艺流程增加涂覆层的电路板进行曝光显影。
10.如权利要求8所述的装置，其特征在于，所述微蚀单元进一步用于：对所述褪去涂覆层后生成的细线路做线宽截面切片操作时，控制微蚀速率，使得所述褪去涂覆层后生成的细线路线宽截面比为预设的半圆型比值。
11.如权利要求8或10所述的装置，其特征在于，所述微蚀单元进一步用于：利用纯水、电路板专用的硫酸-双氧水系列的铜面微蚀液和30%双氧水组成的化学试剂对所述褪去涂覆层后生成的细线路进行微蚀操作，其中，所述纯水的体积比为75-85％，所述电路板专用的硫酸-双氧水系列的铜面微蚀液的体积比为8-25％，所述30%双氧水的体积比为5-25％。
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