CN102105933B - 磁记录介质制造方法、磁记录介质和信息存储装置 - Google Patents

Abstract

通过简单的制造方法来实现高记录密度的磁记录介质。所述磁记录介质包括：基板，形成在所述基板上的多个磁性点，以及形成在磁性点之间的点间分隔带。各磁性点具有人工格子结构，在该人工格子结构中在所述基板上交替地层叠多种类型的原子层，并且信息被磁性地记录。各点间分隔带具有与所述磁性点的人工格子结构连续的人工格子结构，所述各点间分隔带通过将离子注入到所述人工格子结构中来形成，并且具有比所述磁性点的饱和磁化强度小的饱和磁化强度。

Description

磁记录介质制造方法、磁记录介质和信息存储装置

技术领域

本文中所讨论的实施方式涉及位模式型磁记录介质、位模式型磁记录介质的制造方法、以及装配有位模式型磁记录介质的信息存储装置。 

背景技术

硬盘驱动装置(HDD)当前是作为能够进行高速数据访问和高速数据传送的大容量存储装置的主要信息存储装置。在HDD中，已经以高年率增大了表面记录密度，并且现在仍然需要进一步提高记录密度。 

为了增大HDD中的记录密度，需要缩小磁道宽度并且缩短记录位的长度。但是，如果缩小磁道宽度，则在邻接磁道中容易出现所谓的干涉。干涉总体表示诸如记录时在与写入目的磁道邻接的磁道中重写信息、以及再现时，由于从与再现目的磁道相邻的磁道泄漏磁场而造成串扰等的现象。这些现象降低了再现信号的S/N比，并且是使差错率劣化的原因。 

另一方面，推进缩短记录位的长度产生了使长时间存储记录位的性能下降的热起伏现象。 

因此，作为实现短位长度和高磁道密度同时避免这些干涉和热起伏现象的方法，提出了位模式型磁盘(例如，参见日本专利No.1888363)。在位模式型磁盘中，预定记录位的位置。在记录位的预定位置，形成由磁性材料制成的点，并且点之间的间隙由非磁性材料形成。这样，通过互相分离由磁性材料制成的点，点中的磁性干涉变小，从而避免了干涉和热起伏现象。 

专利引用文献 

专利引用文献1：日本专利No.1888363 

发明内容

技术问题 

这里，作为位模式型磁记录介质的制造方法，将说明在上述日本专利No.1888363等中提出的常规制造方法。 

图1示出了位模式型磁记录介质的常规制造方法。 

在常规制造方法中，首先，在膜形成步骤(A)中，在基板1上形成磁性膜2。 

然后，在纳米压印步骤(B)中，在磁性膜2上涂敷由紫外线固化树脂制成的抗蚀剂3，在抗蚀剂3上放置具有纳米尺寸的孔4a的模4，使得抗蚀剂3进入到纳米尺寸的孔4a中，以变为抗蚀剂3的点3a。然后，用紫外线透过模4照射抗蚀剂3，使得抗蚀剂3固化，并且将点3a压印在磁性膜2上。在固化抗蚀剂3之后，去除模4。 

其后，在蚀刻步骤(C)中执行蚀刻，该步骤去除磁性膜2，同时留下用抗蚀剂3的点3a保护的磁性点2a。在蚀刻之后，通过化学处理去除抗蚀剂3的点3a，从而在基板1上仅留下磁性点2a。 

在填充步骤(D)中，磁性点2a之间的间隙填充有非磁性材料，并且在平坦化步骤(E)中使其表面平坦，从而在步骤(F)中制成位模式型磁记录介质6。 

根据这样的常规制造方法，在平坦化步骤(E)中，必须执行高度精确的平坦化，以稳定磁记录介质6上磁头的浮置性能。因此，出现了可能要求很复杂的制造工艺的问题以及制造成本增加的问题。 

为了避免这些问题，考虑这样的处理方法(离子掺杂方法)：该方法通过用离子掺杂磁性膜以局部改变磁性状态来形成点的分隔状态。由于通过离子掺杂改变了磁特性，因此不需要蚀刻、填充和平坦化的复杂制造工艺，从而大大降低了制造成本。 

但是，离子掺杂方法的简单应用仅在降低磁各向异性中是有效的，而在改变饱和磁化强度中几乎是无效的。因此，干涉和热起伏现象仍然存在，并且离子掺杂方法尚未投入实际使用。 

鉴于上述，根据本发明的一个方面的目的是提供简单的制造方法(用该简单的制造方法，可以制造位模式型磁记录介质)、具有高记录密度并且可以用该简单的制造方法制造的磁记录介质、以及信息存储装置。 

技术方案 

根据本发明的一个方面，基本形式的磁记录介质的制造方法包括以下步骤： 

人工格子形成步骤，在基板上交替地层叠多种类型的原子层而形成具有人工格 子结构的磁性膜；以及 

点间分隔步骤，将离子局部地注入到所述磁性膜的除了要成为磁性点的多个部位以外的其它部位中而降低饱和磁化强度，由此在该磁性点之间形成饱和磁化强度比该磁性点的饱和磁化强度小的点间分隔带，其中所述磁性点分别以磁的方式记录信息。 

根据本发明的另一个方面，基本形式的磁记录介质包括： 

基板； 

设置在所述基板上的多个磁性点，各所述磁性点具有人工格子结构，在该人工格子结构中在所述基板上交替地层叠多种类型的原子层，并且信息以磁的方式被记录到各所述磁性点中；以及 

设置在所述磁性点之间的点间分隔带，所述点间分隔带具有与所述磁性点的人工格子结构连续的人工格子结构，所述点间分隔带在人工格子结构中注入了离子而具有比所述磁性点的饱和磁化强度小的饱和磁化强度。 

根据本发明的又一个方面，基本形式的信息存储装置包括： 

磁记录介质，所述磁记录介质包括： 

基板； 

设置在所述基板上的多个磁性点，各所述磁性点具有人工格子结构，在该人工格子结构中在所述基板上交替地层叠多种类型的原子层，并且信息以磁的方式被记录到各所述磁性点中；以及 

设置在所述磁性点之间的点间分隔带，所述点间分隔带具有与所述磁性点的人工格子结构连续的人工格子结构，所述点间分隔带在人工格子结构中注入了离子而具有比所述磁性点的饱和磁化强度小的饱和磁化强度； 

磁头，其通过接近或接触所述磁记录介质，以磁的方式对所述磁记录介质进行信息的记录和/或再现；以及 

头位置控制机构，其相对于所述磁记录介质的表面相对地移动所述磁头，将所述磁头定位在待进行所述磁头的信息记录和/或再现的磁性点上。 

根据磁记录介质的制造方法、磁记录介质和信息存储装置的多个方面，因为通过离子注入来形成点间分隔带，从而不需要诸如蚀刻、填充和平坦化的复杂的制造工艺，因此可以实现简单的制造方法。而且，将离子注入到具有人工格子结构的磁性膜 中降低了饱和磁化强度，足以使得可以实际制造具有高记录密度的位模式型磁记录介质。 

有利效果 

如上所述，根据磁记录介质的制造方法、磁记录介质和信息存储装置的基本形式，可以以简单的制造方法实现具有高记录密度的磁记录介质。 

附图说明

图1示出了位模式型磁记录介质的常规制造方法。 

图2示出了作为信息存储装置的具体实施方式的硬盘驱动装置(HDD)的内部结构。 

图3是示意性地示出了位模式型记录磁盘的结构的立体图。 

图4示出了与制造方法的基本形式相比，磁记录介质的制造方法的具体实施方式。 

图5是第一示例性实施方式的图。 

图6是示出了第一和第二示例性实施方式中离子注入对矫顽磁力的效果的图。 

图7是示出了第一和第二示例性实施方式中离子注入对饱和磁化强度的效果的图。 

图8是示出了第三和第四示例性实施方式中离子注入的效果的图。 

图9是示出了第三和第四示例性实施方式和各种类型的修改示例中离子注入的效果的图。 

图10是示出了比较例中离子注入对矫顽磁力的效果的图。 

图11是示出了比较例中离子注入对饱和磁化强度的效果的图。 

图12示出了通过MFM的磁性点的确认结果。 

具体实施方式

下面将参照附图说明与在发明内容部分中说明的磁记录介质的制造方法、磁记录介质和信息存储装置的基本形式相比的具体实施方式。 

图2示出了作为信息存储装置的具体实施方式的硬盘驱动装置(HDD)的内部结构。 

图2中所示的HDD 100被结合在如个人计算机的上位装置中，以用作上位装置中的信息存储部。 

在HDD 100中，多个圆盘状磁盘10以沿图2的深度方向彼此交叠的状态容纳在壳体H中。磁盘10是所谓的垂直磁记录介质，其中沿与磁盘的正面和背面垂直的方向通过磁化的磁性图案来记录信息。磁盘10也是所谓的位模式型磁记录介质，其中在正面和背面上的多个位置预先形成用于在其中记录位信息的点。磁盘10绕盘轴11旋转，并且与其基本形式已经在发明内容部分中描述的磁记录介质的具体实施方式相对应。 

在HDD 100的壳体H中，还内置有：摆动臂20，该摆动臂20沿着磁盘10的正面和背面移动；致动器30，该致动器30用于驱动摆动臂20；以及控制电路50。 

摆动臂20在其末端安装有磁头21，该磁头21将信息写到磁盘10的正面和背面并且从磁盘10的正面和背面读取信息，并且由轴承24枢轴地支撑到壳体H。通过以轴承24作为中心在预定角度之内枢轴地移动，摆动臂20使磁头21沿着磁盘10的正面和背面移动。磁头21与信息存储装置的基本形式中磁头的示例相对应。 

通过控制电路50控制通过磁头21的信息写入/读取以及摆动臂20的运动，并且通过控制电路50还执行与上位装置的信息通信。控制电路50与信息存储装置的基本形式中头位置控制机构的示例相对应。 

图3是示意性地示出了位模式型记录磁盘的结构的立体图。 

在图3中，示出了从圆盘状磁盘切去的部分。 

图3的磁盘10具有这样的结构：在基板S上系统性地设置多个记录点Q，并且在各记录点Q中磁性记录等于1位的信息。记录点Q同心地围绕磁盘10的中心而设置，并且一行记录点Q形成磁道T。 

使记录点Q之间的间隙变为磁各向异性和饱和磁化强度低于记录点Q的磁各向异性和饱和磁化强度的分隔带，并且通过该分隔带，使记录点Q之间的磁相互作用变小。 

这样，如果记录点Q之间的磁相互作用较小，则当执行将信息记录到记录点Q和/或从记录点Q再现信息时，磁道T之间的磁相互作用也变小，导致所谓的磁道之间的较小干涉。此外，由于记录点Q的位置如上被物理固定，因此要被记录的信息位的边界不会热起伏，从而避免了所谓的热起伏现象。结果，根据图3中的位模式型磁盘10，可以减小磁道的宽度并且缩短记录位的长度，从而实现具有高记录密度的磁记录介质。 

在下面，说明磁记录介质10的制造方法。 

图4示出了其基本形式已经描述的磁记录介质的制造方法的具体实施方式。 

与在发明内容部分中所描述的磁记录介质的制造方法的基本形式相比，优选的是，采用应用形式：“磁记录介质的制造方法还包括以下步骤：掩模形成步骤，在所述磁性膜上，在要成为所述磁性点的多个部位处，形成阻碍对所述磁性点的离子掺杂的掩模，其中所述点间分隔步骤从多个部位处形成有所述掩模的磁性膜上方照射离子，由此将该离子局部地注入由该掩模保护的磁性点之间的部位”。根据该应用形式，由于不需要离子注入的部分确实用掩模来保护，从而实现了形成磁性点的高精度。下面要说明的具体实施方式也是这样的优选应用形式的具体实施方式。 

通过图4的制造方法，制造图2和图3的磁盘10。 

在图4的制造方法中，首先，在膜形成步骤(A)中，在玻璃基板61上形成磁性膜62。该膜形成步骤(A)与磁记录介质的制造方法的基本形式中形成具有人工格子结构的磁性膜的步骤的示例相对应。磁性膜62具有人工格子的结构，其中交替地层叠了Co原子层62a和Pd原子层62b。在Co原子层62a和Pd原子层62b的组合中，Pd原子层62b的厚度需要大于Co原子层62a的厚度，以形成磁性膜62。附加地，Co原子层62a的膜厚度被设置为2nm的上限，并且该膜厚度基本上相当于7个原子的厚度。如果Co原子层62a具有超过该上限的膜厚度，则考虑也失去了与人工格子相对应的物理特性。 

在磁记录介质的制造方法、磁记录介质和信息存储装置的基本形式中，优选的是，人工格子结构具有这样的结构：交替地层叠了Co原子层和PGM(铂族金属)原子层，或者人工格子结构具有这样的结构：交替地层叠了Co原子层和Pd原子层。这是因为具有通过交替地层叠Co原子层和PGM原子层而形成的人工格子结构的磁性膜具有优秀的磁特性，并且通过后面提到的离子注入能够容易地使磁特性劣化。具有通过交替地层叠Co原子层和Pd原子层而形成的人工格子结构的磁性膜进一步在磁特性方面优越。在膜形成步骤(A)中形成的人工格子结构与优选的人工格子结构的示例相对应。 

注意的是，形成具有基本形式的人工格子结构的磁性膜的材料不限于这里描述的优选材料，并且可以使用已知能够形成具有人工格子结构的磁性膜的任意材料。但是，在下面的说明中，假设磁性膜由Co和Pd形成。 

然后，在纳米压印步骤(B)中，在磁性膜62上涂敷由紫外线固化树脂制成的抗蚀剂63，然后在抗蚀剂63上放置具有纳米尺寸的孔64a的模64，使得抗蚀剂63进入到纳米尺寸的孔64a中，以变为抗蚀剂63的点63a。其后，用紫外线透过模64照射抗蚀剂63，以固化抗蚀剂63，并且将点63a压印在磁性膜62上。在固化抗蚀剂63之后，去除模64。 

这里，“所述掩模形成步骤通过抗蚀剂形成所述掩模”的应用形式对于磁记录介质的制造方法的基本形式是优选的。并且“所述掩模形成步骤使用纳米压印工艺通过抗蚀剂形成所述掩模”的应用形式是更优选的。因为通过抗蚀剂形成掩模的步骤能够容易地制作纳米级的掩模图案，因此该步骤是有利的。图4的纳米压印步骤(B)与这些优选应用形式中形成掩模的步骤的示例相对应。 

在纳米压印步骤(B)之后，过程继续到离子注入步骤(C)。在离子注入步骤(C)中，从压印了点63a的磁性膜62上方照射氧离子或氮离子，以将离子注入到磁性膜62中，来减小饱和磁化强度，同时留下由抗蚀剂63的点63a保护的磁性点62c。由于磁性膜62具有人工格子结构，因此通过离子注入可以有效地减小磁性膜62的饱和磁化强度。离子注入步骤(C)与磁记录介质的制造方法的基本形式中的点间分隔步骤的示例相对应。这里，在磁记录介质的制造方法、磁记录介质和信息存储装置的基本形式中，优选的是，采用“所述点间分隔步骤使用氧离子和氮离子中的至少一方作为所述离子”的应用形式。这是因为氧离子和氮离子可以比当其它离子被注入到人工格子结构中时更有效地降低磁性膜的磁特性。 

附加地，在纳米压印中，甚至在注入离子的部分中也没有完全去除抗蚀剂。但是，在抗蚀剂较薄的部分，离子穿过抗蚀剂并且被注入到磁性膜62中，而在抗蚀剂较厚的部分(即，变为点63a的部分)，离子停止在抗蚀剂处，而未到达磁性膜，从而能够形成期望的点图案。设置离子的加速电压，以能够将离子注入到磁性膜62的中部中，但是要设置的加速电压根据离子的类型而变化，并且还根据到磁性膜的中部的深度以及磁性膜的材料而变化。磁性膜62的注入离子的部分因由于人工格子结构中离子的积累而引起的人工格子结构的变形而减小了其矫顽磁力和饱和磁化强度。在离子注入之后，通过化学处理去除抗蚀剂的点63a。 

通过如这样的离子注入步骤(C)，在磁性点62c之间的间隙中形成分隔磁性点62c中的磁性干涉的分隔带62d，并且在步骤(D)中完成位模式型磁记录介质10。在分隔带62d中，饱和磁化强度低于磁性点62c的饱和磁化强度，从而仅在磁性点62c中记录信息，而不在分隔带62d中记录信息。 

在通过图4中所示的制造方法而制造的磁记录介质10中，在膜形成步骤(A)中形成的磁性膜62的平坦性被原样维持为形成磁记录介质10的表面的磁性点62c和分隔带62d之间的平坦性。因此，图1中所示的常规技术中的平坦化步骤变得不需要，因此，简化了图4中所示的制造方法。 

此外，在图4中的制造方法中，通过压印在磁性膜62上的抗蚀剂的点63a来保护磁性点62c，从而能够使离子同时照射在磁记录介质10的整个表面上，这可以通过照射离子几秒钟来实现将离子很好地注入到必要的部分中，而不阻碍生产率。 

在下面的示例性实施方式中，通过将图4中所示的制造方法应用到特定材料等来确认技术效果。 

图5是第一示例性实施方式的图。 

洗干净的玻璃基板70被设置在磁控溅射单元中并且经过真空排气到5×10^-5Pa或更小，然后在没有加热玻璃基板70的情况下，在7Pa氩气压下结晶取向(111)的fcc-pd被形成为10nm的厚度作为基本层71，以引导磁性层的结晶取向。在图4中所示的制造方法中省略形成基本层71的步骤的说明。 

接着，在没有恢复到大气压的情况下，由Co/Pd人工格子形成的磁性膜72被重复层叠为16层，使得膜被构造为在0.67Pa的氩气压下具有0.3/0.35nm的Co/Pd厚度。膜厚度的该结构表示其中重复单个Co原子层和单个Pd原子层，并且磁性膜72的总膜厚度是10.4nm的人工格子。 

在形成磁性膜72之后，钻石碳(diamond carbon)形成为3nm的厚度，作为保护层73。在图4中所示的制造方法中也省略形成保护层73的步骤的说明。 

在保护膜73上涂敷抗蚀剂，并且使用纳米压印工艺，形成直径测定为140nm的柱状抗蚀剂图案74。 

从图案74上方照射被加速到6keV的N²⁺离子75，以使其被注入到磁性膜72中。如上所述，设置离子的加速电压，使得将离子注入到磁性膜72的中部。作为SIMS分析的结果，确认离子被注入到指定为设定值的精确深度。 

在离子注入之后，通过SCI清洁来去除抗蚀剂图案74，并且获得第一示例性实施方式。 

与第一示例性实施方式相比，通过将磁性膜中人工层的重复减小一半，从而形成具有5.2nm膜厚度的8层磁性膜而获得第二示例性实施方式。 

图6和图7是示出了第一和第二示例性实施方式中离子注入的效果的图。图6和图7中的水平线表示离子注入量，而图6中的垂直线表示矫顽磁力并且图7中的垂直线表示饱和磁化强度。 

如这些图中所示出的，确认在第一示例性实施方式(其中磁性膜具有10.4nm的厚度)(虚线的图)和第二示例性实施方式(其中磁性膜具有5.2nm的厚度)(实线的图)两者中，当离子注入量是1×10¹⁶(atoms/cm²)或更小时，大大降低了矫顽磁力和饱和磁化强度。即，通过将离子注入到具有人工格子结构的磁性膜中，可以有效地减小磁性点中的磁性干涉。附带地，如果离子注入量达到2×10¹⁶(atoms/cm²)或更高，则由于离子注入而减小了磁性膜的厚度，造成记录介质表面上平坦性的破坏。因此，更好的是，控制离子注入量小于2×10¹⁶(atoms/cm²)，或更有选地在1×10¹⁶(atoms/cm²)或更小之内。 

与第一和第二示例性实施方式相比，获得膜的总厚度为20.0nm的第三示例性实施方式。通过在具有0.3/0.7nm的Co/Pd厚度的膜结构中重复地层叠Co/Pd人工格子为20层(即，其中重复单个Co原子层和两层Pd原子层的人工格子)，来获得第三示例性实施方式。与这样的第三示例性实施方式相比，通过将要注入的离子类型改变为O²⁺离子来获得第四示例性实施方式。在这种情况下，通过在22keV(N²⁺)、24keV(O²⁺)的离子的加速电压来实现将离子注入到磁性膜的中部。 

图8是示出了第三和第四示例性实施方式中离子注入的效果的图。 

图8中的水平线表示离子注入量，并且垂直线表示饱和磁化强度。 

如图8中所示，确认也在第三示例性实施方式(虚线的图)和第四示例性实施方式(实线的图)(其中膜厚度或离子类型与第一和第二示例性实施方式中的不同)两者中，当离子注入量是1×10¹⁶(atoms/cm²)或更小时，大大降低了饱和磁化强度。即，确认采用将离子注入到具有人工格子结构的磁性膜中的结构可以制成磁性划分磁性点的分隔带。 

而且，通过在具有与第三和第四示例性实施方式中相同的膜厚度结构的同时改 变要注入的离子的类型来获得各种类型的修改例，以详细地验证离子注入的效果。 

图9是示出了第三和第四示例性实施方式和各种类型的修改例中离子注入的效果的图。 

同样在图9中，水平线表示离子注入量，并且垂直线表示饱和磁化强度。 

在图9中，再一次示出了上述第三和第四示例性实施方式的图。图9也示出了四种修改例的图，其中注入的离子类型是F⁺、He⁺、B⁺和Ar⁺的任意一种。修改例的图中的任一个图表示当离子注入量是1×10¹⁶(atoms/cm²)或更小时大大减小饱和磁化强度的基本倾向。但是，从相对于当离子注入量是0时的饱和磁化强度的减小率来看，已知的是，N²⁺和O²⁺显示出优于其它类型的离子。 

与上述示例性实施方式和修改例相比，作为比较例，制成注入有离子的没有人工格子结构的磁性膜，并且检查比较例中离子注入的效果。 

在比较例中，在玻璃基板上，磁性膜由厚度为3nm的Ta层和厚度为10nm的Ru层形成，然后在其上形成厚度为20nm的CoCrPt合金(Co79Cr3Pt18)。进一步地，厚度为3nm的钻石碳施加在其上作为保护层，并且通过照射在其中注入离子(N²⁺和O²⁺)。 

图10和图11是示出了比较例中离子注入的效果的图。在图10和图11中，水平线表示离子注入量，而图10中的垂直线表示矫顽磁力，并且图11中的垂直线表示饱和磁化强度。 

比较例中磁性膜厚度和离子类型与第三和第四实施方式的磁性膜厚度和离子类型类似。但是，如图10和图11中的图所示，在比较例中，由于离子注入的矫顽磁力和饱和磁化强度的减小是较小的，并且确认离子注入在没有人工格子结构的磁性膜中是无效的。 

最后，确认通过使用MFM(磁力显微镜)的测定，在第一示例性实施方式中实际形成磁性点。 

图12示出了通过MFM的磁性点的确认结果。 

这里，通过电磁铁沿与磁记录介质垂直的方向将20kOe的均匀磁场施加到第一示例性实施方式的磁记录介质，以引起磁化，并且通过MFM测定磁记录介质表面上的磁性状态。 

在图12的左侧，示出了当沿与MFM的探针磁化方向相反的方向用磁场来磁化 磁记录介质时的测定结果。在图12的右侧，示出了当沿与MFM的探针磁化方向相同的方向用磁场来磁化磁记录介质时的测定结果。在沿两个方向之一磁化磁记录介质的两种情况下，确认在圆形磁性点与磁性点之间存在的分隔带之间，磁性状态有明显差异。 

附带地，在上面的说明中，抗蚀剂图案的使用被例示为优选掩模，以形成磁性点。但是，在离子注入的基本形式中，可以使用这样的工艺：通过很接近记录介质的表面而不触及其表面来设置模版掩模，来执行离子注入。该工艺可以省略涂敷抗蚀剂和去除抗蚀剂的步骤。而且，在上面的说明中，作为抗蚀剂构图的很好示例，例示了纳米压印工艺的使用。但是，电子束曝光可以用于构图。 

附加地，优选的是，将离子注入到磁性膜的中部中，并且通过改变加速电压来控制离子注入的深度。毫无益处的是，使注入的离子的高度过低或过高。如果高度过低，则不能很好地减小饱和磁化强度。如果高度过高，则会对介质的表面造成损害，这不仅削弱了浮置性能，还由于蚀刻而丢失了磁性膜。 

附图标记列表 

100：硬盘驱动装置 

10：磁盘 

61：基板 

62：磁性膜 

62a：Co原子层 

62b：Pd原子层 

62c：磁性点 

62d：分隔带 

Claims (9)

1.一种磁记录介质的制造方法，该制造方法包括以下步骤：

人工格子形成步骤，在基板上交替地层叠多种类型的原子层而形成具有人工格子结构的磁性膜；以及

点间分隔步骤，将离子局部地注入到所述磁性膜的除了要成为磁性点的多个部位以外的其它部位中而降低饱和磁化强度，由此在该磁性点之间形成饱和磁化强度比该磁性点的饱和磁化强度小的点间分隔带，其中所述磁性点分别以磁的方式记录信息，

其中，所述人工格子形成步骤通过交替地层叠Co原子层和铂族金属原子层来形成所述具有人工格子结构的磁性膜，并且所述Co原子层各具有2nm以下的厚度，

其中，所述点间分隔步骤使用氧离子和氮离子中的至少一方作为所述离子。

2.根据权利要求1所述的磁记录介质的制造方法，该制造方法还包括以下步骤：

掩模形成步骤，在所述磁性膜上，在要成为所述磁性点的多个部位处，形成阻碍对所述磁性点的离子掺杂的掩模，

其中所述点间分隔步骤从多个部位处形成有所述掩模的磁性膜上方照射离子，由此将该离子局部地注入由该掩模保护的磁性点之间的部位。

3.根据权利要求1所述的磁记录介质的制造方法，其中所述铂族金属原子层是Pd原子层。

4.根据权利要求2所述的磁记录介质的制造方法，其中所述掩模形成步骤通过抗蚀剂形成所述掩模。

5.根据权利要求2所述的磁记录介质的制造方法，其中所述掩模形成步骤使用纳米压印工艺通过抗蚀剂形成所述掩模。

6.一种磁记录介质，该磁记录介质包括：

基板；

设置在所述基板上的多个磁性点，各所述磁性点具有人工格子结构，在该人工格子结构中在所述基板上交替地层叠多种类型的原子层，并且信息以磁的方式被记录到各所述磁性点中；以及

设置在所述磁性点之间的点间分隔带，所述点间分隔带具有与所述磁性点的人工格子结构连续的人工格子结构，所述点间分隔带在人工格子结构中注入了离子而具有比所述磁性点的饱和磁化强度小的饱和磁化强度，

所述人工格子结构是Co原子层和铂族金属原子层交替层叠的结构，并且所述Co原子层各具有2nm以下的厚度，

其中，所述点间分隔带注入了氧离子和氮离子中的至少一方作为所述离子。

7.根据权利要求6所述的磁记录介质，其中所述铂族金属原子层是Pd原子层。

8.一种信息存储装置，该信息存储装置包括：

磁记录介质，所述磁记录介质包括：

基板；

设置在所述基板上的多个磁性点，各所述磁性点具有人工格子结构，在该人工格子结构中在所述基板上交替地层叠多种类型的原子层，并且信息以磁的方式被记录到各所述磁性点中；以及

设置在所述磁性点之间的点间分隔带，所述点间分隔带具有与所述磁性点的人工格子结构连续的人工格子结构，所述点间分隔带在人工格子结构中注入了离子而具有比所述磁性点的饱和磁化强度小的饱和磁化强度；

磁头，其通过接近或接触所述磁记录介质，以磁的方式对所述磁记录介质进行信息的记录和/或再现；以及

头位置控制机构，其相对于所述磁记录介质的表面相对地移动所述磁头，将所述磁头定位在待进行所述磁头的信息记录和/或再现的磁性点上，

其中，所述人工格子结构是Co原子层和铂族金属原子层交替层叠的结构，并且所述Co原子层各具有2nm以下的厚度，

其中，所述点间分隔带注入了氧离子和氮离子中的至少一方作为所述离子。

9.根据权利要求8所述的信息存储装置，其中所述铂族金属原子层是Pd原子层。

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