CN102102187A

CN102102187A - 制造具结晶结构的透明导电薄膜的方法

Info

Publication number: CN102102187A
Application number: CN2009102610627A
Authority: CN
Inventors: 杨天赐; 马世宪; 刘邦祺; 林鹏仕; 郭玉如; 林圣贤
Original assignee: ZHONGHUAN CO Ltd
Current assignee: ZHONGHUAN CO Ltd
Priority date: 2009-12-17
Filing date: 2009-12-17
Publication date: 2011-06-22

Abstract

本发明提供一种制造具结晶结构的透明导电薄膜的方法，方法包括下列步骤：(1)基板进入真空腔体后，基板温度维持室温或不超过50℃；(2)利用磁控溅镀方式在基板一表面沉积一层透明导电薄膜；(3)利用磁控溅镀方式在步骤(2)沉积的透明导电薄膜上再沉积另一不同成分的透明导电薄膜；(4)将镀有透明导电薄膜的基板进行温度低于160℃的加热处理。本发明主要是利用多层不同透明导电薄膜的堆迭，在没有基板加热以及低于160℃的热处理制程可以获得结晶性良好、高透光性与稳定性的透明导电膜层。本发明的制造具结晶结构的透明导电薄膜的方法特别适用在不耐热基板如塑胶基板或塑胶薄片上沉积高强度、高抗刮性的透明导电薄膜。

Description

制造具结晶结构的透明导电薄膜的方法

技术领域

本发明涉及一种制备透明导电薄膜的方法，尤其涉及一种将两层或两层以上不同透明导电薄膜堆迭沉积，通过多层透明导电薄膜的搭配，使上层透明导电薄膜在低于160℃的制程条件下，也具有结晶相的结构，适用在塑胶基板或可挠性薄片上沉积具结晶相的透明导电薄膜的制造具结晶结构的透明导电薄膜的方法。

背景技术

透明导电薄膜具有很多种类，目前工业应用上以金属氧化物薄膜占主导地位。其中常用的金属氧化物薄膜有三大系列：氧化铟(In₂O₃)、氧化锌(ZnO)与氧化锡(SnO₂)。这些材料因为自身氧空缺等缺陷而具有n型半导体的导电特性。若通过额外高价原子的掺杂，可以使这些金属氧化物的导电性大幅度提高，如工业界最常应用的材料氧化铟锡(Indium Tin Oxide，简称为：ITO)薄膜、氧化锌铝(Al-doped ZnO，简称为：AZO)薄膜，都是属于这类重掺杂的简并n型半导体。

近年来，氧化铟锡薄膜因为具有接近金属的导电率与可见光范围的高穿透率，已广泛应用于太阳能电池、液晶显示器、触控面板、抗静电材料、笔记型电脑、透明加热元件等领域。目前已有许多文献研究氧化铟锡薄膜的导电机制，其导电载子的来源主要由氧空缺、掺杂量等缺陷所贡献。因此为了获得低电阻的透明导电薄膜，常降低制程氧气氛或提高掺杂原子量，但一昧的提高氧空缺与掺杂反而会使薄膜缺陷增加而破坏薄膜的结构，导致光穿透率变差。此外，过多的薄膜缺陷也会形成带电载子的散射中心，因此过多的缺陷反而会使薄膜导电性降低。工业应用上为了使氧化铟锡薄膜同时具有良好导电性与透光率，往往会将薄膜进行加热结晶化。结晶化主要有三个优点：

(1)具结晶结构的氧化铟锡薄膜可以降低薄膜的缺陷、同时提高带电载子的迁移率(mobility)，使薄膜的导电性与光穿透率都能够获得提升。

(2)结晶氧化铟锡薄膜因为结构较稳定、缺陷较少，导电性也不易受环境的影响，有利于需要高稳定性的产品应用。

(3)结晶氧化铟锡薄膜的硬度较高，可增加其耐刮损的能力。

一般氧化铟锡的结晶温度约在180℃以上，往往需要在制程中加热至高温(如高于200℃)使薄膜发生结晶。过去以来，许多电子产品如触控面板常使用高光穿透率的玻璃作为基板。由于玻璃熔点较高，在沉积透明导电膜时可以使用高温制程来沉积结晶的透明导电膜。但玻璃基板质硬易脆，产品使用上会有安全的问题。加上其重量较重、成本高、不易作成弧面或其他形状的应用，在近年中国强制性产品认证制度(China Compulsory Certification，简称为：3C)电子产品日趋轻薄短小的发展趋势下，各界研究重点已逐渐转为如何在可挠性塑胶基板上沉积透明导电薄膜。然而对于许多高透光性的塑胶基材例如聚碳酸酯(Polycarbonate，简称为：PC)、聚对苯二甲酸乙二酯(Polyethylene terephthalate，简称为：PET)、聚甲基丙烯酸甲脂(polymethylmethacrylate，简称为：PMMA)，其具有低的熔点，无法采用200℃以上的高温制程来沉积结晶的透明导电薄膜。因为这些基材在沉积透明导电薄膜时必须使用低温制程，常会因为导电薄膜的结晶性不良(非晶质结构)而使得性质不佳，若为了维持与高温制程有相同的导电性，则必须增加透明导电膜的厚度，如此将会造成光穿透率的下降。而且，低温制程沉积非晶态的透明导电薄膜存在许多缺陷且晶格不稳定，因此在大气下热处理时稳定性较差，薄膜表面的氧空缺将容易被大气中的氧填补而使导电载子浓度降低，造成导电薄膜的电阻率产生变动而升高。因此，对于开发重量轻、低成本与安全性高的触控面板，如何在低温制程下沉积与高温制程相同的膜质是一项重要的开发重点。

例如中华人民共和国专利证号第557495号发明专利，揭示一种以低温制程制备结晶态氧化铟锡薄膜的方法。其利用在沉积非晶态ITO薄膜的期间，辅以紫外线照射，通过紫外线的能量促使ITO薄膜发生结晶，得到结晶态氧化铟锡薄膜的方法，但这种方法需要额外在真空腔体增加紫外光照射的设备，并且需要调整照射紫外光的参数，来控制ITO的薄膜性质。

另外，中华人民共和国专利证号第I297361号发明专利，揭示一种以低温制程在可挠式基板上沉积透明导电膜的方法。其方法主要利用间歇式的溅镀技术，减少基板的热损伤(heat damage)，可以在不耐温的基材上沉积透明导电膜。然而间歇式的溅镀制成将会提高薄膜的制程时间、增加制程成本，而且间歇式溅镀技术沉积的透明导电膜并不具有结晶结构(或差的结晶结构)。

日本专利H2-194943A揭示一种沉积ITO薄膜后，实施热处理使薄膜发生结晶，藉以改善触控面板使用的透明导电膜的耐久性。然而若基板为高分子聚合物时，因受限于加热温度不能太高，结晶加热的处理必须在低温、长时间下进行，如温度为150℃，时间为24小时，这会大大影响制程成本，不利于实际的量产。

文献Thin Solid Films vol.360(2000)pp.75-81揭示一种增加ITO结晶性的方法，将玻璃基板加热至100～300℃后，先沉积一层ZnO缓冲层。因为基板温度提供能量给ZnO薄膜，因此ZnO薄膜初镀后便具有结晶相。之后再将ZnO作为底层沉积ITO，利用结晶的ZnO底层增强ITO薄膜的结晶性。然而这个方法必须在沉积ZnO时加热基板，为了使ZnO维持良好的结晶性，ZnO厚度也需控制在一定的厚度范围内，如50～80nm，对于实际的应用例如触控面板，较厚的底层ZnO会导致光穿透率降低，不利于产品竞争优势。此外，利用溅镀的方法沉积ZnO时，由于ZnO靶材导电性不佳，制程通常必须使用射频交流(Radio Frequency，简称为：RF)进行溅镀，这会因为较低的溅镀速率而增加制程时间，不利于大量生产。再者，文献中沉积的ITO厚度为100～200nm，由现有技术可知当ITO厚度变薄时，薄膜的结晶性会越差。无法避免地，ITO薄膜作为电阻式触控面板应用时，ITO的片电阻需控制在300～500Ω/cm²，因此ITO厚度不能太厚，常用的ITO厚度约在10～50nm，但文献并没有探讨当ITO厚度减薄至50nm以下时，ZnO缓冲层对ITO结晶性的影响。

发明内容

本发明提供一种制造具结晶结构的透明导电薄膜的方法，通过堆迭不同透明导电薄膜的结构，即使基板在没有加热、以及后热处理温度低于160℃、热处理在两小时内的制程条件，也可以得到良好结晶性的透明导电薄膜，并有利于大量生产的制程。

本发明的另一目的是提供一种制造具结晶结构的透明导电薄膜的方法，以多层透明导电膜沉积方式，在塑胶基板上沉积具有高透光性的薄膜膜层结构。

根据本发明的方法，在不加热基板的情况下先在基板上沉积一层薄的氧化锌铝(Al-doped ZnO)薄膜，由于使用掺杂的氧化锌铝靶材具有优良的导电性，可以使用直流溅镀系统进行溅镀。氧化锌铝薄膜沉积厚度控制在10nm以下，结合直流溅镀系统可以在短时间内完成沉积，由X射线(X-ray)绕射结果得知沉积的氧化锌铝薄膜并不具有结晶结构。之后再在非晶的氧化锌铝薄膜上沉积一层氧化铟锡薄膜，最后再将此双层透明导电薄膜进行低于160℃的热处理。这样可以使氧化铟锡薄膜发生结晶，并具有优异光穿透率、稳定阻值的特性。

此外，本发明也可将氧化锌铝薄膜与氧化铟锡薄膜的沉积顺序对调，先在基板上沉积一层厚度低于10nm的氧化铟锡薄膜，再沉积一层氧化锌铝薄膜。此结构同样可以在低于160℃的热处理后使氧化锌铝薄膜发生结晶，同时改善其导电特性与光穿透性。

由于氧化铟锡薄膜的氧空缺会影响其导电性与透明度。当溅镀沉积氧化铟锡薄膜时，若适度增加溅镀气氛的氧含量，所沉积的氧化铟锡薄膜会具有较少的氧空缺，薄膜透光度提高，但导电性降低。反之若减少溅镀气氛的氧含量，可能得到导电性提高，但透光度降低的薄膜性质。

为得到高透光率的膜层结构，本发明可以采用三层以上透明导电薄膜堆迭的结构，例如依序在基板上沉积氧化锌铝薄膜、高含氧量的氧化铟锡薄膜、以及低含氧量的氧化铟锡薄膜。由于底层氧化锌铝薄膜可以帮助氧化铟锡薄膜在低温制程发生结晶，同时搭配高透光性的高含氧量氧化铟锡薄膜，以及高导电性的低含氧量氧化铟锡薄膜，可以维持表面透明导电膜的导电性，并提高整体膜层的透光性，有利于触控面板的应用。此外，为了调整膜层结构的光学特性与色度，本发明也可以搭配多层光学薄膜与多层透明导电薄膜的堆迭，以进一步降低膜层的反射率、提高薄膜透光性。使用本发明的基板材质可以是玻璃、聚碳酸脂树脂(polycarbonate resin)、环状烯烃聚合物(cyclo-olefin copolmers)、聚甲基丙烯酸甲脂(polymethyl methacrylate)、聚苯乙烯树脂(polystyrene resin)、聚乙烯树脂(polyethylene resin)、聚丙烯树脂(polypropylene resin)、聚对苯二甲酸乙二酯(Polyethylene terephthalate，简称为：PET)的基板或薄片(Film)。

本发明实施例的多层沉积透明导电薄膜的方法，可以在塑胶基板或塑胶薄片上沉积具结晶相的透明导电薄膜。为了更进一步了解本发明的特点及技术内容，下面将结合附图对本发明技术方案作详细说明。

附图说明

图1为本发明实施例一的单层透明导电膜的膜层结构剖面图。

图2为本发明实施例一的透明导电薄膜表面X-ray绕射分析结果。

图3为本发明实施例二的双层透明导电膜的膜层结构剖面图。

图4为本发明实施例二的透明导电薄膜表面X-ray绕射分析结果。

图5为本发明实施例三的双层透明导电膜的膜层结构剖面图。

图6为本发明实施例三的透明导电薄膜表面X-ray绕射分析结果。

图7为本发明实施例四的透明导电薄膜表面X-ray绕射分析结果。

主要元件符号说明：

11：基板； 12：第一光学调整层；

13：第二光学调整层； 14：第三光学调整层；

15：透明导电层； 21：基板；

22：第一光学调整层； 23：第二光学调整层；

24：第三光学调整层； 25：第一透明导电层；

26：第二透明导电层； 31：基板；

32：底部附着层； 33：光学调整层；

34：第一透明导电层； 35：第二透明导电层。

具体实施方式

实施例一

图1为本发明实施例一的单层透明导电膜的膜层结构剖面图。请参考图1，准备一环状烯烃聚合物基板11，厚度为1.0mm。在基板11不采用预热的情形下，利用磁控溅镀在基板11一表面先镀制一层厚15nm、折射率约为1.8的硫化锌-氧化硅(50％ZnS-50％SiO₂)作为第一光学调整层12，接着在第一光学调整层12上镀制厚38nm、折射率约为2.1的硫化锌-氧化硅(80％ZnS-20％SiO₂)作为第二光学调整层13，之后再在第二光学调整层13上沉积厚20nm、折射率约为1.8的硫化锌-氧化硅(50％ZnS-50％SiO₂)作为第三光学调整层14。三层光学调整层的堆迭用来调整基板11整体的色度与穿透率，也可使用折射率相近的其他氧化物材料作为替代。之后，在第三光学调整层14上沉积一层厚20nm的氧化铟锡作为透明导电层15，溅镀时控制氩气流量为40sccm、溅镀功率为2kW，膜层结构如图1所示。最后，将基板11进行150℃维持一小时的热处理，完成实施例一的透明导电薄膜基板。

溅镀的薄膜厚度是用原子力显微镜(Atomic Force Microscope，简称为：AFM)与光谱仪观察；薄膜的结晶结构分析是使用X-ray绕射仪以低掠角方式量测薄膜表面结构。图2为本发明实施一的透明导电薄膜表面X-ray绕射分析结果，从图2所示，可以发现并没有明显的绕射锋出现，显示在20nm厚的透明导电薄膜经过150℃维持一小时的热处理后，并没有发生结晶。

为说明多层透明导电膜堆迭的效果，实施例二为以实施例一的膜层结构再加入另外一层透明导电膜的例子。

实施例二

图3为本发明实施例二的双层透明导电膜的膜层结构剖面图。请参考图3，准备一环状烯烃聚合物的基板21，厚度为1.0mm。在基板21不采用预热的情形下，利用磁控溅镀在基板一表面先镀制一层厚15nm、折射率约为1.8的硫化锌-氧化硅(50％ZnS-50％SiO₂)作为第一光学调整层22，接着在第一光学调整层22上镀制厚38nm、折射率约为2.1的硫化锌-氧化硅(80％ZnS-20％SiO₂)作为第二光学调整层23，之后再在第二光学调整层23上沉积厚20nm、折射率约为1.8的硫化锌-氧化硅(50％ZnS-50％SiO₂)作为第三光学调整层24。之后，在第三光学调整层24上沉积一层厚5nm的氧化锌铝作为第一透明导电层25，并在氧化锌铝上再沉积一层厚20nm的氧化铟锡作为第二透明导电层26，溅镀时控制氩气流量为40sccm、溅镀功率为2kW。两层透明导电薄膜均是以直流溅镀系统完成镀膜，膜层结构如图3所示。最后，将基板进行150℃维持1小时的热处理，完成实施例二的透明导电薄膜基板。

以穿透光谱仪量测实施例二的膜层透光率，在550nm波长的穿透率为87％。图4为本发明实施例二的透明导电薄膜表面X-ray绕射分析结果，由图4中可以发现在30.2度发生绕射锋，比对符合ITO(222)结晶平面。结果显示利用双层透明导电膜的堆迭，可以使氧化铟锡薄膜在基板无预热、且热处理温度不超过150℃的低温制程中发生结晶。

为了进一步说明多层透明导电膜的低温结晶效果，在实施例三中改以玻璃转换温度较低的聚碳酸脂作为基材，为避免基材软化变形，其适合的热处理温度应不超过120℃。

实施三

图5为本发明实施例三的双层透明导电膜的膜层结构剖面图。请参考图5，准备一聚碳酸脂的基板31，厚度为1.0mm。在基板31不采用预热的情形下，利用磁控溅镀在基板一表面先镀制一层厚50nm的氧化铟锡作为底部附着层32，接着在底部附着层32上镀制厚32nm、折射率约为2.1的硫化锌-氧化硅(80％ZnS-20％SiO₂)作为光学调整层33，之后再在光学调整层33上沉积厚5nm的氧化锌铝作为第一透明导电层34，之后再在第一透明导电层34上镀制厚25nm的氧化铟锡作为第二透明导电层35，溅镀时控制氩气流量为40sccm、氧气流量为2sccm、溅镀功率2kW，膜层结构如图5所示。最后，将基板进行120℃维持1小时的热处理，完成实施例三的透明导电薄膜基板。

图6为本发明实施例三的透明导电薄膜表面X-ray绕射分析结果，由图6中可以发现在30.2度有绕射锋出现，比对符合ITO(222)结晶平面。结果显示利用双层透明导电膜的堆迭，可以使氧化铟锡薄膜在基板无预热、且热处理温度120℃的低温制程中发生结晶。因为PC基材可利用塑胶射出成型，具有成本低、生产快速的优点。加上其重量轻、不会破裂，若能在PC基材上实现沉积结晶结构的透明导电膜，可以符合触控面板使用上要有良好耐刮强度的透明导电薄膜的需求，如此可以增加触控产品的耐久性，避免重复多次的触控操作中薄膜发生破裂而失效。

上述实施例为说明双层透明导电薄膜堆迭的低温结晶效果，为了增加膜层的特性，也可以搭配不同层数的透明导电薄膜来实现，此为本发明的另一目的。实施例四是利用三层透明导电薄膜堆迭的结构达到提高穿透率的方式。

实施例四

准备一环状烯烃聚合物的基板(未示出)，厚度为1.0mm。在基板不采预热的情形下，利用磁控溅镀在基板一表面先镀制一层厚15nm、折射率约为1.8的硫化锌-氧化硅(50％ZnS-50％SiO₂)作为第一光学调整层(未示出)，接着在第一光学调整层上镀制厚38nm、折射率约为2.1的硫化锌-氧化硅(80％ZnS-20％SiO₂)作为第二光学调整层(未示出)，之后再在第二光学调整层上沉积厚20nm、折射率约为1.8的硫化锌-氧化硅(50％ZnS-50％SiO₂)作为第三光学调整层(未示出)。之后，在第三光学调整层上沉积一层厚5nm的氧化锌铝作为第一透明导电层(未示出)，并在氧化锌铝上依次沉积不同性质的氧化铟锡薄膜：先在氧化锌铝上沉积一层高透光率的氧化铟锡薄膜作为第二透明导电膜(未示出)，厚度为5nm，沉积时控制溅镀氩气流量为60sccm、氧气流量为18sccm。高氧气的气氛下沉积氧化铟锡薄膜，会因薄膜内的氧空缺被环境的氧填补而导致导电性降低。但另一方面因为氧空缺数目减少，使氧化铟锡的结构较完整，因此穿透率提高。高含氧量的氧化铟锡薄膜具有良好的结晶性，但是导电性不佳。因此在第二透明导电膜上再沉积一层厚20nm、具高导电性的氧化铟锡薄膜，作为第三透明导电膜(未示出)，沉积时控制溅镀氩气流量为60sccm、氧气流量为2sccm。透明导电薄膜均是以直流溅镀系统完成镀膜。最后，将基板进行150℃维持1小时的热处理，完成实施例四的透明导电薄膜基板。

图7为本发明实施例四的透明导电薄膜表面X-ray绕射分析结果，由图7中可以发现在30.2度有绕射锋出现，比对符合ITO(222)结晶平面。显示利用三层透明导电膜的堆迭，可以使氧化铟锡薄膜在基板无预热、且热处理温度为150℃的低温制程中发生结晶。此外，量测实施范例四的膜层在波长为550nm的透光率为89％，和具有相同底部光学调整层、但只有两层透明导电膜的膜层结构(如实施例二)比较，三层透明导电膜堆迭的膜层具有更高的透光率，适合高透光率要求的触控面板应用。

本发明的镀有多层透明导电膜的基材的制造方法，沉积于最上层的透明导电膜膜厚可随其用途适当选定，例如形成表面电阻值30Ω/cm²以下的ITO膜时，一般为50nm以上；形成表面电阻值200至1000Ω/cm²的ITO膜时，膜厚一般在10至30nm之间。

最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非对其进行限制，尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而这些修改或者等同替换亦不能使修改后的技术方案脱离本发明技术方案的精神和范围。

Claims

1.一种制造具结晶结构的透明导电薄膜的方法，其中所述方法包括下列步骤：

(1)基板进入真空腔体后，基板温度维持室温或不超过50℃；

(2)利用磁控溅镀方式在基板一表面沉积一层透明导电薄膜；

(3)利用磁控溅镀方式在步骤(2)沉积的透明导电薄膜上再沉积另一不同成分的透明导电薄膜；

(4)将镀有透明导电薄膜的基板进行温度低于160℃的加热处理。

2.根据权利要求1所述的制造具结晶结构的透明导电薄膜的方法，其中使用的基板材质包含玻璃、聚碳酸脂树脂、环状烯烃聚合物、聚甲基丙烯酸甲脂、聚苯乙烯树脂、聚乙烯树脂、聚丙烯树脂、聚对苯二甲酸乙二酯的基板或薄片。

3.根据权利要求1所述的制造具结晶结构的透明导电薄膜的方法，其中步骤(2)沉积的透明导电薄膜成份包括氧化锌铝、氧化锌铟、氧化锌镓或氧化锌硼其中之一。

4.根据权利要求1所述的制造具结晶结构的透明导电薄膜的方法，其中步骤(2)沉积的透明导电薄膜厚度介于1nm～50nm之间。

5.根据权利要求1所述的制造具结晶结构的透明导电薄膜的方法，其中步骤(3)沉积的另一透明导电薄膜成份包括氧化铟锡、氧化铟锗、氧化铟钛、氧化铟钨或氧化铟钼其中之一。

6.根据权利要求1所述的制造具结晶结构的透明导电薄膜的方法，其中步骤(3)沉积的另一透明导电薄膜厚度介于15nm～100nm之间。

7.根据权利要求1所述的制造具结晶结构的透明导电薄膜的方法，其中所述基板预先沉积有至少一层折射率高于2.0的光学调整层。

8.根据权利要求7所述的制造具结晶结构的透明导电薄膜的方法，其中所述光学调整层材质包含硫化锌-氧化硅、氮化硅、氧化锑、五氧化二铌、五氧化二钽、二氧化钛等介电材质至少其中之一或是其组合。

9.根据权利要求1所述的制造具结晶结构的透明导电薄膜的方法，其中步骤(2)沉积的透明导电薄膜成份包括氧化铟锡、氧化铟锗、氧化铟钛、氧化铟钨或氧化铟钼其中之一。

10.根据权利要求9所述的制造具结晶结构的透明导电薄膜的方法，其中所沉积的透明导电薄膜厚度在1nm～50nm的之间。

11.根据权利要求1所述的制造具结晶结构的透明导电薄膜的方法，其中步骤(3)沉积的另一透明导电薄膜成份包括氧化锌铝、氧化锌铟、氧化锌镓或氧化锌硼其中之一。

12.根据权利要求11所述的制造具结晶结构的透明导电薄膜的方法，其中所沉积的另一透明导电薄膜厚度在15nm～100nm的之间。

13.一种制造具结晶结构的透明导电薄膜的方法，其中所述方法包括下列步骤：

(1)基板进入真空腔体后，基板温度维持室温或不超过50℃；

(2)利用磁控溅镀方式在基板一表面沉积一层透明导电薄膜；

(3)利用磁控溅镀方式在步骤(2)沉积的透明导电薄膜上沉积不同成分的另一透明导电薄膜，其中溅镀使用的氧气与氩气流量比例大于0.2；

(4)利用磁控溅镀方式在步骤(3)沉积的另一透明导电薄膜上再沉积一层相同材质的又一透明导电薄膜，其中溅镀使用的氧气与氩气流量比例小于0.1；

(5)将镀有三层透明导电薄膜的基板进行温度低于160℃的加热处理。

14.根据权利要求13所述的制造具结晶结构的透明导电薄膜的方法，其中使用的基板材质有玻璃、聚碳酸脂树脂、环状烯烃聚合物、聚甲基丙烯酸甲脂、聚苯乙烯树脂、聚乙烯树脂、聚丙烯树脂、聚对苯二甲酸乙二酯的基板或薄片。

15.根据权利要求13所述的制造具结晶结构的透明导电薄膜的方法，其中步骤(2)沉积的透明导电薄膜成份包括氧化锌铝、氧化锌铟、氧化锌镓或氧化锌硼其中之一。

16.根据权利要求13所述的制造具结晶结构的透明导电薄膜的方法，其中步骤(2)沉积的透明导电薄膜厚度在1nm～50nm的之间。

17.根据权利要求13所述的制造具结晶结构的透明导电薄膜的方法，其中步骤(3)沉积的另一透明导电薄膜成份包括氧化铟锡、氧化铟锗、氧化铟钛、氧化铟钨或氧化铟钼其中之一。

18.根据权利要求13所述的制造具结晶结构的透明导电薄膜的方法，其中步骤(3)沉积的另一透明导电薄膜厚度在5nm～30nm的之间。

19.根据权利要求13所述的制造具结晶结构的透明导电薄膜的方法，其中步骤(4)沉积的又一透明导电薄膜厚度在15nm～80nm的之间。

20.根据权利要求13所述的制造具结晶结构的透明导电薄膜的方法，其中所述基板预先沉积有至少一层折射率高于2.0的光学调整层。

21.根据权利要求20所述的制造具结晶结构的透明导电薄膜的方法，其中所述光学调整层材质包含硫化锌-氧化硅、氮化硅、氧化锑、五氧化二铌、五氧化二钽、二氧化钛等介电材质其中之一或是其组合。