CN102082983B

CN102082983B - 爆音抑制电路

Info

Publication number: CN102082983B
Application number: CN200910310517XA
Authority: CN
Inventors: 吴俊德
Original assignee: Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd; Hon Hai Precision Industry Co Ltd
Current assignee: Nanning Fulian Fugui Precision Industrial Co Ltd
Priority date: 2009-11-26
Filing date: 2009-11-26
Publication date: 2013-11-06
Anticipated expiration: 2029-11-26
Also published as: US8218776B2; US20110123033A1; CN102082983A

Abstract

本发明提供一种爆音抑制电路，其包括串联的信号采集电路、电压峰值累积电路、延时电路、正向施密特触发电路、反向电路及与正向施密特触发电路和反向电路相连接的静音电路；信号采集电路采集左右声道中的正负电压突破；电压峰值累积电路对采集的正负电压突破的电压进行累积；当电压峰值累积电路所累积的电压超过延时电路的导通电压后，对一充电电容进行充电；正向施密特触发电路根据充电电容的电压产生高低电平；反向电路对正向施密特触发电路输出的电平反向；静音电路在正向施密特触发电路输出高电平，反向电路输出低电平时，让左右声道导通。本发明在检测到正负电压突破时，保持一段时间的延时后再触发左右声道导通，实现对正负电压突破的消除。

Description

爆音抑制电路

技术领域

本发明涉及一种电路设计技术，尤其涉及一种爆音抑制电路。

背景技术

视听类电子设备在开关机时，由于输出的声音信号受到电源启动时的突波的干扰，使得在声音信号输出前左右声道中可能存在正电压突破或负电压突破，从而导致在声音信号输出前有“爆音”现象产生。传统上为确决这种不良的声音品质，也即解决“爆音”现象，会在声音输出线路内加入一爆音抑制电路，用以消除电源的突波。

然而，传统的爆音抑制电路是在电源启动的瞬间就产生一静音讯号，以消除视听类电子设备在开关机的瞬间所输出的所有信号强制拉低。这就导致在电子设备中内设一个定时模块对爆音抑制电路产生静音讯号的时间进行控制，但是定时模块所设定的时间固定，无法在正负电压突破消除后立即让左右声道导通，从而让正常的声音讯号通过。

发明内容

有鉴于此，有必要提供一种在正负电压突破消除后立即让左右声道导通的爆音抑制电路。

一种爆音抑制电路，其包括依次串联的信号采集电路、电压峰值累积电路、延时电路、正向施密特触发电路、反向电路及与正向施密特触发电路和反向电路相连接的静音电路；所述信号采集电路用于采集左右声道中的正负电压突破；所述电压峰值累积电路用于对信号采集电路采集的正负电压突破的电压进行累积；当电压峰值累积电路所累积的电压超过延时电路的导通电压后，对延时电路中的一充电电容进行充电；所述正向施密特触发电路根据充电电容的充电电压对应产生高低电平；所述反向电路对正向施密特触发电路输出的电平进行反向；所述静音电路与左右声道连接，并在正向施密特触发电路输出高电平，反向电路输出低电平时，左右声道导通。

相较于已知技术，本发明提供的爆音抑制电路在侦测到左右声道中存在的正负电压突破后，再经过一段时间的延时后再控制左右声道导通，从而不仅完成对左右声道中正负电压突破的消除，还可及时的让正常的声音讯号通过。

附图说明

图1为本发明实施方式提供的爆音抑制电路的电路图。

主要元件符号说明

爆音抑制电路	100
		信号采集电路	10
电压峰值累积电路	20
		延时电路	30
正向施密特触发电路	40
		反向电路	50
静音电路	60
		左声道静音电路	61
右声道静音电路	62

具体实施方式

下面将结合附图对本发明实施方式作进一步的详细说明。

请参阅图1，为本发明实施方式提供的一种爆音抑制电路100，其用于对视听类电子设备在开关机时左右声道LC、RC中产生的正电压突破或负电压突破进行抑制。所述左右声道LC、RC连接于一音频输出端口Vout及一喇叭Sp之间。所述爆音抑制电路100包括信号采集电路10、电压峰值累积电路20、延时电路30、正向施密特触发电路40、反向电路50及静音电路60。

所述信号采集电路10包括第一放大器U1、第二放大器U2、第三放大器U3、第四放大器U4、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3及第四电阻R4；所述第一放大器U1的正向输入端与左声道LC相连接，负向输入端与输出端相连接；所述第二放大器U2的正向输入端接地，负向输入端通过所述第一电阻R1与左声道LC相连接并通过所述第二电阻R2与输出端相连接；所述第三放大器U3的正向输入端与右声道RC相连接，负向输入端与输出端相连接；所述第四放大器U4的正向输入端接地，负向输入端通过所述第三电阻R3与右声道RC相连接并通过所述第四电阻R4与输出端相连接。本实施方式中，所述第一、第二、第三、第四放大器U1、U2、U3、U4的型号为LM324，第一电阻R1与第三电阻R3的阻值为20KΩ，所述第二电阻R2与第四电阻R5的阻值为40KΩ，所述第一、第二、第三、第四放大器U1、U2、U3、U4的正负电源端分别连接+12V和-12V的电压。

所述电压峰值累积电路20包括第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3、第四二极管D4、第五电阻R5及累积电容C1；所述第一二极管D1的阳极与第一放大器U1的输出端相连接，所述第二二极管D2的阳极与第二放大器U2的输出端相连接，所述第三二极管D3的阳极与第三放大器U3的输出端相连接，所述第四二极管D4的阳极与第四放大器U4的输出端相连接；所述第五电阻R5的一端与第一至第四二极管D1、D2、D3、D4的阴极相连接，另一端与累积电容C1相连接；所述累积电容C1的另一端接地。本实施方式中，所述第五电阻R5的阻值为100Ω，累积电容C1的电容量为6.8uF。

所述延时电路30包括第一N-MOS管M1、第六电阻R6及充电电容C2；所述第一N-MOS管M1的漏极d连接一正电压，栅极g连接于第五电阻R5与累积电容C1之间，源极s与第六电阻R6的一端相连接；所述第六电阻R6的另一端与充电电容C2的一端相连接，充电电容C2的另一端接地。本实施方式中，第六电阻R6的阻值为4.7KΩ，充电电容C2的电容量为68uF。

所述正向施密特触发电路40包括第五放大器U5、第七电阻R7、第八电阻R8、第九电阻R9及第十电阻R10；所述第五放大器U5的正向输入端连接于第六电阻R6及充电电容C2之间，且正向输入端通过第九电阻R9与输出端相连接，负向输入端连接于第七电阻R7与第八电阻R8之间；所述第七电阻R7另一端连接一正电压；所述第八电阻R8的另一端接地；所述第十电阻R10的一端与第五放大器U5的输出端相连接，另一端连接至一正电压。本实施方式中，所述第五放大器U5的正负电源端分别连接+3.3V和-3.3V的电压，第七电阻R7的阻值为10KΩ，第八电阻R8的阻值为510Ω，第九电阻R9的阻值为20KΩ，第十电阻R10的阻值为2.2KΩ，所述正电压为+3.3V。

所述反向电路50包括第一P-MOS管M2、第二N-MOS管M3及第十一电阻R11；所述第一P-MOS管M2的栅极g与第二N-MOS管M3的栅极g相连接并连接至第五放大器U5的输出端，所述第一P-MOS管M2的漏极d连接一正电压，所述第二N-MOS管M3的源极s连接一负电压，所述第一P-MOS管M2的源极s与第二N-MOS管M3的漏极d相连接并连接至第十一电阻R11的一端；所述第十一电阻R11的另一端接地。本实施方式中，所述第十一电阻R11的阻值为10KΩ，所述负电压为-3.3V。

所述静音电路60包括左声道静音电路61和右声道静音电路62。所述左声道静音电路61包括第五二极管D5、第六二极管D6、第一三极管Q1、第二三极管Q2、第十二电阻R12及第十三电阻R13；所述第五二极管D5的阴极连接于第一P-MOS管M2的源极s与第二N-MOS管M3的漏极d之间，阳极与第一三极管Q1的基极相连接；所述第一三极管Q1的发射极接地，集电极与左声道LC相连接；所述第十二电阻R12的一端连接于第五二极管D5的阳极与第一三极管Q1的基极之间，另一端连接一正电压；所述第六二极管D6的阳极连接于第五放大器U5的输出端，阴极与第二三极管Q2的基极相连接；所述第二三极管Q2的发射极接地，集电极与左声道LC相连接；所述第十三电阻R13的一端连接于第六二极管D6的阳极与第二三极管Q2的基极之间，另一端连接一负电压。所述右声道静音电路62包括第七二极管D7、第八二极管D8、第三三极管Q3、第四三极管Q4、第十四电阻R14及第十五电阻R15；所述第七二极管D7的阴极连接于第一P-MOS管M2的源极s与第二N-MOS管M3的漏极d之间，阳极与第三三极管Q3的基极相连接；所述第三三极管Q3的发射极接地，集电极与右声道RC相连接；所述第十四电阻R14的一端连接于第七二极管D7的阳极与第三三极管Q3的基极之间，另一端连接一正电压；所述第八二极管D8的阳极连接于第五放大器U5的输出端，阴极与第四三极管Q4的基极相连接；所述第四三极管Q4的发射极接地，集电极与右声道RC相连接；所述第十五电阻R15的一端连接于第八二极管D8的阳极与第四三极管Q4的基极之间，另一端连接一负电压。本实施方式中，所述第十二至十五电阻R12、R13、R14、R15的阻值都为10KΩ。

在使用的初始状态下，所述第一N-MOS管M1关闭，所述第五放大器U5的正向输入端的电压为低电平，经过正向施密特触发电路40的作用后，从第五放大器U5的输出端输出低电平，使反向电路50中的第一P-MOS管M2栅极g而第二N-MOS管M3截止，从而第一P-MOS管M2的漏极d与源极s相连通输出高电平。由于第五二极管D5及第七二极管D7的阴极为高电平，第六二极管D6及第八二极管D8的阳极为低电平，从而使第五至第八二极管D5、D6、D7、D8截止，则第一至第四三极管Q1、Q2、Q3、Q4导通，从而将左右声道LC、RC的电压拉低为0。

当左右声道LC、RC中存在正电压突破或负电压突破时，经过第一至第四放大器U1、U2、U3或U4整流放大后的电压分别通过第一至第四二极管U1、U2、U3、U4及第五电阻R5后对累积电容C1进行充电。当累积电容C1所累积的电压高于第一N-MOS管M1的门槛电压，使得第一N-MOS管M1的源极s和漏极d导通。连接于第一N-MOS管M1的漏极d的正电压对充电电容C2进行充电。在充电电容C2的电压上升至正向施密特触发电路40的正向阈值的过程中，所述正向施密特触发电路40输出低电平；从而使得左右声道静音电路61、62保持将左右声道LC、RC拉低为0，以防止突破讯号到达喇叭Sp，以产生“爆音”现象，从而实现对左右声道LC、RC中的正负电压突破实现消除。

当充电电容C2的电压超过正向施密特触发电路40的正向阈值后，所述正向施密特触发电路40的输出端输出高电平，使反向电路50中的第一P-MOS管M2截止而第二N-MOS管M3导通，从而第二N-MOS管M3的漏极d与源极s相连通输出低电平。由于第五二极管D5及第七二极管D7的阴极为低电平，第六二极管D6及第八二极管D8的阳极为高电平，从而使第五至第八二极管D5、D6、D7、D8导通，则第一至第四三极管Q1、Q2、Q3、Q4截止，从而使得左右声道LC、RC中在正负突破电压之后的正常声音讯号通过。

本发明提供的爆音抑制电路在侦测到左右声道中存在的正负电压突破后，再经过一段时间的延时后再控制左右声道导通，从而不仅完成对左右声道中正负电压突破的消除，还可及时的让正常的声音讯号通过。

虽然本发明已以较佳实施方式披露如上，但是，其并非用以限定本发明，另外，本领域技术人员还可以在本发明精神内做其它变化等。当然，这些依据本发明精神所做的变化，都应包含在本发明所要求保护的范围之内。

Claims

1.一种爆音抑制电路，其包括依次串联的信号采集电路、电压峰值累积电路、延时电路、正向施密特触发电路、反向电路及与正向施密特触发电路和反向电路相连接的静音电路；所述信号采集电路用于采集左右声道中的正负电压突破；所述电压峰值累积电路用于对信号采集电路采集的正负电压突破的电压进行累积；当电压峰值累积电路所累积的电压超过延时电路的导通电压后，对延时电路中的一充电电容进行充电；所述正向施密特触发电路根据充电电容的充电电压对应产生高低电平；所述反向电路对正向施密特触发电路输出的电平进行反向；所述静音电路与左右声道连接，并在正向施密特触发电路输出高电平，反向电路输出低电平时，使得左右声道导通。

2.如权利要求1所述的爆音抑制电路，其特征在于，所述信号采集电路包括第一放大器、第二放大器、第三放大器及第四放大器；所述第一放大器的正向输入端与左声道相连接，负向输入端与输出端相连接；所述第二放大器的正向输入端接地，负向输入端通过一第一电阻与左声道相连接并通过一第二电阻与输出端相连接；所述第三放大器的正向输入端与右声道相连接，负向输入端与输出端相连接；所述第四放大器的正向输入端接地，负向输入端通过一第三电阻与右声道相连接并通过一第四电阻与输出端相连接。

3.如权利要求2所述的爆音抑制电路，其特征在于，所述电压峰值累积电路包括第一二极管、第二二极管、第三二极管、第四二极管、第五电阻及累积电容；所述第一二极管的阳极与第一放大器的输出端相连接，所述第二二极管的阳极与第二放大器的输出端相连接，所述第三二极管的阳极与第三放大器的输出端相连接，所述第四二极管的阳极与第四放大器的输出端相连接；所述第五电阻的一端与第一至第四二极管的阴极相连接，另一端与累积电容相连接；所述累积电容的另一端接地。

4.如权利要求3所述的爆音抑制电路，其特征在于，所述延时电路包括第一N-MOS管、第六电阻及充电电容；所述第一N-MOS管的漏极连接一正电压，栅极连接于第五电阻与累积电容之间，源极与第六电阻的一端相连接；所述第六电阻的另一端与充电电容的一端相连接，充电电容的另一端接地。

5.如权利要求4所述的爆音抑制电路，其特征在于，所述正向施密特触发电路包括第五放大器、第七电阻、第八电阻、第九电阻及第十电阻；所述第五放大器的正向输入端连接于第六电阻及充电电容之间，且正向输入端通过第九电阻与输出端相连接，负向输入端连接于第七电阻与第八电阻之间；所述第七电阻另一端连接一正电压；所述第八电阻的另一端接地；所述第十电阻的一端与第五放大器的输出端相连接，另一端连接至一正电压。

6.如权利要求5所述的爆音抑制电路，其特征在于，所述反向电路包括第一P-MOS管、第二N-MOS管及第十一电阻；所述第一P-MOS管的栅极与第二N-MOS管的栅极相连接并连接至第五放大器的输出端，所述第一P-MOS管的漏极连接一正电压，所述第二N-MOS管的源极连接一负电压，所述第一P-MOS管的源极与第二N-MOS管的漏极相连接并连接至第十一电阻的一端；所述第十一电阻的另一端接地。

7.如权利要求6所述的爆音抑制电路，其特征在于，所述静音电路包括左声道静音电路和右声道静音电路，所述左声道静音电路和右声道静音电路的一端都分别与第五放大器的输出端及第一P-MOS管的源极相连接，左声道静音电路的另一端与左声道相连接，右声道静音电路的另一端与右声道相连接。

8.如权利要求7所述的爆音抑制电路，其特征在于，所述左声道静音电路包括第五二极管、第六二极管、第一三极管、第二三极管、第十二电阻及第十三电阻；所述第五二极管的阴极连接于第一P-MOS管的源极与第二N-MOS管的漏极之间，阳极与第一三极管的基极相连接；所述第一三极管的发射极接地，集电极与左声道相连接；所述第十二电阻的一端连接于第五二极管的阳极与第一三极管的基极之间，另一端连接一正电压；所述第六二极管的阳极连接于第五放大器的输出端，阴极与第二三极管的基极相连接；所述第二三极管的发射极接地，集电极与左声道相连接；所述第十三电阻的一端连接于第六二极管的阳极与第二三极管的基极之间，另一端连接一负电压。

9.如权利要求7所述的爆音抑制电路，其特征在于，所述右声道静音电路包括第七二极管、第八二极管、第三三极管、第四三极管、第十四电阻及第十五电阻；所述第七二极管的阴极连接于第一P-MOS管的源极与第二N-MOS管的漏极之间，阳极与第三三极管的基极相连接；所述第三三极管的发射极接地，集电极与右声道相连接；所述第十四电阻的一端连接于第七二极管的阳极与第三三极管的基极之间，另一端连接一正电压；所述第八二极管的阳极连接于第五放大器的输出端，阴极与第四三极管的基极相连接；所述第四三极管的发射极接地，集电极与右声道相连接；所述第十五电阻的一端连接于第八二极管的阳极与第四三极管的基极之间，另一端连接一负电压。

10.如权利要求1所述的爆音抑制电路，其特征在于，所述左右声道连接于一音频输出端口及一喇叭之间。