CN102079893A - 玻璃钝化披覆gpp芯片电泳液 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种玻璃钝化披覆GPP芯片电泳液，它由以下组分组成：体积百分比为93.75％的异丙醇，体积百分比为6.25％的酸性界面活性剂；在每10000ml上述混合液中添加375g玻璃粉。由于采用本发明的技术方案，减少了有机物载体的含量和成分，全部改用较小分子量60.1的异丙醇。同时采用酸性界面活性剂(EVO)作为调整剂，新型电泳溶液配方使得电泳液的定向性能和玻粉附着的致密度和牢固度更好，玻璃的造型更优良；玻璃烧结后有机物的残留和烧不尽导致的C单质残留更少，产品的常温IR更小；并且由于采用了酸性界面活性剂，它对玻粉的附着力强，电泳液的悬浮效果优于传统配方的电泳液。
Description
技术领域
本发明涉及GPP芯片的生产工艺，尤其是涉及该生产工艺中玻璃钝化披覆GPP芯片的电泳液。
背景技术
要提升半导体芯片的可靠性，首先需要解决的是半导体芯片裸露的PN结位置的洁净度，尽可能减少可导电物质在PN结表面的存在。同时，保持GPP玻璃厚度是一个关键，而重点在于设计和控制玻璃的均一性。因为我们既需要较厚的玻璃厚度，保证芯片保护位置的绝缘耐压强度，不至于在使用中形成玻璃保护层的击穿而使芯片失效，又要求玻璃不要太厚或局部太厚，使作为玻粉载体的有机物在氧化烧结的过程中能够完全的被烧除，形成CO2，而不要碳化形成单质的C沉积在芯片的PN结表面而形成漏电通道，导致产品的常温IR高，而高温下的IR就更高而容易失效。同时尽可能少的使用有机物载体，使烧玻璃的时候能够更有效的消除C单质残留，提升可靠性。目前的玻璃钝化披覆GPP芯片电泳液组分为乙酸乙酯、异丙醇、氨水、玻璃粉，其中，乙酸乙酯占主要成分。该配方在使用中会出现上述缺陷。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对背景技术的缺陷，提供一种玻璃钝化披覆GPP芯片电泳液，使玻璃烧结后有机物的残留和烧不尽导致的C单质残留更少，产品的常温IR更小。为此，本发明采用以下技术方案：它由以下组分组成：体积百分比为93.75％的异丙醇，体积百分比为6.25％的酸性界面活性剂；在每10000ml上述混合液中添加375g玻璃粉。
由于采用本发明的技术方案，减少了有机物载体的含量和成分，去除原分子量为88.1的乙酸乙酯，全部改用较小分子量60.1的异丙醇。同时采用酸性界面活性剂(EVO)作为调整剂，新型电泳溶液配方有如下优点：
(1)、采用了更好的功能团的成分，吸附较多的电荷，电泳液的定向性能和玻粉附着的致密度和牢固度更好，玻璃的造型更优良。
(2)、由于采用了更低分子量的高分子有机载体，玻璃烧结后有机物的残留和烧不尽导致的C单质残留更少，产品的常温IR更小。
(3)、由于采用了酸性界面活性剂，它对玻粉的附着力强，电泳液的悬浮效果优于传统配方的电泳液，因此溶液长时间放置后只需要短时间的超声处理即可重复使用，能够使利用本发明的电泳液的电泳生产保持较高的连续性，而不需要像传统电泳液那样使用前需要超声2小时，使用过程不能够中断，中断后导致电泳液的浪费或需要重新进行2小时超声处理。
附图说明
图1为利用传统配方电泳液的GPP芯片的玻璃造型图。
图2为利用本发明电泳液的GPP芯片的玻璃造型图。
图3为利用传统配方电泳液的GPP芯片IR离散图。
图4为利用本发明电泳液的GPP芯片IR离散图。
具体实施方式
本发明电泳液的配方为：它由以下组分组成：体积百分比为93.75％的异丙醇，体积百分比为6.25％的酸性界面活性剂；在每10000ml上述混合液中添加375g玻璃粉。
以下结合附图说明本发明电泳液的技术效果。
1、玻璃造型均一性改善
如图1和2所示，传统电泳配方存在以下缺陷：一是定向性不好，即电泳过程中，芯片不需要玻璃保护的地方会上玻璃，导致玻璃烧结完后还要对不需要玻璃的地方进行去玻璃处理；利用本发明的电泳液，完全消除了该问题的存在。既能够保证了玻璃的耐压强度，又能够保证玻粉中有机物载体的烧除效果。
2、常温和高温漏电流小：
由于采用了小分子量的有机载体，同时玻璃的厚度适中，从而保证本发明电泳液的有机杂质能够去除干净，减少其污染影响得到小的漏流。
(1)常温漏电流比较：
分别收集和统计4批各2K的利用本发明电泳液的GPP芯片和利用传统电泳液的GPP芯片，对其常温漏流数据进行比较，结果见图3和图4，发现利用本发明电泳液的GPP芯片的漏流小而集中。
(2)高温漏流比较：
下表为利用本发明电泳液的GPP芯片和利用传统电泳液的GPP芯片的不同温度的漏流数据，表明本发明电泳液的GPP芯片高温漏流更小可靠性更高。
Claims (1)
1.玻璃钝化披覆GPP芯片电泳液，其特征在于它由以下组分组成：
体积百分比为93.75％的异丙醇，体积百分比为6.25％的酸性界面活性剂；在每10000ml上述混合液中添加375g玻璃粉。
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104465330A (zh) * | 2014-12-25 | 2015-03-25 | 安徽安芯电子科技有限公司 | 整流二极管、芯片及其制作方法 |
| CN108364868A (zh) * | 2017-12-29 | 2018-08-03 | 济南兰星电子有限公司 | 降低半导体器件反向漏电流的方法 |
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