CN102074618A - 一种制造细栅晶硅太阳电池的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种制造细栅晶硅太阳电池的方法，其特征在于，它是利用丝网印刷工艺，使晶硅电池的正面形成线宽很细的栅线，并采用化学镀银的方法在栅线上镀一层薄银。本发明化学镀银均匀性好、具有很好的填孔能力、栅线展宽小、耗银量少，使得化学镀银比电镀银有更大的实用价值。

Description

       一种制造细栅晶硅太阳电池的方法                      
技术领域
本发明涉及电池技术领域，更具体的是涉及一种制作细栅晶硅太阳电池的方法。
背景技术
太阳能电池是一种利用光生伏打效应把光能转换成电能的器件，又叫光伏器件。将太阳光能转换成电能的固体半导体器件，又称太阳能电池或光电池，是太阳电池阵电源系统的重要元件。太阳能电池主要有单晶硅电池和单晶砷化镓电池等。单晶硅太阳电池的基本材料为纯度达0.999999、电阻率在10欧·厘米以上的P型单晶硅，包括p-n结、电极和减反射膜等部分，受光照面加透光盖片（如石英或渗铈玻璃）保护，防止电池受外层空间范爱伦带内高能电子和质子的辐射损伤。
发明内容
本发明的目的就是为了解决现有技术之不足而提供的一种化学镀银均匀性好、具有很好的填孔能力、栅线展宽小、耗银量少，使得化学镀银比电镀银有更大的实用价值的制造细栅晶硅太阳电池的方法。
本发明是采用如下技术解决方案来实现上述目的：一种制造细栅晶硅太阳电池的方法，其特征在于，它是利用喷墨打印技术，使晶硅电池的正面形成线宽很细的栅线，并采用化学镀银的方法在栅线上镀一层薄银。
作为上述方案的进一步说明，喷墨打印技术的工艺步骤为:电池片在镀膜后，首先印刷背电极和铝背场，然后使用喷墨打印机器，在电池片正面形成线宽很细的栅线图案。
 
所述化学镀银的方法步骤为：在电池片正面印刷线宽很细的栅线，烧结后将电池片放入化学镀银液中，并且用LED白光照射电池片正面。在光的作用下，电池栅线上积累大量的负电荷，这些负电荷吸引化学镀银液中的银离子，使银在栅线上还原沉积。
所述化学镀银液由金属银离子、络合物、还原剂以及辅助剂组成。
本发明采用上述技术解决方案所，能达到的有益效果是：
本发明由于化学镀银均匀性好、具有很好的填孔能力、栅线展宽小、耗银量少，使得化学镀银比电镀银有更大的实用价值。
附图说明
图1为本发明喷墨打印设备结构示意图；
附图标记说明：1、喷墨打印机  2、电池片。
具体实施方式
如图1所示，本发明一种制造细栅晶硅太阳电池的方法，它是利用喷墨打印技术，使晶硅电池的正面形成线宽很细的栅线，由于栅线很细，电阻很高，后续采用化学镀银的方法在栅线上镀一层薄银，增加栅线的电导率。其中，喷墨打印技术的工艺步骤为:电池片在镀膜后，首先印刷背电极和铝背场，然后使用喷墨打印机1，在电池片2正面形成线宽很细的栅线图案。喷墨打印技术的主要原理为：采用粘度低、银颗粒度小的新型浆料，通过气压将这种浆料从很细的管口喷出，如图1。
化学镀银的方法步骤为：在电池片正面印刷线宽很细的栅线，烧结后将电池片放入化学镀银液中，并且用LED白光照射电池片正面；在光的作用下，电池栅线上积累大量的负电荷，这些负电荷吸引化学镀银液中的银离子，使银在栅线上还原沉积。
化学镀银液由金属银离子，络合物，还原剂以及辅助剂组成。化学镀银的主要原理是化学镀银液中的还原剂与金属离子发生氧化还原反应。相比于电镀银来说，化学镀银不需要电源、银阳极板，因此节约了成本。而且使工艺设备的结构容易实现，方便维护，对于工业化由很大的实用价值。
以上所述的仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明创造构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。

Claims (4)

1.一种制造细栅晶硅太阳电池的方法，其特征在于，它是利用丝网印刷工艺，使晶硅电池的正面形成线宽很细的栅线，并采用化学镀银的方法在栅线上镀一层薄银。
2.根据权利要求1所述的一种制造细栅晶硅太阳电池的方法，其特征在于，喷墨打印技术的工艺步骤为:电池片在镀膜后，首先印刷背电极和铝背场，然后使用喷墨打印机器，在电池片正面形成线宽很细的栅线图案。
3.根据权利要求2所述的一种制造细栅晶硅太阳电池的方法，其特征在于，所述化学镀银的方法步骤为：在电池片正面印刷线宽很细的栅线，烧结后将电池片放入化学镀银液中，并且用LED白光照射电池片正面。
4.根据权利要求3所述的一种制造细栅晶硅太阳电池的方法，其特征在于，所述化学镀银液由金属银离子、络合物、还原剂以及辅助剂组成。
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PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

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