CN203103335U - 一种双面受光太阳电池 - Google Patents
一种双面受光太阳电池 Download PDFInfo
- Publication number
- CN203103335U CN203103335U CN2012207276521U CN201220727652U CN203103335U CN 203103335 U CN203103335 U CN 203103335U CN 2012207276521 U CN2012207276521 U CN 2012207276521U CN 201220727652 U CN201220727652 U CN 201220727652U CN 203103335 U CN203103335 U CN 203103335U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- solar cell
- sided light
- subjected
- back surface
- passivation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本实用新型公开了一种双面受光太阳电池，所述太阳电池采用P型硅片为硅衬底作为所述太阳电池的基区，所述硅衬底的前表面由内至外依次设有发射极、前钝化及减反射层和前电极，所述硅衬底的背表面设有硼背场、背钝化及减反射层和背电极。采用本实用新型，所述双面受光太阳电池采用硼背场，可以使入射或者反射到其背面的太阳光能够穿透太阳电池背面，并在其背表面处及内部被充分吸收和利用，使该太阳电池能够双面接受和利用太阳光，提高晶硅太阳电池的光电转换效率，并且，降低太阳电池背面的弯曲度，降低太阳电池在封装过程中产生的碎片率。
Description
技术领域
本实用新型涉及晶硅太阳电池技术领域，特别涉及一种双面受光太阳电池。
背景技术
太阳电池是一种利用光生伏打效应把光能转换成电能的器件。目前，在商业化的常规晶硅太阳电池背面是采用铝背场，所述铝背场通常是由印刷铝浆并经过烧结形成，其表面形成一层较厚的铝浆层。但是，现有采用铝背场的太阳电池具有以下缺点：
一、太阳电池模组在实际安装后，由于云层的折射或者地面的反射，有部分太阳光入射或者反射至太阳电池模组背面。由于常规太阳电池的铝背场是不能透过太阳光，因此，入射或者反射至其背面的太阳光不能被吸收和利用，降低了太阳光的利用率，限制了太阳电池光电转换效率的提高。
二、为了获得较高的开路电压，太阳电池需要形成较厚的铝背场层，但是由于硅、铝的热膨胀系数不一样，太厚的铝背场将导致硅片弯曲度非常大。弯曲度较大的太阳电池片在封装过程中，因受玻璃板及背板的挤压，易导致碎片。
发明内容
本实用新型实施例所要解决的技术问题在于，提供一种双面受光太阳电池，使入射或者反射到其背面的太阳光能够穿透该太阳电池背面，并在其背表面处及内部被充分吸收和利用，使该太阳电池能够双面接受和利用太阳光，提高晶硅太阳电池的光电转换效率。
本实用新型实施例所要解决的技术问题还在于，提供一种双面受光太阳电池，降低太阳电池背面的弯曲度，降低太阳电池在封装过程中产生的碎片率。
为达到上述技术效果，本实用新型实施例提供了一种双面受光太阳电池，所述太阳电池采用P型硅片为硅衬底作为所述太阳电池的基区，所述硅衬底的前表面由内至外依次设有发射极、前钝化及减反射层和前电极，所述硅衬底的背表面设有硼背场、背钝化及减反射层和背电极。
作为上述方案的改进，所述背钝化及减反射层为电介质薄膜和氮化硅薄膜形成的复合层。
作为上述方案的改进，所述电介质薄膜设于所述硼背场上，所述氮化硅薄膜设于所述电介质薄膜上。
作为上述方案的改进，所述电介质薄膜为二氧化硅层。
作为上述方案的改进，所述二氧化硅层的厚度为5nm-80nm。
作为上述方案的改进，所述电介质薄膜为三氧化二铝层。
作为上述方案的改进，所述三氧化二铝层的厚度为5nm-50nm。
作为上述方案的改进，所述硼背场的厚度为0.5um-5um。
作为上述方案的改进，所述前钝化及减反射层为氮化硅薄膜。
作为上述方案的改进，所述发射极为N型发射极。
实施本实用新型具有如下有益效果：
本实用新型一种双面受光太阳电池，与现有技术相比，其在P型晶硅太阳电池背面，使用硼扩散，形成硼背场代替原来的铝背场。所述硼背场可以使背面的太阳光能够达到太阳电池背表面及内部，并在硼背电场作用下，将入射到太阳电池背面光产生的载流子收集。
进一步，所述硅衬底的背表面设有背钝化及减反射层，所述背钝化及减反射层为电介质薄膜和氮化硅薄膜形成的复合层，所述电介质薄膜可采用二氧化硅层或三氧化二铝层。背面复合电介质薄膜和氮化硅薄膜是为了对背表面进行钝化和减反射，钝化是为了减少背表面电子和空穴对的复合，减反射是减少入射或者反射至背面太阳光的反射损耗。
因此，本实用新型双面受光太阳电池可以使入射或者反射到其背面的太阳光能够穿透该太阳电池背面，并在其背表面处及内部被充分吸收和利用，使该太阳电池能够双面接受和利用太阳光，提高晶硅太阳电池的光电转换效率。
此外，本实用新型设有硼背场，与铝背场相比，所述硼背场掺杂厚度较薄，且无较厚的浆料层。因此，所述太阳电池的弯曲度将显著降低，可以有效降低太阳电池在封装过程中产生的碎片率。
附图说明
图1为本实用新型一种双面受光太阳电池的结构示意图。
具体实施方式
为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本实用新型作进一步地详细描述。
如图1所示，本实用新型实施例提供了一种双面受光太阳电池，所述太阳电池采用P型硅片为硅衬底4作为所述太阳电池的基区，所述硅衬底4的前表面由内至外依次设有发射极3、前钝化及减反射层2以及前电极1，所述硅衬底4的背表面设有硼背场5、背钝化及减反射层和背电极8。所述背钝化及减反射层为电介质薄膜6和氮化硅薄膜7形成的复合层。本实用新型通过前电极1和背电极8，使晶硅太阳电池的前后表面及负载形成一个闭合回路，该电路导通。
需要说明的是，前钝化及减反射层2为氮化硅薄膜，所述发射极3为N型发射极。所述硼背场5的厚度可以为但不限于0.5um-5um。
本实用新型双面受光太阳电池，与现有技术相比，其在P型晶硅太阳电池背面，使用硼扩散，形成硼背场5代替原来的铝背场。所述硼背场5可以使背面的太阳光能够达到太阳电池背表面及内部，并在硼背电场作用下，将入射到太阳电池背面光产生的载流子收集。因此，所述双面受光太阳电池可以使入射或者反射到其背面的太阳光能够穿透该太阳电池背面，并在其背表面处及内部被充分吸收和利用，使该太阳电池能够双面接受和利用太阳光，提高晶硅太阳电池的光电转换效率。
进一步，所述背钝化及减反射层为电介质薄膜6和氮化硅薄膜7形成的复合层。所述电介质薄膜6设于所述硼背场5上，所述氮化硅薄膜7设于所述电介质薄膜6上。
优选的，所述电介质薄膜6为二氧化硅层，所述二氧化硅层的厚度为5nm-80nm。更佳的，所述二氧化硅层的厚度为10nm-30nm。
优选的，所述电介质薄膜6为三氧化二铝层，所述三氧化二铝层的厚度为5nm-50nm。更佳的，所述三氧化二铝层的厚度为10nm-30nm。
进一步优选的，本实用新型电介质薄膜6的厚度可以为10nm-20nm，氮化硅薄膜7可以为75nm-85nm，但不限于此。
在太阳电池的背面复合电介质薄膜6和氮化硅薄膜7是为了对背表面进行钝化和减反射，钝化是为了减少背表面电子和空穴对的复合，减反射是减少入射或者反射至背面太阳光的反射损耗。
综上所述，本实用新型的工作原理如下：在P型晶硅太阳电池背面，使用硼扩散，形成硼背场5代替原来的铝背场，在后表面形成高低结，并在背面热氧化或沉积电介质薄膜6（电介质薄膜6通常是SiO2或Al2O3，用于对所述背表面进行钝化），沉积氮化硅薄膜7，用于对所述背表面进行钝化和减反射，印刷银铝浆背面栅线，并经过烧结在背面形成背电极8。当太阳光入射或者反射到该电池背面时，将穿过背面的电介质薄膜6，被背面硅层吸收，在后表面硼掺杂形成高低结的背电场作用下，产生的光生载流子将被收集和利用，提高背面太阳光的利用，使该太阳电池能够双面接受和利用太阳光，从而提高了太阳电池的光电转换效率。
此外，由于用硼扩散形成的硼背场5代替传统铝浆烧结所形成的铝背场，背面无铝浆层，太阳电池片弯曲度较小，可以有效降低太阳电池在封装过程中产生的碎片率。
以上所揭露的仅为本实用新型的优选实施例而已，当然不能以此来限定本实用新型之权利范围，因此依本实用新型申请专利范围所作的等同变化，仍属本实用新型所涵盖的范围。
Claims (10)
1.一种双面受光太阳电池，所述太阳电池采用P型硅片为硅衬底作为所述太阳电池的基区，其特征在于，所述硅衬底的前表面由内至外依次设有发射极、前钝化及减反射层和前电极，所述硅衬底的背表面设有硼背场、背钝化及减反射层和背电极。
2.如权利要求1所述的双面受光太阳电池，其特征在于，所述背钝化及减反射层为电介质薄膜和氮化硅薄膜形成的复合层。
3.如权利要求2所述的双面受光太阳电池，其特征在于，所述电介质薄膜设于所述硼背场上，所述氮化硅薄膜设于所述电介质薄膜上。
4.如权利要求2所述的双面受光太阳电池，其特征在于，所述电介质薄膜为二氧化硅层。
5.如权利要求4所述的双面受光太阳电池，其特征在于，所述二氧化硅层的厚度为5nm-80nm。
6.如权利要求2所述的双面受光太阳电池，其特征在于，所述电介质薄膜为三氧化二铝层。
7.如权利要求6所述的双面受光太阳电池，其特征在于，所述三氧化二铝层的厚度为5nm-50nm。
8.如权利要求1所述的双面受光太阳电池，其特征在于，所述硼背场的厚度为0.5um-5um。
9.如权利要求1所述的双面受光太阳电池，其特征在于，所述前钝化及减反射层为氮化硅薄膜。
10.如权利要求1所述的双面受光太阳电池，其特征在于，所述发射极为N型发射极。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2012207276521U CN203103335U (zh) | 2012-12-26 | 2012-12-26 | 一种双面受光太阳电池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2012207276521U CN203103335U (zh) | 2012-12-26 | 2012-12-26 | 一种双面受光太阳电池 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN203103335U true CN203103335U (zh) | 2013-07-31 |
Family
ID=48854715
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2012207276521U Expired - Lifetime CN203103335U (zh) | 2012-12-26 | 2012-12-26 | 一种双面受光太阳电池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN203103335U (zh) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103618007A (zh) * | 2013-10-18 | 2014-03-05 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种新型双面受光太阳电池 |
| CN104505406A (zh) * | 2014-12-29 | 2015-04-08 | 苏州强明光电有限公司 | 一种GaAs双面薄膜太阳能电池 |
| WO2016078365A1 (zh) | 2014-11-19 | 2016-05-26 | 上海神舟新能源发展有限公司 | 高效n型双面太阳电池 |
| CN110021673A (zh) * | 2019-04-18 | 2019-07-16 | 苏州腾晖光伏技术有限公司 | 一种双面太阳能电池及其制备方法 |
| CN111755563A (zh) * | 2020-05-26 | 2020-10-09 | 晶澳（扬州）太阳能科技有限公司 | 一种p型单晶硅硼背场双面电池及其制备方法 |
-
2012
- 2012-12-26 CN CN2012207276521U patent/CN203103335U/zh not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103618007A (zh) * | 2013-10-18 | 2014-03-05 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种新型双面受光太阳电池 |
| WO2016078365A1 (zh) | 2014-11-19 | 2016-05-26 | 上海神舟新能源发展有限公司 | 高效n型双面太阳电池 |
| CN104505406A (zh) * | 2014-12-29 | 2015-04-08 | 苏州强明光电有限公司 | 一种GaAs双面薄膜太阳能电池 |
| CN104505406B (zh) * | 2014-12-29 | 2017-08-25 | 苏州强明光电有限公司 | 一种GaAs双面薄膜太阳能电池 |
| CN110021673A (zh) * | 2019-04-18 | 2019-07-16 | 苏州腾晖光伏技术有限公司 | 一种双面太阳能电池及其制备方法 |
| CN111755563A (zh) * | 2020-05-26 | 2020-10-09 | 晶澳（扬州）太阳能科技有限公司 | 一种p型单晶硅硼背场双面电池及其制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103489934B (zh) | 一种双面透光的局部铝背场太阳能电池及其制备方法 | |
| CN203103335U (zh) | 一种双面受光太阳电池 | |
| CN101937944A (zh) | 双面钝化的晶体硅太阳电池的制备方法 | |
| CN208548372U (zh) | 一种双结太阳能电池 | |
| CN102903765B (zh) | 一种全铝背场晶体硅电池及其制备方法 | |
| CN102364691A (zh) | 具有上/下转换发光结构的晶体硅太阳能电池及制备方法 | |
| CN102364692A (zh) | 双面受光的全钝化结构晶体硅太阳能电池及其制作方法 | |
| CN207542252U (zh) | 一种晶体硅太阳能电池结构 | |
| CN204315603U (zh) | 一种背面抛光晶硅太阳能电池 | |
| CN103022174A (zh) | 一种基于n型硅片的金属贯穿式背发射极晶硅太阳电池及其制备方法 | |
| CN105118874A (zh) | 一种晶体硅太阳能电池及其制作方法 | |
| CN102201480A (zh) | 基于n型硅片的碲化镉半导体薄膜异质结太阳电池 | |
| CN108365025B (zh) | 一种双面perc电池及其制备方法 | |
| CN103178148A (zh) | 一种薄膜/异质结叠层太阳电池及其制造方法 | |
| CN106876513B (zh) | 一种等离极化激元横向异质集成的太阳电池 | |
| CN102738289A (zh) | 异质结太阳能电池及其制作方法 | |
| CN102263156A (zh) | 一种提高太阳能光伏电池转换效率的技术 | |
| CN202996849U (zh) | 一种全铝背场晶体硅电池 | |
| CN209658189U (zh) | 一种具有透明导电层的单多晶p型单面perc电池 | |
| CN208507688U (zh) | 能够提升背面光电转换效率的p型perc双面太阳能电池 | |
| CN102751370B (zh) | 一种双面异质结太阳电池的制备方法 | |
| CN202977494U (zh) | 一种晶体硅\非晶硅双节双面电池 | |
| CN201887050U (zh) | 一种激光烧结电极的太阳能电池 | |
| CN206878022U (zh) | 一种多晶硅薄膜太阳能电池 | |
| CN206628479U (zh) | P型perc双面太阳能电池的背面电极和电池 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CP03 | Change of name, title or address |
Address after: No. 69, C District, Sanshui Industrial Park, Sanshui, Foshan, Guangdong Patentee after: GUANGDONG AIKO SOLAR ENERGY TECHNOLOGY Co.,Ltd. Address before: 528100, Sanshui District, Guangdong City, Foshan Industrial Park, No. C District, No. 69 Patentee before: GUANGDONG AIKO SOLAR ENERGY TECHNOLOGY Co.,Ltd. |
|
| CP03 | Change of name, title or address | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20180212 Address after: 322009 Zhejiang city in Jinhua Province town of Yiwu City, Su Fuk Road No. 126 Co-patentee after: GUANGDONG AIKO SOLAR ENERGY TECHNOLOGY Co.,Ltd. Patentee after: ZHEJIANG AIKO SOLAR ENERGY TECHNOLOGY Co.,Ltd. Address before: No. 69, C District, Sanshui Industrial Park, Sanshui, Foshan, Guangdong Patentee before: GUANGDONG AIKO SOLAR ENERGY TECHNOLOGY Co.,Ltd. |
|
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| CX01 | Expiry of patent term |
Granted publication date: 20130731 |
|
| CX01 | Expiry of patent term |