CN102073154A - 驱动晶片及玻璃的结合构造与结合方法 - Google Patents

Abstract

一种驱动晶片及玻璃的结合构造与结合方法，该结合构造是在一驱动晶片的一表面设置数个聚合物凸块及数个导电凸块，且该聚合物凸块相对于该表面的高度小于该导电凸块相对于该表面的高度。当借由一胶膜的媒介将该驱动晶片热压接合固定在一玻璃基板上时，该聚合物凸块嵌入该胶膜内，并与该玻璃基板的表面保持一间距。该聚合物凸块可增加该驱动晶片与胶膜的接触面积以及该导电凸块与该玻璃基板的接垫之间的结合可靠度。

Description

驱动晶片及玻璃的结合构造与结合方法

【技术领域】

本发明是关于一种驱动晶片及玻璃的结合构造与结合方法，特别是关于一种利用聚合物凸块来增加结合可靠度的驱动晶片及玻璃及其结合构造与结合方法。

【背景技术】

现今，影音电子产品的普及进一步推动各种影像显示技术的快速发展，其中常见的影像显示技术包含液晶显示器(liquid crystal display，LCD)、电浆显示器(plasma display panel，PDP)及背投影显示器(digital l ightprocessing，DLP)等，这些影像显示技术常被应用于电脑监视器、电视、手机、数位相机、数位摄影机、MP3随身听、电动游戏机以及其它3C产品等电子产品中。上述电子产品应用都是以轻薄短小为发展趋势，因此势必需要高密度、小体积、便于安装的驱动晶片封装技术来满足以上需求，而薄膜覆晶(chip on film，COF)封装技术及玻璃覆晶(chip on glass，COG)封装技术正是在这种背景下迅速发展壮大，成为平面显示器的主要驱动晶片封装技术。

请参照图1所示，其揭示一种现有液晶显示器的玻璃覆晶封装构造，其中一玻璃基板10上设置有一液晶装置11及数个异方性导电膜(anisotropic conductive film，ACF)12、12’，该异方性导电膜12可供媒介电性连接一驱动晶片13，及该异方性导电膜12’可供媒介电性连接一软性电路板14，该软性电路板14再电性连接至其他控制电路。借此，该驱动晶片13可用以驱动该液晶装置11产生所需颜色及其变化，因而形成影像显示。

请参照图2A及图2B所示，其揭示现有驱动晶片的结合构造，其中该驱动晶片13的表面具有数个金凸块131，该异方性导电膜12内具有数个导电粒子121，及该玻璃基板10的表面具有数个接垫101。借由热压合接合(thermal compression bonding)制程，该驱动晶片13的金凸块131可下压接触该异方性导电膜12内的导电粒子121，该金凸块131并经过该导电粒子121媒介电性连接该玻璃基板10的接垫101。此种利用该异方性导电膜(ACF)12接合的驱动晶片13是目前主要的驱动晶片封装技术之一，但其缺点在于：当该金凸块131的间距缩小及其布局密度提高时，位于各二相邻该金凸块131之间的导电粒子121容易造成意外导通的短路问题。

为了改善上述问题，请参照图3A及图3B所示，其揭示另一现有驱动晶片的结合构造，其中该驱动晶片13是借由一非导电胶膜(non-conductiveadhesive film，NCF)15来热压合接合于该玻璃基板10上，并由该金凸块131直接电性接触该接垫101，以达电性连接目的。此种利用该非导电胶膜(NCF)15接合的驱动晶片13有利于缩小该金凸块131的间距并提高其布局密度，故对于电子产品的轻薄短小化或提高影像画质有极大助益。然而，此结合构造的缺点在于：由于该非导电胶膜15内不存在导电粒子，因此必需确保该金凸块131能确实及稳定的接触该接垫101，也就是能够容许该驱动晶片13翘曲的程度必需很小，且该非导电胶膜15抓持(holding)晶片的力量必需够大。但是，如图3C所示，在热压合接合制程后，由于该驱动晶片13、非导电胶膜15及玻璃基板10之间因热膨胀系数(coefficient ofthermal expans ion，CTE)差异产生的热应力与该非导电胶膜15抓持(ho1ding)晶片的力量在作用方向上相反，因此容易发生应力拉扯而产生的真空孔151。结果，某些该真空孔151可能造成该金凸块131与接垫101之间的接触面积变小，并且会影响该驱动晶片13的结合品质及产品良率。同时，上述技术问题也将限制利用该非导电胶膜15来缩小凸块间距并提高其布局密度的技术趋势发展。

故，有必要提供一种驱动晶片及玻璃的结合构造与结合方法，以解决现有技术所存在的问题。

【发明内容】

本发明的主要目的在于提供一种驱动晶片及玻璃的结合构造，其是在驱动晶片的表面上增设聚合物凸块，聚合物凸块可增加驱动晶片与胶膜的接触面积及提高胶膜抓持驱动晶片的结合强度，借以抵抗热压接合制程产生的热应力，进而降低在导电凸块与接垫之间产生真空孔的机率，因此有利于增加导电凸块与接垫之间的结合可靠度以及提高驱动晶片的封装良率。

本发明的次要目的在于提供一种驱动晶片及玻璃的制造及结合方法，其是利用感光型聚合物来制做聚合物层，并借由曝光及显影制程将聚合物层处理成数个聚合物凸块，进而简化聚合物凸块制程及增加聚合物凸块的高度均一性。

为达上述的目的，本发明提供一种驱动晶片及玻璃，其包含一表面、数个聚合物凸块及数个导电凸块，其中该聚合物凸块及导电凸块排列于该表面上，且该聚合物凸块相对于该表面的高度小于该导电凸块相对于该表面的高度。

在本发明的一实施例中，该聚合物凸块的材质是感光型聚合物。

在本发明的一实施例中，该感光型聚合物选自聚酰亚胺(polyimide，PI)。

在本发明的一实施例中，该导电凸块是选自金凸块。

在本发明的一实施例中，各该导电凸块是形成在该表面的一接垫上及其周围的至少一该聚合物凸块上。

在本发明的一实施例中，各该导电凸块直接形成在该表面的一接垫上。

在本发明的一实施例中，该聚合物凸块的热膨胀系数大于该驱动晶片的基材的热膨胀系数。

在本发明的一实施例中，该聚合物凸块与该胶膜的热膨胀系数差异小于该驱动晶片的基材与该胶膜的热膨胀系数差异。

在本发明的一实施例中，该导电凸块是排列于该表面的周边位置上，及该聚合物凸块主要排列于该表面上由该导电凸块围绕而成的区域中。

再者，本发明另提供一种驱动晶片及玻璃的结合构造，其包含一玻璃基板、一驱动晶片及一胶膜，其中该玻璃基板的表面具有数个接垫；该驱动晶片具有一表面、数个聚合物凸块及数个导电凸块，其中该导电凸块排列于该表面上，并电性连接该接垫；该聚合物凸块排列于该表面上，且该聚合物凸块相对于该表面的高度小于该导电凸块相对于该表面的高度；以及，该胶膜将该驱动晶片接合固定在该玻璃基板上，该胶膜包覆该聚合物凸块、导电凸块及接垫，其中该聚合物凸块嵌入该胶膜内，并与该玻璃基板的表面保持一间距。

在本发明的一实施例中，该聚合物凸块的热膨胀系数大于该玻璃基板的热膨胀系数。

在本发明的一实施例中，该聚合物凸块与该胶膜的热膨胀系数差异小于该玻璃基板与该胶膜的热膨胀系数差异。

在本发明的一实施例中，该胶膜是一非导电胶膜(non-conductive adhesive film，NCF)。

在本发明的一实施例中，该胶膜是一异方性导电膜(anisotropic conductive film，ACF)，且其内具有数个导电粒子。

在本发明的一实施例中，该聚合物凸块与导电凸块之间的高度差大于该导电粒子的粒径。

另外，本发明提供一种驱动晶片的制造方法，其包含：提供一晶圆，该晶圆具有一表面，该表面是包含数个接垫；在该表面上形成一聚合物层；对该聚合物层进行曝光及显影处理，以形成数个聚合物凸块；在该接垫上形成数个导电凸块，该导电凸块相对于该表面的高度大于该聚合物凸块相对于该表面的高度；以及，切割该晶圆成为数个驱动晶片。

在本发明的一实施例中，该聚合物层的材质是感光型聚合物。

在本发明的一实施例中，该感光型聚合物选自聚酰亚胺。

此外，本发明提供一种驱动晶片及玻璃的结合方法，其包含：提供一驱动晶片，其具有一表面、数个聚合物凸块及数个导电凸块，其中该聚合物凸块及导电凸块排列于该表面上，且该聚合物凸块相对于该表面的高度小于该导电凸块相对于该表面的高度；以及，利用一胶膜的媒介将该驱动晶片热压结合在一玻璃基板上，其中该数个导电凸块电性连接该玻璃基板的数个接垫，及该数个聚合物凸块嵌入该胶膜内，并与该玻璃基板的表面保持一间距。

由上述可知，本发明的提供的驱动晶片及玻璃的结合构造，是在驱动晶片的表面上增设聚合物凸块，聚合物凸块可增加驱动晶片与胶膜的接触面积及提高胶膜抓持驱动晶片的结合强度，借以抵抗热压接合制程产生的热应力，进而降低在导电凸块与接垫之间产生真空孔的机率，因此有利于增加导电凸块与接垫之间的结合可靠度以及提高驱动晶片的封装良率。

【附图说明】

图1：现有液晶显示器的玻璃覆晶封装构造的组合示意图。

图2A及图2B：现有驱动晶片的结合构造在组装前及组装后的示意图。

图3A及图3B：另一现有驱动晶片的结合构造在组装前及组装后的示意图。

图3C：图3B的局部放大图。

图4A及图4B：本发明第一实施例的驱动晶片及玻璃的结合构造与结合方法的示意图。

图5A、图5B、图5C及图5D：本发明第一实施例的驱动晶片的制造方法的流程示意图。

图6A及图6B：本发明第一实施例的驱动晶片及玻璃的结合构造与结合方法的示意图。

10玻璃基板         101接垫

11液晶装置         12异方性导电膜

12’异方性导电膜   121导电粒子

13驱动晶片         131金凸块

14软性电路板       15非导电胶膜

151真空孔          2导电玻璃基板

21接垫             3驱动晶片

30晶圆             31表面

311接垫            32聚合物凸块

320聚合物层        33导电凸块

33’导电层         4胶膜

41导电粒子

【具体实施方式】

为了让本发明的上述及其他目的、特征、优点能更明显易懂，下文将特举本发明较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。

本发明揭示一种驱动晶片及玻璃(chip on glass，COG)的结合构造与结合方法，其是可应用于各种影像显示器或影像撷取装置的技术领域中，其中影像显示器可选自液晶显示器(LCD)、电浆显示器(PDP)、背投影显示器(DLP)、电泳显示器(Electro Phoretic Display，EPD，即电子纸显示器)或其他显示器等，而影像撷取装置可选自相机镜头模组、摄影机镜头模组或其他影像感应器等，但并不限于此。

请参照图4A及图4B所示，本发明第一实施例揭示一种驱动晶片及玻璃的结合构造，其包含一玻璃基板2、一驱动晶片3及一胶膜4，其中该玻璃基板2较佳选自具有一透明导电层的玻璃基板，其中该透明导电层可为氧化铟锡(ITO)，并可由该透明导电层形成数个接垫21。该驱动晶片3较佳是由硅晶圆切割而成的矩形硅晶片，其包含一表面31、数个聚合物凸块32及数个导电凸块33，其中该表面31具有一绝缘保护层(未绘示)及数个接垫311，该绝缘保护层裸露该接垫311，以供结合该导电凸块33。该聚合物凸块32及导电凸块33是排列于该表面31上。在本实施例中，该聚合物凸块32的材质是选自感光型聚合物，例如选自聚酰亚胺(polyimide，PI)或其相似物。再者，该导电凸块33是包含一金属层，该金属层可包含金(Au)，且各该导电凸块33是电性连接于该表面的接垫311，该导电凸块33是包含至少一该聚合物凸块32，例如图4A所示，二个或二个以上的该聚合物凸块32围绕在同一个该接垫311周围并覆盖一部分的该接垫311，以及曝露其余部分的该接垫311，而该导电凸块33是电性连接于上述曝露部分的该接垫311，每一该导电凸块33基本上亦包含其周围的该聚合物凸块32。基于上述架构，该导电凸块33相对于该表面31的最大高度较佳控制在10至15微米(um)之间，及该聚合物凸块32相对于该表面31的高度较佳控制在5至10微米(um)之间，且该聚合物凸块32的高度必需控制为小于该导电凸块33的高度。另外，在本发明中，该导电凸块33较佳是排列于该表面31的周边位置上，及大部份的该聚合物凸块32则主要排列于该表面31上由该导电凸块33围绕而成的区域中。

请再参照图4A及图4B所示，本发明第一实施例的胶膜4是选自一非导电胶膜(non-conductive adhesive film，NCF)，其是由不具导电性的粘性树脂材质制成，且该胶膜4内并不存在任何导电粒子。该胶膜4用以将该驱动晶片3接合固定在该玻璃基板2上。在组装后，该胶膜4包覆该聚合物凸块32、导电凸块33及接垫21，其中该聚合物凸块32嵌入该胶膜33内，且该聚合物凸块32与导电凸块33之间的高度差使得该聚合物凸块32与该玻璃基板2的表面保持有一对应间距。如此，该聚合物凸块32的底面及四个侧面皆能与该胶膜4直接贴接，因而增加该驱动晶片3的表面31与胶膜4之间的总接触面积。在本发明中，该玻璃基板2、驱动晶片3及胶膜4的热膨胀系数(CTE)必需适当控制，其中该聚合物凸块32的材质选择必需使其热膨胀系数分别大于该驱动晶片3的基材的热膨胀系数及/或该玻璃基板2的热膨胀系数，同时该聚合物凸块32与该胶膜4的热膨胀系数差异需分别小于该驱动晶片3的基材与该胶膜4的热膨胀系数差异及/或该玻璃基板2与该胶膜4的热膨胀系数差异。也就是，相对于该驱动晶片3或玻璃基板2，该聚合物凸块32的热膨胀系数是较近似于该胶膜4的热膨胀系数。例如：若该聚合物凸块32的材质选自聚酰亚胺，其热膨胀系数约为47-55ppm/℃；若该驱动晶片3的基材选自硅，其热膨胀系数约为2.5ppm/℃；该玻璃基板2的玻璃的热膨胀系数约为4.0ppm/℃；及该胶膜4的基材选自各种粘性聚合物树脂，其热膨胀系数约为50-70ppm/℃，但并不限于此。

请参照图5A、图5B、图5C及图5D所示，其揭示本发明第一实施例的驱动晶片的制造方法，其中该制造方法主要包含下列步骤：提供一晶圆30，该晶圆30具有一表面31，该表面是包含数个接垫311；在该表面31上形成一聚合物层320，对该聚合物层320进行曝光及显影处理，以形成数个聚合物凸块32，在该接垫311上形成导电凸块33，该导电凸块33相对于该表面31的高度大于该聚合物凸块32相对于该表面31的高度；以及，切割该晶圆30成为数个驱动晶片3。

更详言之，如图5A所示，在上述制造方法中，该晶圆30较佳选自一硅晶圆，但并不限于此。该表面31上具有数个接垫311。本发明是可选择利用旋涂(spin coating)、印刷(printing)或贴膜的方法形成该聚合物层320，其中该聚合物层320的材质是感光型聚合物，例如选自聚酰亚胺(PI)，上述感光型聚合物具有类似正型或负型光阻剂的特性。如图5B所示，在上述制造方法中，本发明先借由既有光罩曝光制程处理该聚合物层320，接着以适当的显影液处理该聚合物层320，如此即可图案化该聚合物层320，以形成数个该聚合物凸块32。上述方法有利于简化该聚合物凸块32的制程。

接着，如图5C所示，在上述制造方法中，本发明先在该表面31利用涂布或贴膜的方式形成一光阻层(未绘示)，再利用曝光及显影制程使其图案化，以裸露出至少一部分的该接垫311及其周围的聚合物凸块32。接着，进行一第一金属层制程，以使该接垫311及其周围的聚合物凸块32的表面形成该第一金属层(未绘示)，随后再利用电镀(plating)或印刷(printing)方式进行该导电凸块下一制程(bumping)，以在该第一金属层上进一步形成一导电层33’，其中该导电层33’的材质较佳为金，但亦可能选自其他金属，例如金合金、锡或锡合金等。该导电凸块33是包含该导电层33’及该第一金属层及其周围的该聚合物凸块32，该导电凸块33是电性连接于该接垫311，该导电凸块33相对于该表面31的最大高度较佳控制在10至15微米(um)之间，及该聚合物凸块32相对于该表面31的高度较佳控制在5至10微米(um)之间，且必需满足该导电凸块33的高度大于该聚合物凸块32的高度的条件。最后，如图5D所示，本发明可选择利用刀轮、水刀、雷射或其结合来切割该晶圆30成为数个驱动晶片3。

请复参照图4A及图4B所示，本发明第一实施例在完成上述驱动晶片的制造方法后即可进行驱动晶片及玻璃的结合方法，其中该结合方法主要包含下列步骤：提供一驱动晶片3，其具有一表面31、数个聚合物凸块32及数个导电凸块33，其中该聚合物凸块32及导电凸块33排列于该表面31上，且该聚合物凸块32相对于该表面31的高度小于该导电凸块33相对于该表面31的高度；以及，利用一胶膜4的媒介将该驱动晶片3热压结合在一玻璃基板2上，其中该数个导电凸块33电性连接该玻璃基板2的数个接垫21，及该数个聚合物凸块32嵌入该胶膜4内，并与该玻璃基板2的表面保持一间距。

在上述结合方法中，该胶膜4是选自一非导电胶膜(NCF)，在上述热压接合制程期间，该胶膜4包覆该聚合物凸块32、导电凸块33及接垫21，其中该聚合物凸块32与导电凸块33之间的高度差使得该聚合物凸块32与该玻璃基板2的表面保持有一对应间距。如此，可确保该聚合物凸块32可以在不影响该导电凸块33顺利接触该接垫21的情况下用以增加该驱动晶片3与胶膜4的接触面积。再者，由于各该导电凸块33是形成在该表面的接垫3北上及其周围的至少一该聚合物凸块32上，因此位于该导电凸块33底部的聚合物凸块32能提供适当缓冲弹性，以确保该导电凸块33接触该接垫21。特别是，由于该聚合物凸块32的底面及四个侧面能与该胶膜4直接贴接，因而相对增加该驱动晶片3的表面31与胶膜4之间的总接触面积及提高该胶膜4抓持(holding)该驱动晶片3的结合强度。再者，由于该聚合物凸块32的热膨胀系数相对较近似于该胶膜4的热膨胀系数，因此在该胶膜4热胀冷缩期间，该聚合物凸块32亦随着该胶膜4热胀冷缩，因此该聚合物凸块32的各表面可保持尽可能紧贴结合该胶膜4。因此，本发明能借此抵抗热压接合制程产生的热应力，进而降低在该导电凸块33与接垫21之间产生真空孔的机率，因此确实有利于增加该导电凸块33与接垫21之间的结合可靠度以及提高该驱动晶片33的封装良率。

请参照图6A及图6B所示，本发明第二实施例的驱动晶片及玻璃的结合构造与结合方法是相似于本发明第一实施例，并大致沿用相同图号，但该第二实施例的驱动晶片及玻璃的结合构造与结合方法的差异特征在于：本发明利用图案化光阻及电镀(或印刷)的既有制程在该驱动晶片3的表面31的每一对应接垫311上直接形成各该导电凸块33，该导电凸块33较佳选自金凸块，但其材质亦可能选自其他金属，例如金合金、锡或锡合金等。再者，该胶膜4是选自一异方性导电膜(anisotropic conductive film，ACF)，且其内具有数个导电粒子41，该导电粒子41可用以媒介电性连接该导电凸块33及接垫21。再者，该聚合物凸块32与导电凸块33之间同样保有适当高度差，以使该聚合物凸块32与该玻璃基板2的表面保持有一对应间距，且该聚合物凸块33与导电凸块32之间的高度差必需控制大于该导电粒子41的粒径，以避免因该聚合物凸块33的推动而使该导电粒子41接触该玻璃基板2的表面电路。在该胶膜4选自异方性导电膜的情况下，本发明第二实施例的聚合物凸块33同样能利用其本身的底面及四个侧面与该胶膜4直接贴接，因而相对增加该驱动晶片3的表面31与胶膜4之间的总接触面积及提高该胶膜4抓持该驱动晶片3的结合强度，以降低在该导电凸块33与接垫21之间产生真空孔的机率，因此同样可增加该导电凸块33与接垫21之间的结合可靠度以及提高该驱动晶片33的封装良率。

如上所述，相较于图3A及图3B的现有驱动晶片13在热压合接合制程后容易因应力拉扯使该金凸块131与接垫101之间产生的真空孔151，而降低该驱动晶片13的结合品质及产品良率等问题，图4A至图6B的本发明借由在该驱动晶片3的表面31上增设该聚合物凸块32，以增加该驱动晶片3与胶膜4的接触面积及提高该胶膜4抓持该驱动晶片3的结合强度，借以抵抗热压接合制程产生的热应力，进而降低在该导电凸块33与接垫21之间产生真空孔的机率，因此不但有利于增加该导电凸块33与接垫21之间的结合可靠度以及提高该驱动晶片3的封装良率，而且亦有利于利用非导电型胶膜4来缩小该导电凸块33之间距并提高其布局密度的技术趋势发展。再者，本发明利用该感光型聚合物来制做该聚合物层320，并借由曝光及显影制程将该聚合物层320处理成数个聚合物凸块32，进而可简化该聚合物凸块32的制程及增加该聚合物凸块32的高度均一性，以确保该聚合物凸块32可以在不影响该导电凸块33顺利接触该接垫21的情况下用以增加该驱动晶片3与胶膜4的接触面积。

虽然本发明已以较佳实施例揭露，然其并非用以限制本发明，任何熟习此项技艺的人士，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种更动与修饰，因此本发明的保护范围当视申请专利范围所界定者为准。

Claims (23)

1.一种驱动晶片及玻璃的结合构造，包含：

一玻璃基板，该玻璃基板表面具有数个接垫；

一驱动晶片，该驱动晶片具有一表面、数个聚合物凸块及数个导电凸块，其中该导电凸块电性连接该接垫；该聚合物凸块相对于该表面的高度小于该导电凸块相对于该表面的高度；及

一胶膜，用以将该驱动晶片接合固定在该玻璃基板上，该胶膜包覆该聚合物凸块、导电凸块及接垫，其中该聚合物凸块嵌入该胶膜内，并与该玻璃基板的表面保持一间距。

2.如权利要求1所述的驱动晶片及玻璃的结合构造，其特征在于：该聚合物凸块的材质是感光型聚合物。

3.如权利要求2所述的驱动晶片及玻璃的结合构造，其特征在于：该感光型聚合物选自聚酰亚胺。

4.如权利要求1所述的驱动晶片及玻璃的结合构造，其特征在于：各该导电凸块是形成在该表面的一接垫上及其周围的至少一该聚合物凸块上。

5.如权利要求1所述的驱动晶片及玻璃的结合构造，其特征在于：各该导电凸块直接形成在该表面的一接垫上。

6.如权利要求1所述的驱动晶片及玻璃的结合构造，其特征在于：该导电凸块是排列于该表面的周边位置上，及该聚合物凸块主要排列于该表面上由该导电凸块围绕而成的区域中。

7.如权利要求1所述的驱动晶片及玻璃的结合构造，其特征在于：该聚合物凸块的热膨胀系数分别大于该驱动晶片的基材的热膨胀系数及该玻璃基板的热膨胀系数。

8.如权利要求1或7所述的驱动晶片及玻璃的结合构造，其特征在于：该聚合物凸块与该胶膜的热膨胀系数差异分别小于该驱动晶片的基材与该胶膜的热膨胀系数差异及该玻璃基板与该胶膜的热膨胀系数差异。

9.如权利要求1所述的驱动晶片及玻璃的结合构造，其特征在于：该胶膜是一非导电胶膜。

10.如权利要求1所述的驱动晶片及玻璃的结合构造，其特征在于：该胶膜是一异方性导电膜，且其内具有数个导电粒子。

11.如权利要求10所述的驱动晶片及玻璃的结合构造，其特征在于：该聚合物凸块与导电凸块之间的高度差大于该导电粒子的粒径。

12.一种驱动晶片及玻璃的结合方法，包含：

提供一驱动晶片，该驱动晶片具有一表面、数个聚合物凸块及数个导电凸块，其中该聚合物凸块及导电凸块排列于该表面上，且该聚合物凸块相对于该表面的高度小于该导电凸块相对于该表面的高度；及

利用一胶膜的媒介将该驱动晶片热压结合在一玻璃基板上，其中该数个导电凸块电性连接该玻璃基板的数个接垫，及该数个聚合物凸块嵌入该胶膜内，并与该玻璃基板的表面保持一间距。

13.如权利要求12所述的驱动晶片及玻璃的结合方法，其特征在于：提供该驱动晶片的步骤包含：

提供一晶圆，该晶圆具有一表面，该表面包含数个接垫；

在该表面上形成一聚合物层；

对该聚合物层进行曝光及显影处理，以形成数个聚合物凸块；

在该接垫上形成数个导电凸块，该导电凸块相对于该表面的高度大于该聚合物凸块相对于该表面的高度；及

切割该晶圆成为数个该驱动晶片。

14.如权利要求13所述的驱动晶片及玻璃的结合方法，其特征在于：该聚合物层的材质是感光型聚合物。

15.如权利要求14所述的驱动晶片及玻璃的结合方法，其特征在于：该感光型聚合物选自聚酰亚胺。

16.如权利要求13所述的驱动晶片及玻璃的结合方法，其特征在于：各该导电凸块是形成在该表面的一接垫上及其周围的至少一该聚合物凸块上。

17.如权利要求13所述的驱动晶片及玻璃的结合方法，其特征在于：各该导电凸块直接形成在该表面的一接垫上。

18.如权利要求12所述的驱动晶片及玻璃的结合方法，其特征在于：该导电凸块是排列于该表面的周边位置上，及该聚合物凸块主要排列于该表面上由该导电凸块围绕而成的区域中。

19.如权利要求12所述的驱动晶片及玻璃的结合方法，其特征在于：该聚合物凸块的热膨胀系数分别大于该驱动晶片的基材的热膨胀系数及该玻璃基板的热膨胀系数。

20.如权利要求12或19所述的驱动晶片及玻璃的结合方法，其特征在于：该聚合物凸块与该胶膜的热膨胀系数差异分别小于该驱动晶片的基材与该胶膜的热膨胀系数差异及该玻璃基板与该胶膜的热膨胀系数差异。

21.如权利要求12所述的驱动晶片及玻璃的结合方法，其特征在于：该胶膜是一非导电胶膜。

22.如权利要求12所述的驱动晶片及玻璃的结合方法，其特征在于：该胶膜是一异方性导电膜，且其内具有数个导电粒子。

23.如权利要求22所述的驱动晶片及玻璃的结合方法，其特征在于：该聚合物凸块与导电凸块之间的高度差大于该导电粒子的粒径。

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