CN102062834A - 半导体射频器件的射频测试方法 - Google Patents

半导体射频器件的射频测试方法 Download PDF

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CN102062834A CN 200910201789 CN200910201789A CN102062834A CN 102062834 A CN102062834 A CN 102062834A CN 200910201789 CN200910201789 CN 200910201789 CN 200910201789 A CN200910201789 A CN 200910201789A CN 102062834 A CN102062834 A CN 102062834A
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周天舒
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Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd
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Abstract

本发明公开了一种半导体射频器件的射频测试方法，设置对半导体射频器件进行测试的射频测试总结构，包括待测的半导体射频器件结构和为射频探针的放置而设计的去嵌结构；将去嵌结构的版图文件调入电磁仿真软件，对去嵌结构进行电磁仿真得到去嵌结构的射频参数；对射频测试总结构进行射频测试得到射频测试总结构的射频参数；将对射频测试总结构进行射频测试得到的射频参数减去进行电磁仿真得到的去嵌结构的射频参数，得到待测的半导体射频器件结构的射频参数。本发明的半导体射频器件的射频测试方法，对半导体射频器件进行测试的射频测试总结构利用不会产生寄生影响的常规去嵌结构，对半导体射频器件进行测试得到的射频参数准确性高。

Description

半导体射频器件的射频测试方法
技术领域
本发明涉及半导体测试技术，特别涉及一种半导体射频器件的射频测试方法。
背景技术
在射频集成电路工艺中采用的对半导体射频器件进行测试的射频测试总结构如图1所示，包括两部分：待测的半导体射频器件结构11和为射频探针的放置而设计的去嵌(de-embedding)结构12。准确的半导体射频器件的射频参数，应为测得的射频测试总结构的射频参数减去去嵌结构的射频参数的影响。传统的做法是在版图设计中，特殊设计一些去嵌结构并进行相应的去嵌运算，从而排除去嵌结构的影响。但是，传统做法特殊设计一些去嵌结构为达到接地等效果不可避免地在版图中加入了多余的寄生结构，从而会对测得的射频测试总结构的射频参数的精度造成不利的寄生影响，最终导致半导体射频器件的射频测试准确度降低。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种半导体射频器件的射频测试方法，对半导体射频器件进行测试的射频测试总结构利用不会产生寄生影响的常规去嵌结构，对半导体射频器件进行测试得到的射频参数准确性高。
为解决上述技术问题，本发明的半导体射频器件的射频测试方法，包括以下步骤：
一.设置对半导体射频器件进行测试的射频测试总结构，包括两部分：待测的半导体射频器件结构和为射频探针的放置而设计的去嵌结构；
二.将所述去嵌结构的版图文件调入电磁仿真软件，同时在电磁仿真软件中定义和去嵌结构生成工艺完全匹配的金属和介质层参数，对去嵌结构进行电磁仿真得到去嵌结构的射频参数；对所述射频测试总结构进行射频测试得到射频测试总结构的射频参数；
三.将所述对射频测试总结构进行射频测试得到的射频参数减去所述进行电磁仿真得到的去嵌结构的射频参数，得到待测的半导体射频器件结构的射频参数。
所述去嵌结构所述去嵌结构为不会产生寄生影响的常规去嵌结构，由射频测试输入端与射频器件输入端之间的互连结构，以及射频测试输出端与射频器件输出端之间的互连结构所组成。
本发明的半导体射频器件的射频测试方法，在半导体射频器件进行测试的射频测试总结构中采用不会产生寄生影响的常规去嵌结构，基于高精度的电磁仿真得到去嵌结构的准确的射频参数，在此基础上，运用射频参数的运算和去嵌算法，得到半导体射频器件的射频参数。本发明的半导体射频器件的射频测试方法，一方面，在半导体射频器件进行测试的射频测试总结构中采用不会产生寄生影响的常规去嵌结构，可克服传统射频测试方法中特殊设计的去嵌结构版图带来的寄生影响，另一方面，基于高精度的电磁仿真能得到去嵌结构的准确的射频参数，从而可较大地提高对半导体射频器件进行测试得到的射频参数的准确性。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步的详细说明。
图1是对半导体射频器件进行测试的射频测试总结构示意图；
图2是本发明的半导体射频器件的射频测试方法一实施方式流程图。
具体实施方式
在射频集成电路工艺中采用的对半导体射频器件进行测试的射频测试总结构如图1所示，包括两部分：待测的半导体射频器件结构11和为射频探针的放置而设计的去嵌(de-embedding)结构12。准确的半导体射频器件的射频参数，应为测得的射频测试总结构的射频参数减去去嵌结构的射频参数的影响。
本发明的半导体射频器件的射频测试方法一实施方式流程图如图2所示，包括以下步骤：
一.设置对半导体射频器件进行测试的射频测试总结构，包括两部分：待测的半导体射频器件结构和为射频探针的放置而设计的去嵌(de-embedding)结构，所述去嵌(de-embedding)结构为不会产生寄生影响的常规去嵌结构；没有去嵌寄生影响的常规去嵌结构是一种只涉及射频测试端与射频器件直接互连部分的去嵌结构，不包括额外的接地等走线结构，由射频测试输入端与射频器件输入端之间的互连结构，以及射频测试输出端与射频器件输出端之间的互连结构，共两部分结构所组成。
二.将不会产生寄生影响的常规去嵌结构的版图文件调入电磁仿真软件(如：HFSS，Momentum等)，同时在电磁仿真软件中定义和去嵌结构生成工艺完全匹配的金属和介质层参数，对去嵌结构进行电磁仿真得到去嵌结构准确的射频参数(S_Deembedding)；对射频测试总结构进行射频测试得到射频测试总结构准确的射频参数(S_Total)；
三.将所述对射频测试总结构进行射频测试得到的射频参数(S_Total)减去所述进行电磁仿真得到的去嵌结构的射频参数(S_Deembedding)，得到待测的半导体射频器件结构准确的射频参数即：
S_Dut＝S_Total-S_Deembedding。
考虑了传统射频测试方法中特殊设计的去嵌图形结构因在版图中加入了多余的寄生结构，会对测得的射频测试总结构的射频参数的精度造成不利的寄生影响，本发明的半导体射频器件的射频测试方法，在半导体射频器件进行测试的射频测试总结构中采用不会产生寄生影响的常规去嵌结构，基于高精度的电磁仿真得到去嵌结构的准确的射频参数，在此基础上，运用射频参数的运算和去嵌算法，得到半导体射频器件的射频参数。本发明的半导体射频器件的射频测试方法，一方面，在半导体射频器件进行测试的射频测试总结构中采用不会产生寄生影响的常规去嵌结构，可克服传统射频测试方法中特殊设计的去嵌结构版图带来的寄生影响，另一方面，基于高精度的电磁仿真能得到去嵌结构的准确的射频参数，从而可较大地提高对半导体射频器件进行测试得到的射频参数的准确性。

Claims (3)

1.一种半导体射频器件的射频测试方法，其特征在于，包括以下步骤：
一.设置对半导体射频器件进行测试的射频测试总结构，包括两部分：待测的半导体射频器件结构和为射频探针的放置而设计的去嵌结构；
二.将所述去嵌结构的版图文件调入电磁仿真软件，对去嵌结构进行电磁仿真得到去嵌结构的射频参数；对所述射频测试总结构进行射频测试得到射频测试总结构的射频参数；
三.将所述对射频测试总结构进行射频测试得到的射频参数减去所述进行电磁仿真得到的去嵌结构的射频参数，得到待测的半导体射频器件结构的射频参数。
2.根据权利要求1所述的半导体射频器件的射频测试方法，其特征在于，所述去嵌结构为不会产生寄生影响的常规去嵌结构，由射频测试输入端与射频器件输入端之间的互连结构，以及射频测试输出端与射频器件输出端之间的互连结构所组成。
3.根据权利要求1所述的半导体射频器件的射频测试方法，其特征在于，将所述去嵌结构的版图文件调入电磁仿真软件，同时在电磁仿真软件中定义和去嵌结构生成工艺完全匹配的金属和介质层参数，对去嵌结构进行电磁仿真得到去嵌结构的射频参数。
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WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

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