CN102062518A - 改良的基板干燥系统及干燥基板的方法 - Google Patents

Abstract

本发明是有关于一种改良的基板干燥系统及干燥基板的方法，该改良的基板干燥系统包括：一基板容置槽、一第一液体容置槽、一高频振动装置、一第二液体注入装置、一第一排放装置、一第二排放装置、一气体输入装置、一气体流量控制装置、一层流装置、及一有机气体排放装置。该改良的干燥基板的方法，可使用该高频振动装置以雾化一第一液体，并通过该气体流量控制装置与该层流装置，以有效地执行一基板的干燥。

Description

改良的基板干燥系统及干燥基板的方法

技术领域

本发明涉及一种基板干燥系统，特别是涉及一种利用高频振动装置雾化异丙酮，并藉由气体流量控制装置与层流装置的使用，以有效地提升干燥基板表面的效果的一种改良的基板干燥系统及干燥基板的方法。

背景技术

在晶圆(wafer)干燥制程当中，其最常使用的技术为Marangoni干燥法。Marangoni干燥法以惰性气体，例如：氮气，混合雾状的有机溶剂，例如：异丙酮(Isopropyl Alcohol，IPA)，当氮气与异丙酮混合体与晶圆表面接触之时，通过异丙酮与浸泡晶圆的去离子水(Deionization Water，DIW)之间表面张力的差异，使得残留于晶圆表面的水分子脱离晶圆表面，而被拉入去离子水之内，以达到干燥晶圆表面的效果。

请参阅图1，是现有习知的晶圆干燥系统，现有习知的晶圆干燥系统3是运用Marangoni干燥法所组装而成，其主要包括：一干燥槽31、一异丙醇储存槽32、一去离子水注入装置33、一排水装置34、一氮气输入装置35、一输送管36、及一加热装置37。而使用现有习知的晶圆干燥系统3进行一晶圆38的干燥，其动作可归纳如下：首先，将该晶圆38置入该干燥槽31内；接着，通过该去离子水注入装置33注入去离子水于干燥槽31内；然后，通过该氮气输入装置35将氮气输入该异丙醇储存槽32之内，以利用氮气将异丙酮经由该输送管36运送至该加热装置37；加热装置37会将氮气与异丙酮的混合体加热成为蒸气状态；接着，经由输送管36继续将蒸气状态的氮气与异丙酮混合体送进干燥槽31内，以使得干燥槽31内布满蒸气状态的氮气与异丙酮混合体；然后，将干燥槽31内的晶圆38缓缓举离去离子水的液面；当氮气与异丙酮混合体与晶圆38表面接触之时，此时，由于晶圆38表面的异丙酮浓度大于去离子水的异丙酮浓度，因此，利用异丙酮的表面张力小于浸泡晶圆38的去离子水表面张力的特性，使得残留于晶圆38表面的水分子脱离晶圆38表面，而被吸进去离子水之内，达到了干燥晶圆38表面的功效。

上述现有习知的晶圆干燥系统为目前业界所常用的晶圆干燥系统，虽然因其构造简单且应用原理易懂，而被普遍地使用，然而，其仍具有许多缺点：

1.使用加热装置加热异丙酮与氮气的混合体，使其成为蒸气状态，虽可气化异丙酮而有效地提升干燥晶圆的效果，然而，加热装置的设备成本过高。

2.异丙酮具有引火特性，故，加热异丙酮是有安全上的疑虑。

由此可见，上述现有的基板干燥系统在结构与使用上，显然仍存在有不便与缺陷，而亟待加以进一步改进。为了解决上述存在的问题，相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来一直未见适用的设计被发展完成，而一般产品又没有适切结构能够解决上述问题，此显然是相关业者急欲解决的问题。因此如何能创设一种新型的改良的基板干燥系统及干燥基板的方法，实属当前重要研发课题之一，亦成为当前业界极需改进的目标。

有鉴于上述现有的基板干燥系统存在的缺陷，本发明人基于从事此类产品设计制造多年丰富的实务经验及专业知识，并配合学理的运用，积极加以研究创新，以期创设一种新型的改良的基板干燥系统及干燥基板的方法，能够改进一般现有的基板干燥系统，使其更具有实用性。经过不断的研究、设计，并经过反复试作样品及改进后，终于创设出确具实用价值的本发明。

发明内容

本发明的主要目的在于，克服现有的基板干燥系统存在的缺陷，而提供一种新型的改良的基板干燥系统，所要解决的技术问题是使其有效地提升干燥晶圆的效果，以达到同时降低设备成本与其运转成本，并解决加热异丙酮所需承担安全上的问题，非常适于实用。

本发明的另一目的在于，提供一种新型的改良的干燥基板的方法，所要解决的技术问题是使用具有高频振动装置的改良基板干燥系统，以有效地执行基板的干燥流程，从而更加适于实用。

本发明的再一目的在于，提供一种新型的改良的干燥基板的方法，所要解决的技术问题是使用具有高频振动装置的改良基板干燥系统，并通过气体流量控制装置与层流装置，以有效地执行基板的干燥流程，从而更加适于实用。

本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的一种改良的基板干燥系统，可应用于干燥一基板，其包括：

一基板容置槽，可将该基板容置其中；

一第一液体容置槽，装设于该基板容置槽的一第一侧边，以容置一第一液体；

一高频振动装置，设置于该第一液体容置槽的内部，该高频振动装置可产生高频振动以将该第一液体雾化成为一雾化第一液体；

一第二液体注入装置，装设于基板容置槽的一第二侧边，通过该第二液体注入装置可输入具有一适当温度的一第二液体于基板容置槽内，以浸泡基板，使得基板保持中温状态；

一第一排放装置，装设于基板容置槽的一第三侧边，该第三侧边与第一侧边及第二侧边为相邻边，该第一排放装置用以缓慢地排放该第二液体；

一第二排放装置，装设于基板容置槽的第三侧边，该第二排放装置用以全速地排放第二液体；

一气体输入装置，连接于第一液体容置槽，通过该气体输入装置可输入一第一气体于第一液体容置槽，该第一气体可将该雾化第一液体运送入已注有第二液体的基板容置槽内，当控制第一排放装置与第二排放装置的排放速率，而将第二液体从基板容置槽内排放出去时，基板表面的水分子受到雾化第一液体与第二液体的表面张力差距的影响，而被拉入第二液体之内，达到了干燥基板表面的效果；及

一有机气体排放装置，装设于基板容置槽的第二侧边，该有机气体排放装置可于基板干燥完成之后，将雾化第一液体及第一气体排出基板容置槽。

本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。

前述的改良的基板干燥系统，其中所述的基板容置槽更包括：一第一侦测装置，装设于基板容置槽的槽壁，当该第二液体被注入于基板容置槽之时，通过该第一侦测装置可侦测第二液体的一第一准位；一第二侦测装置，装设于基板容置槽的槽壁，且位于第一侦测装置的下方，当通过该第一排放装置缓慢地排放第二液体之时，该第二侦测装置可侦测第二液体的一第二准位；及一第三侦测装置，装设于基板容置槽的槽壁，且位于第二侦测装置的下方，当通过该第二排放装置高速地排放第二液体之时，该第三侦测装置可侦测第二液体的一第三准位。

前述的改良的基板干燥系统，其中所述的第一液体可为下列任一种：异丙醇、甲醇、与乙醇。

前述的改良的基板干燥系统，其中所述的第二液体为去离子水。

前述的改良的基板干燥系统，其中所述的第一气体为一洁净干燥的气体。

前述的改良的基板干燥系统，其中所述的高频振动装置为一超音波产生器。

前述的改良的基板干燥系统，其中所述的第一侦测装置可为一气体背压式液位侦测器与一光反射式液位侦测器。

前述的改良的基板干燥系统，其中所述的第二侦测装置可为一气体背压式液位侦测器与一光反射式液位侦测器。

前述的改良的基板干燥系统，其中所述的第三侦测装置可为一气体背压式液位侦测器与一光反射式液位侦测器。

前述的改良的基板干燥系统，其中所述的适当温度的范围为25°～65℃。

前述的改良的基板干燥系统，其中更包括：一气体流量控制装置，装设于该基板容置槽内部，且其位于该第一液体容置槽与基板容置槽的连接处，以控制该第一气体所运送的该雾化第一液体进入基板容置槽的流量；及一层流装置，装设于基板容置槽的内部，当该基板被置入基板容置槽内之时，该层流装置位于基板的上方，当第一气体运送雾化第一液体进入基板容置槽内之后，雾化第一液体可通过层流装置，而均匀地分布于基板的表面。

前述的改良的基板干燥系统，其中所述的基板容置槽更包括：一第一侦测装置，装设于基板容置槽的槽壁，且位于该层流装置的下方，当该第二液体被注入于基板容置槽的时，通过该第一侦测装置可侦测第二液体的一第一准位；一第二侦测装置，装设于基板容置槽的槽壁，且位于第一侦测装置的下方，当通过该第一排放装置缓慢地排放第二液体之时，该第二侦测装置可侦测第二液体的一第二准位；及一第三侦测装置，装设于基板容置槽的槽壁，且位于第二侦测装置的下方，当通过该第二排放装置高速地排放第二液体之时，该第三侦测装置可侦测第二液体的一第三准位。

前述的改良的基板干燥系统，其中所述的第一液体可为异丙醇、甲醇、或乙醇。

前述的改良的基板干燥系统，其中所述的第二液体为去离子水。

前述的改良的基板干燥系统，其中所述的第一气体为一洁净干燥的气体。

前述的改良的基板干燥系统，其中所述的高频振动装置为一超音波产生器。

前述的改良的基板干燥系统，其中所述的第一侦测装置可为一气体背压式液位侦测器与一光反射式液位侦测器。

前述的改良的基板干燥系统，其中所述的第二侦测装置可为一气体背压式液位侦测器与一光反射式液位侦测器。

前述的改良的基板干燥系统，其中所述的第三侦测装置可为一气体背压式液位侦测器与一光反射式液位侦测器。

前述的改良的基板干燥系统，其中所述的适当温度的范围为25°～65℃。

前述的改良的基板干燥系统，其中所述的层流装置可为下列任一种：一具有多个孔状的板子以及多个喷嘴。

前述的改良的基板干燥系统，其中所述的流量控制装置可为一单向流量控制阀与一操作流量控制阀。

本发明的目的及解决其技术问题还采用以下技术方案来实现。依据本发明提出的一种改良的干燥基板的方法，该方法包括：

(1)将一基板置入一基板容置槽内；

(2)将一第二液体注入该基板容置槽；

(3)一高频振动装置产生高频振动，以将一第一液体容置槽内的一第一液体，雾化成为一雾化第一液体；

(4)将该雾化第一液体运送进入基板容置槽；

(5)等待若干时间，而使雾化第一液体均匀分布于基板容置槽内；

(6)利用一第一排放装置与一第二排放装置以排出第二液体；

(7)利用一有机气体排放装置将基板容置槽内多余的雾化第一液体排出；及

(8)完成该基板的干燥，将基板由基板容置槽内取出。

本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。

前述的改良的干燥基板的方法，其中所述的该步骤(2)更包括以下步骤：

(21)一第二液体注入装置注入具有一适当温度的该第二液体于该基板容置槽内；

(22)一第一侦测装置判断第二液体是否到达一第一准位，若是，则执行步骤(23)，若否，则重复执行步骤(21)；及

(23)该第二液体注入装置停止第二液体的注入。

前述的改良的干燥基板的方法，其中所述的该步骤(4)更包括以下步骤：

(41)一气体输入装置输入一第一气体于该第一液体容置槽内；及

(42)藉由该第一气体将该雾化第一液体运送进入该基板容置槽内。

前述的改良的干燥基板的方法，其中所述的该步骤(6)更包括以下步骤：

(61)使用该第一排放装置缓慢地排放该第二液体；

(62)一第二侦测装置判断第二液体是否到达一第二准位，若是，则执行步骤(63)，若否，则重复执行步骤(61)；

(63)关闭该高频振动装置与该气体输入装置，以停止运送该雾化后第一液体进入该基板容置槽；

(64)同时使用一第二排放装置以全速地排放第二液体；

(65)一第三侦测装置判断第二液体是否到达一第三准位，若是，则执行步骤(66)，若否，则重复执行步骤(64)；及

(66)关闭该第一排放装置与该第二排放装置。

前述的改良的干燥基板的方法，其中所述的该第二液体为一去离子水。

前述的改良的干燥基板的方法，其中所述的第一液体可为异丙醇、甲醇、或乙醇。

前述的改良的干燥基板的方法，其中所述的第一气体为洁净干燥的气体。

前述的改良的干燥基板的方法，其中所述的高频振动装置为一超音波产生器。

前述的改良的干燥基板的方法，其中所述的第一侦测装置可为一气体背压式液位侦测器与一光反射式液位侦测器。

前述的改良的干燥基板的方法，其中所述的第二侦测装置可为一气体背压式液位侦测器与一光反射式液位侦测器。

前述的改良的干燥基板的方法，其中所述的第三侦测装置可为一气体背压式液位侦测器与一光反射式液位侦测器。

前述的改良的干燥基板的方法，其中所述的适当温度的范围为25°～65℃。

本发明的目的及解决其技术问题另外再采用以下技术方案来实现。依据本发明提出的一种改良的干燥基板的方法，该方法包括：

(10)将一基板置入一基板容置槽内；

(20)将一第二液体注入该基板容置槽；

(30)一高频振动装置产生高频振动，以将一第一液体容置槽内的一第一液体，雾化成为一雾化第一液体；

(40)将该雾化第一液体运送进入基板容置槽；

(50)等待若干时间，使得雾化第一液体通过一层流装置，而能够更加地均匀分布于基板容置槽内；

(60)利用一第一排放装置与一第二排放装置以排出第二液体；

(70)利用一有机气体排放装置将基板容置槽内多余的雾化第一液体排出；及

(80)完成该基板的干燥，将基板由基板容置槽内取出。

本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。

前述的改良的干燥基板的方法，其中所述的步骤(20)更包括以下步骤：

(201)一第二液体注入装置注入具有一适当温度的该第二液体于该基板容置槽内；

(202)一第一侦测装置判断第二液体是否到达一第一准位，若是，则执行步骤(203)，若否，则重复执行步骤(201)；及

(203)该第二液体注入装置停止第二液体的注入。

前述的改良的干燥基板的方法，其中所述的步骤(40)更包括以下步骤：

(401)一气体输入装置输入一第一气体于该第一液体容置槽内；

(402)藉由该第一气体将该雾化第一液体运送进入该基板容置槽内；及

(403)启动一气体流量控制装置，以控制雾化第一液体进入基板容置槽的流量。

前述的改良的干燥基板的方法，其中所述的步骤(60)更包括以下步骤：

(601)使用该第一排放装置缓慢地排放该第二液体；

(602)一第二侦测装置判断第二液体是否到达一第二准位，若是，则执行步骤(603)，若否，则重复执行步骤(601)；

(603)关闭该高频振动装置、该气体流量控制装置、与该气体输入装置，以停止运送该雾化后第一液体进入该基板容置槽；

(604)同时使用一第二排放装置以全速地排放第二液体；

(605)一第三侦测装置判断第二液体是否到达一第三准位，若是，则执行步骤(606)，若否，则重复执行步骤(604)；及

(606)关闭该第一排放装置与该第二排放装置。

前述的改良的干燥基板的方法，其中所述的第二液体为一去离子水。

前述的改良的干燥基板的方法，其中所述的第一液体可为异丙醇、甲醇、或乙醇。

前述的改良的干燥基板的方法，其中所述的第一气体为洁净干燥的气体。

前述的改良的干燥基板的方法，其中所述的高频振动装置为一超音波产生器。

前述的改良的干燥基板的方法，其中所述的第一侦测装置可为一气体背压式液位侦测器与一光反射式液位侦测器。

前述的改良的干燥基板的方法，其中所述的第二侦测装置可为一气体背压式液位侦测器与一光反射式液位侦测器。

前述的改良的干燥基板的方法，其中所述的第三侦测装置可为一气体背压式液位侦测器与一光反射式液位侦测器。

前述的改良的干燥基板的方法，其中所述的适当温度的范围为25°～65℃。

前述的改良的干燥基板的方法，其中所述的层流装置可为下列任一种：一具有多个孔状的板子以及多个喷嘴。

前述的改良的干燥基板的方法，其中所述的流量控制装置可为一单向流量控制阀与一操作流量控制阀。

本发明与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。由以上可知，为达到上述目的，本发明提供了一种改良的基板干燥系统，利用高频振动装置以雾化异丙酮，并藉由气体流量控制装置有效地控制雾化异丙酮进入基板容置槽的流量，且利用层流装置可使得进入基板容置槽内的雾化异丙酮均匀分布于基板表面，可有效地提升干燥晶圆的效果，以达到同时降低设备成本与其运转成本，并解决加热异丙酮所需承担安全上的问题。

本发明提供一种改良的干燥基板的方法，该方法可使用具有高频振动装置的改良基板干燥系统，以有效地执行基板的干燥流程。

本发明提供一种改良的干燥基板的方法，该方法可使用具有高频振动装置的改良基板干燥系统，并通过气体流量控制装置与层流装置，以有效地执行基板的干燥流程。

因此，为了达到上述主要目的的功效，本案发明人研发出一种改良的基板干燥系统，其包括一基板容置槽；一第一液体容置槽；一高频振动装置；一第二液体注入装置；一第一排放装置；一第二排放装置；一气体输入装置；一气体流量控制装置；一层流装置；及一有机气体排放装置。

并且，为了达到上述另一目的所述的功效，本案发明人研发出一种改良的干燥基板的方法，该方法包括：(1)将一基板置入一基板容置槽内；(2)将一第二液体注入该基板容置槽；(3)一高频振动装置产生高频振动，以将一第一液体容置槽内的一第一液体，雾化成为一雾化第一液体；(4)将该雾化第一液体运送进入基板容置槽；(5)等待若干时间，使得雾化第一液体能够均匀分布于基板容置槽内；(6)利用一第一排放装置与一第二排放装置以排出第二液体；(7)利用一有机气体排放装置将基板容置槽内多余的雾化第一液体排出；及(8)完成该基板的干燥，将基板由基板容置槽内取出。

另外，为了达到上述再一目的所述的功效，本案发明人研发出一种改良的干燥基板的方法，该方法包括：(10)将一基板置入一基板容置槽内；(20)将一第二液体注入该基板容置槽；(30)一高频振动装置产生高频振动，以将一第一液体容置槽内的一第一液体，雾化成为一雾化第一液体；(40)将该雾化第一液体运送进入基板容置槽；(50)等待若干时间，使得雾化第一液体通过一层流装置，而能够均匀分布于基板容置槽内；(60)利用一第一排放装置与一第二排放装置以排出第二液体；(70)利用一有机气体排放装置将基板容置槽内多余的雾化第一液体排出；及(80)完成该基板的干燥，将基板由基板容置槽内取出。

借由上述技术方案，本发明改良的基板干燥系统及干燥基板的方法至少具有下列优点及有益效果：

1.本发明是利用高频振动装置产生高频振动以雾化异丙酮，雾化异丙酮具有较大的雾状粒子，可增加异丙酮与基板的接触面积，而可提升干燥基板表面的效果。

2.相较于现有习知的晶圆干燥系统，本发明使用高频振动装置替代加热装置，降低加热设备的成本与其运转成本，亦同时解决了加热异丙酮所需负担的安全上的风险。

3.本发明使用气体流量控制装置，其可控制雾化第一液体其进入基板容置槽内的流量，以避免基板容置槽内的雾化第一液体浓度过高，而使得基板容置槽内产生不安定的状态，另外，通过层流装置可使得雾化第一液体均匀地分布于基板的表面，更加地提升基板干燥的效果。

综上所述，本发明有关于一种改良的基板干燥系统及干燥基板的方法。该改良的基板干燥系统包括：一基板容置槽、一第一液体容置槽、一高频振动装置、一第二液体注入装置、一第一排放装置、一第二排放装置、一气体输入装置、一气体流量控制装置、一层流装置、及一有机气体排放装置。该改良的干燥基板的方法，可使用该高频振动装置以雾化一第一液体，并通过该气体流量控制装置与该层流装置，以有效地执行一基板的干燥。本发明在技术上有显著的进步，并具有明显的积极效果，诚为一新颖、进步、实用的新设计。

上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。

附图说明

图1是现有习知的晶圆干燥系统。

图2是一种改良的基板干燥系统的第一实施例架构图。

图3是改良的基板干燥系统的第二实施例的架构图。

图4是一种改良的干燥基板方法的第一实施方法流程图。

图5是步骤(402)的详细步骤流程图。

图6是步骤(404)的详细步骤流程图。

图7是步骤(406)的详细步骤流程图。

图8是改良的干燥基板方法的第二实施方法流程图。

图9是步骤(802)的详细步骤流程图。

图10是步骤(804)的详细步骤流程图。

图11是步骤(806)的详细步骤流程图。

1：改良的基板干燥系统

11：基板容置槽

111：层流装置

112：气体流量控制装置

113：第一侦测装置

114：第二侦测装置

115：第三侦测装置

116：第一侧边

117：第二侧边

118：第三侧边

12：第一液体容置槽

13：高频振动装置

14：第二液体注入装置

15：第一排放装置

16：第二排放装置

17：气体输入装置

18：有机气体排放装置

2：基板

3：现有习知的晶圆干燥系统

31：干燥槽

32：异丙醇储存槽

33：去离子水注入装置

34：排水装置

35：氮气输入装置

36：输送管

37：加热装置

38：晶圆

401～408：方法步骤

4021～4023：方法步骤

4041～4042：方法步骤

4061～4066：方法步骤

801～808：方法步骤

8021～8023：方法步骤

8041～8043：方法步骤

8061～8066：方法步骤

具体实施方式

为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的改良的基板干燥系统及干燥基板的方法其具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如后。

有关本发明的前述及其他技术内容、特点及功效，在以下配合参考图式的较佳实施例的详细说明中将可清楚的呈现。为了方便说明，在以下的实施例中，相同的元件以相同的编号表示。

请参阅图2，是一种改良的基板干燥系统的第一实施例架构图，该改良的基板干燥系统可应用于干燥一基板2，其包括：

一基板容置槽11，可将该基板2容置其中；

一第一液体容置槽12，是装设于该基板容置槽11的一第一侧边116，以容置一第一液体，该第一液体可为异丙醇(Isopropyl Alcohol，IPA)、甲醇、或乙醇，而于第一实施例中，是使用异丙醇以作为第一液体；

一高频振动装置13，设置于该第一液体容置槽12的内部，该高频振动装置13为一超音波产生器，故，高频振动装置13能够以高频振动的方式产生一高频振波，利用该高频振波可将该第一液体雾化成为一雾化第一液体，即成为雾化异丙酮，雾化异丙酮相较于蒸气的异丙酮，具有较大的异丙酮粒子，而能够提高异丙酮与该基板2接触的面积；

一第二液体注入装置14，装设于该基板容置槽11的一第二侧边117，通过该第二液体注入装置14可输入具有一适当温度的一第二液体于基板容置槽11内，以浸泡该基板2，使得基板2保持中温状态；于该改良的基板干燥系统1的第一实施例架中，该第二液体为去离子水(Deionization Water，DIW)，且其所具有的该适当温度的范围为25°～65℃；

一第一排放装置15，装设于该基板容置槽11的一第三侧边118，该第三侧边与基板容置槽11的该第一侧边116、及该第二侧边117为相邻边，该第一排放装置15用以缓慢地排放该第二液体；

一第二排放装置16，装设于该基板容置槽11的该第三侧边118，该第二排放装置16用以全速地排放该第二液体；

一气体输入装置17，连接于该第一液体容置槽12，通过该气体输入装置17可输入一第一气体于第一液体容置槽12，该第一气体为一洁净干燥的气体，于第一实施例之中，选用氮气作为第一气体，利用氮气可将该雾化第一液体运送入已注有该第二液体的该基板容置槽11内。由于该基板2浸泡于具有该适当温度的第二液体内，因此，保持中温状态的基板2，其与雾化第一液体间具有一温度差，该温度差更增加了雾化第一液体与第二液体间表面张力值的差距，因此，当控制该第一排放装置15与该第二排放装置16的排放速率，而将第二液体从基板容置槽11内排放出去时，基板2表面的水分子受到雾化第一液体与第二液体之间的表面张力差的影响，而被拉入第二液体之内，达到了干燥基板2表面的效果；及

一有机气体排放装置18，装设于该基板容置槽11的该第二侧边117，该有机气体排放装置18可于该基板2干燥完成之后，将该雾化第一液体以及该第一气体排出基板容置槽11，以避免因为雾化第一液体与第一气体于基板容置槽11内的浓度过高，而发生危险的情事。

另外，该基板容置槽11更包括了：一第一侦测装置113、一第二侦测装置114、及一第三侦测装置115。该第一侦测装置113可为一气体背压式液位侦测器或者一光反射式液位侦测器，若第一侦测装置113为该气体背压式液位侦测器，则装设于该基板容置槽11的内部槽壁，若第一侦测装置113为该气体背压式液位侦测器，则装设于基板容置槽11的外部槽壁；而于本实施例之中，第一侦测装置113为气体背压式液位侦测器，因此其被装设于基板容置槽11的内部槽壁，当该第二液体被注入于基板容置槽11之时，通过第一侦测装置113可侦测第二液体的一第一准位，以避免注入过多的第二液体。该第二侦测装置114亦为气体背压式液位侦测器，因此，第二侦测装置114装设于基板容置槽11的内部槽壁，且位于第一侦测装置113的下方，当通过该第一排放装置15缓慢地排放第二液体之时，第二侦测装置114可侦测第二液体的一第二准位，而当第二液体于基板容置槽11内达到该第二准位的高度时，此时，即可停止运送该雾化第一液体进入基板容置槽11内。该第三侦测装置115亦为气体背压式液位侦测器，因此，第三侦测装置115装设于基板容置槽11的内部槽壁，且位于第二侦测装置114的下方，当通过该第二排放装置16高速地排放第二液体之时，第三侦测装置115可侦测第二液体的一第三准位，而当第二液体于基板容置槽11内达到该第三准位的高度时，此时，即可关闭第一排放装置15与该第二排放装置16以停止排放第二液体。

上述该改良的基板干燥系统的第一实施例，利用该超音波产生器以高频振动的方式产生一高频振波，利用该高频振波将异丙酮(IPA)雾化，其取代了现有习知技术利用加热异丙酮而使得异丙酮变成蒸气的方法，因此，改良的基板干燥系统不仅节省了加热设备的成本其运转成本(RunningCost)，亦同时解决了加热异丙酮所需负担的风险。并且，雾化异丙酮具有颗粒较大的雾状粒子，因此加大了异丙酮与该基板2的接触面积，再者，由于基板2被浸泡在具有该适当温度(25℃～65℃)的去离子水之中，使得基板维持中温状态，因此，更拉大了雾化异丙酮与去离子水之间，表面张力的差距，而能够有效地利用表面张力差以提升基板2的干燥效果。

另外，请参阅图3，是改良的基板干燥系统的第二实施例的架构图，该改良的基板干燥系统1的第二实施例的大部分组成元件皆与第一实施例相同，然而，相较于第一实施例，于第二实施例之中，更包括：一气体流量控制装置112与一层流装置111。该气体流量控制装置112装设于该基板容置槽11内部，且位于该第一液体容置槽12与基板容置槽11的连接处。气体流量控制装置112可为一单向流量控制阀或一操作流量控制阀，以控制该第一气体所运送的该雾化第一液体进入基板容置槽11的流量，以避免瞬间注入过多的雾化第一液体，而导致基板容置槽11内的不安定状态。该层流装置111则装设于基板容置槽11的内部，当该基板2被置入基板容置槽11之内时，该层流装置111位于基板2的上方。于第二实施例之中，层流装置111为一具有多个孔状的板子，因此，当该第一气体运送该雾化第一液体进入基板容置槽11内之后，雾化第一液体将通过层流装置111，而能够更加均匀地分布于基板2的表面，而使得干燥基板2的效果更加提升。且，除了具有多个孔状的板子的设计外，层流装置111亦可被设计成为一个具有多个喷嘴的装置，其皆能够使得雾化第一液体均匀地分布于基板表面。

因此，通过上述对于本发明的第一实施例与第二实施例的详细说明，可以得知第二实施例对于基板2的干燥效果优于第一实施例，而这是因为第二实施例增加了气体流量控制装置112与层流装置111之故，然而，于实施本发明之时，若实施人因为设备成本上的考量，而无法实施本发明的第二实施例之时，第一实施例仍为一个设备成本低廉，且具有良好干燥效果的基板干燥系统。

上述对于该改良的基板干燥系统1的第一实施例与第二实施例，已作了相当完整的说明，然而，由于不同的基板干燥系统会有不同的干燥基本的方法，因此，第一实施例与第二实施例分别有第一实施方法与第二实施方法，请参阅同时参阅图2与图4，其中，图4是一种改良的基板干燥方法的第一实施方法流程图，该改良的基板干燥方法，包括以下步骤：

首先，执行步骤(401)，将一基板2置入一基板容置槽11内；接着，执行步骤(402)，将一第二液体注入该基板容置槽11；然后，执行步骤(403)，一高频振动装置13产生高频振动，以将一第一液体容置槽12内的一第一液体，雾化成为一雾化第一液体；接着，执行步骤(404)，将该雾化第一液体运送进入基板容置槽11；然后，执行步骤(405)，等待若干时间，使得雾化第一液体能够均匀分布于基板容置槽11内；接着，执行步骤(406)，利用一第一排放装置15与一第二排放装置16以排出第二液体；完成步骤(406)之后，接着，执行步骤(407)，利用一有机气体排放装置18将基板容置槽11内多余的雾化第一液体排出；以及，执行步骤(408)，完成该基板2的干燥，将基板2由基板容置槽11内取出。于上述该改良的基板干燥方法中，该第一液体为异丙醇，且，该第二液体为去离子水，而该高频振动装置13则为一超音波产生器，如此，藉由上述步骤(401)至步骤(408)，即可使用改良的基板干燥系统1的第一实施例，以完成基板2的干燥。

然而，如上述该改良的基板干燥方法，请再同时参阅图2与图5，其中，图5是步骤(402)的详细步骤流程图，步骤(402)更包括了以下详细步骤：

首先，执行步骤(4021)，一第二液体注入装置14注入具有一适当温度的该第二液体于该基板容置槽11内，其中，该适当温度的范围为25°～65℃；接着，执行步骤(4022)，一第一侦测装置113判断第二液体是否到达一第一准位，若是，则表示所注入的第二液体已经足够，则执行步骤(4023)，该第二液体注入装置停止第二液体的注入；若否，则重复执行步骤(4021)，以持续注入第二液体，直到第二液体到达该第一准位为止。

另外，请参阅图2与图6，其中，图6是步骤(404)的详细步骤流程图，如上述该改良的基板干燥方法，步骤(404)更包括了以下详细步骤：

首先，执行步骤(4041)，一气体输入装置17输入一第一气体于该第一液体容置槽12内，其中，该第一气体为洁净干燥的氮气；以及，执行步骤(4042)，藉由第一气体将该雾化第一液体运送进入该基板容置槽11内。

请再同时参阅图2与图7，图7是步骤(406)的详细步骤流程图，其中，步骤(406)更包括了以下详细步骤：

首先，执行步骤(4061)，使用该第一排放装置15缓慢地排放该第二液体；接着，执行步骤(4062)，一第二侦测装置114判断第二液体是否到达一第二准位，若是，则执行步骤(4063)，关闭该高频振动装置13与该气体输入装置17，以停止运送该雾化后第一液体进入该基板容置槽11；若否，则重复执行步骤(4061)，以继续排放第二液体，直到第二液体达到该第二准位为止；步骤(4063)完成之后，接着，执行步骤(4064)，同时使用一第二排放装置16以全速地排放第二液体；然后，执行步骤(4065)，一第三侦测装置115判断第二液体是否到达一第三准位，若是，则表示第二液体的排放量已达到方法预设的最低准位，因此可执行步骤(4066)，关闭该第一排放装置15与该第二排放装置16；于步骤(4065)中，若否，则重复执行步骤(4064)，以继续排放第二液体，直到第二液体达到方法预设的最低准位为止。

另外，该改良的基板干燥方法更包括第二实施方法，第二实施方法针对上述该改良的基板干燥系统1的第二实施例所设计的一种改良的干燥基板方法，请参阅图8，该改良的干燥基板方法的第二实施方法流程图，并同时参阅图3，第二实施方法包括以下步骤：

首先，执行步骤(801)，将一基板2置入一基板容置槽11内；接着，执行步骤(802)，将一第二液体注入该基板容置槽11；然后，执行步骤(803)，一高频振动装置13产生高频振动，以将一第一液体容置槽12内的一第一液体，雾化成为一雾化第一液体；接着，执行步骤(804)，将该雾化第一液体运送进入基板容置槽11；然后，执行步骤(805)，等待若干时间，使得雾化第一液体通过一层流装置111，而能够更加地均匀分布于基板容置槽11内；接着，执行步骤(806)，利用一第一排放装置15与一第二排放装置16以排出第二液体，于第二液体被排出的过程里，由于雾化第一液体与第二液体间具有表面张力差，因此，该基板2表面的水分子将被拉入第二液体内，而被排出于基板容置槽11之外；完成步骤(806)之后，接着，执行步骤(807)，利用一有机气体排放装置18将基板容置槽11内多余的雾化第一液体排出；以及，执行步骤(808)，完成基板2的干燥，将基板2由基板容置槽11内取出。如此，藉由上述步骤(801)至步骤(808)，即可使用上述该改良的基板干燥系统1的第二实施例，以完成基板2的干燥。

且，相同于第一实施方法，该第一液体为异丙醇，该第二液体则为去离子水，该第一气体为洁净干燥的氮气，而该高频振动装置13为一超音波产生器。然而，不同于第一实施方法，于第二实施方法中，必须使用到该层流装置111，其为一具有多个孔状的板子，该雾化第一液体将通过层流装置111，而能够更加均匀地分布于该基板2的表面，而使得基板2的干燥效果提升。

另外，于上述该改良的基板干燥方法的第二实施方法中，请参阅图3与图9，图9是步骤(802)的详细步骤流程图，其中，步骤(802)更包括以下详细步骤：

首先，执行步骤(8021)，一第二液体注入装置14注入具有一适当温度的该第二液体于该基板容置槽11内，该适当温度的范围为25°～65℃；接着，执行步骤(8022)，一第一侦测装置113判断第二液体是否到达一第一准位，若是，则执行步骤(8023)，该第二液体注入装置14停止第二液体的注入；若否，则重复执行步骤(8021)，直到第二液体的准位高度达到该第一准位为止。

请继续参阅图3与图10，图10是步骤(804)的详细步骤流程图，其中，步骤(804)更包括以下详细步骤：

首先，执行步骤(8041)，一气体输入装置17输入一第一气体于该第一液体容置槽12内，该第一气体为氮气；接着，执行步骤(8042)，藉由该第一气体将该雾化第一液体运送进入该基板容置槽11内；以及，执行步骤(8043)，启动一气体流量控制装置112，以控制雾化第一液体进入基板容置槽11的流量。其中，该气体流量控制装置112可为一单向流量控制阀或一操作流量控制阀，然而，于第二实施方法中，气体流量控制装置112的功用在于控制雾化第一液体进入基板容置槽11的流量，使其更有利于上述步骤(805)的执行。

请再参阅图11，是步骤(806)的详细步骤流程图，于第二实施方法之中，步骤(806)更包括了以下的详细步骤：

首先，执行步骤(8061)，使用该第一排放装置15缓慢地排放该第二液体；接着，执行步骤(8062)，一第二侦测装置114判断第二液体是否到达一第二准位，若是，则执行步骤(8063)，关闭该高频振动装置13、该气体流量控制装置112、与该气体输入装置17，以停止运送该雾化后第一液体进入该基板容置槽11；若否，则重复执行步骤(8061)，以持续排出第二液体，直到其准位到达该第二准位为止；接着，执行步骤(8064)，同时使用一第二排放装置16以全速地排放第二液体；然后，执行步骤(8065)，一第三侦测装置115判断第二液体是否到达一第三准位，若是，则表示第二液体的准位已经到达该第三准位，即本方法所设计第二液体的最低准位，则可则执行步骤(8066)，关闭该第一排放装置15与该第二排放装置16；若否，则重复执行步骤(8064)，以持续排出第二液体，直到其准位到达第三准位为止。

上述已经详细且完整地揭露该改良的基板干燥系统及其干燥基板的方法，其中包括了第一实施例、第二实施例、第一实施方法、及第二实施方法，因此，综合上述，本发明具有下列的优点：

1、本发明是利用高频振动装置产生高频振动以雾化异丙酮，雾化异丙酮具有较大的雾状粒子，可增加异丙酮与基板的接触面积，而可提升干燥基板表面的效果。

2、相较于现有习知的晶圆干燥系统，本发明使用高频振动装置替代加热装置，降低加热设备的成本与其运转成本，亦同时解决了加热异丙酮所需负担的安全上的风险。

3、本发明使用气体流量控制装置，其可控制雾化第一液体其进入基板容置槽内的流量，以避免基板容置槽内的雾化第一液体浓度过高，而使得基板容置槽内产生不安定的状态，另外，通过层流装置可使得雾化第一液体均匀地分布于基板的表面，更加地提升基板干燥的效果。

以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。

Claims (48)

1.一种改良的基板干燥系统，可应用于干燥一基板，其特征在于其包括：

一基板容置槽，可将该基板容置其中；

一第一液体容置槽，装设于该基板容置槽的一第一侧边，以容置一第一液体；

一高频振动装置，设置于该第一液体容置槽的内部，该高频振动装置可产生高频振动以将该第一液体雾化成为一雾化第一液体；

一第二液体注入装置，装设于基板容置槽的一第二侧边，通过该第二液体注入装置可输入具有一适当温度的一第二液体于基板容置槽内，以浸泡基板，使得基板保持中温状态；

一第一排放装置，装设于基板容置槽的一第三侧边，该第三侧边与第一侧边及第二侧边为相邻边，该第一排放装置用以缓慢地排放该第二液体；

一第二排放装置，装设于基板容置槽的第三侧边，该第二排放装置用以全速地排放第二液体；

一气体输入装置，连接于第一液体容置槽，通过该气体输入装置可输入一第一气体于第一液体容置槽，该第一气体可将该雾化第一液体运送入已注有第二液体的基板容置槽内，当控制第一排放装置与第二排放装置的排放速率，而将第二液体从基板容置槽内排放出去时，基板表面的水分子受到雾化第一液体与第二液体的表面张力差距的影响，而被拉入第二液体之内，达到了干燥基板表面的效果；及

一有机气体排放装置，装设于基板容置槽的第二侧边，该有机气体排放装置可于基板干燥完成之后，将雾化第一液体及第一气体排出基板容置槽。

2.根据权利要求1所述的改良的基板干燥系统，其特征在于其中所述的基板容置槽更包括：

一第一侦测装置，装设于基板容置槽的槽壁，当该第二液体被注入于基板容置槽之时，通过该第一侦测装置可侦测第二液体的一第一准位；

一第二侦测装置，装设于基板容置槽的槽壁，且位于第一侦测装置的下方，当通过该第一排放装置缓慢地排放第二液体之时，该第二侦测装置可侦测第二液体的一第二准位；及

一第三侦测装置，装设于基板容置槽的槽壁，且位于第二侦测装置的下方，当通过该第二排放装置高速地排放第二液体之时，该第三侦测装置可侦测第二液体的一第三准位。

3.根据权利要求1所述的改良的基板干燥系统，其特征在于其中所述的第一液体为下列任一种：异丙醇、甲醇、与乙醇。

4.根据权利要求2所述的改良的基板干燥系统，其特征在于其中所述的第二液体为去离子水。

5.根据权利要求1所述的改良的基板干燥系统，其特征在于其中所述的第一气体为一洁净干燥的气体。

6.根据权利要求1所述的改良的基板干燥系统，其特征在于其中所述的高频振动装置为一超音波产生器。

7.根据权利要求2所述的改良的基板干燥系统，其特征在于其中所述的第一侦测装置为一气体背压式液位侦测器与一光反射式液位侦测器。

8.根据权利要求2所述的改良的基板干燥系统，其特征在于其中所述的第二侦测装置为一气体背压式液位侦测器与一光反射式液位侦测器。

9.根据权利要求2所述的改良的基板干燥系统，其特征在于其中所述的第三侦测装置为一气体背压式液位侦测器与一光反射式液位侦测器。

10.根据权利要求1所述的改良的基板干燥系统，其特征在于其中所述的适当温度的范围为25°～65℃。

11.根据权利要求1所述的改良的基板干燥系统，其特征在于其中更包括：

一气体流量控制装置，装设于该基板容置槽内部，且其位于该第一液体容置槽与基板容置槽的连接处，以控制该第一气体所运送的该雾化第一液体进入基板容置槽的流量；及

一层流装置，装设于基板容置槽的内部，当该基板被置入基板容置槽内之时，该层流装置位于基板的上方，当第一气体运送雾化第一液体进入基板容置槽内之后，雾化第一液体可通过层流装置，而均匀地分布于基板的表面。

12.根据权利要求11所述的改良的基板干燥系统，其特征在于其中所述的基板容置槽更包括：

一第一侦测装置，装设于基板容置槽的槽壁，且位于该层流装置的下方，当该第二液体被注入于基板容置槽的时，通过该第一侦测装置可侦测第二液体的一第一准位；

一第二侦测装置，装设于基板容置槽的槽壁，且位于第一侦测装置的下方，当通过该第一排放装置缓慢地排放第二液体之时，该第二侦测装置可侦测第二液体的一第二准位；及

一第三侦测装置，装设于基板容置槽的槽壁，且位于第二侦测装置的下方，当通过该第二排放装置高速地排放第二液体之时，该第三侦测装置可侦测第二液体的一第三准位。

13.根据权利要求12所述的改良的基板干燥系统，其特征在于其中所述的第一液体为异丙醇、甲醇、或乙醇。

14.根据权利要求12所述的改良的基板干燥系统，其特征在于其中所述的第二液体为去离子水。

15.根据权利要求12所述的改良的基板干燥系统，其特征在于其中所述的第一气体为一洁净干燥的气体。

16.根据权利要求12所述的改良的基板干燥系统，其特征在于其中所述的高频振动装置为一超音波产生器。

17.根据权利要求12所述的改良的基板干燥系统，其特征在于其中所述的第一侦测装置为一气体背压式液位侦测器与一光反射式液位侦测器。

18.根据权利要求12所述的改良的基板干燥系统，其特征在于其中所述的第二侦测装置为一气体背压式液位侦测器与一光反射式液位侦测器。

19.根据权利要求12所述的改良的基板干燥系统，其特征在于其中所述的第三侦测装置为一气体背压式液位侦测器与一光反射式液位侦测器。

20.根据权利要求12所述的改良的基板干燥系统，其特征在于其中所述的适当温度的范围为25°～65℃。

21.根据权利要求12所述的改良的基板干燥系统，其特征在于其中所述的层流装置为下列任一种：一具有多个孔状的板子以及多个喷嘴。

22.根据权利要求12所述的改良的基板干燥系统，其特征在于其中所述的流量控制装置为一单向流量控制阀与一操作流量控制阀。

23.一种改良的干燥基板的方法，其特征在于该方法包括：

(1)将一基板置入一基板容置槽内；

(2)将一第二液体注入该基板容置槽；

(3)一高频振动装置产生高频振动，以将一第一液体容置槽内的一第一液体，雾化成为一雾化第一液体；

(4)将该雾化第一液体运送进入基板容置槽；

(5)等待若干时间，而使雾化第一液体均匀分布于基板容置槽内；

(6)利用一第一排放装置与一第二排放装置以排出第二液体；

(7)利用一有机气体排放装置将基板容置槽内多余的雾化第一液体排出；及

(8)完成该基板的干燥，将基板由基板容置槽内取出。

24.根据权利要求23所述的改良的干燥基板的方法，其特征在于其中所述的该步骤(2)更包括以下步骤：

(21)一第二液体注入装置注入具有一适当温度的该第二液体于该基板容置槽内；

(22)一第一侦测装置判断第二液体是否到达一第一准位，若是，则执行步骤(23)，若否，则重复执行步骤(21)；及

(23)该第二液体注入装置停止第二液体的注入。

25.根据权利要求23所述的改良的干燥基板的方法，其特征在于其中所述的该步骤(4)更包括以下步骤：

(41)一气体输入装置输入一第一气体于该第一液体容置槽内；及

(42)藉由该第一气体将该雾化第一液体运送进入该基板容置槽内。

26.根据权利要求23所述的改良的干燥基板的方法，其特征在于其中所述的该步骤(6)更包括以下步骤：

(61)使用该第一排放装置缓慢地排放该第二液体；

(62)一第二侦测装置判断第二液体是否到达一第二准位，若是，则执行步骤(63)，若否，则重复执行步骤(61)；

(63)关闭该高频振动装置与该气体输入装置，以停止运送该雾化后第一液体进入该基板容置槽；

(64)同时使用一第二排放装置以全速地排放第二液体；

(65)一第三侦测装置判断第二液体是否到达一第三准位，若是，则执行步骤(66)，若否，则重复执行步骤(64)；及

(66)关闭该第一排放装置与该第二排放装置。

27.根据权利要求23所述的改良的干燥基板的方法，其特征在于其中所述的该第二液体为一去离子水。

28.根据权利要求23所述的改良的干燥基板的方法，其特征在于其中所述的第一液体为异丙醇、甲醇、或乙醇。

29.根据权利要求25所述的改良的干燥基板的方法，其特征在于其中所述的第一气体为洁净干燥的气体。

30.根据权利要求23所述的改良的干燥基板的方法，其特征在于其中所述的高频振动装置为一超音波产生器。

31.根据权利要求24所述的改良的干燥基板的方法，其特征在于其中所述的第一侦测装置为一气体背压式液位侦测器与一光反射式液位侦测器。

32.根据权利要求26所述的改良的干燥基板的方法，其特征在于其中所述的第二侦测装置为一气体背压式液位侦测器与一光反射式液位侦测器。

33.根据权利要求26所述的改良的干燥基板的方法，其特征在于其中所述的第三侦测装置为一气体背压式液位侦测器与一光反射式液位侦测器。

34.根据权利要求24所述的改良的干燥基板的方法，其特征在于其中所述的适当温度的范围为25°～65℃。

35.一种改良的干燥基板的方法，其特征在于该方法包括：

(10)将一基板置入一基板容置槽内；

(20)将一第二液体注入该基板容置槽；

(30)一高频振动装置产生高频振动，以将一第一液体容置槽内的一第一液体，雾化成为一雾化第一液体；

(40)将该雾化第一液体运送进入基板容置槽；

(50)等待若干时间，使得雾化第一液体通过一层流装置，而能够更加地均匀分布于基板容置槽内；

(60)利用一第一排放装置与一第二排放装置以排出第二液体；

(70)利用一有机气体排放装置将基板容置槽内多余的雾化第一液体排出；及

(80)完成该基板的干燥，将基板由基板容置槽内取出。

36.根据权利要求35所述的改良的干燥基板的方法，其特征在于其中所述的步骤(20)更包括以下步骤：

(201)一第二液体注入装置注入具有一适当温度的该第二液体于该基板容置槽内；

(202)一第一侦测装置判断第二液体是否到达一第一准位，若是，则执行步骤(203)，若否，则重复执行步骤(201)；及

(203)该第二液体注入装置停止第二液体的注入。

37.根据权利要求35所述的改良的干燥基板的方法，其特征在于其中所述的步骤(40)更包括以下步骤：

(401)一气体输入装置输入一第一气体于该第一液体容置槽内；

(402)藉由该第一气体将该雾化第一液体运送进入该基板容置槽内；及

(403)启动一气体流量控制装置，以控制雾化第一液体进入基板容置槽的流量。

38.根据权利要求35所述的改良的干燥基板的方法，其特征在于其中所述的步骤(60)更包括以下步骤：

(601)使用该第一排放装置缓慢地排放该第二液体；

(602)一第二侦测装置判断第二液体是否到达一第二准位，若是，则执行步骤(603)，若否，则重复执行步骤(601)；

(603)关闭该高频振动装置、该气体流量控制装置、与该气体输入装置，以停止运送该雾化后第一液体进入该基板容置槽；

(604)同时使用一第二排放装置以全速地排放第二液体；

(605)一第三侦测装置判断第二液体是否到达一第三准位，若是，则执行步骤(606)，若否，则重复执行步骤(604)；及

(606)关闭该第一排放装置与该第二排放装置。

39.根据权利要求35所述的改良的干燥基板的方法，其特征在于其中所述的第二液体为一去离子水。

40.根据权利要求35所述的改良的干燥基板的方法，其特征在于其中所述的第一液体为异丙醇、甲醇、或乙醇。

41.根据权利要求37所述的改良的干燥基板的方法，其特征在于其中所述的第一气体为洁净干燥的气体。

42.根据权利要求35所述的改良的干燥基板的方法，其特征在于其中所述的高频振动装置为一超音波产生器。

43.根据权利要求36所述的改良的干燥基板的方法，其特征在于其中所述的第一侦测装置为一气体背压式液位侦测器与一光反射式液位侦测器。

44.根据权利要求38所述的改良的干燥基板的方法，其特征在于其中所述的第二侦测装置为一气体背压式液位侦测器与一光反射式液位侦测器。

45.根据权利要求38所述的改良的干燥基板的方法，其特征在于其中所述的第三侦测装置为一气体背压式液位侦测器与一光反射式液位侦测器。

46.根据权利要求36所述的改良的干燥基板的方法，其特征在于其中所述的适当温度的范围为25°～65℃。

47.根据权利要求35所述的改良的干燥基板的方法，其特征在于其中所述的层流装置为下列任一种：一具有多个孔状的板子以及多个喷嘴。

48.根据权利要求37所述的改良的干燥基板的方法，其特征在于其中所述的流量控制装置为一单向流量控制阀与一操作流量控制阀。

Images