CN102054928A - 发光器件封装和照明系统 - Google Patents

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Abstract

发光器件(LED)封装包括：辅助座和发光芯片。所述辅助座包括其上安装芯片的支撑区域和芯片区域，并且在在所述芯片上形成包封材料和荧光材料。所述包封材料和荧光材料的覆盖区与芯片或芯片区域基本上共同延伸，芯片区域的边缘和支撑区域的边缘之间的第一区大于芯片区域的边缘和芯片之间的第二区。

Description

发光器件封装和照明系统
技术领域
本文描述的一个或多个实施方案涉及发光器件封装和照明系统。
背景技术
p-n结二极管是一种将电能转化为光的发光器件(LED)。二极管可通过将元素周期表的III族元素和V族元素组合而形成，并且可基于用于形成结的半导体材料的组成比例来设定光的颜色(红、绿或蓝)。
可以多种方法由彩色LED形成白色发光器件封装。一种技术涉及组合红色、绿色和蓝色LED然后向蓝色LED中加入黄色荧光材料(如YAG、TAG等)。另一种技术涉及将红色、绿色和蓝色荧光材料添加到UV发光器件中。尽管白光LED在很多应用中证明是可取的，但是它们具有降低其可靠性、稳定性和性能的缺点。
发明内容
本发明的一个实施方案提供一种发光器件封装，包括：包括芯片区域和支撑区域的辅助座(submount)；在所述辅助座的芯片区域上的发光芯片；和在所述芯片上的包封材料和荧光材料，其中所述包封材料至少部分透明，所述包封材料和所述荧光材料的覆盖区与所述芯片区域基本上共同延伸(coextensive)，和所述芯片区域的边缘与所述支撑区域的边缘之间的第一区大于所述芯片区域的所述边缘与所述芯片之间的第二区。
本发明的一个实施方案提供一种发光器件封装，包括：包括芯片区域和支撑区域的辅助座；在所述辅助座的芯片区域上的发光芯片；和在所述芯片上的包封材料和荧光材料，其中：所述包封材料至少部分透明，所述包封材料和所述荧光材料的覆盖区与所述芯片区域基本上共同延伸，和所述芯片区域的顶表面包括在不被所述芯片覆盖的位置处的至少一个沟槽，所述包封材料延伸到所述至少一个沟槽中。
本发明的一个实施方案提供一种发光器件封装，包括：包括芯片区域和支撑区域的辅助座；在所述辅助座的芯片区域上的发光芯片；在所述芯片上的第一包封材料；和在所述第一包封材料上的第二包封材料，其中：所述第一和第二包封材料至少部分透明，所述第一或第二包封材料包括荧光材料，所述第一包封材料的覆盖区与所述芯片区域基本上共同延伸，和所述第一包封材料与所述芯片区域接触，所述第二包封材料与所述支撑区域的表面接触。
本发明的一个实施方案提供一种发光器件封装，包括：包括芯片区域和支撑区域的辅助座；在所述辅助座的芯片区域上的发光芯片；和在所述芯片上的包封材料和荧光材料，其中，所述包封材料至少部分透明，所述包封材料和所述荧光材料的覆盖区与所述芯片基本上共同延伸，并且基本上不与不被所述芯片覆盖的所述芯片区域的区域交叠，也不与不被所述芯片区域覆盖的所述支撑区域的区域交叠。
本发明的一些实施方案提供包括根据本发明的封装的照明系统，其中所述封装安装在发光模块的衬底上。
附图说明
图1是示出第一实施方案的发光器件封装的剖面图。
图2至5是示出制造发光器件封装的方法的第一实施方案的各步骤的截面示意图。
图6是示出第二实施方案的发光器件封装的剖面图。
图7a是示出第三实施方案的发光器件封装的剖面图。
图7b是示出第四实施方案的发光器件封装的剖面图。
图8是示出一个实施方案的照明单元的图。
图9是示出一个实施方案的背光单元的图。
具体实施方式
图1示出第一实施方案发光器件封装600，其由包括芯片区域120和支撑区域110的辅助座100形成。发光器件芯片200在芯片区域上形成并且荧光材料(未示出)在发光器件芯片200上形成。
如图所示，芯片区域的顶表面的不附着发光器件芯片200的一个区域的水平长度(L)可为发光器件芯片200厚度(t)的大约1至10倍。在芯片之上形成的包封材料400可具有半球形或其他形状。根据一种布置，包封材料400可在辅助座100的芯片区域120和发光器件芯片200上形成或者将其覆盖。
在该第一实施方案中，由于包封材料在辅助座的芯片区域和发光器件芯片上形成和/或将其覆盖，而基本上不在封装的其他部分如支撑区域110上形成和/或覆盖，所以应用于封装的荧光材料可均匀分布在芯片的区域上。这将导致来自封装的光均匀分布，从而防止色温的广泛变化，这种变化可降低可靠性、稳定性和性能。在另一个实施方案中，包封和荧光材料可形成为仅覆盖如图7b所示的封装600d上的芯片。荧光材料可与混合的包封材料一起应用于封装。
因此，在第一实施方案中，由于包封和荧光材料形成为具有与芯片和/或芯片区域的区域相对应或类似的区域，所以荧光材料可在芯片周围均匀分布。在这方面，包封和荧光材料具有彼此相同或相似的区域。在其他实施方案中，这些区域可以不同。
例如，当芯片区域120突出的情况下，由于发光器件芯片200在突出的芯片区域120之上形成或附着于突出的芯片区域120，并且由于包封材料400和荧光材料形成在突出的芯片区域120上部或之上，因此包封材料400和荧光材料形成为具有与发光器件芯片的区域相类似的区域，使得荧光材料可均匀分布在发光器件芯片周围。
图2至5示出包括在制造发光器件封装的方法的第一实施方案中的多个步骤。例如，封装可为图1中所示封装或者其他封装。
首先，如图2所示，准备辅助座100。辅助座100可由具有与构成发光器件芯片的材料类似的热膨胀系数和/或具有优异热导率的材料形成。例如，在一个实施方案中，辅助座100可由硅(Si)形成。但是，在其他实施方案中可使用不同材料。并且，辅助座100可包括反射杯(未示出)，和/或可在辅助座100中安装阻止静电放电(ESD)的装置。
然后，在辅助座100中形成芯片区域120和支撑区域110。为形成这些特性，可在辅助座100上设置具有屏蔽芯片区域120的图案的掩模(未示出)，然后辅助座100的暴露部分可利用掩模作为蚀刻掩模进行蚀刻以形成支撑区域110和芯片区域120。在其他一些实施方案中，芯片和支撑区域可用其他技术来形成。
为形成包括芯片区域120和支撑区域110的辅助座，可形成辅助座的芯片区域120，以使得辅助座的不附着发光器件芯片200的芯片区域的一侧顶表面的水平长度(L)可为发光器件芯片200的厚度(t)的约1至10倍。因此，包封材料可易于形成为半球形、椭圆形或其他形状。
根据一个实施方案，由于包封材料在芯片区域120和发光器件芯片200上形成，从而使得荧光材料具有与至少芯片区域相似的分布，所以荧光材料可均匀分布于发光器件芯片周围。如前所述，荧光材料可形成为具有与芯片和芯片区域二者相对应或相似的区域。
例如，在芯片区域120突出的情况下，发光器件芯片200在突出的芯片区域120之上形成或附着于突出的芯片区域120，包封材料400和荧光材料形成为具有与在突出的芯片区域120上的发光器件芯片的区域相类似的分布，因此荧光材料可均匀分布在发光器件芯片周围。根据一个实施方案，可以包含或者提供荧光材料，从而使得包封和荧光材料在它们的覆盖区域中共同延伸。
然后，如图3所示，发光器件芯片200在辅助座100的芯片区域120上形成或附着于辅助座100的芯片区域120。发光器件芯片200可由如GaN、GaAs、GaAsP、GaP等的材料形成。例如，绿～蓝LED可由GaN(InGaN)形成，而黄～红LED可由InGaAlP或AlGaAs形成。通过改变材料的组成，也可以实现全色LED。图4中的发光器件芯片200显示为水平型发光器件芯片。但是，在其他实施方案中，芯片可以是垂直型或其他类型。
如图4所示，发光器件芯片200可包括在衬底210上的发光结构。衬底可包括导电衬底或绝缘衬底。例如，衬底210可包括蓝宝石(Al2O3)、SiC、Si、GaAs、GaN、ZnO、Si、GaP、InP、Ge和Ga2O3衬底中的至少一种。虽然可在衬底210的上表面形成不规则结构，但是本发明不限于此。
发光结构220可包括第一导电型半导体层222、有源层224和第二导电型半导体层226。第一导电型半导体层222可部分暴露。然后第一电极240可在第一导电型半导体层222上形成，第二电极230可在第二导电型半导体层226上形成。
第一导电型半导体层222可由例如掺杂有第一导电型掺杂剂的III-V族化合物半导体形成。如果第一导电型半导体层222是N型半导体层，第一导电型掺杂剂可以是N型掺杂剂，例如可包括Si、Ge、Sn、Se和/或Te作为N型掺杂剂。
第一导电型半导体层222可包括例如组成式为InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半导体材料。根据一个实施方案，第一导电型半导体层222可由GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、InGaAs、AlInGaAs、GaP、AlGaP、InGaP、AlInGaP和InP中的至少一种形成。
有源层224可形成为例如单量子阱结构、多量子阱(MQW)结构、量子线结构和量子点结构中的至少一种。例如，有源层224可通过注入三甲基镓气体(TMGa)、氨气(NH3)、氮气(N2)和三甲基铟(TMIn)气体形成为MQW结构。在其他实施方案中可为不同的结构。
有源层224的阱层/势垒层可形成为例如InGaN/GaN、InGaN/InGaN、AlGaN/GaN、InAlGaN/GaN、GaAs/AlGaAs(InGaAs)、GaP/AlGaP(InGaP)中的至少一对结构。在其他实施方案中可为不同的结构。阱层可由能带隙低于势垒层的能带隙的材料形成。
在有源层224上或/和下可形成导电覆层。导电覆层可由AlGaN基半导体形成并且其能带隙可高于有源层224的能带隙。
第二导电型半导体层226可包括掺杂有第二导电型掺杂剂的III-V族化合物半导体，例如组成式为InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半导体材料。根据一个实施方案，第二导电型半导体层226可由GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、InGaAs、AlInGaAs、GaP、AlGaP、InGaP、AlInGaP和InP中的至少一种形成。
当第二导电型半导体层226是P型半导体层时，第二导电型掺杂剂可包括Mg、Zn、Ca、Sr、Ba等作为P型掺杂剂。第二导电型半导体层226可形成为单层或多层结构，但是也可为其他结构。
在一个实施方案中，第一导电型半导体层222可通过N型半导体层来实现，第二导电型半导体层226可通过P型半导体层来实现。或者，在第二半导体层226上可形成具有与第二导电型相反的导电类型的半导体层，例如N型半导体层(未显示)。因此，发光结构220可实现为N-P结结构、P-N结结构、N-P-N结结构或者P-N-P结结构中的至少之一。
然后，可通过例如倒装芯片方法、用聚合物粘合剂粘附发光器件芯片200的方法、或者利用镀覆在发光器件芯片上的低共熔金属的方法来实施发光器件芯片200在辅助座100上的附着。
图3说明性示出用倒装芯片法附着发光器件芯片200。例如，发光器件芯片200可利用具有优异可加工性的银(Ag)导电环氧树脂通过焊接来附着。在需要高导热性的情况下，可应用倒装芯片键合法或低共熔键合法。在其他实施方案中可使用不同的附着方法或材料。
同时，在辅助座100上附着发光器件芯片200的过程中，可形成辅助座100的芯片区域120，使得辅助座的不附着发光器件芯片200的芯片区域120的一侧顶表面的水平长度(L)可为发光器件芯片200的厚度(t)的约1至10倍。
因此，因为在该实施方案中包封材料在辅助座的芯片区域和发光器件芯片上或上面形成，因此荧光材料可分布于与芯片和/或芯片区域的区域相对应或类似的区域中。这使得荧光材料能够形成为具有围绕发光器件芯片的均匀分布。
然后，如图5所示，为了保护发光器件芯片和增加光提取效率，可用包封材料400包封发光器件芯片200。荧光材料(未示出)可包括在包封材料中或者施加到包封材料的顶表面或底表面。
如所示，包封在发光器件芯片200上的包封材料400可形成为半球形或椭圆形或其他形状。并且，包封材料400可在辅助座的芯片区域120和发光器件芯片200之上形成为半球形，或可形成为半球形以覆盖辅助座的芯片区域120和发光器件芯片200。包封材料400可以是或可以包括环氧树脂包封材料或硅包封材料，但是在其他实施方案中可使用其他材料。
在一个实施方案中，发光器件芯片200可为绿～蓝LED、黄～红LED、UV LED等，并且可通过向包封材料中加入荧光材料来获得白光。例如，可通过向蓝色发光器件中加入黄色荧光材料(例如YAG、TAG等)或者将红/绿/蓝荧光材料应用于UV发光器件来获得白光。
荧光材料可包括基质材料和活性材料。例如，可使用钇铝石榴石(YAG)作为基质材料和铈(Ce)作为活性材料的组合，或者硅酸盐基基质材料和铕作为活性材料的组合。在其他实施方案中可使用不同材料。
包封过程可按照添加、混合、排放和固化的顺序进行。包封材料的包封可通过分配、注塑成型或传递成型来进行。
在一个实施方案中，包封材料400可形成为半球形，并且由于包封材料的表面张力可以包封成预定形状。
因此，因为包封材料通过其表面张力均匀形成于辅助座的芯片区域120和发光器件200上，所以荧光材料可均匀地分布在包封材料中。因此，荧光材料可类似地均匀分布于发光芯片的区域。
例如，在芯片区域120突出的情况下，因为发光器件芯片200在突出的芯片区域120之上形成或附着在突出的芯片区域120上，然后包括荧光材料的包封材料400形成在与发光器件芯片的区域类似的突出的芯片区域120上，因此荧光材料可均匀分布在发光器件芯片周围。
在该实施方案中，为了通过表面张力在辅助座的芯片区域120和发光器件芯片200上均匀形成包封材料，辅助座的芯片区域的表面和发光器件芯片的表面可保持在低湿润的状态。
例如，如果发光器件芯片200的表面不规则地形成，由于包封材料的湿润性降低，包封材料可形成为半球形，因此可改善光提取效率。
根据前述实施方案的发光器件封装及其制造方法，因为包封材料在辅助座的芯片和/或芯片区域上部或之上形成，因此荧光材料能够形成为具有类似于发光器件芯片和/或芯片区域的区域的分布区域。结果，荧光材料可均匀分布在发光器件芯片周围。
图6示出第二实施方案发光器件封装600b。在该实施方案中，在发光器件芯片200附着于芯片区域120之后，可进行引线接合310，然后可在芯片和至少一部分接合引线上和/或上部形成包封材料400。包封材料也可形成于芯片区域的全部或一部分上，如第一实施方案的情况。
例如，在不同于倒装芯片工艺的工艺中，发光器件芯片200和引线框320之间可进行引线接合工艺，以使得电流可以流入发光器件芯片200。例如，在垂直型发光器件芯片的情况下，可进行一个引线接合过程。在水平型发光器件芯片的情况下，可进行两个引线接合过程。作为引线，可使用金线、铜线或铝线之一，并且引线接合可通过球引线接合或边缘引线接合来进行。
然后，可在包封材料400上形成外透镜500，以增强光提取效果和保护引线310。外透镜500可由与包封材料相同的材料或与包封材料不同的材料形成。根据一个实施方案，外透镜不包括荧光材料。
图7示出第三实施方案的发光器件封装600c。在该实施方案中，在辅助座100中形成芯片区域120和支撑区域110之后，可在芯片区域120中形成沟槽(H)。例如，沟槽(H)可在辅助座的芯片区域120的不附着发光器件芯片的部分处形成。
例如，当沟槽(H)可在辅助座的芯片区域120的不附着发光器件芯片的部分处形成时，辅助座的湿润性降低以防止包封材料400扩散，使得包封材料可形成为半球形、椭圆形或其他预定形状。
根据这些实施方案的发光器件封装及其制造方法，由于包封材料在辅助座的芯片区域和发光器件芯片上形成，因此荧光材料形成为具有对应于或类似于发光器件芯片(或芯片和芯片区域)区域的分布，荧光材料可均匀分布在发光器件芯片周围。
根据一个实施方案，多个发光器件封装可布置在衬底上，多个光学元件(例如导光板、棱镜片、扩散板、荧光板和/或其他元件)可布置在由发光器件封装发射的光的路径上。发光器件封装、衬底和光学元件可用作背光单元或照明单元，并且照明系统可包括例如背光单元、照明单元、指示单元、灯、街灯等。
图8示出例如可用作照明系统的照明单元1100的一个实施方案。照明单元可包括：壳体1110、在壳体1110中的发光模块部1130、以及在壳体1110中并可从外部电源供电的连接端子1120。
壳体1110可由具有良好热屏蔽特性的材料例如金属材料或者树脂材料形成。
发光模块部1130可包括衬底1132和安装于衬底1132上的至少一个发光器件封装200。
衬底1132可为在其上印刷有电路图案的绝缘体衬底，并且可包括例如印刷电路板(PCB)、金属芯PCB、柔性PCB或陶瓷PCB中的至少一种。衬底1132可由有效反射光的材料形成，并且其表面可形成为能够有效反射光的彩色，例如白色或者银色。
可在衬底1132上安装一个或多个发光器件封装600。每个发光器件封装600可包括至少一个发光器件(LED)。LED芯片可包括发射红色光、绿色光、蓝色光或者白色光的彩色LED以及发射紫外线(UV)的UV LED。
发光模块部1130可具有各种组合的发光器件封装600，以获得预期的颜色和亮度。例如，发光模块部1130可具有白色LED、红色LED和绿色LED的组合以获得高的显色指数(CRI)。
连接端子1120可与发光模块部1130电连接以供电。如图8所示，连接端子1120可以以插座型旋入外电源并与其连接，但是本发明不限于此。例如，连接端子1120可制成销型插入外电源，或者可通过电力线与外部电源连接。
图9示出例如可用于照明系统中的背光单元1200的一个实施方案。背光单元1200可包括：导光板1210；为导光板1210提供光的发光模块部1240；在导光板1210下的反射元件1220；和容纳导光板1210、发光模块部1240和反射元件1220底盖1230，但是本公开不限于此。
导光板1210用于通过将线性光散射以将线性光转变为平面光。导光板可包括丙烯酰系树脂例如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、COC或者聚萘二甲酸乙二醇酯树脂中的一种。
发光模块部1240为导光板1210的至少一个侧表面提供光，并用作其中装备背光单元的显示装置的光源。
发光模块部1240可例如与导光板1210接触，或者设置为邻近导光板1210。根据一个实施方案，发光模块部1240可包括安装于衬底1242上的多个发光器件封装600。衬底1242可例如与导光板1210接触，或者设置为邻近导光板1210。
衬底1242可为例如包括电路图案(未显示)的PCB。衬底1242还可包括例如金属芯PCB(MCPCB)、柔性PCB(FPCB)等以及普通PCB。
所述多个发光器件封装600可安装在衬底1242上，使得多个发光器件封装200的发光表面与导光板1210间隔开预定距离。
在导光板1210下可提供反射元件1220。反射元件1220反射从导光板的底表面入射的光，以使得反射光朝向向上的方向，由此能够提高背光单元的亮度。反射元件1220可由例如PET、PC、PVC树脂等形成，但是本方面公开不限于此。
底盖1230可容纳光导板1210、发光模块部1240、反射元件1220。根据一个实施例，底盖1230形成为具有打开的顶表面的盒形。另外，底盖1230可由例如金属材料或者树脂材料形成，并且可使用例如压模或者注模的工艺制造。
因为根据前述实施方案的照明系统包括前述发光器件封装，因此可靠性可提高。
更具体地说，本文中描述的一个或多个实施方案提供使得荧光材料能够均匀分布于发光器件周围的发光器件封装和照明系统。这些实施方案还可增强光提取效率和/或电流扩散效率，并且可用于形成衍生产品如具有类似改善特性的照明单元或系统。
在一个实施方案中，发光器件封装包括：包括芯片区域和支撑区域的辅助座；在辅助座的芯片区域上的发光器件芯片；和在发光器件芯片上的包括荧光材料的包封材料。
在另一实施方案中，照明系统包括发光模块部，所述发光模块部包括衬底和安装于衬底上的发光器件封装，其中所述发光器件封装包括：包括芯片区域和支撑区域的辅助座；在辅助座的芯片区域上的发光器件芯片；和在发光器件芯片上的包括荧光材料的包封材料。
根据另一实施方案，发光器件封装包括：包括芯片区域和支撑区域的辅助座；在辅助座的芯片区域上的发光芯片；和在所述芯片上的包封材料和荧光材料，其中所述包封材料至少部分透明，其中所述包封材料和荧光材料的覆盖区与芯片区域基本上共同延伸。
在该封装中，芯片区域相对于支撑区域抬高，并且包封和荧光材料形成为覆盖芯片区域而基本上不覆盖支撑区域。并且，芯片区域具有与芯片连接的顶表面，而不被芯片覆盖的顶表面部分具有与芯片厚度成比例的长度。
不被芯片覆盖的顶表面部分的长度与芯片的厚度基本上相等或者大于芯片的厚度，如2至10倍。
包封材料可包括荧光材料，所述荧光材料可均匀地分布于在芯片区域上的整个包封材料。并且，包封材料可具有基本椭圆形或半球形形状。
封装还可包括接合在芯片上的引线和在包封材料上的外透镜。所述外透镜覆盖支撑区域的至少一部分。
另外，芯片区域的顶表面在不被芯片覆盖的区域处可包括沟槽，所述芯片可具有不平坦表面。
根据另一实施方案，照明系统包括发光模块，所述发光模块包括衬底和安装在衬底上的发光器件封装，所述发光器件封装包括：(a)包括芯片区域和支撑区域的辅助座；(b)在辅助座的芯片区域上的发光芯片；和(c)在所述芯片上的包封材料和荧光材料。所述包封材料至少部分透明，其中所述包封材料和荧光材料的覆盖区与芯片区域基本上共同延伸。
根据另一实施方案，发光器件封装包括：包括芯片区域和支撑区域的辅助座；在辅助座的芯片区域上的发光芯片；和在所述芯片上的包封材料和荧光材料。所述包封材料至少部分透明，其中所述包封材料和荧光材料的覆盖区与芯片区域基本上共同延伸，并且芯片区域的边缘和支撑区域的边缘之间的第一区大于芯片区域的所述边缘和芯片之间的第二区。
另外，第一区域位于支撑区域的顶表面上，第二区域位于芯片区域的顶表面上。在一种结构中，芯片区域的边缘和芯片之间的表面的长度基本上等于芯片的厚度，所述长度包括在不被芯片覆盖的所述第二区中。在另一结构中，芯片区域的边缘和芯片之间的表面的长度大于芯片的厚度，该较大的长度例如为芯片厚度的2至10倍。
芯片区域的顶表面相对于支撑区域的顶表面抬高。并且，包封材料可包括荧光材料，荧光材料均匀分布于在芯片区域上的整个包封材料。包封材料可具有基本椭圆形或半球形形状。
封装还可包括接合到芯片的引线和/或在包封材料上的透镜。所述透镜可覆盖支撑区域的至少一部分。并且，芯片区域的顶表面可包括在不被芯片覆盖的位置处的沟槽，所述沟槽位于第二区，并且所述包封材料可延伸到沟槽中。
根据另一实施方案，发光器件封装包括：包括芯片区域和支撑区域的辅助座；在辅助座的芯片区域上的发光芯片；和在所述芯片上的包封材料和荧光材料。所述包封材料至少部分透明，所述包封材料和荧光材料的覆盖区与芯片区域基本上共同延伸，并且芯片区域的顶表面包括在不被芯片覆盖的位置处的至少一个沟槽，所述包封材料延伸到所述至少一个沟槽中。另外，所述至少一个沟槽可为连续沟槽和/或芯片区域的顶表面包括多个沟槽。
根据另一实施方案，发光器件封装包括：包括芯片区域和支撑区域的辅助座；在辅助座的芯片区域上的发光芯片；在所述芯片上的第一包封材料；和在所述第一包封材料上的第二包封材料。第一和第二包封材料至少部分透明，第一和第二包封材料包括荧光材料，第一包封材料的覆盖区与芯片区域基本上共同延伸，并且第一包封材料与芯片区域接触，第二包封材料与支撑区域的表面接触。
另外，第二包封材料可用作光学透镜，第一包封材料可包括荧光材料或形成为邻近荧光材料。
根据另一实施方案，发光器件封装包括：包括芯片区域和支撑区域的辅助座；在辅助座的芯片区域上的发光芯片；和在所述芯片上的包封材料和荧光材料。所述包封材料至少部分透明，所述包封材料和荧光材料的覆盖区与芯片基本上共同延伸，并且基本上不与不被芯片覆盖的芯片区域的区域交叠、也不与不被芯片区域覆盖的支撑区域的区域交叠。
另外，芯片区域的边缘和芯片之间的表面的长度基本上等于芯片的厚度，或者可以大于芯片的厚度(例如2至10倍)。并且芯片区域的边缘和支撑区域的边缘之间的第一区大于芯片区域的所述边缘和芯片之间的第二区。
根据另一个实施方案，照明系统可设置为包括根据任意前述实施方案的发光器件封装，其中封装安装在发光模块的衬底上。
在文中，应理解当层(或膜)称为在另一层或衬底“上”时，该层(或膜)可以直接在所述另一层或衬底上，或者也可以存在中间层。另外，当一层称为在另一层“下”时，该层可以直接在所述另一层下，或者可以存在一个或更多个中间层。另外，当一层称为在两层“之间”时，其可以是该两层之间的唯一层，或者也可以存在一个或更多个中间层。
在本说明书中对″一个实施方案″、″实施方案″、″示例性实施方案″等的任何引用，表示与该实施方案相关描述的具体的特征、结构或特性包含于本发明的至少一个实施方案中。在说明书不同地方出现的这些措词不必都涉及相同的实施方案。此外，当结合任何实施方案描述具体的特征、结构或特性时，认为将这种特征、结构或特性与其它的实施方案相关联均在本领域技术人员的范围之内。
虽然已经参考大量说明性实施方案描述了实施方案，但是应理解本领域技术人员可设计很多的其它改变和实施方案，这些也将落入本公开的原理的精神和范围内。更具体地，在公开、附图和所附的权利要求的范围内，在本发明的组合排列的构件和/或结构中可能具有各种的变化和改变。除构件和/或结构的变化和改变之外，对本领域技术人员而言，可替代的用途也会是显而易见的。

Claims (24)

1.一种发光器件封装，包括：
包括芯片区域和支撑区域的辅助座；
在所述辅助座的芯片区域上的发光芯片；和
在所述芯片上的包封材料和荧光材料，其中
所述包封材料至少部分透明，
所述包封材料和所述荧光材料的覆盖区与所述芯片区域基本上共同延伸，和
所述芯片区域的边缘与所述支撑区域的边缘之间的第一区大于所述芯片区域的所述边缘与所述芯片之间的第二区。
2.权利要求1的封装，其中所述第一区位于所述支撑区域的顶表面上，所述第二区位于所述芯片区域的顶表面上。
3.权利要求1的封装，其中所述芯片区域的所述边缘与所述芯片之间的表面的长度基本上等于所述芯片的厚度，所述长度包括在不被所述芯片覆盖的所述第二区中。
4.权利要求1的封装，其中所述芯片区域的所述边缘与所述芯片之间的表面的长度大于所述芯片的厚度，所述长度包括在不被所述芯片覆盖的所述第二区中。
5.权利要求4的封装，其中所述芯片区域的所述边缘与所述芯片之间的表面的长度为所述芯片的厚度的约2至10倍。
6.权利要求1的封装，其中所述芯片区域的顶表面相对于所述支撑区域的顶表面抬高。
7.权利要求1的封装，其中所述包封材料包括所述荧光材料。
8.权利要求7的封装，其中所述荧光材料均匀地分布于在所述芯片区域上的整个所述包封材料。
9.权利要求1的封装，其中所述包封材料具有基本椭圆形或半球形形状。
10.权利要求1的封装，包括：
与所述芯片接合的线，和
在所述包封材料上的透镜。
11.权利要求10的封装，其中所述透镜覆盖所述支撑区域的至少一部分。
12.权利要求1的封装，其中所述芯片区域的顶表面包括在不被所述芯片覆盖的位置处的沟槽，所述沟槽位于所述第二区中。
13.权利要求12的封装，其中所述包封材料延伸至所述沟槽中。
14.一种发光器件封装，包括：
包括芯片区域和支撑区域的辅助座；
在所述辅助座的芯片区域上的发光芯片；和
在所述芯片上的包封材料和荧光材料，其中：
所述包封材料至少部分透明，
所述包封材料和所述荧光材料的覆盖区与所述芯片区域基本上共同延伸，和
所述芯片区域的顶表面包括在不被所述芯片覆盖的位置处的至少一个沟槽，所述包封材料延伸到所述至少一个沟槽中。
15.权利要求14的封装，其中所述至少一个沟槽是连续沟槽。
16.权利要求14的封装，其中所述芯片区域的顶表面包括多个沟槽。
17.一种发光器件封装，包括：
包括芯片区域和支撑区域的辅助座；
在所述辅助座的芯片区域上的发光芯片；
在所述芯片上的第一包封材料；和
在所述第一包封材料上的第二包封材料，其中：
所述第一包封材料和第二包封材料至少部分透明，
所述第一包封材料或第二包封材料包括荧光材料，
所述第一包封材料的覆盖区与所述芯片区域基本上共同延伸，和
所述第一包封材料与所述芯片区域接触，所述第二包封材料与所述支撑区域的表面接触。
18.权利要求17的封装，其中所述第二包封材料用作光学透镜。
19.权利要求17的封装，其中所述第一包封材料包括荧光材料。
20.一种发光器件封装，包括：
包括芯片区域和支撑区域的辅助座；
在所述辅助座的芯片区域上的发光芯片；和
在所述芯片上的包封材料和荧光材料，其中：
所述包封材料至少部分透明，
所述包封材料和所述荧光材料的覆盖区与所述芯片基本上共同延伸，并且基本上不与不被所述芯片覆盖的所述芯片区域的区域交叠也不与不被所述芯片区域覆盖的所述支撑区域的区域交叠。
21.权利要求20的封装，其中所述芯片区域的边缘与所述芯片之间的表面的长度基本上等于所述芯片的厚度。
22.权利要求20的封装，其中所述芯片区域的边缘与所述芯片之间的表面的长度为所述芯片的厚度的2至10倍。
23.权利要求20的封装，其中所述芯片区域的边缘与所述支撑区域的边缘之间的第一区大于所述芯片区域的所述边缘与所述芯片之间的第二区。
24.一种包括权利要求1的封装的照明系统，其中所述封装安装在发光模块的衬底上。
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