CN1020359C - 磁光记录介质 - Google Patents

Abstract

本文揭示了一种光记录介质，在其基片和增强薄膜间粘合优良，并具有优良的抗氧化性及磁光记录特性的长期稳定性，所述的基片含有乙烯和环烯烃的无规共聚物或其组合物，它具有特殊的结构。

Description

本发明涉及磁光记录介质，其基片与增强薄膜间的粘合优良，它具有优良的耐氧化性及磁光记录的特征。

现已知道磁光记录薄膜包括诸如铁和钴的过渡金属以及诸如铽（Tb）和钆（Gd）的稀土元素，磁光记录薄膜具有垂直于薄膜的磁化平顺轴并能形成一个与薄膜磁化逆平行的相反的小磁畴。用“1”或“0”来相应地表示相反磁畴的存在与否，这就可能在上述的这类磁光记录薄膜上记录数字信号。

如上所述，磁光记录薄膜包含这类过渡金属及稀土元素，例如，在日本专利公报第20691/1982号中揭示了Tb-Fe系统的含有从15至30%（原子）的Tb。也可以使用加入了第三组分金属的Tb-Fe系统的磁光记录薄膜。此外，Tb-Co系统的磁光记录薄膜、Tb-Fe-Co系统的磁光记录薄膜或其同类的薄膜都是众所周知的。

虽然上述的这些磁光记录薄膜具有优良的记录重现性，但它们从实践出发仍涉及这样一个严重问题即在其一般的使用期间它们经过氧化，其特性随着时间而有所改变。

在这样的环境中，为了改进所述薄膜的耐氧化能力，可在Tb-Fe、Tb-Co或Tb-Fe-Co系统的磁光记录薄膜中加入诸如Pt、Ni、Al、Cr和Pb的金属（见Journal    of    the    Society    of    Aplied    Magnetism    of    Japan    the    Proceedings    of    the    Nineth    Conference    of    the    Society    of    Applled    Magnetism    of    Japan的209页以及日本特开昭公报第255546/1986号）。

但是，在上述所提议的磁光记录薄膜中，仍然有这样一个问题即 仅仅通过薄膜本身的改进来希望改进其耐氧化能力，这样就发现如果不使用很大的偏压磁场则就得不到充足的C/N比或高的C/N比（即它们对偏压磁场具有低的依赖性）。

现在，人们已知一种磁光记录介质在其塑料基片上是一层保护层然后是磁光记录层。例如日本专利特开昭第201546/1985号中揭示了磁光记录介质，它包括在聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）或聚碳酸酯（PC）的塑料基片上有一层由硫化镉（Cd    S）组成的保护层以及在所述保护层上的记录层。进一步地，日本特开昭公报第202351/1986号揭示了一种具有记录层的磁光记录介质，该记录层处于一层在聚甲基丙烯酸甲酯或聚碳酸酯基片上由诸如硒化锌（Zn    Se）的硒化合物形成的保护层的上面。

上面描述了一种在普通的塑料基片上叠合上保护层（增强薄膜）和磁光记录层的磁光记录介质，但是，其磁光记录特性的长期稳定性仍是不够的。

上述的磁光记录介质为什么不能保持其磁光记录特性长期稳定的原因被认为是由于这样的事实即因为通常使用的塑料基片是由聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）或聚碳酸酯（PC）组成的，其吸水性大，这促进了磁光记录薄膜氧化的速率，或是因为诸如聚碳酸酯之类常规使用的基片不能很牢地粘附在增强薄膜上故它也就不能充分抑制磁光记录薄膜的氧化。

本发明者在上述信息的基础上进行研究，终于发现采用由乙烯和有特殊结构环烯烃的无规共聚物组成的基片并在基片和磁光记录薄膜间加入一层增强薄膜（保护层）所得到磁光记录介质具有优良的磁光记录特性的长期稳定性及在基片和保护层间的优良的粘合性。

此外，本发明者发现使两个磁光记录介质与基片相互叠合结果其基片处于相反的方向，这样可生产出具有上述优良特性的双面磁光记 录介质，所述的基片由乙烯和具有特定结构的环烯烃的无规共聚物所组成，在基片和磁光记录薄膜间有一层特殊的增强薄膜（保护层）。

进一步地，本发明者发现在前述特殊基片上形成的增强薄膜上叠合上磁光记录薄膜可得到具有优良耐氧化性和优良的磁光记录特性的磁光记录介质，所述的记录薄膜包括（ⅰ）至少一个选自3d过渡金属的元素，（ⅱ）一种耐腐蚀金属以及（ⅲ）至少一个选自稀土元素的元素，所述的耐腐蚀金属含量是5至30%（原子）。

本发明试图解决上述现有技术中存在的种种问题，本发明的一个目的是提供一个在基片和增强薄膜间具有优良粘合性的磁光记录介质，此外，该磁光记录介质具有优良的耐氧化性及优良的磁光记录特性长期稳定性。

本发明的第一种磁光记录介质有一基片，在基片上依次序叠合上一增强薄膜，一层磁光记录薄膜，所述的基片由环烯烃无规共聚物组合物组成，它包括

乙烯和由下式[Ⅰ]代表的环烯烃的环烯烃无规共聚物[A]，所述的共聚物在135℃萘烷中测得的特性粘度[η]为0.05至10dl/g，其软化温度（TMA）至少为70℃，以及

乙烯和由下式[Ⅰ]代表的环烯烃的环烯烃无规共聚物[B]，所述的共聚物在135℃萘烷中测得的特性粘度[η]为0.05至5dl/g，其软化温度（TMA）低于70℃，所述组分[A]/所述组分[B]的重量比范围从100/0.1至100/10。

其中n是0或正整数，R¹至R¹²可相同或不同，各自表示氢原子、卤（素）原子或烃基团，R⁹到R¹²结合在一起时形成可任意有一个或多个双键的单环烃环或多环烃环，或者R⁹和R¹⁰或R¹¹和R¹²结合在一起形成亚烷基。

在上述的环烯烃无规共聚物中，环烯烃组分具有通式[Ⅱ]代表的结构。

其中n是0或正整数，R¹至R¹²可相同或不同，各自表示氢原子、卤（素）原子或烃基团，R⁹到R¹²结合在一起时形成可任意有一个或多个双键的单环烃环或多环烃环，或者R⁹和R¹⁰或R¹¹和R¹²结合在一起形成亚烷基。

在本发明的第一种磁光记录介质中，上述基片上表成的增强薄膜较好地包含Si₃N₄、SiNx（0＜x＜4/3）、AlN、ZnSe、ZnS、Si或Cds。

本发明的第一种磁光记录介质在磁光记录薄膜上可进一步形成一层反射薄膜。

本发明的第二种磁光记录介质有双面磁光记录介质结构，其中在第一磁光记录介质的基片上依次序叠合上增强薄膜（保护薄膜）、一层磁光记录薄膜以及一层反射薄膜，在第二磁光记录介质的基片上依次序叠合上一层增强薄膜（保护薄膜）、磁光记录薄膜和反射薄膜，它们通过粘合剂叠合在一起结果第一磁光记录介质的反射薄膜和第二磁光记录介质的反射薄膜面面相对地排列，所述的基片由环烯烃无规 共聚物组合物组成它包括前述的环烯烃无规共聚物[A]和前述的环烯烃无规共聚物[B]，所述组分[A]所述组分[B]的重量比范围是100/0.1至100/10，所述的增强薄膜包括Si₃N₄、SiNx（0＜x＜4/3）、AlN、ZnSe、ZnS、Si或Cds。

本发明的第三种磁光记录介质有双面磁光记录介质的结构，其中在第一磁光记录介质的基片上依次序叠合上一层增强薄膜（保护薄膜）、一层磁光记录薄膜以及一层反射薄膜，在第二磁光记录介质的基片上依次序叠合上一层增强薄膜（保护薄膜）、磁光记录薄膜及反射薄膜，它们通过粘合剂叠合在一起，结果第一磁光记录介质的反射薄膜和第二磁光记录介质的反射薄膜面面相对地排列，所述的基片由前述的环烯烃无规共聚物[A]组成，所述的增强薄膜包括Si₃N₄、SiNx（0＜x＜4/3）、AlN、ZnSe、ZnS、Si或Cds。

在本发明的第一种、第二种和第三种磁光记录介质中，为了在前述基片上形成磁光记录薄膜需使用一种无定形合金薄膜，它包括（ⅰ）至少一种选自3d过渡金属的元素，（ⅱ）一种耐腐蚀金属以及（ⅲ）至少一种选自稀土元素的元素，并且它具有垂直于薄膜的磁化平顺轴，所述耐腐蚀金属的含量为5-30%（原子）。如上所述在磁光记录介质中也可采用任何的无定形合金薄膜，只要它们包括（ⅰ）至少一种选自3d族过渡金属的元素以及（ⅱ）至少一种选自稀土元素的元素并且它们具有垂直于薄膜的磁化平顺轴。

图1、图2和图3是本发明磁光记录介质的剖视图。

图4表示Co/（Fe⁺Co）比（原子）（原子比）和含Pt的磁光记录薄膜的噪声电平（dBm）之间的关系。

图5表示Co/（Fe⁺Co）比（原子）（原子比）和含Pd的磁光记录薄膜的噪声电平（dBm）之间的关系。

图6表示Co/（Fe⁺Co）比（原子）（原子比）和根据磁光记录薄 膜的△C/N（分贝）的擦除性之间的关系。

图7表示Pt和/或Pd（原子）%含量和根据分别含有Pt和Pd磁光记录薄膜上△C/N（分贝）的耐氧化性之间的关系。

图8表示偏压磁场（奥斯特）和一个含Pt、另一个不含Pt的磁光记录薄膜上的C/N比之间关系。

图9表示Pt或Pd（原子）%的含量和分别含有Pt和Pd磁光记录薄膜上最小偏压磁场Hsat（奥斯特）之间的关系。

图4至图9的结果是从磁光记录介质中得到的，每一个磁光记录介质都具有如图1所示的结构，它包括在参考实施例1中得到的环烯烃无规共聚物组合物的基片以及依次叠合在其上面的厚度为700

的Si Nx（0＜x＜4/3，折射指数n＝2.3，k＝0.014）的增强薄膜、厚度为300 的磁光记录薄膜和厚度为1000

的镍铬合金薄膜（反射薄膜）。

下面对本发明的磁光记录薄膜作详细的阐述。

如图1所示，本发明的第一种磁光记录介质1a有一种结构其中在基片2上依次序叠合上增强薄膜3和磁光记录薄膜4。

此外，如图2所示，本发明的磁光记录介质1a有这样的结构其中反射薄膜5在磁光记录薄膜4上。

如图3所示，本发明的第二种磁光记录介质1b有这样的结构其中在第一磁光记录介质A的基片2a上按次序叠合上增强薄膜3a、磁光记录薄膜4a和反射薄膜5a，在第二磁光记录介质B的基片2b上按次序地叠合上增强薄膜3b、磁光记录薄膜4b和反射薄膜5b，A和B通过粘合剂层6相互叠合，结果第一磁光记录介质A的反射薄膜5a和第二磁光记录介质B的反射薄膜5b面面相对地排列。

在本发明的第二种磁光记录介质1b中，基片2a和基片2b可相同或不同，只要它们是由下面将提到的环烯烃无规共聚物组合物所组成的即可，增强薄膜3a和3b可相同或不同，只要它们是由下述物质组成的 即可，同样，磁光记录体4a和4b可相同或不同，反射薄膜5a和5b也可相同或不同。

在本发明的第一种磁光记录介质1a和第二种磁光记录介质1b中，上述基片2和2a是由环烯烃无规共聚物组合物所形成的，该组合物包含乙烯和由下式[Ⅰ]表示的环烯烃的环烯烃无规共聚物[A]，在135℃萘烷中测得其特性粘度[η]为0.05至10dl/g，其软化温度[TMA]至少为70℃，以及乙烯和由下式[Ⅰ]表示的环烯烃的环烯烃无规共聚物[B]，在135℃萘烷中测得其特性粘度[η]为0.05至5dl/g，其软化温度[TMA]低于70℃，所述组分[A]/所述组分[B]的重量比范围从100/0.1至100/10。

其中n是0或正整数，n较好不大于3，R¹至R¹²可相同或不同，各自表示氢原子、卤（素）原子或烃基团，当R⁹至R¹²连接在一起时可形成任意含有一个或多个双键单环烃环或各环烃环，或者R⁹和R¹⁰或R¹¹和R¹²连接在一起形成亚烷基。

如图3所示，本发明的第三种磁光记录介质1b有这样的结构其中前述第一磁光记录介质A和前述第二磁光记录介质B通过粘合剂层6相互叠合，结果反射薄膜5a和5b面面相对地排列。

在本发明的第三种磁光记录介质1b中，基片2a和2b可相同或不同只要它们是由前述环烯烃无规共聚物[A]，所形成的即可，增强薄膜3a和3b可相同或不同只要它们是由后述物质所形成的即可，同样磁光 记录薄膜4a和4b可相同或不同，反射薄膜5a和5b也可相同或不同。

在上述环烯烃无规共聚物[A]和[B]中，环烯烃组分的结构由式[Ⅱ]表示。

其中n是0或正整数，R¹至R¹²可相同或不同，各自代表氢原子、卤（素）原子或烃基团，R⁹至R¹²连接在一起时可形成任意的有一个或多个双键的单环烃环或多环烃环，或者R⁹和R¹⁰或R¹¹和R¹²连接在一起时可形成亚烷基。

上述环烯烃无规共聚物的组合成成分-环烯烃是选自式[Ⅰ]表示不饱和单体中的至少一个环烯烃。使环戊二烯与合适的链烯烃或环烯烃通过狄尔斯-阿德耳反应进行缩合反应可方便地制得由式[Ⅰ]代表的环烯烃。

由式[Ⅰ]代表的环烯烃具体是例举于表1中的化合物，另外还包括1，4，5，8-二甲桥-1，2，3，4，4a，5，8，8a-八氢化萘，诸如2-甲基-1，4，5，8-二甲桥-1，2，3，4，4a，5，8，8a-八氢化萘、2-乙基-1，4，5，8-二甲桥-1，2，3，4.4a，5，8，8a-八氢化萘、2-丙基-1，4，5，8-二甲桥-1，2，3，4.4a，5，8，8a-八氢化萘、2-己基-1，4，5，8-二甲桥-1，2，3，4，4a，5，8，8a-八氢化萘、2，3-二甲基-1，4，5，8-二甲桥-1，2，3，4，4a，5，8，8a-八氢化萘、2-甲基-3-乙基-1，4，5，8-二甲桥-1，2，3，4，4a，5，8，8a-八氢化萘、2-氯代-1，4，5，8-二甲桥-1，2，3，4，4a，5，8，8a-八氢化萘、2-溴代-1，4，5，8-二甲桥-1，2，3，4，4a，5，8，8a-八氢化萘、

2-氟代-1，4，5，8-二甲桥-1，2，3，4，4a，5，8，8a-八氢化萘、2，3-二氯-1，4，5，8-二甲桥-1，2，3，4，4a，5，8，8a-八氢化萘、2-环己基-1，4，5，8-二甲桥-1，2，3，4，4a，5，8，8a-八氢化萘、2-正丁基-1，4，5，8-二甲桥-1，2，3，4，4a，5，8，8a-八氢化萘、2-异丁基-1，4，5，8-二甲桥-1，2，3，4，4a，5，8，8a-八氢化萘等八氢化萘类化合物。

表1

化学式 化合物名称

6-异丁基双环[2，2，1]庚-2-烯

8-亚乙基-9-甲基四环[4，4，0，1^2.5，1^7.10]-3-十二碳烯

二碳烯

11，12-二甲基四环[4，4，0，1^2.5，1^7.10]-3-十二碳烯

2，7，9-三甲基四环[4，4，0，1^2.5，1^7.10]-3-十二碳烯

9-乙基-2，7-二甲基四环[4，4，0，1^2.5，1^7.10]-3-十二碳烯

9-异丁基-2，7-二甲基四环[4，4，0，1^2.5，1^7.10]-3-十二碳烯

9，11，12-三甲基四环[4，4，0，1^2.5，1^7.10]-3-十二碳烯

9-乙基-11，12-二甲基四环[4，4，0，1^2.5，1^7.10]-3-十二碳烯

9-异丁基-11，12-二甲基四环[4，4，0，1^2.5，1^7.10]-3-十二碳烯

5，8，9，10-四甲基四环[4，4，0，1^2.5，1^7.10]-3-十二碳烯

六环[6，6，1，1^3.6，1^10.13，0^2.7，0^9.14]-4-十七碳烯

12-甲基六环[6，6，1，1^3.6，1^10.13，0^2.7，0^9.14]-4-十七碳烯

12-乙基六环[6，6，1，1^3.6，1^10.12，0^2.7，0^9.14]-4-十七碳烯

12-异丁基六环[6，6，1，1^3.6，1^10.13，0^2.7，0^9.14]-4-十七碳烯

1，6，10-三甲基-12-异丁基六环[6，6，1，1^3.6，1^3.6，1^10.13，0^2.7，0^9.14]-4-十七碳烯

八环[8，8，0，1^2.9，1^4.7，1^11.18，1^13.16，0^3.8，0^12.17]-5-二十二碳烯

15-甲基八环[8，8，0，1^2.9，1^4.7，1^11.18，1^13.16，0^3.8，0^12.17]-5-二十二碳烯

15-乙基八环[8，8，0，1^2.9，1^4.7，1^11.18，1^13.16，0^3.8，0^12.17]-5-二十二碳烯

五环[6，6，1，1^3.6，0^2.7，0^9.14]-4-十六碳烯

1，3-二甲基五环[6，6，1，1^3.6，0^2.7，0^9.14]-4-十六碳烯

1，6-二甲基五环[6，6，1，1^3.6，0^2.7，0^9.14]-4-十六碳烯

15，16-二甲基五环[6，6，1，1^3.6，0^2.7，0^9.14]-4-十六碳烯

五环[6，5，1，1^3.6，0^2.7，0^9.13]-4-十五碳烯

1，3-二甲基五环[6，5，1，1^3.6，0^2.7，0^9.13]-4-十五碳烯

1，6-二甲基五环[6，5，1，1^3.6，0^2.7，0^9.13]-4-十五碳烯

14，15-二甲基五环[6，5，1，1^2.6，0^2.7，0^9.13]-4-十五碳烯

七环[8，7，0，1^2.9，1^4.7，1^11.17，0^3.8，0^12.16]-5-二十碳烯

七环[8，8，0，1^2.9，1^4.7，1^11.18，0^3.8，0^12.17]-5-二十一碳烯

五环[6，5，1，1^3.6，0^2.7，0^9.13]-4，10-十五碳二烯

三环[4，3，0，1^2.5]-3-癸烯

2-甲基-三环[4，3，0，1^2.5]-3-癸烯

5-甲基-三环[4，3，0，1^2.5]-3-癸烯

三环[4，4，0，1^2.5]-3-十一碳烯

10-甲基-三环[4，4，0，1^2.5]-3-十一碳烯

五环[4，7，0，1^2.5，0^8.13，1^9.12]-3-十五碳烯

甲基取代的五环[4，7，0，1^2.5，0^8.13，1^9.12]-3-十五碳烯

七环[7，8，0，1^3.6，0^2.7，1^10.17，0^11.16，0^12.15]-4-二十碳烯

二甲基取代的七环[7，8，0，1^3.6，0^2.7，1^10.17，0^11.16，1^12.15]-4-二十碳烯

九环[9，10，1，1^4.7，0^3.8，0^2.10，0^12.21，1^13.20，0^14.19，1^15.18]-5-二十五碳烯

三甲基取代的九环[9，10，1，1^4.7，0^3.8，0^2.10，0^12.21，1^13.20，0^14.19，1^15.18]-5-二十五碳烯

如前所述环烯烃无规共聚物[A]和[B]包括乙烯单位和上述环烯烃单位作为基本的组分，但是如果需要，除了这两种基本组分外，所述的共聚物也可含有其它共聚的不饱和单体组分只要这些组分不影响实现本发明的目的。如果需要，可与共聚物[A]和[B]进行共聚的不饱和单体包括，例如，诸如丙烯、1-丁烯、4-甲基-1-戊烯、1-己烯、1-辛烯、1-癸烯、1-十二碳烯、1-十四碳烯、1-十六碳烯、1-十八碳烯和1-二十碳烯的α-链烯烃，在所得的无规共聚物中该α-链烯烃的用量最多与乙烯组分单位等摩尔。

在软化温度至少为70℃的环烯烃无规共聚物[A]中，从乙烯中衍生出来的重复单位（a）的含量从40至85%（摩尔），较好地从50至75%（摩尔），而从环烯烃中衍生出来的重复单位（b）的含量是15至60%（摩 尔），较好地是25至50%（摩尔），这些重复单位（a）和（b）在共聚物[A]中基本上作无规的线性排列。用¹³C-NMR测定重复单位（a）和（b）的摩尔百分数。该环烯烃无规共聚物[A]可完全溶于135℃的萘烷这一事实证明它基本是线性的且无胶凝交联结构。

在135℃下于萘烷中测得环烯烃无规共聚物[A]的特性粘度[η]是从0.05至10dl/g，较好地是从0.08至5dl/g。

用热力学分析仪测得的环烯烃无规共聚物[A]的软化温度（TMA）至少为70℃，较好地是从90至250℃，最好是100至200℃。用杜邦（Du    Pont）制造和售出的热力学分析仪观察1mm薄片共聚物[A]的热变形性能来测定上面所指的软化温度（TMA）。更准确地说，在49克载荷下将1根石英针重直地放在薄片上并以5℃/分种的速率加热，测量针刺进薄片里深0.635毫米处的温度作为TMA。该环烯烃无规共聚物[A]的玻璃化转变温度通常从50℃至230℃，较好地是从70℃至210℃。

用X-射线衍射计测量环烯烃无规共聚物[A]的结晶度，它通常是0至10%，较好地是0至7%，最好是0至5%。

在上述软化温度（TMA）低于70℃的环烯烃无规共聚物[B]中，从乙烯中衍生出来的重复单位（a）的含量为60至95%（摩尔），较好地是60至98%（摩尔），从环烯烃中衍生出来的重复单位（b）的含量是2至40%（摩尔），较好地是5至40%（摩尔），在共聚物[B]中从乙烯衍生出来的重复单位（a）和从环烯烃中衍生出来的重复单位（b）基本上呈无规的线性排列。用¹³C-NMR测量重复单位（a）和（b）的摩尔百分数。环烯烃无规共聚物[B]可完全溶于135℃萘烷中这一事实证明它基本上是线性的并且无胶凝交联结构。

在135℃的萘烷中测得上述的环烯烃无规共聚物[B]的特性粘度[η]为0.05至5dl/g，较好地是0.08至3dl/g。

用热力学分析仪测得的环烯烃无规共聚物[B]的软化温度（TMA）低于70℃，较好是-10℃至60℃，最好是10℃至55℃。环烯烃无规共聚物[B]的玻璃化转变温度（Tg）通常为-30℃至60℃，较好地是-20℃至50℃。

用X-射线衍射法测量环烯烃无规共聚物[B]的结晶度是0至10%，较好地是0至7%，最好是0至5%。

在本发明的第一种和第二种磁光记录介质中用来形成基片的环烯烃无规共聚物组合物的环烯烃无规共聚物[A]/环烯烃无规共聚物[B]重量比是100/0.1至100/10，较好地是从100/0.3至100/7，最好是从100/0.5至100/5。通过使上述组分[A]与上述组分[A]混合成环烯烃无规共聚物组合物可有这样的优点，与只含有组分[A]的环烯烃无规共聚物组合物的情况相比，本发明中使用的基片和增强薄膜之间的粘合性在恶劣条件下有所改进，同时也保留了基片本身的优良的透明性和表面光滑性。这样，本发明中使用的基片是由上述包括上述组分[A]和[B]掺合物的环烯烃无规共聚物组合物所形成的，它具有这样一个特征即即使基片在高温高湿度环境中放置，本发明中使用的所述基片和增强薄膜之间仍保持优良的粘合性。

采用本发明者在日本专利特开昭公报第168708/1985号、120816/1986号、第115912/1986号和第115916/1986号、日本专利申请第95905/1986号和95906/1986号，日本专利特开昭第271308/1986号和第272216/1986号的方法，同时选择适当的条件可制得本发明中用来形成基片的环烯烃无规共聚物[A]或环烯烃共聚物[A]和[B]它们可组成环烯烃无规共聚物或环烯烃无规共聚物组合物。

上述的环烯烃无规共聚物组合物可通过已知的方法进行制备，例如，一种方法是使环烯烃无规共聚物[A]和[B]分开制备，然后通过挤出机将它们掺合制得组合物;一种所谓的溶液掺合方法，其中 共聚物[A]和[B]各自溶于合适的溶剂中，例如，诸如丁烷、己烷、癸烷或环己烷的饱和烃类，或诸如甲苯、苯或二甲苯的芳烃类，然后将所得的溶液混合制得组合物;以及一种方法是在分开的聚合反应器中合成共聚物[A]和[B]，再在另一个反应容器中将其混合制得组合物。

这样制得的环烯烃共聚物组合物在135℃的萘烷中测得的特性粘度[η]是0.05至10dl/g，较好是0.08至5dl/g，用热力学分析仪测得的软化温度（TMA）为70至250℃，较好地是80至250℃，最好是100至200℃，其玻璃化转变温度是70至230℃，较好地是90至210℃。

此外，本发明的磁光记录介质的基片可由具有通式[Ⅲ]重复单位的聚合物制得或由具有通式[Ⅳ]重复单位的聚合物制得，式[Ⅲ]是由式[Ⅰ]环烯烃单体开环后得到的，式[Ⅳ]是重复单位[Ⅳ]氢化后得到的。

在式[Ⅲ]或式[Ⅱ]中，n及R¹至R¹²的定义同上。

除了上述环烯烃无规共聚物组分外，如果需要，在本发明的环烯烃无规共聚物或组合物中可加入诸如热稳定剂、防老剂、抗静电剂、滑移剂、抗粘剂、防雾剂、润滑剂、染料、颜料、天然油、合成油和蜡的种种添加剂。例如，可任意掺合的稳定剂具体包括诸如四[3-（3，5-二-叔丁基-4-羟基苯基）丙酸亚甲酯]甲烷以及β-（3，5-二-叔丁基-4-羟基苯基）丙酸烷酯（较好地是少于18个碳原子的烷酯）的酚抗氧剂类，诸如2，2′-草酰氨基双[3-（3，，5-二-叔丁基-4-羟基苯基）丙酸乙酯]等的酚抗氧剂类;诸如硬脂酸锌、硬脂酸钙、及-羟基硬脂酸钙等的脂肪酸金属盐;以及诸如甘油-硬脂酸酯、甘油二硬脂酸酯、季戊四醇-硬脂酸酯、季戊四醇二硬脂酸酯、季戊四醇三硬脂酸酯等的多元醇脂肪酸酯。这些化合物可以单独结合在一起掺合到环烯烃共聚物或其合物中。例如，可使用四[3-（3，5-二-叔丁基-4-羟基苯基）丙酸亚甲酯]甲烷与硬脂酸锌或甘油一硬脂酸酯等的混合物。

在本发明中，特别需要使用酚抗氧剂与多元醇脂肪酸酯的混合物，通过使至少三价的多元醇的醇羟基部分进行酯化来获得脂肪酸酯。

上面所用的多元醇的脂肪酸酯具体包括甘油的脂肪酸酯，例如甘油一硬脂酸酯、甘油一月桂酸酯、甘油一肉豆蔻酸酯、甘油一棕榈酸酯、甘油二硬脂酸酯、甘油二月桂酸酯等等，和季戊四醇的脂肪酸酯，如季戊四醇一硬脂酸酯、季戊四醇一月桂酸酯、季戊四醇二硬脂酸酯、季戊四醇二月桂酸酯、季戊四醇三硬脂酸酯等等。

以100份（重量）环烯烃无规共聚物组合物为基准，所用的酚类抗氧化剂的量是0.01-10份（重量），较佳是0.05-3份（重量），更佳为0.1-1份（重量），仍以100份（重量）所说的组合物为基准，所用的多元醇的脂肪酸酯的量是0.01-10份（重量），较佳是0.05-3份 （重量）。

在本发明中，上述的环烯烃无规共聚物或它们的组合物被用于形成基片2（2a，2b）。该环烯烃无规共聚物或组合物的吸水率低于迄今为止用作基片2（2a，2b）的聚碳酸酯或聚甲基丙烯酸甲酯的吸收率，因此，通过增强膜（保护膜）3（3a，3b）在所说的基片上形成的磁光记录膜4（4a，4b）不容易被基片中所含的水分氧化。由这种环烯烃共聚物或它们的组合物所形成的基片2（2a，2b）与增强膜3（3a，3b）的粘合是极好的，从该事实可以看出，通过增强膜3（3a，3b）而在基片上所形成的磁光记录膜4（4a，4b）的氧化可被有效地抑制。据此，包括通过增强膜3（3a，3b）而层压于基片2（2a，2b）上的磁光记录膜4（4a，4b）的磁光记录介质1a（1b）具有极好的使用性能和长期稳定性。根据前面所述的，具有前述的双面结构的本发明的第二和第三种记录介质的磁光记录介质1b在长期稳定性方面进一步改善了，而且该记录介质1b也无翘曲和裂纹。

由上述环烯烃无规共聚物或其组合物所形成的基片2（2a，2b）具有小的折射率，因而在读出磁光记录膜4（4a，4b）时，具有高的灵敏度，且在读出时可使用非差示驱动装置。

在本发明中所用的增强膜3（3a，3b）可以由Si₃N₄，Si_xN₄（0＜X＜4/3）、AlN、ZnSe、ZnS、Si或CdS所组成。增强膜的厚度是100-1000

，较佳为300-850 。上述的这些组分中，从抗龟裂性能来讲，Si₃N₄、SiN_x（0＜x＜4/3）是尤其佳的。

在本发明的磁光记录介质1a（1b）中，增强膜起增强所说的记录介质1a（1b）的灵敏度的作用，和起保护磁光记录膜4（4a，4b）的作用，如以后将要谈到的。该增强膜的折射率大于基片的折射率。

较佳地用于本发明的磁光记录膜4（4a，4b）包括具有与膜相垂直的磁化平顺轴的无定形金属合金膜，该合金包括，例如，（ⅰ）至少一种选 自3d过渡金属的元素和（ⅲ）至少一种选自稀土元素的元素，较佳的是包括（ⅰ）至少一种选自3d过渡金属的元素，（ⅱ）一种耐腐蚀金属和（ⅲ）至少一种选自稀土元素的元素的那些。

下面列举上述的磁光记录膜4（4a，4b）。

（ⅰ）所用的3d过渡金属包括Fe、Co、Ti、V、Cr、Mn、Ni、Cu、Zn等。其中Fe或Co或它们两者是较佳的。

在磁光记录膜4（4a，4b）中这种3d过渡金属的含量较佳为20-90%（原子），更佳是30-85%（原子），最佳为35-80%（原子）。

（ⅱ）在磁光记录膜4（4a;4b）中所含有的耐腐蚀金属能够改善所说的记录膜的抗氧化性。所用的耐腐蚀金属包括Pt、Pd、Ti、Zr、Ta、Nb、Mo等。其中较佳的是Pt、Pd和Ti，更佳的是Pt或Pd或它们两者。将这些耐腐蚀金属加入记录膜4（4a，4b）时，擦去低偏压磁场中的记录就变得可能了。

在记录膜4（4a，4b）中耐腐蚀金属的含量较佳为5-30%（原子），更佳为5-25%（原子），尤其佳为10-25%（原子），最佳为10-20%（原子）。

当用小于5%（原子）的耐腐蚀金属时，所得到的磁光记录膜的抗氧化性无明显的改善，这样膜的矫顽（磁）力Hc趋于随时间而很大地变化，或克尔旋转角θk趋于减小。另一方面，如果磁光记录介质中耐腐蚀金属的含量超过30%（原子），则所得到的无定形合金膜的居里点趋于减小且变得常常低于环境温度。

（ⅲ）磁光记录膜4（4a，4b）较佳地是由选自除前述组分（ⅰ）和（ⅱ）以外的下面的元素组的至少一种稀土元素所组成的。

所述组包括Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm和Eu。

上述的这些元素中，较佳的是Gd、Tb、Dy、Ho、Nd、Sm和Pr。

在记录膜4（4a，4b）中的选自上述组的至少一种稀土元素的含量较佳为5-50%（原子），更佳为8-45%（原子），还要佳为10-40%（原子）。

在本发明中，具有如下所述的组合物的磁光记录膜4（4a，4b）是尤其需要的。

（ⅰ）3d过渡金属

在这里所介绍的磁光记录膜4（4a，4b）中含有Fe或Co或两者都有，较佳地，在磁光记录膜中所存在的Fe和/或Co的含量至少为40%（原子），但不大于80%（原子），较佳是至少为40%（原子），但小于75%（原子），更佳为至少40%（原子），但不大于59%（原子）。

此外，在磁光记录膜中存在的Fe和/或Co较佳是以Co/（Fe+Co）（原子比）为0-0.3，较佳为0-0.2，更佳为0.01-0.2的量存在。

当Fe和/或Co的量是在至少40%（原子），但不大于80%（原子）的范围内时，其优点是可得到具有极好的抗氧化性和具有与膜垂直的磁化平顺轴的磁光记录膜。

在这方面，当将Co掺入磁光记录膜中时，可观察到昭南窒：（a）磁光记录膜的居里点增加，和（b）克尔旋转角（θk）变大。结果发现，磁光记录膜的记录灵敏度可以通过掺入的Co的量来调整，更进一步地，通过掺入Co，可使再生信号的载波电平增加。在较佳的磁光记录膜中，Co/（Fe+Co）的比（原子比）是0-0.3，较佳为0-0.2，更佳为0.01-0.2。

图4显示了Co/（Fe+Co）的原子比和Pt    Tb    Fe    Co系列的磁光记录膜上噪声电平dBm之间的关系，图5显示了Co/（Fe+Co）原子比和Pd    Tb    Fe    Co系列磁光记录膜上噪声电平dBm之间的关系。

如图4中所示的，在磁光记录膜具有由Pt₁₃Tb₂₈Fe₅₀Co₉所代 表的组合物，如这里所介绍的，且其中Co/（Fe+Co）原子比是0.15的情况下，噪声电平是-56dBm，而在磁光记录膜具有由Pt₁₃Tb₂₈Fe₃₆Co₂₃所表示的组合物，且其中Co/（Fe+Co）原子比是0.39的情况下，噪声电平是-50dBm。从该事实中可以明白，当上述原子比增加时，噪声电平趋于增加。此外，如图5中所示的，在磁光记录膜具有由Pd₁₄Tb₂₇Fe₅₂Co₇所表示的组合物，如这里所介绍的，且其中Co/（Fe+Co）原子比是0.12的情况下，噪声电平是-56dBm，而在磁光记录膜具有由Pd₁₄Tb₂₇Fe₄₁Co₁₈所表示的组合物，且其中Co/（Fe+Co）原子比是0.31的情况下，噪声电平是-51dBm。

图6显示了以△C/N比表示的擦痕退去（dB）和在两个系列的磁光记录膜中Co/（Fe+Co）原子比之间的关系，一种组合物是Pt    Tb    Fe    Co，另一种组合物是Pd    Tb    Fe    Co。

尤其，甚至当具有由这里所介绍的Pt₁₃Tb₂₈Fe₅₀Co₉所代表的组合物，且其中Co/（Fe+Co）原子比是0.155的磁光记录膜在擦去曾经记录于其中的信息时已用增加的能量照射时，膜的性能未发生变化，新的信息可以被记录在经擦过的记录膜上，其C/N的值如擦去前一样。

进一步地，甚至当记录和擦去信息重复进行时，这里所介绍的磁光记录膜的膜性能仍不发生变化。例如，当在具有Pt₁₃Tb₂₈Fe₅₀Co₉的组合物的磁光记录膜中记录和擦去操作进行100，000次时，未观察到C/N比减小。

（ⅱ）耐腐蚀金属

较佳的磁光记录膜4（4a，4b）至少含有作为耐腐蚀金属的Pt、Pd、Ti、Zr、Ta、Nb和Mo的一种，较佳的是Pt或Pd，或它们两者，在较佳的磁光记录膜中所含的Pt和/或Pd的量是5-30%（原子），较佳为大于10%（原子），但不大于30%（原子），更佳为大于 10%（原子），但小于20%（原子），最佳为至少11%（原子），但不大于19%（原子）。

在磁光记录膜中，Pt和/或Pd以至少5%（原子），尤其是大于10%（原子）的量存在带来这样一些优点，即所说的记录膜的抗氧化性变得极好，甚至当将它使用一个延长的时间周期时，也没有点蚀发生，且C/N之比值没有降低。当用Ti、Mo、Zr、Ta和Nb时，也可以观察到相似的优点。

图7显示了在含有Pt或Pd的磁光记录膜中Pt或Pd的含量和当将所说的记录膜在85%RH和80℃的环境下保持2000小时，且环烯烃无规共聚物组合物被用作为基片时，△C/N比值的减小之间的关系。

这样，从图7中可以明白，当磁光记录膜中Pt或Pd的量至少为5%（原子），尤其是不大于10%（原子）时，所说的记录膜的抗氧化性得到改善，甚至当长期使用后也没有发生点蚀，而且C/N比值也没有退化。

例如，具有由Pt₁₃Tb₂₈Fe₅₀Co₉或Pd₁₂Tb₂₈Fe₅₃Co₇所表示的组合物的磁光记录膜，即使在将它保持于85%RH和80℃的环境下1000小时，其C/N之比值一点也没有改变。与之相比较，不含Pt或Pd的由Tb₂₅Fe₆₈Co₇所表示的组合物的磁光记录膜，当将其在85%RH和80℃下保持1000小时时，其C/N之比值将大大降低。

通过将在上面所指定的量的范围内的选自Pt、Pd、Ti、Zr、Ta、Nb和Mo的至少一种元素掺入磁光记录膜，当将信息记录于磁光记录膜上或将膜上信息读出时，甚至通过小偏压的磁场，也可以得到足够高的C/N比。如果通过一个小偏压磁场可以得到足够高的C/N比的话，则用于发生偏压磁场的磁体的尺寸可以造得很小，进一步地，从磁体中产生的热量可以被抑制，因而简化用于承受 磁光记录膜的光盘的驱动装置就成为可能了。此外，因为足够大的C/N比可通过小偏压磁场得到，设计一个用于能够写在其上的磁场调整记录的磁体就变得容易了。

图8显示了偏压磁场与具有所推荐的Pt₁₃Tb₂₈Fe₅₀Co₉组合物的磁光记录膜和具有由Tb₂₅Fe₆₈Co₇所表示的组合物的磁光记录膜的C/N比（dB）之间的关系。

从图8中可以看出，在由Tb₂₅Fe₆₈Co₉所表示的众所周知的磁光记录膜中，除非采用大于250 Oe的偏压磁场，C/N比是不饱和的，而在由Pt₁₃Tb₂₈Fe₅₀Co₉所表示的这里所推荐的磁光记录膜中，即使通过小偏压仍可进行记录，且在120 Oe或更高的水平下，C/N比是饱和的。在下面的实例和比较实例中，显示了每一个磁光记录膜的最小偏压磁场的Hsat值，其中C/N比是饱和的。该Hast值越小，则C/N比就可通过小偏压磁场而饱和。

图9显示了Pt或Pd的含量与在Pt    Tb    Fe    Co系列的磁光记录膜和Pd    Tb    Fe    Co系列的磁光记录膜上最小偏压磁场（Hsat（Oe））之间的关系。

从图9中可以看出，当Pt和/或Pd的含量超过10%（原子）时，最小偏压磁场的Hsat变得足够小。

（ⅲ）稀土元素（RE）

在磁光记录膜4（4a，4b）中，至少含有一种稀土元素（RE），可用作为稀土元素的是Nd、Sm、Pr、Ce、Eu、Gd、Tb、Dy和Ho，单独或以混合物形式。

上述的稀土元素中，能较佳地使用的是Nd、Pr、Gd、Tb和Dy，尤其佳的是Tb。稀土元素可以两种或更多种元素的混合物而使用，在这种情况下，混合物中较佳地含有至少50%（原子）Tb。

从获得具有与膜垂直的磁化平顺轴的光学磁性物的观点来看，较 佳地是，在磁光记录膜中这种稀土元素以0.15≤X≤0.45，较佳地是0.20≤X≤0.4[其中X代表RE/（RE+Fe+Co）（原子比）]的量存在。

在本发明中，通过将各种元素掺入磁光记录膜而改善居里温度、补偿温度、矫顽磁力Hc或克尔旋转角θk，或降低生产成本也是可能的。用于该目的的这些元素可以，例如小于10%（原子）的比例而使用，以构成记录膜的元素的原子总数为基准。

除磁光记录膜的这些组分以外，可用于该目的的元素的实例包括如下所述的元素。

（Ⅰ）除Fe和Co外的3d过渡元素

具体地说，这些过渡元素包括Sc、Ti、V、Cr、Mn、Ni、Cu和Zn。

上面列举的这些元素中，Ti、Ni、Cu和Zn能较佳地被使用。

（Ⅱ）除Pd外的4d过渡元素

具体地说，这些过渡元素包括Y、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Ag和Cd。

上面所列举的这些过渡元素中，Zr和Nb能被较佳地使用。

（Ⅲ）除Pt之外的5d过渡元素

具体地说，这些过渡元素包括Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Au和Hg。

这些过渡元素中，Ta可被较佳地使用。

（Ⅳ）ⅢB族元素

具体地说，B、Al、Ga、In和Tl被采用。

这些元素中，B、Al和Ga可被较佳地使用。

（Ⅴ）ⅣB族元素

具体地说，C、Si、Ge、Sn和Pb被使用。

这些元素中，Si、Ge、Sn和Pb可被较佳地使用。

（Ⅵ）ⅤB族元素

具体地说，N、P、As、Sb和Bi被使用。

这些元素中，Sb可较佳地被使用。

（Ⅶ）ⅥB族元素

具体地说，S、Se、Te和Po被使用。

这些元素中，Te可较佳地被使用。

此外，在本发明中，磁光记录膜包括（ⅰ）至少一种选自3d过渡金属的组分和（ⅲ）至少一种选自上述稀土元素的元素。这种磁光记录膜较佳地是Tb    Fe    Co系列的，其中较佳的是Tb的量是10-40%（原子），Fe的量是30-90%（原子），Co的量是0-30%（原子）。在本发明中，磁光记录膜除含有（ⅰ）3d过渡金属和（ⅱ）一种如上所述的稀土元素外，还可含有其它元素（例如上述（Ⅰ）-（Ⅶ）中的元素），并可被用作磁光记录膜4。

由广角X射线衍射法证实了具有上述组合物的磁光记录膜4（4a，4b）有一根与膜平面相垂直的磁化平顺轴，并且很多记录膜可以是能显示出良好的克尔角磁滞回线的无定形薄膜，这表明它是垂直可磁化的并且能够进行磁光记录。

这里所用的术语“良好的克尔角磁滞回线”是指θk₂/k₁之比至少是0.8，其中θk1是一个饱和的克尔旋转角，即外磁场是最大处的克尔旋转角，k2是残留的克尔旋转角，即外磁场为零处的克尔旋转角。

磁光记录膜4（4a，4b）的厚度是100-50000 ，较佳为100-3000 ，更佳为约150-2000

。

在本发明的第一、第二和第三磁光记录介质中，在磁光记录膜4（4a，4b）上较佳地形成的反射膜5（5a，5b）较佳地是由热导率不高于2 J/cm·秒·K，较佳为不高于1    J/cm·秒·K的金属或合金组成。

更佳地是，反射膜5（5a，5b）由反射率至少为50%，较佳为至少70%，热导率不高于2J/cm·秒·K，较佳为不高于1    J/cm·秒·K的金属或合金组成。

尤其是，反射膜5（5a，5b）由热导率为0.71J/cm·秒·K的Pt、热导率为0.76J/cm·秒·K的Pd、热导率为0.22J/cm·秒·K的Ti、热导率为0.99J/cm·秒·K的Co、热导率为0.23J/cm·秒·K的Zr或它们的合金所组成。但是，在本发明中，采用由反射率至少为50%，较佳为至少70%，热导率不高于2    J/cm·秒·K，较佳为不高于1    J/cm·秒·K的镍合金所组成的反射膜5（5a，5b）是需要的。

构成反射膜5（5a，5b）的合适的镍合金较佳地包括作为主要组成的镍和至少一种选自由硅、钼、铁、铬和铜所组成的组的合金金属。这种镍合金中所含的镍的量是30-99%（原子），较佳地是50-90%（原子）。

在这里用于构成反射膜的镍合金的实例包括，例如：

Ni-Cr合金（例如，一种Ni为30-99%（原子），Cr为1-70%（原子）的合金，较佳地是Ni为70-95%（原子），Cr为5-30%（原子）的一种合金）。

Ni-Si合金（例如，一种Ni占85%（原子），Si占10%（原子），Cu占3%（原子）和Al占2%（原子）的合金）。

Ni-Cu合金（例如，一种Ni占63%（原子），Cu占29-30%（原子），Fe占0.9-2%（原子），Si占0.1-4%（原子）和Al占0-2.75%（原子）的合金）。

Ni-Mo-Fe合金（例如，一种Ni占60-65%（原子），Mo占25-35%（原子）和Fe占5%（原子）的合金）。

Ni-Mo-Fe-Cr合金（例如，一种Ni占55-60%（原子），Mo 占15-20%（原子）Fe占6%（原子），Cr占12-16%（原子）和W占5%（原子）的合金）。

Ni-Mo-Fe-Cr-Cu合金（例如，一种Ni占60%（原子），Mo占5%（原子），Fe占8%（原子），Cr占21%（原子），Cu占3%（原子），Si占1%（原子），Mn占1%（原子）和W占1%（原子）的合金;和一种Ni占44-47%（原子），Mo占5.5-7.5%（原子），Cr占21-23%（原子），Cu占0.15%（原子），Si占1%（原子），Mn占1-2%（原子），Co占2.5%（原子），W占1%（原子），Nb占1.7-2.5%（原子）和其余为铁的合金），

Ni-Cr-Cu-Mo合金（例如，一种Ni占56-57%（原子），Cr占23-24%（原子），Cu占8%（原子），Mo占4%（原子），W占2%（原子）和Mn占1%（原子）的合金），

Ni-Cr-Fe合金（例如，一种Ni占79.5%（原子），Cr占13%（原子），Fe占6.5%（原子），Cu占0.2%（原子）的合金;和一种Ni占30-34%（原子），Cr占13%（原子），Fe占6.5%（原子）和Cu占0.2%（原子）的合金;和一种Ni占30-34%（原子），Cr占19-22%（原子），Cu占0.5%（原子）、Si占1%（原子），Mn占1.5%（原子）和其余为铁的合金）。

与具有包括铝、铜或金构成的反射膜的磁光记录介质相比较，这里所描述的具有反射膜5（5a，5b）的磁光记录介质具有极好的C/N比。

事实上，当用激光束照射具有由金属（如具有提高的热导率的铝）组成的反射膜的磁光记录膜以在膜上形成点蚀时，激光束的热量传导至反射膜中并扩散。结果，就需要一个增加的激光记录能量;较大的和较不规则的点蚀在膜中形成;且记录能量对于反射膜的厚度的依赖性变得过分大。

此外，这里用于增强磁光记录膜的抗氧化性的反射膜可因此而提 供能够在一个延长的时间周期内维持良好的可靠性的磁光记录介质。

较佳的反射膜包括热导率不高于2    J/cm·秒·K，较佳为不高于1    J/cm·秒·K的镍合金，从高的C/N比的观点来看，尤其佳的是由含30-99%（原子）Ni，1-70%（原子）Cr，尤其是70-95%（原子）Ni和5-30%（原子）Cr的Ni-Cr合金所组成的反射膜。

当由金属或合金，尤其是具有减小的热导率和增加的反射度的镍合金所组成的反射膜根据本发明使用时，即使用较薄的磁光记录膜，仍可获得较大的克尔旋转角和较高的反射度。

通常，反射膜5（5a，5b）的厚度是100-4000

，较佳是约200-2000

。

磁光记录膜4（4a，4b）和反射膜5（5a，5b）的总厚度通常为300-4600

，较佳为约350-2400

。

在本发明的第二和第三种磁光记录介质1b中，第一磁光记录介质A的反射膜5a和第二磁光记录介质B的反射膜5b通过粘合层6而互相粘连。

上面所用的粘合层6包括聚烯烃、EVA、合成橡胶、聚酯或聚酰胺热熔融粘合剂和间苯二酚、腈基丙烯酸酯、环氧树脂、氨基甲酸乙酯或紫外线固化的丙稀酸酯反应性粘合剂。在本发明的双面磁光记录介质中，采用热熔融粘合剂是所需要的。

上述热熔融粘合剂中，较佳的是软化点至少为130℃，较佳为超过140℃，尤其是至少141℃的聚烯烃热熔融粘合剂。

采用具有上述的高软化点的热熔融粘合剂带来这样一些优点，即当该双面磁光记录介质在高温和高湿度下长时间使用时，在互相层叠的两种磁光记录介质之间不会发生滑移面，而且诸如翘曲等形变也是小的。

较佳的具有至少130℃的软化点的热熔融粘合剂是含有乙烯/丙 烯/α-烯烃无规三聚物（A）、苯乙烯树脂（B）和石油树脂（C）的聚烯烃热熔融树脂。

构成上述无规三聚物（A）的C₄-C₂₀的α-烯烃中，尤其佳的是1-丁烯和4-甲基-1-戊烯。苯乙烯树脂（B）包括含有作为组分的苯乙烯单元或苯乙烯衍生物单元的聚合物和共聚物，例如聚苯乙烯、苯乙烯/α-甲基苯乙烯共聚物和苯乙烯/α-甲基苯乙烯/乙烯基甲苯共聚物，尤其佳的是聚苯乙烯。

石油树脂（C）包括芳族石油树脂（例如C₉石油树脂）、脂族石油树脂（C₅石油树脂）和芳族-脂族共聚物石油树脂（C₉-C₅共聚物树脂）。这些石油树脂中，较佳的是平均分子量小于3000，尤其是500-3000，软化点为80-150℃的那些。

在上述聚烯烃热熔融粘合剂中，组分（A）的比例是1-60%（重量），尤其是5-40%（重量），组分（B）的比例是1-30%（重量），尤其是5-20%（重量），组分C的比例是30-95%（重量），尤其是50-90%（重量）。

下面将列举制备本发明的第一种磁光记录介质的方法。

第一种磁光记录介质可以通过一种已知的喷镀方法或电子束淀积方法将增强膜和具有预先确定的组合物的磁光记示膜淀积在基片上而形成，其间，基片保持于室温下（该基片可以是固定的或旋转的）并使用具有构成以预先确定的比例存在的增强膜和磁光记录膜的元素的小片的复合靶或具有预先确定的组合物的合金靶，然后，如果需要的话，可通过相似的方法将反射膜形成于这样所形成的磁光记录膜上。

上述的磁光记录介质可以在室温下制备，为使所说的膜具有与膜相垂直的磁化平顺轴，这样所形成的磁光记录膜不总是需要诸如退火这样的热处理。

在这方面，如果需要的话，当将基片加热至50-100℃或当将基 片冷却到-50℃时，也可以在基片上形成一层无定形合金膜。

更进一步地，在喷镀时，把偏压加到基片上也是可能的，这样基片就变为具有负电势。当这样做的时候，在电场中加速如氩的惰性气体的离子不但会碰撞基片，而且还会碰撞正在形成的磁光记录膜，因而常常可望获得具有进一步的增强特性的磁光记录膜。

如下将列举制备本发明的第二和第三种磁光记录介质的方法。

第二和第三种磁光记录介质可以通过将以与制备第一种磁光记录介质1a相同的方法所制得的第一和第二磁光记录介质A和B整合到一起而制得，其中所说的介质A和B的反射膜通过粘合层6而互相粘合。当将热熔融粘合剂用作为粘合层6时，该热熔融粘合剂可以借助辊涂布机等而将第一和/或第二磁光记录介质施涂至反射膜上，然后借助冷压装置等对第一和第二磁光记录介质加压并使之层叠至一起。

在本发明的第一种磁光记录介质中，基片和增强膜之间的粘合是极好的，磁光记录特性中的耐氧化性和长期稳定性也是极好的，因为所说的介质由包括乙烯和环烯烃的环烯烃无规共聚物组合物的基片、增强膜以及包括层压于增强膜上的无定形合金膜的磁光记录膜所组成。

在本发明的第二和第三种磁光记录介质中，其中增强膜、磁光记录膜和反射膜依次被层压于由包括乙烯和环烯烃在内的环烯烃无规共聚物或它们的组合物所形成的基片上的第一和第二磁光记录介质通过粘合层而粘合到一起，这样，两种介质的反射膜成面对面的状态，因为基片和增强膜之间的粘合是极好的，因而其耐氧化性也是极好的，进一步说，基片中不发生翘曲。本发明的磁光记录介质具有极好的磁光记录特性和磁光记录特性的长期稳定性。

下面将参考实例列举本发明，但应当明白本发明并不局限于这些实例。

参考实例1

由环烯烃无规共聚物组合物组成的基片的制备

（ⅰ）聚合实例1

软化温度不低于70℃的共聚物（A）的制备

采用一个配备有一个搅拌叶片的2升玻璃聚合反应器，连续进行乙烯和1，4，5，8-二甲桥-1，2，3，4，4a，5，8，8a-八氢萘（结构式：此后简化为DMON）的共聚合反应。即往聚合反应器中连续加入在环己烷中的DMON溶液使聚合反应器中DMON浓度为60g/l、在环己烷中的作为催化剂的VO（OC₂H₅）Cl₂溶液使聚合反应器中钒的浓度为0.9mmol/l和在环己烷中的乙基倍半氯化铝[Al（C₂H₅）_1.5Cl_1.5）的溶液使聚合反应器中铝的浓度变为7.2mmol/l，同时不断地从聚合反应器的底部抽出聚合液以使聚合反应器中聚合液的体积恒定为1升。同时，从聚合反应器的顶部往聚合反应器中以85l/hr的速率加入乙烯，以6l/hr的速率加入氢和以45l/hr的速率加入氮。采用一种制冷剂通过固定于聚合反应器外部的夹套层循环而使共聚反应在10℃下进行。

共聚反应在上面所列举的条件下进行，由于可得到含有乙烯/DMON无规共聚物的聚合反应混合物。通过将少量异丙醇加入到从反应器底部抽出的聚合液中而使聚合反应停止。然后，将聚合液倾注入含有约为聚合液3倍体积的丙酮的小型（家用）混合器中，同时旋转混合器，由此使最终的共聚物沉积。通过过滤收集沉积的共聚物，将其分散于丙酮中使聚合物浓度变为50g/l，在丙酮沸点下处理该共聚物2小时。上述处理后，再过滤收集共聚物，并在120℃、减压下干燥过夜（12小时）。

用¹³C-NMR分析测得这样所得到的乙烯/DMON无规共聚物（A）中乙烯单元占59mol%，并测得在萘烷中135℃下其特性粘度[η]为0.42dl/g和其软化温度（TMA）为154℃。

（ⅱ）聚合实例2

软化温度低于70℃的共聚物（B）的制备

以与聚合实例1相同的方法进行共聚合反应，除了将DMON、VO（OC₂H₅）Cl₂和乙基倍半氯化铝加入聚合反应器使聚合反应器中DMON、VO（OC₂H₅）Cl₂和乙基倍半氯化铝的浓度依次为23g/l、0.7mmol/l和5.6mmol/l,且乙烯、氢和氮被加入聚合反应器的速度依次为1401／hr、131/hr和251/hr,聚合温度是10℃。共聚合完成后，最终的共聚物被沉积、收集并在180℃，减压下干燥12小时（如聚合实例1）。

用¹³C－NMR分析测得这样所得到的乙烯／DMON共聚物（B）中乙烯单元占89mol/%，并测得其在萘烷中，135℃下特性粘度［η］为0.44dl/g,和其软化温度（TMA）为39℃。

（ⅲ）环烯烃无规共聚物组合物的制备

将400g在聚合实例1中得到的共聚物（A）和4g在聚合实例2中得到的共聚物（B）［重量比：（A）／（B）＝100／1］倾注入8升环已烷中，在50℃下将其溶解，同时彻底搅拌以得到一个均相的溶液。将这样得到的均相溶液倾倒入24l丙酮中以使（A）／（B）混合物沉积。在减压下，将这样所得到混合物于120℃下干燥过夜。

将0.5%［亚甲基－3－（3，5－二正丁基－4－羟基苯基）丙酸酯］四甲烷、0.05%硬脂酸锌和0.5％作为稳定剂的甘油一硬脂酸酯掺入所得到的（A）／（B）混合物中（所有的量均以共聚物（A）和（B）的总重为基准）。采用20mmφ的挤压机（L／D＝20）在23℃下将得到的混合物造料，并将其成型为130mmφ,1mm厚的光盘基片。

实例1

用Freon    TE对在参考实例中所得到的由环烯烃无规共聚物组合物所组成的光盘基片（130mmφ）（此后称为PO基片）进行超声洗涤，无需干燥，然后即可使用。在这样所得到的光盘基片上形成一层厚度 为700 的作为增强层（保护层）的Si₃N₄薄膜，然后采用一种具有以预先确定的比例置于Fe-Co靶上的Pt和Tb的小片的复合靶作为靶，在最终的真空度不大于1.0×10^-7Torr（托）和氩气氛下，根据磁控管溅镀方法，在20-50℃下将厚度为1000

的Pt₁₂Tb₃₀Fe₄₉Co₉磁光记录膜沉积于所说的增强层上作为磁光记录层。

广角X射线衍射法测定的结果，所得到的磁光记录膜是无定形的。通过ICP发射分光光谱分析测定膜的组成。

将这样所得到具有膜的130mmφ光盘静置于空调装置中，在85℃和85%RH下保持170小时。试验后，用显微镜方法检查记录膜的外观。结果发现，与试验前的膜相比较，该记录膜的外观未发生变化，且膜的粘合是好的。

实例2

重复实例1的过程，除了用SiNx代替Si₃N₄形成一层厚度为700

的膜（0＜x＜4/3;反射系数n＝2.3，k（衰减系数）＝0.014）作为增强层而得到光盘。

将这样所得到的具有膜的130mmφ光盘静置于空调装置中，在85℃和85%RH下保持170小时。该试验以后，用显微镜方法检查记录膜的外观，结果发明与试验前的膜相比较，该记录膜的外观未发生变化，且膜的粘合是好的。

实例3

重复实例1的过程，除了用Tb₂₅Fe₆₈Co₇代替Pt₁₂Tb₃₀Fe₄₉Co₉形成一层厚度为1000

的膜作为磁光记录层而得到光盘。

广角X射线衍射方法测定结果发现，磁光记录膜是无定形的。通过ICP发射分光光谱分析测定记录膜的组成。

将这样得到的具有薄膜的130mmφ光盘静置于空调装置中，在85℃和85%HR下静置170小时。该试验后，用显微镜方法检查记录膜 的外观。发现与试验前的膜相比较，记录膜的外观未发生变化，且膜的粘合是良好的。

实例4

重复实例2的过程，除了用Tb₂₅Fe₆₈Co₇代替Pt₁₂Tb₃₀Fe₄₉Co₉的膜而形成一层厚度为1000

的膜作为磁光记录层以得到光盘。

将这样得到的具有膜的130mmφ光盘置于空调装置中，在85℃和85%RH下静置170小时。该试验后，且显微镜方法检查记录膜的外观。发现与试验前的膜相比，该记录膜的外观未发生变化，且膜的粘合是良好的。

比较实例1

将由聚碳酸酯树脂（PC）组成的光盘基片在溅镀装置中，于80℃下历经干燥处理，抽真空过夜，然后用Freon TE对其进行超声洗涤。在所得到的光盘基片上，形成一层厚度为700 的Si₃N₄薄膜作为增强层（保护层），然后采用一个具有以预先确定的比例置于Fe-Co靶上的Pt和Tb小片的复合靶作为靶，在最终真空度为不大于10×10^-7Torr和氩气氛下，通过磁控管溅镀方法，在20-50℃下将厚度为1000

的含有Pt₁₂Tb₃₀Fe₄₉Co₉的磁光记录膜沉积到所说的增强层上。

广角X射线衍射方法测定结果发现，该磁光记录膜是无定形的。通过ICP发射分光光谱分析测定记录膜的组成。

比较实例2

重复比较实例1的过程，除了用SiNx代替Si₃N₄膜形成一层厚度为700

的（0＜x＜4/3，反射系数n＝2.3，k（衰减系数）＝0.014）薄膜作为增强层以获得光盘。

比较实例3

重复比较实例1的过程，除了用Tb₂₅Fe₆₈Co₇代替Pt₁₂Tb₃₀Fe₄₉Co₉的膜形成一层厚度为1000 的磁光记录膜作为磁光记录层而得到光盘。

广角X射线衍射方法测定结果发现，所得到的磁光记录膜是无定形的。通过ICP发射分光光谱分析来测定记录膜的组成。

比较实例4

重复比较实例2的过程，除了用Tb₂₅Fe₆₈Co₇代替Pt₁₂Tb₃₀Fe₄₉Co₉的膜形成一层厚度为1000

的膜作为磁光记录层，从而获得光盘。

对于基片和增强层（加固层）之间的粘合的评价

对实例1-4和比较实例1-4中所得到的每一个光盘的基片和增强层之间的粘合的评价以下列方式进行。

结果列于表2中。

粘合试验

划格法附着力试验（JIS-K5400）

在作为样品的记录层上，通过使用一把切割刀在右角上划出长宽方向间隔均为1mm的11条平行线。进行切割以得到每1cm中100块呈方格形式的方形物。

采用带赛珞玢（Nichiban的产品）进行剥离评价。

评价

（1）在层形成后立即评价

（2）在80℃和85%RH的环境下历经100小时后评价。

实例5-10和比较实例5-14

在参考实例1中所制得的环烯烃型无规共聚物组合物的（PO）光盘基片（130mmφ）上、PMMA的光盘基片（130mmφ）或PC的光盘基片（130mmφ）上，通过溅镀方法形成一层厚度为500

的表3中所给出的化合物的薄膜作为保护膜（内层），再通过溅镀法在所说的保护层上形成一层厚度为1000

的包括Tb-Fe的膜作为磁光记录层，然后再通过溅镀法在所说的记录层上形成一层厚度为500 的膜作为保护层。

将这样所得到的磁光记录介质在70℃和85%RH下静置7天，然后将其历经热循环7天，将介质交替地静置于-20℃2小时和+60℃2小时以测定矫顽磁力（Hc）。

结果列于表3中。

表3

磁光记示介质    Hc的变化（KOc）

基片    内层    70℃，85%RH    热循环

实例5 PO Si₃N₄无变化 无变化

6    PO    Cd    S    无变化    无变化

7    PO    Zn    Se    无变化    无变化

8    PO    Zn    S    无变化    无变化

9    PO    Si    无变化    无变化

10    PO    AIN    无变化    无变化

比较实例5    PO    ITO    成为水平磁性膜

6    PO    Zn    O    成为水平磁性膜

7 PMMA Si₃N₄（膜剥离）成为水平磁性膜

8    PO    Cd    S（膜剥离）成为水平磁性膜

9    PO    Zn    Se（膜剥离）成为水平磁性膜

10    PC    Si    N    无变化（膜剥离）

11    PC    Cd    S    无变化（膜剥离）

12    PC    Zn    Se    无变化（膜剥离）

13    PO    Si    O    变为水平磁性膜

14    PO    Si    O    变为水平磁性膜

从结果中可以清楚地看到，当具有不同的保护层的介质的矫顽磁力大幅度降低（即使其基片与本发明的介质的基片相同）时，本发明的磁光记录介质则保持十分稳定的初始矫顽磁力。此外，当PMMA或PC被作为基片时，即使当保护层与本发明的相同，矫顽磁力仍会降低。

实例11

在参考实例1中所制得的由环烯烃无规共聚物组合物组成的光盘基片上，相继形成厚度为700

的SiNx（0＜x＜4/3，反射系数n＝2.3;k（衰减系数）＝0.014）的薄膜作为增强层、Pt₁₈Tb₃₄Fe₃₈Co₁₀的薄膜作为磁光记录层和厚度为700

的Ni₈₀Cr₂₀膜作为反射层。

通过辊涂布机将两个这样得到的磁光盘用具有软化点为145℃的热熔融粘合剂[由21%（重量）乙烯-丙烯-1-丁烯三聚物、10%（重量）Tg为110℃和MFR为25g/10分的聚苯乙烯，和69%（重量）平均分子量为1500的石油树脂所组成]涂布于其反射层上。

其中反射层被热熔融粘合剂薄层覆盖的所得到的两个磁光盘以反射层面对面的方式层压到一起。通过冷压装置对层压片加压以得到双面记录型磁光记录介质。

这样所得到的双面磁光记录介质记录重现的特征在1MHz记录频率（功率比50%）和线性速率为5.4m/s的条件下测定。结果发现最佳记录激光能是3.5mW和C/N是50d    B（重现记录激光能是1.0mW）。

当将光盘在80℃和85%    RH的环境下静置2000小时时，该试验后的光盘的C/N减去该试验前的光盘的C/N，即得△C/N为零。

此外，在80℃和85%RH的环境下进行外界环境试验。300小时后，评价外观和翘曲。未观察到介质的外观变化，翘曲为3.6。

实例12-17

重复实例11的过程，除了磁光记录层和反射层如表4所示那般改变，而得到双面磁光记录介质。以与实例11相同的方法进行评价。结果列于表4中。

实例18

重复实例11的过程，除了用在参考实例1的聚合实例（1）中所制得的环烯烃型无规共聚物（A）来代替在参考实例1中得到的环烯烃型无规共聚物组合物来制备双面磁光记录介质。

以与实例11中相同的方法对介质的特性进行评价（但是有关△C/N方面，△C/N是在将介质静置于80℃和85%RH的环境下1000小时后进行测定的。最佳能量是3.5mW，C/N是50d    B，历经1000小时后，△C/N为零）。

Claims (12)

1、一种磁光记录介质，其特征在于它有双面磁光记录介质的结构，其中在第一磁光记录的基片上依次序叠合上一层增强薄膜、磁光记录薄膜和反射薄膜，在第二磁光记录介质的基片上依次序叠合上一层增强薄膜、磁光记录薄膜和反射薄膜，它们通过粘合剂薄膜相互叠合结果第一磁光记录介质的反射薄膜和第二磁光记录介质的反射薄膜面面相对地排列，所述的增强薄膜包括Si₃N₄，SiNx(O＜x＜4/3)，AlN、ZnSe、ZnS，Si或CdS，所述的磁光记录薄膜是无定形合金的薄膜，它有垂直于所述记录薄膜的磁化平顺轴，所述的基片由环烯烃无规共聚物组合物所形成，它包括，

一种乙烯和由下式[Ⅰ]表示的环烯烃的环烯烃无规共聚物[A]在135℃的萘烷中测得所述共聚物的特性粘度[η]是0.05至10dl/g，其软化温度(TMA)至少为70℃，

其中n是0或正整数，R¹至R¹²可相同或不同，各自表示氢原子、卤(素)原子或烃基团，R⁹至R¹²连接在一起时可形成有任意一个或多个双键的单环烃环或多环烃环，或者R⁹和R¹⁰或R¹¹和R¹²连接在一起时可形成亚烷基。

2、根据权利要求1所述的磁光记录介质，其特征在于其中所述磁光记录薄膜是无定形合金的薄膜包括（ⅰ）至少一种3d过渡金属，（ⅰ）至少一种耐腐蚀金属及（ⅲ）至少一种稀土元素，所述的耐腐蚀金属的含量是5至30%（原子），它有一垂直于所述薄膜的磁化平顺轴。

3、根据权利要求2所述的磁光记录介质，其特征在于其中在所述磁光记录薄膜中所含的所述3d过渡金属（ⅰ）是Fe或Co或是Fe和Co这两者。

4、根据权利要求2所述的磁光记录介质，其特征在于其中在所述磁光记录薄膜中所含的所述耐腐蚀金属（ⅱ）是选自Pt，Pd，Ti，Ta，Nb，Zr和Mo的至少一种元素。

5、根据权利要求2所述的磁光记录介质，其特征在于其中在所述磁光记录薄膜中所含的所述耐腐蚀金属（ⅱ）是Pt或Pd或是Pt和Pd这两者。

6、根据权利要求2所述的磁光记录介质，其特征在于其中在所述磁光记录薄膜中所含的所述稀土元素（ⅲ）是选自Nb，Sm，Pr，Ce，Eu，Gd，Tb，Dy，和Ho的元素。

7、根据权利要求2所述的磁光记录介质，其特征在于其中所述的磁光记录薄膜含有20至90%（原子）的3d过渡金属和5-50%（原子）至少一种稀土元素（ⅲ）。

8、根据权利要求1所述的磁光记录介质，其特征在于其中所述的磁光记录薄膜是无定形合金薄膜，它包括（ⅰ）至少一种3d过渡金属及（ⅲ）至少一种稀土元素，它有一垂直于所述薄膜的磁化平顺轴。

9、根据权利要求8所述的磁光记录介质，其特征在于其中在所述的磁光记录薄膜中所含的所述3d过渡金属（ⅰ）是Fe或Co或是Fe和Co两者。

10、根据权利要求8所述的磁光记录介质，其特征在于其中在所述的磁光记录薄膜中所含的所述稀土元素（ⅲ）是选自Nb，Sm，Pr，Ce，Eu，Gd，Tb，Dy和Ho的元素。

11、根据权利要求1所述的磁光记录介质，其特征在于其中所述的反射薄膜包括一种镍合金。

12、根据权利要求1所述的磁光记录介质，其特征在于其中所述粘合剂薄膜是热熔性粘合剂。