CN1048944A

CN1048944A - 磁光记录介质

Info

Publication number: CN1048944A
Application number: CN90103436A
Authority: CN
Inventors: 进藤清孝; 桥木英彦; 水本邦彦; 粟栖正吉; 藤堂昭
Original assignee: Mitsui Petrochemical Industries Ltd
Current assignee: Mitsui Petrochemical Industries Ltd
Priority date: 1989-07-05
Filing date: 1990-07-05
Publication date: 1991-01-30
Also published as: DE69031612T2; PL285931A1; DE69031612D1; EP0406823A3; EP0406823B1; ATE159607T1; EP0406823A2; CS335190A3

Abstract

本发明提供了一种具有按顺序排列的层叠在基片上的第一保护膜、磁光记录膜和第二保护膜以及金属膜的磁光记录介质，所述第一和第二保护膜由 SiNx构成，所述磁光记录膜由非晶态合金薄膜构成。这样提供的磁光记录介质具有良好的耐氧化性和磁光记录特性，它的记录能量范围广，记录敏感度对线速度的依赖性小。

Description

本发明是涉及具有优良的抗氧化作用的磁光记录特性的磁光记录介质，更具体来说是涉及具有优良的抗氧化作用，同时也具有宽的记录功率极限，记录灵敏度对线速度依赖小和高的C/N比，此外在保护膜与基片之间还具有优良的粘合力的这些优良磁光记录特性的磁光介质。

现已知道磁光记录薄膜是由合金所组成的，这种合金包括：如铁和钴的过渡金属，以及诸如铽（Tb）和钆（Gd）的稀土元素，磁光记录薄膜具有垂直于薄膜的易磁化轴并能形成一个与薄膜磁化逆平行的小的反磁畴。用“1”或“0”来相应地表示这一相反磁畴的存在与否，这就可能在上述的这类磁光记录薄膜上记录数字信号。

当这类磁光记录薄膜由过渡金属和稀土元素组成时，人们发现Tb-Fe磁光记录薄膜含15-30%的Tb原子。也可以使用加入了第三金属成分的Tb-Fe系统的磁光记录薄膜。Tb-Co或Tb-Fe-Co系统的磁光记录薄膜也是众所周知的。

采用第三金属成分加入这些薄膜中的方法来改进Tb-Fe，Tb-Co或类似系统的磁光记录薄膜的抗氧化作用已经作了各种各样努力。

如上所述的具有一基片和在基片上的磁光记录薄膜的磁光记录介质一般是缺乏抗氧化作用而且需要改进记录的灵敏度。

在上述的磁光记录介质的书写信息中，一般要求介质记录功率极限宽，记录灵敏度对记录线速度的依赖小。此地所用的意思是指，采用激光束的光作为书写光线，在磁光记录介质的书写信息时，记录功率极限是宽的，或者类似的是指甚至当使用的激光束功率或多或少变化时所书写的信息是精确的。和甚至当书写信息的介质的部分旋转速度变化时，记录灵敏度对线速度依赖关系是指在采用类似于激光束的作为光的书写光线，在介质书写信息时，在激光束的理想记录功率下变化是小的。

另外，在具有基片和在该基片和保护膜之间插入的一磁光记录薄膜的磁光记录介质中，希望基片和保护膜之间的粘合力是良好的。

按前面所述，要求磁光记录介质更显示出具有优良的抗氧化作用，高的C/N比，宽的记录功率极限，记录灵敏度对线速度的依赖关系小和在保护膜与基片之间的优良的粘合力。

从获得了上述的磁光记录介质的观点出发，本发明人已进行了广泛的研究，该磁光记录介质结果证明：具有在基片按顺序形成的特定的第一保护膜，一特定的磁光记录薄膜，一特定的第二保护膜和一特定的金属膜，并以此为基础而完成了本发明。

本发明是为解决在已有技术中上面所提及的问题，本发明的目的是要提供这样的磁光记录介质，该磁光记录介质具有优良的抗氧化作用，甚至长期使用也不会损坏;高的C/N比，宽的记录功率极限，记录灵敏度对线速度依赖关系小，和在基片与保护膜之间具有优良的粘合力。

本发明的磁光记录介质具有在一基片上按顺序形成的第一保护膜（层）[第一增强膜（层）]，一磁光记录膜（层），第二保护膜（层）[第二增强膜（层）]和金属膜（层），其特征在于上述第一保护膜（第一增强膜）和第二保护膜（第二增强膜）每个均由氮化硅（Si Nx）组成，

所述磁光记录膜是由非晶形的合金膜组成的，该非晶形合金膜具有垂直于该膜的易磁化轴，该非晶形合金膜含有（ⅰ）至少一个选自3d过渡金属的一个金属（ⅱ）至少一个选自抗腐蚀性金属的金属以及（ⅲ）至少一个选自稀土元素中的元素，所述抗腐蚀金属的含量是5-30原子%，和

上述的金属膜是由铝合金所组成的。

在上述阐明的本发明磁光记录介质中，要求基片是由乙烯和至少用分子结构式[Ⅰ]或[Ⅱ]所代表的环稀烃之一的环烯烃的无规共聚物所组成，所述的共聚物要求具有特性粘度为0.05-10dl/g。

其中n是0（零）或1，m是0（零）或正整数，R¹-R¹⁸分别为氢，卤素或烃基，R¹⁵-R¹⁸可以连接在一起形成一个单环或多核环，该环可以具有双键，以及R¹⁵与R¹⁶或R¹⁷与R¹⁸连接在一起形成亚烷基基团。

其中l是0（零）或至少为1的整数，m和n每个是0（零），1或2，R¹-R¹⁵分别为氢，卤素，脂肪族的烃基，芳香族的烃基或烷氧基团，而且R⁵（或R⁶）和R⁹（或R⁷）通过1-3碳原子的亚烷基团连接在一起或者不通过亚烷基团而直接连接在一起。

根据本发明，可以提供一种双面磁光记录介质，它是把第一磁光记录介质结合到与之结构相同的第二磁光记录介质上，上述第一磁光记录介质是在第一磁光记录介质的基片上依次序叠合第一保护膜，磁光记录膜，第二保护膜和金属膜，这样以致第一磁光记录介质的金属膜和第二磁光记录介质的金属膜通过一层粘接层面对面地定位在一起。

由于有以上所述的膜的结构和组成，所以本发明的磁光记录介质具有优良的抗氧化作用，甚至当长时期使用时，也不会损坏记录特性，而且具有高的C/N比，宽的记录功率极限，记录灵敏度对线速度依赖小和在基片与第一保护膜之间也具有优良的粘合力。

附图的简要说明：

图1是本发明的磁光记录介质的剖面草图。

图2是本发明的双面磁光记录介质的剖面草图。

1…磁光记录介质

2…基片

3…第一保护膜

4…磁光记录膜

5…第二保护膜

6…金属膜

10…双面的磁光记录介质

10a，10b…基片

11a，11b…第一保护膜

12a，12b…磁光记录膜

13a，13b…第二保护膜

14a，14b…金属膜

15…粘结层

本发明的磁光记录介质详细说明如下：

图1是本发明的磁光记录介质的一个实施例的剖面草图。

在本发明的磁光记录介质1中，在基片2上依次序叠合第一保护膜3磁光记录膜4，第二保护膜5和金属膜6。

基片

上述的本发明所使用的基片2的材料不是特别局限于特定的材料，然而，当激光束投射到基片2上时，因此所使用的材料最好是透射性的材料。除掉如玻璃，铝和类似物的无机材料外，这种透射性的材料还包括如聚甲基丙烯酸甲酯，聚碳酸酯，聚碳酸酯与聚苯乙烯的聚合物合金类的有机材料，又如在US4，614778所揭示的环烯烃无规共聚物，这种环烯烃无规共聚物（A）以下文所提到的，聚-4-甲基-1-戊烯，环氧树脂，聚醚砜，聚砜，聚醚酰亚胺及类似物。这些有机材料中，最好是聚甲基丙烯酸甲酯，聚碳酸酯。这种美国专利US4，614778所揭示的环烯烃无规共聚物类和环烯烃无规共聚物类（A）陈述如下：

从特别对保护膜的良好粘合力观点来看，磁光记录介质的双折射系数和抗氧化作用，特别要求本发明的使用的基片材料是乙烯（a）和用下列结构式[Ⅰ]或[Ⅱ]所代表的环烯烃类（b）的环烯烃无规共聚物在135℃萘烷中测得所述的无规共聚物的特性粘度[η]为0.05-10dl/g。

这种环烯烃无规共聚物要求具有软化温度（TMA）为70℃，以后称它为“环烯烃无规共聚物[A]”。

其中，n是0（零）或1，m是0（零）或正整数，R¹-R¹⁸分别为氢，卤素或碳氢基团，R¹⁵-R¹⁸可以连接在一起形成具有双键的单或多核环，R¹⁵与R¹⁶或R¹⁷与R¹⁸连接在一起形成亚烷基基团。

其中p是0（零）或至少为1的整数，q和r各自为0（零），1或2，R¹-R¹⁵分别是由氢，卤素，脂肪族烃基，芳香族烃基和甲氧基组成的基团中选择的一个原子或一个基团，而R⁵（或R⁶）和R⁹（或R⁷）通过1-3个碳原子的亚烷基团连接在一起。或者不通过任何基团直接连接在一起。

在上述的结构式[Ⅰ]中，n是0（零）或1，最佳是0（零），而m是0（零）或正整数，最佳为0-3。在以上提到的结构式[Ⅱ]中，p 是0（零）或至少为1的整数，最佳为0-3的整数。

R¹-R¹⁸（结构式[Ⅰ]或R¹-R¹⁵（结构式[Ⅱ]）各自代表由氢、卤素和烃基组成的基团中选择的一个原子或一个基团。其中卤素包括例如氟、氯、溴和碘原子，而烃基包括通常的1-6个碳原子的烷基和3-6个碳原子的环烷基。烷基的具体实例包括甲基，乙基，异丙基，异丁基和戊基，而烷基的具体实例包括环己基，环丙基，环丁基和环戊基。

在上述的结构式中，R⁵（或R⁶）和R⁹（或R⁷）通过1-3个碳原子的亚烷基基团可以连接在一起，或者不通过任何基团直接连接在一起。

在上述的结构式[Ⅰ]中，R¹⁵-R¹⁸连接在一起（结合）形成具有双键的一种单环或多核环，而R¹⁵与R¹⁶或R¹⁷与R¹⁸连接在一起形成一种亚烷基基团，这种亚烷基基团包括通常的2-4个碳原子的亚烷基，而它的具体实例包括亚乙基，亚丙基，亚异丙基和亚异丁基。

上述结构式[Ⅰ]或[Ⅱ]所代表的环烯烃是采用环戊二烯与相应的链烯烃或环烯烃通过狄尔斯-阿德耳反应进行缩合反应来制备的。

本发明所使用的由上述结构式[Ⅰ]或[Ⅱ]所代表的环烯烃类具体包括：

双环[2，2，1]庚-2-烯衍生物，

四环[4，4，0，1^2.5，1^7.10]-3-十二碳烯衍生物，

六环[6，6，1，1^3.6，1^10.13，0^2.7，0^9.14]-4-十七碳烯衍生物，

八环[8，8，0，1^2.9，1^4.7，1^11.18，1^13.16，0^3.8，0^12.17]-5-二十二碳烯衍生物，

五环[6，6，1，1^3.6，0^2.7，0^9.14]-4-十六碳烯衍生物，

七环-5-二十碳烯衍生物，

七环-5-二十一碳烯衍生物，

三环[4，3，0，1^2.5]-3-癸烯衍生物，

三环[4，3，0，1^2.5]-3-十一碳烯衍生物，

五环[6，5，1，1^3.6，0^2.7，0^9.14]-4-十五碳烯衍生物，

五环十五碳二烯衍生物，

五环[4，7，0，1^2.5，0^8.13，1^9.12]-3-十五碳烯衍生物，

五环[7，8，0，1^3.6，0^2.7，1^10.17，0^11.16，1^12.15]-4-二十碳烷衍生物，

九环[9，10，1，1，4，7，0^3.8，0^2.10，0^12.21，1^13.20，0^14.19，1^15.19]-5-二十五碳烯衍生物，

上述化合物的具体实例显示如下：

双环[2，2，1]庚-2-烯衍生物包括以下所提到的那些：

双环[2,2,1]庚-2-烯,

6-甲基双环[2,2,1]庚-2-烯,

5,6-二甲基双环[2,2,1]庚-2-烯,

1-甲基双环[2,2,1]庚-2-烯,

6-乙基双环[2,2,1]庚-2-烯,

6-正丁基双环[2,2,1]庚-2-烯,

6-异丁基双环[2,2,1]庚-2-烯,

7-甲基双环[2,2,1]庚-2-烯,

四环[4，4，0，1^2.5，1^7.10]-3-十二碳烯衍生物包括如下所给出的那些：

四环[4,4,0,1^2.5,1^7.10]-3-十二碳烯,

8-甲基四环[4,4,0,1^2.5,1^7.10]-3-十二碳烯,

8-乙基四环[4,4,0,1^2.5,1^7.10]-3-十二碳烯,

8-丙基四环[4,4,0,1^2.5,1^7.10]-3-十二碳烯,

8-丁基四环[4,4,0,1^2.5,1^7.10]-3-十二碳烯,

8-异丁基四环[4,4,0,1^2.5,1^7.10]-3-十二碳烯,

8-已基四环[4,4,0,1^2.5,1^7.10]-3-十二碳烯,

8-环已基四环[4,4,0,1^2.5,1^7.10]-3-十二

碳烯,

8-十八烷酰四环[4,4,0,1^2.5,1^7.10]-3-十二碳烯,

5,10-二甲基四环[4,4,0,1^2.5,1^7.10]-3-十二碳烯,

2,10-二甲基四环[4,4,0,1^2.5,1^7.10]-3-十二碳烯,

8,9-二甲基四环[4,4,0,1^2.5,1^7.10]-3-十二碳烯,

8-乙基-9-甲基四环[4,4,0,1^2.5,1^7.10]-3-十二碳烯,

11,12-二甲基四环[4,4,0,1^2.5,1^7.10]-3-十二碳烯,

2,7,9-三甲基四环[4,4,0,1^2.5,1^7.10]-3-十二碳烯,

9-乙基-2,7-二甲基四环[4,4,0,1^2.5,1^7.10]-3-十二碳烯,

9-异丁基-2,7-二甲基四环[4,4,0,1^2.5,1^7.10]-3-十二碳烯,

9,11,12-三甲基四环[4,4,0,1^2.5,1^7.10]-3-十二碳烯,

9-乙基-11,12-二甲基四环[4,4,0,1^2.5,1^7.10]-3-十二碳烯,

9-异丁基-11,12-二甲基四环[4,4,0,1^2.5,1^7.10]-3-十二碳烯,

5,8,9,10-四甲基四环[4,4,0,1^2.5,1^7.10]-3-十二碳烯,

8-亚乙基四环[4,4,0,1^2.5,1^7.10]-3-十二碳烯,

8-亚乙基-9-甲基四环[4,4,0,1^2.5,1^7.10]-3-十二碳烯,

8-亚乙基-9-乙基四环[4,4,0,1^2.5,1^7.10]-3-十二碳烯,

8-亚乙基-9-异丙基四环[4,4,0,1^2.5,1^7.10]-3-十二碳烯,

8-亚乙基-9-丁基四环[4,4,0,1^2.5,1^7.10]-3-十二碳烯,

8-正亚丙基四环[4,4,0,1^2.5,1^7.10]-3-十二碳烯,

8-正亚丙基-9-甲基四环[4,4,0,1^2.5,1^7.10]-3-十二碳烯,

8-正亚丙基-9-乙基四环[4,4,0,1^2.5,1^7.10]-3-十二碳烯,

8-正亚丙基-9-异丙基四环[4,4,0,1^2.5,1^7.10]-3-十二碳烯,

8-正亚丙基-9-丁基四环[4,4,0,1^2.5,1^7.10]-3-十二碳烯,

8-异亚丙基四环[4,4,0,1^2.5,1^7.10]-3-十二碳烯,

8-异亚丙基-9-甲基四环[4,4,0,1^2.5,1^7.10]-3-十二碳烯,

8-异亚丙基-9-乙基四环[4,4,0,1^2.5,

1^7.10]-3-十二碳烯,

8-异亚丙基-9-异丙基四环[4,4,0,1^2.5,1^7.10]-3-十二碳烯,

8-异亚丙基-9-丁基四环[4,4,0,1^2.5,1^7.10]-3-十二碳烯,

8-氯代四环[4,4,0,1^2.5,1^7.10]-3-十二碳烯,

8-溴代四环[4,4,0,1^2.5,1^7.10]-3-十二碳烯,

8-氟代四环[4,4,0,1^2.5,1^7.10]-3-十二碳烯,

8,9-二氯四环[4,4,0,1^2.5,1^7.10]-3-十二碳烯,

六环[6，6，1，1^3.6，1^10.13，0^2.7，0^9.14]-4-十七碳烯衍生物包括以下给出的那些：

六环[6,6,1,1^3.6,1^10.13,0^2.7,0^9.14]-4-十七碳烯,

12-甲基六环[6,6,1,1^3.6,1^10.13,0^2.7,0^9.14]-4-十七碳烯,

12-乙基六环[6,6,1,1^3.6,1^10.13,0^2.7,0^9.14]-4-十七碳烯,

12-异丁基六环[6,6,1,1^3.6,1^10.13,0^2.7,0^9.14]-4-十七碳烯,

1,6,10-三甲基-12-异丁基六环[6,6,1,1^3.6,1^10.13,0^2.7,0^9.14]-4-十七碳烯,

八环[8，8，0，1^2.9，1^4.7，1^11.18，1^13.16，0^3.8，0^12.17]-5-二十二碳烯衍生物包括以下所给出的那些：

八环[8,8,0,1^2.9,1^4.7,1^11.18,1^13.16,0^3.8,0^12.17]-5-二十二碳烯,

15-甲基八环[8,8,0,1^2.9,1^4.7,1^11.18,1^13.16,0^3.8,0^12.17]-5-二十二碳烯,

15-乙基八环[8,8,0,1^2.9,1^4.7,1^11.18,1^13.16,0^3.8,0^12.17]-5-二十二碳烯,

五环[6，6，1，1^3.6，0^2.7，0^9.14]-4-十六碳烯衍生物包括以下所给的那些：

五环[6,6,1,1^3.6,0^2.7,0^9.14]-4-十六碳烯,

1,3-二甲基五环[6,6,1,1^3.6,0^2.7,0^9.14]-4-十六碳烯,

1,6-二甲基五环[6,6,1,1^3.6,0^2.7,0^9.14]-4-十六碳烯,

15,16-二甲基五环[6,6,1,1^3.6,0^2.7,0^9.14]-4-十六碳烯,

七环-5-二十碳烯衍生物或七环-5-二十一碳烯衍生物包括以下所提到的那些：

七环[8,7,0,1^2.9,1^4.7,1^11.17,0^3.8,0^12.16]-5-二十碳烯,

七环[8,7,0,1^2.9,1^4.7,1^11.18,0^3.8,0^12.17]-5-二十一碳烯,

三环[4,3,0,1^2.5]-3-癸烯衍生物包括如下提到的那些:

三环[4,3,0,1^2.5]-3-癸烯,

2-甲基三环[4,3,0,1^2.5]-3-癸烯,

5-甲基三环[4,3,0,1^2.5]-3-癸烯,

三环[4,4,0,1^2.5]-3-十一碳烯衍生物包括如下提到的那些:

三环[4,4,0,1^2.5]-3-十一碳烯,

10-甲基三环[4,4,0,1^2.5]-3-十一碳烯,

五环[6，5，1，1^3.6，0^2.7，0^9.13]-4-十五碳烯衍生物包括如下所提到的那些：

五环[6,5,1,1^3.6,0^2.7,0^9.13]-4-十五碳烯,

1,3-二甲基五环[6,5,1,1^3.6,0^2.7,0^9.13]-4-十五碳烯,

1,6-二甲基五环[6,5,1,1^3.6,0^2.7,0^9.13]-4-十五碳烯,

14,15-二甲基五环[6,5,1,1^3.6,0^2.7,0^9.13]-4-十五碳烯,

二烯化合物包括如下:

五环[6,5,1,1^3.6,0^2.7,0^9.13]-4,10-十五碳二烯,

五环[7，4，0，1^2.5，1^9.12，0^8.13]-3-十五碳烯衍生物包括如下所提到的那些：

五环[7,4,0,1^2.5,1^9.12,0^8.13]-3-十五碳烯,

甲基取代的五环[7,4,0,1^2.5,1^9.12,0^8.13]-3-十五碳烯,

七环[8，7，0，1^3.6，1^10.17，1^12.15，0^2.7，0^11.16]-4-二十碳烯衍生物包括如下提到的那些：

七环[8,7,0,1^3.6,1^10.17,1^12.15,0^2.7,0^11.16]-4-二十碳烯,

二甲基取代的七环[8,7,0,1^3.6,1^10.17,1^12.15,0^2.7,0^11.16]-4-二十碳烯,

九环[10，9，1，1^4.7，1^13.20，1^15.18，0^3.8，0^2.10，0^12.21，0^14.19]-5-二十五碳烯衍生物包括以下所提到的这些：

九环[10,9,1,1^4.7,1^13.20,1^15.18,0^3.8,

0^2.10,0^12.21,0^14.19]-5-二十五碳烯,

三甲基取代的九环[10,9,1,1^4.7,1^13.20,1^15.18,0^3.8,0^2.10,0^12.21,0^14.19]-5-二十五碳烯,

本发明所使用的上述结构式[Ⅱ]的环烯烃类具体包括以下所示的化合物。

5-苯基-双环[2,2,1]庚-2-烯,

5-甲基-5-苯基-双环[2,2,1]庚-2-烯,

5-苄基-双环[2,2,1]庚-2-烯,

5-甲苯基-双环[2,2,1]庚-2-烯,

5-(乙基苯基)-双环[2,2,1]庚-2-烯,

5-(异丙基苯基)-双环[2,2,1]庚-2-烯,

1,4-亚甲基-1,4,4a,9a-四氢化芴,

1,4-亚甲基-1,4,4a,5,10,10a-六氢化蒽,

环戊二烯-苊加成化合物,

5-(d-萘基)-双环[2,2,1]庚-2-烯,

5-(蒽基)-双环[2,2,1]庚-2-烯,

由作为基本组分的乙烯单元和前述环烯烃单元构成的环烯烃无规共聚物，如果需要除了这两种基本组分外，也可含有其他可共聚的不饱和单体单元，只要这些单体单元不影响本发明的目的。在环烯烃无规共聚物中可以由单体衍生的这种可共聚的不饱和单体单元包括3-20个碳原子的α-链烯烃，例如丙烯，1-丁烯，4-甲基-1-戊烯，1-己烯，1-辛烯，1-癸烯，1-十二碳烯，1-十四碳烯，1-十六碳烯，1-十八碳烯和1-二十碳烯，而且可以使用的这些不饱和单体的量小于在生成的无规共聚物中存在的乙烯单元的等摩尔量。

在上述的环烯烃无规共聚物[A]中，由乙烯衍生的重复单元（a）的含量是从40-85摩尔%，最佳50-75摩尔%，而从环烯烃衍生出来的重复单元（b）的含量百分比是从15-60摩米%，最佳为25-50摩尔%。这些重复单元（a）和（b）是基本上作无规线性排列。用¹³C-NMR来测定乙烯和环烯烃生成的无规共聚物成分。这种无规共聚物可完全溶解于135℃的萘烷中这一事实证明它基本上是线性的并且无凝胶状交联结构。

环烯烃无规共聚物[A]具有于135℃的萘烷中测定的特性粘度为0.05-10dl/g，最佳0.08-5dl/g。

本环烯烃无规共聚物[A]的用热机械分析仪测定的软化温度（TMA）至少为70℃，较好地是从90到250℃，最好100-200℃。用杜邦（Du Pont）制造的热机械分析仪通过1mm厚的环烯烃无规共聚物薄片的热变形性能来测定这种软化温度（TMA）。也说是，在49克的载荷下将1根石英针垂直地放在薄片上并以5℃/分钟的速度加热该薄片，测量针剌进薄片里深度达0.635mm处的温度作为TMA。该环烯烃无规共聚物[A]的玻璃化转变温度（Tg）通常从50℃至230℃，比较好为70℃-210℃。

用X射线衍射法测量环烯烃无规共聚物[A]的结晶系数是0-10%，比较好为0-7%，最好为0-5%。

在本发明中，要求由掺入具有软化温度（TMA）至少为70℃的环烯烃无规共聚物[A]制备的环烯烃无规共聚物组合物构成的基片。（以后）称由前述结构式[Ⅰ]或[Ⅱ]代表的乙烯和环烯烃的共聚物这一类环烯烃无规共聚物为“环烯烃共聚物[B]”，该共聚物具有特性粘度[η]为0.01-5dl/g，软化温度（TMA）小于70℃。

在软化温度（TMA）小于70℃的环烯烃无规共聚物[B]中，由乙烯衍生的重复单元（a）的含量百分比为60-98摩尔%，比较好为60-95摩尔%，而由环烯烃衍生的重复单元（b）的含量百分比为2-40摩尔%，比较好为5-40摩尔%。重复单元（a）和（b）基本上以无规线性排列的。及¹³C-NMR来测定生成的环烯烃和乙烯的无规共聚体的成分。这种共聚体完全溶解于135℃的萘烷中的这一事实可以证明环烯烃无规共聚物[B]基本上是线性的而且无胶凝交联结构。

环烯烃无规共聚物[B]具有一种特性粘度[η]，在135℃萘烷中测定为0.01-5dl/g，比较好为0.05-5dl/g，最佳为0.08-3dl/g。

用热机械分析仪测定的环烯烃无规共聚物[B]的软化温度是小于70℃，比较好为-10-60℃最好为10-55℃。环烯烃无规共聚体[B]的玻璃化转化温度（Tg）通常为-30-60℃比较好为-20-50℃。

用X射线衍射法测定的环烯烃无规共聚物[B]的结晶系数是0-10%，比较好为0-7%，最好为0-5%。

在本发明中，上述环烯烃无规共聚物组合物用作基片的原料的情况下，环烯烃无规共聚物[A]对共聚物[B]在组合物中重量比是从100/0.1到100/10，比较好为100/0.3到100/7，最好为100/0.5到100/5。通过使上述组分[A]和[B]按上述规定比例配料混合而成环烯烃共聚组合物所形成基片具有这样的效果以致与只含组分[A]组成的基片相比，本发明所使用的基片和第一保护膜之间的粘合性，在严酷的条件下仍有所改进，同时也保持了基片本身的优良的透明性和表面光滑性。这样，由含有[A]和[B]组分按上述规定混合而成的环烯烃无规共聚物组合物组成的本发明基片，该基片和在本发明第一保护膜之间可获得优良的粘合性，这样一个特性即使基片在高温高湿度环境中放置在承载第一保护膜之后，在这样所得的粘合性上仍不发生不希望有的变化。

根据本申请人在日本专利特开昭公报第168708/1985，120816/1986，115912/1986和115916/1986号，日本专利申请第95905/1986和95906/1986和日本专利特开昭第271308/1986和272216/1986号中提出的方法。同时选择适当的条件可制得构成本发明基片的上述环烯烃无规共聚物[A]和[B]。

除掉以上的环烯烃无规共聚物外，构成本发明的基片树脂可包括含由结构式[Ⅰ]代表的前述环烯烃开环聚合而成的由以下结构式 [Ⅲ]所代表的一种重复单元的聚合物或共聚物，而且还包括含由结构式[Ⅲ]所代表的重复单元氢化而形成的由下列结构式[Ⅳ]所代表的重复单元的聚合物或共聚物。

在上述结构式[Ⅲ]和[Ⅳ]中，R¹-R¹²是按以前的结构式[Ⅰ]所规定的。

如上所述的环烯烃无规共聚物可以加入诸如热稳定剂，防老剂，抗静电剂，滑移剂，抗粘剂，防雾剂，润滑剂，染料，颜料，天然油，合成油和蜡的种种添加剂，而且这些添加剂所用的量可以适当地来决定。例如可任意掺合的稳定剂具体包括诸如四[3-（3，5-二-叔丁基-4-羟基苯基）亚甲基丙酸酯]甲烷以及β-（3，5-二-叔丁基-4-羟基苯基）丙酸烷基酯（较好的是少于18个碳原子的烷基酯）的酚抗氧剂类，诸如硬脂酸锌，硬脂酸钙，及12-羟基硬脂酸钙等的脂肪酸金属盐，以及诸如甘油一硬脂酸酯、甘油一月桂酸酯、甘油二硬脂酸酯、季戊四醇一硬脂酸酯、季戊四醇二硬脂酸酯，和季戊四醇三硬脂酸酯等的多元醇脂肪酸酯。这些稳定剂可以单独使用，也可以结合起来使用，例如可使用四[3-（3，5-二-叔丁基-4-羟基苯基）亚甲基丙酸酯]甲烷与硬脂酸锌和甘油一硬脂酸酯结合在一起来使用。

在本发明中，需要使用酚抗氧剂与多元醇脂肪酸酯的结合，比较好地通过使至少三价的多元醇的羟基部分进行酯化来获得脂肪酸酯。

上述的多元醇的脂肪酸酯具体包括甘油的脂肪酸酯，例如甘油一硬脂酸酯，甘油一月桂酸酯，甘油一肉豆蔻酸酯、甘油一棕榈酸酯、甘油二硬脂酸酯，甘油二月桂酸酯和季戊四醇的脂肪酸酯如季戊四醇一硬脂酸酯、季戊四醇一月桂酸酯、季戊四醇二硬脂酸酯、季戊四醇二月桂酸酯，和季戊四醇三硬脂酸酯。

以100份（重量）环烯烃无规共聚物组合物为基准，以上所用的酚类抗氧化剂的量是0.01-10份（重量）较好的为0.05-3份（重量）最佳为0.1-1份（重量）。仍以100（重量）的上述组合物为基准所用的多元醇的脂肪酸酯的量是0.01-10份（重量），比较好的为0.05-3份（重量）。

在本发明的磁光记录介质中，使用的基片比较好地是由上述环烯烃无规共聚物[A]或含该环烯烃无规共聚物[A]的组合物所构成的。这些介质具有优良的光学性能，而且在该基片与在其上形成的第一保护膜之间具有良好的粘合性，因此，记录膜具有优良的长期稳定性，同时能有效地防止氧化作用，甚至当基片长期保持在高湿度之中基片的翘曲变形性也相当小。

具有上述基片的磁光记录介质具有卓越的长期使用性，而且长期使用也不会开裂。

本基片的厚度没有特别的限制，如图所示本发明的基片2的厚度比较好的是0.5-5mm，更佳好的为1-2mm。

保护膜

本发明在磁光记录介质1中使用的第一保护膜3和第二保护膜5是以结构式Si Nx来代表的膜，例如氮化硅或含氮化硅的膜。

x较好地为0＜x≤4/3的Si Nx分子式的特别有用的保护膜，具体包括，如Si₃N₄（四氯化硅）的氮化硅膜，或含Si₃N₄和Si的一种混合物的Si Nx分子式的膜其中x为0＜x＜4/3。由Si Nx分子式代表的这些保护膜可以使用Si₃N₄或Si₃N₄和Si作为靶片通过溅射法而制成的。这些保护膜也可以使用硅靶片在氮的气氛中采用溅射法来制成。以分子式Si Nx为代表的第一保护膜3和第二保护膜5通常要求具有折射系数至少为1.8较好1.8-2.2。而且这些保护膜在防止其后的磁光记录膜4的氧化方面或类似变坏或加强膜的功能方面起着一定的作用以便改善上述磁光记录膜4的记录特性，用分子式Si Nx（0＜x≤4/3）代表的这些保护膜在抗开裂性方面也具有特别优良的性能。

本发明的磁光记录介质是具有宽的记录功率极限和对线速度依赖关系小，因为本磁光记录介质具有在基片上叠合了第一保护膜，一特定的磁光记录膜，第二保护膜和由铝合金组成的金属膜的结构的四层膜，而第一保护膜和第二保护膜是由Si Nx组成的。

包括上述膜厚度的第一保护膜的磁光记录介质具有一个大的克尔旋转角θK，另外包括上述膜厚度的第二保护膜具有宽的记录功率极限而不损坏优良的C/N比。

本发明的第一保护膜3具有厚度为500-2000

比较好为800-1500 ，而第二保护膜5具有膜厚为50-2000 ，比较好为50-1000

，最佳为100-700

左右。

磁光记录膜

本磁光记录膜4由（ⅰ）从3d过渡金属中选择的至少一个金属，和（ⅲ）从稀土元素中选择的至少一个元素所构成。

在本发明中，磁光记录膜4由（ⅰ）从3d过渡金属中至少选择一种金属;（ⅱ）至少一种选自耐腐金属中的金属;（ⅲ）从稀土元素中至少选择一种元素所构成。

用作为3d过渡金属（ⅰ）是Fe，Co，Ti，V，Cr，Mn，Ni，Cu和Zn，而且在这些金属中，比较好的是Fe或Co，或者它们的二个。

在磁光记录膜4中含此3d过渡金属的量为：20-90原子%，比较好是30-85原子%，而最佳为35-80原子%。有用的耐腐蚀金属是Pt，Pd，Ti，Zr，Ta和Nb。而在这些金属中，比较好的是Pt，Pd和Ti最佳是Pt或Pd，或它们的二者。

在磁光记录膜4中，以所有的构成磁光记录膜的原子为基准，耐腐蚀金属的含量百分比不大于30原子%，比较好是5-30原子%，更好为5-25原子%，特别好为10-25原子%最好为10-20原子%。

用上述的量在磁光记录膜4中掺入耐腐蚀金属，该记录膜的耐氧化作用能得到加强。

另外，长期使用以后磁光记录膜矫顽力Hc的变化是小的Kerr旋转角也是小的。

另一方面当耐腐蚀金属超过30原子%时则所得的无定形合金膜的居里（Curiepoint）点趋于不希望要的减小到低于室温的温度。除掉上述的组分（ⅰ）以外，本磁光记录膜4还含有从下组中选择的至少一个稀土元素。

包括在上述组族中的是Gd，Tb，Dy，IIo，Er，Tm，Yb，Lu，La，Ce，Pr，Nd，Pm，Sm和Eu。其中，特别好的是Gd，Tb，Dy，Ho，Nd，Sm和Pr。

在磁光记录膜4中从上述组选择至少一个元素的量为5-50原子%，比较好为8-45原子%，最佳10-40原子%。

在本发明中，磁光记录膜4要求具有如下的组成：

（ⅰ）3d过渡金属

在本发明中使用的磁光记录膜作为3d过渡金属（ⅰ）的要求含有Fe或Co或两者都有，在磁光记录膜中所存在的Fe和/或Co的含量至少为40原子%，但不大于80原子%，较佳是至少为40原子%，但小于75原子%，更佳为至少40原子%，但不大于59%原子%。

在上述磁光记录膜中，存在的Fe和/或Co，是以Co/（Fe⁺Co）（原子比）至少为0-0.3，较佳为0-0.2更佳为0.01-0.2。

当用在磁光记录膜中的Fe和/或Co的量是在至少40原子%，但不大于80原子%的范围内时，其优点是可得到具有极好的抗氧化性和具有与膜垂直的易磁化轴的磁光记录膜。

当将Co掺入磁光记录膜中时，可观察到这样的现象（ⅰ）磁光记录膜的居里点（Curie Point）增加和（ⅱ）克尔旋转角（Kerr rotation angle θK）变大。结果发现，磁光记录膜的记录灵敏度可以通过掺入Co的量来调整，更进一步来说，通过掺入Co;可使再生信号的载波电平增加。从噪声电平和C/N比的观点出发，在磁光记录膜中的Co/（Fe⁺Co）比（原子比）是0-0.3，较佳为0-0.2，更佳为0.01-0.2。

如上所述的本发明使用的磁光记录膜甚至当它们记录和抹除信息中重复使用时也不会改变它们的性能。例如当在具有Pt₁₃Tb₂₈Fe₅₀Co₉的组合物的本发明的磁光记录膜中，甚至当记录和抹除信息的操作重复进行100，000次时，也未观察到C/N比的减小。

（ⅱ）耐腐蚀金属

本发明的磁光记录膜含：作为为耐腐蚀金属（ⅱ）的Pt或Pd或两者都有，而且Pt和/或Pd在磁光记录膜中的含量为5-30原子%，较佳为10-30原子%，更佳为10-20原子%，最佳为11-19原子%。

当磁光记录膜中所含的Pt和/或Pd的量至少5原子%，尤其大于10原子%时，就可以获得这样一些优点，即所得的记录膜的抗氧化性变得极好，甚至当它在长期使用时，也没有腐蚀的发生，而且也没观察到C/N之比值降低。

例如，在具有Pt₁₃Tb₂₈Fe₅₀Co₉（原子%）或Pd₁₂Tb₂₈Fe₅₇Co₃（原子%）的组合物的本发明的磁光记录膜中，即使将它保持在于85℃RH和80℃的环境下1000小时，其C/N之比值一点也没有改变。

当将信息记录于含上述规定的量Pt和/或Pd的磁光记录膜或者从该膜上读出信息时，通过施加小偏压的磁场也能获得足够高的C/N比。如果通过一个小偏压磁场就可以获得足够高的C/N的话，由于发生偏压磁场的磁体尺寸可以造得很小，进一步，从磁体中产生的热量可以被降至最低程度，因而简化了用来驱动具有磁光记录膜光盘的驱动装置，由于获得了足够高的C/N比，所以能容易地设计出一个能昼夜记录的磁场调节的磁体。

（ⅲ）稀土元素（RE）

在本发明的磁光记录膜中含有的稀土元素和使用的稀土元素（RE）包括：Nd，Sm，Pr，Ce，Eu，Gd，Tb，Dy或Ho。

如上面举出的稀土元素中，比较好使用的是Nd，Pr，Gd，Tb和Dy，而特别好的是Tb。这些稀土元素可以两种混合或者多种元素混合使用，而在这种情况下所使用稀土元素中的Tb的含量要求至少为50原子%。

从获得具有与膜垂直的易磁化轴的磁光记录膜的观点来看，要求磁光记录膜中的稀土元素含量以x来表示Re/（Re⁺Fe⁺Co）比（原子比）为0.15≤x≤0.45，较佳为0.20≤x≤0.4。

在本发明中，通过将各种少量元素掺入到磁光记录膜中来改善居里温度，补偿温度，矫顽磁力Hc或克尔旋转角θK或降低生产成本也是可能的。

在此情况下所使用的这些另外元素包括以下所列举这些：

以构成该记录膜的所有原子为基准，本磁光记录膜中含有以上述那些元素量是不大于10原子%。

（Ⅰ）除Fe和Co外的3d过渡元素，具体说，这些过渡元素包括Sc，Ti，V，Cr，Mn，Ni，Cu和Zn。

在上面所列举的这些元素中，Ti，Ni，Cu和Zn能较佳地被使用。

（Ⅱ）除Pd外的4d过渡元素，具体地来说，这些过渡元素包括：Y，Zr，Nb，Mo，Tc，Ru，Rh，Ag和Cd。

在上面所列举的这些元素中，Zn和Nb能较佳地被使用。

（Ⅲ）除Pt外的5d过渡元素，具体地来说，这些过渡元素包括Hf，Ta，W，Re，Os，Ir，Au和Hg。

在上述列举的这些元素中，Ta能较佳地被使用。

（Ⅳ）属于ⅢB族的元素

具体使用的这些元素是B，Al，Ga，In和Tl。

在上述列举的这些元素中，B，Al和Ga是较佳地被使用。

（Ⅴ）属于ⅣB族的元素

具体使用的这些元素是C，Si，Ge，Sn和Pb。

在上述列举的这些元素中，Si，Ge，Sn和Pb是较佳地被使用的。

（Ⅵ）属于ⅤB族的元素

具体使用的这些元素是N，P，As，Sb和Bi

在上述列举的这些元素中，Sb是较佳地被使用的。

（Ⅶ）属于ⅥB族的元素

具体使用的这些元素是S，Se，Te和Po。

在上述列举的这些元素中，Te是较好地被使用的。

此外，在本发明中，磁光记录膜包括（ⅰ）至少一种选自3d过渡金属组分和（ⅲ）至少一种选自上述稀土元素的元素。这类磁光记录膜较佳地是Tb Fe Co系列的。其中较好的是Tb的量是10-40原子%，Fe的量是30-90原子%和Co的量是0-30%原子%。在本发明中，磁光记录膜含有上述提到的（ⅰ）3d过渡金属和（ⅲ）稀土元素，还含有另外的元素（如以上列举的（Ⅰ）-（Ⅶ）族元素）。

通过广角X射线衍射法或类似的方法可以证实具有以上规定的组合物的磁光记录膜4是一种非晶形膜有一根与膜相垂直的易磁化轴，能以最有利的方形显示克尔角磁滞回线，而且能垂直磁化和磁光记录。

在本说明书中，所用的术语“克尔磁滞回线显示有利的方形”意思是指θK₂/θK₁之比是大于0.8，其中θK₁是一个饱和磁化的克尔旋转角，即在外磁场最大处的克尔旋转角，θK₂是一个在外磁场为零残留磁化的克尔旋转角。

本磁光记录膜4具有膜厚度为100-600

较佳为100-400

，更佳为150-350 左右。

金属的膜层

在本发明的磁光记录介质1中，在上述的第二保护膜5上提供了一层金属膜层6。

本发明所使用的金属膜层6是由铝合金所构成的。

该铝合金含铝和除铝外的至少还含一种元素。

构成本金属膜层6的这些铝合金的具体例子包括：以下列举的这些。

Al-Cr合金（Cr含量为0.1-10原子%），

Al-Cu合金（Cu含量为0.1-10原子%），

Al-Mn合金（Mn含量为0.1-10原子%），

Al-Hf合金（Hf含量为0.1-10原子%），

Al-Nb合金（Nb含量为0.1-10原子%），

Al-B合金（B含量为0.1-10原子%），

Al-Ti合金（Ti含量为0.1-10原子%），

Al-Ti-Nb合金（Ti含量为0.1-5原子%，Nb含量为0.1-5原子%），

Al-Ti-Hf合金（Ti含量为0.1-5原子%，Hf含量为0.1-10原子%），

Al-Ti-Hf合金（Cr含量为0.1-5原子%，Hf含量为0.1-10原子%），

Al-Cr-Ti合金（Cr含量为0.1-5原子%，Ti含量为0.1-10原子%），

Al-Cr-Zr合金（Cr含量为0.1-5原子%，Zr含量为0.1-10原子%），

Al-Ti-Nb合金（Ti含量为0.1-5原子%，Nb含量为0.1-5原子%），

Al-Ni合金（Ni含量为0.1-10原子%），

Al-Mg合金（Mg含量为0.1-10原子%），

Al-Mg-Ti合金（Mg含量为0.1-10原子%，Ti含量为0.1-10原子%），

Al-Mg-Cr合金（Mg含量为0.1-10原子%，Cr含量为0.1-10原子%），

Al-Mg-Hf合金（Mg含量为0.1-10原子%，Hf含量为0.1-10原子%），

Al-Se合金（Se含量为0.1-10原子%），

Al-Zr合金（Zr含量为0.1-10原子%），

Al-Ta合金（Ta含量为0.1-10原子%），

Al-Ta-Hf合金（Ta含量为0.1-10原子%，Hf含量为0.1-10原子%），

Al-Si合金（Si含量为0.1-10原子%），

Al-Ag合金（Ag含量为0.1-10原子%），

Al-Pd合金（Pd含量为0.1-10原子%），和

Al-Pt合金（Pt含量为0.1-10原子%）。

在上述列举的这些铝合金中，以下给出的是特别较佳的，因为它们具有优良的耐腐蚀性，而且具有这类铝合金组成的这种金属膜层的磁光记录介质对线速度依赖性小。

含Hf为0.1-10原子%的铝合金，

含Nb为0.1-10原子%的铝合金，

含Ti为0.5-5原子%和Hf为0.5-5原子%，上述Ti和Hf的合起来的含量为1-5.5原子%的铝合金，

含Cr为0.1-5原子%和Ti为0.1-9.5原子%，上述Cr和Ti合起来的含量为不大于10原子%的铝合金，

含Mg为0.1-10原子%和Cr为0.1-10原子%，上述Mg和Cr合起来的含量为不大于15原子%铝合金，

含Cr为0.1-5原子和Hf为0.1-9.5原子%，上述Cr和Hf合起来的含量为不大于10原子%的铝合金，

含Mg为0.1-10原子和Hf为0.1-10原子%，上述Mg和Hf合起来的含量为不大于15原子%的铝合金，

含Cr为0.1-5原子%和Zr为0.1-9.5原子%，上述Cr和Zr合起来的含量为不大于10原子%的铝合金，

含Ta为0.1-10原子%和Hf为0.1-10原子%，上述Ta和Hf合起来的含量为不大于15%的铝合金，

含Ti为0.5-5原子%和Nb为0.5-5原子%，上述Ti和Nb合起来的含量为1-5.5原子%的铝合金，

含Mg为0.1-10原子%和Ti为0.1-10原子%，上述Mg和Ti合起来的含量为不大于15%的铝合金，

含Hf为0.1-9.5原子%，Cr为0.1-5原子%和Ti为0.1-9.5原子%，以构成该铝合金的所有原子为基准，上述Hf，Cr和Ti合起来的含量不大于10原子%的铝合金。

含Hf为0.1-10原子%，Mg为0.1-10原子%和Ti为0.1-10原子%，以构成该铝合金的所有的原子为基准，上述Hf，Mg和Ti合起来的含量为不大于15%的铝合金。

含Hf为0.1-10原子%，Mg为0.1-10原子%和Cr不大于10原子%，以构成该铝合金所有原子为基准，上述Hf，Mg和Cr合起来的含量为不大于15原子%的铝合金。

含Hf为0.1-10原子%，Mg为0.1-10原子%，Ti为0.1-10原子%和Cr为小于10原子%，以构成该铝合金的所有原子为基准，上述Hf，Mg，Ti和Cr合起来的含量不大于15原子%的铝合金。

含Ti为0.1-10原子%，Mg为0.1-10原子%和Cr为不大于10原子%，以构成该铝合金的所有原子为基准，上述Ti，Mg和Cr合起来的含量为不大于15原子%的铝合金。

在当磁光记录膜是（ⅰ）至少一种金属选自3d过渡金属和（ⅲ）至少一种元素选自稀土元素的情况下，金属膜层是使用上述提到的特别较佳铝合金组成的。

上述的金属膜层6可以采用溅射法或类似方法使用上述提到的元素复合靶板或含上述元素的合金靶板在第二保护膜上沉积而成。

除构成金属膜层6的金属以外，上述的金属膜可以含有一个或两个或更多的金属。

参考上述的这些金属可以包括例如钛（Ti），铪（Hf），铌（Nb），铬（Cr），硅（Si），钽（Ta），铜（Cu），钨（W），锆（Zr），锰（Mn），镁（Mg）和钒（V），而这些金属元素的含量通常是不大于5原子%，比较好是不大于2原子%然而在那种情况下，甚至如果该金属已经在金属膜6内存在，在金属膜6中它们的量是在上述规定的范围内含有上述列举的那些金属含量也决不会超出。例如，当构成金属膜层6的铝合金是Al-Ti合金或Al-Ti-Hf合金，在这铝合金中含有以上列举的金属（元素）Ti含量也不会超出。

本发明所使用的金属膜层6的厚度要求为100-5000

，较佳为500-3000 而更佳为700-2000

。

在本发明的功能中作为一种优良导热层使用的金属膜及通过该膜在磁光记录介质中的存在，能防止由记录光束作用其上在记录膜记录槽痕中心部位的过热，由此而造成所使用的记录功率对线速度依赖关系小。

在本发明中，于金属膜上可以提供一个保护涂层。一种紫外线聚合树脂，例如较佳使用丙烯酸型紫外线聚合树脂用作一种保护涂剂，而较佳的生成涂层厚度为1-100

m，基片也可以在保护膜的相反的一侧涂上一表面涂层。

本发明的双面磁光记录介质说明如下：

如图2所示，本发明的双面磁光记录介质20具有这样的结构，它是第一磁光记录介质和第二磁光记录介质用插在两记录膜之间的粘接层15依序接合在一起的以致第一磁光记录介质的金属膜（14a）与第二磁光记录介质的金属膜（14b）是彼此面对面的，上述第一磁光记录介质是在基片（10a）上把第一保护膜（11a），磁光记录膜（12a），第二保护膜（13a）和金属膜（14a）依序叠合而成，上述第二磁光记录介质是在基片（10b）上把第一保护膜（11b）磁光记录膜（12b），第二保护膜（13b）和金属膜（14b）依序叠合而成的。

金属膜（14a）和/或金属膜（14b）也可以涂一保护涂层以改进磁光记录介质长期使用的可靠性，而在此情况下，第一磁光记录介质和第二磁光记录介质是用粘接层15粘合在一起以致它们的保护涂层是彼此面对面的。

在上述双面磁光记录介质中所使用的基片10a和10b，第一保护膜11a和11b，磁光记录膜12a和12b，第二保护膜13a和13b以及金属膜14a和14b与以前所说明的那些是相同的。

粘接层

在本发明的双面磁光记录介质20中，第一磁光记录介质的金属膜14a与第二磁光记录介质的金属膜14b是用粘接层15粘合在一起的。

粘接层15可由如聚烯烃，乙烯-乙酸乙烯共聚物，合成橡胶，聚酯和聚酰胺等热熔粘接剂组成或由如间苯二酚，氰基丙烯酸酯，环氧树脂，氨基甲酸乙酯和紫外线固化的丙烯酸酯等反应性的粘接剂来组成。然而，在本发明中，较佳地是使用热熔粘接剂。

如上所述的热熔粘接剂，本发明较佳地是使用聚烯烃热熔粘接剂，具有软化温度至少为130℃，较佳地是超过140℃，更佳地是至少为141℃。

在本发明的双面磁光记录介质中使用由上述高软化点热熔粘接剂，因此可获得如下优越性能：即甚至在高温，高湿度的环境下长时间使用本双面磁光记录介质时，该粘合在一起的双面磁光记录介质不会松开和不会发生如双面磁光记录介质翘曲的变形，即使有也是很小的。

具有至少为130℃软化点的较佳用作为热熔粘接剂是含聚烯烃类（A），苯乙烯树脂（B）和增粘剂（C）的聚烯烃热熔粘接剂。

使用聚烯烃类（A）包括乙烯/丙烯/α-稀烃无规三元聚合物，乙烯/丙烯无规共聚物和聚异丁烯。

构成上述无规三元聚合物的α-稀烃包括C₄-C₂₀α-烯烃类，特别较佳的是1-丁烯和4-甲基-1-戊烯，所使用的苯乙烯树脂（B）包括如聚苯乙烯，苯乙烯/α-甲基苯乙烯共聚物和苯乙烯/α-甲基苯乙烯/乙烯甲基共聚物等，含苯乙烯或苯乙烯衍生物作为它的组成聚合物或共聚物。在这些苯乙烯树脂中特别较佳的是聚苯乙烯，所使用的增粘剂（C）包括：如芳香族的石油树脂类（如C₉石油树脂），脂肪族的石油树脂（C₅石油树脂），芳香一脂肪共聚物石油树脂（C₉-C₅共聚物树脂和脂肪族环状的树脂的石油树脂类。要求使用的这些增粘剂是具有数均的分子量不大于3000具体地为500-3000而软化温度为80-150℃的石油树脂。而脂肪族的环状树脂具有重均分子量为不大于5000，较佳为50-3000。

在上述聚稀烃热熔接剂中，组成（A）的比例为1-60%（重量），较佳为5-40%（重量）组成（B）为1-30%（重量），较佳为5-20%（重量）组成（C）为30-95%（重量），较佳为50-90%（重量）。

双面的磁光记录介质也是具有优良的抗氧化性，甚至当延长使用时间时，磁光记录特性不会损坏，而且具有高的C/N比，宽的记录功率极限，和记录灵敏度对线速度依赖关系小，另外，双面的磁光记录介质也是无翘曲的。

如前面所述第一保护膜，磁光记录膜，第二保护膜和金属膜可以采用如溅射，电子束沉积，真空沉积或离子电镀法等的已知方法在基片上分别沉积而成。

由于上述特定的薄膜结构和薄膜组成物，本发明的磁光记录介质的耐氧化性良好，即使使用了很长时间也不会使磁光记录特性变坏，并且其C/N比高，记录功率极限广，记录灵敏度对线速度依赖性小。具体地说，本发明的磁光记录介质的记录功率极限广，这是因为所述磁光记录介质具有特定的四层膜叠层结构（即基片/第一保护膜（Si Nx）/特定记录层/第二保护膜（Si Nx）/铝金属膜的结构），并且它具有由铝合金膜构成的金属膜。另外，所述磁光记录介质其记录敏感度对线速度依赖性小，这是由于磁光记录介质具有由铝合金构成的金属薄膜。

另外，当采用由所述特定环烯烃无规共聚物构成的基片时，可使基片和第一保护膜之间的粘合力增加。

此外，双面磁光记录介质具有上述良好的性能，并且机械性能良好，诸如不会翘曲。

下面参考实施例来对本发明进行阐述，但应该知道，本发明并不局限于那些例子。

用于下列实例的术语“最佳记录能量”指某一能量，由此能量来记录频率为1MH和占空因数为50%的写入信号，并且使由记录信号复制的二次谐波信号减至最小。当信息记录介质表现出较小的在不同线速度下确定的最佳记录能量差别时，记录介质呈现出较低程度的对线速度依赖性。

例1

在由通过将乙烯和1，4，5，8-二亚甲基-1，2，3，4，4a，5，8，8a-八氢萘（结构式：

此后简称为DMON）（乙烯含量为59mol%，DMON含量为41mol%，由¹³C-NMR分析测得，其特性粘度（η）为0.42dl/g，在萘烷中在135℃下测得，其软化温度（TMA）为154℃）共聚合而获得的无定形聚烯烃构成的基片（厚度为1.2mm）上，则采用Si N靶的溅射法来沉积上一层厚度为1000

的作为第一保护膜的Si N薄膜。

由采用复合靶的溅射法（复合靶是通过给由Fe和Co构成的靶载上Pt和Tb芯片来制备的），在该Si₃N₄膜上沉积上一层厚度为270

的由Pt₉Tb₂₉Fe₅₈Co₄（以原子%表示）构成的记录膜。

由采用Si₃N₄靶的溅射方法，再在该Pt₉Tb₂₉Fe₅₈Co₄膜上沉积上一层厚度为160

的作为第二保护膜的Si₃N₄薄膜。

随后由采用由Al-Cr-Hf构成的复合靶的溅射方法，在该Si₃N₄薄膜上沉积上一层厚度为1800

的由Al₉₆Cr₂Hf₂（以原子%表示）构成的铝合金薄膜作为金属膜。

所获得的磁光记录介质的特性是以下列方式测定的。

最佳记录能量：对最佳记录能量进行评价，其中，以1MHz的记录频率和50%的占空因数来记录信息，并以1mW的复制激光能量和5.7m/s和11.3m/s的线速度来复制信息。

功率极限：在下列条件下测得的最大C/N值减少3dB的范围被当作功率极限，即，功率极限指获得的C/N值为不小于C/Nmax-3dB的记录功率极限。

C/N（dB）：采用记录频率为3.7MHz、占空因数为33.3%和读出（复制）激光能量为1.0mW来确定C/N（dB）。

△C/N（dB）：作为寿命试验，将磁光记录介质在80℃和相对湿度为85%的环境中保持1000小时，然后测量△C/N比，△C/N比-（寿命试验前C/N比）-（寿命试验后C/N比）

此后例子中的最佳记录能量、能量范围、C/N比和△C/N比是由上述过程测定的。

基片和第一保护膜（增强膜）之间的粘合力是以下列方式进行评价的。

粘合力试验[正交粘合力试验（JIS K5400）]：

在沉积于试样基片上的的保护膜上以棋盘状图案划出间隔为1mm的11条平行线，从而在试样上每1cm²形成100个方块。

以常规方式采用一透明胶带，使这样处理的试样进行剥离试验，从而评价粘合力。

结果见表1所示。

例2

重复例1，不同之处在于用作第二保护膜的Si₃N₄薄膜的厚度为240

。

结果如表1所示。

例3

采用Si₃N₄靶，由溅射方法在与例1相同的基片上沉积上一层厚度为1000

的Si₃N₄薄膜作为第一保护膜。

由采用复合靶（复合靶是通过给由Fe和Co载上Pt和Tb芯片构成的靶来制备的）的溅射方法，在该Si₃N₄薄膜沉积上一层厚度为360

的由Pt₉Tb₂₉Fe₅₈Co₄（以原子%表示）构成的记录膜。

由采用Si₃N₄靶的溅射方法，在该Pt₉Tb₂₉Fe₅₈Co₄薄膜上进一步沉积上Si₃N₄薄膜作为第二保护膜，其厚度为250

。

接着，由采用Al-Mg-Hf复合靶的溅射贩，在该Si₃N₄薄膜上沉积上一层厚度为1500

的由Al₉₄Mg₄Hf₂（以原子%表示）构成的铝合金薄膜。

所获得的磁光记录介质的各种特性是以与例1相同的方式测定的。

结果如表1所示。

例4

重复例3，不同之处在于用作第二保护膜的Si₃N₄薄膜的厚度为350

。

结果如表1所示。

例5

由采用Si₃N₄靶的溅射方法，在与例1相同的基片上沉积上一层厚度为1100 的Si₃N₄薄膜作为第一保护膜。

由采用复合靶（复合靶是通过给由Fe和Co载上Pt和Tb芯片构成的靶来制备的）的溅射方法，在该Si₃N₄薄膜上沉积上一层厚度为300

的Pt₁₀Tb₃₀Fe₅₈Co₂（以原子%表示）构成的记录膜。

由采用Si₃N₄靶的溅射方法，在该Pt₁₀Tb₃₀Fe₅₈Co₂薄膜上进一步沉积一层厚度为220

的Si₃N₄薄膜作为第二保护膜。

接着，由采用Al-Ti-Hf复合靶的溅射法，在该Si₃N₄薄膜上沉积一层厚度为1500 的由Al₉₆Ti₂Hf₂（以原子%表示）构成的铝合金膜。

由此获得的磁光记录介质的各种特性是以与例1相同的方式确定的。

结果如表1所示。

例6

重复例5，不同之处在于用作第二保护膜的Si₃N₄薄膜厚度为120

。

结果如表1所示。

例7

由采用Si₃N₄靶的溅射方法，在与例1相同的基片上沉积厚度为1100 的Si₃N₄薄膜作为第一保护膜。

由采用复合靶（复合靶是通过给由Fe和Co载上Pt和Tb芯片构成的靶来制备的）的溅射法，在该Si₃N₄薄膜上沉积上一层厚度为300 的由Pt₁₀Tb₃₀Fe₅₈Co₂（以原子%表示）构成的记录膜。

由采用Si₃N₄靶的溅射法，再在该Pt₁₀Tb₃₀Fe₅₈Co₂薄膜上沉积一层厚度为180

的Si₃N₄薄膜作为第二保护膜。

接着，由采用Al-Mg-Cr复合靶的溅射法，在该Si₃N₄薄膜上沉积上一层厚度为1500

的由Al₉₄Mg₄Cr₂（以原子%表示）构成的铝合金薄膜。

由此制得的磁光记录介质的各种特性是以与例1相同的方式确定的。

结果如表1所示。

例8

重复例7，不同之处在于用作第二保护膜的Si₃N₄薄膜的厚度为320

。

结果如表1所示。

在表1中，100/100表示在100块中，在剥离试验后还保留100块。

另外，寿命试验的结果如表2所示。

例9

将分别为400g和4g的乙烯和DMON的无定形聚烯烃（A）所述聚烯烃（a）的乙烯含量为59mol%，由¹³C-NMR分析测得，其特性粘度（η）为0.42dl/g，在萘烷中在135℃下测得，其软化温度（TMA）为154℃）以及乙烯和DMON的无定形聚烯烃（B）（所述共聚物（B）的乙烯含量为89mol%，由¹³C-NMR分析测得，其软性粘度（η）为0.44dl/g，在萘烷中在135℃下测得，其软化温度（TMA）为39℃）（重量比∶（A）/（B）＝100/1）倾注入8升环己烷中，并在搅拌条件下在约50℃下将其溶解。将由此获得的均质溶液倾注入24升丙酮中以使（A）/（B）混合物沉积。在减压下将如此获得的混合物在120℃下干燥过夜。

将数量分别为0.5%（重量）、0.05（重量）和0.5%（重量）（以树脂（A）和（B）的总量为基准）的四亚甲基-3-（3，5-二叔丁基-4-羟基苯基丙酸甲烷、硬脂酸锌和甘油一硬脂酸酯作为稳定剂与如此得到的（A）/（B）混合物结合。用-20mmφ（L/D＝20）挤出机将所得混合物在23℃下造粒，然后采用一注射成型机将其模压成厚度为1mm的直径为130mmφ的光盘基片。

由采用Si₃N₄靶的溅射方法，在所获得的基片上沉积上厚度为1000

的Si₃N₄薄膜作为第一保护膜。

由采用复合靶（复合靶是通过给由Fe和Co载上Pt和Tb芯片构成的靶来制备的）的溅射方法，在该Si₃N₄薄膜上沉积一层厚度为270

的由Pt₉Tb₂₉Fe₅₈Co₄（以原子%表示）构成的记录膜。

通过采用Si₃N₄靶的溅射方法，再在该Pt₉Tb₂₉Fe₅₈Co₄薄膜上沉积一层厚度为160

的Si₃N₄薄膜作为第二保护膜。

接着，由采用Al-Cr-Hf复合靶的溅射方法，在该Si₃N₄薄膜上沉积上一层厚度为1800 的由Al₉₆Cr₂Hf₂（以原子%表示）构成的铝合金膜。对由此获得的磁光记录介质的基片和增强膜之间的粘合性进行评价。

结果如表3所示。

由此获得的磁光记录介质的各种进一步特性是以与例1相同的方式确定的。

结果如表4所示。

例10

重复例9，不同之处在于用作第二保护膜的Si₃N₄薄膜的厚度为240 。以与例9相同的方式对由此获得的磁光记录介质进行评价。

结果如表3和表4所示。

例11

由采用Si₃N₄靶的溅射方法，在与例9相同的基片上沉积上一层厚度为1000

的Si₃N₄薄膜作为第一保护膜。

由采用复合靶（复合靶是通过给由Fe和Co载上Pt和Tb芯片构成的靶来制备的）的溅射方法，在该Si₃N₄薄膜上沉积上一层厚度为360 的Pt₉Tb₂₉Fe₅₈Co₄（以原子%表示）构成的记录膜。

由采用Si₃N₄靶的溅射方法，在该Pt₉Tb₂₉Fe₅₈Co₄薄膜上进一步沉积上一层厚度为250

的Si₃N₄薄膜为第二保护膜。

接着，由采用Al-Mg-Hf复合靶的溅射方法，再在该Si₃N₄薄膜上沉积一层厚度为1500 的由Al₉₆Mg₄Hf₃（以原子%表示）构成的铝合金薄膜。

以与例9相同的方式对由此得到的磁光记录介质的基片和增强膜之间的粘合性能进行评价。

结果如表3和表4所示。

例12

重复例11，不同之处在于用作第二保护膜的Si₃N₄薄膜厚度为350

。

结果如表2所示。

例13

由采用Si₃N₄靶的溅射方法，在与例9相同的基片上沉积上一层厚度为1100 的Si₃N₄薄膜作为第一保护膜。

由采用复合靶（复合靶是通过给由Fe和Co载上Pt和Tb芯片构成的靶来制备的）的溅射方法，在该Si₃N₄薄膜上沉积一层厚度为300

的由Pt₁₀Tb₃₀Fe₅₈Co₂（以原子%表示）构成的记录膜。

由采用Si₃N₄靶的溅射方法，再在该Pt₁₀Tb₃₀Fe₅₈Co₂薄膜上沉积一层厚度为220 的Si₃N₄薄膜作为第二保护膜。

接着，由采用Al-Ti-Hf复合靶的溅射方法，在该Si₃N₄薄膜上沉积一层厚度为1500

的由Al₉₆Ti₂H₂f（以原子%表示）构成的铝合金薄膜。

以与例9相同的方式对由此获得的磁光记录介质的基片和增强膜之间的粘合性进行评价。

结果如表3和表4所示。

例14

重复例13，不同之处在于用作第二保护膜的Si₃N₄薄膜的厚度为120

。

结果如表3和表4所示。

例15

由采用Si₃N₄靶的溅射方法，在与例9相同的基片上沉积厚度为1100 的Si₃N₄薄膜作为第一保护膜。

由采用复合靶（复合靶是通过给由Fe和Co载上Pt和Tb芯片构成的靶来制备的）的溅射方法，在该Si₃N₄薄膜上沉积一层厚度为300 的由Pt₁₀Tb₃₀Fe₅₈Co₂（以原子%表示）构成的记录膜。

由采用Si₃N₄靶的溅射方法，在该Pt₁₀Tb₃₀Fe₅₈Co₂薄膜上进一步沉积一层厚度为180 的Si₃N₄薄膜作为第二保护膜。

接着，由采用Al-Mg-Hf复合靶的溅射方法，在该Si₃N₄薄膜上沉积一层厚度为1500

的由Al₉₆Mg₄Cr₂（以原子%表示）构成的铝合金薄膜。

以与例9相同的方式对所述磁光记录介质的基片和增强膜之间的粘合性进行评价。

结果如表3和表4所示。

例16

重复例15，不这册处在于用作第二保护膜的Si₃N₄薄膜的厚度为320 。

结果如表3和表4所示。

例17

在与例1相同的基片上，由溅射方法依次沉积一层厚度为1000 的作为第一保护膜的Si₃N₄薄膜、一层厚度为260 的作为磁光记录膜的Pt₁₂Tb₂₆Fe₅₈Co₄（原子%）膜、一层厚度为200 的作为第二保护膜的Si₃N₄薄膜以及一层厚度为1500 的作为金属膜的Al₉₇Hf₃原子%）膜，从而获得磁光记录介质。

接着，由一滚动涂覆机，用软化温度为145℃的热熔性粘接剂（组成：21%（重量）乙烯/丙烯/1-丁烯三元共聚物，10%（重量）Tg为110℃和MFR为25g/10min^-的聚苯乙烯，69%（重量）数均分子量为1500的石油树脂）来涂覆这两个磁光记录介质的金属薄膜。

以一定方式放置两个薄膜地涂有热熔性粘接剂的磁光记录介质，使得两个介质的两个金属层面与面相对，并由一冷压机将它们结合在一起，从而获得一种双面记录型磁光记录介质。

双面磁光记录介质的记录和复制特性的评价在记录频率为1MHz（占空因数为50%）和线速度为5.4m/s下进行。

评价结果是，最佳激光能量为3.5mW，C/N比为48dB（复制激光能量为1.0mW）。

寿命试验后C/N变化量（△C/N）[即（寿命试验后的C/N比）-（寿命试验前的C/N比）]为0，在寿命试验中，将记录介质在80℃和相对温度为85%的环境中保持1000小时。

在80℃和相对湿度为85%的环境中对记录介质进行300小时环境试验，试验后记录介质的外观和弯曲情况都无变化。

例18-24

重复例17，不同之处在于如表5所示，磁光记录膜和金属膜的组成和/或构成物薄膜的厚度变化了，从而获得一双面记录型磁光记录介质。

对记录介质进行试验，结果如表5所示。磁光记录膜和金属膜的组成以原子%表示。

例25-30

重复例1，不同之处在于如表6所示，保护膜、磁光记录膜和金属膜以及组成物薄膜的厚度发生了变化，并且在例28中用聚碳酸酯基片来代替乙烯/DMON共聚物基片，从而获得了单面磁光记录介质。

对记录介质进行试验，结果如表6所示，保护膜的组成以原子比表示，磁光记录膜和金属膜的组成以原子%表示。

用于例26中的保护膜的折射指数为2.1，用于例27中的保护膜的折射指数为1.9。

例31

由一滚动涂覆机，用丙烯酸UV一线聚合树脂（商品牌号为SD101，由Dainippon Ink公司出产）对通过重复例5而获得的磁光记录介质的金属膜进行涂覆，从而形成一厚度为10μm的表面涂层。

由一与例1类似的过程对所获得的磁光记录介质进行试验。在热循环试验中进行20次循环后，确定二进位组误差率BER（Byte Error Rate），在热循环试验中，使记录介质在温度从65℃变至-40℃的气氛中保留24小时（1个循环）。

所述记录介质在线速度为5.7m/sec下最佳记录能量为4.8mW，在线速度为11.3m/sec下最佳记录能量为6.4mW，其功率极限为5.1mW，C/N比为48dB，BER在开始时为1×10^-5，在热循环试验进行20次循环后为1×10^-5。

例32

由一滚动涂覆机，用丙烯酸UV一线聚合树脂（商品名为SD101，来源于Dainippon Ink公司）来涂覆通过重复例5而获得的磁光记录介质的金属膜，从而形成一厚度为约1.0μm的表面涂层。通过与例17相同的过程将两个磁光记录介质结合在一起，从而获得一双面记录型磁光记录介质。

所获得的记录介质在线速度为5.7m/sec下最佳记录能量为4.9mW，在线速度为11.3m/sec时最佳记录能量为6.5mW，功率极限为5.5mW，C/N比为48dB，△C/N比为0，没有翘曲，BER开始为1×10^-5，

在例31所述的热循环试验进行20次循环后为1×10^-5。

例33

重复例1，不同之处在于采用由Tb₃₀Fe₆₆Co₄构成的磁光记录膜来代替由Pt₉Tb₂₉Fe₅₈Co₄构成的磁光记录膜，两个薄膜的组成都以原子%表示。

对所获得的磁光记录介质进行试验，得到与例1相同的最佳记录能量、功率极限和粘合性值，并得到C/N比为49，△C/N比为-6。

例34

重复例21，不同之处在于采用由Tb₃₀Fe₆₆Co₄构成的磁光记录膜来代替由Pt₁₀Tb₃₀Fe₅₈Co构成的磁光记录膜，两种薄膜的组成都以原子%表示。

对所获得的磁光记录介质进行试验，得到与例1相同的最佳记录能量、功率极限和粘合性值，并得到C/N比为48.5，△C/N比为-5。

Claims

1、一种磁光记录介质，其基片上有按顺序排列的第一保护膜、磁光记录膜、第二保护膜和金属薄膜，其特征在于

第一和第二保护膜各由SiNx构成，

所述磁光记录膜是由非晶态合金薄膜构成的，所述薄膜具有与薄膜垂直的易磁化轴，它包括(i)选自3d过渡金属的至少一种金属，(ii)选自耐腐蚀金属的至少一种金属，以及(iii)选自稀土元素的至少一种元素，所述耐腐蚀金属的含量为5-30原子%(以构成记录膜的所有原子为基准)，并且

所述金属薄膜是由铝合金构成的。

2、一种磁光记录介质，其基片上有按顺序排列的第一保护膜、磁光记录膜、第二保护膜和金属薄膜，其特征在于

第一和第二保护膜各由Si Nx构成，

所述磁光记录膜是由非晶态合金薄膜构成的，所述薄膜具有与薄膜垂直的易磁化轴，它包括（ⅰ）选自3d过渡金属的至少一种金属，和（ⅲ）选自稀土元素的至少一种元素，并且

所述金属薄膜是由铝合金构成的。

3、一种双面磁光记录介质，其特征在于第一磁光记录介质（如权利要求1所述的那样，其基片上具有按顺序排列的第一保护膜、磁光记录膜、第二保护膜和金属薄膜）和第二磁光记录介质（如权利要求1所述的那样，其基片上有第一保护膜、磁光记录膜、第二保护膜和金属膜）由一粘结层粘结在一起，使得第一磁光记录介质的金属膜和第二磁光记录介质的金属膜面面相对。

4、如权利要求1或2或3所述的磁光记录介质，其特征在于第一保护膜的厚度为400-2000 ，第二保护膜的厚度为400-1000 。

5、如权利要求1或3所述的磁光记录介质，其特征在于所述磁光记录膜是由20-90原子%的3d过渡金属、5-30原子%的耐腐蚀性金属以及5-50原子%的稀土元素构成的。

6、如权利要求1或3所述的磁光记录介质，其特征在于所述耐腐蚀金属是Pt和/或Pd。

7、如权利要求1或2或3所述的磁光记录介质，其特征在于所述磁光记录膜的厚度为100-600 。

8、如权利要求1或2或3所述的磁光记录介质，其特征在于所述金属膜的厚度为100-5000 。

9、如权利要求1或2或3所述的磁光记录介质，其特征在于所述基片是由特性粘度（η）为0.05-10dl/g的环烯烃无规共聚物构成的，所述无规共聚物是乙烯和至少一种由下列式（Ⅰ）或（Ⅱ）表示的环烯烃的共聚物。

其中n为0或1，m为0或正整数，R¹-R¹⁸各自为氢、卤素或烃基团，R¹⁵-R¹⁸当联结在一起时可形成具有一个双键的单环或多环，R¹⁵和R¹⁶或R¹⁷和R¹⁸可形成亚烷基基团，

其中l为0或至少为1的整数，m和n各为0、1或2，R¹-R¹⁵各自为选自由氢、卤素、脂族烃、芳族烃和烷氧基构成的组的一个原子或基团，R⁵（或R⁶）和R⁹（或R⁷）可由1-3个碳原子的亚烷基基团联结在一起，或直接联结在一起，而不需通过任何基团联结。

10、如权利要求1，2或3所述的磁光记录介质，其特征在于所述基片是由特性粘度（η）（在萘烷中在135℃下测得）为0.05-10dl/g以及软化温度（TMA）为至少70℃的环烯烃无规共聚物（A）构成，所述无规共聚物是（a）乙烯和（b）选自由不饱和单体（象权利要求8那样由式（Ⅰ）或（Ⅱ）表示）构成的组的至少一种环烯烃的共聚物。

11、如权利要求1或2或3所述的磁光记录介质，其特征在于所述基片是由特性粘度（η）（在萘烷中在135℃下测得）为0.05-10dl/g和软化温度（TMA）为至少70℃的环烯烃无规共聚物（A）和特性粘度（η）（在萘烷中在135℃下测得）为0.05-5dl/g和软化温度（TMA）为小于70℃的环烯烃无规共聚物（B）构成的，前者是（a）乙烯和（b）选自由不饱和单体（象权利要求9那样由式（Ⅰ）或（Ⅱ）表示）构成的组的至少一种环烯烃的共聚物，后者是（a）乙烯和（b）选自由不饱和单体（象权利要求9那样由式（Ⅰ）或（Ⅱ）表示）构成的组的至少一种环烯烃的共聚物。

12、如权利要求3所述的双面磁光记录介质，其特征在于所述第一磁光记录介质和/或第二磁光记录介质的金属层上还具有一表面涂层。