CN102023780A - 位置侦测的装置及方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种位置侦测的装置与方法，位置侦测的装置包含多数条导电条相叠构成的多数个相叠区，其中相叠于任一相叠区的一对导电条在电性接触形成一接触点时构成一被压触相叠区。依据被压触相叠区，可判断出每一个压触。藉由判断每一个被压触相叠区的接触阻抗，可判断出每一个压触的总接触阻抗，其中跨相叠区的压触的总接触阻抗为相应相同压触的所有相叠区的接触阻抗的并联阻抗。

Description

位置侦测的装置及方法

本申请是申请号为201010152216.1的名称为“位置侦测的装置及方法”的发明专利申请的分案申请，原申请的申请日是2010年4月16日。

技术领域

本发明涉及一种位置侦测的装置与方法，特别是涉及一种压触式的位置侦测的装置与方法。

背景技术

美国专利公开号US2007/0198926中，Jouget et a1.揭示了一种压触式位置侦测的装置，包括一上电极层与一下电极层，上、下电极层分别包括多数条不同方向的平行排列导线，并且上下层间分布绝缘粒子(spacer)，藉以将上、下电极层隔开。因此当上电极层受到下压时，部份上电极层的导线会与下电极的导线接触，其中所有下电极层导线接地。上电极层的导线是循序被驱动，并且在任一条上电极层导线被驱动时，所有下电极层导线皆会被循序侦测一次，藉此可侦测所有上、下电极层导线相交的相叠点。因此被驱动的上电极层导线与被侦测的下电极层导线因下压而接触时，电流会由被驱动的电极层导线流向被侦测的下电极层导线，藉由侦测下电极层导线的讯号，便可以侦测到哪些相叠点被压触。

然而如图1所示，当手指压触时可能同时造成一群相叠点同时被压触，在侦测的过程中会造成在后被侦测的下电极层导线的讯号变小，因此必须针对不同位置的相叠点给予不同的比较值，才能在讯号较小时仍可分辨是否被压触。然而这样的解决办法还是可能因为在前被压触的相叠点数过多而不准确，显然地，各相叠点的比较值的建立、储存都需要花上许多成本，但却又无法保证准确度。此外，当分辨率要求比较高时，就必须增加导线的密度，相对地侦测的频率就必须降低。

由此可见，上述现有技术显然存在有不便与缺陷，而极待加以进一步改进。为了解决上述存在的问题，相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来一直未见适用的设计被发展完成，而一般产品及方法又没有适切的结构及方法能够解决上述问题，此显然是相关业者急欲解决的问题。因此如何能创设一种新的技术，实属当前重要研发课题之一，亦成为当前业界极需改进的目标。

发明内容

本发明的第一目的为提供一种位置侦测的装置与方法，位置侦测的装置包括：一感应器，包括多数条导电条相叠构成的多数个相叠区，其中相叠于任一相叠区的一对被压触导电条因电性接触形成一接触点时构成一被压触相叠区；一驱动器，分别提供一高电位与一低电位；一侦测器，侦侧至少一导电条的一讯号；一选择器，操作性耦合些导电条于驱动器与侦测器；以及一控制器，包括对驱动器、侦测器与选择器进行至少以下控制：直接或通过一延伸电阻间接分别提供高电位与低电位于同一导电条的一第一端与一第二端；直接或通过一延伸电阻间接分别提供高电位与低电位于至少一第一导电条的第一端与至少一第二导电条的第一端；侦测些导电条之一与延伸电阻间的讯号；在一对被压触导电条之一被提供高电位与低电位时，侦测对被压触导电条的另一的第一端或第二端之一或两者的电位；以及通过延伸电阻间接提供高电位与低电位于同一导电条的第一端与第二端时，通过侦测导电条与延伸电阻间的讯号，以判断一未被压触电位与一被压触电位。

前述的相叠的导电条间由多数个绝缘粒子相隔，未被压触时彼此电性绝缘，并且在被压触时构成被压触相叠区。

在上述位置侦测装置中，位置侦测的方法是通过侦测出被压触的相叠区，再依据被压触相叠区分别侦测出位于被压触相叠区上的接触点。被压触相叠区的侦测可以是先侦测被压触的导电条，依据被压触的导电条判断出可能被压触相叠区，再由可能被压触相叠区侦测出被压触相叠区。

通过侦测被压触导电条，可以缩小搜寻被压触相叠区的范围，并且通过侦测被压触相叠区，可以缩小搜寻接触点的范围。因此，本发明的位置侦测的装置与方法可以快速地侦测出所有的接触点，各接触点的位置可以用二维坐标来表示。

由于本发明采用较宽的导电条，导电条涵盖的侦测范围大于现有技术，因此得到优于先前技术的分辨率。

此外，本发明能同时侦测出多个不同压触物压触的接触点，可用以追踪后续压触，并判断出不同的手势。

本发明的第二目的在提供一种判断压触的总接触阻抗的装置与方法，在前述的本发明的位置侦测装置中，更包括：判断压触在该些相叠区上的每一个压触，以及每一个压触的一总接触阻抗，其中跨相叠区的压触的该总接触阻抗为多数个相叠区的一接触阻抗的并联阻抗。

前述的控制器更包括依据每一压触的该总接触阻抗追踪每一压触的后续压触，其中每一压触与每一后续压触的该总接触阻抗的差在一预设范围内，并且相应于相同压触的该被压触相叠区为相邻的相叠区。

依据总接触阻抗，可判断出笔、手指或手掌的压触。

在总接触阻抗小于一门坎限值时，可判断为多压触于一群相邻的被压触相叠区，反之，为单压触相叠区。

本发明的第三目的在提供一种依据位置判断接触阻抗的装置与方法，在前述的本发明的位置侦测装置中，接触阻抗是依据被压触相叠区的一对导电条之一与另一在接触点的电位与接触点或相叠区的位置来判断。

本发明的接触阻抗可以是依据接触点位置或相叠区位置来判断，前者可以得到较精确的接触阻抗，后者可以在不知道接触点前就判断出大致的接触阻抗，省去侦测将被忽视的接触点位置，可大幅度提升效能。此外，在接触点或相叠区位置为已知的前提下，仅需判断被压触导电条之一与另一位于接触点上的电位，即能判断出接触阻抗，省去其它的讯号侦测。

本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据前述的本发明提出的一种判断接触阻抗的装置与方法，该控制器对于该接触阻抗的判断包括：判断接触点/或相叠区的一第一维度位置与一第二维度位置，并且依据第一维度位置与第二维度位置判断出一第一维度阻抗与一第二维度阻抗；在一对导电条之一与另一分别被提供高电位与低电位时侦测接触点或相叠区在该对导电条上之一与另一的一第一接触电位与一第二接触电位；以及判断出接触阻抗，其中接触阻抗为(R1+R2)/(((VH-VL)/(P1-P2))-1)，其中R1、R2、VH、VL、P1、P2分别为第一维度阻抗、第二维度阻抗、高电位、低电位、第一接触电位与第二接触电位。

本发明的第四目的在提供一种具手掌忽视的位置侦测的装置与方法，在前述的本发明的位置侦测装置中，控制器更包括判断该些压触中被排除的压触，其中被排除的压触的总接触阻抗小于一门坎限值。

本发明能依据总接触阻将各压触区分为笔、手指或手掌的压触，因此能据此将手掌的压触忽视，在书写过程中手掌不需要悬空，手掌可置放在感应器上书写。

本发明的第五目的在提供一种校正位置误差的装置与方法，在前述的本发明的位置侦测装置中，当导电条存在因跨同层导电条的压触的并联阻抗时，侦测到的接触点位置会偏向跨同层导电条的压触，造成误差。本发明的接触点误差校正能校正误差，校正出正确的压触的位置。

本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据前述的本发明的位置侦测装置，控制器对于被压触相叠区的接触点的判断包括：轮流选择对导电条之一与另一分别作为一被驱动导电条与一被侦测导电条；在提供一高电位与一低电位于被驱动导电条两端时侦测被侦测导电条的电位作为一位置电位；电性耦合一延伸电阻与被驱动导电条以构成一延伸导电条；在延伸导电条未被压触时提供高电位与低电位于延伸导电条以侦测延伸电阻与被驱动导电条间的电位作为一未压触电位；在延伸导电条被压触时提供高电位与低电位于延伸导电条以侦测延伸电阻与被驱动导电条间的电位作为一被压触电位；以及依据位置电位、被驱动导电条的未压触电位与被压触电位判断接触点在被驱动导电条的位置。

当跨导电条的压触较接近低电位时，正确的侦测电位

亦即在高电位与低电位的电位差为已知时，依据未被压触电位Vu、被压触电位Vd、侦测电位Vp，便可以校正侦测电位Vp的误差，侦测出正确的侦测电位Vc。

当跨导电条的压触较接近高电位时，

亦即在高电位VH与低电位V的电位差为已知时，依据未被压触电位Vu、被压触电位Vd、侦测电位Vp，便可以校正侦测电位Vp的误差，侦测出正确的侦测电位Vc。

因此，依据导电条上一位置(如第一端或第二端)上电位的变化判断出具跨相叠区接触阻抗的导电条上的位置误差比例。

本发明的第六目的在提供一种侦测位置误判的装置与方法，在前述的本发明的位置侦测装置中，被压触相叠区的侦测会因为三个压触位于一矩形区域的三顶点位置，误判第四个顶点位置亦是被压触相叠区，即错误的被压触相叠区。本发明藉由接触点位置与被压触相叠区位置的比对，来忽视或排除错误的被压触相叠区，亦可以进一步忽视或排除错误的被压触相叠区的接触点。

本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据前述的本发明的位置侦测装置，控制器判断该些压触中被排除的压触，被排除的压触相应的所有接触点中存在至少一接触点的位置落在相应的相叠区的一误差范围之外。

前述控制器更包括：判断该些压触中被排除的压触，其中任一被排除的压触至少满足下列条件之一：总接触阻抗小于一门坎限值；以及相应于相同压触的接触点中存在至少一接触点的位置落在相应的该相叠区的一误差范围之外；以及判断该些压触中每一未被排除的压触的位置，其中每一压触的位置是依据相应于相同压触的该被压触相叠区的该接触点的位置来判断。

前述的相应于相同压触的接触点中存在至少一接触点的位置落在相应的该相叠区的一误差范围之外的判断可以是先于前述校正接触点误差的判断。

本发明的第七目的在提供一种利用多位置侦测方式忽视手掌的装置与方法。本发明以第一种碰触或压触的侦测方式在第二种碰触或压触的侦测方式上定义一被忽视范围，其中该被忽视范围可包括多数个独立的被忽视区域。利用第一种侦测方式定义出手掌或大面积压触或碰触的范围，即被忽视范围，因此在第二种位置侦测时可忽视在被忽视范围中的压触或碰触。第一种侦测方式可以是较粗略的多压触或多碰触侦测方式，再以第二种侦测方式精确地侦测被忽视范围外的压触或碰触，同时兼具效能快与精确度高的优点。

前述第一种碰触或压触的侦测方式在第二种碰触或压触可以是利用相同的感应器来达成，例如前述的第一导电条与第二导电条间是以一压阻层相隔，侦测第一导电条与第二导电条间的电荷耦合来作为第一种侦测方式，并且以上述侦测被压触相叠区及接触点的方式来作为第二种侦测方式。

依据本发明提出的位置侦测装置与方法中，可判断出每一个压触的接触阻抗，能被用来判断每一压触的接触面积大小或比例，亦能被用来追踪后续的连续压触，提供现有技术中没有具备的额外信息。

本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的一种位置侦测的装置，包括：一感应器，包括多数条导电条相叠构成的多数个相叠区，其中相叠于任一相叠区的一对被压触导电条因电性接触形成一接触点时构成一被压触相叠区；一驱动器，分别提供一高电位与一低电位；一侦测器，侦侧至少一导电条的一讯号；一选择器，操作性耦合该些导电条于该驱动器与该侦测器；以及一控制器，藉由控制该驱动器、该侦测器与该选择器进行至少以下作业：判断压触在该些相叠区上的每一个压触；以及判断每一个压触的一总接触阻抗，其中跨相叠区的压触的该总接触阻抗为该跨相叠区的压触的所有相叠区的一接触阻抗的并联阻抗。

本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步来实现。

前述控制器更包括依据每一压触的该总接触阻抗追踪每一压触的后续压触，其中每一压触与每一后续压触的该总接触阻抗的差在一预设范围内，并且相应于相同压触的该被压触相叠区为相邻的相叠区。

前述控制器更包括判断每一个被压触相叠区的该接触阻抗，该接触阻抗是依据该被压触相叠区的该对导电条之一与另一在该接触点的电位与该接触点的位置来判断。

前述控制器对于该接触阻抗的判断包括：判断该接触点的一第一维度位置与一第二维度位置，并且依据该第一维度位置与该第二维度位置判断出一第一维度阻抗与一第二维度阻抗；在该对导电条之一与另一分别被提供该高电位与该低电位时侦测该接触点在该对导电条上之一与另一的一第一接触电位与一第二接触电位；以及判断出该接触阻抗，其中该接触阻抗为(R1+R2)/(((VH-VL)/(P1-P2))-1)，其中R1、R2、VH、VL、P1、P2分别为该第一维度阻抗、该第二维度阻抗、该高电位、该低电位、该第一接触电位与该第二接触电位。

前述控制器更包括判断每一个被压触相叠区的该接触阻抗，该接触阻抗是依据该被压触相叠区的该对导电条之一与另一在该接触点的电位与该被压触相叠区的位置来判断。

前述控制器对于该接触阻抗的判断包括：依据该被压触相叠区的位置判断出一第一维度阻抗与一第二维度阻抗；在该对导电条之一与另一分别被提供该高电位与该低电位时侦测该接触点在该对导电条上之一与另一的一第一接触电位与一第二接触电位；以及判断出该接触阻抗，其中该接触阻抗为(R1+R2)/(((VH-VL)/(P1-P2))-1)，其中R1、R2、VH、VL、P1、P2分别为该第一维度阻抗、该第二维度阻抗、该高电位、该低电位、第一接触电位、第二接触电位。

前述控制器更包括：判断该些压触中被排除的压触，其中任一被排除的压触至少满足下列条件之一：该总接触阻抗小于一门坎限值；以及相应于相同压触的该接触点中存在至少一接触点的位置落在相应的该相叠区的一误差范围之外；以及判断该些压触中每一未被排除的压触的位置，其中每一压触的位置是依据相应于相同压触的该被压触相叠区的该接触点的位置来判断。

前述控制器对于该被压触相叠区的该接触点的判断包括：轮流选择该对导电条之一与另一分别作为一被驱动导电条与一被侦测导电条；在提供一高电位与一低电位于该被驱动导电条两端时侦测该被侦测导电条的电位作为一位置电位；电性耦合一延伸电阻与该被驱动导电条以构成一延伸导电条；在该延伸导电条未被压触时提供该高电位与该低电位于该延伸导电条以侦测该延伸电阻与该被驱动导电条间的电位作为一未压触电位；在该延伸导电条被压触时提供该高电位与该低电位于该延伸导电条以侦测该延伸电阻与该被驱动导电条间的电位作为一被压触电位；以及依据该位置电位、该被驱动导电条的该未压触电位与该被压触电位判断该接触点在该被驱动导电条的位置。

前述控制器对该驱动器、该侦测器与该选择器的控制至少包括：直接或通过一延伸电阻间接提供该高电位与该低电位于同一导电条的一第一端与一第二端；直接或间接分别提供该高电位与该低电位于至少一第一导电条的该第一端与至少一第二导电条的该第一端；侦测该些导电条之一与该延伸电阻间的该讯号；在一对被压触导电条之一被提供该高电位与该低电位时，侦测该对被压触导电条的另一的该第一端或该第二端之一或两者的电位；以及分别侦测该些第一导电条之一与该些第二导电条之一的一第二端的电位。

前述控制器藉由对该驱动器、该侦测器与该选择器的控制更包括：通过一延伸电阻间接提供该高电位与该低电位于同一导电条的一第一端与一第二端时，侦测该导电条与该延伸电阻间的该讯号。

本发明的目的及解决其技术问题还可以下技术方案来实现的。依据本发明提出的一种位置侦测的方法，包括：提供多数条导电条相叠构成的多数个相叠区，其中相叠于任一相叠区的一对导电条在电性接触形成一接触点时构成一被压触相叠区；在该些相叠区判断出每一个压触；判断每一个跨相叠区的压触相应的每一个相叠区的一接触阻抗；以及判断每一个跨相叠区的压触的一总接触阻抗，该总接触阻抗为相应相同压触的所有相叠区的该接触阻抗的并联阻抗。

前述位置侦测的方法更包括依据每一压触的该总接触阻抗追踪每一压触的后续压触，其中每一压触与每一后续压触的该总接触阻抗的差在一预设范围内，并且相应于相同压触的该被压触相叠区为相邻的相叠区。

前述接触阻抗是依据该对导电条之一与另一在该接触点的电位差与该接触点的位置来判断。

前述接触阻抗的判断包括：判断该接触点的一第一维度位置与一第二维度位置，并且依据该第一维度位置与该第二维度位置判断出一第一维度阻抗与一第二维度阻抗；在该对导电条之一与另一分别被提供一高电位与一低电位时侦测该接触点在该对导电条上之一与另一的一第一接触电位与一第二接触电位；以及判断出该接触阻抗，其中该接触阻抗为(R1+R2)/(((VH-VL)/(P1-P2))-1)，其中R1、R2、VH、VL、P1、P2分别为该第一维度阻抗、该第二维度阻抗、该高电位、该低电位、第一接触电位、第二接触电位。

前述接触阻抗是依据该对导电条之一与另一在该接触点的电位差与该被压触相叠区的位置来判断。

前述接触阻抗的判断包括：依据该被压触相叠区的位置判断出一第一维度阻抗与一第二维度阻抗；在该对导电条之一与另一分别被提供一高电位与一低电位时侦测该接触点在该对导电条上之一与另一的一第一接触电位与一第二接触电位；以及判断出该接触阻抗，其中该接触阻抗为(R1+R2)/(((VH-VL)/(P1-P2))-1)，其中R1、R2、VH、VL、P1、P2分别为该第一维度阻抗、该第二维度阻抗、该高电位、该低电位、第一接触电位、第二接触电位。

前述位置侦测的方法，更包括：判断该些压触中被排除的压触，其中任一被排除的压触至少满足下列条件之一：该总接触阻抗小于一门坎限值；相应于相同压触的该接触点中存在至少一接触点的位置落在相应的该相叠区的一误差范围之外；以及判断该些压触中每一未被排除的压触的位置，其中每一压触的位置是依据相应于相同压触的该被压触相叠区的该接触点的位置来判断。

前述被压触相叠区的该接触点的判断包括：轮流选择该对导电条之一与另一分别作为一被驱动导电条与一被侦测导电条；在提供一高电位与一低电位于该被驱动导电条两端时侦测该被侦测导电条的电位作为一位置电位；电性耦合一延伸电阻与该被驱动导电条以构成一延伸导电条；在该延伸导电条未被压触时提供该高电位与该低电位于该延伸导电条以侦测该延伸电阻与该被驱动导电条间的电位作为一未压触电位；在该延伸导电条被压触时提供该高电位与该低电位于该延伸导电条以侦测该延伸电阻与该被驱动导电条间的电位作为一被压触电位；以及依据该位置电位、该被驱动导电条的该未压触电位与该被压触电位判断该接触点在该被驱动导电条的位置。

前述位置侦测的方法，更包括：直接或通过一延伸电阻间接提供一高电位与一低电位于同一导电条的一第一端与一第二端；直接或间接分别提供该高电位与该低电位于至少一第一导电条的该第一端与至少一第二导电条的该第一端；侦测该些导电条之一与该延伸电阻间的该讯号；在一对被压触导电条之一被提供该高电位与该低电位时，侦测该对被压触导电条的另一的该第一端或该第二端之一或两者的电位；以及分别侦测该些第一导电条之一与该些第二导电条之一的一第二端的电位。

前述位置侦测的方法，更包括：通过一延伸电阻间接提供该高电位与该低电位于同一导电条的一第一端与一第二端时，侦测该导电条与该延伸电阻间的该讯号。

本发明与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。

1、本发明的位置侦测的装置与方法可以快速地侦测出所有的接触点，各接触点的位置可以用二维坐标来表示。

2、可以快速地侦测出所有的接触点，各接触点的位置可以用二维坐标来表示。

3、由于本发明采用较宽的导电条，导电条涵盖的侦测范围大于现有技术，因此得到优于先前技术的分辨率。

4、本发明能同时侦测出多个不同压触物压触的接触点，可用以追踪后续压触，并判断出不同的手势。

5、本发明的接触阻抗可以是依据接触点位置或相叠区位置来判断，前者可以得到较精确的接触阻抗，后者可以在不知道接触点前就判断出大致的接触阻抗，省去侦测将被忽视的接触点位置，可大幅度提升效能。

6、本发明在接触点或相叠区位置为已知的前提下，仅需判断被压触导电条之一与另一位于接触点。

综上所述，本发明在技术上有显著的进步，并具有明显的积极效果，诚为一新颖、进步、实用的新设计。

上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。

附图说明

图1是一现有压触式位置侦测的装置的示意图；

图2A是本发明的一位置侦测的装置的结构示意图；

图2B是本发明的一位置侦测的方法的流程示意图；

图3是本发明的被压触相叠区驱动与侦测的流程示意图；

图4A、图4B与图4C是本发明的位置侦测的装置侦测被压触相叠区的结构示意图；

图5是本发明的接触点侦测的流程示意图；

图6A、图6B与图6C是本发明的位置侦测的装置侦测接触点的结构示意图；

图7是本发明的被压触导电条侦测的流程示意图；

图8A、图8B与图8C是本发明的位置侦测的装置侦测被压触导电条的结构示意图；

图9是以尖端压触的相叠区影像示意图；

图10A与图10B是以单指与双指压触的相叠区影像示意图；

图11A与图11B为本发明的一种侦测接触阻抗的装置的结构示意图；

图11C为本发明的另一种侦测接触阻抗的装置的结构示意图；

图12A与图12B为本发明用笔或手指书写的示意图；

图12C为手指压触的示意图；

图13为本发明的另一位置侦测的装置的结构示意图；

图14为误判出错误的被压触相叠区的示意图；

图15A为侦测笔压触位置的示意图；

图15B为跨相叠区接触阻抗造成位置误差的示意图；

图16A、图17A、图17B、图17C与图17D为本发明校正跨相叠区接触阻抗造成的位置误差的结构示意图；以及

图16B为本发明校正跨相叠区接触阻抗造成的位置误差的流程示意图。

122：笔尖压触处        124：手掌压触处        12：手指压触处

131：第一绝缘层     132：第一导电条层    133：压阻层

134：第二导电条层   135：第二绝缘层      20：侦测位置的装置

21：感应器          212：导电条          214：相叠区

22：选择器          23：驱动器           24：侦测器

25：控制器          26：主机

A、B、C、D：相叠区                 X1，X2，…，X8：第一导电条

Y1，Y2，…，Y8：第二导电条         D1，D2，D3，D4：D5驱动单元

V1，V2，V 3，V4，V5，V6，V7，V8：侦测单元

C、P：位置                         Px：第一一维坐标

Py：第二一维坐标                   Re：延伸电阻

Rpa lm：跨同层导电条的接触阻抗     R1：第一维度阻抗

R2：第二维度阻抗                   R、Rc、Rc’、Rp：阻抗

VH1，VH2，VH3，VH4，VH5：高电位    VL1，VL2，VL3，VL4，VL5：低电位

Vc：正确的侦测电位                 Vd：被压触电位

Vp：侦测电位                       Vu：未被压触电位

具体实施方式

为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的位置侦测的装置及方法，其具体实施方式、结构、步骤、特征及其功效，详细说明如后。

请参照图2A所示，本发明提供一种位置侦测的装置20，包括感应器(Sensor)21、选择器(Selecting Device)22、驱动器(Driving Device)23、侦测器(Sensing)24、控制器(Controlling Device)25、主机(Host)26。

再参照图2B所示，本发明提供一种多点位置侦测的方法。首先，如步骤210所示，侦测一位置侦测的装置20上至少一被压触相叠区(depressedintersecting region)，接下来如步骤220所示，依据各被压触相叠区侦测至少一接触点(contact point)。

上述的侦测器21包括多数条导电条212，这些导电条包括多数条第一、第二导电条，第一、第二导电条相叠于多数个相叠区(intersectingregions)214，当至少一压触物(object)压压触触时，部份第一、第二导电条相接触形成相应于各压触物压触的至少一接触点，其中相叠于被压触相叠区的导电条为一对被压触导电条。

第一、第二导电条在未被压触时保持不接触，在本发明的一范例中，第一、第二导电条间可以用多数个绝缘粒子(spacer)散布在其间，藉以隔开第一、第二导电条。此外，本发明不限制第一、第二导电条彼此上下之间的位置，可以是第一导电条在上，亦可以是第二导电条在上。在本发明之一范例中，第一、第二导电条不同轴向排列，以构成由多数个相叠区排列而成的一相叠区数组(intersecting matrix)。例如第一导电条以水平方向排列，而第二导电条以垂直方向排列，反之亦然。换言之，该些第一、第二导电条分别位于不同层。

第一、第二导电条可分别具有预定的宽度，因此第一、第二导电条相叠处形成相叠区。熟知相关技艺者可推知，上述导电条的宽度并不需要一致，可以各导电条是不同的宽度，因此相叠区的面积也可能不同，本发明包括但不加以限制。

此外，熟知相关技艺者可推知，依据压触物的不同，第一、第二导电条间接触的相叠区的数量与面积亦可能不同。在本发明的一较佳范例中，各相叠区上的接触点为单一，亦即不论在一相叠区上压触的面积大小，此相叠区上压触的范围视为单一接触点。熟知相关技艺者亦可以推知，如果相叠区较大时，亦有可能有两个以上的接触点，在此情况下，可以依据压触的先后顺序，分辨出两个不同接触点的，本发明对于单一相叠区中接触点的数量包括但不限于一个以上。

控制器25电性耦合于选择器22、驱动器23、侦测器24，用以控制选择器22、驱动器23、侦测器24。选择器22依据控制器25命令将驱动器23与侦测器24操作性耦合于侦测器21。在本发明的一范例中，驱动器23与侦测器24依据控制器22的命令通过选择器22操作性耦合于侦测器21。例如，选择器24依据控制器22的命令选择至少一导电条的一端或两端，并且提供被选择的导电条的一端或两端成为耦合端，以电性耦合于驱动器23与侦测器24之一或两者。

在本发明的一范例中，耦合端是藉由选择器22直接电性耦合于驱动器23或侦测器24。在本发明的另一范例中，耦合端是藉由选择器22结合一延伸电阻间接电性耦合于驱动器23或侦测器24。例如，用延伸电阻电性耦合于被选择的导电条构成一延伸导电条，由延伸电阻电性耦合于驱动器23或侦测器24，亦即耦合端藉由延伸电阻电性耦合于驱动器23或侦测器24。

在本发明的一范例中，驱动器23提供一高电位与一低电位于两耦合端，高电位与/或低电位可以是依上述直接或通过一延伸电阻间接分别提供给两耦合端，该两耦合端可以是位于相同或不同导电条。例如位于一第一导电条的一第一端与一第二导电条的一第二端。

在本发明的另一范例中，侦测器24侦测耦合端的讯号，所侦测的讯号可以是电位、电流、电容、电荷转移(charge transferring)或其它电性讯号。侦测器24操作性耦合的耦合端可以是上述的第一端、或在导电条上相对于第一端的一第二端。例如，第一端为上述导电条耦合于延伸电阻的耦合端。

据此，控制器25对于选择器22、驱动器23、侦测器24的控制包括但不限于：直接或通过一延伸电阻间接分别提供高电位与低电位于同一导电条的第一端与第二端；直接或通过一延伸电阻间接分别提供高电位与低电位于至少一第一导电条的第一端与至少一第二导电条的第一端；侦测导电条与延伸电阻间的讯号；在一对被压触导电条之一被提供高电位与低电位时，侦测该对被压触导电条的另一的一端或两端的电位；以及分别侦测该些第一导电条之一与该些第二导电条之一的第二端的电位。

在本发明的一范例中，控制器25可以是整合成为主机26的一部份，包括但不限于由主机的处理器、协同处理器、数字讯号处理器(DSP)或其它可程序电路构成。在本发明的另一范例中，控制器25不为主机26的一部份。

控制器25依据侦测器24侦测到的讯号判断出各压触，其中一对象可能造成一处或多处的压触，例如手掌压触时可能会造成一处整片的压触，亦可能造成多处独立的压触。此外，控制器25更可以依据侦测器24侦测到的讯号忽视(排除或过滤)部份的压触，例如在手写时忽视手掌的压触，或忽视误判造成的不存在的压触。另外，控制器25还提供压触的位置给主机26。

本发明更包括追踪各压触的后续压触，并依据各压触及后续压触判断出至少一手势，并且手势对应成为一命令，其中手势可以是由控制器25或主机26来判断。当控制器25没有整合成为主机26的一部份时，可以是由控制器25提供压触的位置，由主机26进行上述压触忽视及手势判断，亦可以是由控制器25进行压触忽视后提供压触的位置，再由主机26进行手势判断。或者是，由控制器25进行压触忽视及手势判断后，提供主机26压触的位置或手势之一或两者。当控制器25整合于主机26之中时，压触忽视及手势可是为控制器25处理，亦可视为主机26处理。

图3是本发明的被压触相叠区的侦测方法。如步骤310所示，分别提供一高电位与一低电位于相叠于各相叠区的第一、第二导电条，并且如步骤320所示，藉由判断相叠于各相叠区的第一导电条与第二导电条间是否为通路判断出各压触相叠区。

例如，循序地提供高电位给第一导电条，在每一条第一导电条被提供高电位的期间，循序地提供低电位给每一条第二导电条，如此，便可以逐一侦测被驱动的第一导电条上各相叠区是否被压触。

据此，在本发明的一较佳范例中，位置侦测的装置在侦测被压触相叠区如图4A所示，包括一侦测单元V1与一驱动单元D1，驱动单元提供一高电位VH1与一低电位VL1，其中高电位VH1是提供给第一导电条(X1，X2，...，X8)之一，另外低电位VL1是提供给第二导电条(Y1，Y2，...，Y8)之一，侦测单元V1侦测被提供高电位VH1的导电条。上述第一导电条(X1，X2，...，X8)与第二导电条(Y1，Y2，...，Y8)的数量是为方便举例说明，本发明包括但不限于该数量。

被提供高电位VH1的第一导电条的侦测可以是包括但不限于侦测电位、电流或是逻辑准位，并且可以是在被提供高电位VH1的第一导电条的一端或两端来侦测。例如，在本发明的一范例中，高电位VH1可以是通过一延伸电阻Re提供给第一导电条第一导电条(X1，X2，...，X8)之一，藉由侦测延伸电阻Re一侧(如延伸电阻Re与导电条之间)上的电位、电流或是逻辑准位来侦测出各个被压触的相叠区。

例如，当高电位VH1与低电位VL1分别提供给导电条X1、Y1时，侦测单元V1便可以侦测出导电条X1、Y1相叠的相叠区是否被压触。例如，当轮到导电条X1、Y1相叠的相叠区被侦测时，驱动单元D1分别提供高电位VH1与低电位VL1给导电条X1、Y1，如图4B所示，若导电条X1、Y1相叠的相叠区未被压触，电流未由导电条X1流经导电条Y1，因此延伸电阻Re的讯号不会有明显变化，侦测单元V1可藉此判断导电条X1、Y1相叠的相叠区未被压触。同样地，当轮到导电条X8、Y7相叠的相叠区被侦测时，驱动单元D1分别提供高电位VH1、低电位VL1给导电条X8、Y7。当导电条X8、Y7相叠的相叠区被压触时，电流由导电条X8流向导电条Y7，侦测单元V1通过侦测延伸电阻Re的电位改变，可侦测出导电条X8、Y7相叠的相叠区被压触。熟知相关技艺者可推知，驱动单元亦可以是分别提供低电位VL1与高电位VH1给第一导电条(X1，X2，...，X8)之一与第二导电条(Y1，Y2，...，Y8)之一，如图4C所示。上述的驱动单元D1与侦测单元V1包括但不限于分别整合于前述的驱动器23与侦测器24中，并且驱动单元D1的与侦测单元V1的侦测包括但不限于由前述的控制器25控制。控制器25对于选择器22、驱动器23、侦测器24的控制包括但不限于：间接分别提供高电位与低电位于至少一第一导电条的第一端与至少一第二导电条的第一端；以及侦测导电条与延伸电阻间的讯号。

图5是依据各被压触相叠区侦测至少一接触点的流程示意图。如步骤510所示，分别驱动相叠于各被压触相叠区的各导电条，被驱动的导电条的两端分别被提供一高电位与一低电位。又如步骤520所示，当相叠于任一被压触相叠区的一对导电条之一被驱动时，侦测这对导电条中未被驱动的导电条，以侦测出各接触点位置。对于未被驱动的导电条的侦测，可以同时侦测未被驱动的导电条的一端或两端。

换言之，针对每一个被压触的相叠区中，轮替地将相叠于这相叠区的这对导电条之一驱动，并侦测这对导电条中未被驱动的另一导电条，以侦测出接触点的二维坐标。例如，先驱动这对导电条中的第一导电条，并侦测第二导电条，以侦测出接触点在第一导电条轴向上的位置，作为二维坐标中的一第一一维坐标Px。接下来，驱动这对导电条中的第二导电条，并侦测第一导电条，以侦测出接触点在第二导电条轴向上的位置，作为二维坐标中的一第二一维坐标Py。驱动第一、第二导电条的先后顺序并不限定，待第一、第二导电条都侦测后，可得到接触点分别在第一、第二导电条轴向上的位置，此位置可用二维坐标(Px，Py)来表示。

在本发明的一较佳范例中，位置侦测的装置20对于接触点的侦测如图6A所示。位置侦测装置包括多数条导电条、一侦测单元V2与一驱动单元D2。多数条导电条为上述第一导电条(X1，X2，...，X8)与第二导电条(Y1，Y2，...，Y8)。驱动单元提供一高电位VH2与一低电位VL2以驱动多数条导电条之一，并且侦测单元V2侦测与被驱动导电条相叠的导电条之一。因此当被驱动导电条与被侦测导电条相叠于一被压触相叠区时，侦测单元V2可以侦测出接触点P在被驱动导电条轴向上的位置。

例如，当压触相叠区为导电条X8、Y7相叠的相叠区时，如图6B所示，驱动单元先提供高电位VH2、低电位VL2于导电条X8两端，并且侦测导电条Y7，以侦测接触点P位于导电条X8轴向(第一导电条轴向)的位置Px。同样地，如图6C所示，驱动单元再提供高电位VH2、低电位VL2于导电条Y7两端，并且侦测导电条X8，以侦测接触点P位于导电条Y7轴向(第二导电条轴向)的位置Px。上述的驱动单元D2与侦测单元V2包括但不限于分别整合于前述的驱动器23与侦测器24中，并且驱动单元D2的与侦测单元V2的侦测包括但不限于由前述的控制器25控制。控制器25对于选择器22、驱动器23、侦测器24的控制包括但不限于：直接或通过一延伸电阻间接分别提供高电位与低电位于同一导电条的第一端与第二端；以及在一对被压触导电条之一被提供高电位与低电位时，侦测该对被压触导电条的另一的一端或两端的电位。

在本发明之一范例中，驱动单元D1与侦测单元V1依序分别侦测各相叠区，以侦测出所有被压触相叠区，并且驱动单元D2与侦测单元V2依序分别侦测各相叠区，以侦测出各相叠区的在一第一导电条轴向二维影像与一第二导电条轴向二维影像，再依据各被压触相叠区由第一、第二导电条轴向二维影像中判断出各接触点的位置。显然地，相较于上述先挑出被压触相叠区，再只针对被压触相叠区侦测出各接触点位置，本范例效能较差。

在上述说明中，侦测单元V1的侦测可以是包括但不限于侦测电位、电流或是逻辑准位，而侦测单元V2侦测的是讯号的实际值，如电压值、电流值，并且每一相叠区必须进行两个维度的侦测，因此被压触相叠区的侦测远快于接触点的侦测。

上述第一导电条(X1，X2，...，X8)与第二导电条(Y1，Y2，...，Y8)的数量仅为了举例的用，并非用以限制本发明，第一导电条与第二导电条的数量可分别依设计上的需要而改变。因此当第一、第二导电条分别具有m、n条时，将会有m*n个相叠区需要侦测，第一、第二导电条的数量越多，侦测所有相叠区的时间就会越久。因此，加速所有相叠区的侦测，才能提升整体的效能。

据此，本发明的一范例如图7所示。如步骤710所示，侦测位置侦测的装置上多数条被压触导电条。又如步骤720所示，依据这些被压触导电条判断出被压触导电条相叠上可能被压触相叠区。再如步骤730所示，依据可能被压触相叠区侦测位置侦测的装置上至少一被压触相叠区。更如步骤740所示，依据各被压触相叠区侦测出至少一接触点。

换言之，可以是先判断哪些第一导电条与第二导电条被压触，依据被压触的第一、第二导电条可判断出可能被压触相叠区。相较于上述图3、图4A至图4C针对所有的相叠区来侦测出被压触相叠区，本范例只需针对可能被压触相叠区来侦测出被压触相叠区。

在本发明的一较佳范例中，位置侦测的装置对于被压触导电条的侦测如图8A所示。位置侦测的装置包括多数条导电条、一侦测单元V3与一驱动单元D3。多数条导电条为上述第一导电条(X1，X2，...，X8)与第二导电条(Y1，Y2，...，Y8)。驱动单元D3分别提供一高电位VH3给这些导电条之一，并且提供与一低电位VL3给与被提供高电位VH3导电条相叠的所有导电条，以分别侦测出被压触的导电条。

例如，如图8B所示，驱动单元D3依序提供高电位VH3给第一导电条(X1，X2，...，X8)之一，并且提供低电位VL3给与被提供高电位VH3的第一导电条相叠的所有第二导电条(Y1，Y2，...，Y8)，侦测单元V3侦测被提供高电位VH 3的第一侦测条。例如，第一导电条X1，X2，...，或X7未被压触，因此电流未由被侦测的第一导电条X1，X2，...，或X7流向任何第二导电条，因此侦测单元V3未侦测到第一导电条X1，X2，...，或X7被压触。当第一导电条X8被提供高电位VH3时，电流由第一导电条X8流向第二导电条Y7，因此侦测单元V3可以侦测出第一导电条X8被压触。

同样地，驱动单元D3依序提供高电位VH3给第二导电条(Y1，Y2，...，Y8)之一，并且提供低电位VL3给与被提供高电位VH3的第二导电条相叠的所有第一导电条(X1，X2，...，X8)，侦测单元V3藉此侦测出被压触的第二导电条，如第二导电条Y7。

被提供高电位VH2的导电条的侦测相似于上述被提供高电位VH1的第一导电条的侦测，可以是包括但不限于侦测电位、电流或是逻辑准位，并且可以是在被提供高电位VH 3的第一导电条的一端或两端来侦测。例如，在本发明的一范例中，高电位VH 3可以是通过一延伸电阻Re提供给上述导电条之一，藉由侦测延伸电阻Re一侧(如延伸电阻Re与导电条之间)上的电位、电流或是逻辑准位来侦测出各被压触的导电条。

因此，通过被压触的多数条导电条(如导电条X8、Y7)可判断出这些被压触导电条相叠的至少一可能被压触相叠区。当被可能被压触相叠区不大于三个时，可能被压触相叠区即为被压触相叠区。

此外，驱动单元D3可同时分别提供高电位VH3给多数条导电条，并且侦测单元V3可同时分别侦测被提供高电位VH3的部份或全部导电条，然而被提供高电位VH3的导电条须同时为第一导电条或同时为第二导电条。

上述的导电条是选择性地被挑选来驱动或侦测，现有相关技艺者可推知，导电条的挑选可包括但不限于通过开关、多功器、总线等切换装置，本发明并不加以限制。此外，上述的高电位VH1、VH2、VH3可以是相同，亦可以不同，同样地，上述的低电位VL1、VL2、VL3可以是相同，亦可以不同，本发明并不加以限制。再者，上述的延伸电阻可以是相同，亦可以不同，本发明并不加以限制。

上述的驱动单元D3与侦测单元V3包括但不限于分别整合于前述的驱动器23与侦测器24中，并且驱动单元D3的与侦测单元V3的侦测包括但不限于由前述的控制器25控制。控制器25对于选择器22、驱动器23、侦测器24的控制包括但不限于：间接分别提供高电位与低电位于至少一第一导电条的第一端与至少一第二导电条的第一端；以及侦测导电条与延伸电阻间的讯号。

根据上述，所有接触点经过侦测后可以呈现出如图9的相叠区影像。当压触物具有尖端时，压触物的接触会使得相叠区影像呈现出相应的接触点讯号。当手指或接触面积较大的压触物压触时，相叠区影像会呈现相应的多数个接触点讯号，如图10A所示。

相应于相同压触物的接触点会群聚在一起，如图10B所示，因此可以分析出各压触物相应的接触点。在本发明另一范例中，亦可以利用各接触点产生的时间来分析出各压触物相应的接触点。

通过对相叠区影像的分析，可依据各压触物的接触点数量判断出压触物的形态，例如可以依据压触物相应的接触点数量的多寡判断压触物是笔还是手指。此外，还可以依据压触物相应的接触点数量来模拟压触物压触时的压力。

此外，藉由连续不同时间的相叠区影像的差异分析，更可以追踪压触物压触时的移动轨迹，以判断出特定的手势。例如，可依据一对压触物的压触位置轨迹判断出一手势，该对压触物的压触位置轨迹包括：相互远离、一压触物朝另一压触物远离、相互靠近、一压触物朝另一压触物靠近、相互旋转、一压触物绕另一压触物旋转。

在本发明之一范例中，可依据相应于各压触物的接触点数量判断各压触物为一笔或一手指，亦可分别依据相应于各压触物的接触点数量或分布范围模拟出各压触物压触的压力。当一压触物相应的接触点为多数个时，可依据相应于各压触物的接触点的质心位置作为该压触物的压触位置。

据此，本发明之一范例为一位置侦测的装置，包括多数条导电条、一第一、第二驱动单元、一第一、第二侦测单元。这些导电条包括多数条第一、第二导电条，这些第一、第二导电条相叠于多数个相叠区，当至少一压触物压触时，第一、第二导电条相接触形成相应于各压触物的至少一接触点。

第一驱动单元与第一侦测单元可以是如图3的步骤310、320或图4A至图4C的驱动单元D1与侦测单元V1所述，在第一驱动单元分别提供一高电位与一低电位于相叠于各相叠区的第一、第二导电条时，第二侦测单元侦测被第一驱动单元提供高电位的第一导电条，以侦测出各被压触相叠区。

第二驱动单元与第二侦测单元可以是如图5的步骤510、520或图6A至图6C的驱动单元D2与侦测单元V2所述，第二驱动单元分别驱动相叠于各被压触相叠区的各导电条，当相叠于任一被压触相叠区的一对导电条的一被第二驱动单元驱动时，第二侦测单元侦测这对导电条中未被驱动导电条，以侦测出各接触点位置，其中第二驱动单元提供高电位与低电位于被驱动的导电条。

本范例的相关细节已揭示前述说明中，在此不再赘述。

另外，本发明的另一范例是一位置侦测的装置，包括多数条导电条、一第一、第二、第三驱动单元、一第一、第二、第三侦测单元。这些导电条包括多数条第一、第二导电条，这些第一、第二导电条相叠于多数个相叠区，当至少一压触物压触时，第一、第二导电条相接触形成相应于各压触物的至少一接触点。

第一驱动单元与第一侦测单元可以是如图7的步骤710至740或图8A至图8C的驱动单元D3与侦测单元V3所述，第一驱动单元选择性地分别提供一高电位于上述导电条，并且第一侦测单元侦测被第一驱动单元提供高电位的导电条，以侦测出多数条被压触的导电条。这些被压触导电条相叠的各相叠区为可能被压触相叠区。当被第一驱动单元提供一高电位的导电条为第一导电条时，第一驱动单元提供一低电位于所有第二导电条，并且当被第一驱动单元提供高电位的导电条为第二导电条时，第一驱动单元提供一低电位于所有第一导电条。

第二驱动单元与第二侦测单元可以是如图3的步骤310、320或图4A至图4C的驱动单元D1与侦测单元V1所述，在第二驱动单元选择性地分别提供高电位与低电位于相叠于各可能被压触相叠区的第一、第二导电条时，第二侦测单元侦测被第二驱动单元提供高电位的第一导电条，以侦测出各被压触相叠区。

第三驱动单元与第三侦测单元可以是如图5的步骤510、520或图6A至图6C的驱动单元D2与侦测单元V2所述，第三驱动单元分别驱动相叠于各被压触相叠区的导电条时，当相叠于任一被压触相叠区的一对导电条的一被第三驱动单元驱动时，第三侦测单元侦测这对导电条中未被驱动导电条，以侦测出各接触点位置，其中第三驱动单元提供高电位与低电位于被驱动的导电条。

本范例的相关细节已揭示前述说明中，在此不再赘述。

相较于上述先前技术，本发明的驱动与侦测方式不会因为在前的接触点过多而造成在后侦测的接触点讯号变得微弱，亦不需针对不同的侦测区给予不同的判断标准。此外，本发明不仅能侦测出哪些相叠区被压触，更可判断出接触点位于相叠区内的位置，亦即本发明可以用较少的导电条得到更高的分辨率。

此外，本发明更包括书写时的手掌忽视功能，亦即当书写模式下，可辨识笔尖的压触与手掌的压触，藉以追踪笔尖的压触轨迹。据此，本发明的一范例为一种位置侦测的装置，可包括上述多数条导电条、一第一、第二、第三、第四驱动单元、一第一、第二、第三侦测单元，以及一第四、第五侦测单元。这些导电条包括多数条第一、第二导电条，这些第一、第二导电条相叠于多数个相叠区，当至少一压触物压触时，第一、第二导电条相接触形成相应于各压触物的至少一接触点。依据上述的说明，可在至少一压触物压触时，分别侦测出各被压触相叠区以及各压触相叠区内的接触点。

在本发明之一范例中，提供一种依据接触点位置判断接触阻抗的方法与装置，在各接触点被侦测出后进行各接触点的接触阻抗判断。第四驱动单元与第四、第五侦测单元分别如图10A的提供一高电位VH4与一低电位VL4的驱动单元D4及侦测单元V4、V5所示。第四驱动单元选择性地分别提供一高电位VH4与一低电位VL4于各被压触相叠区，并且侦测单元V4、V5分别侦测被提供高电位VH4与低电位VL4导电条位于接触点的电位。例如当高电位VH4被提供于被压触相叠区的第一导电条的一端时，侦测单元V4是侦测位于第一导电条的另一端的一第一电位P1，并且低电位VL4被提供于被压触相叠区的第二导电条的一端时，侦测单元V5是侦测位于第二导电条的另一端的一第二电位P2。由于在材质均匀分布的导电条上，阻值与位置大致呈正比，据此，由接触点在第一、第二导电条的位置可分别推测出阻值R1、R2，根据高电位VH4、低电位VL4、第一、第二电位P1、P2与阻值R1、R2，可计算出接触点触第一、第二导电条间的接触阻抗R。

据此，依据本发明的一范例，包括一接触阻抗判断程序，此接触阻抗判断程序可以是由前述控制器来作业，包括但不限于判断每一个被压触相叠区的接触阻抗，此接触阻抗是依据被压触相叠区的一对导电条之一与另一在该接触点的电位与该接触点的位置来判断。

上述该接触阻抗的判断包括：判断该接触点的一第一维度位置与一第二维度位置，并且依据第一维度位置与第二维度位置判断出一第一维度阻抗与一第二维度阻抗；在该对导电条之一与另一分别被提供高电位与低电位时侦测接触点在该对导电条上之一与另一的一第一接触电位与一第二接触电位；依据第一维度阻抗、第二维度阻抗、高电位、低电位、第一接触电位与第二接触电位判断出接触阻抗。

上述的驱动单元D4与侦测单元V4、V5包括但不限于分别整合于前述的驱动器23与侦测器24中，并且驱动单元D4与侦测单元V4、V5包括但不限于由前述的控制器25控制。控制器25对于选择器22、驱动器23、侦测器24的控制包括但不限于：直接或通过一延伸电阻间接分别提供高电位与低电位于至少一第一导电条的第一端与至少一第二导电条的第一端；以及分别侦测该些第一导电条之一与该些第二导电条之一的第二端的电位。

在本发明的另一范例中，为一种依据相叠区位置判断接触阻抗的方法与装置，可以是依据被压触相叠区的位置推估出阻值R1、R2，如图11B所示。例如，可以是依据被压触相叠区分别在第一、第二导电条上距被提供高电位与低电位之一端间的相叠区数来推估出阻值R1、R2。例如，当被压触相叠区与被提供高电位VH4的一端间有m个相叠区，则阻值R1为m个单位，亦可以是包括被压触相叠区的m+1个单位。同理，当被压触相叠区与被提供高电位VH4的一端间有n个相叠区，则阻值R1为n个单位，亦可以是包括被压触相叠区的n+1个单位。因此阻值R1、R2的推估可以是介于判断出被压触侦测区后及在接触点被侦测出前。

据此，依据本发明的一范例，为依据位置判断接触阻抗的方法与装置，包括一接触阻抗判断程序，此接触阻抗判断程序可以是由前述控制器来作业，包括但不限于判断每一个被压触相叠区的接触阻抗，此接触阻抗是依据被压触相叠区的一对导电条之一与另一在接触点的电位与被压触相叠区的位置来判断。

上述该接触阻抗的判断包括：依据该被压触相叠区的位置判断出一第一维度阻抗与一第二维度阻抗；在该对导电条之一与另一分别被提供高电位与低电位时侦测接触点在该对导电条上之一与另一的一第一接触电位与一第二接触电位；依据第一维度阻抗、第二维度阻抗、高电位、低电位、第一接触电位与第二接触电位判断出接触阻抗。

依据上述描述，可得出公式1，为(P1-P2)/(VH4-VL4)＝R/(R1+R+R2)，据此可推导出公式2，为R＝(R1+R2)/(((VH4-VL4)/(P1-P2))-1)，亦即可根据高电位VH4、低电位VL4、第一、第二电位P1、P2(如第一接触电位、第二接触电位)与阻值R1、R2(如第一维度阻抗、第二维度阻抗)，可计算出接触点在第一、第二导电条间的接触阻抗R。换言之，依据导被压触相叠区的位置或接触点的位置、被压触导电条间被提供的电位差、第一导电条与第二导电条在接触点上被侦测出的电位差可判断出第一导电条与第二导电条在接触点上的接触阻抗。

此外，如图11A及图11B所示，上述各被压触相叠区的侦测可以是依据第四侦测单元V4侦测的第一电位P1或第五侦测单元V5侦测的第二电位P2来判断。例如，当第一电位P1不为高电位VH4时或第二电位P2不为低电位VL4时，判断出被提供高、低电位的相叠区为被压触相叠区。又例如，第一电位P1与第二电位P2间的电位差不为高电位与低电位间的电位差时判断出被提供高、低电位的相叠区为被压触相叠区。熟知相关技术者可推知，第一电位P1是否为高电位VH4的判断及第二电位P2是否为低电位VL4的判断容许在一误差范围内。

因此，如图11B所示，利用驱动单元D4对各相叠区提供高电位VH4与低电位VL4时，可分别判断出被压触的相叠区，及被压触的相叠区中电一、第二导电条间的接触阻抗R。换言之，被压触相叠区的侦测可以是依据第一电位与第二电位之一或两者来判断(如判断第一导电条与第二导电条间是否为通路)，并且在侦测被压触相叠区的同时可以判断出被压触相叠区中第一导电条与第二导电条在接触点上的接触阻抗。

如同前述图3至图4C与图7至图8C所示，图11A或图11B描述的被压触相叠区的判断方式亦可以是先判断出被压触导电条，再依据被压触导电条判断出可能被压触相叠区，再由可能被压触相叠区判断出被压触相叠区。在本发明的一范例中，高电位VH4与低电位VL4之一操作性耦合于一导电条，并且高电位VH4与低电位VL4的另一操作性耦合于多数条导电条，以判断出被压触导电条。

例如，高电位VH4依序操作性耦合每一条第一导电条，在任一条第一导电条被操作性耦合时，低电位VL4同时耦合所有第二导电条，依据第一导电条与第二导电条间是否为通路来判断出被压触的第一导电条。例如依据侦测单元V4侦测的第一电位P1是否相等或相近于高电位VL4来判断出被操作性耦合的第一导电条是否为被压触导电条。同理，高电位VH4耦合所有第一导电条，低电位VL4依序操作性耦合于每一条第二导电条，依据第一导电条与第二导电条间是否为通路来判断出被压触的第二导电条。接下来，依据所有被压触导电条判断出可能被压触相叠区，例如以所有被压触的第一导电条与被压触的第二导电条相叠的相叠区作为可能被压触相叠区。再接下来，依据上述被压触相叠区的判断辨别出各被压触相叠区，也可以同时判断出每一个被压触相叠区上的接触阻抗。在本范例中，可不通过延伸电阻即可判断出各被压触相叠区，亦可判断出各被压触相叠区的接触点与接触阻抗，其中接触阻抗的判断可以是先于接触点的判断。

另外在本发明的一范例中，位置侦测的装置对于被压触相叠区的侦测如图11C所示，包括侦测单元V1、V6、V7与一驱动单元D1，驱动单元D1提供一高电位VH1与一低电位VL1，其中高电位VH1是提供给第一导电条(X1，X2，...，X8)之一，另外低电位VL1是提供给第二导电条(Y1，Y2，...，Y8)之一，侦测单元V1侦测被提供高电位VH1的导电条。

如先前所述，被提供高电位VH1的第一导电条的侦测可以是包括但不限于侦测电位、电流或是逻辑准位。例如，在本发明的一范例中，高电位VH1可以是通过一延伸电阻Re提供给第一导电条(X1，X2，...，X8)之一，藉由侦测延伸电阻Re一侧(如延伸电阻Re与导电条之间)上的电位、电流或是逻辑准位来侦测出各个被压触的相叠区。其中，高电位VH1与低电位VL1分别被提供于第一导电条与第二导电条的一第一端。

通过V1侦测出的电位P3判断出一被压触相叠区时，可再利用侦测单元V6与V7分别侦测相叠于被压触相叠区的第一导电条与第二导电条的第二端，其中侦测单元V1、V6与V7分别侦测出一第一电位P1、一第二电位P2与一第三电位P3。依据延伸电阻Re的阻抗、第一电位P1、第二电位P2与第三电位P3，可判断出被压触的相叠区中电一、第二导电条间的接触阻抗R。因此，由于串联电路中电流相等，(VH1-P3)/R1＝(P1-P2)/R，R＝R1(P1-P2)/(VH1-P3)。

依据图11C所示，利用驱动单元D1对各相叠区提供高电位VH1与低电位VL1时，可分别判断出被压触的相叠区，及被压触的相叠区中电一、第二导电条间的阻值R。

上述的驱动单元D1与侦测单元V1、V6、V7包括但不限于分别整合于前述的驱动器23与侦测器24中，并且驱动单元D4与侦测单元V4、V5包括但不限于由前述的控制器25控制。控制器25对于选择器22、驱动器23、侦测器24的控制包括但不限于：直接或通过一延伸电阻间接分别提供高电位与低电位于至少一第一导电条的第一端与至少一第二导电条的第一端；侦测导电条与延伸电阻间的讯号；以及分别侦测该些第一导电条之一与该些第二导电条之一的第二端的电位。单一对象的压触可能同时压触到相邻的多数个相叠区，如图12C所示，因此相邻的相叠区的接触点间的距离可用来判断是否为同一对象的压触，例如在同一轴向上两相邻的相叠区的接触点间的距离未超过一个相叠区的宽度，可视为相同对象的压触。同理，位于对角位置两相叠区间的接触点间的距离未超过单相叠区对角宽度，亦可视为相同对象的压触，本发明包括但不受限于以上述接触点间的距离的判断是否为同对象的压触。

另外，亦可以将同对象压触的相邻相叠区处第一、第二导电条间的接触阻抗R视为并联的接触阻抗，作为同对象压触的总接触阻抗。例如，两相邻相叠区为同对象的压触，视为同压触下的两相邻相叠区，该两相邻相叠区中接触点在第一、第二导电条间的接触阻抗分别为Ra与Rb，则压触的总接触阻抗为1/(RaRb/Ra+Rb)。据此，更可以藉由相邻相叠区的并联接触阻抗，追踪一对象的压触轨迹。例如，以单一手指压触时，压触在单一相叠区与压触在多个相邻相叠区的总接触阻抗差异不大，因此可用来判断相邻的被压触相叠区是否为同手指的压触处。例如，当两手指较接近时，可依据两手指先前压触处的阻值来区分出彼此的压触处。

例如，相应于第一压触的一第一后续压触与第二压触的一第二后续压触的被压触相叠区相邻时，可分别依据第一压触的总接触阻抗与第二压触的该总接触阻抗判断出这些相邻的被压触相叠区为第一后续压触与第二后续压触的两个不同压触，而非同一压触，并且可进一步判断出两个不同压触。例如，由第一后续压触与第二后续压触的移动方向及总接触阻抗判断，亦可以依据各被压触相叠区的接触阻抗以分水岭算法判断。例如依据各接触点的接触阻抗产生权重来进行分水岭算法，其中权重与接触阻抗成反比。熟知相关技艺者可推知其它在相邻相叠区判断出不同压触的方式，本发明包括但不限于上述方式。

在本发明的一范例中，可以是依据相邻的被压触相叠区的总接触阻抗来判断为单压触或多压触。另外，在判断为两压触时，可以是相距最远的两接触点分别作为两压触的位置。

如图12A所示，当手拿笔书写时，笔尖压触处122的面积很小，因此接触点处在第一、第二导电条间的接触阻抗R很大，相反地，手掌可能有一个或多个手掌压触处124，且每个手掌压触处124的面积都较大，亦即手掌压触处124在第一、第二导电条间的接触阻抗R很小，因此可以明显地区隔出手掌的压触处124。

同样地，如图12B所示，若是手指压触的同时，手掌亦压触到感应器21，手指压触处126面积亦会小于各手掌压触处124的压触面积，因此也可以区隔出手掌压触处124。据此，可用不同的门坎限值依压触处第一、第二导电条间的阻值R大小区分出笔、手指、手掌的压触。

此外，接触阻抗R的计算可以是在接触点被侦测出来之前或之后。由于电位值的侦测需要较长的时间，若是接触阻抗R的判断在接触点被侦测出来之前，则可以只侦测非手掌压触的接触点，省去手掌压触的接触点的电位侦测，具有提升效能的优点。此外，可由压触处下各接触点的质心坐标计算出压触处的坐标。

依据图11A与图11C相关说明，在本发明的一范例中，是在判断每个相叠区是否被压触的阶段，同时对被压触的相叠区进行接触阻抗的判断，并且针对各对象压触的相叠区分别判断各对象压触的总接触阻抗。例如，可以是以相叠区是否相邻判断是否为相同对象的压触，将同对象压触的相叠区的并联接触阻抗作为总接触阻抗，并且依据同对象压触的相叠区的接触点判断出该对象压触的位置。此外，还可以依据相邻相叠区的总接触阻抗追踪同一对象的连续压触，亦即同对象在持续移动中的总接触阻抗相近，在前后不同时点侦测到总接触阻抗相近且接触位置在一预设范围内，可被判断为同对象的连续压触，藉由同物件连续压触中每一个压触的总接触阻抗来追踪该对象的压触轨迹。

在本发明的另一范例中，可以依据各对象的总接触阻抗判断被忽视的被压触相叠区或压触，各被忽视的被压触相叠区上的接触点不需被侦测。例如，当手掌上至少一部位压触时，可依每一个部位压触造成的总接触阻抗判断为手掌的压触，并加以忽视，因此当拿笔手写或用手指手写时，可明显地分辨出笔或手指的压触与手掌各部位的压触，并只侦测笔或手指压触的位置，亦可以藉由笔或手指的连续压触中每一个压触的总接触阻抗，来追踪笔或手指的压触轨迹。在此，本发明是以导电条是否会因受压而接触来区分压触与碰触。

在本发明的另一范例中，如图13所示，为具压阻层的位置侦测的装置，可包括一第一绝缘层131、一第一导电条层132、一压阻层133、一第二导电条层134及一第二绝缘层135。第一、第二导电条层132、134分别包括上述第一、第二导电条。压阻层133在未受到压力时为绝缘，亦即阻值极大，并且在受压时阻值会降低，甚至成为导体。因此压阻层133可取代上述的绝缘粒子(spacer)，在受压时一样能在第一、第二导电条间因压阻层133受压处阻值降低而产生另类的接触点。

此外，在压阻层未成为导体前为绝缘，可进行电容式压触侦测，在本发明的一较佳范例中，是采互电容式的碰触侦测，因此在压阻层绝缘时便可以侦测出多点碰触。例如，可以侦测出哪些相叠区被碰触。另外，在压阻层因压触成为导体时，可进行上述的压触式的压触侦测，因此可侦测出有哪些相叠区被碰触及哪些相叠区被压触。因此，比对电容式碰触的被碰触相叠区与压触式压触的被压触相叠区，可应用于位置侦测的确认，或应用于上述的手掌忽视。例如，仅对同时被电容式碰触的被碰触相叠区与被压触式压触的被压触相叠区进行接触点判断。又例如，当用绝缘的笔书写时，在压触式压触的被压触相叠区中排除同时也被电容式碰触的被碰触相叠区后，再进行接触点侦测。

据此，可结合两种以上不同的多点压触侦测，藉由两种以上不同的多点压触侦测的侦测结果，忽视或排除手掌的压触位置，以辨识出笔的压触。例如结合一电容式侦测与一红外线式侦测，进行上述具手掌忽视功能的压触侦测。因此，本发明包括并不受限以同一感应器21进行两种以上的碰触或压触侦测，亦可用多数种感应器21进行多数种碰触或压触侦测，更可以藉由不同的碰触或压触侦测结果来进行手掌忽视或排除手掌压触的区域。其中，上述的多数种压触感应器可包括但不限于红外线式(IR type)、电容式(Capacitive Type)、压触式(resistive type)、光学式(Camera type orOptical Type)、表面声波式(SAW type)感应器(sensor)。

换言之，本发明提供一种利用多位置侦测方式忽视手掌的装置与方法，包括但不限于以第一种碰触或压触的侦测方式在第二种碰触或压触的侦测方式上定义一被忽视范围，其中该被忽视范围可包括多数个独立的被忽视区域。例如，以电容式侦测到的被碰触相叠区定义一被忽视范围，另外再用光学式侦测(如红外线式)时将被忽视范围内侦测到的碰触视为不存在。

在本发明的一较佳范例中，第一种侦测方式为能侦测到多碰触或多压触的侦测方式。例如在投射式电容感应器上进行互电容式侦测，侦测出多数个被碰触相叠区，依据被碰触相叠区定义出被忽视范围，如以每一个被碰触相叠区向外扩大一范围作为被忽视范围。例如，依据每一个相叠区中第一导电条与第二导电条间的电容变化量判断出被碰触相叠区。亦可以是例用上述感应器21进行互电容式侦测，以所有被碰触相叠区为被忽视范围。上述互电容式侦测是在每一条第一轴向的导电条被提供驱动讯号时，由每一条第二轴向导电条侦测讯号的变化来判断出被碰触相叠区。

又例如在上述压触式感应器上进行压触侦测，再依被压触相叠区或接触点定义出被忽视范围，其中被忽视范围更可以依据被压触相叠区的接触阻抗向外扩大到包括与被压触相叠区相邻的未被压触相叠区。例如定义所有被压触相叠区为被忽视范围，并且判断每一个被压触相叠区的接触阻抗，任何被压触相叠区的接触阻抗落于一范围(如小于一门坎限值)时，与接触阻抗落于该范围的被压触相叠区相邻的相叠区亦被定义为被忽视范围。另外，本发明更包括依据被压触相叠区的接触阻抗，由被压触相叠区中排除笔或手指压触的被压触相叠区或由接触点中排除笔或手指压触的接触点，再依上述方式定义被忽视相叠区。

请参照图4A与图14，相叠区A、B、C同时被压触，当相叠区D的第一导电条与第二导电条被分别提供高电位VH1与低电位VL1时，虽然相叠区没有被压触，电流会分别由相叠区D上的第一导电条流经相叠区A、B、C至相叠区D上的第二导电条，形成通路，造成相叠区D被误判为被压触相叠区。

此外，依据图6A所述的接触点侦测方法，当相叠区D的一导电条两端被分别提供高电位VH2与低电位VL2时，相叠区A、B、C为等电位，因此接触点位置可能被误判位于相叠区B。据此，本发明提出一种侦测位置误判的装置与方法，可以是在侦测被压触相叠区接触点时，忽视或排除接触点位置落于被侦测相叠区外的接触点。在本发明的一范例中，控制器不输出落于被侦测相叠区外的接触点的位置。熟知相关技术者可推知，接触点位置落于被侦测的被压触相叠区的判断容许在一误差范围内，例如接触点位置落于被侦测的被压触相叠区向外扩大的一范围外时才被排除或忽视。在本发明的一范例中，被忽视或排除的压触可能包括多数个接触点，其中至少一接触点落在上述误差范围之外。在本发明另一范例中，被忽视或排除的压触可能包括多数个接触点，其中全部接触点落在上述误差范围之外。在本发明的一例子中，相叠区A与B可能是由手掌的压触所造成，因此造成相叠区D的误判，因此上述对误判接触点或误判被压触相叠区的忽视或排持，亦是一种手掌忽视的应用，即忽视手掌的压触。

在本发明的一范例中，上述落于被侦测的被压触相叠区的接触点的判断，可以是在一轴向位置的判断上判断出来。亦即在侦测上述第一一维坐标Px时判断出来，因此不需要再进行上述第二一维坐标Py的侦测。

据此，在本发明的一范例中，更包括一过滤程序(filter procedure)，此过滤程序可以是由前述控制器来作业。过滤程序包括判断该些压触中被排除的压触。任一被排除的压触至少满足下列条件之一：该总接触阻抗小于前述门坎限值；以及相应于相同压触的该接触点中存在至少一接触点的位置落在相应的该相叠区的前述误差范围之外。另外，过滤程序更包括判断该些压触中每一未被排除的压触的位置，其中每一压触的位置是依据相应于相同压触的该被压触相叠区的该接触点的位置来判断。

在前述说明中，接触阻抗的判断可以是在侦测被压触相叠区的同时，即先于接触点的侦测。因此藉由上述过滤程序，可大幅度地减少接触点的侦测。因此，在本发明的一范例中，接触阻抗的侦测是先于接触点的侦测，并且过滤程序中，总接触阻抗小于前述门坎限值的判断是先于接触点的侦测。换言之，在过滤程序中，可以是先进行总接触阻抗是否小于前述门坎限值的判断后，再判断相应于相同压触的该接触点中是否存在至少一接触点的位置落在相应的该相叠区的前述误差范围之外。

在本发明的另一范例中，在过滤程序中，可以是先判断相应于相同压触的该接触点中是否存在至少一接触点的位置落在相应的该相叠区的前述误差范围之外，再判断总接触阻抗是否小于前述门坎限值的判断。亦即，先进行接触点的判断，排除误判的压触后，再进行排除总接触阻抗是否小于前述门坎限值的压触，例如手掌忽视。

请参照图15A，当一笔压触时，依据上述图6A相关说明所述侦测单元V2侦测到的电位Vp，该笔被侦测到的压触位置位于压触位置P，压触位置P与笔实际压触的位置相同。再参照图15B，当一手掌压触到多数个相邻导电条时，手掌压触范围可能形成跨多数个导电条(同层导电条)的总接触阻抗Rpalm，在侦测笔的压触位置P时，总接触阻抗Rpalm可能造成压触位置P产生误差。

请参照图16A、图16B与上述图6A相关说明，本发明提出一种校正位置侦测误差的装置与方法。首先，如步骤1610所示，提供一延伸电阻Re来电性耦合一导电条以形成一被驱动导电条，并且分别提供一第一高电位VH5与一第一低电位VL5于该被驱动导电条之两端。此外，如步骤1620所示，在被驱动导电条未被压触时侦测延伸电阻Re与导电条间的一未被压触电位。另外，如步骤1630所示，在被驱动导电条被压触时侦测延伸电阻与导电条间的一被压触电位。之后，如步骤1640所示，选择一导电条作为一被侦测导电条，并且如步骤1650、1660所示，分别提供一第二高电位VH2与一第二低电位VL2于该被侦测导电条，经由被压触于该被侦测导电条的一导电条侦测一侦测电位。接下来，如步骤1670所示，依据该未被压触电位、该被压触电位、该侦测电位判断一被压触相叠区上的接触点的位置，如上述第一一维坐标Px或第二一维坐标Py。

上述第一高电位VH5与第一低电位VL5分别是由一驱动单元D5所提供，在本发明的一范例中，驱动单元D2与驱动单元D5可以是相同的驱动单元。此外，上述侦测电位可以是由前述侦测单元V2所侦测。再者，上述未被压触电位与被压触电位可以是由一侦测单元V8所侦测。

上述的驱动单元D2、D5与侦测单元V2、V8包括但不限于分别整合于前述的驱动器23与侦测器24中，并且驱动单元D2、D5与侦测单元V2、V8包括但不限于由前述的控制器25控制。控制器25对于选择器22、驱动器23、侦测器24的控制包括但不限于：直接或通过一延伸电阻间接分别提供高电位与低电位于同一导电条的第一端与第二端；直接或通过一延伸电阻间接分别提供高电位与低电位于至少一第一导电条的第一端与至少一第二导电条的第一端；侦测导电条与延伸电阻间的讯号；以及在一对被压触导电条之一被提供高电位与低电位时，侦测该对被压触导电条的另一的一端或两端的电位，其中通过延伸电阻间接提供高电位与低电位于同一导电条的第一端与第二端时，通过侦测导电条与延伸电阻间的讯号，以判断一未被压触电位与一被压触电位。

请参照图17A与图17B所示，在本发明的一范例中，延伸电阻与被侦测导电条的阻抗分别为Re与R，第一高电位与第一低电位分别以Vdd与接地电位来表示，其中接地电位预设为0。当只有笔压触于位置P时，笔压触处与延伸电极间的阻抗为Rc。由于笔的压触对于整体阻抗的影响不大，整体阻抗相当于未被压触的状态，亦即侦测延伸电阻与导电条间的被压触电位相当于未被压触电位Vu。当被侦测导电条存在跨导电条(跨同层导电条)压触(如手掌的压触)的阻抗Rpalm时，被侦测出来的正确位置位于位置C，导电条的阻抗为Rp，被压触电位为Vd。另外，位置P的侦测是通过侦测单元V2侦测到的电位Vp来侦测。

依据上述，可得出下列算式。

参照图17A，

$\frac{\mathrm{Vu}}{\mathrm{Vdd}}=\frac{R}{\mathrm{Re}+R}\→\frac{\mathrm{Vdd}}{\mathrm{Vu}}=1+\frac{\mathrm{Re}}{R}\→\frac{\mathrm{Re}}{R}=\frac{\mathrm{Vdd}-\mathrm{Vu}}{\mathrm{Vu}}.$

参照图17B，

$\frac{\mathrm{Vd}}{\mathrm{Vdd}}=\frac{\mathrm{Rp}}{\mathrm{Re}+\mathrm{Rp}}\→\frac{\mathrm{Vdd}}{\mathrm{Vu}}=1+\frac{\mathrm{Re}}{R}\→\frac{\mathrm{Re}}{R}=\frac{\mathrm{Vdd}-\mathrm{Vu}}{\mathrm{Vu}}.$

此外，

$\frac{\mathrm{Vp}}{\mathrm{Vdd}}=\frac{\mathrm{Rp}-\mathrm{Rc}}{\mathrm{Rp}}=1-\frac{\mathrm{Rc}}{\mathrm{Rp}}\→\frac{\mathrm{Rc}}{\mathrm{Rp}}=1-\frac{\mathrm{Vp}}{\mathrm{Vdd}}=\frac{\mathrm{Vdd}-\mathrm{Vp}}{\mathrm{Vdd}}$

$\mathrm{Rc}=\mathrm{Rp}\·\frac{\mathrm{Vdd}-\mathrm{Vp}}{\mathrm{Vdd}}.$

再参照图17A，

$\frac{\mathrm{Vc}}{\mathrm{Vdd}}=\frac{R-\mathrm{Rc}}{R}=\frac{R-\mathrm{Rp}\·\frac{\mathrm{Vdd}-\mathrm{Vp}}{\mathrm{Vdd}}}{R}=1-\mathrm{Rp}\·\frac{\mathrm{Vdd}-\mathrm{Vp}}{\mathrm{Vdd}}=1-\frac{\mathrm{Vdd}-\mathrm{Vu}}{\mathrm{Vu}}\·\frac{\mathrm{Vd}}{\mathrm{Vdd}-\mathrm{Vd}}\·\frac{\mathrm{Vdd}-\mathrm{Vp}}{\mathrm{Vdd}}$

$\mathrm{Vc}=\mathrm{Vdd}-\frac{\mathrm{Vdd}-\mathrm{Vu}}{\mathrm{Vu}}\·\frac{\mathrm{Vd}\·(\mathrm{Vdd}-\mathrm{Vp})}{\mathrm{Vdd}-\mathrm{Vd}}=\mathrm{Vp}+\mathrm{\ΔV}$

$\mathrm{\ΔV}=\mathrm{Vdd}-\frac{\mathrm{Vdd}-\mathrm{Vu}}{\mathrm{Vu}}\·\frac{\mathrm{Vd}\·(\mathrm{Vdd}-\mathrm{Vp})}{\mathrm{Vdd}-\mathrm{Vd}}-\mathrm{Vp}=(\mathrm{Vdd}-\mathrm{Vp})-\frac{\mathrm{Vdd}-\mathrm{Vu}}{\mathrm{Vu}}\·\frac{\mathrm{Vd}\·(\mathrm{Vdd}-\mathrm{Vp})}{\mathrm{Vdd}-\mathrm{Vd}}=$

$(\mathrm{Vdd}-\mathrm{Vp})(1-\frac{\mathrm{Vdd}-\mathrm{Vu}}{\mathrm{Vu}}\·\frac{\mathrm{Vd}}{\mathrm{Vdd}-\mathrm{Vd}})=(\mathrm{Vdd}-\mathrm{Vp})\·\frac{\mathrm{Vu}\·\mathrm{Vdd}-\mathrm{Vu}\·\mathrm{Vd}-\mathrm{Vdd}\·\mathrm{Vd}+\mathrm{Vu}\·\mathrm{Vd}}{\mathrm{Vu}\·(\mathrm{Vdd}-\mathrm{Vd})}$

$\mathrm{\ΔV}=(\mathrm{Vdd}-\mathrm{Vp})\·\frac{\mathrm{Vdd}(\mathrm{Vu}-\mathrm{Vd})}{\mathrm{Vu}\·(\mathrm{Vdd}-\mathrm{Vd})}$

相较于接触点C，当跨导电条的压触较接近低电位时，

亦即在高电位与低电位的电位差为已知时，依据未被压触电位Vu、被压触电位Vd、侦测电位Vp，便可以校正侦测电位Vp的误差，侦测出正确的侦测电位Vc。

同理，当跨导电条的压触较接近高电位时，如图17D所示，可得出下列算式。

$\frac{\mathrm{Vc}}{\mathrm{Vdd}}=\frac{{\mathrm{Rc}}^{\′}}{R}$

$\frac{\mathrm{Vp}}{\mathrm{Vdd}}=\frac{{\mathrm{Rc}}^{\′}}{\mathrm{Rp}}\→{\mathrm{Rc}}^{\′}=\mathrm{Rp}\·\frac{\mathrm{Vp}}{\mathrm{Vdd}}$

$\frac{\mathrm{Vc}}{\mathrm{Vdd}}=\frac{\mathrm{Rp}}{R}\·\frac{\mathrm{Vp}}{\mathrm{Vdd}}$

$\mathrm{Vc}=\frac{\mathrm{Rp}\·\mathrm{Vp}}{R}=\mathrm{Vp}\·\frac{\mathrm{Vdd}-\mathrm{Vu}}{\mathrm{Vu}}\·\frac{\mathrm{Vd}}{\mathrm{Vdd}-\mathrm{Vd}}=\mathrm{Vp}-\mathrm{Vp}+\mathrm{Vp}\·\frac{\mathrm{Vdd}-\mathrm{Vu}}{\mathrm{Vu}}\·\frac{\mathrm{Vd}}{\mathrm{Vdd}-\mathrm{Vd}}=\mathrm{Vp}+\mathrm{Vp}\·$

$(\frac{\mathrm{Vdd}-\mathrm{Vu}}{\mathrm{Vu}}\·\frac{\mathrm{Vd}}{\mathrm{Vdd}-\mathrm{Vd}}-1)=\mathrm{Vp}+\mathrm{Vp}\·\frac{\mathrm{Vdd}\·\mathrm{Vd}-\mathrm{Vu}\·\mathrm{Vd}-\mathrm{Vdd}\·\mathrm{Vu}+\mathrm{Vu}\·\mathrm{Vd}}{\mathrm{Vu}(\mathrm{Vdd}-\mathrm{Vd})}=\mathrm{Vp}+\mathrm{Vp}\·$

$\frac{\mathrm{Vdd}(\mathrm{Vd}-\mathrm{Vu})}{\mathrm{Vu}(\mathrm{Vdd}-\mathrm{Vd})}=\mathrm{Vp}+{\mathrm{\ΔV}}^{\′}$

$\mathrm{\Δ}{V}^{\′}=\mathrm{Vp}\·\frac{\mathrm{Vdd}(\mathrm{Vd}-\mathrm{Vu})}{\mathrm{Vu}(\mathrm{Vdd}-\mathrm{Vd})}$

相较于接触点C，当跨导电条的压触较接近高电位时，

亦即在高电位与低电位的电位差为已知时，依据未被压触电位Vu、被压触电位Vd、侦测电位Vp，便可以校正侦测电位Vp的误差，侦测出正确的侦测电位Vc。

再者，由Vc＝Vp+ΔV′与

可知，位置误差量与位置成正比。亦即，从未被压触电位Vu与被压触电位Vd可判断出具跨相叠区接触阻抗的导电条上的位置误差比例。据此，在本发明的一范例中，是依据导电条上一位置(如第一端或第二端)上电位的变化判断出具跨相叠区(跨同层导电条)接触阻抗的导电条上的位置误差比例。事实上，知道位置误差比例也等同知道误差位置，亦即依据导电条上一位置(如第一端或第二端)上电位的变化可判断出具跨相叠区接触阻抗的导电条上的位置误差量或误差位置。

依据上述说明，相较于接触点C，当跨导电条的压触较接近高电位时，

并且当跨导电条的压触较接近低电位时，

误差比例为

换言之，在侦测接触点时，本发明依据未被压触电位Vu与被压触电位Vd，可校正侦测电位Vp的误差，侦测出接触点正确的位置C。

在本发明的一最佳模式中，是先侦测被压触导电条，再侦测被压触相叠区，如前述图4A至图4C、图7至图8C、图11A与图11B及相关说明所示。此外，更包含依据前述总接触阻抗进行手掌忽视，并且在进行前述位置误差校正后，进行位置误判的侦测，以忽视或滤除误判的压触，最后再进行接触点的侦测，判断各压触的接触点的质心坐标，以作为各压触的位置。

以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。

Claims (20)

1.一种判断压触阻抗的装置，其特征在于包括：

一感应器，包括多条导电条相叠构成的多个相叠区，其中相叠于任一相叠区的一对导电条因电性接触形成一接触点时构成一被压触相叠区；

一驱动器，分别提供一高电位与一低电位；

一侦测器，侦侧至少一导电条的一讯号；

一选择器，操作性耦合该些导电条于该驱动器与该侦测器；以及

一控制器，藉由控制该驱动器、该侦测器与该选择器判断每一被压触相叠区的一接触阻抗，其中每一被压触相叠区的该接触阻抗是依据该对导电条之一与另一在该接触点的电位与该被压触相叠区的位置来判断。

2.如权利要求1所述的判断压触阻抗的装置，其特征在于该接触阻抗的判断包括：

依据该被压触相叠区的位置判断出一第一维度阻抗与一第二维度阻抗；

在该对导电条之一与另一分别被提供一高电位与一低电位时侦测该对导电条上之一与另一在该接触点上的一第一接触电位与一第二接触电位；以及

依据该第一维度阻抗、该第二维度阻抗、该高电位、该低电位、第一接触电位、第二接触电位判断出该接触阻抗。

3.如权利要求2所述的判断压触阻抗的装置，其特征在于该接触阻抗为(R1+R2)/(((VH-VL)/(P1-P2))-1)，其中R1、R2、VH、VL、P1、P2分别为该第一维度阻抗、该第二维度阻抗、该高电位、该低电位、第一接触电位、第二接触电位。

4.如权利要求2所述的判断压触阻抗的装置，其特征在于该控制器依据该第一接触电位与该第二接触电位之一或两者判断出该被压触相叠区。

5.如权利要求2所述的判断压触阻抗的装置，其特征在于该被压触相叠区的该接触点的位置判断包括：

轮流选择该对导电条之一与另一分别作为一被驱动导电条与一被侦测导电条；

在提供一高电位与一低电位于该被驱动导电条两端时侦测该被侦测导电条的电位作为一位置电位；以及

分别以该对导电条之一与另一上侦测到的该位置电位判断该接触点的位置。

6.如权利要求2所述的判断压触阻抗的装置，其特征在于该被压触相叠区的该接触点的位置判断包括：

轮流选择该对导电条之一与另一分别作为一被驱动导电条与一被侦测导电条；

在提供一高电位与一低电位于该被驱动导电条两端时侦测该被侦测导电条的电位作为一位置电位；

电性耦合一延伸电阻与该被驱动导电条以成为一延伸导电条；

在该延伸导电条未压触时提供该高电位与该低电位于该延伸导电条以侦测该延伸电阻与该被驱动导电条间的电位作为一未压触电位；

在该延伸导电条被压触时提供该高电位与该低电位于该延伸导电条以侦测该延伸电阻与该被驱动导电条间的电位作为一被压触电位；以及

分别依据该对导电条之一与另一上侦测到的该位置电位、该被驱动导电条的该未压触电位与该被压触电位判断该接触点位置。

7.如权利要求1所述的判断压触阻抗的装置，其特征在于该控制器更包括藉由控制该驱动器、该侦测器与该选择器进行至少以下作业：

判断每一被压触相叠区相应的一压触；以及

判断每一压触的一总接触阻抗，该总接触阻抗为相应相同压触的所有该被压触相叠区的该接触阻抗的并联阻抗。

8.如权利要求7所述的判断压触阻抗的装置，其特征在于该控制器更包括藉由控制该驱动器、该侦测器与该选择器进行至少以下作业：

将该总接触阻抗小于一门槛限值的每一压触视为不存在；以及

判断未被视为不存在的每一压触的一压触位置，其中每一压触是依据所有相应的被压触相叠区的该接触点判断出该压触位置。

9.如权利要求8所述的判断压触阻抗的装置，其特征在于该控制器更包括藉由控制该驱动器、该侦测器与该选择器进行至少以下作业：

依据该接触点的位置是否位于相应的相叠区的一预设范围内判断出被误判的该被压触相叠区；

在判断出该被误判的该被压触相叠区时，依据该被误判的该被压触相叠区判断出被误判的该压触；以及

将该被误判的该压触视为不存在。

10.如权利要求7所述的判断压触阻抗的装置，其特征在于该总接触阻抗的判断先于该接触点位置的判断。

11.一种判断压触阻抗的方法，其特征在于包括：

提供多条导电条相叠构成的多个相叠区，其中相叠于任一相叠区的一对导电条因电性接触形成一接触点时构成一被压触相叠区；以及

判断每一被压触相叠区的一接触阻抗，其中每一被压触相叠区的该接触阻抗是依据该对导电条之一与另一在该接触点的电位与该被压触相叠区的位置来判断。

12.如权利要求11所述的判断压触阻抗的方法，其特征在于该接触阻抗的判断包括：

依据该被压触相叠区的位置判断出一第一维度阻抗与一第二维度阻抗；

在该对导电条之一与另一分别被提供一高电位与一低电位时侦测该对导电条上之一与另一在该接触点上的一第一接触电位与一第二接触电位；以及

依据该第一维度阻抗、该第二维度阻抗、该高电位、该低电位、第一接触电位、第二接触电位判断出该接触阻抗。

13.如权利要求12所述的判断压触阻抗的方法，其特征在于该接触阻抗为(R1+R2)/(((VH-VL)/(P1-P2))-1)，其中R1、R2、VH、VL、P1、P2分别为该第一维度阻抗、该第二维度阻抗、该高电位、该低电位、第一接触电位、第二接触电位。

14.如权利要求12所述的判断压触阻抗的方法，其特征在于该控制器依据该第一接触电位与该第二接触电位之一或两者判断出该被压触相叠区。

15.如权利要求12所述的判断压触阻抗的方法，其特征在于该被压触相叠区的该接触点的位置判断包括：

轮流选择该对导电条之一与另一分别作为一被驱动导电条与一被侦测导电条；

在提供一高电位与一低电位于该被驱动导电条两端时侦测该被侦测导电条的电位作为一位置电位；以及

分别以该对导电条之一与另一上侦测到的该位置电位判断该第一维度位置与该第二维度位置。

16.如权利要求12所述的判断压触阻抗的方法，其特征在于该被压触相叠区的该接触点的位置判断包括：

轮流选择该对导电条之一与另一分别作为一被驱动导电条与一被侦测导电条；

在提供一高电位与一低电位于该被驱动导电条两端时侦测该被侦测导电条的电位作为一位置电位；

电性耦合一延伸电阻与该被驱动导电条以成为一延伸导电条；

在该延伸导电条未压触时提供该高电位与该低电位于该延伸导电条以侦测该延伸电阻与该被驱动导电条间的电位作为一未压触电位；

在该延伸导电条被压触时提供该高电位与该低电位于该延伸导电条以侦测该延伸电阻与该被驱动导电条间的电位作为一被压触电位；以及

分别依据该对导电条之一与另一上侦测到的该位置电位、该被驱动导电条的该未压触电位与该被压触电位判断该第一维度位置与该第二维度位置。

17.如权利要求11所述的判断压触阻抗的方法，其特征在于更包括：

判断每一被压触相叠区相应的一压触；以及

判断每一压触的一总接触阻抗，该总接触阻抗为相应相同压触的所有该被压触相叠区的该接触阻抗的并联阻抗。

18.如权利要求17所述的判断压触阻抗的方法，其特征在于更包括：

将该总接触阻抗小于一门槛限值的每一压触视为不存在；以及

判断未被视为不存在的每一压触的一压触位置，其中每一压触是依据所有相应的被压触相叠区的该接触点判断出该压触位置。

19.如权利要求18所述的判断压触阻抗的方法，其特征在于更包括：

依据该接触点的位置是否位于相应的相叠区的一预设范围内判断出被误判的该被压触相叠区；

在判断出该被误判的该被压触相叠区时，依据该被误判的该被压触相叠区判断出被误判的该压触；以及

将该被误判的该压触视为不存在。

20.如权利要求17所述的判断压触阻抗的方法，其特征在于其中该总接触阻抗的判断先于该接触点位置的判断。

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