CN102023333A - 具有改善的弯曲损耗的多模光纤 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种具有改善的弯曲损耗的多模光纤，包括：中心纤芯，其半径为r₁并且相对于光学外包层具有阿尔法折射率分布；内包层，其半径为r₂并且相对于光学外包层的折射率差为Δn₂；以及凹陷槽，其宽度为W_t并且相对于光学外包层的折射率差为Δn_t。所述光纤的特征在于，阿尔法折射率分布的中心纤芯的端部与光学外包层之间的折射率差为零，并且凹陷槽的体积V在-40μm和-30μm之间，所述体积由表达式V＝1000×W_t×Δn_t来定义。

Description

具有改善的弯曲损耗的多模光纤

技术领域

本发明涉及光纤传输领域，并且更具体地说，涉及一种具有降低的弯曲损耗而数值孔径没有任何显著增加的多模光纤。

背景技术

在标准构造中，光纤包括：光纤芯，其功能是传输并且选择性地放大光信号；以及光学外包层，其功能是将所述光信号限制在纤芯内。为此，纤芯的折射率n_c和包层的折射率n_g为使得n_c＞n_g。

折射率分布表示使折射率与光纤的半径相关联的函数的曲线图。在标准构造中，到光纤中心的距离在x轴上被示出，径向位置处的折射率和光学外包层的折射率之间的差在y轴上被示出。通常，折射率分布根据其外形来限定。因此，折射率分布用“阶跃”、“梯形”、“三角形”或者“阿尔法”的曲线图来描述，这些曲线图分别具有阶梯形、梯形、三角形或者渐变形的形状。这些曲线表示光纤的理论分布或者设定分布，而光纤制造的约束条件可能导致略微不同的分布。

多模光纤和单模光纤是两种主要的光纤类型。在多模光纤中，对于给定的波长，多个光学模式沿光纤同时传播，而在单模光纤中更高阶的模式被大大地减弱。

具有“阿尔法”分布的中心纤芯的渐变折射率多模光纤已经被应用多年。它们的特征已经被详细地描述在“Multimode theory of graded-core fibres”，D.Gloge et al.，Bell system Technical Journal 1973，pp 1563-1578(“渐变纤芯光纤的多模理论”，D.Gloge等，贝尔系统技术杂志，1973，1563-1578页)中，并且被概述在“Comprehensivetheory of dispersion in graded-index optical fibers”，G.Yabre，Journal of LightwaveTechnology，February 2000，Vol.18，No.2，pp 166-177(渐变折射率光纤中的综合色散理论”，光波技术杂志，2000年2月，18卷，第2期，166-177页)中。

渐变折射率分布或者阿尔法折射率分布(α)这两个术语是等同的，可以通过某一点处的折射率值n作为从该点到光纤中心的距离r的函数的关系式来定义：

$n=n_1\sqrt{1-2\mathrm{\Δ}{\left(\frac{r}{r_1}\right)}^{\mathrm{\α}}}$

其中α≥1；

n₁是多模纤芯的最大折射率；

r₁是多模纤芯的半径；并且

$\mathrm{\Δ}=\frac{(n_1^2-n_0^2)}{{2n}_1^2}$

其中，n₀是多模中心纤芯的最小折射率，通常对应于光学外包层(通常由石英制成)的折射率。

然而，每个模式都按照可以与有效折射率n_eff相关联的其本身的传播常数进行传播，有效折射率n_eff是光纤的折射率分布和波长的函数。

图1所示为根据现有技术的α分布光纤的折射率分布。下面的x轴表示光纤的半径，左边的y轴表示光纤的α分布的折射率。因此，α分布多模光纤具有旋转对称的中心纤芯分布，从而在任一径向上折射率的值从光纤的中心向其外周连续地减小。该曲线图还显示了在光纤中传播的模式。右边的y轴表示传播模式的相对有效折射率，即，模式的有效折射率与光学外包层的折射率之间的差。在上面的x轴上表示的被称为方位角指数(azimuthal index)的基准点对应于各个模式。通常，各个模式在曲线图的横向上以可见模式群集合在一起。例如，所示的光纤包括18个模式群。

光纤的数值孔径(NA)由下列表达式来定义：

$\mathrm{NA}=\sqrt{n_{\mathrm{eff},\max }^2-n_{\mathrm{eff},\min }^2}$

其中，n_eff，min和n_eff，max分别表示在信号中包含的模式的最小有效折射率和最大有效折射率，所述信号是在OFL(满注入)条件下即当光纤输入处信号的激励在整个传播模式中一致时在光纤输出处测量到的。

然而，数值孔径的极近似值(good approximation)通过以下表达式得到：

$\mathrm{ON}=\sqrt{n_{\max }^2-n_{\min }^2}$

其中n_max和n_min分别为光纤折射率分布的最大折射率和最小折射率。

公知的是，通过在中心纤芯和光学外包层之间增加凹陷槽来降低渐变折射率多模光纤的弯曲损耗。然而，增加这样的凹陷槽会导致被称为泄漏模式的额外传播模式的产生。

图2所示为如图1中所示的根据现有技术的光纤的折射率分布，在中心纤芯和光学外包层之间增加了凹陷槽。相对于图1，观察到位于相对有效折射率的零值以下的额外传播模式。这些额外传播模式或泄漏模式位于5个模式群中。泄漏模式具有比导波模式的有效折射率低的有效折射率。这导致了与不具有凹陷槽的渐变折射率光纤相比，包括凹陷槽的渐变折射率光纤的数值孔径NA增加。在包括具有凹陷槽的渐变折射率光纤和不具有凹陷槽的渐变折射率光纤的系统内，数值孔径的这一差异在连接过程中可能造成损耗。因此，对于渐变折射率分布增加凹陷槽会导致NA的增加，这是不希望的。因此，希望限制由于凹陷槽的增加而导致的NA的增加。

文献US 2008/0166094A和WO 2008/085851A公开了利用凹陷槽来降低渐变折射率光纤中的弯曲损耗。然而，这些文献并未指出如何确保数值孔径相对于不具有凹陷槽的渐变折射率光纤的数值孔径仅略微地增加。换句话说，如何避免由于增加凹陷槽而导致数值孔径的大的增加。

专利文献WO 2006/010798A描述了一种包括渐变折射率中心纤芯和凹陷槽的光纤。中心纤芯的渐变折射率分布在光学外包层的折射率之下延伸，直至凹陷槽的底部。换句话说，折射率在凹陷槽的起始端没有急剧的下降，而是直至到达凹陷槽的底部才逐渐降低。在光学外包层的折射率之下直至凹陷槽底部的阿尔法形中心纤芯的延伸，限制了弯曲损耗的降低，而进一步增加了数值孔径。因此这是不希望的。此外，文献WO 2006/010798A并未表明如何确保数值孔径相对于不具有凹陷槽的渐变折射率光纤的数值孔径仅略微地增加。

因此存在对具有降低的弯曲损耗而数值孔径没有显著增加的渐变折射率光纤的需求。

发明内容

为了这一目的，本发明提供一种根据权利要求1所述的多模光纤。

根据一个实施例，相对于具有相同折射率分布而不具有凹陷槽的光纤，所述光纤的数值孔径的增加小于0.015。

根据一个实施例，相对于具有相同折射率分布而不具有凹陷槽的光纤，所述光纤的数值孔径的增加小于0.010。

根据一个实施例，光纤的中心纤芯的直径为62.5μm±3μm并且数值孔径为0.275±0.015。

根据一个实施例，光纤的中心纤芯的直径为50μm±3μm并且数值孔径为0.2±0.015。

根据一个实施例，光纤的凹陷槽相对于光学外包层的折射率差Δn_t在-6×10^-3和-15×10^-3之间。

根据一个实施例，光纤的凹陷槽相对于光学外包层的折射率差Δn_t在-7×10^-3和-10×10^-3之间。

根据一个实施例，光纤的凹陷槽的宽度W_t小于4.5μm，优选地等于或大于1.5μm或者等于或大于2μm。

根据一个实施例，内包层的半径r₂与中心纤芯的半径r₁之间的差(即内包层的宽度)在0μm和5μm之间。

根据一个实施例，光纤的内包层的半径r₂与中心纤芯的半径r₁之间的差为0μm(即r₁＝r₂)，因此凹陷槽与中心纤芯直接接触。

根据一个实施例，相对于具有相同折射率分布而不具有凹陷槽的光纤，所述光纤在波长850nm时绕15mm的曲率半径两圈的弯曲损耗至少降低40％。

根据一个实施例，相对于具有相同折射率分布而不具有凹陷槽的光纤，所述光纤在波长850nm时绕10mm的曲率半径两圈的弯曲损耗至少降低30％。

根据一个实施例，相对于具有相同折射率分布而不具有凹陷槽的光纤，所述光纤在波长850nm时绕7.5mm的曲率半径两圈的弯曲损耗至少降低20％。

根据一个实施例，相对于具有相同折射率分布而不具有凹陷槽的光纤，所述光纤在波长850nm时绕5mm的曲率半径两圈的弯曲损耗至少降低20％。

附图说明

在阅读以下仅作为范例并结合附图给出的本发明的实施例的详细说明时，本发明的其他特征和优点将变得明显，附图示出：

图1所示为具有阿尔法(α)折射率分布的光纤的折射率分布以及在该光纤中传播的模式；

图2所示为包括增加的凹陷槽的图1中的光纤的折射率分布，以及在该光纤中传播的模式；

图3所示为根据现有技术的光纤的折射率分布的一个范例。

图4为显示在图2所描述的光纤中泄漏模式的泄漏损耗的图形，泄漏模式的泄漏损耗为模式的相对有效折射率的函数；

图5所示为在具有不同的凹陷槽体积的光纤中传播的模式的模式功率分布，模式功率分布为模式的基模数(principle mode number)的函数；

图6所示为在增加凹陷槽的光纤中所产生的数值孔径的增加，数值孔径的增加为凹陷槽的体积的函数；

图7所示为绕在5mm和15mm之间变化的曲率半径Rc两圈的弯曲损耗，该弯曲损耗为凹陷槽的体积的函数；

图8所示为根据本发明的光纤的折射率分布的另一范例；

图9所示为在槽宽2μm而且具有不同深度的带槽(trench-assisted)多模光纤的OFL条件下2m之后的模式功率分布。

具体实施方式

根据现有技术的光纤的折射率分布将结合图3得到较好描述。根据本发明的光纤的折射率分布将结合图8得到较好描述。根据现有技术的光纤是多模光纤，其包括中心纤芯和凹陷槽，中心纤芯的半径为r₁并且相对于光学外包层具有阿尔法折射率分布，凹陷槽的宽度为W_t(μm)并且其折射率与光学外包层的折射率之间的折射率差为Δn_t。凹陷槽的体积V(μm)由表达式V＝1000×W_t×Δn_t来定义。根据本发明的光纤是多模光纤，其包括：中心纤芯，其半径为r₁并且相对于光学外包层具有阿尔法折射率分布；内包层，其半径为r₂且相对于光学外包层的折射率差为Δn₂；以及凹陷槽，其宽度为W_t(μm)并且其折射率与光学外包层的折射率之间的折射率差为Δn_t。凹陷槽的体积V(μm)由表达式V＝1000×W_t×Δn_t来定义。根据本发明的光纤为，使得渐变中心纤芯的端部和光学外包层之间的折射率差为零，并且凹陷槽的体积V在-40μm和-30μm之间。凹陷槽的体积V的值的范围以及渐变中心纤芯的端部和光学外包层之间的折射率差确保了在凹陷槽中传播的泄漏模式具有有限的功率。因此，泄漏模式对根据本发明的光纤所传输的信号在有限的范围内起作用，并且，与不具有凹陷槽的渐变折射率光纤相比，数值孔径在有限的范围内增加。因此，根据本发明的渐变折射率光纤具有降低的弯曲损耗，而其数值孔径没有表现出显著的增加。下面更加详细地释根据本发明的光纤的优点。

在包括凹陷槽的渐变折射率多模光纤中，泄漏模式在光纤中传播的过程中经受泄漏损耗。图4所示为泄漏模式所经受的呈dB/m形式的泄漏损耗，该泄漏损耗为具有图2所描述的折射率分布的光纤中相对有效折射率的函数。五个连续的图形显示了各个不同的模式群。

通过比较模式群的图形，可以观到，有效折射率小于-2.5×10^-3的模式群的模式的泄漏损耗大于1dB/m。然而，有效折射率大于-2.5×10^-3的模式群的模式的泄漏损耗可以小于1dB/m。因此，模式群的有效折射率越低，泄漏损耗越高。结果，取决于泄漏模式群的有效折射率的值，泄漏模式群对沿光纤传播的信号起到不同的作用。

结合图5将更好地理解泄漏模式对数值孔径计算的影响。图5所示为在光纤中传播两米之后模式群的功率分布，所述光纤在OFL(满注入)条件下受到激励，即对所有模式群具有一致的激励。x轴表示基模数或各个模式群的阶。

曲线1至曲线10是关于渐变折射率光纤而收集到的，所述光纤具有宽度为9μm而且折射率差Δn_t在-1×10^-3和-10×10^-3之间的凹陷槽。换句话说，曲线1至曲线10对应于凹陷槽的体积在-9μm和-90μm之间变化的光纤。

图5中标记为“REF”的曲线是不具有凹陷槽的渐变折射率光纤的基准特性曲线。可以观察到，18个第一模式群具有逐渐增加的功率分布。第18模式群是当计算光纤的数值孔径时有效折射率被用作最小有效折射率n_eff，min的模式群。然后，得到0.190的数值孔径。

通过为基准光纤增加凹陷槽，增加了更多的模式群。例如，曲线6对应于增加宽度为9μm并且折射率差为-6×10^-3的槽的基准光纤。可以观察到，与基准曲线相比较，曲线6具有8个额外的泄漏模式群，即19至26阶模式群。在计算与曲线6对应的光纤的数值孔径时，26阶模式群必须是有效折射率被用作最小有效折射率n_eff，min的模式群。

然而，在计算数值孔径时，认为满足下列关系式的模式群的作用是显著的：

$\underset{i=1}{\overset{n}{\mathrm{\Σ}}}{10}^{-2{\mathrm{\α}}_{\text{i}}}>E\left(\frac{m-1}{2}\right)$

其中，n是m阶模式群中模式的数量，α_i是m阶模式群的第i个模式的呈dB/m形式的泄漏损耗，并且

是分数式

的整数部分。

这一关系式还可以借助图5中以台阶形式示出的表示函数

的极限曲线图形化地表示。因此，对于光纤，表示功率分布的点位于极限曲线以上的最后一个模式群是在计算光纤的数值孔径时有效折射率可被用作n_eff，min的模式群。

在光纤具有宽度为9μm并且与光学外包层的折射率差为-6×10^-3的凹陷槽的范例中，表示功率分布的点位于极限曲线以上的最后一个模式群是22阶模式群。通过考虑1阶和22阶模式群的有效折射率，得到0.214的数值孔径。这样获得的数值孔径值比通过考虑作为在光纤中传播的最后一个模式群的26阶模式群的有效折射率而获得的数值孔径值小。然而，该值反映了在工作条件下包括凹陷槽的多模光纤的实际数值孔径。

因此，更高阶的模式群所受到的衰减允许它们在计算光纤的数值孔径时被忽略。

图5中的曲线还表明，因凹陷槽增加的泄漏模式群的数量取决于凹陷槽的体积。

根据本发明的光纤具有在-40μm和-30μm之间的凹陷槽体积，相对于不具有凹陷槽的光纤，其可以限制数值孔径的增加，同时使弯曲损耗显著降低。

参照图6和图7的图形将更好地理解凹陷槽体积值的范围。

图6的图形在y轴上示出，具有凹陷槽的α分布多模光纤与具有等效阿尔法(α)分布而不具有凹陷槽的基准多模光纤之间数值孔径的差。凹陷槽的体积在x轴上被示出。图形显示了对于数值孔径为0.200的基准光纤和数值孔径为0.215的基准光纤的结果。

图7的图形在y轴上示出，在具有凹陷槽的α分布多模光纤上，在波长850nm时以5mm、7.5mm、10mm和15mm的曲率半径Rc绕两圈的弯曲损耗。凹陷槽的体积在x轴上被示出。

在两个图形上，对于相同的体积值，示出了多对(W_t，Δn_t)。

与具有类似折射率分布而不具有凹陷槽的光纤相比，可以观察到，具有体积小于-40μm的凹陷槽的α分布多模光纤在850nm时绕2圈的弯曲损耗，在Rc＝15mm时至少降低60％，在Rc＝10mm时至少降低50％，在Rc＝7.5mm时至少降低40％，在Rc＝5mm时至少降低40％。然而，相对于不具有凹陷槽的等效α分布多模光纤，光纤的数值孔径可能增加超过0.015。这在与不具有凹陷槽的光纤相连接的情况下可能导致损耗。

还可以看到，相对于不具有凹陷槽的等效α分布多模光纤，具有体积大于-30μm的凹陷槽的α分布多模光纤的数值孔径的增加小于0.010。然而，在凹陷槽的体积大于-30μm的情况下，相对于具有类似折射率分布而不具有凹陷槽的光纤，在850nm时绕2圈的弯曲损耗，在Rc＝15mm时至多降低40％，在Rc＝10mm时至多降低30％，在Rc＝7.5mm时至多降低20％，在Rc＝5mm时至多降低20％。这样，凹陷槽的增加在降低弯曲损耗上显得不那么显著了。

根据本发明的光纤具有如下凹陷槽体积：当与具有相同折射率分布而不具有凹陷槽的光纤相比时，允许数值孔径的增加小于0.015，以至小于0.010。换句话说，根据本发明的光纤限制了由于增加凹陷槽而面对的数值孔径的增加。相对于具有类似折射率分布而不具有凹陷槽的光纤，根据本发明的光纤在850nm时绕2圈的弯曲损耗，在Rc＝15mm时至少降低40％，在Rc＝10mm时至少降低30％，在Rc＝7.5mm时至少降低20％，在Rc＝5mm时至少降低20％。因此，相对于不具有凹陷槽的光纤，该光纤可以限制数值孔径的增加，同时使弯曲损耗显著降低。

根据本发明的光纤，渐变中心纤芯的端部与光学外包层之间的折射率差为零。因此，根据本发明的光纤的弯曲损耗小于具有类似分布而其中心纤芯在光学外包层之下延伸的光纤的弯曲损耗(例如，根据WO2006/010798A)。例如，对于小曲率半径和更高阶模式，相对于具有类似折射率分布而其中心纤芯在光学外包层之下延伸的光纤，根据本发明的光纤的弯曲损耗小了10倍。

根据本发明的光纤包括在中心纤芯和凹陷槽之间包含的半径为r₂的内包层，用于提高光纤的带宽。优选地，半径r₂在0μm和5μm之间，以便在改善光纤的带宽和制造成本增加之间达到平衡。

图9中标记为“REF”的曲线是不具有凹陷槽的渐变折射率光纤的基准特性曲线。可以观察到，18个第一模式群具有逐渐增加的功率贡献。第18模式群是在计算光纤的数值孔径时有效折射率被用作最小有效折射率n_eff，min的模式群。然后，得到0.190的数值孔径。

在根据本发明的光纤的一个范例中，光纤包括中心纤芯、与中心纤芯直接接触的内包层、与内包层直接接触的凹陷槽以及光学外包层。

根据本发明的光纤可以具有多模光纤所特有的中心纤芯直径和数值孔径，以便与标准光纤连接。因此，光纤可以具有例如62.5μm±3μm的中心纤芯直径以及0.275±0.015的数值孔径。光纤可以具有例如50μm±3μm的中心纤芯直径以及0.2±0.015的数值孔径。

根据本发明的光纤可通过由最终预型件拉制来制造。

最终预型件可以通过为初级预型件设置外部包覆层(也就是包覆工艺)来制造。外部包覆层由掺杂的或无掺杂的、天然的或合成的石英玻璃构成。使用多种方法来设置外部包覆层。

在方法的第一范例中，可以通过使天然的或合成的石英颗粒在热的作用下在初级预型件的外周上沉积并玻璃化来设置外部包覆层。例如这种工艺在美国专利5,522,007、5,194,714、6,269,663以及6,202,447中已知。

在方法的另一范例中，初级预型件可以使用石英套管来包覆，石英套管可以是掺杂的也可以不是掺杂的。这样，这一套管可以被熔缩(collapse)在初级预型件上。

在方法的又一范例中，可以通过外部气相沉积(OVD)方法来涂敷包覆层。这里，疏松层首先被沉积在初级预型件的外周上，然后该疏松层被玻璃化以形成玻璃。

初级预型件可以通过外部气相沉积技术例如外部气相沉积(OVD)和气相轴向沉积(VAD)来制造。可选择地，初级预型件可以通过内部沉积技术例如改进的化学气相沉积(MCVD)，火焰化学气相沉积(FCVD)和等离子体化学气相沉积(PCVD)来制造，其中玻璃层被沉积在掺杂或无掺杂的石英玻璃的衬底管的内表面上。

在一个实施例中，利用PCVD工艺来制造初级预型件，这使中心纤芯的渐变折射率分布的形状得到非常精确的控制。

作为化学气相沉积工艺的一部分，凹陷槽可以被沉积在衬底管的内表面上。更典型地，凹陷槽可以(i)通过利用掺氟衬底管作为用于渐变折射率中心纤芯的沉积的内部沉积工艺的起点来制造，或者(ii)通过在渐变折射率中心纤芯之上套上掺氟石英管来制造，凹陷槽本身可以利用外部沉积工艺(例如，OVD或者VAD)来制成。

在又一实施例中，初级预型件通过使用掺氟衬底管的内部沉积工艺来制造。得到的包含沉积层的管可通过一个以上额外的掺氟石英管来加套以便增加凹陷槽的厚度，或者以便制成在宽度上具有变化的折射率的凹陷槽。尽管不是必须的，可以使一个以上额外的套管(例如掺氟衬底管)在进行包覆步骤之前熔缩在初级预型件上。加套和熔缩的工艺有时被称为装套(jacketing)并且可以重复进行，以在初级预型件的外部构造多个玻璃层。

当然，本发明不局限于作为范例描述的各实施例。根据本发明的光纤可以安装在与系统的其它光纤具有良好兼容性的许多传输系统中。

在权利要求中更详细地公开了根据本发明的光纤。

Claims (13)

1.一种多模光纤，从中心到外周包括中心纤芯、内包层、凹陷槽和光学外包层，其中

-所述中心纤芯的半径为r₁，并且相对于所述光学外包层具有阿尔法折射率分布；

-所述内包层的半径为r₂，并且与所述光学外包层的折射率差为Δn₂；

-所述凹陷槽的宽度为W_t，并且相对于所述光学外包层的折射率差为Δn_t，其特征在于

所述阿尔法折射率分布的中心纤芯的端部与所述光学外包层之间的折射率差为零，并且其中，所述凹陷槽的体积V在-40μm和-30μm之间，所述体积由表达式V＝1000×W_t×Δn_t来定义。

2.根据权利要求1所述的光纤，其中，相对于具有相同折射率分布而不具有凹陷槽的光纤，所述光纤的数值孔径的增加小于0.010。

3.根据前述权利要求中任一项所述的光纤，其中，所述凹陷槽相对于所述光学外包层的折射率差Δn_t在-6×10^-3和-15×10^-3之间。

4.根据前述权利要求中任一项所述的光纤，其中，所述凹陷槽相对于所述光学外包层的折射率差Δn_t在-7×10^-3和-10×10^-3之间。

5.根据前述权利要求中任一项所述的光纤，其中，所述凹陷槽的宽度W_t小于4.5μm，优选地大于1.5μm以至大于2μm。

6.根据前述权利要求中任一项所述的光纤，其中，所述内包层的半径r₂与所述中心纤芯的半径r₁之间的差在0μm和5μm之间。

7.根据权利要求6所述的光纤，其中，所述内包层的半径r₂与所述中心纤芯的半径r₁之间的差是0μm，并且其中所述凹陷槽与所述中心纤芯直接接触。

8.根据前述权利要求中任一项所述的光纤，其中，所述中心纤芯的直径为62.5μm±3μm，并且数值孔径为0.275±0.015。

9.根据权利要求1至4中任一项所述的光纤，其中，所述中心纤芯的直径为50μm±3μm，并且数值孔径为0.2±0.015。

10.根据前述权利要求中任一项所述的光纤，相对于具有相同折射率分布而不具有凹陷槽的光纤，在波长850nm时绕15mm的曲率半径两圈的弯曲损耗至少降低40％。

11.根据前述权利要求中任一项所述的光纤，相对于具有相同折射率分布而不具有凹陷槽的光纤，在波长850nm时绕10mm的曲率半径两圈的弯曲损耗至少降低30％。

12.根据前述权利要求中任一项所述的光纤，相对于具有相同折射率分布而不具有凹陷槽的光纤，在波长850nm时绕7.5mm的曲率半径两圈的弯曲损耗至少降低20％。

13.根据前述权利要求中任一项所述的光纤，相对于具有相同折射率分布而不具有凹陷槽的光纤，在波长850nm时绕5mm的曲率半径两圈的弯曲损耗至少降低20％。

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