CN102016705A - 有源矩阵基板、有源矩阵基板的制造方法、液晶面板、液晶面板的制造方法、液晶显示装置、液晶显示单元以及电视接收机 - Google Patents

有源矩阵基板、有源矩阵基板的制造方法、液晶面板、液晶面板的制造方法、液晶显示装置、液晶显示单元以及电视接收机 Download PDF

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Abstract

一种液晶面板，其具备扫描信号线(16x)、数据信号线(15x)以及扫描信号线和数据信号线所连接的晶体管(12a)，在1个像素(101)内，设置有第1和第2像素电极(17a、17b)，所述液晶面板具备第1和第2电容电极(37a、37b)，第1电容电极(37a)、第1像素电极(17a)以及晶体管的一方导通电极(9a)电连接，并且第2电容电极(37b)和第2像素电极(17b)电连接，第1电容电极(37a)与第2像素电极(17b)形成电容，第2电容电极(37b)与第1像素电极(17a)形成电容。这样的话，在电容耦合型像素分割方式的有源矩阵基板以及具备其的液晶面板中，成为可以提高其成品率的结构。

Description

有源矩阵基板、有源矩阵基板的制造方法、液晶面板、液晶面板的制造方法、液晶显示装置、液晶显示单元以及电视接收机
技术领域
本发明涉及在1个像素区域内设置多个像素电极的有源矩阵基板以及使用该有源矩阵基板的液晶显示装置(像素分割方式)。
背景技术
为了提高液晶显示装置的γ特性的视角依存性(例如，抑制画面的浮白等)，提出如下液晶显示装置(像素分割方式，例如，参照专利文献1)：将在1个像素内所设置的多个子像素控制为不同的亮度，通过这些子像素的面积灰度级来显示中间灰度级。
在专利文献1记载的有源矩阵基板中，如图41所示，在1个像素区域内，3个像素电极121a～121c沿着数据信号线115排列，晶体管116的源极电极116s连接到接触电极117a，接触电极117a和控制电极118通过引出配n线11 9连接，控制电极118和接触电极117b通过引出配线126连接，接触电极117a和像素电极121a通过接触孔120a连接，接触电极117b和像素电极121c通过接触孔120b连接，电悬浮的像素电极112b通过绝缘层与控制电极118重叠，像素电极121b相对于像素电极121a、121c分别进行电容耦合(电容耦合型像素分割方式)。另外，在控制电极118与电容配线113重叠的部分形成保持电容。在使用了该有源矩阵基板的液晶显示装置中，可以使像素电极121a、121c所对应的子像素分别成为亮子像素，使像素电极121b所对应的子像素成为暗子像素，可以通过这些亮子像素(2个)、暗子像素(1个)的面积灰度级来显示中间灰度级。
专利文献1：特开2006-39290号公报(公开日：2006年2月9日)
发明内容
但是，在图41的有源矩阵基板中，例如，在控制电极118和像素电极121b发生短路的情况下，可以通过切断引出配线119来避免从数据信号线向像素电极121b写入信号电位，但是，不能控制像素电极121b的电位。这样，在以往的有源矩阵基板中，像素电极121b所对应的子像素(暗子像素)易于成为缺陷，成为成品率降低的原因。
鉴于上述问题，在本发明中提出了如下方案：在电容耦合型像素分割方式的有源矩阵基板中，采用可提高其成品率的结构。
本有源矩阵基板具备扫描信号线、数据信号线以及扫描信号线和数据信号线所连接的晶体管，在1个像素区域内设置有第1和第2像素电极，其特征在于：具备第1和第2电容电极，第1电容电极、第1像素电极以及上述晶体管的一方导通电极电连接，并且第2电容电极和第2像素电极电连接，第1电容电极与第2像素电极形成电容，第2电容电极与第1像素电极形成电容。
上述结构是在电容耦合型像素分割方式的有源矩阵基板中，将在1个像素区域内所设置的第1和第2像素电极通过并列的2个电容(耦合电容)连接。这样的话，在制造工序等中，即使一方电容产生缺陷，也可以通过另一方电容，将写入了来自数据信号线的信号电位的第1像素电极和第2像素电极维持在连接状态。例如，即使在第1像素电极和第2像素电极发生短路的情况下，将第1电容电极在与第1像素电极连接的位置和短路位置之间切断，由此可以将写入了来自数据信号线的信号电位的第1像素电极和第2像素电极通过电容维持在连接状态。由此可以提高本有源矩阵基板以及具备其的液晶面板的制造成品率。
在本有源矩阵基板中，也可以采用如下结构：在同层中形成上述晶体管的一方导通电极、第1电容电极以及第2电容电极。这样的话，可以简化有源矩阵基板的层结构和制造工序。
在本有源矩阵基板中，也可以采用如下结构：第1电容电极的至少一部分隔着覆盖晶体管的沟道的层间绝缘膜与第2像素电极重叠，第2电容电极的至少一部分隔着上述层间绝缘膜与第1像素电极重叠。
在本有源矩阵基板中，也可以采用如下结构：第1和第2像素电极的外周包括多个边，并且第1像素电极的一边与第2像素电极的一边相邻，第1和第2电容电极分别被配置为与该相邻的2边的间隙、第1像素电极以及第2像素电极重叠。这样的话，存在如下优点：即使在第1和第2像素电极的对准相对于第1和第2电容电极在与上述间隙正交的方向上发生偏离的情况下，第1电容电极和第2像素电极重叠的面积与第2电容电极和第1像素电极重叠的面积互相补偿，2个电容(耦合电容)的总量也难以改变。在这种情况下，也可以采用假设将第1电容电极以上述间隙上的点为中心旋转180°，则与第2电容电极大致一致的结构。另外，也可以采用假设使第1电容电极在上述间隙的长度方向上平行移动，并且以与该长度方向平行且穿过间隙中央的线为轴进行线对称移动，则与第2电容电极大致一致的结构。
在本有源矩阵基板中，也可以采用如下结构：上述晶体管的一方导通电极通过接触孔连接到第1像素电极，并且该导通电极通过从其引出的引出配线连接到第1电容电极。
在本有源矩阵基板中，也可以采用如下结构：上述晶体管的一方导通电极与第1像素电极通过接触孔连接，并且第1像素电极与第1电容电极通过接触孔连接。
在本有源矩阵基板中，也可以采用如下结构：将扫描信号线的延伸方向作为行方向，第1和第2像素电极在列方向上排列。另外，也可以采用如下结构：将扫描信号线的延伸方向作为行方向，第1和第2像素电极在行方向上排列。另外，也可以采用第1像素电极包围第2像素电极的结构。另外，也可以采用第2像素电极包围第1像素电极的结构。
在本有源矩阵基板中，也可以采用如下结构：从平面图上看，第1像素电极比第2像素电极更接近上述晶体管。
在本有源矩阵基板中，也可以采用如下结构：对于在行方向上相邻的2个像素区域而言，其一方的第1像素电极与另一方的第2像素电极在行方向上相邻。另外，也可以采用如下结构：对于在列方向上相邻的2个像素电极而言，其一方的第1像素电极与另一方的第2像素电极在列方向上相邻。
在本有源矩阵基板中，也可以采用如下结构：具备保持电容配线，其与第1像素电极或者电连接到该第1像素电极的导电体形成电容，并且与第2像素电极或者电连接到该第2像素电极的导电体形成电容。在这种情况下，也可以采用上述保持电容配线以横穿像素区域中央的方式在与扫描信号线相同的方向上延伸的结构。另外，也可以采用第1电容电极和第2电容电极分别与保持电容配线形成电容的结构。
在本有源矩阵基板中，也可以采用如下结构：上述层间绝缘膜包括无机绝缘膜和比该无机绝缘膜厚的有机绝缘膜，但是对于与第1电容电极和第2像素电极重叠的部分的至少一部分以及与第2电容电极和第1像素电极重叠的部分的至少一部分，除去了有机绝缘膜。
在本有源矩阵基板中，也可以采用如下结构：第1和第2像素电极的间隙发挥取向控制构造物的功能。
在本有源矩阵基板中，也可以采用如下结构：第1和第2像素电极的外周包括多个边，并且第1像素电极的一边与第2像素电极的一边相邻，第1和第2电容电极分别被配置为与该相邻的2边的间隙、第1像素电极以及第2像素电极重叠，在上述保持电容配线中，设置有与上述间隙和第1电容电极重叠的开口部。
在本有源矩阵基板中，也可以采用如下结构：第1像素电极包围第2像素电极，包含与上述第2像素电极的外周平行的2个边，并且在第1像素电极的外周，包含与上述2个边的一方通过第1间隙对置的边以及与另一方通过第2间隙对置的边，第1电容电极被配置为与第1像素电极、第1间隙以及第2像素电极重叠，并且第2电容电极被配置为与第2像素电极、第2间隙以及第1像素电极重叠。
本有源矩阵基板的制造方法是具备扫描信号线、数据信号线以及扫描信号线和数据信号线所连接的晶体管，在1个像素区域内，设置有第1和第2像素电极的有源矩阵基板的制造方法，其特征在于：包括形成第1电容电极和第2电容电极的工序、检测工序以及切断工序，所述第1电容电极电连接到上述第1像素电极和上述晶体管的一方导通电极，并且与第2像素电极形成电容，所述第2电容电极电连接到上述第2像素电极，并且与第1像素电极形成电容，所述检测工序检测第1电容电极和第2像素电极的短路以及第2电容电极和第1像素电极的短路的至少一方，所述切断工序是在检测出第1电容电极和第2像素电极的短路的情况下，将第1电容电极在与第1像素电极连接的位置和短路位置之间切断，在检测出第2电容电极和第1像素电极的短路的情况下，将第2电容电极在与第2像素电极连接的位置和短路位置之间切断。
本有源矩阵基板的制造方法是具备扫描信号线、数据信号线、保持电容配线以及扫描信号线和数据信号线所连接的晶体管，在1个像素区域内，设置有第1和第2像素电极的有源矩阵基板的制造方法，其特征在于：包括形成第1电容电极和第2电容电极的工序、检测工序以及切断工序，所述第1电容电极电连接到上述第1像素电极和上述晶体管的一方导通电极，并且与第2像素电极和保持电容配线分别形成电容，所述第2电容电极电连接到上述第2像素电极，并且与第1像素电极和保持电容配线分别形成电容，所述检测工序检测第1电容电极和第2像素电极的短路、第2电容电极和第1像素电极的短路、第1电容电极和保持电容配线的短路以及第2电容电极和保持电容配线的短路的至少一种，所述切断工序是在发生第1电容电极和第2像素电极的短路或者第1电容电极和保持电容配线的短路的情况下，将第1电容电极在与第1像素电极连接的位置和短路位置之间切断，在发生第2电容电极和第1像素电极的短路或者第2电容电极和保持电容配线的短路的情况下，将第2电容电极在与第2像素电极连接的位置和短路位置之间切断。
本液晶面板的制造方法是具备扫描信号线、数据信号线以及扫描信号线和数据信号线所连接的晶体管，在1个像素内，设置有第1和第2像素电极的液晶面板的制造方法，其特征在于：包括形成第1电容电极和第2电容电极的工序、检测工序以及切断工序，所述第1电容电极电连接到上述第1像素电极和上述晶体管的一方导通电极，并且与第2像素电极形成电容，所述第2电容电极电连接到上述第2像素电极，并且与第1像素电极形成电容，所述检测工序检测第1电容电极和第2像素电极的短路以及第2电容电极和第1像素电极的短路的至少一方，所述切断工序是在检测出第1电容电极和第2像素电极的短路的情况下，将第1电容电极在与第1像素电极连接的位置和短路位置之间切断，在检测出第2电容电极和第1像素电极的短路的情况下，将第2电容电极在与第2像素电极连接的位置和短路位置之间切断。
本液晶面板的制造方法是具备扫描信号线、数据信号线、保持电容配线以及扫描信号线和数据信号线所连接的晶体管，在1个像素内，设置有第1和第2像素电极的液晶面板的制造方法，其特征在于：包括形成第1电容电极和第2电容电极的工序、检测工序以及切断工序，所述第1电容电极电连接到上述第1像素电极和上述晶体管的一方导通电极，并且与第2像素电极和保持电容配线分别形成电容，所述第2电容电极电连接到上述第2像素电极，并且与第1像素电极和保持电容配线分别形成电容，所述检测工序检测第1电容电极和第2像素电极的短路、第2电容电极和第1像素电极的短路、第1电容电极和保持电容配线的短路以及第2电容电极和保持电容配线的短路的至少一种，所述切断工序是在发生第1电容电极和第2像素电极的短路或者第1电容电极和保持电容配线的短路的情况下，将第1电容电极在与第1像素电极连接的位置和短路位置之间切断，在发生第2电容电极和第1像素电极的短路或者第2电容电极和保持电容配线的短路的情况下，将第2电容电极在与第2像素电极连接的位置和短路位置之间切断。
本液晶面板的特征在于具备上述有源矩阵基板。另外，本液晶显示单元的特征在于具备上述液晶面板和驱动器。另外，本液晶显示装置的特征在于具备上述液晶显示单元和光源装置。另外，本电视接收机的特征在于具备上述液晶显示装置和接收电视播放的调谐器部。
如上所述，本发明是在电容耦合型像素分割方式的有源矩阵基板中，将1个像素区域内所设置的第1和第2像素电极通过并列的2个电容(耦合电容)连接。这样的话，在制造工序等中即使一方电容发生问题，也可以通过另一方电容将写入来自数据信号线的信号电位的第1像素电极和第2像素电极维持在连接状态，可以提高本有源矩阵基板的制造成品率。
附图说明
图1是示出本实施方式1的液晶面板的结构的电路图。
图2是示出图1的液晶面板的一个具体例的平面图。
图3是图2的X-Y箭头所示截面图。
图4是图2的变形结构的X-Y箭头所示截面图。
图5是示出具备图1的液晶面板的液晶显示装置的驱动方法的时序图。
图6是示出在使用图5的驱动方法的情况下每一帧的显示状态的示意图。
图7是示出图2的液晶面板的修正方法的平面图。
图8是示出图1所示液晶面板的其它具体例的平面图。
图9是示出图1所示液晶面板的其它具体例的平面图。
图10是示出图1所示液晶面板的其它具体例的平面图。
图11是示出本实施方式1的液晶面板的其它结构的电路图。
图12是示出图11所示液晶面板的具体例的平面图。
图13是示出本实施方式1的液晶面板的其它结构的电路图。
图14是示出在具备图13的液晶面板的液晶显示装置中使用图5的驱动方法的情况下每一帧的显示状态的示意图。
图15是示出图13所示液晶面板的具体例的平面图。
图16是示出本实施方式2的液晶面板的结构的电路图。
图17是示出在具备图16的液晶面板的液晶显示装置中使用图5的驱动方法的情况下每一帧的显示状态的示意图。
图18是示出图16所示液晶面板的具体例的平面图。
图19是示出图16所示液晶面板的其它具体例的平面图。
图20是示出图19的液晶面板的修正方法的平面图。
图21是示出本实施方式2的液晶面板的其它结构的电路图。
图22是示出在具备图21的液晶面板的液晶显示装置中使用图5的驱动方法的情况下每一帧的显示状态的示意图。
图23是示出图21所示液晶面板的具体例的平面图。
图24是示出本实施方式3的液晶面板的结构的电路图。
图25是示出图24所示液晶面板的具体例的平面图。
图26是示出图24所示液晶面板的其它具体例的平面图。
图27是示出图24所示液晶面板的其它具体例的平面图。
图28是示出图24所示液晶面板的其它具体例的平面图。
图29是示出图24所示液晶面板的其它具体例的平面图。
图30是示出图24所示液晶面板的其它具体例的平面图。
图31是示出本实施方式3的液晶面板的其它结构的电路图。
图32是示出图31所示液晶面板的具体例的平面图。
图33是示出图1所示液晶面板的其它具体例的平面图。
图34是示出图2所示液晶面板的变形例的平面图。
图35的(a)是示出本液晶显示单元的结构的示意图，(b)是示出本液晶显示装置的结构的示意图。
图36是说明本液晶显示装置的整体结构的框图。
图37是说明本液晶显示装置的功能的框图。
图38是说明本电视接收机的功能的框图。
图39是示出本电视接收机的结构的分解立体图。
图40是示出图8的液晶面板的修正方法的平面图。
图41是示出以往的液晶面板的结构的平面图。
附图标记说明：
101～104：像素；12a、12c、12A：晶体管；15x、15y：数据信号线；16x、16y：扫描信号线；17a、17b、17c、17d、17A、17B：像素电极；18p、18q：保持电容配线；22：无机栅极绝缘膜；25：无机层间绝缘膜；26：有机层间绝缘膜；37a、37b、37A、37B、37c、37d：电容电极；84：液晶显示单元；800：液晶显示装置。
具体实施方式
如果用图1～图39来说明本发明的实施方式的例子，则如下所示。此外，为了便于说明，下面将扫描信号线的延伸方向作为行方向。但是，在具备本液晶面板(或者其所用的有源矩阵基板)的液晶显示装置的使用(视听)状态下，当然该扫描信号线可以在横向上延伸，也可以在纵向上延伸。另外，适当地省略记载在液晶面板中所形成的用于控制取向的构造物。
(实施方式1)
图1是示出实施方式1的液晶面板的一部分的等价电路图。如图1所示，本液晶面板具备在列方向(图中上下方向)上延伸的数据信号线(15x、15y)、在行方向(图中左右方向)上延伸的扫描信号线(16x、16y)、在行和列方向上排列的像素(101～104)、保持电容配线(18p、18q)以及公共电极(对置电极)com，各像素的结构是相同的。此外，包含像素101、102的像素列与包含像素103、104的像素列相邻，包含像素101、103的像素行与包含像素102、104的像素行相邻。
在本液晶面板中，对应1个像素设置有1个数据信号线和1个扫描信号线。在1个像素内，2个像素电极在列方向上被排列而设置，在像素101中所设置的2个像素电极17a、17b以及在像素102中所设置的2个像素电极17c、17d被配置为一列，并且在像素103中所设置的2个像素电极17A、17B以及在像素104中所设置的2个像素电极17C、17D被配置为一列，像素电极17a和17A、像素电极17b和17B、像素电极17c和17C以及像素电极17d和17D分别在行方向上相邻。
在像素101中，像素电极17a、17b通过并列配置的耦合电容Cab1、Cab2连接，像素电极17a通过扫描信号线16x所连接的晶体管12a连接到数据信号线15x，在像素电极17a和保持电容配线18p之间形成保持电容Cha，在像素电极17b和保持电容配线18p之间形成保持电容Chb，在像素电极17a和公共电极com之间形成液晶电容Cla，在像素电极17b和公共电极com之间形成液晶电容Clb。
另外，在与像素101在列方向上相邻的像素102中，像素电极17c、17d通过并列配置的耦合电容Ccd1、Ccd2连接，像素电极17c通过扫描信号线16y所连接的晶体管12c连接到数据信号线15x，在像素电极17c和保持电容配线18q之间形成保持电容Chc，在像素电极17d和保持电容配线18q之间形成保持电容Chd，在像素电极17c和公共电极com之间形成液晶电容Clc，在像素电极17d和公共电极com之间形成液晶电容Cld。
另外，在与像素101在行方向上相邻的像素103中，像素电极17A、17B通过并列配置的耦合电容CAB1、CAB2连接，像素电极17A通过扫描信号线16x所连接的晶体管12A连接到数据信号线15y，在像素电极17A和保持电容配线18p之间形成保持电容ChA，在像素电极17B和保持电容配线18p之间形成保持电容ChB，在像素电极17A和公共电极com之间形成液晶电容ClA，在像素电极17B和公共电极com之间形成液晶电容ClB。
在具备本液晶面板的液晶显示装置中，顺序进行扫描，顺序选择扫描信号线16x、16y。例如，在选择了扫描信号线16x的情况下，像素电极17a连接到数据信号线15x(通过晶体管12a)，像素电极17a与像素电极17b通过耦合电容Cab1、Cab2进行电容耦合，因此，如果使得Cla的电容值＝Clb的电容值＝Cl，使得Cha的电容值＝Chb的电容值＝Ch，Cab1的电容值＝C1、Cab2的电容值＝C2，将晶体管12a截止后的像素电极17a的电位设为Va，将晶体管12b截止后的像素电极17b的电位设为Vb，则Vb＝Va×〔(C1+C2)/(Cl+Ch+C1+C2)〕。即，|Va|≥|Vb|(此外，例如，|Va|表示Va与com电位＝Vcom的电位差)，因此，当显示中间灰度级时，可以使包含像素电极17a的子像素成为亮子像素，使包含像素电极17b的子像素成为暗子像素，通过这些明、暗子像素的面积灰度级进行显示。由此可以提高上述液晶显示装置的视角特性。
将图1的像素101的具体例在图2中示出。如该图所示，在数据信号线15x与扫描信号线16x的交叉部附近配置晶体管12a，在由两个信号线(15x、16x)划分的像素区域内，长方形形状的像素电极17a和长方形形状的像素电极17b在列方向上排列，构成第1像素电极外周的4边中的1边与构成第2像素电极外周的4边中的1边相邻。并且，电容电极37a、37b分别被配置为与该相邻的2边的间隙(像素电极17a、17b的间隙)、像素电极17a以及像素电极17b重叠，另外，在行方向上延伸的保持电容配线18p被配置为与上述间隙整体重叠。
更详细地说，电容电极37a是L字形状，包括沿着数据信号线15x在列方向上延伸的第1部分和从第1部分的前端开始在行方向上延伸的第2部分，第1部分与像素电极17a、上述间隙(像素电极17a、17b的间隙)以及像素电极17b重叠，并且第2部分与像素电极17b重叠。另外，当使电容电极37a以上述间隙上的点(例如，间隙中央的点)为中心旋转180°时，与电容电极37b大致一致，电容电极37b包括沿着数据信号线15y在列方向上延伸的第1部分和从第1部分的前端开始在行方向上延伸的第2部分，第1部分与像素电极17b、上述间隙以及像素电极17a重叠，并且第2部分与像素电极17a重叠。
并且，在扫描信号线16x上，形成晶体管12a的源极电极8a和漏极电极9a，源极电极8a连接到数据信号线15x。漏极电极9a连接到漏极引出配线27a，漏极引出配线27a连接到在同一层中所形成的电容电极37a的第1部分，并且通过接触孔11a连接到像素电极17a，如上所述，电容电极37a的第2部分隔着层间绝缘膜与像素电极17b重叠，在两者的重叠部分形成像素电极17a、17b之间的耦合电容Cab1(参照图1)。另外，电容电极37b的第1部分通过接触孔11b连接到像素电极17b，并且，如上所述，电容电极37b的第2部分隔着层间绝缘膜与像素电极17a重叠，在两者的重叠部分形成像素电极17a、17b之间的耦合电容Cab2(参照图1)。另外，电容电极37a隔着栅极绝缘膜与保持电容配线18p重叠，在两者的重叠部分形成保持电容Cha(参照图1)的大部分。另外，电容电极37b隔着栅极绝缘膜与保持电容配线18p重叠，在两者的重叠部分形成保持电容Chb(参照图1)的大部分。
图3是图2的X-Y箭头所示截面图。如该图所示，本液晶面板具备有源矩阵基板3、与其对置的滤色器基板30以及在两基板(3、30)之间所配置的液晶层40。
在有源矩阵基板3中，在玻璃基板31上形成保持电容配线18p，覆盖它们而形成无机栅极绝缘膜22。此外，虽未图示，扫描信号线也在基板上形成。在无机栅极绝缘膜22的上层，形成半导体层(i层和n+层，未图示)、与n+层相接的源极电极和漏极电极(均未图示)、漏极引出配线27a以及电容电极37a、37b，覆盖它们而形成无机层间绝缘膜25。在无机层间绝缘膜25上形成像素电极17a、17b，并且，覆盖它们(像素电极17a、17b)而形成取向膜(未图示)。在此，通过接触孔11a，层间绝缘膜25被贯通，由此连接像素电极17a和漏极引出配线27a。同样地，通过接触孔11b，无机层间绝缘膜25被贯通，由此连接像素电极17b和电容电极37b。另外，与漏极引出配线27a在同层中连接的电容电极37a隔着无机层间绝缘膜25与像素电极17b重叠，由此形成耦合电容Cab1(参照图1)。另外，电容电极37b隔着无机层间绝缘膜25与像素电极17a重叠，由此形成耦合电容Cab2(参照图1)。另外，电容电极37a隔着无机栅极绝缘膜22与保持电容配线18p重叠，由此形成保持电容Cha(参照图1)。另外，电容电极37b隔着无机栅极绝缘膜22与保持电容配线18p重叠，由此形成保持电容Chb(参照图1)。
另一方面，在滤色器基板30中，在玻璃基板32上形成着色层14，在其上层形成公共电极(com)28，并且覆盖其而形成取向膜(未图示)。
图5是示出具备图1、2所示液晶面板的本液晶显示装置(常黑模式的液晶显示装置)的驱动方法的时序图。此外，Sv和SV示出对相邻的2个数据信号线15x、15y分别供给的信号电位，Gx、Gy示出对扫描信号线16x、16y供给的栅极导通脉冲信号，Va、Vb、VA、VB、Vc、Vd分别示出像素电极17a、17b、17A、17B、17c、17d的电位。
在该驱动方法中，如图5所示，顺序选择扫描信号线，使供给到数据信号线的信号电位的极性每隔1水平扫描期间(1H)反转一次，并且使各帧中同一编号的水平扫描期间所供给的信号电位的极性以1帧为单位进行反转，且在同一水平扫描期间对相邻的2个数据信号线供给相反极性的信号电位。
具体地说，对于连续的帧F1、F2，在F1中，顺序选择扫描信号线(例如，将扫描信号线16x、16y按照该顺序进行选择)，对相邻的2个数据信号线的一方(例如，数据信号线15x)在第n个水平扫描期间(例如，包含像素电极17a的写入期间)供给正极性的信号电位，在第(n+1)个水平扫描期间(例如，包含像素电极17c的写入期间)供给负极性的信号电位，对上述2个数据信号线的另一方(例如，数据信号线15y)在第n个水平扫描期间(例如，包含像素电极17A的写入期间)供给负极性的信号电位，在第(n+1)个水平扫描期间(例如，包含像素电极17C的写入期间)供给正极性的信号电位。由此如图5所示，成为|Va|≥|Vb|、|Vc|≥|Vd|、|VA|≥|VB|，包含像素电极17a(正极性)的子像素成为亮子像素(下面称为“亮”)，包含像素电极17b(正极性)的子像素成为暗子像素(下面为称“暗”)，包含像素电极17c(负极性)的子像素成为“亮”，包含像素电极17d(负极性)的子像素成为“暗”，包含像素电极17A(负极性)的子像素成为“亮”，包含像素电极17B(负极性)的子像素成为“暗”，整体如图6的(a)所示。
另外，在F2中，顺序选择扫描信号线(例如，将扫描信号线16x、16y按照该顺序进行选择)，对相邻的2个数据信号线的一方(例如，数据信号线15x)在第n个水平扫描期间(例如，包含像素电极17a的写入期间)供给负极性的信号电位，在第(n+1)个水平扫描期间(例如，包含像素电极17c的写入期间)供给正极性的信号电位，对上述2个数据信号线的另一方(例如，数据信号线15y)在第n个水平扫描期间(例如，包含像素电极17A的写入期间)供给正极性的信号电位，在第(n+1)个水平扫描期间(例如，包含像素电极17C的写入期间)供给负极性的信号电位。由此如图5所示，成为|Va |≥|Vb|、|Vc|≥|Vd|、|VA|≥|VB|，包含像素电极17a(负)的子像素成为“亮”，包含像素电极17b(负)的子像素成为“暗”，包含像素电极17c(正极性)的子像素成为“亮”，包含像素电极17d(正极性)的子像素成为“暗”，包含像素电极17A(正极性)的子像素成为“亮”，包含像素电极17B(正极性)的子像素成为“暗”，整体如图6的(b)所示。
此外，在图2中省略了用于控制取向的构造物的记载，例如，在MVA(多畴垂直取向)方式的液晶面板中，例如，如图32所示，在像素电极17a中设置用于控制取向的狭缝S1～S4，在滤色器基板的像素电极17a所对应的部分设置用于控制取向的肋L1、L2，在像素电极17b中设置用于控制取向的狭缝S5～S8，在滤色器基板的像素电极17b所对应的部分设置用于控制取向的肋L3、L4。此外，也可以替代如上所述的用于控制取向的肋而在滤色器基板的公共电极中设置用于控制取向的狭缝。
在图2的液晶面板中，将像素电极17a和像素电极17b通过并列的2个耦合电容(Cab1、Cab2)连接(电容耦合)，因此，例如，即使在图2的P点漏极引出配线27a(在制造工序等中)发生断线，也可以将写入来自数据信号线15x的信号电位的像素电极17a和像素电极17b通过电容维持在连接状态。
另外，在电容电极37a的第2部分与保持电容配线18p或者像素电极17b(在制造工序等中)发生短路的情况下，进行如下修正工序：将漏极引出配线27a在接触孔11a之后的部分进行切断，或者将电容电极37a在与漏极引出配线27a连接的位置和短路位置之间进行激光切断，由此可以将写入来自数据信号线15x的信号电位的像素电极17a和像素电极17b通过电容维持在连接状态。
另外，在电容电极37b的第2部分与保持电容配线18p或者像素电极17a发生短路的情况下，将电容电极37b在与像素电极17b连接的位置和短路位置之间进行激光切断即可。
在有源矩阵基板的阶段进行上述修正工序的情况下，从有源矩阵基板的背面(玻璃基板侧)对漏极引出配线27a(接触孔11a之后的部分)照射激光而将其切断(参照图7)，或者，从有源矩阵基板的正面(玻璃基板的相反侧)，通过像素电极17a、17b的间隙对电容电极37a的第1部分照射激光而将其切断。如上所述，从有源矩阵基板的正面照射激光将电容电极37a切断的方法存在进行修正工序时不使有源矩阵基板反转的优点，相反地，存在使电容电极37a和保持电容配线18p之间的短路重新发生的担心。为了消除该担心，例如，如图34所示，在保持电容配线18p上，形成与像素电极17a、17b的间隙重叠的开口部Ap即可。此外，在从有源矩阵基板的背面照射激光将漏极引出配线27a切断的方法中，也存在使漏极引出配线27a和像素电极17a之间的短路重新发生的可能性，但是两者原本都是通过接触孔11a连接，因此不成为问题。另一方面，在液晶面板阶段进行上述修正工序的情况下，从液晶面板背面(有源矩阵基板的玻璃基板侧)对漏极引出配线27a(接触孔11a之后的部分)照射激光而将其切断。
如上所述，根据本实施方式，可以提高液晶面板、用于其的有源矩阵基板的制造成品率。此外，在图41所示现有的有源矩阵基板(参照)中，当引出配线119发生断线时，不可能控制像素电极121b的电位。另外，在控制电极118和电容配线113发生短路的情况下，通过切断引出配线119可以向像素电极121a写入信号电位，但是，不可能控制像素电极121b的电位。
另外，在图2的液晶面板中，采用如下结构：当使电容电极37a以像素电极17a、17b的间隙上的点为中心旋转180°时，与电容电极37b大致一致，因此，存在如下优点：即使在像素电极17a、17b的对准相对于电容电极37a、37b在与上述间隙正交的方向(列方向)上偏离的情况下，电容电极37a和像素电极17b重叠的面积与电容电极37b和像素电极17a重叠的面积互相补偿，2个耦合电容(Cab1、Cab2)的总量也难以改变。
另外，在图2的液晶面板中，电容电极37a与像素电极17b和保持电容配线18p重叠，电容电极37b与像素电极17a和保持电容配线18p重叠。这样，使为了形成耦合电容所设置的电容电极37a、37b发挥用于形成保持电容的电极的功能，由此可以提高开口率。
下面，说明本液晶面板的制造方法。在液晶面板的制造方法中，包含有源矩阵基板制造工序、滤色器基板制造工序以及使两基板贴合并填充液晶的组装工序，另外，在有源矩阵基板制造工序和组装工序的至少一方的中途或者其后进行检查工序，在通过检查工序检测出像素(子像素)缺陷的情况下，增加用于修正该缺陷的修正工序。
下面，说明有源矩阵基板制造工序。
首先，在玻璃、塑料等基板上，将钛、铬、铝、钼、钽、钨、铜等金属膜、它们的合金膜或者它们的层叠膜(厚度为
Figure BPA00001249207600161
Figure BPA00001249207600162
)通过溅射法来成膜，其后，通过光刻技术(Photo EngravingProcess，下面称为“PEP技术”)进行图案化，形成扫描信号线、晶体管的栅极电极(有时扫描信号线兼做栅极电极)以及保持电容配线。
然后，在形成扫描信号线等的整个基板上，通过CVD(ChemicalVapor Deposition；化学气相沉积)法将氮化硅、氧化硅等无机绝缘膜(厚度为
Figure BPA00001249207600163
左右)成膜，形成栅极绝缘膜。
接着，在栅极绝缘膜上(整个基板)，通过CVD法将本征非晶硅膜(厚度为
Figure BPA00001249207600164
)和掺杂了磷的n+非晶硅膜(厚度为
Figure BPA00001249207600165
)连续成膜，其后，通过PEP技术进行图案化，在栅极电极上，岛状地形成包括本征非晶硅层和n+非晶硅层的硅层叠体。
接着，在形成有硅层叠体的整个基板上，将钛、铬、铝、钼、钽、钨、铜等金属膜、它们的合金膜或者它们的层叠膜(厚度为)通过溅射法来成膜，其后，通过PEP技术进行图案化，形成数据信号线、晶体管的源极电极、漏极电极、漏极引出配线以及电容电极。
并且，将源极电极和漏极电极作为掩模，蚀刻除去构成硅层叠体的n+非晶硅层，形成晶体管的沟道。在此，半导体层如上所述可以由非晶硅膜形成，也可以使多晶硅膜成膜，另外，也可以在非晶硅膜和多晶硅膜中进行激光退火处理来提高结晶性。由此半导体层内的电子的移动速度变快，可以提高晶体管(TFT)的特性。
然后，在形成有数据信号线等的整个基板上，通过CVD法将氮化硅、氧化硅等无机绝缘膜(厚度为
Figure BPA00001249207600171
)成膜，形成无机层间绝缘膜。
其后，通过PEP技术蚀刻除去层间绝缘膜，形成接触孔。然后，在形成有接触孔的层间绝缘膜上的整个基板中，将由ITO(IndiumTin Oxide；铟锡氧化物)、IZO(Indium Zinc Oxide；铟锌氧化物)、氧化锌以及氧化锡等构成的透明导电膜(厚度为)通过溅射法来成膜，其后，通过PEP技术进行图案化，形成各像素电极。
最后，在像素电极上的整个基板上，将聚酰亚胺树脂以
Figure BPA00001249207600173
Figure BPA00001249207600174
的厚度进行印刷，其后，进行烧成，用旋转布在1个方向上进行摩擦处理，形成取向膜。如上所述来制造有源矩阵基板。
下面，说明滤色器基板制造工序。
首先，在玻璃、塑料等基板上(整个基板)上，将铬薄膜或者含有黑色颜料的树脂成膜后，通过PEP技术进行图案化，形成黑矩阵。然后，在黑矩阵的间隙，使用颜料分散法等来图案化形成红色、绿色以及蓝色的滤色器层(厚度为2μm左右)。
接着，在滤色器层上的整个基板上，将由ITO、IZO、氧化锌以及氧化锡等构成的透明导电膜(厚度为
Figure BPA00001249207600175
左右)成膜，形成公共电极(com)。
最后，在公共电极上的整个基板上，将聚酰亚胺树脂以
Figure BPA00001249207600176
Figure BPA00001249207600177
的厚度进行印刷，其后，进行烧成，用旋转布在1个方向上进行摩擦处理，形成取向膜。如上所述，可以制造滤色器基板。
下面，说明组装工序。
首先，在有源矩阵基板和滤色器基板的一方上，通过丝网印刷，将由热固化环氧树脂等构成的密封材料涂成留出液晶注入口部分的框状图案，在另一方基板上撒布具有与液晶层厚度的直径相当的由塑料或者二氧化硅构成的球状间隔物。
然后，粘合有源矩阵基板和滤色器基板，使密封材料固化。
最后，在由有源矩阵基板和滤色器基板以及密封材料所包围的空间内，通过减压法来注入液晶材料后，在液晶注入口涂UV固化树脂，通过照射UV来密封液晶材料，由此形成液晶层。如上所述来制造液晶面板。
下面，说明在有源矩阵基板制造工序的中途(例如，像素电极形成后取向膜形成前)或者有源矩阵基板制造工序后所进行的第1检查工序。在第1检查工序中，对有源矩阵基板进行外观检查、光电检查等，由此检测出发生短路的位置(短路部)。在短路中，例如，存在电容电极和保持电容配线的短路、电容电极和像素电极的短路。此外，所谓外观检查是通过CCD照相机等对配线图案进行光学检查，所谓光电检查是在与有源矩阵基板对置地设置调制器(光电元件)后，在有源矩阵基板和调制器之间施加电压并且射入光，用CCD照相机来捕捉该光的亮度变化，由此对配线图案进行光电检查。
在检测出短路位置的情况下，进行用激光切断发生短路的电容电极或者其所连接的导电体部分(例如，漏极引出配线)的修正工序。在该激光切断中，例如，使用YAG(Yttrium Aluminium Garnet；钇铝石榴石晶体)激光的第4高次谐波(波长为266nm)。如果这样的话，可以提高切断精度。另外，在检测出短路位置的情况下，有时还进行如下工序：把通过接触孔连接到发生短路的电容电极的像素电极中的该接触孔内的部分，通过激光等除去(切除)。此外，在第1检查工序后所进行的修正工序中，通常可以从有源矩阵基板的正面(像素电极侧)或者背面(基板侧)来照射激光。
此外，第1检查工序和修正工序除了在形成像素电极后进行外，也可以在形成电容电极后，或者在形成晶体管的沟道后进行。这样的话，可以在制造工序的更为初期的阶段修正缺陷，可以提高有源矩阵基板的制造成品率。
下面，说明在组装工序后所进行的第2检查工序。在该第2检查工序中，通过对液晶面板进行点亮检查来检测短路位置。在短路中，例如，存在电容电极和保持电容配线的短路、电容电极和像素电极的短路。具体地说，例如，对各扫描信号线输入偏压为-10V、周期为16.7msec以及脉冲宽度为50μsec的+15V的脉冲电压的栅极检查信号而使所有的TFT成为导通状态。并且，对各数据信号线输入每隔16.7msec极性发生反转的、电位为±2V的源极检查信号，通过各TFT的源极电极和漏极电极向像素电极写入±2V所对应的信号电位。同时，对公共电极(com)和保持电容配线以直流输入电位为-1V的公共电极检查信号。此时，对在像素电极和公共电极之间所构成的液晶电容，以及在保持电容配线和电容电极之间所构成的保持电容施加电压，由该像素电极构成的子像素成为点亮状态。并且，在短路位置，该像素电极和保持电容配线导通，成为黑点(常黑)。由此检测出短路位置。
在检测出短路位置的情况下，进行用激光切断发生短路的电容电极或者其所连接的导电体部分(例如，漏极引出配线)的修正工序。此外，在第2检查工序后所进行的修正工序中，通常从有源矩阵基板的背面(有源矩阵基板的基板侧)进行激光照射。
回到图3，也可以在图3的无机层间绝缘膜25上设置比其厚的有机层间绝缘膜，如图4所示，使沟道保护膜(层间绝缘膜)成为二层结构。这样的话，可以得到降低各种寄生电容、防止配线之间的短路以及降低平坦化造成的像素电极开裂等的效果。在这种情况下，如该图所示，优选挖穿在有机层间绝缘膜26中与电容电极37a、37b重叠的部分。这样的话，可以充分地确保耦合电容的电容值，并且可以得到上述效果。
例如，可以如下地形成图4的无机层间绝缘膜25、有机层间绝缘膜26以及接触孔11a、11b。即，在形成晶体管、数据信号线后，使用SiH4气体、NH3气体以及N2气体的混合气体，通过CVD形成由厚度约为
Figure BPA00001249207600191
的SiNx构成的无机层间绝缘膜25(钝化膜)，使其覆盖整个基板面。其后，通过旋涂法、模具涂敷法来形成由厚度约为3μm的正型感光性丙烯酸树脂构成的有机层间绝缘膜26。接着，进行光刻来形成有机层间绝缘膜26的贯通部分以及各种接触用图案，并且，将图案化的有机层间绝缘膜26作为掩模，用CF4气体和O2气体的混合气体来干蚀刻无机层间绝缘膜25。具体地说，例如，对于有机层间绝缘膜的贯通部分通过光刻工序进行半曝光，由此当显影完成时，有机层间绝缘膜较薄地残留，另一方面，对于接触孔部分通过上述光刻工序进行全曝光，由此当显影完成时，有机层间绝缘膜不会残留。在此，如果用CF4气体和O2气体的混合气体进行干蚀刻，则对于有机层间绝缘膜的贯通部分，(有机层间绝缘膜的)残膜被除去，对于接触孔部分，有机层间绝缘膜下的无机层间绝缘膜被除去。此外，有机层间绝缘膜26例如也可以是由SOG(旋涂玻璃)材料构成的绝缘膜，另外，在有机层间绝缘膜26中，也可以包含丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺树脂、聚氨酯树脂、酚醛树脂以及硅氧烷树脂中的至少1种。
也可以将图2的像素101如图8那样进行变形。在图8的结构中，将晶体管12a的漏极电极9a通过接触孔11a连接到像素电极17a，将像素电极17a和电容电极37a通过接触孔111a连接。这样的话，可以缩短连接漏极电极9a和电容电极37a的漏极引出配线，可以提高开口率。另外，在图8的液晶面板中，将像素电极17a和像素电极17b通过并列的2个耦合电容(Cab1、Cab2)连接(电容耦合)，因此，即使在制造工序等中接触孔111a成为形成不良的情况下，也可以将写入来自数据信号线15x的信号电位的像素电极17a和像素电极17b通过电容维持在连接状态。另外，在电容电极37a与保持电容配线18p或者像素电极17b(在制造工序等中)发生短路的情况下，如图40所示，将像素电极17a中的接触孔111a内的部分通过激光等除去(切除)而使像素电极17a和电容电极37a电分离，由此可以将写入来自数据信号线15x的信号电位的像素电极17a和像素电极17b通过电容维持在连接状态。
也可以将图2的像素101如图9那样进行变形。在图9的结构中，在1个像素区域内，长方形形状的像素电极17a和长方形形状的像素电极17b在列方向上排列，构成第1像素电极外周的4边中的1边与构成第2像素电极外周的4边中的1边相邻。在此，电容电极37a、37b分别被配置为与该相邻的2边的间隙(像素电极17a、17b的间隙)、像素电极17a以及像素电极17b重叠，另外，在该间隙下设置有保持电容配线18p。
更详细地说，电容电极37a包括位于间隙上的主体部和向主体部的两侧突出的第1和第2突出部。当使电容电极37a在上述间隙的长度方向上平行移动，并且以与该长度方向平行且穿过间隙中央的假想线为轴进行线对称移动时，与电容电极37b大致一致，电容电极37b包括位于间隙上的主体部和向主体部的两侧突出的第1和第2突出部。
并且，电容电极37a的第2突出部通过接触孔111a连接到像素电极17a，电容电极37a的第1突出部隔着层间绝缘膜与像素电极17b重叠，在两者的重叠部分形成耦合电容Cab1(参照图1)。另外，第2突出部通过接触孔11b连接到像素电极17b，电容电极37b的第1突出部隔着层间绝缘膜与像素电极17a重叠，在两者的重叠部分形成耦合电容Cab2(参照图1)。另外，电容电极37a的主体部隔着栅极绝缘膜与保持电容配线18p重叠，在两者的重叠部分形成保持电容Cha(参照图1)。另外，电容电极37b的主体部隔着栅极绝缘膜与保持电容配线18p重叠，在两者的重叠部分形成保持电容Chb(参照图1)。
在图9的结构中，采用如下结构：当使电容电极37a在上述间隙的长度方向上平行移动，并且以上述假想线为轴进行线对称移动时，与电容电极37b大致一致，因此，存在如下优点：即使像素电极17a、17b的对准相对于电容电极37a、37b在与假想线正交的方向(列方向)上偏离的情况下，电容电极37a和像素电极17b重叠的面积与电容电极37b和像素电极17a重叠的面积相互补偿，2个耦合电容(Cab 1、Cab2)的总量也难以改变。
另外，在图9的结构中，在电容电极37a与保持电容配线18p或者像素电极17b(在制造工序等中)发生短路的情况下，将像素电极17a中的接触孔111a内的部分通过激光等除去(切除)而使像素电极17a和电容电极37a电分离，由此可以将写入来自数据信号线15x的信号电位的像素电极17a和像素电极17b通过电容维持在连接状态。
也可以将图9的像素101如图10那样进行变形。在图10的结构中，在1个像素区域内，切除长方形的1角后的形状的像素电极17a和相同形状的像素电极17b在列方向上排列，使得分别被切除后的部分斜向相对，构成第1像素电极外周的5边中的1边与构成第2像素电极外周的5边中的1边相邻。在此，电容电极37a、37b分别被配置为与该相邻的2边的间隙(像素电极17a、17b的间隙)、像素电极17a以及像素电极17b重叠，另外，在行方向上延伸的保持电容配线18p被配置为与上述整个间隙重叠。
更详细地说，电容电极37a包括向像素电极17a侧突出的突出部和从主体部的端部穿过像素电极17b被切除的部分斜向延伸的延伸部。另外，当使电容电极37a以上述间隙(像素电极17a、17b的间隙)上的点为中心旋转180°时，与该电容电极37b大致一致，电容电极37b包括位于上述间隙(像素电极17a、17b的间隙)上的主体部、向像素电极17b侧突出的突出部以及从主体部的端部穿过像素电极17a被切除的部分斜向延伸的延伸部。
并且，电容电极37a的突出部通过接触孔111a连接到像素电极17a，电容电极37a的延伸部隔着层间绝缘膜与像素电极17b重叠，在两者的重叠部分形成耦合电容Cab 1(参照图1)。另外，电容电极37b的突出部通过接触孔11b连接到像素电极17b，电容电极37b的延伸部隔着层间绝缘膜与像素电极17a重叠，在两者的重叠部分形成耦合电容Cab2(参照图1)。另外，电容电极37a的主体部隔着栅极绝缘膜与保持电容配线18p重叠，在两者的重叠部分形成保持电容Cha(参照图1)。另外，电容电极37b的主体部隔着栅极绝缘膜与保持电容配线18p重叠，在两者的重叠部分形成保持电容Chb(参照图1)。并且，电容电极37a的延伸部与通过切除像素电极17b的角而出现的边正交，电容电极37b的延伸部与通过切除像素电极17a的角而出现的边正交。
在图10的结构中，电容电极37a、37b的延伸部在斜向上延伸，因此，存在如下优点：即使像素电极17a、17b的对准相对于电容电极37a、37b在斜向(延伸部的延伸方向)上偏离的情况下，电容电极37a和像素电极17b重叠的面积与电容电极37b和像素电极17a重叠的面积相互补偿，2个耦合电容(Cab1、Cab2)的总量也难以改变。
在图1的液晶面板中，在1个像素内所设置的2个像素电极中接近晶体管的一方连接到该晶体管，但是，不限于此。如图11所示，也可以将在1个像素内所设置的2个像素电极中离晶体管远的一方连接到该晶体管。将图11的像素101的具体例在图12中示出。在图12的液晶面板中，在数据信号线15x与扫描信号线16x的交叉部附近配置晶体管12a，在由两个信号线(15x、16x)划分的像素区域内，长方形形状的像素电极17a和长方形形状的像素电极17b在列方向上排列，构成第1像素电极外周的4边中的1边与构成第2像素电极外周的4边中的1边相邻。并且，电容电极37a、37b分别被配置为与该相邻的2边的间隙(像素电极17a、17b的间隙)、像素电极17a以及像素电极17b重叠，另外，在行方向上延伸的保持电容配线18p被配置为与上述整个间隙重叠。
更详细地说，电容电极37b包括从晶体管12a的附近开始沿着数据信号线15x在列方向上延伸的第1部分、从第1部分的中途开始在行方向上延伸的第2部分以及从第1部分的前端开始在行方向上延伸的第3部分，第1部分与像素电极17a、上述间隙(像素电极17a、17b的间隙)以及像素电极17b重叠，第2部分与像素电极17a重叠，第3部分与像素电极17b重叠。当使电容电极37b以上述间隙上的点(例如，间隙中央的点)为中心旋转180°时，与该电容电极37a大致一致，电容电极37a包括沿着数据信号线15y在列方向上延伸的第1部分、从第1部分的中途开始在行方向上延伸的第2部分以及从第1部分的前端开始在行方向上延伸的第3部分，第1部分与像素电极17b、上述间隙(像素电极17a、17b的间隙)以及像素电极17a重叠，第2部分与像素电极17b重叠，第3部分与像素电极17a重叠。
并且，在扫描信号线16x上，形成晶体管12a的源极电极8a和漏极电极9a，源极电极8a连接到数据信号线15x。漏极电极9a连接到电容电极37b的第1部分，电容电极37b的第3部分通过接触孔11b连接到像素电极17b，如上所述，电容电极37b的第2部分隔着层间绝缘膜与像素电极17a重叠，在两者的重叠部分形成耦合电容Cab1(参照图11)。另外，电容电极37a的第3部分通过接触孔11a连接到像素电极17a，如上所述，电容电极37a的第2部分隔着层间绝缘膜与像素电极17b重叠，在两者的重叠部分形成耦合电容Cab2(参照图11)。
另外，电容电极37b的第3部分与保持电容配线18p重叠，在两者的重叠部分形成保持电容Chb(参照图11)的大部分。另外，电容电极37a的第3部分与保持电容配线18p重叠，在两者的重叠部分形成保持电容Cha(参照图11)的大部分。
在图12的液晶面板中，将像素电极17a和像素电极17b通过并列的2个耦合电容(Cab1、Cab2)连接(电容耦合)，因此，例如，在图12的P点电容电极37b的第2部分和像素电极17a(在制造工序等中)发生短路的情况下，进行如下修正工序：将电容电极37b的第2部分在与第1部分连接的位置和短路位置之间进行激光切断，由此可以将写入来自数据信号线15x的信号电位的像素电极17a和像素电极17b通过电容维持在连接状态。另外，在电容电极37a的第2部分和像素电极17b发生短路的情况下，将电容电极37a的第2部分在与第1部分连接的位置和短路位置之间进行激光切断即可。
另外，在图12的液晶面板中，采用如下结构：当使电容电极37b以上述间隙(像素电极17a和17b的间隙)上的点为中心旋转180°时，与电容电极37a大致一致，因此，存在如下优点：即使在像素电极17a、17b的对准相对于电容电极37a、37b在与上述间隙正交的方向(列方向)上偏离的情况下，2个耦合电容(Cab1、Cab2)的总量也难以改变。
在图1的液晶面板中，将各像素中接近晶体管的一方像素电极连接到该晶体管，但是不限于此。如图13所示，也可以在行方向上相邻的2个像素的一方中，将接近晶体管的像素电极连接到该晶体管，在另一方中，将离晶体管远的像素电极连接到该晶体管。
在具备图13的液晶面板的液晶显示装置中，当如图5所示驱动数据信号线15x、15y时，在帧F1中，包含像素电极17a(正极性)的子像素成为“亮”，包含像素电极17b(正极性)的子像素成为“暗”，包含像素电极17c(负极性)的子像素成为“亮”，包含像素电极17d(负极性)的子像素成为“暗”，包含像素电极17A(负极性)的子像素成为“暗”，包含像素电极17B(负极性)的子像素成为“亮”，整体如图14的(a)所示。另外，在帧F2中，包含像素电极17a(负极性)的子像素成为“亮”，包含像素电极17b(负极性)的子像素成为“暗”，包含像素电极17c(正极性)的子像素成为“亮”，包含像素电极17d(正极性)的子像素成为“暗”，包含像素电极17A(正极性)的子像素成为“暗”，包含像素电极17B(正极性)的子像素成为“亮”，整体如图14的(b)所示。
根据图13的液晶面板，不再有亮子像素在行方向上排列、暗子像素彼此在行方向上排列的情况，因此，可以降低行方向的筋状不匀。
将图13的像素101、103的具体例在图15中示出。如该图所示，在像素101中，在数据信号线15x与扫描信号线16x的交叉部附近配置晶体管12a，在由两个信号线(15x、16x)划分的像素区域内，长方形形状的像素电极17a和长方形形状的像素电极17b在列方向上排列，构成第1像素电极外周的4边中的1边与构成第2像素电极外周的4边中的1边相邻。并且，电容电极37a、37b分别被配置为与该相邻的2边的间隙(像素电极17a、17b的间隙)、像素电极17a以及像素电极17b重叠，在行方向上延伸的保持电容配线18p被配置为与上述整个间隙重叠。
更详细地说，电容电极37a包括沿着数据信号线15x在列方向上延伸的第1部分和从第1部分的中途开始在行方向上延伸的第2部分，第1部分与像素电极17a、上述间隙(像素电极17a、17b的间隙)以及像素电极17b重叠，并且第2部分与像素电极17b重叠。另外，当使电容电极37a以上述间隙(像素电极17a、17b的间隙)上的点为中心旋转180°时，与电容电极37b大致一致，电容电极37b包括沿着数据信号线15y在列方向上延伸的第1部分和从第1部分的中途开始在行方向上延伸的第2部分，第1部分与像素电极17b、上述间隙以及像素电极17a重叠，并且第2部分与像素电极17a重叠。
并且，在扫描信号线16x上，形成晶体管12a的源极电极8a和漏极电极9a，源极电极8a连接到数据信号线15x。漏极电极9a连接到漏极引出配线27a，漏极引出配线27a连接到在同层中所形成的电容电极37a的第1部分，并且通过接触孔11a连接到像素电极17a，如上所述，电容电极37a的第2部分隔着层间绝缘膜与像素电极17b重叠，在两者的重叠部分形成耦合电容Cab 1(参照图13)。另外，电容电极37b的第1部分通过接触孔11b连接到像素电极17b，并且如上所述，电容电极37b的第2部分隔着层间绝缘膜与像素电极17a重叠，在两者的重叠部分形成耦合电容Cab2(参照图13)。另外，电容电极37a的大部分与保持电容配线18p重叠，在两者的重叠部分形成保持电容Cha(参照图13)的大部分。另外，电容电极37b的大部分与保持电容配线18p重叠，在两者的重叠部分形成保持电容Chb(参照图13)的大部分。
另一方面，在像素103中，在数据信号线15y与扫描信号线16x的交叉部附近配置晶体管12A，在由两个信号线(15y、16x)划分的像素区域内，长方形形状的像素电极17A和长方形形状的像素电极17B在列方向上排列，构成第1像素电极外周的4边中的1边与构成第2像素电极外周的4边中的1边相邻。并且，电容电极37A、37B分别被配置为与该相邻的2边的间隙(像素电极17A、17B的间隙)、像素电极17A以及像素电极17B重叠，另外，在行方向上延伸的保持电容配线18p被配置为与整个上述间隙重叠。
更详细地说，电容电极37B包括沿着数据信号线15y在列方向上延伸的第1部分和从第1部分的中途开始在行方向上延伸的第2部分，第1部分与像素电极17A、上述间隙(像素电极17A、17B的间隙)以及像素电极17B重叠，并且第2部分与像素电极17A重叠。当使电容电极37B以上述间隙(像素电极17A、17B的间隙)上的点为中心旋转180°时，与该电容电极37A大致一致，电容电极37A包括沿着数据信号线15z在列方向上延伸的第1部分和从第1部分的中途开始在行方向上延伸的第2部分，第1部分与像素电极17B、上述间隙(像素电极17A、17B的间隙)以及像素电极17A重叠，并且第2部分与像素电极17B重叠。
并且，在扫描信号线16x上，形成晶体管12A的源极电极8A和漏极电极9A，源极电极8A连接到数据信号线15y。漏极电极9A连接到漏极引出配线27A，漏极引出配线27A连接到在同层中所形成的电容电极37B的第1部分，电容电极37B的第1部分通过接触孔11B连接到像素电极17B，并且如上所述，电容电极37B的第2部分隔着层间绝缘膜与像素电极17A重叠，在两者的重叠部分形成耦合电容CAB1(参照图13)。另外，电容电极37A的第1部分通过接触孔11A连接到像素电极17A，并且如上所述，电容电极37A的第2部分隔着层间绝缘膜与像素电极17B重叠，在两者的重叠部分形成耦合电容CAB2(参照图13)。另外，电容电极37B的大部分在保持电容配线18p上形成，在两者的重叠部分形成保持电容ChB(参照图13)的大部分。另外，电容电极37A的大部分在保持电容配线18p上形成，在两者的重叠部分形成保持电容ChA(参照图13)的大部分。
(实施方式2)
图16是示出实施方式2的液晶面板的一部分的等价电路图。如图16所示，在本液晶面板中，具备在列方向(图中上下方向)上延伸的数据信号线(15x、15y)、在行方向(图中左右方向)上延伸的扫描信号线(16x、16y)、在行和列方向上排列的像素(101～104)、保持电容配线(18p、18q)以及公共电极(对置电极)com，各像素的结构是相同的。此外，包含像素101、102的像素列与包含像素103、104的像素列相邻，包含像素101、103的像素行与包含像素102、104的像素行相邻。
在本液晶面板中，对应1个像素设置有1个数据信号线和1个扫描信号线。另外，在1个像素内，2个像素电极在行方向上排列设置，在像素101内所设置的2个像素电极17a、17b以及在像素103内所设置的2个像素电极17A、17B被配置为一行(横向一列)，并且在像素102内所设置的2个像素电极17c、17d以及在像素104内所设置的2个像素电极17C、17D被配置为一行(横向一列)，像素电极17a和17c、像素电极17b和17d、像素电极17A和17C以及像素电极17B和17D分别在列方向上相邻。
在具备本液晶面板的液晶显示装置中，当如图5所示驱动数据信号线15x、15y时，在帧F1中，包含像素电极17a(负)的子像素成为“亮”，包含像素电极17b(负)的子像素成为“暗”，包含像素电极17c(正极性)的子像素成为“亮”，包含像素电极17d(正极性)的子像素成为“暗”，包含像素电极17A(正极性)的子像素成为“亮”，包含像素电极17B(正极性)的子像素成为“暗”，整体如图17的(a)所示。另外，在帧F2中，包含像素电极17a(正)的子像素成为“亮”，包含像素电极17b(正)的子像素成为“暗”，包含像素电极17c(负极性)的子像素成为“亮”，包含像素电极17d(负极性)的子像素成为“暗”，包含像素电极17A(负极性)的子像素成为“亮”，包含像素电极17B(负极性)的子像素成为“暗”，整体如图17的(b)所示。
将图16的像素101的具体例在图18中示出。如该图所示，在数据信号线15x与扫描信号线16x的交叉部附近配置晶体管12a，在由两个信号线(15x、16x)划分的像素区域内，长方形形状的像素电极17a和长方形形状的像素电极17b在行方向上排列，构成第1像素电极外周的4边中的1边与构成第2像素电极外周的4边中的1边相邻。并且，电容电极37a、37b分别被配置为与该相邻的2边的间隙(像素电极17a、17b的间隙)、像素电极17a以及像素电极17b重叠，另外，保持电容配线18p横穿像素中央在行方向上延伸。
更详细地说，电容电极37a、37b是以与上述间隙(像素电极17a、17b的间隙)交叉的方式在行方向上延伸的长方形形状，在像素中央排列，使得当电容电极37a以上述间隙上的点为中心旋转180°时，与电容电极37b大致一致。
并且，在扫描信号线16x上，形成晶体管12a的源极电极8a和漏极电极9a，源极电极8a连接到数据信号线15x。漏极电极9a通过接触孔11a连接到像素电极17a，电容电极37a通过接触孔111a连接到像素电极17a，电容电极37b的一部分隔着层间绝缘膜与像素电极17b重叠，在两者的重叠部分形成耦合电容Cab1(参照图16)。另外，电容电极37b通过接触孔11b连接到像素电极17b，电容电极37b的一部分隔着层间绝缘膜与像素电极17a重叠，在两者的重叠部分形成耦合电容Cab2(参照图16)。
另外，电容电极37a隔着栅极绝缘膜与保持电容配线18p重叠，在两者的重叠部分形成保持电容Cha(参照图16)的大部分。另外，电容电极37b隔着栅极绝缘膜与保持电容配线18p重叠，在两者的重叠部分形成保持电容Chb(参照图16)的大部分。
在图18的液晶面板中，将像素电极17a和像素电极17b通过并列的2个耦合电容(Cab1、Cab2)连接(电容耦合)，因此，例如，在图18的P点电容电极37a与保持电容配线18p或者像素电极17b(在制造工序等中)发生短路的情况下，进行如下修正工序：将电容电极37a在接触孔111a和短路位置之间进行激光切断，由此可以将写入来自数据信号线15x的信号电位的像素电极17a和像素电极17b通过电容维持在连接状态。并且，即使在制造工序等中接触孔111a成为形成不良的情况下，也可以将写入来自数据信号线15x的信号电位的像素电极17a和像素电极17b通过电容维持在连接状态。此外，在电容电极37b与保持电容配线18p或者像素电极17a发生短路的情况下，将电容电极37b在接触孔11b和短路位置之间进行激光切断即可。
在进行上述修正工序的情况下，从有源矩阵基板的正面(玻璃基板的相反侧)，通过像素电极17a、17b的间隙对电容电极37a的第1部分照射激光而将其切断。但是在这种情况下，存在使电容电极37a和保持电容配线18p之间的短路重新发生的担心。为了消除该担心，也可以在保持电容配线18p上形成与像素电极17a、17b的间隙重叠的开口部。
此外，在电容电极37a与保持电容配线18p或者像素电极17b发生短路的情况下，即使将像素电极17a中的接触孔111a内的部分通过激光等除去(切除)而使像素电极17a与电容电极37a电分离，也可以将写入来自数据信号线15x的信号电位的像素电极17a和像素电极17b通过电容维持在连接状态。
如上所述，根据本实施方式，可以提高液晶面板、其所用的有源矩阵基板的制造成品率。
另外，在图18的液晶面板中，采用如下结构：当使电容电极37a以像素电极17a和17b的间隙上的点为中心旋转180°时，与电容电极37b大致一致，因此，存在如下优点：即使在像素电极17a、17b的对准相对于电容电极37a、37b在与上述间隙正交的方向(行方向)上偏离的情况下，电容电极37a和像素电极17b重叠的面积与电容电极37b和像素电极17a重叠的面积互相补偿，2个耦合电容(Cab1、Cab2)的总量也难以改变。
另外，在图18的液晶面板中，电容电极37a与像素电极17b和保持电容配线18p重叠，电容电极37b与像素电极17a和保持电容配线18p重叠。这样，使为了形成耦合电容而设置的电容电极37a、37b发挥用于形成保持电容的电极的功能，由此可以提高开口率。
也可以将图18的像素101如图19那样进行变形。如该图所示，在数据信号线15x与扫描信号线16x的交叉部附近配置晶体管12a，在由两个信号线(15x、16x)划分的像素区域内，长方形形状的像素电极17a和长方形形状的像素电极17b在行方向上排列，构成第1像素电极外周的4边中的1边与构成第2像素电极外周的4边中的1边相邻。并且，电容电极37a、37b分别被配置为与该相邻的2边的间隙(像素电极17a、17b的间隙)、像素电极17a以及像素电极17b重叠，另外，保持电容配线18p横穿像素中央在行方向上延伸。
更详细地说，电容电极37a包括在保持电容配线18p上在行方向上延伸的第1部分、从第1部分的前端开始从间隙下在列方向上延伸的第2部分以及从第2部分的前端开始在行方向上延伸的第3部分，第1部分与像素电极17b和上述间隙(像素电极17a、17b的间隙)重叠，并且第2部分与上述间隙重叠，第3部分与上述间隙和像素电极17a重叠。在此，电容电极37a的第1部分与保持电容配线18p重叠，但是第2部分的一部分和第3部分与保持电容配线18p不重叠。另外，当使电容电极37a以上述间隙(像素电极17a、17b的间隙)上的点为中心旋转180°时，与电容电极37b大致一致，包括在保持电容配线18p上在行方向上延伸的第1部分、从第1部分的前端开始从间隙下在列方向上延伸的第2部分以及从第2部分的前端开始在行方向上延伸的第3部分，第1部分与像素电极17a和上述间隙重叠，并且第2部分与上述间隙重叠，第3部分与上述间隙和像素电极17b重叠。在此，电容电极37b的第1部分与保持电容配线18p重叠，但是第2部分的一部分和第3部分与保持电容配线18p不重叠。
此外，电容电极37a的第3部分通过接触孔111a连接到像素电极17a，电容电极37a的第1部分隔着层间绝缘膜与像素电极17b重叠，在两者的重叠部分形成耦合电容Cab 1(参照图16)。另外，电容电极37b的第3部分通过接触孔11b连接到像素电极17b，电容电极37b的第1部分隔着层间绝缘膜与像素电极17a重叠，在两者的重叠部分形成耦合电容Cab2(参照图16)。
另外，电容电极37a的第1部分和第2部分的一部分隔着栅极绝缘膜与保持电容配线18p重叠，在两者的重叠部分形成保持电容Cha(参照图16)的大部分。另外，电容电极37b的第1部分和第2部分的一部分隔着栅极绝缘膜与保持电容配线18p重叠，在两者的重叠部分形成保持电容Chb(参照图16)的大部分。
在图19的液晶面板中，例如，在图19的P点电容电极37a与保持电容配线18p或者像素电极17b(在制造工序等中)发生短路的情况下，如图20所示，可以从有源矩阵基板的正面(玻璃基板的相反侧)，通过像素电极17a、17b的间隙，对电容电极37a的第2部分(与保持电容配线18p不重叠的部分)照射激光而将其切断。
在图16的液晶面板中，将各像素中接近晶体管的像素电极连接到该晶体管，但是，不限于此。如图21所示，也可以在列方向上相邻的2个像素的一方中将接近晶体管的像素电极连接到该晶体管，在另一方中将离晶体管远的像素电极连接到该晶体管。
在具备图21的液晶面板的液晶显示装置中，当如图5所示驱动数据信号线15x、15y时，在帧F 1中，包含像素电极17a(正极性)的子像素成为“亮”，包含像素电极17b(正极性)的子像素成为“暗”，包含像素电极17c(负极性)的子像素成为“暗”，包含像素电极17d(负极性)的子像素成为“亮”，包含像素电极17A(负极性)的子像素成为“亮”，包含像素电极17B(负极性)的子像素成为“暗”，整体如图22的(a)所示。另外，在帧F2中，包含像素电极17a(负极性)的子像素成为“亮”，包含像素电极17b(负极性)的子像素成为“暗”，包含像素电极17c(正极性)的子像素成为“暗”，包含像素电极17d(正极性)的子像素成为“亮”，包含像素电极17A(正极性)的子像素成为“亮”，包含像素电极17B(正极性)的子像素成为“暗”，整体如图22的(b)所示。
根据图21的液晶面板，不再有亮子像素在列方向上排列、暗子像素彼此在列方向上排列的情况，因此，可以降低列方向的筋状不匀(纵筋状不匀)。
将图21的像素101、102的具体例在图23中示出。如该图所示，在像素101中，在数据信号线15x与扫描信号线16x的交叉部附近配置晶体管12a，在由两个信号线(15x、16x)划分的像素区域内，长方形形状的像素电极17a和长方形形状的像素电极17b在行方向上排列，构成第1像素电极外周的4边中的1边与构成第2像素电极外周的4边中的1边相邻。并且，电容电极37a、37b分别被配置为与该相邻的2边的间隙(像素电极17a、17b的间隙)、像素电极17a以及像素电极17b重叠，另外，保持电容配线18p横穿像素中央在行方向上延伸。
更详细地说，电容电极37a、37b是以与上述间隙(像素电极17a、17b的间隙)交叉的方式在行方向上延伸的长方形形状，在像素的一方端(像素的晶体管附近区域)排列，使得当使电容电极37a以上述间隙上的点为中心旋转180°时，与电容电极37b大致一致。
并且，在扫描信号线16x上，形成晶体管12a的源极电极8a和漏极电极9a，源极电极8a连接到数据信号线15x。漏极电极9a通过接触孔11a连接到像素电极17a，并且连接到电容电极37a，该电容电极37a的一部分隔着层间绝缘膜与像素电极17b重叠，在两者的重叠部分形成耦合电容Cab 1(参照图21)。另外，电容电极37b通过接触孔11b连接到像素电极17b，电容电极37b的一部分隔着层间绝缘膜与像素电极17a重叠，在两者的重叠部分形成耦合电容Cab2(参照图21)。另外，像素电极17a的一部分隔着栅极绝缘膜和层间绝缘膜与保持电容配线18p重叠，在两者的重叠部分形成保持电容Cha(参照图21)的大部分。另外，像素电极17b的一部分隔着栅极绝缘膜和层间绝缘膜与保持电容配线18p重叠，在两者的重叠部分形成保持电容Chb(参照图21)的大部分。
另一方面，在像素102中，在数据信号线15x与扫描信号线16y的交叉部附近配置晶体管12c，在由两个信号线(15x、16y)划分的像素区域内，长方形形状的像素电极17c和长方形形状的像素电极17d在行方向上排列，构成第1像素电极外周的4边中的1边与构成第2像素电极外周的4边中的1边相邻。并且，电容电极37c、37d分别被配置为与该相邻的2边的间隙(像素电极17c、17d的间隙)、像素电极17c以及像素电极17d重叠，另外，保持电容配线18q横穿像素中央在行方向上延伸。
更详细地说，电容电极37c、37d是以与上述间隙(像素电极17c、17d的间隙)交叉的方式在行方向上延伸的长方形形状，在像素的一方端(像素的晶体管附近区域)排列，使得当使电容电极37c以上述间隙上的点为中心旋转180°时，与电容电极37d大致一致。
并且，在扫描信号线16y上，形成晶体管12c的源极电极8c和漏极电极9c，源极电极8c连接到数据信号线15x。漏极电极9c通过接触孔11c连接到像素电极17c，并且连接到电容电极37c，该电容电极37c的一部分隔着层间绝缘膜与像素电极17d重叠，在两者的重叠部分形成耦合电容Ccd 1(参照图21)。另外，电容电极37d通过接触孔11d连接到像素电极17d，电容电极37d的一部分隔着层间绝缘膜与像素电极17c重叠，在两者的重叠部分形成耦合电容Ccd2(参照图21)。另外，像素电极17c的一部分隔着栅极绝缘膜和层间绝缘膜与保持电容配线18p重叠，在两者的重叠部分形成保持电容Chc(参照图21)的大部分。另外，像素电极17d的一部分隔着栅极绝缘膜和层间绝缘膜与保持电容配线18q重叠，在两者的重叠部分形成保持电容Chd(参照图21)的大部分。
(实施方式3)
图24是示出实施方式3的液晶面板的一部分的等价电路图。如图24所示，在本液晶面板中，具备在列方向(图中上下方向)上延伸的数据信号线(15x、15y)、在行方向(图中左右方向)上延伸的扫描信号线(16x、16y)、在行和列方向上排列的像素(101～104)、保持电容配线(18p、18q)以及公共电极(对置电极)com，各像素的结构是相同的。此外，包含像素101、102的像素列与包含像素103、104的像素列相邻，包含像素101、103的像素行与包含像素102、104的像素行相邻。
在本液晶面板中，对应1个像素设置有1个数据信号线和1个扫描信号线。另外，在1个像素内，设置2个像素电极，其一方包围另一方，在像素101内，设置像素电极17b和包围其的像素电极17a，在像素102内，设置像素电极17d和包围其的像素电极17c，在像素103内，设置像素电极17B和包围其的像素电极17A，在像素104内，设置像素电极17D和包围其的像素电极17C。
将图24的像素101的具体例在图25中示出。如该图所示，在数据信号线15x与扫描信号线16x的交叉部附近配置晶体管12a，在由两个信号线(15x、16x)划分的像素区域内，配置在行方向上看去为V字形状的像素电极17b和包围其的像素电极17a，保持电容配线18p横穿像素中央在行方向上延伸。具体地说，像素电极17b具备：在保持电容配线18p上且相对于行方向大致成为90°的第1边；从第1边的一端开始相对于行方向大致成为45°而延伸的第2边；从第1边的另一端开始相对于行方向大致成为315°而延伸的第3边；在保持电容配线18p上具有一端，与第2边平行且比其短的第4边；连接到第4边的一端，与第3边平行且比其短的第5边；连接第2边和第4边的第6边；以及连接第3边和第5边的第7边，像素电极17a的内周包括与上述第1～第7边对置的7个边。
此外，像素电极17b的第1边和与其对置的像素电极17a的内周的一边之间的间隙成为第1间隙K1，像素电极17b的第2边和与其对置的像素电极17a的内周的一边之间的间隙成为第2间隙K2，像素电极17b的第3边和与其对置的像素电极17a的内周的一边之间的间隙成为第3间隙K3，像素电极17b的第4边和与其对置的像素电极17a的内周的一边之间的间隙成为第4间隙K4，像素电极17b的第5边和与其对置的像素电极17a的内周的一边之间的间隙成为第5间隙K5。并且，电容电极37a、37b分别被配置为与第1间隙K1、像素电极17a以及像素电极17b重叠。
更详细地说，电容电极37a、37b是以与第1间隙K1交叉的方式在行方向上延伸的形状，在保持电容配线18p上排列，使得当使电容电极37a以第1间隙K1上的点为中心旋转180°时，与电容电极37b大致一致。
并且，在扫描信号线16x上，形成晶体管12a的源极电极8a和漏极电极9a，源极电极8a连接到数据信号线15x。漏极电极9a通过接触孔11a连接到像素电极17a，电容电极37a通过接触孔111a连接到像素电极17a，电容电极37a的一部分隔着层间绝缘膜与像素电极17b重叠，在两者的重叠部分形成耦合电容Cab1(参照图24)。另外，电容电极37b通过接触孔11b连接到像素电极17b，电容电极37b的一部分隔着层间绝缘膜与像素电极17a重叠，在两者的重叠部分形成耦合电容Cab2(参照图24)。
另外，电容电极37a隔着栅极绝缘膜与保持电容配线18p重叠，在两者的重叠部分形成保持电容Cha(参照图24)的大部分。另外，电容电极37b隔着栅极绝缘膜与保持电容配线18p重叠，在两者的重叠部分形成保持电容Chb(参照图24)的大部分。
在图25的液晶面板中，将像素电极17a和像素电极17b通过并列的2个耦合电容(Cab1、Cab2)连接(电容耦合)，因此，例如，在电容电极37a与保持电容配线18p或者像素电极17b(在制造工序等中)发生短路的情况下，进行如下修正工序：将电容电极37a在接触孔111a和短路位置之间进行激光切断，由此可以将写入来自数据信号线15x的信号电位的像素电极17a和像素电极17b通过电容维持在连接状态。并且，即使在制造工序等中接触孔111a成为形成不良的情况下，也可以将写入来自数据信号线15x的信号电位的像素电极17a和像素电极17b通过电容维持在连接状态。此外，在电容电极37b与保持电容配线18p或者像素电极17a发生短路的情况下，将电容电极37b在接触孔11b和短路位置之间进行激光切断即可。
在进行上述修正工序的情况下，从有源矩阵基板的正面(玻璃基板的相反侧)，通过像素电极17a、17b的间隙对电容电极37a的第1部分照射激光而将其切断。但是在这种情况下，存在使电容电极37a和保持电容配线18p之间的短路重新发生的担心。为了消除该担心，在保持电容配线18p上形成与第1间隙K1重叠的开口部即可。
此外，在电容电极37a与保持电容配线18p或者像素电极17b发生短路的情况下，即使将像素电极17a中的接触孔111a内的部分通过激光等除去(切除)而使像素电极17a与电容电极37a电分离，也可以将写入来自数据信号线15x的信号电位的像素电极17a和像素电极17b通过电容维持在连接状态。
如上所述，根据本实施方式，可以提高液晶面板、其所用的有源矩阵基板的制造成品率。
另外，在图25的液晶面板中，采用如下结构：当使电容电极37a以第1间隙K1上的点为中心旋转180°时，与电容电极37b大致一致，因此，存在如下优点：即使在像素电极17a、17b的对准相对于电容电极37a、37b在与第1间隙正交的方向(行方向)上偏离的情况下，电容电极37a和像素电极17b重叠的面积与电容电极37b和像素电极17a重叠的面积互相补偿，2个耦合电容(Cab1、Cab2)的总量也难以改变。
另外，在图25的液晶面板中，电容电极37a与像素电极17b和保持电容配线18p重叠，电容电极37b与像素电极17a和保持电容配线18p重叠。这样，使为了形成耦合电容而设置的电容电极37a、37b发挥用于形成保持电容的电极的功能，由此可以提高开口率。
另外，在图25的液晶面板中，像素电极17a包围成为电悬浮的像素电极17b，因此，该像素电极17a发挥屏蔽电极的功能，可以抑制电荷向像素电极17b飞入等。由此可以抑制烧坏包含像素电极17b的子像素(暗子像素)。
此外，在图25中省略了用于控制取向的构造物的记载，例如，在MVA(多畴垂直取向)方式的液晶面板中，例如，如图26所示，像素电极17a、17b的间隙K2～K5发挥用于控制取向的构造物的功能，在滤色器基板的像素电极17b所对应的部分设置与间隙K2、K4平行的肋L3和与间隙K3、K5平行的肋L4，在滤色器基板的像素电极17a所对应的部分设置与间隙K2、K4平行的肋L1、L5和与间隙K3、K5平行的肋L2、L6。此外，也可以替代设置上述用于控制取向的肋而在滤色器基板的公共电极中设置用于控制取向的狭缝。
也可以将图25的像素101如图27那样进行变形。在图27的结构中，电容电极37a、37b是以与第3间隙K3交叉的方式相对于行方向成为315°而延伸的形状，排列为当使电容电极37a以第3间隙K3上的点为中心旋转180°时，与电容电极37b大致一致，并且不与保持电容配线18p重叠。
此外，晶体管12a的漏极电极9a通过接触孔11a连接到像素电极17a，电容电极37a通过接触孔111a连接到像素电极17a，该电容电极37a的一部分隔着层间绝缘膜与像素电极17b重叠，在两者的重叠部分形成耦合电容Cab1(参照图24)。另外，电容电极37b通过接触孔11b连接到像素电极17b，电容电极37b的一部分隔着层间绝缘膜与像素电极17a重叠，在两者的重叠部分形成耦合电容Cab2(参照图24)。另外，像素电极17a的一部分隔着栅极绝缘膜和层间绝缘膜与保持电容配线18p重叠，在两者的重叠部分形成保持电容Cha(参照图24)。另外，像素电极17b的一部分隔着栅极绝缘膜和层间绝缘膜与保持电容配线18p重叠，在两者的重叠部分形成保持电容Chb(参照图24)。
在图27的液晶面板中，在电容电极37a和像素电极17b(在制造工序等中)发生短路的情况下，可以从有源矩阵基板的正面(玻璃基板的相反侧)，通过第3间隙K3，对(与保持电容配线18p不重叠的)电容电极37a照射激光而将其切断。此外，也可以将像素电极17a中的接触孔111a内的部分通过激光等除去(切除)而使像素电极17a和电容电极37a电分离。
也可以将图27的像素101如图28那样进行变形。在图28的结构中，设置有保持电容配线延伸部18x和保持电容配线延伸部18y，所述保持电容配线延伸部18x从保持电容配线18p开始，与像素电极17b的第1边、第2边、第6边以及第4边重叠而延伸后再次汇合到保持电容配线18p，所述保持电容配线延伸部18y从保持电容配线18p开始，与像素电极17b的第1边、第3边、第7边以及第5边重叠而延伸后再次汇合到保持电容配线18p。
在图28的液晶面板中，包围成为电悬浮的像素电极17b的保持电容配线延伸部18x、18y发挥像素电极17a的屏蔽电极的功能，因此，可以更有效地抑制电荷向像素电极17b飞入等。由此可以抑制烧坏包含像素电极17b的子像素(暗子像素)。
将图24的像素101的具体例在图29中示出。如该图所示，在数据信号线15x与扫描信号线16x的交叉部附近配置晶体管12a，在由两个信号线(15x、16x)划分的像素区域内，配置在行方向上看去为梯形形状的像素电极17b和包围其的像素电极17a，保持电容配线18p横穿像素中央在行方向上延伸。具体地说，像素电极17b具备：与保持电容配线18p交叉且相对于行方向大致成为90°的第1边；与第1边平行且与保持电容配线18p交叉的第2边；从第1边的一端开始相对于行方向大致成为45°而延伸的第3边；以及从第1边的另一端开始相对于行方向大致成为315°而延伸的第4边，像素电极17a的内周包括与上述第1～第4边对置的4个边，像素电极17a的外周是长方形形状。
此外，像素电极17b的第1边和与其对置的像素电极17a的内周的一边之间的间隙成为第1间隙K1，像素电极17b的第2边和与其对置的像素电极17a的内周的一边之间的间隙成为第2间隙K2，电容电极37a被配置为与像素电极17a、第1间隙K1以及像素电极17b重叠，电容电极37b被配置为与像素电极17b、第2间隙K2以及像素电极17a重叠。
更详细地说，电容电极37a是以与第1间隙K1交叉的方式在行方向上延伸的形状，并且电容电极37b是以与第2间隙K2交叉的方式在行方向上延伸的形状，电容电极37a、37b与保持电容配线18p重叠而在行方向上排列。
并且，在扫描信号线16x上，形成晶体管12a的源极电极8a和漏极电极9a，源极电极8a连接到数据信号线15x。漏极电极9a通过接触孔11a连接到像素电极17a，电容电极37a通过接触孔111a连接到像素电极17a，电容电极37a的一部分隔着层间绝缘膜与像素电极17b重叠，在两者的重叠部分形成耦合电容Cab1(参照图24)。另外，电容电极37b通过接触孔11b连接到像素电极17b，电容电极37b的一部分隔着层间绝缘膜与像素电极17a重叠，在两者的重叠部分形成耦合电容Cab2(参照图24)。
另外，电容电极37a隔着栅极绝缘膜与保持电容配线18p重叠，在两者的重叠部分形成保持电容Cha(参照图24)的大部分。另外，电容电极37b隔着栅极绝缘膜与保持电容配线18p重叠，在两者的重叠部分形成保持电容Chb(参照图24)的大部分。
在图29的液晶面板中，将像素电极17a和像素电极17b通过并列的2个耦合电容(Cab1、Cab2)连接(电容耦合)，因此，例如，在电容电极37a与保持电容配线18p或者像素电极17b(在制造工序等中)发生短路的情况下，进行如下修正工序：将电容电极37a在接触孔111a和短路位置之间进行激光切断，由此可以将写入来自数据信号线15x的信号电位的像素电极17a和像素电极17b通过电容维持在连接状态。另外，在电容电极37b与保持电容配线18p或者像素电极17a发生短路的情况下，将电容电极37b在接触孔11b和短路位置之间进行激光切断即可。
在进行上述修正工序的情况下，从有源矩阵基板的正面(玻璃基板的相反侧)，通过第1间隙K1对电容电极37a照射激光而将其切断。但是在这种情况下，存在使电容电极37a和保持电容配线18p之间的短路重新发生的担心。为了消除该担心，在保持电容配线18p上形成与第1间隙K1重叠的开口部即可。
此外，在电容电极37a与保持电容配线18p或者像素电极17b发生短路的情况下，即使将像素电极17a中的接触孔111a、211a内的部分通过激光等除去(切除)而使像素电极17a和电容电极37a电分离，也可以将写入来自数据信号线15x的信号电位的像素电极17a和像素电极17b通过电容维持在连接状态。
如上所述，根据本实施方式，可以提高液晶面板、其所用的有源矩阵基板的制造成品率。
另外，在图29的液晶面板中，电容电极37a与像素电极17b和保持电容配线18p重叠，电容电极37b与像素电极17a和保持电容配线18p重叠。这样，使为了形成耦合电容而设置的电容电极37a、37b发挥用于形成保持电容的电极的功能，由此可以提高开口率。
并且，将电容电极37a、37b设为在行方向上延伸的形状，且使电容电极37a、37b与保持电容配线18p重叠而在行方向上排列，因此，可以缩小保持电容配线18p的线宽度。由此可以进一步提高开口率。
将图24的像素101的具体例在图30中示出。如该图所示，在数据信号线15x与扫描信号线16x的交叉部附近配置晶体管12a，在由两个信号线(15x、16x)划分的像素区域内，在行方向上看去为梯形形状的像素电极17b和与其嵌合的形状的像素电极17b在行方向上排列，保持电容配线18p横穿像素中央在行方向上延伸。具体地说，像素电极17b具备：与保持电容配线18p交叉且相对于行方向大致成为90°的第1边；从第1边的一端开始相对于行方向大致成为45°而延伸的第2边；从第1边的另一端开始相对于行方向大致成为315°而延伸的第3边；以及与第1边平行且与保持电容配线18p交叉的第4边，连接像素电极17b的第1和第4边的中点彼此的线经过保持电容配线18p上。
此外，在像素电极17a的外周，包含与上述第1～第4边对置的4个边，像素电极17b的第1边和与其对置的像素电极17a的内周的一边之间的间隙成为第1间隙K1，像素电极17b的第2边和与其对置的像素电极17a的内周的一边之间的间隙成为第2间隙K2。并且，像素电极17b的第3边和与其对置的像素电极17a的内周的一边之间的间隙成为第3间隙K3，电容电极37a被配置为与像素电极17a、第2间隙K2、像素电极17b以及第3间隙K3重叠，电容电极37b被配置为与像素电极17a、第2间隙K2、像素电极17b以及第3间隙K3重叠。
更详细地说，电容电极37a是以穿过第2间隙K2下面和第3间隙K3下面的方式在列方向上延伸的形状，并且电容电极37b也是以穿过第2间隙K2下面和第3间隙K3下面的方式在列方向上延伸的形状，电容电极37a、37b以将像素电极17b的第1和第4边的中点彼此连接起来的线为轴而成为线对称。特别是电容电极37b是将与像素电极17b的第1和第4边平行的2边作为上底和下底的梯形形状，成为脚的2边的一方与像素电极17b的第2边平行，另一方与像素电极17b的第3边平行。
并且，在扫描信号线16x上，形成晶体管12a的源极电极8a和漏极电极9a，源极电极8a连接到数据信号线15x。漏极电极9a通过接触孔11a连接到像素电极17a，电容电极37a以其一端通过接触孔111a连接到像素电极17a，以另一端通过接触孔211a连接到像素电极17a，电容电极37a的一部分隔着层间绝缘膜与像素电极17b重叠，在两者的重叠部分形成耦合电容Cab1(参照图24)。另外，电容电极37b通过接触孔11b连接到像素电极17b，电容电极37b的两端部隔着层间绝缘膜与像素电极17a重叠，在两者的重叠部分形成耦合电容Cab2(参照图24)。
另外，在电容电极37a与保持电容配线18p重叠的部分以及像素电极17a与保持电容配线18p重叠的部分形成保持电容Cha(参照图24)。另外，在电容电极37b与保持电容配线18p重叠的部分以及像素电极17b与保持电容配线18p重叠的部分形成保持电容Chb(参照图24)。
并且，设置有保持电容配线延伸部18x和保持电容配线延伸部18y，所述保持电容配线延伸部18x从保持电容配线18p开始，沿着数据信号线15y，与像素电极17b的第4边重叠地延伸，所述保持电容配线延伸部18y从保持电容配线18p开始，沿着数据信号线15x，与像素电极17a的外周重叠地延伸。
在图30的液晶面板中，将像素电极17a和像素电极17b通过并列的2个耦合电容(Cab1、Cab2)连接(电容耦合)，因此，例如，在电容电极37a与保持电容配线18p或者像素电极17b(在制造工序等中)发生短路的情况下，进行如下修正工序：将电容电极37a在接触孔111a和短路位置之间，或者在接触孔211a和短路位置之间进行激光切断，由此可以将写入来自数据信号线15x的信号电位的像素电极17a和像素电极17b通过电容维持在连接状态。并且，即使在制造工序等中接触孔111a、接触孔211a成为形成不良的情况下，也可以将写入来自数据信号线15x的信号电位的像素电极17a和像素电极17b通过电容维持在连接状态。另外，在电容电极37b与保持电容配线18p或者像素电极17a发生短路的情况下，将电容电极37b在接触孔11b和短路位置之间进行激光切断即可。
在进行上述修正工序的情况下，从有源矩阵基板的正面(玻璃基板的相反侧)，通过第2间隙K2或者第3间隙K3对电容电极37a照射激光而将其切断。如上所述，根据本实施方式，可以提高液晶面板、其所用的有源矩阵基板的制造成品率。
另外，在图30的液晶面板中，电容电极37a、37b以将像素电极17b的第1和第4边的中点彼此连接起来的线为轴而成为线对称，因此，存在如下优点：即使在像素电极17a、17b的对准相对于电容电极37a、37b在与上述轴正交的方向(列方向)上偏离的情况下，电容电极37a和像素电极17b重叠的面积与电容电极37b和像素电极17a重叠的面积互相补偿，2个耦合电容(Cab1、Cab2)的总量也难以改变。
另外，与成为电悬浮的像素电极17b重叠的保持电容配线延伸部18x、18y发挥像素电极17a的屏蔽电极的功能，因此，可以更有效地抑制电荷向像素电极17b飞入等。由此可以抑制烧坏包含像素电极17b的子像素(暗子像素)。
另外，在通过MVA方式使用图30的液晶面板的情况下，也可以使第2间隙K2或者第3间隙K3发挥用于控制取向的构造物的功能。
在图24中，在1个像素内所设置的2个像素电极的一方包围另一方，将该进行包围的像素电极连接到晶体管，但是不限于此。如图31所示，也可以是在1个像素内所设置的2个像素电极的一方包围另一方，将该被包围的像素电极连接到晶体管。
将图31的像素101的具体例在图32中示出。如该图所示，像素电极17a、17b以及保持电容配线18p的形状和配置与图25是相同的，电容电极37a、37b分别被配置为与第2间隙K2、像素电极17a以及像素电极17b重叠。
更详细地说，电容电极37a、37b是以第2间隙K2交叉的方式在行方向上延伸的形状，在保持电容配线18p上以当使电容电极37a以第2间隙K2上的点为中心旋转180°时与电容电极37b大致一致的方式排列。
并且，在扫描信号线16x上，形成晶体管12a的源极电极8a和漏极电极9a，源极电极8a连接到数据信号线15x。漏极电极9a通过漏极引出配线27a和接触孔11b连接到像素电极17b，电容电极37b通过接触孔111b连接到像素电极17b，电容电极37b的一部分隔着层间绝缘膜与像素电极17a重叠，在两者的重叠部分形成耦合电容Cab1(参照图31)。另外，电容电极37a通过接触孔11a连接到像素电极17a，电容电极37a的一部分隔着层间绝缘膜与像素电极17b重叠，在两者的重叠部分形成耦合电容Cab2(参照图31)。另外，像素电极17a的一部分隔着栅极绝缘膜和层间绝缘膜与保持电容配线18p重叠，在两者的重叠部分形成保持电容Cha(参照图31)。另外，像素电极17b的一部分隔着栅极绝缘膜和层间绝缘膜与保持电容配线18p重叠，在两者的重叠部分形成保持电容Chb(参照图31)。
在图32的液晶面板中，将像素电极17a和像素电极17b通过并列的2个耦合电容(Cab1、Cab2)连接(电容耦合)，因此，例如，在电容电极37b和像素电极17a(在制造工序等中)发生短路的情况下，进行如下修正工序：将电容电极37b在接触孔111b和短路位置之间进行激光切断，由此可以将写入来自数据信号线15x的信号电位的像素电极17b和像素电极17a通过电容维持在连接状态。并且，即使在制造工序等中接触孔111b成为形成不良的情况下，也可以将写入来自数据信号线15x的信号电位的像素电极17b和像素电极17a通过电容维持在连接状态。此外，在电容电极37a和像素电极17b发生短路的情况下，将电容电极37a在接触孔11a和短路位置之间进行激光切断即可。
在进行上述修正工序的情况下，从有源矩阵基板的正面(玻璃基板的相反侧)通过第2间隙K2对电容电极37b照射激光而将其切断。如上所述，根据本实施方式，可以提高液晶面板、其所用的有源矩阵基板的制造成品率。
另外，在图32的液晶面板中，采用如下结构：当使电容电极37a以第2间隙K2上的点为中心旋转180°时，与电容电极37b大致一致，因此，存在如下优点：即使在像素电极17a、17b的对准相对于电容电极37a、37b在与第2间隙K2正交的方向上偏离的情况下，电容电极37a和像素电极17b重叠的面积与电容电极37b和像素电极17a重叠的面积互相补偿，2个耦合电容(Cab1、Cab2)的总量也难以改变。
另外，在图32的液晶面板中，是如下结构：暗子像素所对应的像素电极17b包围亮子像素所对应的像素电极17b，因此，有可以清晰地显示空间频率较高的影像的效果。
在本实施方式中，如下所示来构成本液晶显示单元和液晶显示装置。即，在本液晶面板的两个面上，以偏光板A的偏光轴与偏光板B的偏光轴相互正交的方式贴合2枚偏光板A、B。此外，在偏光板上根据需要也可以层叠光学补偿片等。然后，如图35的(a)所示，连接驱动器(栅极驱动器202、源极驱动器201)。在此，作为一个例子，说明通过TCP(Tape Career Package；卷带式封装)方式所进行的连接。首先，在液晶面板的端子部预压接ACF(Anisotropic Conduktive Film；各向异性导电膜)。然后，将装载有驱动器的TCP从卷带中穿过，与面板端子对准位置，对其进行加热、正式压接。其后，将用于连接驱动器TCP彼此的电路基板209(PWB：Printed wiring board；印刷线路板)和TCP的输入端子通过ACF进行连接。由此完成液晶显示单元200。其后，如图35的(b)所示，通过电路基板203将显示控制电路209连接到液晶显示单元的各驱动器(201、202)，与照明装置(背光单元)204一体化，由此成为液晶显示装置210。
本申请所说的“电位的极性”意味着标准电位以上(正)或者标准电位以下(负)。在此，标准电位可以是公共电极(对置电极)的电位即Vcom(公共电位)，也可以是其它任意的电位。
图36是示出本液晶显示装置的结构的框图。如该图所示，本液晶显示装置具备显示部(液晶面板)、源极驱动器(SD)、栅极驱动器(GD)以及显示控制电路。源极驱动器驱动数据信号线，栅极驱动器驱动扫描信号线，显示控制电路控制源极驱动器和栅极驱动器。
显示控制电路从外部的信号源(例如，调谐器)接收代表要显示的图像的数字视频信号Dv、该数字视频信号Dv所对应的水平同步信号HSY和垂直同步信号VSY以及用于控制显示动作的控制信号Dc。另外，显示控制电路根据接收到的这些信号Dv、HSY、VSY、Dc，生成数据启动脉冲信号S SP、数据时钟信号SCK、代表要显示的图像的数字图像信号DA(视频信号Dv所对应的信号)、栅极启动脉冲信号GSP、栅极时钟信号GCK以及栅极驱动器输出控制信号(扫描信号输出控制信号)GOE作为用于将该数字视频信号Dv所代表的图像显示在显示部的信号，并将这些信号输出。
更详细地说，将视频信号Dv在内部存储器中根据需要进行定时调整等后，作为数字图像信号DA从显示控制电路输出，作为由该数字图像信号DA所代表的图像的各像素所对应的脉冲构成的信号而生成数据时钟信号SCK，根据水平同步信号HSY，作为在每1水平扫描期间的规定期间成为高电平(H电平)的信号而生成数据启动脉冲信号SSP，根据垂直同步信号VSY，作为在每1帧期间(1个垂直扫描期间)的规定期间成为H电平的信号而生成栅极启动脉冲信号GSP，根据水平同步信号HSY生成栅极时钟信号GCK，根据水平同步信号HSY和控制信号Dc生成栅极驱动器输出控制信号GOE。
如上所述，在显示控制电路中所生成的信号中，数字图像信号DA、控制信号电位(数据信号电位)的极性的极性反转信号POL、数据启动脉冲信号SSP以及数据时钟信号SCK被输入到源极驱动器，栅极启动脉冲信号GSP、栅极时钟信号GCK以及栅极驱动器输出控制信号GOE被输入到栅极驱动器。
源极驱动器根据数字图像信号DA、数据时钟信号SCK、数据启动脉冲信号SSP以及极性反转信号POL，将相当于数字图像信号DA所代表的图像的各扫描信号线中的像素值的模拟电位(信号电位)在每1水平扫描期间顺序生成，将这些数据信号输出到数据信号线(例如，15x、15y)。
栅极驱动器根据栅极启动脉冲信号GSP和栅极时钟信号GCK以及栅极驱动器输出控制信号GOE，生成栅极导通脉冲信号，将其输出到扫描信号线，由此有选择地驱动扫描信号线。
如上所述，由源极驱动器和栅极驱动器来驱动显示部(液晶面板)的数据信号线和扫描信号线，由此通过连接到所选择的扫描信号线的晶体管(TFT)，将信号电位从数据信号线写入像素电极。由此在各子像素的液晶层中施加电压，由此控制来自背光源的光的透过量，在各子像素中显示数字视频信号Dv所代表的图像。
下面，说明将本液晶显示装置适用于电视接收机时的一个构成例。图37是示出用于电视接收机的液晶显示装置800的结构的框图。液晶显示装置800具备液晶显示单元84、Y/C分离电路80、视频色度电路81、A/D逆变器82、液晶控制器83、背光源驱动电路85、背光源86、个人计算机(个人电脑)87以及灰度级电路88。此外，液晶显示单元84由液晶面板、用于驱动液晶面板的源极驱动器和栅极驱动器构成。
在上述结构的液晶显示装置800中，首先，作为电视信号的复合彩色影像信号Scv从外部输入到Y/C分离电路80，在此分离为亮度信号和色度信号。这些亮度信号和色度信号通过视频色度电路81变换为光的3原色所对应的模拟RGB信号，并且，该模拟RGB信号通过A/D逆变器82变换为数字RGB信号。该数字RGB信号输入到液晶控制器83。另外，在Y/C分离电路80中，从由外部输入的复合彩色影像信号Scv还取出水平和垂直同步信号，这些同步信号也通过个人计算机87输入到液晶控制器83。
数字RGB信号与基于上述同步信号的定时信号一起以规定的定时从液晶控制器83输入到液晶显示单元84。另外，在灰度级电路88中，生成彩色显示的3原色R、G、B各自的灰度级电位，这些灰度级电位也被供给到液晶显示单元84。在液晶显示单元84中，根据这些RGB信号、定时信号以及灰度级电位，通过内部的源极驱动器、栅极驱动器等生成驱动用信号(数据信号＝信号电位、扫描信号等)，根据这些驱动用信号，在内部的液晶面板中显示彩色图像。此外，当通过该液晶显示单元84显示图像时，需要从液晶显示单元内的液晶面板的后方照射光，在该液晶显示装置800中，在个人计算机87的控制下背光源驱动电路85驱动背光源86，由此，光照射到液晶面板的背面。个人计算机87进行包含上述处理的系统整体控制。此外，作为从外部输入的影像信号(复合彩色影像信号)，不仅是基于电视播放的影像信号，还可以使用由照相机拍摄的影像信号、通过互联网线路所提供的影像信号等，在该液晶显示装置800中，可以显示基于各种影像信号的图像。
在通过液晶显示装置800来显示基于电视播放的图像的情况下，如图38所示，调谐器部90连接到液晶显示装置800，由此构成本电视接收机。该调谐器部90从用天线(未图示)接收到的接收波(高频信号)中抽取要接收的频道的信号而将其变换为中频信号，对该中频信号进行检波，由此取出作为电视信号的复合彩色映像信号Scv。该复合彩色映像信号Scv如已描述的那样输入到液晶显示装置800，基于该复合彩色映像信号Scv的图像由该液晶显示装置800显示。
图39是示出本电视接收机的一个构成例的分解立体图。如该图所示，本电视接收机采用如下结构：作为其构成要素，除了液晶显示装置800以外，具有第1箱体801和第2箱体806，用1箱体801和第2箱体806包围地夹持液晶显示装置800。在第1箱体801中，形成开口部801a，所述开口部801a使由液晶显示装置800所显示的图像透过。另外，第2箱体806覆盖液晶显示装置800的背面侧，设有用于操作该显示装置800的操作用电路805，并且在下方安装有支撑用部件808。
本发明不限于上述实施方式，将上述实施方式根据技术常识进行适当改变的方案、将这些方案组合后所得到的方案也包含在本发明的实施方式中。
工业上的可利用性
本发明的有源矩阵基板以及具备该有源矩阵基板的液晶面板适用于例如液晶电视。

Claims (30)

1.一种有源矩阵基板，其具备扫描信号线、数据信号线以及扫描信号线和数据信号线所连接的晶体管，在1个像素区域内，设置有第1和第2像素电极，
所述有源矩阵基板的特征在于：
具备第1和第2电容电极，
第1电容电极、第1像素电极以及上述晶体管的一方导通电极电连接，并且第2电容电极和第2像素电极电连接，
第1电容电极与第2像素电极形成电容，第2电容电极与第1像素电极形成电容。
2.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于：
上述晶体管的一方导通电极、第1电容电极以及第2电容电极形成在同层中。
3.根据权利要求1或者2所述的有源矩阵基板，其特征在于：
第1电容电极的至少一部分隔着覆盖晶体管的沟道的层间绝缘膜与第2像素电极重叠，第2电容电极的至少一部分隔着上述层间绝缘膜与第1像素电极重叠。
4.根据权利要求1～3中的任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于：
第1和第2像素电极的外周包括多个边，并且第1像素电极的一边与第2像素电极的一边相邻，第1和第2电容电极分别被配置为与该相邻的2边的间隙、第1像素电极以及第2像素电极重叠。
5.根据权利要求4所述的有源矩阵基板，其特征在于：
假设当使第1电容电极以上述间隙上的点为中心旋转180°时，与第2电容电极大致一致。
6.根据权利要求4所述的有源矩阵基板，其特征在于：
假设当使第1电容电极在上述间隙的长度方向上平行移动，并且以与该长度方向平行且穿过间隙中央的线为轴进行线对称移动时，与第2电容电极大致一致。
7.根据权利要求1～6中的任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于：
上述晶体管的一方导通电极通过接触孔连接到第1像素电极，并且该导通电极通过从其引出的引出配线连接到第1电容电极。
8.根据权利要求1～6中的任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于：
上述晶体管的一方导通电极和第1像素电极通过接触孔连接，并且第1像素电极和第1电容电极通过接触孔连接。
9.根据权利要求1～8中的任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于：
以扫描信号线的延伸方向为行方向，第1和第2像素电极在列方向上排列。
10.根据权利要求1～8中的任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于：
以扫描信号线的延伸方向为行方向，第1和第2像素电极在行方向上排列。
11.根据权利要求1～8中的任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于：
第1像素电极包围第2像素电极。
12.根据权利要求1～8中的任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于：
第2像素电极包围第1像素电极。
13.根据权利要求1～12中的任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于：
从平面图上看，第1像素电极比第2像素电极接近上述晶体管。
14.根据权利要求9所述的有源矩阵基板，其特征在于：
对于在行方向上相邻的2个像素区域而言，其一方的第1像素电极与另一方的第2像素电极在行方向上相邻。
15.根据权利要求10所述的有源矩阵基板，其特征在于：
对于在列方向上相邻的2个像素电极而言，其一方的第1像素电极与另一方的第2像素电极在列方向上相邻。
16.根据权利要求1～15中的任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于：
具备保持电容配线，所述保持电容配线与第1像素电极或者电连接到该第1像素电极的导电体形成电容，并且与第2像素电极或者电连接到该第2像素电极的导电体形成电容。
17.根据权利要求16所述的有源矩阵基板，其特征在于：
上述保持电容配线以横穿像素区域中央的方式在与扫描信号线相同的方向上延伸。
18.根据权利要求16所述的有源矩阵基板，其特征在于：
第1电容电极和第2电容电极分别与保持电容配线形成电容。
19.根据权利要求3所述的有源矩阵基板，其特征在于：
上述层间绝缘膜包括无机绝缘膜和比该无机绝缘膜厚的有机绝缘膜，但是对于与第1电容电极和第2像素电极重叠的部分的至少一部分以及与第2电容电极和第1像素电极重叠的部分的至少一部分，除去了有机绝缘膜。
20.根据权利要求1～19中的任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于：
第1和第2像素电极的间隙发挥取向控制构造物的功能。
21.根据权利要求18所述的有源矩阵基板，其特征在于：
第1和第2像素电极的外周包括多个边，并且第1像素电极的一边与第2像素电极的一边相邻，第1和第2电容电极分别被配置为与该相邻的2边的间隙、第1像素电极以及第2像素电极重叠，
在上述保持电容配线中，设置有与上述间隙和第1电容电极重叠的开口部。
22.根据权利要求1～3中的任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于：
第1像素电极包围第2像素电极，
包含与第2像素电极的外周平行的2个边，并且在第1像素电极的外周包含通过第1间隙与上述2个边的一方对置的边、以及通过第2间隙与另一方对置的边，
第1电容电极被配置为与第1像素电极、第1间隙以及第2像素电极重叠，并且第2电容电极被配置为与第2像素电极、第2间隙以及第1像素电极重叠。
23.一种有源矩阵基板的制造方法，上述有源矩阵基板具备扫描信号线、数据信号线以及扫描信号线和数据信号线所连接的晶体管，在1个像素区域内，设置有第1和第2像素电极，
所述有源矩阵基板的制造方法的特征在于：包含：
形成第1电容电极和第2电容电极的工序，所述第1电容电极电连接到上述第1像素电极和上述晶体管的一方导通电极，并且与第2像素电极形成电容，所述第2电容电极电连接到上述第2像素电极，并且与第1像素电极形成电容；
检测工序，所述检测工序检测第1电容电极和第2像素电极的短路以及第2电容电极和第1像素电极的短路的至少一方；以及
切断工序，所述切断工序是在检测出第1电容电极和第2像素电极的短路的情况下，将第1电容电极在与第1像素电极连接的位置和短路位置之间切断，在检测出第2电容电极和第1像素电极的短路的情况下，将第2电容电极在与第2像素电极连接的位置和短路位置之间切断。
24.一种有源矩阵基板的制造方法，上述有源矩阵基板具备扫描信号线、数据信号线、保持电容配线以及扫描信号线和数据信号线所连接的晶体管，在1个像素区域内，设置有第1和第2像素电极，
所述有源矩阵基板的制造方法的特征在于：包含：
形成第1电容电极和第2电容电极的工序，所述第1电容电极电连接到上述第1像素电极和上述晶体管的一方导通电极，并且与第2像素电极和保持电容配线分别形成电容，所述第2电容电极电连接到上述第2像素电极，并且与第1像素电极和保持电容配线分别形成电容；
检测工序，所述检测工序检测第1电容电极和第2像素电极的短路、第2电容电极和第1像素电极的短路、第1电容电极和保持电容配线的短路以及第2电容电极和保持电容配线的短路的至少一种；以及
切断工序，所述切断工序是在发生第1电容电极和第2像素电极的短路或者第1电容电极和保持电容配线的短路的情况下，将第1电容电极在与第1像素电极连接的位置和短路位置之间切断，在发生第2电容电极和第1像素电极的短路或者第2电容电极和保持电容配线的短路的情况下，将第2电容电极在与第2像素电极连接的位置和短路位置之间切断。
25.一种液晶面板的制造方法，上述液晶面板具备扫描信号线、数据信号线以及扫描信号线和数据信号线所连接的晶体管，在1个像素内，设置有第1和第2像素电极，
所述液晶面板的制造方法的特征在于：包含：
形成第1电容电极和第2电容电极的工序，所述第1电容电极电连接到上述第1像素电极和上述晶体管的一方导通电极，并且与第2像素电极形成电容，所述第2电容电极电连接到上述第2像素电极，并且与第1像素电极形成电容；
检测工序，所述检测工序检测第1电容电极和第2像素电极的短路以及第2电容电极和第1像素电极的短路的至少一方；以及
切断工序，所述切断工序是在检测出第1电容电极和第2像素电极的短路的情况下，将第1电容电极在与第1像素电极连接的位置和短路位置之间切断，在检测出第2电容电极和第1像素电极的短路的情况下，将第2电容电极在与第2像素电极连接的位置和短路位置之间切断。
26.一种液晶面板的制造方法，上述液晶面板具备扫描信号线、数据信号线、保持电容配线以及扫描信号线和数据信号线所连接的晶体管，在1个像素内，设置有第1和第2像素电极，
所述液晶面板的制造方法的特征在于：包含：
形成第1电容电极和第2电容电极的工序，所述第1电容电极电连接到上述第1像素电极和上述晶体管的一方导通电极，并且与第2像素电极和保持电容配线分别形成电容，所述第2电容电极电连接到上述第2像素电极，并且与第1像素电极和保持电容配线分别形成电容；
检测工序，所述检测工序检测第1电容电极和第2像素电极的短路、第2电容电极和第1像素电极的短路、第1电容电极和保持电容配线的短路以及第2电容电极和保持电容配线的短路的至少一种；以及
切断工序，所述切断工序是在发生第1电容电极和第2像素电极的短路或者第1电容电极和保持电容配线的短路的情况下，将第1电容电极在与第1像素电极连接的位置和短路位置之间切断，在发生第2电容电极和第1像素电极的短路或者第2电容电极和保持电容配线的短路的情况下，将第2电容电极在与第2像素电极连接的位置和短路位置之间切断。
27.一种液晶面板，其具备权利要求1～22中的任一项所述的有源矩阵基板。
28.一种液晶显示单元，其特征在于：
具备权利要求27所述的液晶面板和驱动器。
29.一种液晶显示装置，其特征在于：
具备权利要求28所述的液晶显示单元和光源装置。
30.一种电视接收机，其特征在于：
具备权利要求29所述的液晶显示装置和接收电视播放的调谐器部。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI542931B (zh) * 2010-08-11 2016-07-21 友達光電股份有限公司 畫素結構之修補方法、修補後之畫素結構以及畫素陣列
TWI446079B (zh) * 2011-06-29 2014-07-21 Au Optronics Corp 畫素結構及其驅動方法
KR102389875B1 (ko) * 2015-09-01 2022-04-22 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
WO2021064820A1 (ja) * 2019-09-30 2021-04-08 シャープ株式会社 表示装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH117046A (ja) * 1997-06-16 1999-01-12 Sharp Corp 液晶表示装置
JP3767590B2 (ja) * 2002-11-26 2006-04-19 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器
JP4361844B2 (ja) * 2004-07-28 2009-11-11 富士通株式会社 液晶表示装置

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