CN101990483B - 具有经控制的孔隙形态的抛光垫 - Google Patents
具有经控制的孔隙形态的抛光垫 Download PDFInfo
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Abstract
本发明提供一种具有经控制的孔隙形态的抛光垫,其是化学机械平坦化抛光垫,包括分散于聚合物中的网络构件、形成于垫中的多个孔隙,且所述网络构件的至少一部分连接至所述孔隙的至少一部分。本发明还揭露一种形成此种垫的方法,其包括:提供组合物,所述组合物包含网络构件,以及聚合物及反应性预聚合物中的至少一者;将气体导入所述组合物中;以及使用所述气体在所述组合物中制造孔隙。本发明还揭露一种形成孔隙的方法,其依靠对聚合物或反应性预聚合物内的网络构件施加力并随后移除所述力而形成孔隙。
Description
相关申请案交叉参考
本申请案主张基于2008年4月1日提出申请的美国临时专利申请案第61/041,422号的优先权,该美国临时专利申请案的全部内容以引用方式并入本文中。
技术领域
本发明涉及一种用于抛光材料的化学/机械抛光垫,其例如用于由诸如硅等相对平坦或薄的半导体材料形成的半导体装置。该抛光垫可包括含有孔隙的纤维聚合物基质,其中通过制造协议将孔隙几何形状、分布、大小等调节至目标水平。
背景技术
当在诸如半导体晶片、毯覆硅晶片(blanket silicon wafer)及计算机硬盘等微电子装置的制造中应用化学机械平坦化(Chemical Mechanical Planarization;CMP)作为工艺步骤时,可将抛光垫与含磨料或不含磨料的浆料搭配使用来实现装置表面的平坦化。为在装置表面上实现高度平坦化(通常以埃数量级进行衡量),浆料流应均匀地分布于装置表面与垫之间。为有利于浆料的此种均匀分布,可在抛光垫上提供多个凹槽或凹陷结构。这多个凹槽可分别具有0.010英寸至0.050英寸的凹槽宽度、0.010英寸至0.080英寸的深度、以及相邻凹槽间具有0.12英寸至0.25英寸的间距。
尽管凹槽可提供上述有益效果,然而其可能不足以在半导体晶片上实现芯片(或单个微芯片)层次的局部的平坦化。此可能是由于凹槽与微芯片上各种表征(例如互连线)之间相对大的差别。例如,先进ULSI及VLSI微芯片可具有约0.35微米(0.000014英寸)的表征尺寸,这要比抛光垫上各个凹槽的宽度及深度小许多倍。另外,微芯片上的表征尺寸也比相邻凹槽间的间距小上千倍,此可导致浆料在表征尺寸水平上不均匀分布。
为努力提高局部均匀性(表征尺寸等级的平坦化),在某些情形中,CMP垫 制造商会在垫的表面上提供凹凸或高低不平的区域。这些凹凸可具有自20微米至100微米以上的尺寸。尽管与凹槽相比,这些凹凸在尺寸上可更接近于微芯片的表征,然而凹凸的形状及尺寸可能会在抛光过程中发生变化,并可能需要通过用带有金刚石研磨颗粒的调节器砥磨抛光垫表面来进行连续再生。调节器上的金刚石研磨颗粒会连续地擦掉由于抛光垫、浆料与装置表面之间的摩擦接触而变形的表面凹凸,并暴露出新的凹凸以维持持续的平坦化。然而,调节过程可能不稳定,因为其可能会利用锐利的金刚石颗粒来切断已变形的凹凸。对已变形凹凸的切断无法被很好地控制,致使凹凸的尺寸、形状及分布发生变化,而此又可能导致平坦化的均匀性发生变化。此外,因进行调节而产生的摩擦热也可能会通过改变垫的表面特性(包括诸如剪切模量、硬度及可压缩性等特性)而造成平坦化的不均匀性。
发明内容
本发明的目的是提供一种化学机械平坦化抛光垫及形成化学机械平坦化抛光垫的方法,以获得抛光垫平坦化的均匀性。
本发明提供第一种形成化学机械平坦化抛光垫的方法,包括:提供组合物,所述组合物包含网络构件,以及聚合物与反应性预聚合物中的至少一者。然后,可将气体导入所述组合物中,并使用所述气体在所述组合物中制造多个孔隙。
本发明提供第二种形成化学机械平坦化抛光垫的方法,包括:提供组合物,所述组合物包含网络构件,以及聚合物与反应性预聚合物中的至少一者。所述网络构件具有长度、宽度及/或厚度的尺寸,且在所述聚合物或反应性预聚合物中的一者的存在下,所述长度、宽度或厚度尺寸中的一者通过施加力而改变。当所述力被移除时,所述长度、宽度或厚度中的至少一者的值随之发生改变,从而形成一或多个孔隙。第二种方法可单独使用及/或与第一种方法结合使用。也可使用聚合物与反应性预聚合物的组合。
本发明还提供一种化学机械平坦化抛光垫,包括:分散在聚合物内的网络构件、多个形成在所述垫中的孔隙,且至少一部分的所述网络构件连结到至少一部分的所述孔隙。
本发明的有益技术效果是:可利用织物的弹性恢复来将气体吸入所形成的聚合物中,从而在化学机械抛光垫内形成孔隙,从而获得抛光垫平坦化的均匀性。
附图说明
通过结合附图阅读下文对本文所述实施例的说明,将更明显地得知及更佳地理解本发明的上述及其他特征以及其实现方式,附图中:
图1为聚合物基质中的孔隙的实例;
图2为聚合物基质中的孔隙的另一实例;
图3为在聚合物基质堆叠中用于形成孔隙的凹陷的实例;
图4为显示水的含量对孔隙含量的影响的表;
图5为显示预加热织物对孔隙含量的影响的表;
图6为显示铸具内的间隙高度对孔隙含量的影响的表;
图7为垫横截面的扫描电子显微照片,其显示在铸具间隙高度为40密耳时的孔隙含量;以及
图8为垫横截面的扫描电子显微照片,其显示在铸具间隙高度为10密耳时的孔隙含量。
具体实施方式
应理解,本发明的揭露内容并不限于其对在下文说明中所述及在附图中所示的构造细节及元件排列的应用。本文的实施例可具有其他实施例并可以各种不同方式来实践或实施。还可以理解,本文所用的措辞及术语是用于说明目的,而不应被视为具有限制意义。本文使用的“包括”、“包含”或“具有”及其变化形式意指囊括在其后所列的各个项及其等价项以及其他项。除非另外加以限制,否则本文中的用语“连接”、“耦合”及“安装”及其变化形式是广义地使用并囊括直接及间接的连接、耦合及安装。另外,用语“连接”、“耦合”及其变化形式并不限于物理或机械连接或耦合。
本发明的揭露内容涉及可在抛光或平坦化诸如硅晶片等基材的过程中使用的化学机械平坦化抛光垫。抛光垫基质可包括热塑性或热固性聚合物,包括聚氨酯、聚碳酸酯、聚砜、聚苯硫醚、环氧树脂、各种聚酯、聚酰亚胺、聚酰胺、聚烯烃、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚氯乙烯、聚乙烯醇及/或上述材料的衍生物或共聚物。在一个实例中,抛光垫基质(即由给定的垫限定的体积)可包括聚氨酯预聚合物及固化剂,提供固化剂是用于交联及/或聚合氨基甲酸酯预聚合物。
抛光垫可包括若干构件,例如由分散于聚合物内的互连的及/或非互连的网络构件。这些构件可由纤维形成。纤维可为可溶性的(例如,可溶于在使用垫进行抛光时与垫一起使用的浆料中,例如含水浆料中)、不可溶性的或其混合物。另外, 纤维所具有的长度可介于0.1mm与500mm范围内(包括其中的所有值及增量),且直径介于0.1μm至100μm范围内(包括其中的所有值及增量)。网络可被提供为织物形式。织物可为织造织物或非织造织物。非织造织物可包括例如梳理织物、纺粘织物或熔喷织物。这些织物通常是以薄片形式提供,其特征在于可铺展成平坦(平面)材料(例如,较长度及宽度来得薄),此种材料一般被制造或以其他方式提供成卷的形式。其他材料薄片可包括纤维衬垫。
这些构件可以给定的体积量存在于聚合物中。例如,这些构件可按抛光垫的体积计以2%至75%的量存在,包括其中的所有值及增量。这些构件可相对均匀地分布于抛光垫自身内,即在给定部分的抛光垫中,可存在实质相同体积的构件。另外,这些构件可在抛光垫的整个体积内存在于多个层中,使得可存在一聚合物层、接着可存在一构件层。还设想,这些构件可围绕抛光垫以某些几何形状定位。例如,这些构件可被定位成螺旋形式、同心环形式、抑或菱形或类似的相交图案形式。
抛光垫还可包括多个孔或孔隙,在下文中称为“孔隙”。可在不使用任何具有预成型及结构化孔隙体积的外加添加剂下来形成孔隙。孔或孔隙可界定0.1μm3至1,000,000μm3的空间,包括其中所有值及增量,例如100μm3至1,000,000μm3。孔隙可通过聚合物内的物理或化学相互作用来形成。例如,聚合物润湿各个构件的能力可影响孔隙的形成,即当聚合物润湿各个构件的能力较差时,可围绕各个构件形成孔隙,或者当聚合物完全润湿各个构件时,孔隙则可实质减少及/或被消除。
根据该概念,可以理解,可选择能与纤维表面具有特定接触角的给定聚合物树脂,以便当液态树脂在纤维网络内固化时,可形成所期望的孔隙尺寸。设想,可调整液态树脂(在固化前)与所选纤维表面之间的接触角而使亲水性表面与疏水性树脂相关联,从而使接触角相对较大(即大于90度)。还可理解,可利用疏水性表面与亲水性树脂的组合。此外,可使用其疏水性或亲水性为中等特性的树脂/纤维组合,从而同样在固化时可形成所期望的孔隙体积。
在图1所示的一个实例中,孔102可不与聚合物基质106中的网络构件104相连(即由聚合物占据体积)。在图2所示的另一实例中,孔202则可与聚合物基质206中的网络构件204相连。如图2所示,孔隙可围绕一或多个构件的全部或一部分。如图所示,一部分的网络构件204可位于至少一部分的孔/孔隙202内。换句话说,至少一部分的孔/孔隙202可分别具有一体积,该体积可容纳至少一部分的网络构件104。
在另一实例中,可通过在构件内并入添加剂或以添加剂涂覆构件来形成孔隙, 该添加剂可挥发并形成气体,从而形成给定的孔隙尺寸及分布。因此,添加剂可在发生可释放出气体的化学反应或热反应或在因暴露于热而造成膨胀之后提供孔隙。所属领域的技术人员将了解,因此可使用起泡剂,起泡剂可被理解为一种在暴露于给定环境条件(例如热)时会产生气体的化学成分。此外,可通过利用中空纤维来产生孔隙。在一个实例中,纤维在加热时可延伸或释放出气体。此外,可在由给定能源(例如激光、紫外线(UV)、辐射等)进行活化时产生孔隙。
在图3所示的又一实例中,可通过堆叠包括若干构件304的聚合物基质306的多个层来产生孔隙,其中聚合物基质306的层可在表面310中包含凹陷308。在这些层相堆叠时,凹陷表面310可形成孔隙。在另一实例中,可使聚合物基质破裂而形成孔隙,或者可使用激光、蚀刻或压花(embossing)来形成孔隙。
孔隙可在聚合物基质内形成孔隙体积,从而使聚合物基质的给定百分比的体积限定孔隙。在一个实例中,孔隙体积可处于抛光垫的给定体积的5%至25%范围内,包括其中的所有值及增量。在另一实例中,孔隙体积可处于抛光垫的给定体积的10%至75%范围内,包括其中的所有值及增量。
孔隙可相对均匀地分布于抛光垫自身中,即对于给定部分的抛光垫,可存在实质相同体积的孔隙。另外,孔隙可定位于抛光垫的整个体积的各个层中,使得可存在一层孔隙并接着存在一层聚合物基质。还设想,孔隙可围绕抛光垫以某些几何形状定位。例如,孔隙可被定位成螺旋形式、同心环形式、抑或菱形或类似的相交图案形式。
抛光垫可通过预先调节聚合物或预聚合物、任何固化剂或添加剂以及所述构件来形成。然后,可将预聚合物与固化剂或其他添加剂相组合并在铸具中施用到构件上。铸具可保持于凝固温度或温度曲线,直到进行聚合并可获得抛光垫为止。固化剂与预聚合物的反应可得到相对更高分子量的聚合物,此可被理解为固化或(如果发生交联)胶凝。然后,可移出抛光垫,并在烘箱内在给定的温度、给定的时间下进行后固化(post-cured)。
一旦抛光垫固化,便可找到或擦亮抛光垫的表面以移除任何表面层。可添加任何凹槽、凹陷或穿孔。亦可使用诸如压敏粘合剂等粘合剂将抛光垫层压到子衬垫(subpad)。
承上所述,预聚合物可为反应性的,且其自身可具有小于或等于10,000的数均分子量。例如,预聚合物可包含反应性端基,这些反应性端基然后可通过固化剂结合在一起,其中固化剂可被理解为反应性预聚合物的共反应物(co-reactant)。例如,预聚合物可包含反应性有机碱端基,并可具体而言包含氨基(-NH2)或羟基(-OH)封端的聚醚,且固化剂可可包括含有两个或更多个异氰酸基的异氰酸酯(-NCO)化合物。反应性预聚合物还可包括羟基封端的聚酯类、或羟基封端的聚二烯类,例如羟基封端的聚二烯(例如羟基封端的聚丁二烯)。此外,可以理解,当调节固化剂(二异氰酸酯化合物)及反应性预聚合物的组合以使得留有某一残留水平的未反应异氰酸酯(例如小于或等于5.0重量%,或0.1重量%至5.0重量%)时,此时可引入选定量的水,所述水可接着与异氰酸酯反应而形成二氧化碳,如本文所述,在垫内进行孔隙形成时可依赖于二氧化碳。
就此而言,水在与异氰酸酯相结合时可被理解为起泡剂,因此异氰酸酯为任何能提供可用于提供孔隙的气体源的成分。其他起泡剂可包括任何如下的有机化合物:此有机化合物能重排成气体形式及/或自身具有足以转变成气体形式的蒸气压力,并进而在垫内提供孔隙。通常,可使用在暴露于热时能重排或转变成气体的成分。例如,可使用AIBN或相对低分子量的氟氯烷或卤代的氟氯烷型化合物。例如,可使用氯三氟甲烷(chlorotrifluoromethane;CTFM)。因此,起泡剂可包括在压力被释放时会膨胀的压缩气体、当被滤出时会留有孔的可溶解固体、当变成气体时会形成小胞的液体、以及在受热时会分解或反应而形成气体的化学试剂。化学起泡剂从诸如碳酸氢铵或碳酸氢钠等简单的盐到复杂的氮气释放剂(AIBN)不等。
作为更具体的实例,可将以羟基封端的聚醚与以二异氰酸基封端的化合物相结合,并在起泡剂的存在下(例如,小于或等于约5.0重量%的起泡剂)反应形成聚氨酯。二异氰酸酯可包括脂族及/或芳香族型二异氰酸酯化合物。例如,二异氰酸酯化合物可包括二异氰酸二苯甲烷(methylene bisphenyl diisocyanate;MDI)或甲苯二异氰酸酯(toluene diisocyanate;2.4-TDI或2-6-TDI)。聚醚可包括聚环氧乙烷、聚环氧丙烷、及/或聚乙烯-聚丙烯共聚物。此种聚醚可具有等于或小于约10,000的分子量。此外,可包括官能度大于2的异氰酸酯化合物,以激发某种所期望程度的交联。
上述聚氨酯配方也可包括扩充剂,扩充剂可被理解为分子量相对低的化合物,其可与反应性预聚合物反应并提供较高的总体分子量。通常,此种扩充剂为诸如分子量相对低(小于或等于500)的二羟基化合物及/或二胺化合物等化合物。此种二羟基化合物及/或二胺化合物可包括使用在脂族及/或芳香族部分上的二羟基及/或二胺官能团。
因此,现在可以理解,用于形成本文的抛光垫的组合物可包括聚合物(分子量相对高的聚合物,例如数均分子量超过10,000)中的一者或反应性聚合物(如本文所述,数均分子量小于或等于10,000)中的一者。聚合物因此可以是能够被加热并且将会流动并随后在较低温度下固化而提供抛光垫产品的聚合物。反应性聚合物则因此可以是可固化(在共反应物的存在下)成相对更高分子量(例如,数均分子量超过10,000)的反应性预聚合物。此外,本文设想,可利用如上所述的聚合物与同样如上所述的反应性预聚合物/固化剂的组合。
现在可以理解,在本文利用纤维作为网络构件且此种纤维具有与其相关联的特定水分/湿气水平(例如,0.1重量%至5.0重量%)的情况下,在异氰酸酯的存在下,水可使得产生气体并在各构件交汇的界面处的纤维上形成孔隙。亦即,主要旨在与反应性预聚合物发生反应的二异氰酸酯反应物可与纤维上或纤维内残留的水(例如大气水平的湿气)相接触,并反应形成二氧化碳气体,从而得到与纤维直接相关联的孔隙(例如,环绕纤维的全部或一部分的孔隙)。换句话说,此造成至少一部分的网络位在此种孔隙中,或至少一部分的此种孔隙包含至少一部分的网络构件。还可进一步理解,包含残留水的织物材料将易于提供更高的孔隙含量相对水平。
随着抛光垫在平坦化或抛光期间被磨损,会暴露出构件及/或孔隙。当构件及/或孔隙可在接触抛光溶液时溶解的情况下,构件及/或孔隙可提供不同几何形状的孔隙。
可进一步理解,在与可溶于浆料的网络构件相结合使用时,此种孔隙可尤其适用,所述浆料是在使用垫进行抛光时与垫一起使用(例如为含水浆料)。当使用此种可溶性网络构件(例如可溶性纤维)且网络构件溶解时,网络构件所占据的空间现在可被浆料占据。此处,由于围绕纤维形成孔隙,一旦纤维溶解,被浆料占据的空间体积便即刻随着孔隙的增大体积而增大。因此,这些垫将能够保留相对更高量的浆料。
关于工艺条件,已发现,可尤其通过聚合物所具有的水分含量、表面活性剂水平、通过对网络构件进行预加热以及通过改变铸具内的间隙高度来改变孔隙含量。
图4显示随着聚合物(胺基甲酸酯)中的水分含量从0.5%增大至1%、以及表面活性剂水平从0.1%增大至0.2%,垫的孔隙含量增大且垫的密度减小。
图5显示当对网络构件(织物)进行预加热时,与图4所示的孔隙含量相比,孔隙含量减小且垫密度增大。
图6显示在不存在气体时,对于网络构件(织物)与所形成聚合物的结合,当铸具的间隙高度从130密耳(0.130英寸)变化至100密耳(0.100英寸)时,可形 成间隙,且间隙含量可增大。亦即,通过如下文中予以更全面的说明的、被理解为主要机械手段(例如织物从聚合物内的给定压缩进行弹性恢复),可形成孔隙。
首先,值得注意的是,在图6中提到的间隙高度是指铸具的封闭体积的高度。在该具体实例中,铸具还具有约34英寸的宽度以及34英寸的长度。然而,本文涵盖将适用于生产抛光垫的任何铸具尺寸。此外,铸具可以是还包括与外界空气连通的相对小的开口,从而使铸具可通气及/或使空气可被吸入铸具内以形成孔隙。亦即,对于图6所示的数据,所用的织物具有约130密耳的特定厚度。因此,当置于设置有约130密耳的间隙高度的铸具中时,织物将不经受明显的压缩。另一选择为,当对此相同的130密耳厚织物应用100密耳的铸具间隙高度时,可以理解,织物此时将受到压缩。然后,当释放此种压缩时,织物可回弹(例如,弹性恢复),从而可接着将空气吸入铸具中以及聚合物内,进而形成孔隙。可期望吸入空气或任何其他气体,并可以是如下特征的结果:所形成的聚合物可粘着至织物上,并且当织物回弹时,可局部形成压力降低的区域,从而通过铸具通气孔吸入可用的气体,随之形成孔隙。因此可以看出,在间隙高度为130密耳时,孔隙含量相对低(8.7%),且在间隙高度为100密耳时,孔隙含量增大至相对高的值(29.57%)。
因此,可以理解,就施加力至所选织物方面,可以将此种力施加至织物的实体尺寸中的至少一者(例如织物长度、宽度及/或厚度)。当对这些所示尺寸中的一者施加力时,织物的长度、宽度或厚度尺寸中的一者可随后发生变化。当力被移除时,所述长度、宽度或厚度尺寸中的至少一者的值随后再次发生变化(例如织物力图返回至其原始尺寸),从而使得形成一或多个孔隙。例如,当力被移除时,已被压缩的网络构件可经历恢复,并且如上文所述,此可使得随之吸入些许气体并形成孔隙。
因此,尽管可在所选铸具中方便地压缩及减小织物厚度、随后移除力并形成孔隙,然而应理解,甚至可以扩大织物的长度及/或宽度及/或厚度尺寸并得到类似的结果。此外,如果需要,可以减小或扩大所有尺寸(长度、宽度及厚度)。因此,在本揭露内容的广义含意中,可以利用网络构件(例如织物),该织物在经历尺寸变化(长度、宽度或厚度中的一者增大或减小)时将使得在抛光垫体积内形成一或多个孔隙。就此而言,可以理解,当例如扩大网络构件的长度、宽度或厚度中的一特定尺寸并接着使其恢复时,可形成孔隙,这是因为网络构件可被理解为随后在一或多个尺寸上与任何相关联的聚合物或反应性预聚合物一起收缩,从而形成孔隙。
此外,可以理解,对于给定的织物,现在可根据织物的弹性特性(例如,弹性 响应)来选择此种织物,此弹性响应可用于形成孔隙。在本发明的含意中,设想对于给定的所施加力及对应的尺寸变化,织物可具有1.0%至99%的弹性恢复率,包括其中的所有值及增量。织物还可具有最高达200%(包括200%在内)的弹性伸长率以及所示的弹性恢复特性。可以理解,相对更高的弹性恢复量将会使相对更多的气体吸入铸具内,从而提供相对更大量的孔隙形成。据此,应理解,对于给定的CMP型应用,1%至10%的弹性恢复率可足以形成孔隙。
现在,在图7与图8中分别显示由于使用上文所述的机械手段而引起的孔隙含量的实际差别。从这些以大致相同的放大率拍摄的扫描电子显微照片可以看出,可利用织物的弹性恢复来将气体吸入所形成的聚合物中,从而在化学机械抛光垫内形成孔隙。因此,此种通过使织物在所施加力作用后恢复而形成孔隙的方法可单独使用及/或与如上所述挥发性气体(例如,来自在受热时会形成气体的添加剂)的使用一起使用。亦即,挥发性气体与吸入的气体可以是相同的(例如,其均可为空气),或者可以是不同的(例如,分别为空气与氮气)。
出于例示目的,上文提供了对若干方法及实施例的说明。本说明并非旨在作为穷尽性说明,而是显然,可根据上述教示内容而作出诸多种修改及变化。
Claims (17)
1.一种形成化学机械平坦化抛光垫的方法,包括:
提供组合物,所述组合物包含织物形式的网络构件,以及聚合物及反应性预聚合物的至少一者,其中所述聚合物及反应性预聚合物的至少一者在铸具中施用到所述构件上;
将第一气体导入所述组合物中;以及
使用所述气体在所述组合物中制造多个孔隙;
其中所述孔隙所界定的空间为0.1μm3至1,000,000μm3;
形成抛光垫,包含分散在所述聚合物或所述反应性预聚合物内的织物形式的网络构件,包含所述多个形成在垫中的孔隙,其中至少一部分的所述网络构件是连结到至少一部分的所述孔隙;
其中所述网络构件包括多条可溶性纤维;其中所述纤维所具有的长度介于0.1mm与500mm范围内且直径介于0.1μm至l00μm范围内,同时按抛光垫的体积计以2%至75%的量存在。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于:
所述将第一气体导入所述组合物中的步骤是通过所述组合物中的成份挥发以提供所述气体而实现。
3.如权利要求2所述的方法,其特征在于:
所述成份是由于化学反应、热反应及暴露至热的至少一者而进行挥发。
4.如权利要求2所述的方法,其特征在于:
所述成份包括起泡剂。
5.如权利要求2所述的方法,其特征在于:
所述成份具有所述网络构件。
6.如权利要求1所述的方法,其特征在于:
所述将第一气体导入所述组合物中的步骤中是通过将所述组合物内的起泡剂暴露至生成所述气体的条件而实现。
7.如权利要求6所述的方法,其特征在于:
所述起泡剂具有所述网络构件。
8.如权利要求1所述的方法,其特征在于:
所述组合物是通过将所述网络构件放置在铸具中并随后导入所述聚合物与所述反应性预聚合物的至少一者至所述铸具中而提供。
9.如权利要求1所述的方法,其特征在于:
所述第一气体是在所述组合物在铸具中胶化的期间内导入所述组合物中。
10.如权利要求1所述的方法,其特征在于:
所述网络构件是互相连结的。
11.如权利要求1所述的方法,其特征在于:
所述网络构件是提供在所述垫内的一层中。
12.如权利要求1所述的方法,其特征在于:
至少一部分的所述网络构件是亲水性的。
13.如权利要求1所述的方法,其特征在于:
所述纤维是以薄片的形式提供。
14.如权利要求1所述的方法,其特征在于:
当使用所述垫进行抛光时,在与所述垫并用的浆料的存在下,至少一部分的所述网络构件是可溶解的。
15.如权利要求1所述的方法,其特征在于所述网络构件具有长度、宽度及/或厚度的尺寸,且在所述聚合物或反应性预聚合物的一者的存在下,所述长度、宽度或厚度尺寸的一者通过施加力而改变,其中所述力被移除且所述长度、宽度及/或厚度的至少一者的值改变,形成一或多个孔隙。
16.如权利要求1所述的方法,其特征在于所述第一气体包括空气。
17.一种形成化学机械平坦化抛光垫的方法,包括:
提供组合物,所述组合物包含网络构件,以及聚合物及反应性预聚合物的至少一者,其中所述网络构件包括织物形式的多条纤维;其中所述网络构件具有长度、宽度及/或厚度的尺寸且所述织物具有1.0%至99%的弹性恢复率;
在所述聚合物或反应性预聚合物的一者的存在下,通过施加力而改变所述长度、宽度或厚度尺寸中的一者;
移除所述力,其中所述织物恢复且所述长度、宽度及/或厚度的至少 一者的值再次改变,形成一或多个孔隙;以及
形成抛光垫,包含分散在所述聚合物或所述反应性预聚合物内的织物形式的网络构件,包含所述多个形成在垫中的孔隙,其中至少一部分的所述网络构件是连结到至少一部分的所述孔隙。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US4142208P | 2008-04-01 | 2008-04-01 | |
US61/041,422 | 2008-04-01 | ||
PCT/US2008/078610 WO2009123659A1 (en) | 2008-04-01 | 2008-10-02 | Polishing pad with controlled void formation |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101990483A CN101990483A (zh) | 2011-03-23 |
CN101990483B true CN101990483B (zh) | 2013-10-16 |
Family
ID=41117705
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2008801286028A Expired - Fee Related CN101990483B (zh) | 2008-04-01 | 2008-10-02 | 具有经控制的孔隙形态的抛光垫 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8377351B2 (zh) |
EP (1) | EP2271463A4 (zh) |
JP (1) | JP5485978B2 (zh) |
KR (1) | KR101563204B1 (zh) |
CN (1) | CN101990483B (zh) |
WO (1) | WO2009123659A1 (zh) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101044279B1 (ko) * | 2009-07-30 | 2011-06-28 | 서강대학교산학협력단 | Cmp 연마패드와 그의 제조방법 |
KR101044281B1 (ko) * | 2009-07-30 | 2011-06-28 | 서강대학교산학협력단 | 기공이 형성된 cmp 연마패드와 그의 제조방법 |
US8758659B2 (en) | 2010-09-29 | 2014-06-24 | Fns Tech Co., Ltd. | Method of grooving a chemical-mechanical planarization pad |
US20150038066A1 (en) * | 2013-07-31 | 2015-02-05 | Nexplanar Corporation | Low density polishing pad |
TWI548481B (zh) * | 2014-11-17 | 2016-09-11 | 三芳化學工業股份有限公司 | 拋光墊及其製造方法 |
US10946495B2 (en) * | 2015-01-30 | 2021-03-16 | Cmc Materials, Inc. | Low density polishing pad |
KR102608960B1 (ko) * | 2016-12-05 | 2023-12-01 | 삼성전자주식회사 | 집적회로 소자 제조용 연마 패드의 제조 방법 |
KR102570825B1 (ko) * | 2020-07-16 | 2023-08-28 | 한국생산기술연구원 | 다공성 돌출 패턴을 포함하는 연마 패드 및 이를 포함하는 연마 장치 |
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TW200810878A (en) * | 2006-07-19 | 2008-03-01 | Innopad Inc | Chemical mechanical planarization pad having micro-grooves on the pad surface |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
MY114512A (en) * | 1992-08-19 | 2002-11-30 | Rodel Inc | Polymeric substrate with polymeric microelements |
US6656018B1 (en) * | 1999-04-13 | 2003-12-02 | Freudenberg Nonwovens Limited Partnership | Polishing pads useful in chemical mechanical polishing of substrates in the presence of a slurry containing abrasive particles |
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JP2001001252A (ja) * | 1999-06-21 | 2001-01-09 | Toray Ind Inc | 研磨布 |
US6533645B2 (en) * | 2000-01-18 | 2003-03-18 | Applied Materials, Inc. | Substrate polishing article |
US6964604B2 (en) * | 2000-06-23 | 2005-11-15 | International Business Machines Corporation | Fiber embedded polishing pad |
AU2001297847A1 (en) * | 2000-11-20 | 2002-12-23 | Freudenberg Nonwovens, L.P. | Polishing pads with polymer filled fibrous web, and methods for fabricating and using same |
JP3815226B2 (ja) * | 2001-01-31 | 2006-08-30 | 東レ株式会社 | 研磨布 |
JP2003094320A (ja) * | 2001-09-25 | 2003-04-03 | Toray Ind Inc | 研磨布 |
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US20030168627A1 (en) * | 2002-02-22 | 2003-09-11 | Singh Rajiv K. | Slurry and method for chemical mechanical polishing of metal structures including refractory metal based barrier layers |
US6913517B2 (en) * | 2002-05-23 | 2005-07-05 | Cabot Microelectronics Corporation | Microporous polishing pads |
US20060189269A1 (en) * | 2005-02-18 | 2006-08-24 | Roy Pradip K | Customized polishing pads for CMP and methods of fabrication and use thereof |
US7086932B2 (en) * | 2004-05-11 | 2006-08-08 | Freudenberg Nonwovens | Polishing pad |
-
2008
- 2008-10-02 KR KR1020107023840A patent/KR101563204B1/ko active IP Right Grant
- 2008-10-02 EP EP08873724.2A patent/EP2271463A4/en not_active Withdrawn
- 2008-10-02 US US12/244,513 patent/US8377351B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2008-10-02 WO PCT/US2008/078610 patent/WO2009123659A1/en active Application Filing
- 2008-10-02 CN CN2008801286028A patent/CN101990483B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2008-10-02 JP JP2011502929A patent/JP5485978B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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TW200810878A (en) * | 2006-07-19 | 2008-03-01 | Innopad Inc | Chemical mechanical planarization pad having micro-grooves on the pad surface |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8377351B2 (en) | 2013-02-19 |
WO2009123659A1 (en) | 2009-10-08 |
JP5485978B2 (ja) | 2014-05-07 |
JP2011517853A (ja) | 2011-06-16 |
EP2271463A1 (en) | 2011-01-12 |
KR101563204B1 (ko) | 2015-10-26 |
EP2271463A4 (en) | 2013-11-27 |
CN101990483A (zh) | 2011-03-23 |
US20090246504A1 (en) | 2009-10-01 |
KR20110009113A (ko) | 2011-01-27 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20131016 Termination date: 20181002 |