CN101976685B - 具有蚀刻停止层的晶体管结构及其制作方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开一种具有蚀刻停止层的晶体管结构及其制作方法。本发明的晶体管结构，至少由基板、结晶半导体层、蚀刻停止结构、欧姆接触层、源极、漏极、栅极绝缘层以与栅极所构成。本发明的制作方法可通过相同的光掩模同时图案化欧姆接触层及结晶半导体层，或通过相同的另一光掩模同时图案化欧姆接触层及电极层。

Description

具有蚀刻停止层的晶体管结构及其制作方法

技术领域

本发明涉及一种的晶体管结构，尤其涉及一种具有蚀刻停止层的薄膜晶体管结构。

背景技术

现有薄膜晶体管顶栅极(top gate)结构(元件)中，目前已广泛地应用在平面显示装置上，其中顶栅极是指栅极设置于半导体堆栈层上方，而半导体堆栈层是由多晶硅层与欧姆接触层所构成，即先形成多晶硅层再形成欧姆接触层于多晶硅层的上方，且欧姆接触层中具有N+区域及P+区域。然而在一般的顶栅(topgate)晶体管元件的工艺中，对欧姆接触层蚀刻时，即对N+区域和P+的区域的蚀刻时，易蚀刻栅极正下方及其附近的多晶硅层，而造成多晶硅层(也可称为主动层)的前通道损坏，即位于栅极下方的多晶硅层会被蚀刻成较原先设计的厚度为薄，而若当晶体管元件的多晶硅层(也可称为主动层)较薄时，更不易控制蚀刻工艺中的多晶硅层(也可称为主动层)厚度的均匀性，容易导致电性不均。而且，由于前信道损坏也会造成电子迁移率降低、漏电流变大以及次临界效应变差等问题，而使得晶体管元件可靠度不佳，造成了薄膜晶体管顶栅极(top gate)结构(元件)在应用上的限制。

因此，现有的顶栅(top gate)晶体管元件的结构尚须改良。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于提出一种具有蚀刻停止层的晶体管结构及其制作方法，以改良现有晶体管电性不均的问题。

本发明的具有蚀刻停止层的晶体管结构，至少由基板、结晶半导体层、蚀刻停止结构、欧姆接触层(Ohmic Contact)、源极、漏极、一栅极绝缘层以与栅极所构成。其中，结晶半导体层设置于基板上，其中结晶半导体层包括上表面、第一侧表面与一第二侧表面。蚀刻停止结构设置于结晶半导体层上，且蚀刻停止结构包含第一部分及第二部分。欧姆接触层设置于结晶半导体层及蚀刻停止结构上，包含第一欧姆接触区与第二欧姆接触区，其中第一欧姆接触区自蚀刻停止结构的第一部分的上方朝向结晶半导体层延伸且覆盖结晶半导体层的上表面的一侧，第二欧姆接触区自蚀刻停止结构的第二部分的上方朝向结晶半导体层延伸且覆盖结晶半导体层的上表面的另一侧。源极覆盖于第一欧姆接触区，而漏极覆盖于第二欧姆接触区。栅极绝缘层设置于源极、漏极与结晶半导体层上。而栅极设置于栅极绝缘层上对应结晶半导体层。

其中，该蚀刻停止结构的该第一部分被夹设于该第一欧姆接触区正下方及该结晶半导体层之间，该蚀刻停止结构的该第二部分被夹设于该第二欧姆接触区正下方及该结晶半导体层之间，该蚀刻停止结构的该第一部分与该第二部分不接触，且暴露出部分该结晶半导体层。

其中，该蚀刻停止结构更包含一第三部分，而该第一部分、该第二部分及该第三部分连接构成一体的该蚀刻停止结构，且该蚀刻停止结构与该第一欧姆接触区及该第二欧姆接触区完全覆盖住该结晶半导体层。

其中，该第一欧姆接触区更进一步延伸覆盖该结晶半导体层的该第一侧表面及部份该基板，且该第二欧姆接触区更进一步延伸覆盖该结晶半导体层的该第二侧表面及部份该基板。

其中，该结晶半导体层包含一多晶硅半导体层。

其中，该源极的边缘大体上与该第一欧姆接触区的边缘对齐，且该漏极的边缘大体上与该第二欧姆接触区的边缘对齐。

其中，该源极的边缘大体上与该蚀刻停止结构的该第一部分的边缘对齐，且该漏极的边缘大体上与该蚀刻停止结构的该第二部分的边缘对齐。

其中，包含一缓冲层，设置于该基板与该结晶半导体层之间。

其中，该源极突出于该第一欧姆接触区并覆盖部分该基板，且该漏极突出于该第二欧姆接触区并覆盖部分该基板。

此外，本发明的晶体管结构更可选择性地在基板上先形成一缓冲层，再形成结晶半导体层(crystalline semiconductor layer)。而结晶半导体层选用多晶硅半导体层(polycrystalline silicon semiconductor layer)为范例，但结晶半导体层的材料并不限于硅，而可为其它半导体材料，例如：铟锗锌氧化物(IGZO)、铟锗氧化物(IGO)、铟锌氧化物(IZO)、或其它合适的材料、或上述的组合，且其结晶形式也不限于多晶，而可为其它结晶形式，例如，微晶。

本发明的具有蚀刻停止层的晶体管结构制作方法，至少包含下列步骤：提供基板；形成图案化结晶半导体层于基板上；形成图案化蚀刻停止结构于结晶半导体层上；沉积欧姆接触层覆盖结晶半导体层及蚀刻停止结构；分别形成第一欧姆接触区于结晶半导体层与蚀刻停止结构的一侧的上方，以及第二欧姆接触区于结晶半导体层与蚀刻停止结构的另一侧的上方；以及，分别形成源极覆盖于第一欧姆接触区与基板上，以及漏极覆盖于第二欧姆接触区与基板上。

其中，更包含下列步骤：形成一栅极绝缘层于该源极、该漏极与该结晶半导体层上；以及形成一栅极于该栅极绝缘层上。

其中，该形成一图案化蚀刻停止结构于该结晶半导体层上的步骤，更至少包含下列步骤：透过一等离子辅助化学气相沉积方式沉积一蚀刻停止层于该结晶半导体层上；形成一光刻胶层于该蚀刻停止层上；图案化该光刻胶层并暴露出一部分蚀刻停止层；移除暴露出的该部份蚀刻停止层以形成该图案化蚀刻停止结构；以及移除已图案化的该光刻胶层。

其中，该结晶半导体层包括一多晶硅半导体层。

其中，更进一步包含步骤：移除裸露于该第一欧姆接触区与该第二欧姆接触区外的该蚀刻停止层的区域。

其中，该分别形成一第一欧姆接触区以及一第二欧姆接触区的步骤，更包含步骤：通过相同的一光掩模同时图案化该欧姆接触层及该结晶半导体层。

其中，该分别形成一源极以及一漏极的步骤，更包含下列步骤：形成一电极层覆盖于该欧姆接触层及该基板上；以及通过相同的一光掩模同时图案化该欧姆接触层及该电极层。

其中，该沉积一欧姆接触层覆盖该结晶半导体层及该蚀刻停止结构的步骤，更进一步包含沉积该欧姆接触层覆盖于部分该基板上的步骤。

其中，该分别形成一源极以及一漏极的步骤，更包含下列步骤：形成一电极层覆盖于该欧姆接触层上；以及通过相同的一光掩模同时图案化该欧姆接触层及该电极层。

此外，本发明的制作方法，可通过相同的光掩模同时图案化欧姆接触层及结晶半导体层，或通过另一相同的光掩模同时图案化欧姆接触层及电极层。

采用本发明容易控制多晶硅层(也可称为主动层)厚度的均匀性，不会产生电性不均的问题。而且，不会产生电子迁移率降低、漏电流变大以及次临界效应变差等问题，因此，晶体管元件可靠度好。

以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。

附图说明

图1绘示本发明晶体管结构的一态样的结构示意图；

图2A、2B分别绘示本发明晶体管的主要特征结构的实施例一、二的示意图；

图3A、3B分别绘示本发明晶体管的主要特征结构的实施例三、四的示意图；

图4A～4J为本发明的具有蚀刻停止层的晶体管结构的工艺示意图；

图5A～5G为本发明的具有蚀刻停止层的晶体管结构的另一工艺示意图；以及

图6A～6D为本发明的形成一图案化蚀刻停止结构的工艺示意图。

其中，附图标记：

100：晶体管结构               111：缓冲层

121：第一侧表面               123：上表面

131：第一部分                 133：第三部分

135’：已图案化的光刻胶层     141：第一欧姆接触区

150：电极层                   152：漏极

170：栅极                     181：第一贯穿孔

190：导电层                   210：基板

220：结晶半导体层             222：第二侧表面

223：上表面                   231：第一部分

233：第三部分                 241：第一欧姆接触区

251：源极                     300：晶体管结构

311：缓冲层                   330：蚀刻停止结构

341：第一欧姆接触区           350：电极层

352：漏极                     370：栅极

381：第一贯穿孔         390：导电层

具体实施方式

本发明为一种具有蚀刻停止层的晶体管结构。以下配合图示说明本发明的较佳实施例，并详细说明本发明的技术特征。

请配合参照图1，绘示本发明晶体管结构的一态样的结构示意图。本发明提出的晶体管结构100，由基板110、结晶半导体层120、蚀刻停止结构130、欧姆接触层140、源极151、漏极152、栅极绝缘层160以与栅极170所构成。其中，结晶半导体层(也可称为本征层或主动层)120设置于基板110上，结晶半导体层120具有第一侧表面121、第二侧表面122及上表面123。蚀刻停止结构130设置于结晶半导体层120上，且蚀刻停止结构130包含第一部分131及第二部分132。欧姆接触层140设置于结晶半导体层120及蚀刻停止结构130上，包含第一欧姆接触区141与第二欧姆接触区142，其中第一欧姆接触区141自蚀刻停止结构130的第一部分131的上方朝向结晶半导体层120延伸且覆盖结晶半导体层120的上表面123的一侧，第二欧姆接触区142自蚀刻停止结构130的第二部分132的上方朝向结晶半导体层120延伸且覆盖结晶半导体层120的上表面123的另一侧。源极151覆盖于第一欧姆接触区141的上，源极151的边缘大体上与第一欧姆接触区141的一边缘对齐，且大体上与蚀刻停止结构130的第一部分131的一边缘对齐。而漏极152覆盖于第二欧姆接触区142的上，漏极152的边缘大体上与第二欧姆接触区142的一边缘对齐，且大体上与蚀刻停止结构130的第二部分132的一边缘对齐。栅极绝缘层160设置于源极151、漏极152与结晶半导体层120的上。栅极170对应结晶半导体层120的位置，而设置于栅极绝缘层160上。

此外，本发明的晶体管结构100，更可选择性地在基板110上先形成一缓冲层111，再形成结晶半导体层120。而结晶半导体层120选用多晶硅半导体层为范例，但结晶半导体层120的材料并不限于硅，而可为其它半导体材料，例如：铟锗锌氧化物(IGZO)、铟锗氧化物(IGO)、铟锌氧化物(IZO)、或其它合适的材料、或上述的组合，且其结晶形式也不限于多晶，而可为其它结晶形式，例如，微晶。

除上述构成元件外，晶体管结构100另外更包含保护层180、第一贯穿孔181、第二贯穿孔182及导电层190。保护层180覆盖栅极170与栅极绝缘层160。第一贯穿孔181贯穿保护层180与栅极绝缘层160并暴露出源极151，而第二贯穿孔182贯穿保护层180与栅极绝缘层160并暴露出漏极152。导电层190设于保护层180上，且导电层190分别透过第一贯穿孔181以及第二贯穿孔182，而分别连接至源极151与漏极152。

接着，配合参照图2A、2B，分别绘示本发明晶体管的主要特征结构的实施例一、二的示意图。如图2A所示的实施例一，蚀刻停止结构130的第一部分131被夹设于第一欧姆接触区141正下方及结晶半导体层120之间，而蚀刻停止结构130的第二部分132被夹设于第二欧姆接触区142正下方及结晶半导体层120之间，且蚀刻停止结构130的第一部分131与第二部分132不相接触。因此，图1中的晶体管结构100，其蚀刻停止结构130会暴露出部分结晶半导体层120。

又，如图2B所示的实施例二，除了夹设于第一欧姆接触区141正下方及结晶半导体层120之间的第一部分131，及夹设于第二欧姆接触区142正下方及结晶半导体层120之间的第二部分131之外，蚀刻停止结构130可更包含第三部分133。第三部分133与第一部分131、第二部分132连接构成一个整体的蚀刻停止结构130。因此，第1B图中的晶体管结构100，其蚀刻停止结构130完全覆盖于结晶半导体层120上。且蚀刻停止结构130与第一欧姆接触区141及第二欧姆接触区142完全包覆住结晶半导体层120。此外，本发明的晶体管结构100，更包含可选择地在基板110上先形成缓冲层111，再形成结晶半导体层120。

接着，配合参照图3A、3B，分别绘示本发明晶体管的主要特征结构的实施例三、四的示意图。第3A、3B图中的晶体管结构200的组成方式大致与图2A、2B中的晶体管结构100相似。由于在工艺中的蚀刻顺序的不同，使得两者在结构上有些许差异。在以下说明中，将省略两者相同的结构部分。

交互参照图3A、3B与图2A、2B，晶体管结构200与晶体管结构100不同之处在于，晶体管结构200的欧姆接触层240的第一欧姆接触区241除了覆盖结晶半导体层220的上表面223的一侧之外，更进一步延伸覆盖结晶半导体层220的第一侧表面221及部份基板210；且欧姆接触层240的第二欧姆接触区242，除了覆盖结晶半导体层220的上表面223的另一侧之外，第二欧姆接触区242更进一步延伸覆盖结晶半导体层220的第二侧表面222及部份基板210。

如图3A所示的实施例三，蚀刻停止结构230的第一部分231被夹设于第一欧姆接触区241正下方及结晶半导体层220之间，而蚀刻停止结构230的第二部分232被夹设于第二欧姆接触区242正下方及结晶半导体层220之间，且蚀刻停止结构230的第一部分231与第二部分232不相接触。因此，图2A中的晶体管结构200，其蚀刻停止结构230会暴露出部分结晶半导体层220。

又，如图3B所示的实施例四，除了夹设于第一欧姆接触区241正下方及结晶半导体层220之间的第一部分231，及夹设于第二欧姆接触区242正下方及结晶半导体层220之间的第二部分231之外，蚀刻停止结构230可更包含一第三部分233。第三部分233与第一部分231、第二部分232连接构成一个整体的蚀刻停止结构230。因此，图2B中的晶体管结构200，其蚀刻停止结构230完全覆盖于结晶半导体层220上。且蚀刻停止结构230与第一欧姆接触区241及第二欧姆接触区242完全包覆住结晶半导体层220。此外，本发明的晶体管结构200，更包含可选择地在基板210上先形成一缓冲层211，再形成结晶半导体层220。

以下说明本发明所提出的具有蚀刻停止层的晶体管结构制作方法。配合参照图4A～4J，为本发明的具有蚀刻停止层的晶体管结构制作的流程示意图。为简化说明，以下仅以本发明实施例一、二中的晶体管结构100为例，但并非以此实施例为限。依据本发明的制作方法，先在基板110上形成一图案化结晶半导体层120(如图4A)，其中基板110尚可包括一缓冲层111。然后，形成图案化蚀刻停止结构130于结晶半导体层120上(如图4B)。接着，沉积欧姆接触层140覆盖结晶半导体层120及蚀刻停止结构130(如图4C)。而后，透过蚀刻去除部分欧姆接触层140，以分别形成第一欧姆接触区141于结晶半导体层120与蚀刻停止结构130的一侧的上方，以及第二欧姆接触区142于结晶半导体层120与蚀刻停止结构130的另一侧的上方(如图4D)。接下来，再分别形成源极151覆盖于第一欧姆接触区141与基板110上，以及漏极152覆盖于第二欧姆接触区142与基板110上(如图4G)。然后，形成一栅极绝缘层160于源极151、漏极152与结晶半导体层120上方(如图4H)。之后，再形成栅极170于栅极绝缘层160上(如图4I)。最后，于栅极绝缘层160上覆盖保护层180，并形成导电层190，透过第一贯穿孔181以及第二贯穿孔182而分别连接至源极151与漏极152(如图4J)。

此外，将上述图4C的结构透过蚀刻以分别形成第一欧姆接触区141以及一第二欧姆接触区142的步骤，更可将裸露于第一欧姆接触区141与第二欧姆接触区142外的蚀刻停止层的区域移除，而形成如图4E所示的结构，暴露出结晶半导体层120的一部分。如此，即可制作出如图2A所示的实施例一的暴露出部分结晶半导体层120的晶体管结构100。因蚀刻欧姆接触层140及结晶半导体层120的方式，例如但不限于，可透过相同的一光掩模(未图示)的微影蚀刻工艺，同时图案化欧姆接触层140及结晶半导体层120，因此会形成如类似第2A、2B图中所示的晶体管结构100，其第一欧姆接触区141的外侧边缘对齐结晶半导体层120的第一侧表面121，且另一侧的第二欧姆接触区142的外侧边缘对齐结晶半导体层120的第二侧表面122。

另外，在形成电极时，为了分别形成源极151以及漏极152，可在如图4C所示的结构上先形成电极层150覆盖于欧姆接触层140及基板110上(如图4F所示)。再通过相同的另一光掩模(未图示)的微影蚀刻工艺，同时图案化电极层150及欧姆接触层140，以形成如图4G所示的源极151以及漏极152。而源极151的内侧边缘大体上与第一欧姆接触区141的边缘对齐，且漏极152的内侧边缘大体上与第二欧姆接触区142的边缘对齐。

又，本发明可采取另一方式形成第一欧姆接触区与第二欧姆接触区及源极与漏极。配合参照第5A～5G图，在基板310上形成图案化结晶半导体层320(如图5A)，其中基板310尚可包括缓冲层311。然后，形成图案化蚀刻停止结构330于结晶半导体层320上(如图5B)。然后，连续沉积欧姆接触层340及电极层350，其中欧姆接触层340覆盖基板310、结晶半导体层320及蚀刻停止结构330，而电极层350覆盖于欧姆接触层340上(如图5C)。再通过同一光掩模(未图示)的微影蚀刻工艺，同时图案化电极层350及欧姆接触层340，以形成第一欧姆接触区341及覆盖于其上的源极351，与第二欧姆接触区342及覆盖于其上的漏极352(如图5D)。接着，再形成栅极绝缘层360于源极351与漏极352上方(如图5E)。之后，再形成栅极370于栅极绝缘层360上(如图5F)。最后，于栅极绝缘层360上覆盖保护层380，并形成导电层390，透过第一贯穿孔381以及第二贯穿孔382而分别连接至源极351与漏极352(如图5G)。

接下来，再说明依据本发明形成一图案化蚀刻停止结构的过程。参照图6A～6D，依据本发明的一种例示性方式来形成一图案化蚀刻停止结构于结晶半导体层上。例如，但非限定，将图4A、5A所示的结构先透过等离子辅助化学气相沉积方式(PECVD)沉积一蚀刻停止层130’于结晶半导体层120上(如图6A)。接着，于蚀刻停止层130’上形成光刻胶层135(如图6B)。然后，将光刻胶层135图案化，且暴露出蚀刻停止层130’的一部分(如图6C)。接着，移除暴露出的蚀刻停止层130’的部分以形成图案化蚀刻停止层130(如图6D)。再移除已图案化的光刻胶层135’，而形成如第4B、5B图所示的结构。如此，即可形成图案化蚀刻停止结构130于结晶半导体层120上。然后，再接续进行本发明所提出的具有蚀刻停止层的晶体管结构的制作流程。

当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。

Claims (17)

1.一种具有蚀刻停止层的晶体管结构，其特征在于，至少包含：

一基板；

一结晶半导体层，设置于该基板上，其中该结晶半导体层包括一上表面、一第一侧表面与一第二侧表面；

一蚀刻停止结构，设置于该结晶半导体层上，且该蚀刻停止结构包含一第一部分及一第二部分；

一欧姆接触层，设置于该结晶半导体层及该蚀刻停止结构上，包含一第一欧姆接触区与一第二欧姆接触区，其中该第一欧姆接触区自该蚀刻停止结构的该第一部分的上方朝向该结晶半导体层延伸且覆盖该结晶半导体层的该上表面的一侧，该第二欧姆接触区自该蚀刻停止结构的该第二部分的上方朝向该结晶半导体层延伸且覆盖该结晶半导体层的该上表面的另一侧；

一源极，覆盖该第一欧姆接触区；

一漏极，覆盖该第二欧姆接触区；

一栅极绝缘层，设置于该源极、该漏极与该结晶半导体层上；以及

一栅极，设置于该栅极绝缘层上对应该结晶半导体层；

其中，该源极的边缘大体上与该蚀刻停止结构的该第一部分的边缘对齐，且该漏极的边缘大体上与该蚀刻停止结构的该第二部分的边缘对齐。

2.根据权利要求1所述的晶体管结构，其特征在于，该蚀刻停止结构的该第一部分被夹设于该第一欧姆接触区正下方及该结晶半导体层之间，该蚀刻停止结构的该第二部分被夹设于该第二欧姆接触区正下方及该结晶半导体层之间，该蚀刻停止结构的该第一部分与该第二部分不接触，且暴露出部分该结晶半导体层。

3.根据权利要求1所述的晶体管结构，其特征在于，该蚀刻停止结构更包含一第三部分，而该第一部分、该第二部分及该第三部分连接构成一体的该蚀刻停止结构，且该蚀刻停止结构与该第一欧姆接触区及该第二欧姆接触区完全覆盖住该结晶半导体层。

4.根据权利要求1所述的晶体管结构，其特征在于，该第一欧姆接触区更进一步延伸覆盖该结晶半导体层的该第一侧表面及部份该基板，且该第二欧姆接触区更进一步延伸覆盖该结晶半导体层的该第二侧表面及部份该基板。

5.根据权利要求1所述的晶体管结构，其特征在于，该结晶半导体层包含一多晶硅半导体层。

6.根据权利要求1所述的晶体管结构，其特征在于，该源极的边缘大体上与该第一欧姆接触区的边缘对齐，且该漏极的边缘大体上与该第二欧姆接触区的边缘对齐。

7.根据权利要求1所述的晶体管结构，其特征在于，包含一缓冲层，设置于该基板与该结晶半导体层之间。

8.根据权利要求1所述的晶体管结构，其特征在于，该源极突出于该第一欧姆接触区并覆盖部分该基板，且该漏极突出于该第二欧姆接触区并覆盖部分该基板。

9.根据权利要求1所述的晶体管结构，其特征在于，更包含：

一保护层，覆盖该栅极及该栅极绝缘层；

一第一贯穿孔，其贯穿该保护层及该栅极绝缘层并暴露出该源极；

一第二贯穿孔，其贯穿该保护层及该栅极绝缘层并暴露出该漏极；以及

一导电层，设于该保护层上，该导电层分别透过该第一贯穿孔以及该第二贯穿孔，而连接至该源极与该漏极。

10.一种具有蚀刻停止层的晶体管结构制作方法，其特征在于，至少包含下列步骤：

提供一基板；

形成一图案化结晶半导体层于该基板上；

形成一图案化蚀刻停止结构于该结晶半导体层上；

沉积一欧姆接触层覆盖该结晶半导体层及该蚀刻停止结构；

分别形成一第一欧姆接触区于该结晶半导体层与该蚀刻停止结构的一侧的上方，以及一第二欧姆接触区于该结晶半导体层与该蚀刻停止结构的另一侧的上方，移除裸露于该第一欧姆接触区与该第二欧姆接触区外的该蚀刻停止结构的区域使该蚀刻停止结构包含一第一部分及一第二部分；以及

分别形成一源极覆盖于该第一欧姆接触区，以及一漏极覆盖于该第二欧姆接触区，且使该源极的边缘大体上与该蚀刻停止结构的该第一部分的边缘对齐，该漏极的边缘大体上与该蚀刻停止结构的该第二部分的边缘对齐。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，更包含下列步骤：

形成一栅极绝缘层于该源极、该漏极与该结晶半导体层上；以及

形成一栅极于该栅极绝缘层上。

12.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，该形成一图案化蚀刻停止结构于该结晶半导体层上的步骤，更至少包含下列步骤：

透过一等离子辅助化学气相沉积方式沉积一蚀刻停止层于该结晶半导体层上；

形成一光刻胶层于该蚀刻停止层上；

图案化该光刻胶层并暴露出一部分蚀刻停止层；

移除暴露出的该部份蚀刻停止层以形成该图案化蚀刻停止结构；以及

移除已图案化的该光刻胶层。

13.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，该结晶半导体层包括一多晶硅半导体层。

14.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，该分别形成一第一欧姆接触区以及一第二欧姆接触区的步骤，更包含步骤：

通过相同的一光掩模同时图案化该欧姆接触层及该结晶半导体层。

15.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，该分别形成一源极以及一漏极的步骤，更包含下列步骤：

形成一电极层覆盖于该欧姆接触层及该基板上；以及

通过相同的一光掩模同时图案化该欧姆接触层及该电极层。

16.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，该沉积一欧姆接触层覆盖该结晶半导体层及该蚀刻停止结构的步骤，更进一步包含沉积该欧姆接触层覆盖于部分该基板上的步骤。

17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，该分别形成一源极以及一漏极的步骤，更包含下列步骤：

形成一电极层覆盖于该欧姆接触层上；以及

通过相同的一光掩模同时图案化该欧姆接触层及该电极层。

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