CN101971446A - 具有多个活性区的表面发射半导体激光器 - Google Patents

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Abstract

说明有一种表面发射半导体激光器，具有：半导体本体(1)，其具有至少两个用于发射激光辐射(13)的活性区(2)，所述活性区(2)通过隧道结(3)彼此连接；以及被布置在所述半导体本体(1)之外的用于构造激光谐振腔的外谐振腔镜(11)，其中在所述激光谐振腔中布置有至少一个偏振选择性元件(4)。

Description

具有多个活性区的表面发射半导体激光器
技术领域
本发明涉及以一种根据权利要求1的前序部分具有多个活性区的表面发射半导体激光器。
本专利申请要求德国专利申请10 2008 030 818.8的优先权，该德国专利申请的公开内容通过引用结合于此。
背景技术
从文献DE 102006010728 A1中公知有一种表面发射半导体激光器，其包括具有多个适于生成辐射的彼此间隔布置的活性区域的半导体本体，其中在两个活性区域之间，隧道结被单片地集成在半导体本体中，并且这两个活性区域借助于该隧道结以导电的方式相连接。通过这种方式，可以利用紧凑的半导体本体来实现高的辐射功率。该半导体激光器具有外谐振腔镜，其中在半导体本体与外谐振腔镜之间构造的外谐振腔中尤其是可以布置用于对由该半导体激光器所发射的辐射进行频率转换的频率转换元件。在这样的表面发射半导体激光器的情况下的射束形成通常通过弯曲外谐振腔镜来进行。
由表面发射半导体激光器所发射的激光辐射一般不具有限定的偏振方向。对于许多应用而言所期望的是，能够使用一种紧凑的半导体激光器，该半导体激光器除了具有高输出功率和良好的射束形状之外还具有限定的偏振。
发明内容
本发明所基于的任务是，说明一种开头所述类型的表面发射半导体激光器，该表面发射半导体激光器的特点既在于高的输出功率，又在于所发射的激光辐射的限定的偏振方向。
该任务通过具有权利要求1的特征的表面发射半导体激光器来解决。本发明的有利的扩展方案和改进方案是从属权利要求的主题。
根据至少一个实施方式，表面发射半导体激光器具有半导体本体，所述半导体本体具有至少两个用于发射激光辐射的活性区，所述活性区通过隧道结彼此连接。此外，该表面发射半导体激光器具有被布置在所述半导体本体之外的用于构造激光谐振腔的外谐振腔镜。所述外谐振腔镜优选地与被包含在所述半导体本体中的谐振腔镜、例如布拉格镜一起构成该表面发射半导体激光器的激光谐振腔，其中在所述激光谐振腔中布置至少一个偏振选择性元件。
通过将偏振选择性元件集成到该表面发射半导体激光器的激光谐振腔中，有利地实现：该表面发射半导体激光器发射具有限定的偏振的辐射，使得可以放弃布置在所述激光谐振腔之外的其它偏振选择性元件。因此，该表面发射半导体激光器的特点一方面在于借助于所述多个活性区实现的高输出功率，并且另一方面在于所发射的激光辐射的限定的偏振。
所述偏振选择性元件优选地是偏振选择性光栅。所述偏振选择性光栅优选地是介电透射光栅。介电透射光栅的特点尤其在于高的辐射稳定性。这有利地使得能够将这样的透射光栅集成到该表面发射半导体激光器的激光谐振腔中。
介电透射光栅本身例如从文献T.Clausnitzer、T.
Figure BPA00001225919600021
、E.-B.Kley、A.Tünnermann、A.V.Tischenko、O.Parriaux的“Hocheffiziente dielektrische Transmissionsgitter-eine anschauliche Untersuchung des Beugungsverhalterns”(Photonik，1/2007，第48-51页)公知。
在一个优选的扩展方案中，所述偏振选择性元件、尤其是偏振选择性透射光栅被布置在所述半导体本体的辐射出射面上。通过将所述偏振选择性元件布置在所述半导体本体的辐射出射面上，有利地减小在制造该表面发射半导体激光器时的安装和调节成本，并且同时实现紧凑的构造。
所述半导体本体的上面布置有所述偏选择性元件的辐射出射面例如可以是该表面发射半导体激光器的衬底。在这种情况下，所述半导体本体优选地被实施为所谓的底部发射器，也就是说，所发射的激光辐射通过衬底从所述半导体本体中出射。所述衬底尤其是生长衬底，在该生长衬底上外延生长所述半导体本体的半导体层、尤其是所述至少两个活性区和被布置在其间的隧道结。
在另一扩展方案中，所述半导体本体具有电流扩展层，其中所述电流扩展层的表面充当辐射出射面。在这种情况下，所述偏振选择性元件优选地被涂覆到所述电流扩展层的表面上。上面已经优选地外延生长有所述半导体本体的半导体层的生长衬底有利地被从所述半导体本体除去，也就是说，所述半导体本体不具有生长衬底。在这种情况下，所述半导体本体可以被安装在载体上的与所述电流扩展层相对的那侧。
上面布置有所述偏振选择性元件的电流扩展层优选地为n型掺杂的层。因此在这种情况下，激光辐射通过所述n型掺杂的电流扩展层被输出耦合。所述半导体本体优选地被安装在载体上的与所述电流扩展层相对的p型掺杂的区域处。
所述半导体本体的配备有偏振选择性元件的表面、例如所述半导体本体的衬底或电流扩展层优选地被形成为透镜。在该扩展方案中，所述半导体本体的由所述活性区发射的激光辐射在从所述半导体中出射时所通过的表面优选地利用蚀刻工艺被处理，以在所述半导体本体的辐射出射面处产生对应于所期望的透镜形状的弯曲。所述半导体本体的表面尤其是可以被处理为使得其具有凸弯曲的表面。
通过这种方式，有利地将形成射束的元件集成到该表面发射半导体激光器的半导体本体中。在这种情况下，该表面发射半导体激光器的特点不仅在于所发射的激光辐射的限定的偏振方向，而且还在于良好的射束形成。将透镜集成到该表面发射半导体激光器的半导体本体中尤其是实现非常紧凑的构造，因为可以放弃用于射束形成的外部光学元件。此外，被集成到该表面发射半导体激光器的半导体本体中的透镜所具有的优点是，也可以在使用平面的外谐振腔镜的情况下实现外谐振腔中的小的射束截面。
在另一有利的扩展方案中，所述偏振选择性元件被布置在所述外谐振腔镜的表面上。尤其是可以将偏振选择性光栅涂覆到所述外谐振腔镜的表面上。通过将偏振选择性光栅涂覆到所述外谐振腔镜的表面上，有利地不需要附加地在该表面发射半导体激光器中安装和调节偏振选择性元件。通过这种方式，减小制造成本并且实现该表面发射半导体激光器的紧凑构造。
在另一有利的扩展方案中，所述激光谐振腔具有折叠镜(Faltungsspiegel)，并且所述偏振选择性元件、尤其是偏振选择性光栅被布置在所述折叠镜的表面上。借助于被布置在所述半导体本体与所述外谐振腔镜之间的折叠镜来构造折叠的激光谐振腔。
所述折叠镜尤其可以是45°镜。在这种情况下，由该表面发射半导体激光器的所述至少两个活性区所发射的激光辐射以45°的入射角落到所述折叠镜上，并且以45°的反射角被所述折叠镜反射。因此在这种情况下，所述折叠镜导致所发射的激光辐射的90°的偏转。但是可替代地，所述折叠镜也可以以相对于由所述半导体本体发射的激光辐射的其它角度被布置。
被涂覆在所述折叠镜上的偏振选择性元件优选地是偏振选择性的反射涂层。所述偏振选择性的反射涂层优选地具有由介电层构成的层序列。所述偏振选择性的反射涂层优选地在激光辐射的入射角情况下对p偏振光具有反射率Rp，并且对s偏振光具有反射率Rs，其中Rp≠Rs。
有利地，有RP/Rs＜0.95成立。因此在这种情况下，对p偏振光的反射率Rp小于对s偏振光的反射率Rs。由此实现：在所述激光谐振腔中对p偏振的光的增强如此小，以致于所述激光器仅仅对s偏振状态下的辐射起振。因此在这种情况下，该表面发射半导体激光器发射s偏振光。
可替代地，对s偏振光的反射率也可以小于对p偏振光的反射率，其中Rs/Rp＜0.95。在这种情况下，该表面发射半导体激光器发射p偏振光。
合适的反射涂层、尤其是针对预先给定的入射角具有对p偏振的反射率与对s偏振的反射率的所期望的比例的介电层系统可以在考虑到入射角和波长的情况下根据模拟计算而被确定。
此外有利的是，所述外谐振腔镜在第一波长λ1的情况下具有反射最大值并且所述折叠镜在第二波长λ2的情况下具有反射最大值，其中所发射的激光辐射的波长λL处于λ1与λ2之间。在这种情况下，所述谐振腔镜和所述折叠镜的反射最大值至少轻微地相对于彼此推移。在此，所述外谐振腔镜和所述折叠镜的反射曲线有利地彼此重叠。在这种情况下，所述激光器仅仅在λ1与λ2之间的如下波长的情况下起振：在所述波长的情况下，所述外谐振腔镜和所述折叠镜都具有足够高的反射率。
通过至少轻微地相对于彼此推移所述外谐振腔镜和所述折叠镜的反射最大值，实现波长选择。因此，可以在所述激光谐振腔中有利地放弃附加的波长选择性元件。这有助于减小制造和安装成本并且实现该表面发射半导体激光器的紧凑构造。
在另一有利的扩展方案中，在该表面发射半导体激光器的外谐振腔中布置有频率转换元件。
所述频率转换元件是适于使所发射的激光辐射的频率倍增、尤其是加倍的光学元件。所述频率转换元件优选地是非线性光学晶体。
通过这种方式，例如可以利用产生近红外光谱范围中的辐射的半导体材料产生光谱的可见光范围中的激光辐射、尤其是蓝色或绿色的激光辐射。
在将所述频率转换元件布置在所述激光谐振腔中的情况下，尤其有利的是，将所述半导体本体的辐射出射面、例如所述衬底或所述电流扩展层形成为透镜。在这种情况下，可以在所述频率转换元件的区域中实现激光辐射的小的射束截面，尤其是在将平面镜用作外部镜的情况下也是如此。
附图说明
下面借助于实施例结合图1至5进一步阐述本发明。
图1示出根据本发明第一实施例的表面发射半导体激光器的示意性示出的截面，
图2示出根据本发明第二实施例的表面发射半导体激光器的示意性示出的截面，
图3示出根据本发明第三实施例的表面发射半导体激光器的示意性示出的截面，
图4示出根据本发明第四实施例的表面发射半导体激光器的示意性示出的截面，以及
图5示出根据本发明第五实施例的表面发射半导体激光器的示意性示出的截面。
相同或作用相同的部件分别配备有相同的附图标记。不应当将所示出的部件以及这些部件彼此之间的大小比例看成是比例正确的。
具体实施方式
在图1中示出表面发射半导体激光器的实施例，该表面发射半导体激光器具有至少两个活性区2，这些活性区2通过隧道结3彼此连接。两个活性区2被单片地集成到表面发射半导体激光器的半导体本体中。这两个活性区2被包含在优选地以外延方式制造的在生长衬底6上生长的半导体层序列中，并且在该半导体层序列内在垂直方向上彼此间隔开。
发射辐射的活性区2优选地分别具有单量子阱结构或多量子阱结构。在本申请的范围内，术语“量子阱结构”包括如下的任意结构：其中载流子由于封闭(“confinement(限制)”)经历其能态的量子化。术语“量子阱结构”尤其是不包含关于量子化维度的说明。因此，量子阱结构尤其是包括：量子槽、量子线和量子点以及这些结构的每种组合。
表面发射半导体激光器的半导体本体1优选地基于III-V族化合物半导体，尤其是基于砷化物化合物半导体。在这种情形下，“基于砷化物化合物半导体”是指，活性的外延层序列或其至少一个层包括砷化物化合物半导体材料、优选地AlnGamIn1-n-mAs，其中0≤n≤1，0≤m≤1并且n+m≤1。在此，该材料不必一定具有根据上式的数学上精确的组成。更确切地说，该材料可以具有一种或多种基本上不改变AlnGamIn1-n-mAs材料的表征性物理特性的掺杂物以及附加的成分。但是为简单起见，上式仅包含晶格的基本成分(Al，Ga，In，As)，即使这些成分可以部分地被少量的其它材料代替。
可替代地，活性区2也可以具有氮化物化合物半导体材料-优选地AlnGamIn1-n-mN、锑化物化合物半导体材料-优选地AlnGamIn1-n-mSb、或者磷化物化合物半导体材料-优选地AlnGamIn1-n-NP，其中0≤n≤1，0≤m≤1并且n+m≤1成立。
活性区2分别被布置在具有相反的导通类型的半导体区域8、9之间。例如，活性区2分别被布置在p型掺杂的半导体区域8与n型掺杂的半导体区域9之间。通过隧道结3，活性区2彼此串联。隧道结3优选地包含至少两个隧道接触层3a、3b，这些隧道接触层具有不同的电导通类型并且优选地为高度掺杂的。在此，隧道接触层3a、3b优选地分别具有与其邻接的半导体区域8、9相同的导通类型。例如，与n型掺杂的半导体区域9邻接的隧道接触层3a是优选地具有高掺杂物浓度(n+)的n型掺杂的层。与p型掺杂的半导体区域8邻接的另一隧道接触层3b优选是尤其具有高掺杂物浓度(p+)的p型掺杂的层。
如图1所示，两个隧道接触层3a、3b可以彼此直接邻接。但是可替代地也可能的是，隧道接触3包含一个或多个其它层，例如被布置在两个高度掺杂的层3a、3b之间的未掺杂的层。
为了构造用于由两个活性层2所发射的激光辐射13的激光谐振器，表面发射半导体激光器包含优选地被集成到半导体本体1中的第一谐振腔镜10、以及例如是被布置在半导体本体1之外的外谐振腔镜的第二谐振腔镜11。
被集成到半导体本体1中的第一谐振腔镜10优选地为布拉格镜，该布拉格镜为了实现高的反射率由大量的层对构成，其中这些层对由具有不同折射率的层构成。布拉格镜例如可以具有大量的由Al1-xGaxAs制成的交替的层，其中0≤x≤1，这些层在其铝含量方面彼此不同。该布拉格镜优选地含有至少10个层对。
为了电接通，该表面发射半导体激光器具有第一电接触14和第二电接触15，所述电接触例如被实施为金属接触。第一电接触14例如是n型接触，并且被涂覆在衬底6的背向活性层2的背侧。第二电接触15例如是p型接触，并且被涂覆在半导体本体1的与衬底6相对的表面上。
在图1所示的实施例中，该表面发射半导体激光器被实施为所谓的底部发射器，也就是说，激光辐射13通过衬底6的背侧表面5从半导体本体1中出射。第一电接触14为了避免辐射吸收没有被涂覆在衬底6的整个背侧，而是优选地仅仅覆盖衬底6的背侧的边缘区域。第一电接触14尤其是可以被实施成环形接触，该环形接触包围衬底6的背侧的用作辐射出射面5的区域。此外有利的是，尤其是可以为p型接触的第二电接触15仅仅被涂覆在半导体本体1的与衬底6相对的表面的中央部分区域上。通过这种方式，流经半导体本体1的电流被集中到中央区域，在该中央区域中激光在衬底6的背侧上输出耦合。
半导体本体1可以被布置在载体16-例如电路板或热沉-上的与衬底6相对的表面上。在必要时，半导体本体1的表面的处于中央p型接触之外的区域可以通过电绝缘层17与载体16绝缘。
衬底6的用作辐射出射面5的表面配备有偏振选择性元件4。偏振选择性元件4是偏振选择性透射光栅20。偏振选择性光栅20例如可以通过如下方式来产生：涂覆层、尤其是介电层，并且随后借助于例如光刻的结构化方法进行结构化。
偏振选择性光栅20的取向和光栅常数根据由活性区所发射的波长被设定为使得光栅对所发出的激光13的一个偏振方向-例如s偏振-的透射大于对与之垂直的偏振分量-例如p偏振-的透射。
通过这种方式实现：仅仅确定的偏振方向-例如s偏振-在由第一谐振腔镜10和外谐振腔镜11构成的激光谐振腔中被增强。对于其它的偏振分量、例如p偏振，偏振选择性光栅20中的透射损失优选地高得使得对于这些偏振分量达不到激光阈值并且因此该表面发射半导体激光器仅能利用其它的偏振分量、例如s偏振来起振。
因此通过以单片方式集成至少两个活性区2并且将偏振选择性元件4布置在该表面发射半导体激光器的激光谐振腔中，有利地产生具有高输出功率和限定地设定的偏振的激光辐射。通过将偏振选择性元件4涂覆到半导体本体1上，不必为此将附加的光学部件安放到该表面发射半导体激光器的外谐振腔中，使得制造和安装成本相对较小。
此外，在外谐振腔中可以布置频率转换元件12。该频率转换元件12尤其可以是光学非线性晶体。
所述频率转换尤其可以是倍频、例如2倍频。该表面发射半导体激光器的活性区2尤其是可以适于发射红外辐射，其中红外辐射借助于激光器谐振腔中的频率转换元件12被转换成可见光、优选地转换成绿色或蓝色的可见光。
频率转换元件12优选地在外谐振腔中被布置为使得频率转换元件12内的激光辐射具有射束腰。频率转换的效率通过频率转换元件12位置处的小的射束截面得到改善。
图2中所示的实施例与之前所述的实施例的不同之处在于，偏振选择性元件4未被构造在半导体本体1的衬底的表面处，而是被构造在电流扩展层7的充当辐射出射面5的表面处。产生偏振选择性透射光栅20形式的偏振选择性元件4可以如在之前所述的实施例中那样通过涂覆优选介电层并且随后进行结构化来进行。
在该实施例中，原来用于生长半导体本体1的半导体层序列的生长衬底被从半导体本体1揭下，并且因此不再被包含在半导体本体1中。因此，半导体本体1是所谓的薄膜半导体芯片。原来所使用的生长衬底例如可以已经被从电流扩展层7揭下。半导体本体1优选地被安装在衬底16上的与原来的生长衬底相对的那侧。
原来的生长衬底不必一定如图2所示的那样被完全从半导体本体1揭下。例如也有可能的是，使原来的生长衬底仅仅部分地变薄，其中偏振选择性元件4于是类似于图1所示的实施例被涂覆到变薄的生长衬底的表面上。在这种情况下，优选为n导通的导电的生长衬底本身用作电流扩展层。
另外，图2中所示的实施例在其作用方式及其有利的扩展方案方面对应于之前所述的实施例，并且因此不再进一步详细阐述。
图3中示出图1中所示的实施例的另一变型方案。与图1中所示的实施例的不同之处在于，衬底6的在上面涂覆有偏振选择性元件4的表面5被形成为透镜21。透镜21可以尤其是通过蚀刻工艺被构造在衬底6的背侧的表面5上。通过以这种方式将透镜21集成到半导体本体1中，在激光辐射13从半导体本体1中出射时既进行通过透镜21的辐射形成，又进行通过偏振选择性光栅20的偏振选择。
被构造在半导体本体1中的透镜21所具有的优点尤其是，被布置在半导体本体1之外的第二谐振腔镜11可以是平面镜。与常规使用的弯曲的外谐振腔镜相比，平面的外谐振腔镜11可以相对简单和低成本地来制造。尽管使用平面的外谐振腔镜11，激光辐射13在半导体本体1与外谐振腔镜11之间的外谐振腔中仍然具有小的射束截面。这尤其是在外部谐振腔中布置有频率转换元件12时是有利的。频率转换元件12尤其可以是光学非线性晶体。
除此之外，图3中所示的实施例在其构造及其有利的扩展方案方面对应于图1中所示的实施例并且因此不再进一步详细阐述。
图4中示出图1中所示的实施例的另一变型方案。在该实施例中，偏振选择性光栅20形式的偏振选择性元件4不是被涂覆到衬底6的辐射出射面5上，而是被涂覆到外谐振腔镜11的朝向半导体本体1的表面上。
而且在该扩展方案中，偏振选择性元件4被涂覆到该表面发射半导体激光器的本身已存在的光学部件上，使得不需要在该表面发射半导体激光器中布置和调节附加的光学元件。偏振选择性光栅20可以如在之前所述的实施例中那样通过涂覆优选介质层并且随后进行结构化工艺而被生成到外谐振腔镜11上。
图5中所示的实施例与之前所述的实施例的不同之处在于，由第一谐振腔镜10和外谐振腔镜11构成的激光谐振腔具有折叠镜22。
折叠镜22是45°镜，从半导体本体1中出射的激光辐射13以45°角落到该45°镜上，并且以45°的反射角被反射到外谐振腔镜11。因此，激光辐射13被折叠镜22偏转90°。在该实施例中，偏振选择性元件4被涂覆到折叠镜22上。
与之前所述的实施例不同，偏振选择性元件4不是偏振选择性光栅，而是偏振选择性的反射涂层19。偏振选择性的反射涂层19优选地为由介电层构成的层序列。偏振选择性的反射涂层19在激光辐射13的在该实施例中为45°的入射角下具有对s偏振辐射和p偏振辐射的不一样高的反射率。通过折叠镜对一个偏振分量-例如s偏振辐射-的反射率大于对另外的偏振分量-例如p偏振辐射-的反射率，可以实现的是，该激光器仅仅对于具有如下偏振分量的激光辐射起振：对于所述偏振分量，折叠镜22具有较高的反射率。
优选地，折叠镜对p偏振辐射具有反射率RP并且对s偏振辐射具有反射率Rs，其中RP/Rs＜0.95成立。因此在这种情况下，该表面发射半导体激光器将有利地仅仅对具有s偏振的激光辐射起振。
外谐振腔镜11优选地配备有反射涂层18，并且折叠镜22配备有反射涂层19，其中反射涂层18、19的反射率被选择为使得外谐振腔镜11在第一波长λ1的情况下具有反射最大值并且折叠镜22在第二波长λ2的情况下具有反射最大值。
第一波长λ1和第二波长λ2优选地被轻微地相对于彼此推移，使得该激光谐振腔的总反射率仅仅对λ1与λ2之间的波长为足够高的，使得该表面发射半导体激光器可以在该波长处起振，其中在该波长的情况下两个反射曲线彼此重叠。因此在这种情况下，所发射的激光辐射的波长λL处于λ1与λ2之间。因此通过外谐振腔镜11和折叠镜22的至少轻微地相对于彼此推移的反射最大值，在该激光谐振腔内实现波长选择，而不必为此将附加的光学元件嵌入到该激光谐振腔中。
此外，可以在该激光谐振腔中布置透镜21，以便尤其是将激光辐射13聚焦到被布置在该激光谐振腔中的频率转换元件12中。该透镜21例如被布置在半导体本体1与折叠镜22之间，并且频率转换元件12被布置在折叠镜22与外谐振腔镜11之间。
可替代地，也可以如图3中所示的实施例那样将半导体本体1的表面形成为透镜，所述表面例如衬底6或电流扩展层的用作辐射出射面5的表面。透镜在半导体1中的这种集成有利地减小安装和调节成本。
本发明不受根据实施例的描述的限制。更确切地说，本发明包括每种新的特征以及特征的每种组合，这尤其是包括权利要求书中的特征的每种组合，即使该特征或者该组合本身未在权利要求书或者实施例中明确说明时也是如此。

Claims (15)

1.一种表面发射半导体激光器，具有：半导体本体(1)，所述半导体本体(1)具有至少两个用于发射激光辐射(13)的活性区(2)，所述活性区(2)通过隧道结(3)彼此连接；以及布置在所述半导体本体(1)之外的用于构造激光谐振腔的外谐振腔镜(11)，
其特征在于，
在所述激光谐振腔中布置有至少一个偏振选择性元件(4)。
2.根据权利要求1所述的表面发射半导体激光器，
其特征在于，
所述偏振选择性元件(4)是偏振选择性光栅(20)。
3.根据权利要求1或2所述的表面发射半导体激光器，
其特征在于，
所述偏振选择性元件(4)被布置在所述半导体本体(1)的辐射出射面(5)上。
4.根据权利要求3所述的表面发射半导体激光器，
其特征在于，
所述半导体本体(1)具有衬底(6)并且所述辐射出射面(5)是所述衬底(6)的表面。
5.根据权利要求3所述的表面发射半导体激光器，
其特征在于，
所述半导体本体(1)具有电流扩展层(7)，并且所述辐射出射面(5)是所述电流扩展层(7)的表面。
6.根据权利要求3至5之一所述的表面发射半导体激光器，
其特征在于，
所述辐射出射面(5)被形成为透镜(21)。
7.根据权利要求1或2所述的表面发射半导体激光器，
其特征在于，
所述偏振选择性元件(4)被布置在所述外谐振腔镜(11)的表面上。
8.根据权利要求1所述的表面发射半导体激光器，
其特征在于，
所述激光谐振腔具有折叠镜(22)，并且所述偏振选择性元件(4)被布置在所述折叠镜(22)的表面上。
9.根据权利要求8所述的表面发射半导体激光器，
其特征在于，
所述折叠镜是45°镜。
10.根据权利要求8或9所述的表面发射半导体激光器，
其特征在于，
所述偏振选择性元件(4)是偏振选择性的反射涂层(19)。
11.根据权利要求10所述的表面发射半导体激光器，
其特征在于，
所述偏振选择性的反射涂层(19)具有由介电层构成的层序列。
12.根据权利要求10或11所述的表面发射半导体激光器，
其特征在于，
所述偏振选择性的反射涂层(19)对p偏振辐射具有反射率RP并且对s偏振辐射具有反射率Rs，其中RP/Rs＜0.95。
13.根据权利要求8至12之一所述的表面发射半导体激光器，
其特征在于，
所述外谐振腔镜(11)在第一波长λ1的情况下具有反射最大值并且所述折叠镜(22)在第二波长λ2的情况下具有反射最大值，并且其中所发射的激光辐射(13)的波长λL处于λ1与λ2之间。
14.根据前述权利要求之一所述的表面发射半导体激光器，
其特征在于，
在所述外谐振腔中布置有频率转换元件(12)。
15.根据前述权利要求之一所述的表面发射半导体激光器，
其特征在于，
所述激光辐射(13)在所述频率转换元件(12)的区域中具有射束腰。
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