CN101960623A - 半导体发光二极管和用于制造半导体发光二极管的方法 - Google Patents

半导体发光二极管和用于制造半导体发光二极管的方法 Download PDF

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Abstract

提出了一种半导体发光二极管(10)，其具有：至少一个p掺杂的发光二极管层(4)、n掺杂的发光二极管层(2)以及在p掺杂的发光二极管层(4)和n掺杂的发光二极管层(2)之间的光学有源区(3)；由透明导电氧化物构成的氧化物层(8)；以及至少一个镜层(9)，其中氧化物层(8)设置在发光二极管层(2，4)和所述至少一个镜层(9)之间并且具有朝着发光二极管层(2，4)的第一界面(8a)和朝着所述至少一个镜层(9)的第二界面(8b)，并且其中氧化物层(8)的第二界面(8b)具有比氧化物层(8)的第一界面(8a)更小的粗糙度(R2)。

Description

半导体发光二极管和用于制造半导体发光二极管的方法
本发明涉及一种半导体发光二极管和用于制造半导体发光二极管的方法。
本专利申请要求德国专利申请10 2008 011 847.8和德国专利申请102008 027 045.8的优先权，其公开内容通过引用结合于此。
半导体发光二极管具有半导体层构成的层堆叠，其材料(在基本材料和掺杂材料方面)有目的进行选择并且彼此相协调，以便将在各个层内和层边界上的光电子特性和电子带结构在预先确定的范围中调节。在两个相邻的彼此互补的掺杂的发光二极管层(p掺杂和n掺杂)之间的结上形成光学有源区，其在电流流过半导体层堆叠的情况下发射电磁辐射。所产生的辐射首先在所有方向上、即仅仅部分在半导体发光二极管的发射方向上发射。为了将辐射的朝着半导体层堆叠的相反的侧发射的辐射部分又向回朝着发射方向反射，在半导体层堆叠之后设置有由透明导电氧化物构成的氧化物层和一个或多个镜层。射到镜层上的电磁辐射被反射达到一比例，该比例取决于这些层的光学折射率之差、镜层的导电能力、氧化物层的透明度以及氧化物层和朝着光学有源区的设置在其之前的层的厚度。为了提高反射比例，传统上除了层厚度之外尤其是改变和优化相应层的材料组分和材料特性。
当射到镜层上的电磁辐射的、通过镜层又被向回反射的部分增大时，可以提高半导体发光二极管的光产出。
这能够通过根据权利要求1和2之一所述的半导体发光二极管以及通过根据权利要求14所述的方法来实现。
提供了一种半导体发光二极管，其具有至少一个p掺杂的发光二极管层、n掺杂的发光二极管层和在p掺杂的发光二极管层与n掺杂的发光二极管层之间的光学有源区，提供有由透明导电氧化物构成的氧化物层和至少一个镜层，其中氧化物层设置在发光二极管层和所述至少一个镜层之间并且具有朝着发光二极管层的第一界面和朝着所述至少一个镜层的第二界面，并且其中氧化物层的第二界面具有比氧化物层的第一界面更小的粗糙度。
此外，提供了一种半导体发光二极管，其中氧化物层的第二界面具有小于1.0nm的粗糙度。
通过将镜层构建在降低的粗糙度的第二界面上，提高了在氧化物层和镜层之间的界面上的反射率，其中尤其是以大的入射角入射的辐射部分以较大的程度被反射。
如果设置层厚度为大于5nm的氧化物层，则保证了氧化物层的第一界面的不平坦部(该不平坦部由于其下的最上部的半导体层的粗糙度而引起)被平坦化并且因此对氧化物层的第二界面的粗糙度没有负面影响。
如果p掺杂的发光二极管层比n掺杂的发光二极管层接近氧化物层地设置，则氧化物层和镜层在半导体发光二极管的p侧上。在那里，氧化物层的连接尽管首先带来半导体发光二极管的工作电压的提高，但其如下面还将描述的那样可以被补偿。
根据一个改进方案，在p掺杂的发光二极管层和氧化物层之间设置有p掺杂的半导体层，其具有至少与p掺杂的发光二极管层的掺杂材料浓度相同的掺杂材料浓度。在沉积氧化物层时，p掺杂的半导体层保护p掺杂的发光二极管层免受晶格损伤。
根据第一实施形式，氧化物层的第一界面与p掺杂的半导体层邻接。
根据可替选的第二实施形式设计的是，在p掺杂的半导体层和氧化物层之间设置有n掺杂的半导体层，并且氧化物层与n掺杂的半导体层邻接。由此实现了氧化物层低欧姆性地连接到半导体层堆叠上。
根据一个改进方案，在p掺杂的半导体层和n掺杂的半导体层之间设置有未掺杂的半导体层。其与两个掺杂的半导体层一起形成隧道接触，其中隧道接触的接触电阻由于氧化物层的通过n掺杂的半导体层的低欧姆性的连接而被过补偿，并且因此总体上降低了所需的工作电压。
优选地，氧化物层是导电的。
对于氧化物层合适的材料例如是氧化锌、氧化铟锡或者氧化铟锌。
如果镜层与氧化物层的第二界面直接邻接，则氧化物层的第二界面同时形成了特别低的粗糙度的镜面。
根据一个实施形式，镜层包括至少一个金属镜层。
对于金属镜层合适的材料尤其金、银或铝，其中金适于在红外范围中进行反射，银适于在可见的波长范围中进行反射，而铝适于在UV范围中进行反射。
根据另一实施形式，(替代金属镜层或者除金属镜层之外)设置有至少一个介电镜层。尤其是，与金属镜层结合，介电镜层提高了在半导体发光二极管的背面上的镜的反射率。
对于介电镜层合适的材料例如是玻璃、氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅。
根据一个改进方案设计的是，介电镜层设置在氧化物层和金属镜层之间，并且具有局部的凹处，金属镜层伸入凹处中直至氧化物层的第二界面。由此，金属镜层形成了对透明导电的氧化物层的接触，由此出发在氧化物层中在半导体层堆叠的整个基本面上进行横向电流扩展。
作为发光二极管层的基本材料合适的例如是二元、三元或四元的III-V半导体材料，尤其是包含元素铝、镓和铟至少之一和元素氮、磷和砷至少之一的半导体材料。对此的例子是氮化铝、氮化铝铟、氮化镓、氮化铝镓、氮化铟镓以及铟镓砷磷。
用于制造半导体发光二极管的方法包括：
-至少构建一个p掺杂的发光二极管层和n掺杂的发光二极管层，
-沉积透明导电氧化物，由此形成氧化物层，其具有第一界面，该界面朝着发光二极管层，其中氧化物层通过HF辅助的DC溅射来沉积并且在此产生氧化物层的与第一界面对置的第二界面，其具有比氧化物层的第一界面更低的粗糙度。
由于由透明导电氧化物构成的氧化物层通过HF辅助的DC溅射来沉积，所以其第二界面具有小于其第一界面的粗糙度并且尤其是小于1.0nm的粗糙度。这在完成的半导体发光二极管的情况下导致更强烈的反射或者导致在氧化物层和镜层之间的界面上的更强的反射作用。
如果沉积具有层厚度为至少5nm的氧化物层，则由此使氧化物层的第一界面的不平坦部(该不平坦部由于其下的最上面的半导体层的粗糙度引起)平坦化，并且不会对氧化物层的第二界面的粗糙度有不利影响。
根据一个改进方案，在p掺杂的发光二极管层上沉积有p掺杂的半导体层，其掺杂材料浓度至少与p掺杂的发光二极管层的掺杂材料浓度相同。在氧化物层的溅射时，p掺杂的半导体层保护p掺杂的发光二极管层免受晶格损伤影响。
此外，如果在p掺杂的半导体层上沉积未掺杂的半导体层以及n掺杂的半导体层并且如果将氧化物层溅射到n掺杂的半导体层上，则在n掺杂的半导体层上形成氧化物层的低欧姆性的端子；p掺杂的半导体层、未掺杂的半导体层和n掺杂的半导体层在此形成隧道接触，其接触电阻通过将氧化物层低欧姆性地连接到n掺杂的半导体层上而被过补偿。
根据一个改进方案，构建镜层包括沉积至少一个介电镜层，将凹处刻蚀到介电层中并且将至少一个金属镜层沉积到介电镜层上；由此在介电镜层的凹处中的金属镜层形成对氧化物层的接触，基于此在氧化物层中在半导体层堆叠的整个基本面上进行电流扩展。
以下将参照附图来描述本发明的一些实施例。其中：
图1示出了半导体发光二极管的第一实施例，
图2示出了半导体发光二极管的第二实施例，
图3示出了具有多个镜层的半导体发光二极管的第三实施例，
图4示出了具有多个镜层的半导体发光二极管的第四实施例，
图5示出了在制造根据图1至4之一的半导体发光二极管期间临时的半导体产品的放大的示意性细节视图。
图1在横截面图中示出了半导体发光二极管10的第一实施例，该半导体发光二极管具有半导体层堆叠20。所产生的在可见范围中、在红外范围中或者在UV范围中的电磁辐射虽然首先在所有方向上发射，但应当尽可能完全通过辐射出射层1(图1的下部)的辐射出射面25射出，辐射出射层设置在半导体层堆叠的与氧化物层和镜层背离的侧上。辐射出射层1是衬底层，其是在所有层生长到衬底上并且将该衬底几乎完全刻蚀掉(薄膜LED)之后所留，或者是半导体层，其在实际的发光二极管层之前生长到衬底上，其中该衬底稍后被完全去除。
另外的层如下地生长到辐射出射层1上：首先沉积n掺杂的发光二极管层2和p掺杂的发光二极管层4。彼此对置的掺杂的发光二极管层2、4形成发光二极管层序列，如图1中通过虚线来突出的那样。在两个半导体层2、4之间的界面上形成光学有源区3，其在发光二极管层2、4上的合适极性的足够偏压的情况下实现电磁辐射的发射。N掺杂的发光二极管层2在此以硅掺杂，而p掺杂的发光二极管层4以镁掺杂，其中发光二极管层2、4的基本材料分别是III-V半导体材料。辐射出射层1用于保护下部的n掺杂的发光二极管层2和将下部的n掺杂的发光二极管层2电绝缘。
在发光二极管层序列的其上设置有p掺杂的发光二极管层4(即在图1上部)的侧上沉积由透明导电氧化物构成的氧化物层8。尤其是，氧化物层8包含透明导电氧化物。
氧化物层用于在平行于层边界的横向方向上进行电流扩展，以及用于避免在镜层和半导体层堆叠之间的不希望的迁移。图1示出了一个实施例，其中氧化物层8并不直接沉积到p掺杂的发光二极管层4上，而是(为了保护p掺杂的发光二极管层4)首先沉积p掺杂的半导体层5，其掺杂材料浓度至少与p掺杂的发光二极管层4的掺杂材料浓度相同。
随后，将由透明导电氧化物(TCO，transparent conductive oxide)构成的氧化物层8沉积到p掺杂的半导体层5上。在此，p掺杂的半导体层5的上侧的粗糙度预先给定了氧化物层8的第一界面8a的粗糙度R1。在此，朝着半导体层堆叠(并且尤其是与层堆叠的最上部的、最后沉积的半导体层直接邻接)的界面称作氧化物层的第一界面。
作为透明导电氧化物合适的例如是氧化铟锡、氧化铟锌或者氧化锌。在氧化锌的情况下，导电能力可以通过掺杂以铝或镓来提高。此外，代替唯一的氧化物层也可以设置多个氧化物层的层序列。
氧化物层的沉积通过HF辅助的DC溅射来进行，由此得到了上部的第二界面8b，其具有特别低的粗糙度R2。在溅射氧化物层8之后，其第二界面8b首先暴露；在该第二界面上根据图1最后沉积镜层9(尤其是金属镜层19)。
在半导体层堆叠的相应层之间以及在半导体层堆叠、氧化物层和镜层之间的界面始终具有一定的粗糙度；该粗糙度通常作为带有符号“Rms”的数字标识(例如nm为单位)来说明(‘root means squared’均方根；与理想化的界面平面的平均平方偏差的跟，即界面或者表面的高度波动的标准偏差)。平均在此关于相应的表面或者界面的面区域来进行。在半导体发光二极管10的层序列内的界面的粗糙度传统上在最为有利的情况下在1.5nm到5nm之间，然而也可以明显更大并且大于20nm。对于粗糙度有贡献的尤其是与理想晶格的偏差，例如局部变化的生长条件或者晶格扭曲以及由掺杂材料引起。
在制造半导体发光二极管时，传统上使相应层的材料和材料组合(连同掺杂材料)优化并且彼此相协调。此外，使层厚度和层的折射率优化，以便实现在界面上反射的电磁辐射的结构性干涉并且由此实现发光二极管的高亮度。而粗糙度引起的层界面的高度波动的影响通常被忽略，该高度波动比要反射的辐射的波长小两个到三个量级(对应于100到1000的因子)。
传统上，氧化物层的背离半导体层堆叠(即朝着镜层的)的第二界面具有比氧化物层的第一界面更大的粗糙度，因为透明导电氧化物通常不是单晶的，而是多晶的或者无定形的。
而如这里所提出的通过HF辅助的DC溅射工艺来沉积氧化物层8实现了氧化物层的第二界面8b的特别低的粗糙度R2，并且于是提高了要沉积在其上的镜层的反射能力。还参照图5描述了HF辅助的DC溅射工艺。
镜层9沉积到氧化物层8的(在执行溅射工艺之后露出的)第二界面8b上。镜层9的沉积通过PVD(物理气相沉积)或者CVD(化学气相沉积)方法、尤其是PECVD(等离子体增强化学气相沉积)方法、通过MBE(分子束外延)方法、IBE(离子束刻蚀)方法或者通过热蒸镀来进行。镜层9在该实施例中是金属镜层19，其由金、银或铝或包含这些金属至少之一的合金构成。金属镜层19也可以包括分别由金属或金属合金构成的多个层。
氧化物层8和镜层9的材料和层厚度彼此相协调，使得由光学有源区3发射的电磁辐射的、朝着氧化物层和镜层方向发射的部分在氧化物层8的第二界面8b上被尽可能完全地反射。要反射的辐射的入射角遵循统计分布并且基本上可以具有相对于镜层的反射界面的面法线在0度到90度之间的任何值。氧化物层8的第二界面8b的低的粗糙度导致：在相对于第二界面8b的面法线大的入射角度的情况下，也总体上将入射的电磁辐射的较大部分反射。由此提高了通过半导体发光二极管发射的电磁辐射的强度。
图2示出了半导体发光二极管的第二实施例，其中除了图1所示的层之外还设置有未掺杂的半导体层6以及n掺杂的半导体层7，它们设置在p掺杂的半导体层5和氧化物层8之间。n掺杂的半导体层7使将透明导电氧化物构成的氧化物层8连接到半导体层堆叠20变得容易。未掺杂的半导体层6设置在p掺杂的半导体层5和n掺杂的半导体层7之间。半导体层5、6和7的序列形成至由发光二极管层4和2构成的实际发光二极管层序列的隧道接触。通过隧道接触导致的工作电压的略微提高通过经n掺杂的半导体层7低欧姆性地连接氧化物层8而被过补偿。
对于层5、6和7合适的是与发光二极管层2、4相同的基本材料。掺杂的半导体层5、7的层厚度在该实施例中小于30nm，其例如在3nm到20nm之间。此外，在该实施例中，未掺杂的半导体层6的层厚度小于20nm，其例如在1nm到10nm之间。此外，对于图2适用对于图1的相同实施例。
在将氧化物层8并且随后将镜层9沉积到半导体层堆叠20上之前，图1和2中所示的半导体层堆叠20的层例如通过化学气相沉积方法(CVD；chemical vapour deposition)来沉积。在半导体层堆叠20的下侧，衬底事后被薄化或者完全去除，使得露出辐射出射层1。
图1和2示出了其中氧化物层8与金属镜层19的下侧直接邻接的实施例，而图3和4示出了具有在氧化物层8和金属镜层19之间的附加的介电镜层18的实施例。在图3中，半导体层堆叠20具有如图1相同的结构；在图4中其具有与图2中相同的结构。对图1或2的阐述因此同样适用于图3或4。
根据图3或4，氧化物层8通过HF辅助DC溅射沉积到相应的最上部的半导体层5或7上。随后首先将(例如氧化硅构成的)介电镜层18沉积到其第二界面8b上。随后将凹处刻蚀到介电镜层18中并且将金属镜层19沉积到介电镜层18上。金属镜层19的材料伸入介电镜层18的凹处直到氧化物层8的第二界面8b上，并且在那里因此形成对于氧化物层8的纽扣接触(Knuepfelkontakte)。从纽扣接触出发，于是在透明导电氧化物层8中在半导体层堆叠20的整个基本面上进行横向电流扩展。
在该实施例中，镜层9包括介电镜层18和金属镜层19。由于镜层9、18、19在氧化物层8之后沉积，所以由于氧化物层8的第二界面8b的低粗糙度R2也降低了镜层18和19之间的界面的粗糙度。由此，镜层堆叠的反射率进一步被提高，因为由于氧化物层的第二界面的低的粗糙度在一定程度上也降低了随后的镜层的界面的粗糙度。其余如针对图1和图2的实施例同样适用于图3和图4。
在上述实施例中，设置有如下的掺杂材料浓度：n掺杂的发光二极管层2具有小于1×1020/cm3的掺杂材料浓度，尤其是在1×1019/cm3以下的掺杂材料浓度。p掺杂的发光二极管层4具有小于2×1020/cm3的掺杂材料浓度。p掺杂的半导体层5的掺杂材料浓度至少与p掺杂的发光二极管层4的掺杂材料浓度相同并且在2×1020/cm3以上。n掺杂的半导体层7的掺杂材料浓度大于n掺杂的发光二极管层2的掺杂材料浓度并且在2×1020/cm3以上。因此，两个半导体层5、7的每个都比相同掺杂材料类型的相应的发光二极管层4、2更强地掺杂。p掺杂的层以镁掺杂而n掺杂的层以硅掺杂。
可替选地，n掺杂的半导体层7的掺杂材料浓度也可以小于n掺杂的发光二极管层2的掺杂材料浓度。
图5示出了用于制造根据图1至4之一的半导体发光二极管的临时的半导体产品的放大的示意性细节图，更确切地说，在溅射氧化物层8之后。所示的是半导体层堆叠20以及溅射到其上的由透明导电氧化物构成的氧化物层的最上部的层的上部的部分区域。最上部的半导体层是图1或3中的p掺杂的半导体层5或者图2或4中的n掺杂的半导层7。
当氧化物层8沉积到最上部的半导体层5或7的上侧上时，最上部的半导体层的粗糙度预先给定了氧化物层8的下部的第一界面8a的粗糙度R1，其典型地在1.5nm Rms以上，然而其也可以具有明显更大的值-根据最上部的半导体层的沉积方法、其基本材料和掺杂材料浓度。在由氮化镓构成的p掺杂的半导体层5的情况下(图1或3)，其上侧的粗糙度在1.2nm到1.8nm之间。
通过HF辅助的DC溅射方法来沉积由透明导电氧化物构成的氧化物层8实现了其第二界面8b的粗糙度R2如在图5中所示的那样小于第一界面8a的粗糙度R1，尤其是小于1.0nm或者甚至小于0.5nm。
氧化物层8在这里所描述的实施例中以在1nm到50nm之间的层厚度溅射，其中层厚度也可以选择得更大。如果氧化物层以例如5nm的最小层厚度沉积，则由其下的半导体层5或7引起的不平坦在氧化物层的溅射期间被平坦化。由此保证了氧化物层8的第二界面8b的粗糙度R2仅仅还受到HF辅助的DC溅射方法影响，而并不会受更深的半导体层的高度波动影响。
设置在(通过HF辅助的DC溅射沉积的)氧化物层上的镜层具有极其平坦的反射面。此外，在溅射氧化物层8之前暴露的、半导体层堆叠的最上面的半导体层几乎不会由于HF辅助的DC溅射方法而受到损伤。
本身已知的HF辅助的DC溅射方法在此用于将由透明导电氧化物构成的氧化物层8沉积到用于发光二极管的半导体层堆叠20的最上部的层。在HF辅助的DC溅射方法中，直流电压被叠加有高频交流电压。用于溅射而输送的电功率因此包括DC(直流)部分以及高频(HF)部分。高频的功率部分的频率例如为13.56MHz。在溅射时，组合的DC/HF功率例如输送给设置在溅射室中的电极。
通过HF辅助的DC溅射方法沉积的氧化物层8的第二界面8b和另外的沉积到第二界面8b上的镜层18、19的界面由于降低的粗糙度而将入射到其上的电磁辐射的较大部分反射。这尤其适用于以相对于面法线较大的入射角入射到界面上的辐射部分。
通过提高的反射率，半导体发光二极管10在其辐射出射面25上总体上发射较大强度的电磁辐射。
本发明并未由于借助实施例的描述而局限于此。更确切地说，本发明包括任意新的特征以及特征的任意组合，尤其是包含在权利要求中的特征的任意组合，即使该特征或者该组合本身并未明确地在权利要求或者实施例中予以说明。

Claims (15)

1.一种半导体发光二极管(10)，具有：
-至少一个p掺杂的发光二极管层(4)、n掺杂的发光二极管层(2)以及在p掺杂的发光二极管层(4)和n掺杂的发光二极管层(2)之间的光学有源区(3)，
-由透明导电氧化物构成的氧化物层(8)，以及
-至少一个镜层(9)，
其中氧化物层(8)设置在发光二极管层(2，4)和所述至少一个镜层(9)之间并且具有朝着发光二极管层(2，4)的第一界面(8a)和朝着所述至少一个镜层(9)的第二界面(8b)，并且
其中氧化物层(8)的第二界面(8b)具有比氧化物层(8)的第一界面(8a)更小的粗糙度(R2)。
2.一种半导体发光二极管(10)，具有：
-至少一个p掺杂的发光二极管层(4)，n掺杂的发光二极管层(2)以及在p掺杂的发光二极管层(4)和n掺杂的发光二极管层(2)之间的光学有源区(3)，
-由透明导电氧化物构成的氧化物层(8)，以及
-至少一个镜层(9)，
其中氧化物层(8)设置在发光二极管层(2，4)和所述至少一个镜层(9)之间并且具有朝着发光二极管层(2，4)的第一界面(8a)和朝着所述至少一个镜层(9)的第二界面(8b)，并且
其中氧化物层(8)的第二界面(8b)具有小于1.0nm的粗糙度(R2)。
3.根据权利要求1或2所述的半导体发光二极管，其特征在于，氧化物层(8)具有大于5nm的层厚度。
4.根据权利要求1至3之一所述的半导体发光二极管，其特征在于，p掺杂的发光二极管层(4)比n掺杂的发光二极管层(2)更靠近氧化物层(8)地设置。
5.根据权利要求1至4之一所述的半导体发光二极管，其特征在于，在p掺杂的发光二极管层(4)和氧化物层(8)之间设置有p掺杂的半导体层(5)，该p掺杂的半导体层具有至少与p掺杂的发光二极管层(4)的掺杂材料浓度相同的掺杂材料浓度。
6.根据权利要求5所述的半导体发光二极管，其特征在于，氧化物层(8)用其第一界面(8a)与p掺杂的半导体层(5)邻接。
7.根据权利要求5所述的半导体发光二极管，其特征在于，在p掺杂的半导体层(5)和氧化物层(8)之间设置有n掺杂的半导体层(7)，并且氧化物层(8)的第一界面(8a)与n掺杂的半导体层(7)邻接。
8.根据权利要求7所述的半导体发光二极管，其特征在于，在p掺杂的半导体层(5)和n掺杂的半导体层(7)之间设置有未掺杂的半导体层(6)。
9.根据权利要求1至8之一所述的半导体发光二极管，其特征在于，氧化物层(8)的透明导电氧化物包含材料氧化锌、氧化铟锡和氧化铟锌至少之一。
10.根据权利要求1至9之一所述的半导体发光二极管，其特征在于，镜层(9)与氧化物层(8)的第二界面(8b)邻接。
11.根据权利要求1至10之一所述的半导体发光二极管，其特征在于，镜层(9)包括至少一个金属镜层(19)。
12.根据权利要求1至11之一所述的半导体发光二极管，其特征在于，镜层(9)包括至少一个介电镜层(18)。
13.根据权利要求12所述的半导体发光二极管，其特征在于，介电镜层(18)设置在氧化物层(8)和金属镜层(19)之间并且具有局部的凹处(11)，金属镜层(19)伸入所述凹处中直至氧化物层(8)的第二界面(8b)。
14.一种用于制造半导体发光二极管(10)的方法，其中该方法包括：
-构建至少一个p掺杂的发光二极管层(4)和n掺杂的发光二极管层(2)，
-沉积透明导电氧化物，由此形成氧化物层(8)，该氧化物层具有第一界面(8a)，该第一界面朝着发光二极管层(2，4)，其中氧化物层(8)通过HF辅助的DC溅射来沉积并且在此产生氧化物层(8)的与第一界面(8a)对置的第二界面(8b)，该第二界面具有比氧化物层(8)的第一界面(8a)更低的粗糙度，以及
-在氧化物层(8)的第二界面(8b)上构建至少一个镜层(9)。
15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，构建至少一个镜层(9)包括沉积至少一个介电镜层(18)，将凹处刻蚀到介电层(18)中并且将至少一个金属镜层(19)沉积到介电镜层(18)上。
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