CN101960569B - 等离子处理方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种等离子处理方法，其可优化蚀刻条件，从而可以保持开始蚀刻处理到结束时的加工表面内分布的均等性。在本发明的等离子处理方法中，反复交替进行用形成在真空槽(21)中的等离子对表面形成有掩膜图案的基板W进行蚀刻处理的工序，和用等离子对设置在真空槽(21)内的靶材(30)进行溅射加工，并且在形成在基板W上的蚀刻图案的侧表面上形成保护膜的工序。在上述等离子处理方法中，在包括对基板W进行蚀刻处理和形成保护膜处理的等离子处理过程中，根据处理的进展程度改变磁中性线(25)的半径。从而在等离子处理从开始到结束时可保持具有均等的加工表面内分布状态。
Description
技术领域
本发明涉及一种在硅基板表面上形成长宽比较大的孔或深槽的等离子处理方法，更详细地讲，本发明涉及一种在蚀刻处理从开始到结束，能保持加工表面内的均等分布状态的等离子处理方法。
背景技术
在现有技术中，人们广泛使用等离子蚀刻(干蚀刻)法对硅基板表面进行蚀刻加工。在室温环境下，由于呈原子(原子团)状态的氟会自发地与硅产生化学反应，从而可获得较高的蚀刻速度，所以在蚀刻硅基板时，作为蚀刻气体，人们较多使用SF6、NF3、COF2、XeF2等含氟气体。
但是，由于使用含氟蚀刻气体对硅基板进行干蚀刻处理时表现出各向同性，所以也会对形成的蚀刻图案(凹部)的侧表面产生侵蚀。因此，采用该方法难以形成精度较高的通孔或深槽等细微且长宽比较大的通道。
对此，近年来有人提出一种硅基板深挖加工技术，其采用在蚀刻图案侧表面上边形成保护膜边进行蚀刻处理的方法，该方法可以遏制蚀刻在横向方向上的扩展，由此可保持该图案侧表面的垂直状态。
例如，在专利文献1公开有一种蚀刻处理方法，该方法通过反复交替进行蚀刻工序和保护膜形成工序，一边在蚀刻图案的侧表面上形成由聚合物层组成的保护膜，一边进行蚀刻处理。尤其是作为保护膜成膜方法之一，公开有一种对面向基板设置的靶材使用氩气的溅射法。
由于在保护膜形成工序中形成在蚀刻图案侧表面上的聚合物层，与形成在蚀刻图案底部上的聚合物层相比，在蚀刻工序中前者被去除 的量要少，所以能使形成在该图案侧表面上的聚合物层具有保护膜的功能，从而可实现将蚀刻方向限制在图案深度方向上的各向异性蚀刻处理。
【专利文献1】WO2006/003962号公报
近年来，随电子部件向小型化、精密化方向发展，人们要求精度较高的硅基板深挖加工技术。一般情况下，作为深挖加工技术，存在与蚀刻图案深度对应的最佳蚀刻条件。另外，对于基板表面的内周侧和外周侧的最佳蚀刻条件不同。因此产生如下技术问题，即，在蚀刻处理从开始到结束的过程中，如果蚀刻条件都不变，由于难以对基板表面进行加工表面内均等的蚀刻处理，所以难以获得高精度蚀刻图案。
发明内容
鉴于上述情况，本发明的目的在于提供一种等离子处理方法，其可优化蚀刻条件，从而蚀刻处理从开始到结束，能保持加工表面内分布的均等性。
为了实现上述目的，本发明的一个实施方式中所述的等离子处理方法包括以下步骤，即，沿形成在真空槽内的环形磁中性线形成高频电场，使导入上述真空槽内的气体等离子化的步骤。在上述真空槽内，使用上述等离子对表面形成有掩膜图案的基板进行蚀刻处理的步骤。用上述等离子对设置在上述真空槽内的靶材进行溅射加工，在形成在上述基板上的蚀刻图案的侧表面上形成保护膜的步骤。根据上述蚀刻图案的深度的不同改变上述磁中性线半径的步骤。
另外，本发明的另一实施方式中所述的等离子处理方法包括以下步骤，沿着形成在真空槽内的环形磁中性线形成高频电场，使导入上述真空槽内的气体等离子化的步骤。在上述真空槽内，用上述等离子对表面形成有掩膜图案的基板进行蚀刻处理的步骤。使用上述等离子对设置在上述真空槽内的靶材进行溅射加工，在形成在上述基板上的 蚀刻图案的侧表面上形成保护膜的步骤。在对上述基板所进行蚀刻处理过程中，根据处理的进展程度改变上述磁中性线半径的步骤。
具体实施方式
本发明的一个实施方式中所述的等离子处理方法包括以下步骤，沿形成在真空槽内的环形磁中性线形成高频电场，从而使导入上述真空槽内的气体产生等离子的步骤。由此在上述真空槽内，使用上述等离子对表面形成有掩膜图案的基板进行蚀刻处理的步骤。使用上述等离子对设置在上述真空槽内的靶材进行溅射加工，在形成在上述基板上的蚀刻图案的侧表面上形成保护膜的步骤。在包括对上述基板所进行的蚀刻处理和形成上述保护膜处理的等离子处理过程中，根据处理的进展程度改变上述磁中性线的半径的步骤。
上述等离子处理方法适用于磁中性线放电(NLD：magnetic Neutral Loop Discharge)型等离子蚀刻方法。磁中性线放电技术用来对沿形成在真空槽内的磁场强度为0的环形磁中性线施加高频电场，并由此形成等离子。例如，由设置在真空槽周围的多个励磁线圈形成磁中性线，使大小不同的电流流经这些励磁线圈中，就能根据需要调整磁中性线的半径、位置等。
在上述等离子处理方法中，在对基板所进行等离子处理过程中，根据等离子处理的进展程度的不同，通过调整磁中性线的半径，可以改变产生在真空槽内的等离子的密度分布状态。所谓“根据等离子处理的进展程度的不同”，包含“根据蚀刻图案的深度的不同”、“是蚀刻工序还是溅射工序”等意思。另外，所谓的“根据蚀刻处理的进展程度的不同”，包含“根据蚀刻图案的深度的不同”、“是蚀刻工序还是溅射工序”等意思。
这样，在进行等离子处理过程中，可在根据等离子处理的进程中使蚀刻速度与加工表面内的分布状态相对应，所以，可从开始蚀刻处理到结束都能保持加工表面内分布的均等性。
另外，在上述等离子处理方法中，可反复交替进行蚀刻上述基板 的工序和形成上述保护膜的工序。调整上述磁中性线半径的工序，可在蚀刻处理从开始到结束的过程中分阶段地改变上述磁中性线的半径。
如上所述，将蚀刻处理从开始到结束的过程分为多个阶段，来改变磁中性线的半径，以使其适合在各阶段中预先评定的最合适的处理条件，由此可使蚀刻处理从开始到结束具有良好的加工表面内均等性。对分成的阶段数量没有特殊限定，但是阶段数量越多，越能进行高精度的蚀刻处理。
在上述等离子处理方法中，可在蚀刻上述基板的工序中进行改变上述磁中性线半径的工序。因此，可以对基板进行加工表面内均等性良好的蚀刻处理。
另外，在上述等离子处理方法中，可在形成保护膜的工序中进行改变上述磁中性线半径的工序。因此，可形成加工表面内均等性良好的蚀刻保护膜。
还有，在对基板进行等离子处理过程中，可改变导入上述真空槽内的气体的压力。例如，随蚀刻图案深度加深而降低压力时，可提高图案底部的蚀刻定向性效果，由此可以进行朝向深度方向的正常蚀刻处理。该方法可同样适用于保护膜形成工序。
还有，在对基板进行等离子处理过程中，可改变导入上述真空槽内的混合气体的混合比。由此可进行适于蚀刻图案深度的蚀刻处理。该方法可同样适用于保护膜形成工序。
还有，在对基板进行等离子处理过程中，可改变上述高频电场的强度。由此可控制等离子密度，通过组合对磁中性线半径的控制，有助于优化等离子形成条件。
下面，参照附图说明本发明的实施方式。
图1是等离子蚀刻装置20的大致结构示意图，在该等离子蚀刻装置20中进行处理时适用本发明实施方式中的等离子处理方法。图示等离子蚀刻装置20具有NLD(磁中性线放电：magnetic neutral loop discharge)型等离子蚀刻装置的结构，兼具对基板表面进行蚀刻的功 能和在基板表面的蚀刻图案侧表面上形成保护膜的功能。
在图1中，附图标记21表示真空槽，内部形成包括等离子形成空间21a在内的真空空腔(等离子空腔)，真空槽21上连接有涡轮分子泵(TMP：Turbo Molecular Pump)等真空泵，由该真空泵排出真空槽21内部的空气，以使其达到规定的真空度。
等离子形成空间21a的周围被筒状壁22所划分，而筒状壁22由石英等透明绝缘材料制成并构成真空槽21的一部分。在筒状壁22的外周侧分别设置有：高频线圈(天线)23，其与第1高频电源RF1相连并用来产生等离子；励磁线圈组24，其由3个设置在上述高频线圈23的外周侧的励磁线圈24A、24B和24C组成。
分别供给励磁线圈24A和励磁线圈24C的电流方向相同，而供给励磁线圈24B的电流方向和供给励磁线圈24A、励磁线圈24C的电流方向相反。这样一来，在等离子形成空间21a内，会形成连续的磁场强度为0的环形磁中性线25。另外，由高频线圈23沿着磁中性线25形成感应电场(高频电场)，会通过放电而产生等离子。
尤其是在NLD型等离子处理装置中，可根据流经励磁线圈24A～24C的电流的大小，调整磁中性线25的形成位置和大小(半径)。即，流经励磁线圈24A、24B、24C的电流分别为IA、IB、IC，当IA＞IC时，磁中性线25的形成位置会下降并靠近励磁线圈24C，反之，当IA＜IC时，磁中性线25的形成位置会上升并靠近励磁线圈24A。另外，加大流经位于中间的励磁线圈24B的电流IB时，会减小磁中性线25的环径，而减小电流IB时，会增大磁中性线25的环径，还有，通过调整电流IB的大小，可控制磁中性线25的磁场强度为0的位置上的磁场梯度，IB越大磁场梯度越平缓。IB越小磁场梯度越陡。通过利用这些特性，可有助于优化等离子的密度分布状态。
另外，在真空槽21的内部设置有台架26，用来支承半导体晶圆(例如硅(Si)基板)W。台架26由导电材料制成，经电容器27与第2高频电源RF2相连。此外，台架26中内置有加热器等加热源，其用来将基板W加热到规定的温度。
在等离子形成空间21a上部设置有顶板29，其为对着台架26的相对电极，经电容器28与第3高频电源RF3相连。在顶板29上的等离子形成空间21a一侧的表面上安装有靶材(溅射靶材)30，其用来产生溅射而使基板上成膜。在本实施方式中，靶材30使用了聚四氟乙烯(PTFE)等含氟树脂，但也适用其他合成树脂材料，或适用硅、碳、碳化硅、氧化硅或氮化硅等材料。
在顶板29的附近设置有用来向真空槽21的内部导入处理气体的气体导入管31。在本实施方式中，处理气体包括蚀刻工序用气体和溅射工序用气体。
作为蚀刻气体，人们可使用SF6、NF3、SiF4、XeF2的至少其中之一或其与惰性气体的混合气体。作为该混合气体，可使用SF6/Ar、HBr/SF6/O2等2种以上的气体混合而成的混合气体。在本实施方式中，将SF6/Ar的混合气体作为蚀刻气体。
另外，作为溅射用处理气体，例如可使用Ar或N2等稀有气体或惰性气体。在本实施方式中，将Ar作为溅射用处理气体。
在本实施方式的等离子蚀刻装置20中，通过对安放在台架26上的基板W反复交替进行蚀刻工序和保护膜形成工序，能在基板W的表面上形成由具有较大长宽比的孔或深槽等组成的通道。
图2是表示本实施方式中的等离子蚀刻装置20的一个动作实例的时序波形图。图2中A表示施加给高频线圈23的第1高频电源RF1的时序波形，图2中B施加给台架26的第2高频电源RF2的时序波形，图2中C表示施加给顶板29的第3高频电源RF3的时序波形，而图2中D表示真空槽21内部的压力变化情况。在该例中，将蚀刻工序中的处理压力(处理气体的导入量)设定得比保护膜形成工序中的处理压力高。
在基板W的表面上，预先形成有掩膜图案，该掩膜图案使用有机抗蚀剂或金属掩膜等。在蚀刻工序和保护膜形成工序中，在等离子形成空间21a内通过励磁线圈组24形成环形磁中性线25，由第1高频电源RF1向高频线圈23供电而沿磁中性线25形成电感耦合等离子。
在蚀刻工序中，被导入真空槽21内部的蚀刻气体(SF6和Ar的混合气体)会在等离子形成空间21a中被等离子化，由生成的离子和原子团对台架26上的基板W进行蚀刻处理。此时，由第2高频电源RF2进行供电而使基板上形成偏压，以使离子向台架26一侧加速运动，从而会溅射掉基板W上的原子团生成物而提高蚀刻效果。即，含氟原子团和硅产生化学反应而形成原子团生成物，再通过等离子中的离子的溅射作用去除上述生成物，以此对基板W进行蚀刻处理。
另外，经过规定时间的蚀刻处理后，排出残留在真空槽21内部的蚀刻气体。接着将形成保护膜用处理气体(Ar)导入真空槽21的内部，并开始进行保护膜形成工序，被导入的处理气体在等离子形成空间21a内会被等离子化。此时基板上无偏压(RF2)，取而代之，由第3高频电源RF3进行供电而使顶板上形成偏压，这样一来，设置在顶板29上的靶材30会因等离子中的离子而产生溅射，其溅射物会附着在基板W的表面上和上述蚀刻工序中形成的蚀刻图案上。通过该处理，会在蚀刻图案的底部和侧表面上形成起到保护膜作用的聚合物层。
在此，从靶材30中撞出的溅射粒子会穿过形成在等离子形成空间21a内的NLD等离子而到达基板，此时，溅射粒子在形成磁中性线25的高密度等离子区域内分解并被再次激活，从而以类似于化学蒸镀法(CVD法)中的成膜形态，各向同性地入射到基板的表面中。因此，采用本实施方式获得的蚀刻图案的台阶镀膜(保护膜)的覆盖性较高，其加工表面内均等性也较为良好。
作为保护膜形成工序用处理气体，例如使用Ar和碳氟化合物系气体(C4F8、CHF3等)的混合气体，处理气体中的化学反应的气体在等离子形成空间21a内被等离子化，其原子团生成物则沉积在基板表面上，从而形成具有保护膜功能的聚合物层。还有，与只将Ar当作处理气体的情况相比，将上述混合气体当作处理气体时，可有助于提高溅射率。
经过规定时间的保护膜形成工序之后，再次进行上述蚀刻工序。 在该蚀刻工序的最初阶段，主要目的是为了去除覆盖蚀刻图案底面的保护膜，之后对因保护膜被去除而露出的蚀刻图案底面再次进行蚀刻处理。此时，由于等离子中的离子，会因基板的偏压作用而垂直入射到基板中，所以到达覆盖蚀刻图案侧表面的保护膜的离子数量，会比到达蚀刻图案底面的离子数量少，因此，在两个蚀刻工序之间，用来覆盖蚀刻图案侧表面的保护膜不会被完全去除而会残留下来，因而可避免蚀刻图案的侧表面接触到含氟原子团，进而可以防止蚀刻图案的侧表面因产生蚀刻而被侵蚀。
之后，通过反复交替进行上述蚀刻工序和保护膜形成工序，就能实现沿着垂直方向对基板进行各向异性蚀刻处理，从而可在基板W的内部制成较大长宽比的通道(接触孔、沟槽)。
但是，在对基板表面进行蚀刻或溅射成膜处理时，通过这些等离子处理而确保对基板表面的加工表面内均等性是非常重要的事情。这在基板尺寸越大时越明显。加工表面内均等性受形成在真空槽内的等离子的位置、即密度分布的影响较大。由于采用磁中性线放电(NLD)法时会在形成磁中性线的位置形成高密度等离子。因此，通过改变磁中性线的半径，就能够调整产生在真空槽内的等离子的密度分布。在本实施方式中，可通过调整流经位于励磁线圈组24中间的励磁线圈24B的电流的大小来调整磁中性线25的半径。
另外，根据溅射条件或蚀刻条件的不同，等离子形成位置会给加工表面内均等性带来较大的影响。作为其一个例子，图3表示等离子形成位置和基板加工表面内均等性的关系，该关系分别与溅射条件、被导入气体的压力、被导入气体的混合比和高频电源(RF1)相关。
在图3中，横轴所示“NL电流值”是供给励磁线圈组24(图1)的位于中间的励磁线圈24B的电流的大小。该电流值越大时磁中性线25的半径越小，其越小时磁中性线25的半径越大。图3中的“溅射条件”包括气压、气体混合比、高频电源(RF1)和顶板偏压电源(RF3)等各种参数。另外，图3中的“溅射条件”、“气压”、“气体混合比”和“高频电源”分别为固定数值，图3表示相对于这些固定数值 的NL电流值和加工表面内均等性之间的关系。
如图3所示，溅射条件、气压、气体混合比和高频电源等与加工表面内均等性有较大的关联性。虽然未进行图示，其与蚀刻条件也有较大的关联性。因此，当进行溅射处理和蚀刻处理时，为了确保具有理想的加工表面内均等性，必须设定最佳等离子分布密度。
因此，在本实施方式中，在对基板进行蚀刻处理(等离子处理)过程中，会改变磁中性线25的半径。例如，基板中央部的蚀刻速度比其周缘部的蚀刻速度高时，通过增大磁中性线的半径提高在加工表面内的蚀刻速度的均等性。
例如，如图4中(A)～(C)所示，基板W上的一部分蚀刻图案P2、P3的蚀刻速度比其外周侧蚀刻图案P1或内周侧蚀刻图案P4的蚀刻速度快时，可在合适时刻改变磁中性线25的半径。此时，通过缩小或增大磁中性线25的半径，可使图案P1、P4的蚀刻速度变得同于图案P2、P3蚀刻速度。另外，在图4中，参照符号M表示形成在基板W的表面上的蚀刻用掩膜图案。
也可采用如下蚀刻处理方法，即，将一个蚀刻工序分为多个阶段而改变磁中性线25的半径并进行控制，或者采用如下蚀刻处理方法，即，每次从溅射工序切换为蚀刻工序时，改变磁中性线25的半径并进行控制。另外，磁中性线25的半径的变化，并不局限于只用预先设定的半径大小而分为多个阶段并对其进行改变的控制方法，也包括在预先设定的半径大小范围内对其进行连续改变的控制方法。
作为在对基板进行蚀刻处理(等离子处理)过程中改变磁中性线25的半径的其他控制方法实例，可例举在蚀刻工序和溅射工序中改变磁中性线的形成位置的控制方法。这是由于在蚀刻工序和溅射工序中，有可产生能确保理想的加工表面内均等性的等离子，但该等离子的形成位置不同的情况。此时，分别预先获取蚀刻工序和溅射工序中的磁中性线半径(NL电流值)的最佳数值，从而在切换蚀刻处理和溅射处理时，分别将磁中性线的半径改变为最佳数值。因此，可分别确保蚀刻处理和溅射处理时在加工表面内具有理想的均等性。
根据蚀刻图案的深度而改变在加工表面内蚀刻速度的分布状态时，可对应于在加工表面内蚀刻速度的分布状态而改变磁中性线的半径。因此，可以提供对应于蚀刻图案深度的具有良好加工表面内均等性的最佳等离子分布密度。另外，也可根据需要改变磁中性线的高度位置或磁场梯度。
如上所述，将蚀刻处理从开始到结束的过程分为多个阶段，来改变磁中性线的半径，使其适合各阶段中预先评定的最合适的处理条件，由此可使蚀刻处理(等离子处理)从开始到结束具有良好的加工表面内均等性。对所分成的阶段数量没有特殊限定，但是阶段数量越多，越能进行高精度蚀刻处理。
在上述磁中性线25的半径控制方法的基础上，通过进一步改变下述参数，可有助于提高蚀刻表面内的均等性。
(气压)
在蚀刻处理(等离子处理)从开始到结束的过程中，分阶段地改变导入真空槽21内的气体的压力。例如，对其采用下述控制方法，即，在开始进行蚀刻处理时，将气压设定得较高，随后在进行蚀刻处理过程中降低气压。
通常情况下，在用蚀刻处理方法对硅基板进行深挖加工时，由于随蚀刻图案的加深，在图案开口部也会产生蚀刻处理，所以难以保持图案开口部的形状精度。对此，通过采用在进行蚀刻处理过程中降低气压的方法，可提高离子向图案底部的定向性效果，由此可提高朝向垂直于基板方向的蚀刻各向异性。因此，可实现具有良好图案开口部形状精度的深挖加工。
另外，可分别在蚀刻工序和溅射工序中进行上述气压控制。
(气体混合比)
在蚀刻处理(等离子处理)从开始到结束的过程中，改变导入真空槽21内的蚀刻气体(SF6/Ar)的混合比。例如，在进行蚀刻处理过程中增加蚀刻气体中Ar的含量。
在用蚀刻处理方法对硅基板进行深挖加工时，由于可获得较高的 蚀刻速度，所以人们较多地采用SF6等含氟气体作为蚀刻气体。但是，由于用含氟进行蚀刻处理时，由于硅的蚀刻各向同性较强，所以随着图案深度的增加，会降低图案开口部的形状精度，或者明显减少到达图案底部的离子的数量。对此，通过采用在进行蚀刻处理过程中增加气体中Ar的含有量的方法，不仅可增加朝向图案底部运动的离子的数量而确保具有理想的蚀刻速度，也可有效防止图案开口部的形状精度的下降。
(高频电源)
在蚀刻处理(等离子处理)从开始到结束的过程中，通过控制高频电源而分阶段地改变沿着磁中性线25形成的等离子的强度。
如上所述，加工表面内均等性受等离子的密度分布的影响较大。等离子的密度分布不仅与磁中性线25的半径大小的关联性较大，其与产生等离子的高频电源、即施加给高频线圈23的高频电(RF1)的强度的大小的关联性也较大。因此，在对磁中性线25的半径进行控制的基础上，通过适当调整高频电强度的大小，不仅可有助于提高加工表面内分布的均等性，还能容易地实现加工表面内均等性的控制。
由于高频电强度和蚀刻种类的数量几乎呈正比关系，所以当固定高频电强度时有如下趋势，即，随着蚀刻处理的进行，图案开口部的侵蚀也会变得明显。对此，通过采用在进行蚀刻处理过程中降低高频电强度的方法，不仅有助于降低图案开口部的蚀刻损伤，还能保持对图案底部的理想的蚀刻效果。另外，在进行蚀刻处理过程中，当提高施加给台架26的偏压电压(RF2)时，由于能够提高到达图案底部的离子的数量，所以可防止蚀刻速度的大幅下降。
以上说明了本发明的实施方式，当然本发明并不局限于上述实施方式，在不脱离本发明主旨的范围内，可对其进行各种变型。
例如，在进行蚀刻处理(等离子处理)过程中可分阶段地改变的控制参数，不仅包括上述高频电强度或导入气压、气体混合比，也可改变施加给台架26的偏压电压(RF2)或施加给顶板29的偏压电压(RF3)。如果是前者的情况下，在进行蚀刻处理过程中要增大偏压 电压(RF2)。因此，可提高朝向图案底部运动的离子的吸入作用而确保具有较高的蚀刻速度。
附图说明
图1是表示本发明实施方式中使用的等离子蚀刻装置的大致结构示意图。
图2是表示图1中等离子蚀刻装置的动作实例的时序波形图。
图3是表示相对于溅射条件等的等离子形成位置和基板加工表面内均等性的关系的一个例子的示意图。
图4是模拟表示本发明中等离子蚀刻方法的动作的一个例子的主要部分剖面图。
【附图标记说明】
20，等离子蚀刻装置；21，真空槽；23，高频线圈(天线)；24，励磁线圈组；25，磁中性线；26，台架；29，顶板；30，靶材；31，气体导入管；W，基板
Claims (7)
1.一种等离子处理方法，其特征在于，包含以下步骤，
沿形成在真空槽内的环形磁中性线形成高频电场，使导入所述真空槽内的气体等离子化的步骤，
在所述真空槽内，使用所述等离子对表面形成有掩膜图案的基板进行蚀刻处理的步骤，
使用所述等离子对设置在所述真空槽内的靶材进行溅射加工，在形成在所述基板上的蚀刻图案的侧表面上形成保护膜的步骤，
根据上述蚀刻图案的深度的不同改变所述磁中性线半径的步骤。
2.根据权利要求1所述的等离子处理方法，其特征在于，
反复交替进行蚀刻所述基板的工序和形成所述保护膜的工序，
改变所述磁中性线半径的工序，在所述蚀刻处理从开始到结束的过程中分阶段地改变所述磁中性线的半径。
3.根据权利要求2所述的等离子处理方法，其特征在于，
在蚀刻所述基板的工序中进行改变所述磁中性线半径的工序。
4.根据权利要求2所述的等离子处理方法，其特征在于，
在形成所述保护膜的工序中进行改变所述磁中性线半径的工序。
5.根据权利要求1所述的等离子处理方法，其特征在于，
在对所述基板进行等离子处理过程中，改变所述气体的压力。
6.根据权利要求1所述的等离子处理方法，其特征在于，
所述气体是2种以上气体的混合气体，
在对所述基板进行等离子处理过程中，改变所述气体的混合比。
7.根据权利要求1所述的等离子处理方法，其特征在于，
在对所述基板进行等离子处理过程中，改变所述高频电场的强度。
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