CN101957528A - Tft-lcd阵列基板及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法。阵列基板包括形成在基板上的栅线、数据线、像素电极和薄膜晶体管，栅线的侧面设置有用于避免栅线与数据线短路的隔离坝。隔离坝为形成在栅线一侧或两侧并与数据线交叠的条状体，条状体与栅线同层设置并在同一次构图工艺中形成。本发明通过设置隔离坝，在栅线与数据线的交叉区域附近形成多个边缘结构，一方面通过边缘结构的增加来降低每个边缘上附着微粒的密度，另一方面利用隔离坝的边缘吸引微粒附着，最终减小微粒落在栅线边缘的几率，最大限度地减少栅线与数据线短路的发生。与现有技术解决微粒导致栅线与数据线短路问题的手段相比，本发明技术方案不仅结构简单，便于实施，而且收效显著。

Description

TFT-LCD阵列基板及其制造方法

技术领域

本发明涉及一种薄膜晶体管液晶显示器及其制造方法，尤其是一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid CrystalDisplay，简称TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等特点，在当前平板显示器市场中占据了主导地位。对TFT-LCD来说，阵列基板的结构在很大程度上决定了成品率和价格。TFT-LCD阵列基板的制造是通过多组沉积和构图工艺形成不同的薄膜图形来完成，每层薄膜沉积后，通过光刻胶涂覆、掩模、曝光、刻蚀和光刻胶剥离等工艺形成一层薄膜图形，最终由多层薄膜图形构成TFT-LCD阵列基板。

目前，TFT-LCD阵列基板制造中的微粒(Particle)问题一直是影响产品成品率的重要问题。当环境中的微粒在薄膜沉积过程中落在基板上时，将导致薄膜图形之间出现电学相连。实际生产表明，微粒造成栅线与数据线短路情况最为严重，发生率在1％～5％之间，造成产品返修甚至报废。长期以来，现有技术解决微粒导致栅线与数据线短路问题的主要手段是环境管理和设备管理，不仅费用高，而且收效不大。

发明内容

本发明的目的是提供一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法，有效克服现有TFT-LCD阵列基板制造中微粒造成栅线与数据线短路的缺陷。

为实现上述目的，本发明提供了一种TFT-LCD阵列基板，包括形成在基板上的栅线、数据线、像素电极和薄膜晶体管，所述栅线的侧面设置有用于避免栅线与数据线短路的隔离坝。

所述隔离坝为形成在栅线一侧或两侧并与数据线交叠的条状体，所述条状体与栅线同层设置。

所述条状体为与栅线平行的矩形条，或向栅线凸起的弧形条。

所述条状体为一体结构，或由至少二个条状块以间断方式依次排列组成。

在上述技术方案基础上，所述隔离坝的宽度为2μm～4μm，与栅线之间的距离为1.5μm～2.5μm。所述基板上还形成有与像素电极构成存储电容的公共电极线，所述公共电极线的侧面设置有隔离坝。

为了实现上述目的，本发明还提供了一种TFT-LCD阵列基板制造方法，包括：

步骤1、在基板上沉积栅金属薄膜，通过构图工艺形成包括栅电极、栅线和隔离坝的图形，条状体的隔离坝形成在栅线的一侧或两侧；

步骤2、在完成步骤1的基板上通过薄膜沉积和构图工艺形成有源层、数据线、漏电极、源电极和TFT沟道区域的图形，所述数据线与隔离坝交叠；

步骤3、在完成步骤2的基板上沉积钝化层，通过构图工艺形成包括钝化层过孔的图形，所述钝化层过孔位于漏电极的所在位置；

步骤4、在完成步骤3的基板上沉积透明导电薄膜，通过构图工艺形成包括像素电极的图形，所述像素电极通过钝化层过孔与漏电极连接。

所述步骤2可以包括：采用等离子体增强化学气相沉积方法，依次沉积栅绝缘层、半导体薄膜和掺杂半导体薄膜；采用磁控溅射或热蒸发的方法，沉积源漏金属薄膜；在源漏金属薄膜上涂覆一层光刻胶；采用半色调或灰色调掩模板曝光，使光刻胶形成光刻胶完全去除区域、光刻胶完全保留区域和光刻胶半保留区域；光刻胶完全保留区域对应于数据线、源电极和漏电极的图形所在区域，光刻胶半保留区域对应于TFT沟道区域图形所在区域，光刻胶完全去除区域对应于上述图形以外的区域；显影处理后，光刻胶完全保留区域的光刻胶厚度没有变化，光刻胶完全去除区域的光刻胶被完全去除，光刻胶半保留区域的光刻胶厚度减少；通过第一次刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶完全去除区域的源漏金属薄膜、掺杂半导体薄膜和半导体薄膜，形成包括有源层和数据线的图形，数据线与隔离坝交叠；通过灰化工艺去除光刻胶半保留区域的光刻胶，暴露出该区域的源漏金属薄膜；通过第二次刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶半保留区域的源漏金属薄膜和掺杂半导体薄膜，并刻蚀掉部分厚度的半导体薄膜，形成包括TFT沟道区域的图形；剥离剩余的光刻胶。

所述步骤2也可以包括：采用等离子体增强化学气相沉积方法，依次沉积栅绝缘层、半导体薄膜和掺杂半导体薄膜；采用普通掩模板通过构图工艺形成包括有源层的图形；采用磁控溅射或热蒸发的方法，沉积源漏金属薄膜；采用普通掩模板通过构图工艺形成包括数据线、漏电极、源电极和TFT沟道区域的图形，所述数据线与隔离坝交叠。

在上述技术方案基础上，所述步骤1包括：在基板上沉积栅金属薄膜，通过构图工艺形成包括栅电极、栅线、公共电极线和隔离坝的图形，其中，条状体的隔离坝分别设置在栅线和公共电极线的一侧或两侧。

本发明提供了一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法，通过在栅线的一侧或二侧设置条状体的隔离坝，在栅线与数据线的交叉区域附近形成多个边缘结构，一方面通过边缘结构的增加来降低每个边缘上附着微粒的密度，另一方面利用隔离坝的边缘吸引微粒附着，最终减小微粒落在栅线边缘的几率，最大限度地减少栅线与数据线短路的发生。与现有技术解决微粒导致栅线与数据线短路问题的手段相比，本发明技术方案不仅结构简单，便于实施，而且收效显著，尤其适用于在大尺寸液晶显示器中应用，具有广泛的应用前景。

附图说明

图1为本发明TFT-LCD阵列基板第一实施例的平面图；

图2为图1中A1-A1向的剖面图；

图3为本发明TFT-LCD阵列基板第一实施例第一次构图工艺后的平面图；

图4为图3中A2-A2向的剖面图；

图5为本发明TFT-LCD阵列基板第一实施例第二次构图工艺后的平面图；

图6为图5中A3-A3向的剖面图；

图7为本发明TFT-LCD阵列基板第一实施例第三次构图工艺后的平面图；

图8为图7中A4-A4向的剖面图；

图9为本发明TFT-LCD阵列基板第二实施例的平面图；

图10为图9中B1-B1向的剖面图；

图11为本发明TFT-LCD阵列基板第二实施例第二次构图工艺后的平面图；

图12为图11中B3-B3向的剖面图；

图13为本发明TFT-LCD阵列基板第二实施例第三次构图工艺后的平面图；

图14为图13中B4-B4向的剖面图；

图15为本发明TFT-LCD阵列基板第二实施例第四次构图工艺后的平面图；

图16为图15中B5-B5向的剖面图；

图17为本发明TFT-LCD阵列基板第三实施例的平面图；

图18为本发明TFT-LCD阵列基板第四实施例的平面图；

图19和图20为本发明TFT-LCD阵列基板第五实施例的平面图；

图21为本发明TFT-LCD阵列基板制造方法的流程图；

图22为本发明TFT-LCD阵列基板制造方法第一实施例的流程图；

图23为本发明TFT-LCD阵列基板制造方法第二实施例的流程图。

附图标记说明：

1-基板；       2-栅电极；      3-栅绝缘层；

4-半导体层；   5-掺杂半导体层；6-源电极；

7-漏电极；     8-钝化层；      9-像素电极；

10-钝化层过孔；11-栅线；       12-数据线；

13-公共电极线；14-隔离坝。

具体实施方式

下面通过附图和实施例，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。

图1为本发明TFT-LCD阵列基板第一实施例的平面图，所反映的是一个像素单元的结构，图2为图1中A1-A1向的剖面图。如图1和图2所示，本实施例TFT-LCD阵列基板是一种采用四次构图工艺形成的结构，主体结构包括形成在基板1上的栅线11、数据线12、像素电极9和薄膜晶体管，相互垂直的栅线11和数据线12定义了像素区域，薄膜晶体管和像素电极9形成在像素区域内，栅线11用于向薄膜晶体管提供开启信号，数据线12用于向像素电极9提供数据信号，栅线11的侧面设置有至少一个条状体的隔离坝14，隔离坝14用于降低微粒落在栅线11上的几率，有效避免栅线与数据线短路。具体地，本实施例TFT-LCD阵列基板包括形成在基板1上的栅电极2和栅线11，栅电极2与栅线11连接；栅绝缘层3形成在栅电极2和栅线11上并覆盖整个基板1；有源层(包括半导体层4和掺杂半导体层5)形成在栅绝缘层3上并位于栅电极2的上方；源电极6和漏电极7形成在有源层上，源电极6的一端位于栅电极2的上方，另一端与数据线12连接，漏电极7的一端位于栅电极2的上方，另一端与像素电极9连接，源电极6与漏电极7之间形成TFT沟道区域，TFT沟道区域的掺杂半导体层5被完全刻蚀掉，并刻蚀掉部分厚度的半导体层4，使TFT沟道区域的半导体层4暴露出来；钝化层8形成在数据线12、源电极6、漏电极7和TFT沟道区域上并覆盖整个基板1，在漏电极7位置开设有使漏电极7与像素电极9连接的钝化层过孔10；像素电极9形成在钝化层8上，像素电极9通过钝化层过孔10与漏电极7连接。隔离坝14形成在基板1上，与栅电极2和栅线11同层设置并在同一次构图工艺中形成，条状体的隔离坝14为矩形条，形成在栅线11的侧面，并与数据线12交叠。

通过大量的对沉积工艺中出现栅线与数据线短路情况的分析和研究，发明人发现微粒的附着位置与栅线和栅电极的结构形式有很大的关联性，在对沉积工艺中微粒运动特性的分析和研究基础上，发明人进一步发现，大部分微粒都会附着在栅电极和栅线的边缘位置，尤其是当边缘位置附着微粒后的栅线与后续形成的数据线交叠时，即会发生栅线与数据线的短路现象。基于此，本发明提供了一种TFT-LCD阵列基板，通过在栅线的侧面设置条状体的隔离坝，在栅线与数据线的交叉区域附近形成多个边缘结构，一方面通过边缘结构的增加来降低每个边缘上附着微粒的密度，另一方面利用隔离坝的边缘吸引微粒附着，最终减小微粒落在栅线边缘的几率，最大限度地减少栅线与数据线短路的发生。与现有技术解决微粒导致栅线与数据线短路问题的手段相比，本发明技术方案不仅结构简单，便于实施，而且收效显著，试验结果表明，制备带有隔离坝的栅线后，因栅线与数据线间的微粒造成的栅线与数据线短路的发生率降低了50％以上。此外，由于本发明隔离坝与栅电极和栅线同层，并在同一次构图工艺中形成，因此实施本发明不会增加生产成本。由于隔离坝为细长的条状体，且位于栅线与数据线的交叉区域，因此隔离坝结构对显示特性的影响较小，尤其适用于在大尺寸液晶显示器中应用，具有广泛的应用前景。

在本实施例技术方案中，像素电极9搭设在部分栅线11上，使像素电极9与栅线11一起构成存储电容，形成存储电容在栅线上(Cs on Gate)的存储电容结构。隔离坝既可以设置在栅线的一侧，如设置在形成有栅电极的侧面，隔离坝也可以设置在栅线的二侧，可以最大限度地发挥作用。实际应用中，考虑到微粒的粒度情况，条状体隔离坝的长度只需设置成大于数据线的宽度即可，隔离坝的宽度可设置成2μm～4μm，与栅线之间的距离为1.5μm～2.5μm，优选地，隔离坝的宽度为3μm，与栅线之间的距离为2μm。

图3～图8为本发明TFT-LCD阵列基板第一实施例制造过程的示意图，可进一步说明本实施例的技术方案，在以下说明中，本发明所称的构图工艺包括光刻胶涂覆、掩模、曝光、刻蚀和光刻胶剥离等工艺，光刻胶以正性光刻胶为例。

图3为本发明TFT-LCD阵列基板第一实施例第一次构图工艺后的平面图，所反映的是一个像素单元的结构，图4为图3中A2-A2向的剖面图。采用磁控溅射或热蒸发的方法，在基板1(如玻璃基板或石英基板)上沉积一层栅金属薄膜，栅金属薄膜可以采用Mo、Cu、AL或AlNd的单层膜，也可以采用上述材料组成的复合膜，采用普通掩模板通过构图工艺形成包括栅电极2、栅线11和隔离坝14的图形，矩形条的隔离坝14形成在栅线11的两侧并与栅线11平行，如图3和图4所示。

图5为本发明TFT-LCD阵列基板第一实施例第二次构图工艺后的平面图，所反映的是一个像素单元的结构，图6为图5中A3-A3向的剖面图。在完成上述图3结构图形的基板上，采用等离子体增强化学气相沉积(简称PECVD)方法，依次沉积栅绝缘层、半导体薄膜和掺杂半导体薄膜，接着采用磁控溅射或热蒸发的方法，沉积源漏金属薄膜。采用半色调或灰色调掩模板通过构图工艺形成包括有源层、数据线12、源电极6和漏电极7的图形，如图5和图6所示。其中，有源层包括半导体层4和掺杂半导体层5，形成在栅绝缘层3上并位于栅电极2的上方；源电极6和漏电极7形成在有源层上，源电极6的一端位于栅电极2的上方，另一端与数据线12连接，漏电极7的一端位于栅电极2的上方，源电极6与漏电极7之间形成TFT沟道区域，TFT沟道区域的掺杂半导体层5被完全刻蚀掉，并刻蚀掉部分厚度的半导体层4，使TFT沟道区域的半导体层4暴露出来。数据线12与隔离坝14交叠，使隔离坝14在栅线11与数据线12的交叉区域附近形成四个边缘。显然，加上栅线的两个边缘，交叉区域附近内的六个边缘不仅可以降低每个边缘上附着微粒的密度，而且隔离坝14的四个边缘还可以吸引大部分微粒的附着，因此可以减少微粒落在栅线边缘的几率。需要说明的是，由于隔离坝14为孤立结构，因此微粒落在隔离坝14上导致隔离坝14与数据线12粘连不会影响本发明TFT-LCD阵列基板的工作。

本次构图工艺是一种多步刻蚀工艺，与现有技术四次构图工艺中形成有源层、数据线、源电极、漏电极和TFT沟道区域图形的过程基本相同，具体为：首先依次沉积栅绝缘层、半导体薄膜和掺杂半导体薄膜，接着沉积源漏金属薄膜。在源漏金属薄膜上涂覆一层光刻胶。采用半色调或灰色调掩模板曝光，使光刻胶形成完全曝光区域、未曝光区域和半曝光区域；未曝光区域对应于数据线、源电极和漏电极图形所在区域，半曝光区域对应于TFT沟道区域图形所在区域，完全曝光区域对应于上述图形以外的区域。显影处理后，未曝光区域的光刻胶厚度没有变化，形成光刻胶完全保留区域，完全曝光区域的光刻胶被完全去除，形成光刻胶完全去除区域，未曝光区域的光刻胶厚度减少，形成光刻胶半保留区域。通过第一次刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶完全去除区域的源漏金属薄膜、掺杂半导体薄膜和半导体薄膜，形成包括有源层和数据线的图形。通过灰化工艺去除光刻胶半保留区域的光刻胶，暴露出该区域的源漏金属薄膜。通过第二次刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶半保留区域的源漏金属薄膜和掺杂半导体薄膜，并刻蚀掉部分厚度的半导体薄膜，形成包括源电极、漏电极和TFT沟道区域的图形。最后，剥离剩余的光刻胶，完成本次构图工艺。

图7为本发明TFT-LCD阵列基板第一实施例第三次构图工艺后的平面图，所反映的是一个像素单元的结构，图8为图7中A4-A4向的剖面图。在完成上述图5结构图形的基板上，采用PECVD方法沉积一层钝化层8，采用普通掩模板通过构图工艺形成包括钝化层过孔10的图形，钝化层过孔10位于漏电极7所在位置，钝化层过孔10内暴露出漏电极7的表面，如图7和图8所示。本次构图工艺中，还同时在栅线接口区域(栅线PAD)形成有栅线接口过孔和在数据线接口区域(数据线PAD)形成有数据线接口过孔的图形。通过构图工艺形成栅线接口过孔和数据线接口过孔图形的工艺和结构已广泛应用于目前的构图工艺中，不再赘述。

最后，在完成图7结构图形的基板上，采用磁控溅射或热蒸发的方法沉积一层透明导电薄膜，采用普通掩模板通过构图工艺形成包括像素电极9的图形，像素电极9位于像素区域内，通过钝化层过孔10与漏电极7连接，如图1和图2所示。

图9为本发明TFT-LCD阵列基板第二实施例的平面图，所反映的是一个像素单元的结构，图10为图9中B1-B1向的剖面图。如图9和图10所示，本实施例TFT-LCD阵列基板是一种采用五次构图工艺形成的结构，栅线11、数据线12、隔离坝14和像素电极9等主体结构与前述第一实施例相同，所不同的是薄膜晶体管的结构。具体地，本实施例TFT-LCD阵列基板包括形成在基板1上的栅电极2、栅线11和隔离坝14；栅绝缘层3形成在栅电极2、栅线11和隔离坝14上并覆盖整个基板1；有源层(包括半导体层4和掺杂半导体层5)形成在栅绝缘层3上并位于栅电极2的上方；源电极6的一端位于有源层上，另一端与数据线12连接，漏电极7的一端位于有源层上，另一端与像素电极9连接，源电极6与漏电极7之间形成TFT沟道区域，TFT沟道区域的掺杂半导体层5被完全刻蚀掉，并刻蚀掉部分厚度的半导体层4，使TFT沟道区域的半导体层4暴露出来；钝化层8形成在数据线12、源电极6、漏电极7和TFT沟道区域上并覆盖整个基板1，在漏电极7位置开设有使漏电极7与像素电极9连接的钝化层过孔10；像素电极9形成在钝化层8上，像素电极9通过钝化层过孔10与漏电极7连接。本实施例隔离坝14的结构、作用以及效果与前述第一实施例相同，不再赘述。

图11～图16为本发明TFT-LCD阵列基板第二实施例制造过程的示意图，可进一步说明本实施例的技术方案。本实施例第一次构图工艺用于形成包括栅电极2、栅线11和隔离坝14的图形，其过程以及所形成的结构与前述第一实施例相同，参见图3和图4所示。

图11为本发明TFT-LCD阵列基板第二实施例第二次构图工艺后的平面图，所反映的是一个像素单元的结构，图12为图11中B3-B3向的剖面图。在形成栅电极、栅线和隔离坝图形的基板上，采用PECVD方法依次沉积栅绝缘层、半导体薄膜和掺杂半导体薄膜，采用普通掩模板通过构图工艺形成包括有源层的图形，如图11和图12所示。其中，有源层包括半导体层4和掺杂半导体层5，形成在栅绝缘层3上并位于栅电极2的上方。

图13为本发明TFT-LCD阵列基板第二实施例第三次构图工艺后的平面图，所反映的是一个像素单元的结构，图14为图13中B4-B4向的剖面图。在完成上述图11结构图形的基板上，采用磁控溅射或热蒸发的方法沉积源漏金属薄膜，采用普通掩模板通过构图工艺形成包括数据线12、源电极6、漏电极7和TFT沟道区域的图形，如图13和图14所示。其中，源电极6的一端位于有源层上，另一端与数据线12连接，漏电极7的一端位于有源层上，与源电极6相对设置，源电极6与漏电极7之间形成TFT沟道区域，TFT沟道区域的掺杂半导体层5被完全刻蚀掉，并刻蚀掉部分厚度的半导体层4，使TFT沟道区域的半导体层4暴露出来。

图15为本发明TFT-LCD阵列基板第二实施例第四次构图工艺后的平面图，所反映的是一个像素单元的结构，图16为图15中B5-B5向的剖面图。在完成上述图13结构图形的基板上，采用PECVD方法沉积一层钝化层8，采用普通掩模板通过构图工艺形成包括钝化层过孔10的图形，钝化层过孔10位于漏电极7所在位置，钝化层过孔10内暴露出漏电极7的表面，如图15和图16所示。本次构图工艺中，还同时在栅线接口区域形成有栅线接口过孔和在数据线接口区域形成有数据线接口过孔的图形。

最后，在完成图15结构图形的基板上，采用磁控溅射或热蒸发的方法沉积一层透明导电薄膜，采用普通掩模板通过构图工艺形成包括像素电极9的图形，像素电极9位于像素区域内，通过钝化层过孔10与漏电极7连接，如图9和图10所示。

可见，本实施例是将前述第一实施例中采用半色调或灰色调掩模板的第二次构图工艺分成二个采用普通掩模板的构图工艺，即通过一次采用普通掩模板的构图工艺形成包括有源层的图形，通过另一次采用普通掩模板的构图工艺形成包括数据线、源电极、漏电极和TFT沟道区域的图形。

图17为本发明TFT-LCD阵列基板第三实施例的平面图。本实施例是前述第一实施例的一种结构扩展，其中栅线11、数据线12、薄膜晶体管和像素电极9等主体结构与前述第一实施例相同，所不同的是隔离坝的结构。如图17所示，本实施例隔离坝14形成在基板1上，与栅电极2和栅线11同层设置并在同一次构图工艺中形成，隔离坝14为弧形的条状体，且弧形向栅线凸起，相应地，夹设在隔离坝14之间的栅线11的两侧边缘为向内凹进的弧形。本实施例除了具有第一实施例的作用和效果外，通过将隔离坝的边缘设置成弧形，隔离坝边缘长度增加，可以增强隔离坝对微粒的吸引，进一步减小微粒落在栅线边缘的几率。实际应用中，在保证栅线和数据线正常工作的前提下，隔离坝的形状还可以设置成其它多种形状，如三角形、梯形或S形等形状。显然，前述第二实施例也可以有同样的扩展。

图18为本发明TFT-LCD阵列基板第四实施例的平面图。本实施例是前述第一实施例的一种结构扩展，其中栅线11、数据线12、薄膜晶体管和像素电极9等主体结构与前述第一实施例相同，所不同的是隔离坝的结构。如图18所示，本实施例条状体的隔离坝14由至少二个条状块依次排列组成，相邻的条状体之间设置有间隙。本实施例除了具有第一实施例的作用和效果外，通过将隔离坝设置成间断结构，不仅进一步增加了隔离坝边缘的长度，而且形成了多个吸引微粒附着的角部，可以进一步减小微粒落在栅线边缘的几率。

图19和图20为本发明TFT-LCD阵列基板第五实施例的平面图。本实施例是前述实施例的一种结构扩展，其中栅线11、数据线12、薄膜晶体管和隔离坝14等主体结构与前述实施例相同，所不同的是存储电容的结构。如图19和图20所示，本实施例TFT-LCD阵列基板还包括公共电极线13图形，公共电极线13与栅电极2和栅线11同层设置并在同一次构图工艺中形成，公共电极线13用于与像素电极9一起构成存储电容，形成存储电容在公共电极线上(Cs on Common)的存储电容结构。此外，为了减少公共电极线与数据线之间可能出现的短路，本实施例在公共电极线与数据线的交叉区域也设置隔离坝14，设置在公共电极线13两侧的隔离坝14的结构、作用和效果与栅线两侧的隔离坝14相同，不再赘述。

图21为本发明TFT-LCD阵列基板制造方法的流程图，包括：

步骤1、在基板上沉积栅金属薄膜，通过构图工艺形成包括栅电极、栅线和隔离坝的图形，条状体的隔离坝形成在栅线的一侧或两侧；

步骤2、在完成步骤1的基板上通过薄膜沉积和构图工艺形成有源层、数据线、漏电极、源电极和TFT沟道区域的图形，所述数据线与隔离坝交叠；

步骤3、在完成步骤2的基板上沉积钝化层，通过构图工艺形成包括钝化层过孔的图形，所述钝化层过孔位于漏电极的所在位置；

步骤4、在完成步骤3的基板上沉积透明导电薄膜，通过构图工艺形成包括像素电极的图形，所述像素电极通过钝化层过孔与漏电极连接。

本发明上述技术方案中，通过在栅线与数据线的交叉区域设置隔离坝，利用形成在栅线一侧或二侧的条状结构图形，在栅线与数据线的交叉区域形成多个边缘结构，一方面通过边缘结构的增加来降低每个边缘上附着微粒的密度，另一方面利用隔离坝距离邻近的两侧边缘吸引微粒的附着，最终减小微粒落在栅线边缘的几率，最大限度地减少栅线与数据线短路的发生。本发明步骤2中所称的薄膜包括栅绝缘层、半导体薄膜、掺杂半导体薄膜和源漏金属薄膜。

下面通过具体实施例进一步说明本发明TFT-LCD阵列基板制造方法的技术方案。

图22为本发明TFT-LCD阵列基板制造方法第一实施例的流程图，包括：

步骤11、在基板上沉积栅金属薄膜，通过构图工艺形成包括栅电极、栅线和隔离坝的图形，条状体的隔离坝形成在栅线的一侧或两侧；

步骤12、采用等离子体增强化学气相沉积方法，依次沉积栅绝缘层、半导体薄膜和掺杂半导体薄膜，采用磁控溅射或热蒸发的方法，沉积源漏金属薄膜；

步骤13、在所述源漏金属薄膜上涂覆一层光刻胶，采用半色调或灰色调掩模板曝光，使光刻胶形成光刻胶完全去除区域、光刻胶完全保留区域和光刻胶半保留区域；光刻胶完全保留区域对应于数据线、源电极和漏电极的图形所在区域，光刻胶半保留区域对应于TFT沟道区域图形所在区域，光刻胶完全去除区域对应于上述图形以外的区域；显影处理后，光刻胶完全保留区域的光刻胶厚度没有变化，光刻胶完全去除区域的光刻胶被完全去除，光刻胶半保留区域的光刻胶厚度减少；

步骤14、通过第一次刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶完全去除区域的源漏金属薄膜、掺杂半导体薄膜和半导体薄膜，形成包括有源层和数据线的图形，所述数据线与隔离坝交叠；

步骤15、通过灰化工艺去除光刻胶半保留区域的光刻胶，暴露出该区域的源漏金属薄膜；

步骤16、通过第二次刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶半保留区域的源漏金属薄膜和掺杂半导体薄膜，并刻蚀掉部分厚度的半导体薄膜，形成包括TFT沟道区域的图形，剥离剩余的光刻胶；

步骤17、采用等离子体增强化学气相沉积方法，沉积钝化层，采用普通掩模板通过构图工艺形成包括钝化层过孔的图形，所述钝化层过孔位于漏电极的所在位置；

步骤18、采用磁控溅射或热蒸发的方法，沉积透明导电薄膜，采用普通掩模板通过构图工艺形成包括像素电极的图形，所述像素电极通过钝化层过孔与漏电极连接。

本实施例是一种通过四次构图工艺制备TFT-LCD阵列基板的技术方案，其制备过程已在前述图3～图8所示技术方案中详细介绍。

图23为本发明TFT-LCD阵列基板制造方法第二实施例的流程图，包括：

步骤21、在基板上沉积栅金属薄膜，通过构图工艺形成包括栅电极、栅线和隔离坝的图形，条状体的隔离坝形成在栅线的一侧或两侧；

步骤22、采用等离子体增强化学气相沉积方法，依次沉积栅绝缘层、半导体薄膜和掺杂半导体薄膜；

步骤23、采用普通掩模板通过构图工艺形成包括有源层的图形；

步骤24、采用磁控溅射或热蒸发的方法，沉积源漏金属薄膜；

步骤25、采用普通掩模板通过构图工艺形成包括数据线、漏电极、源电极和TFT沟道区域的图形，所述数据线与隔离坝交叠；

步骤26、采用等离子体增强化学气相沉积方法，沉积钝化层，采用普通掩模板通过构图工艺形成包括钝化层过孔的图形，所述钝化层过孔位于漏电极的所在位置；

步骤27、采用磁控溅射或热蒸发的方法，沉积透明导电薄膜，采用普通掩模板通过构图工艺形成包括像素电极的图形，所述像素电极通过钝化层过孔与漏电极连接。

本实施例是一种通过五次构图工艺制备TFT-LCD阵列基板的技术方案，其制备过程已在前述图11～图16所示技术方案中详细介绍。

在前述技术方案基础上，还可以通过设置公共电极线形成新的技术方案，此时，步骤1具体为：在基板上沉积栅金属薄膜，通过构图工艺形成包括栅电极、栅线、公共电极线和隔离坝的图形，其中，条状体的隔离坝分别设置在栅线和公共电极线的一侧或两侧。

此外，本发明TFT-LCD阵列基板制造方法还可以通过改变隔离坝的形状(如矩形、弧形或间断结构)形成扩展的技术方案，不在一一赘述。

最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的精神和范围。

Claims (10)

1.一种TFT-LCD阵列基板，包括形成在基板上的栅线、数据线、像素电极和薄膜晶体管，其特征在于，所述栅线的侧面设置有用于避免栅线与数据线短路的隔离坝。

2.根据权利要求1所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述隔离坝为形成在栅线一侧或两侧并与数据线交叠的条状体，所述条状体与栅线同层设置。

3.根据权利要求2所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述条状体为与栅线平行的矩形条，或向栅线凸起的弧形条。

4.根据权利要求3所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述条状体为一体结构，或由至少二个条状块以间断方式依次排列组成。

5.根据权利要求1～4中任一权利要求所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述隔离坝的宽度为2μm～4μm，与栅线之间的距离为1.5μm～2.5μm。

6.根据权利要求1～4中任一权利要求所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述基板上还形成有与像素电极构成存储电容的公共电极线，所述公共电极线的侧面设置有隔离坝。

7.一种TFT-LCD阵列基板制造方法，其特征在于，包括：

步骤1、在基板上沉积栅金属薄膜，通过构图工艺形成包括栅电极、栅线和隔离坝的图形，条状体的隔离坝形成在栅线的一侧或两侧；

步骤2、在完成步骤1的基板上通过薄膜沉积和构图工艺形成有源层、数据线、漏电极、源电极和TFT沟道区域的图形，所述数据线与隔离坝交叠；

步骤3、在完成步骤2的基板上沉积钝化层，通过构图工艺形成包括钝化层过孔的图形，所述钝化层过孔位于漏电极的所在位置；

步骤4、在完成步骤3的基板上沉积透明导电薄膜，通过构图工艺形成包括像素电极的图形，所述像素电极通过钝化层过孔与漏电极连接。

8.根据权利要求7所述的TFT-LCD阵列基板制造方法，其特征在于，所述步骤2包括：

采用等离子体增强化学气相沉积方法，依次沉积栅绝缘层、半导体薄膜和掺杂半导体薄膜；

采用磁控溅射或热蒸发的方法，沉积源漏金属薄膜；

在所述源漏金属薄膜上涂覆一层光刻胶；

采用半色调或灰色调掩模板曝光，使光刻胶形成光刻胶完全去除区域、光刻胶完全保留区域和光刻胶半保留区域；光刻胶完全保留区域对应于数据线、源电极和漏电极的图形所在区域，光刻胶半保留区域对应于TFT沟道区域图形所在区域，光刻胶完全去除区域对应于上述图形以外的区域；显影处理后，光刻胶完全保留区域的光刻胶厚度没有变化，光刻胶完全去除区域的光刻胶被完全去除，光刻胶半保留区域的光刻胶厚度减少；

通过第一次刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶完全去除区域的源漏金属薄膜、掺杂半导体薄膜和半导体薄膜，形成包括有源层和数据线的图形，所述数据线与隔离坝交叠；

通过灰化工艺去除光刻胶半保留区域的光刻胶，暴露出该区域的源漏金属薄膜；

通过第二次刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶半保留区域的源漏金属薄膜和掺杂半导体薄膜，并刻蚀掉部分厚度的半导体薄膜，形成包括TFT沟道区域的图形；

剥离剩余的光刻胶。

9.根据权利要求7所述的TFT-LCD阵列基板制造方法，其特征在于，所述步骤2包括：

采用等离子体增强化学气相沉积方法，依次沉积栅绝缘层、半导体薄膜和掺杂半导体薄膜；

采用普通掩模板通过构图工艺形成包括有源层的图形；

采用磁控溅射或热蒸发的方法，沉积源漏金属薄膜；

采用普通掩模板通过构图工艺形成包括数据线、漏电极、源电极和TFT沟道区域的图形，所述数据线与隔离坝交叠。

10.根据权利要求7、8或9所述的TFT-LCD阵列基板制造方法，其特征在于，所述步骤1包括：在基板上沉积栅金属薄膜，通过构图工艺形成包括栅电极、栅线、公共电极线和隔离坝的图形，其中，条状体的隔离坝分别设置在栅线和公共电极线的一侧或两侧。

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