CN101954674A - 一种改良的薄膜硅片切割方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种切割方法，特别涉及一种改良的薄膜硅片切割方法。该改良的薄膜硅片切割方法，其特征是：在切割硅片过程中使用9.5μm粒径的研磨砂、直径为100μm的钢丝及1500#0.8μm的碳化硅，从而将硅片厚度由原来的200±20μm降到160±10μm，使其出片率在原有的68片/千克基础上增加至74片/千克，减少硅料损耗3.72％，提高了2％的出片率。因此，本发明的有益效果是，很大程度地降低了生产成本，提高了生产效率和成品的出片率。
Description
(一)技术领域
本发明涉及一种切割方法，特别涉及一种改良的薄膜硅片切割方法。
(二)背景技术
随着能源的紧缺及可再生能源的广泛应用，光伏发电越来越多的受到人们的关注，太阳能电池硅片的市场需求量也越来越大。太阳能电池硅片是将方形单晶硅棒切割成薄片而成的，但硅晶材料价格昂贵，尤其在国内硅晶材料极其稀缺，为能够降低太阳能电池硅片的成本，需使一根方形单晶硅棒能够切得更多的硅片，也就是让每片硅片尽量薄，这对硅片的切割技术提出了非常高的要求。现有的硅片切割普遍采用线切割工艺进行加工，该加工技术相对于传统的内圆切割技术具有极高的生产效率，且切割损失小，大大提高了硅材料的利用率。进行硅片的线切割加工，先将截面为圆形的硅棒加工为截面为正方形的硅棒后，再将硅棒的一面用高粘接强度的粘接胶粘接在一个卡具上进行切割，然后脱胶清洗。现行硅片切割使用的研磨砂不仅出片率低，同时切割的硅片质量指标达不到要求，致使硅材料损失及生产成本居高不下。
(三)发明内容
本发明为了弥补现有技术的不足，提供了一种低成本高产率的改良的薄膜硅片切割方法。
本发明是通过如下技术方案实现的：
一种改良的薄膜硅片切割方法，其特殊之处在于：在切割硅片过程中使用9.5μm粒径的研磨砂、直径为100μm的钢丝及1500#0.8μm的碳化硅。
在切割硅片过程中使用更细的9.5μm粒径的研磨砂，使用直径为100μm的钢丝替代直径为120μm的钢丝切割，使用1500#0.8μm的碳化硅替代1200#0.95μm的碳化硅进行线切割，从而将硅片厚度由原来的200±20μm降到160±10μm，使其出片率在原有的68片/千克基础上增加至74片/千克，减少硅料损耗3.72％，提高了2％的出片率，改善了硅片的质量指标。
因此，本发明的有益效果是，很大程度地降低了生产成本，提高了生产效率和成品的出片率。
(四)具体实施方式
实施例：
将截面为圆形的硅棒加工为截面为正方形的硅棒后，再将硅棒的一面用高粘接强度的粘接胶粘接在一个卡具上进行切割，在切割硅片的过程中使用9.5μm粒径的研磨砂、直径为100μm的钢丝及1500#0.8μm的碳化硅进行线切割，从而将硅片厚度降到160μm，使其出片率增加至74片/千克，减少硅料损耗3.72％，提高了2％的出片率，然后脱胶清洗即得到薄膜硅片。
Claims (1)
1.一种改良的薄膜硅片切割方法，其特征是：在切割硅片过程中使用9.5μm粒径的研磨砂、直径为100μm的钢丝及1500#0.8μm的碳化硅。
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| CN2010101831165A Pending CN101954674A (zh) | 2010-05-26 | 2010-05-26 | 一种改良的薄膜硅片切割方法 |
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2010
- 2010-05-26 CN CN2010101831165A patent/CN101954674A/zh active Pending
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