CN101932942B - 测定误差的修正方法及电子元器件特性测定装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种测定误差的修正方法及电子元器件特性测定装置,可消除因测定夹具的端口间的泄漏信号分量造成的修正误差,以提高修正精度。对于具有互异电学特性的修正数据获取试样,根据安装于基准测定夹具(20)的状态与安装于测试测定夹具(30)的状态下测定电学特性SD、ST的结果,来决定使在测试测定夹具安装状态下的测定值与在基准测定夹具安装状态下的测定值相关联的数学式CAij。数学式CAij是假设基准测定夹具与测试测定夹具中至少一者的至少2个端口间存在有直接传递的泄漏信号的数学式。对于任意电子元器件,在安装于测试测定夹具(30)的状态下测定电学特性,并使用已决定的数学式CAij,来算出所述电子元器件在安装于基准测定夹具(20)的状态下测定时应可得到的电学特性。
Description
技术领域
本发明涉及一种测定误差的修正方法及电子元器件特性测定装置,详细而言,涉及一种根据安装于测试测定夹具的状态下测定电子元器件的电学特性的结果,算出所述电子元器件在安装于基准测定夹具进行测定时应可得到的电学特性的推测值的测定误差的修正方法及电子元器件特性测定装置。
背景技术
以往,不具有表面安装型电子元器件等的同轴连接器的电子元器件,有时会安装于具有同轴连接器的测定夹具,并通过同轴电缆将测定夹具与测定装置之间加以连接,以测定电学特性。这种测定中,各个测定夹具的特性的偏差,或各个同轴电缆及测定装置的特性的偏差,成为测定误差的原因。
对于同轴电缆及测定装置,通过将具有基准特性的标准器通过同轴电缆与测定装置连接来进行测定,从而可从连接了标准器的同轴电缆前端识别测定装置侧的误差。
然而,关于测定夹具,无法高精度地识别安装电子元器件的部分的连接端子与用来和同轴电缆连接的同轴连接器之间的电子特性的误差。又,不易将测定夹具间的特性调整成一致。特别是在较大的频带宽度下,很难将测定夹具调整成以使测定夹具间的特性一致。
因此,已提出有如下的所谓相对修正法:即,将修正数据获取用试样安装于多个测定夹具进行测定,并根据测定夹具间的测定值的偏差,预先导出修正某测定夹具(以下,称为「基准测定夹具」)与其它测定夹具(以下,称为「测试测定夹具」)间的相对误差的数学式,而对于任意电子元器件的电学特性,根据安装于测试测定夹具的状态下所测定的测定值,使用所述数学式来算出所述电子元器件安装于基准测定夹具时测定的测定值的推测值。
例如,基准测定夹具用于对使用者保证电学特性,而测试测定夹具在电子元器件的制造工序中用于进行良品筛选的测定时使用。
具体而言,对于各端口,分别导出将除去测试测定夹具误差的散射矩阵ST与基准测定夹具误差的散射矩阵合成后的散射矩阵(将此称为「相对修正接合器(adapter)」)。通过对测试测定夹具测定值的散射矩阵合成所述相对修正接合器,来算出基准测定夹具测定值的推测值。关于相对修正接合器,可对每一端口在基准测定夹具、测试测定夹具两者中测定至少3个1端口修正数据获取用试样(例如,如开路(Open)、短路(Short)、加载(Load)),并根据此测定结果来进行计算。(例如,参照专利文献1,非专利文献1、2)。
专利文献1:日本专利第3558074号公报
非专利文献1:GAKU KAMITANI(Murata manufacturing Co.,Ltd.)’AMETHOD TO CORRECT DIFFERENCE OF IN-FIXTURE MEASUREMENTS AMONG FIXTURESON RF DEVICES’APMC Vol.2,p1094-1097,2003
非专利文献2:J.P.DUNSMORE,L.BETTS(Agilent Technologies)‘NEWMETHODS FOR CORRELATING FIXTURED MEASUREMENTS’APMC Vol.1,p568-571,2003
然而,上述的相对修正接合器,对于在测定夹具的端口间直接传递、而不传递至连接在端口间的电子元器件的泄漏信号分量,并不作为修正的对象。因此,必定因为较多的存在于测定夹具的泄漏信号分量,而残留修正误差。
由于这种修正误差,而需要在筛选工序中将良品判定的裕度增大相应于修正误差的大小,因此成为良品率下降的原因。
又,今后,随着电子元器件的小型化的进展,端口间的距离变短,测定电子元器件的测定夹具的泄漏信号分量变大,因此修正误差也必然变大。因此,仅将良品判定的裕度增大,将无法应对,且在筛选工序中有可能无法再进行良品判定。
发明内容
本发明有鉴于此实情,提供一种测定误差的修正方法及电子元器件特性测定装置,可消除因测定夹具的端口间的泄漏信号分量而造成的修正误差,并提高修正精度。
本发明为解决上述课题,提供如下述那样构成的测定误差的修正方法。
测定误差的修正方法是如下方法:即,对于具有2端口以上的任意n端口的电子元器件,根据在安装于测试测定夹具的状态下测定电学特性的结果,算出所述电子元器件在安装于基准测定夹具的状态下测定时应可得到的电学特性的推测值。测定误差的修正方法,具有:(1)第1步骤,对于具有互异电学特性的至少3个第1修正数据获取试样,在安装于所述基准测定夹具的状态下测定电学特性;(2)第2步骤,对于(a)所述至少3个第1修正数据获取试样、(b)可视为具有与所述至少3个第1修正数据获取试样同等的电学特性的至少3个第2修正数据获取试样、或(c)可视为具有与所述至少3个第1修正数据获取试样中的一部分同等的电学特性的至少1个第3修正数据获取试样及其它所述第1修正数据获取试样,在安装于所述测试测定夹具的状态下测定电学特性;(3)第3步骤,根据在所述第1及第2步骤中测定的结果决定数学式,所述数学式假设在所述基准测定夹具与所述测试测定夹具中的至少一者的至少2个端口间,存在有不传递至与该2个端口连接的电子元器件、而在该2个端口间直接传递的泄漏信号,且对于同一电子元器件,使在安装于所述测试测定夹具的状态下测定的电学特性的测定值、与在安装于所述基准测定夹具的状态下测定的电学特性的测定值相关联;(4)第4步骤,对于任意电子元器件,在安装于所述测试测定夹具的状态下测定电学特性;以及(5)第5步骤,根据在所述第4步骤中测定的结果,并使用在所述第3步骤中决定的所述数学式,算出该电子元器件在安装于所述基准测定夹具的状态下测定时应可得到的电学特性。
根据上述方法,由于使用假设端口间存在泄漏信号的数学式来推测电学特性,因此,使用端口间存在有泄漏信号的测试测定夹具或基准测定夹具进行相对修正时,比使用完全未假设端口间存在泄漏信号的数学式来推测电学特性的情形,更能提高测定误差的修正精度。
此外,在第1、第2及第4步骤中,由于只要与测试测定夹具或基准测定夹具连接来测定电学特性的测定系统,可视为具有相同特性即可,因此亦可使用物理性质不同的测定系统,例如不同的测定装置或连接电缆等。
最好为:在各个所述基准测定夹具及所述测试测定夹具中,若欲对存在所述泄漏信号的端口全部进行修正,则在所述第1步骤中,对于具有互异电学特性的至少5个所述第1修正数据获取试样,在安装于所述基准测定夹具的状态下测定电学特性。在所述第2步骤中,对于所述至少5个第1修正数据获取试样、可视为具有与所述至少5个第1修正数据获取试样同等的电学特性的至少5个所述第2修正数据获取试样、或可视为具有与所述至少5个第1修正数据获取试样中的一部分同等的电学特性的至少1个所述第3修正数据获取试样及其它所述第1修正数据获取试样,在安装于所述测试测定夹具的状态下测定电学特性。在所述第3步骤中,根据在所述第1及第2步骤中测定的结果决定的所述数学式,是假设修正各个所述基准测定夹具及所述测试测定夹具中所有端口的泄漏信号的数学式。
即,在各个基准测定夹具及测试测定夹具中,若欲对存在泄漏信号的端口全部进行修正,则需要假设修正所有端口的泄漏信号的数学式。例如,在具有3个端口的电子元器件中,仅在端口1-2间有泄漏时,修正数据获取用试样3个即可。在端口1-2间及端口1-3间有泄漏时,亦于端口2-3间有泄漏,则需要假设亦修正所述泄漏的数学式。此时,修正数据获取用试样需要5个。
最好为:在所述第3步骤中决定的所述数学式为:对于在任意n端口的测定中、在所述基准测定夹具的S参数与所述测试测定夹具的S参数之间、同一端口之间连接、而且假设存在有泄漏信号的不同端口间连接的相对误差修正电路网络模型,对使用(a)所述基准测定夹具的所述第m个修正数据获取试样测定值的S参数SDm、(b)所述测试测定夹具的所述第m个修正数据获取试样测定值的S参数STm、及(c)所述相对误差修正电路网络模型的T参数TCA表示的下列数学式
[数学式1]
cs[]表示列展开
右上方小字t表示转置矩阵
Inxn表示nxn的单位矩阵
以TCA的任意1个元素将TCA归一化所算出的、以所述任意1个元素进行归一化后的所述电路网络模型的T参数TCA’。
此时,通过使用假设存在有泄漏信号的不同端口间进行连接的相对误差修正电路网络,从而提高测定误差的修正精度。
对于相同或可视为相同的修正数据获取用试样,将在第1步骤中测定的SD、与第2步骤中测定的ST代入上述[数学式1],算出未知数TCA’。
相对修正电路网络模型的TCA’决定后,在第5步骤中,可根据在第4步骤中测定的测试测定夹具的S参数算出基准测定夹具的S参数。
最好为:在所述第5步骤中算出电学特性的所述数学式为:对于在任意n端口的测定中、在所述基准测定夹具的S参数与所述测试测定夹具的S参数之间、同一端口之间连接、而且假设存在有泄漏信号的不同端口间连接的电路网络模型,根据使用(a)所述电子元器件在安装于所述基准测定夹具的状态下测定时应可得到的S参数SD、(b)所述测试测定夹具的所述电子元器件测定值的S参数ST、及(c)将以在所述第3步骤中算出的所述相对误差修正电路网络模型的TCA的任意1个元素进行归一化后的所述相对误差修正电路网络模型的T参数TCA’分割成nxn的正方矩阵TCA11’、TCA12’、TCA21’、TCA22’表示的下列数学式
[数学式2]
SD=(TCA11′·ST+TCA12′)·(TCA21′·ST+TCA22′)-1
算出的SD。
此时,以TCA的任意1个元素将TCA归一化,可根据[数学式1]高精度地导出TCA’,其结果是,可使用[数学式2],并根据测试测定夹具的S参数算出基准测定夹具的S参数。
又,本发明提供如下构成的电子元器件特性测定装置。
电子元器件特性测定装置,对于具有2端口以上的任意n端口的电子元器件,根据安装于测试测定夹具的状态下测定电学特性的结果,算出该电子元器件在安装于基准测定夹具的状态下测定时应可得到的电学特性。电子元器件特性测定装置,具备:(1)数学式存储单元,用以存储根据第1测定结果及第2测定结果决定的数学式,所述数学式假设在所述基准测定夹具与所述测试测定夹具中的至少一者的至少2个端口间,存在有不传递至与该2个端口连接的电子元器件、而在该2个端口之间直接传递的泄漏信号,且对于同一电子元器件,使在安装于所述测试测定夹具的状态下测定的电学特性的测定值、与在安装于所述基准测定夹具的状态下测定的电学特性的测定值相关联,所述第1测定结果为,对于具有互异电学特性的至少3个第1修正数据获取试样,在安装于所述基准测定夹具的状态下测定电学特性的结果,所述第2测定结果为,对于所述至少3个第1修正数据获取试样、可视为具有与所述至少3个第1修正数据获取试样同等的电学特性的至少3个第2修正数据获取试样、或可视为具有与所述至少3个第1修正数据获取试样中的一部分同等的电学特性的至少1个第3修正数据获取试样及其它所述第1修正数据获取试样,在安装于所述测试测定夹具的状态下测定电学特性的结果;以及(2)电学特性推测单元,根据任意电子元器件在安装于所述测试测定夹具的状态下测定电学特性的结果,并使用存储于所述数学式存储单元的所述数学式,算出该电子元器件在安装于所述基准测定夹具的状态下测定时应可得到的电学特性。
此时,使用存储于数学式存储单元的数学式,可算出安装于基准测定夹具的状态下的电学特性的推测值。
此外,电子元器件特性测定装置,可具备通过基准测定夹具或测试测定夹具来测定电子元器件的特性的测定单元,亦可具备使用测定单元所测定的结果的全部或一部分、来导出存储于测定部数学式存储单元的数学式的数学式算出单元。
最好为:在各个所述基准测定夹具及所述测试测定夹具中,若欲对存在所述泄漏信号的端口全部进行修正,则根据所述第1测定结果及所述第2测定结果,并假设修正各个所述基准测定夹具及所述测试测定夹具中所有端口的泄漏信号,来决定所述数学式存储单元存储的所述数学式;所述第1测定结果为,对于具有互异电学特性的至少5个所述第1修正数据获取试样,在安装于所述基准测定夹具的状态下测定电学特性的结果;所述第2测定结果为,对于所述至少5个第1修正数据获取试样、可视为具有与所述至少5个第1修正数据获取试样同等的电学特性的至少5个所述第2修正数据获取试样、或可视为具有与所述至少5个第1修正数据获取试样中的一部分同等的电学特性的至少1个所述第3修正数据获取试样及其它所述第1修正数据获取试样,在安装于所述测试测定夹具的状态下测定电学特性的结果。
最好为:所述数学式存储单元存储的所述数学式为:对于在任意n端口的测定中、在所述基准测定夹具的S参数与所述测试测定夹具的S参数之间、同一端口之间连接、而且假设存在有泄漏信号的不同端口间连接的相对误差修正电路网络模型,对使用(a)所述基准测定夹具的所述第m个修正数据获取试样测定值的S参数SDm、(b)所述测试测定夹具的所述第m个修正数据获取试样测定值的S参数STm、及(c)所述相对误差修正电路网络模型的T参数TCA表示的下列数学式
[数学式1]
此处,表示克罗内克积(kronecker product)
cs[]表示列展开
右上方小字t表示转置矩阵
Inxn表示nxn的单位矩阵
以TCA的任意1个元素将TCA归一化所算出的、以所述任意1个元素进行归一化后的所述电路网络模型的T参数TCA’。
最好为:所述电学特性推测单元,根据任意电子元器件安装于所述测试测定夹具的状态下测定电学特性的结果,算出该电子元器件安装于所述基准测定夹具的状态下测定时应可得到的电学特性时所使用的存储于所述数学式存储单元的所述数学式为:对于在任意n端口的测定中、在所述基准测定夹具的S参数与所述测试测定夹具的S参数之间、同一端口之间连接、而且假设存在有泄漏信号的不同端口间连接的电路网络模型,根据使用(a)所述电子元器件在安装于所述基准测定夹具的状态下测定时应可得到的S参数SD、(b)所述测试测定夹具的所述电子元器件测定值的S参数ST、及(c)将以根据所述第1测定结果与所述第2测定结果算出的所述相对误差修正电路网络模型的TCA的任意1个元素进行归一化后的所述相对误差修正电路网络模型的T参数TCA’分割成nxn的正方矩阵TCA11’、TCA12’、TCA21’、TCA22’表示的下列数学式
[数学式2]
SD=(TCA11′·ST+TCA12′)·(TCA21′·ST+TCA22′)-1
算出的SD。
根据本发明,可消除因测定夹具的端口间的泄漏信号分量造成的修正误差,并提高修正精度。藉此,可提高电子元器件的良品率、保证高精度的特性。又,即使因电子元器件的小型化而使泄漏信号分量变大,也能提高修正精度,从而可容易应对电子元器件的小型化。进而,因为测定夹具不再需要谨慎考虑泄漏信号来进行设计.制作,因此可谋求降低成本。
附图说明
图1是2端口测定系统的信号流程图。(现有例)
图2是2端口测定系统的信号流程图。(本发明)
图3是3端口测定系统的方框图。(本发明)
图4是表示测定状态的说明图。(实施例)
图5是修正数据获取试样的说明图。(实施例)
图6a是表示相对修正结果的曲线图。(实施例)
图6b是表示相对修正结果的曲线图。(现有例)
图7a是表示相对修正结果的曲线图。(实施例)
图7b是表示相对修正结果的曲线图。(现有例)
图8是测定系统的说明图。
图9是表示相对修正法的基本原理的2端子对电路图。(现有例)
图10是表示相对修正法的基本原理的2端子对电路图。(现有例)
图11是泄漏信号的说明图。
标号说明
20,20a:基准测定夹具
20x:泄漏信号
21,21a:端子
30,30a:测试测定夹具
30x:泄漏信号
31,31a:端子
32,32a:相对修正接合器
具体实施方式
以下,参照图1~图11说明本发明的实施方式。
<测定系统>如图8所示,电子元器件2(例如,作为高频被动电子元器件的表面弹性波滤波器),在安装于测定夹具12的状态下,利用测定装置10(例如,网络分析仪)测定其电学特性。测定夹具12的同轴连接器12a与测定装置10间,利用同轴电缆14连接。如箭头16所示,若将电子元器件2安装于测定夹具12的安装部12b,则电子元器件2的端子2a与测定装置10电连接。测定装置10通过将信号输入到电子元器件2的端子2a中某端子并检测来自其它端子的输出信号,从而测定电子元器件2的电学特性。
测定装置10,根据预定程序,对测定数据进行运算处理,算出电子元器件2的电学特性。此时,测定装置10,从内部存储器或记录介质等中,读取测定值或运算时使用的参数等所需数据,或与外部设备(例如,服务器)通信并读取所需的数据。测定装置10,也可分割成多个设备。例如,也可分割成仅进行测定的测定部、和接受测定数据的输入来进行运算处理或良品判定等的运算部。
此外,测定装置10,只要将用以进行后述的相对修正的数学式数据存储于存储器等数学式存储单元,并使用该数据,对任意电子元器件,通过相对修正并利用CPU等电学特性推测单元算出电学特性的推测值即可。即,测定装置10,可为本身进行测定与运算来决定用以进行相对修正的数学式的装置,也可为使用其它的测定装置所测定的数据来决定用以进行相对修正的数学式的装置,而且,也可为存储其它测定装置所决定的用以进行相对修正的数学式数据,并使用该数据,对任意电子元器件算出利用相对修正而得到的电学特性的推测值的装置。
测定夹具12中,难以制作多个相同特性的夹具。因此,即使相同的电子元器件2,若测定所使用的测定夹具12不同,则由于每一测定夹具的特性的偏差,因此测定结果也不同。例如,测定结果,因用以对使用者保证电学特性所使用的测定夹具(基准测定夹具)、与在电子元器件的制造工序中用于进行良品筛选的测定时所使用的测定夹具(测试测定夹具)而不同。这种测定夹具间的测定值的差,可利用相对修正法来修正。
<现有例的相对修正法>下面,参照图9及图10说明现有例的相对修正法的基本原理。以下,为求简单,虽以2端子对电路为例说明2端口间的电学特性,但也可扩展为n端子对电路(n为1或者3以上的整数)。
图9(a)表示安装2端口的电子元器件(以下,称为「试样DUT」)的基准测定夹具的2端子对电路。以散射矩阵(SDUT)表示试样DUT的特性。以散射矩阵(ED1),(ED2)表示基准测定夹具的同轴连接器与试样DUT的端口之间的误差特性。在电路两侧的端子上,可得到试样DUT安装于基准测定夹具的状态下的测定值(以下,也称为「基准测定夹具测定值」)S11D,S21D。
图9(b)表示安装试样DUT的测试测定夹具的2端子对电路。以散射矩阵(SDUT)表示试样DUT的特性。以散射矩阵(ET1),(ET2)表示测试测定夹具的同轴连接器与试样DUT的端口间的误差特性。于电路两侧的端子,可得到试样DUT安装于测试测定夹具的状态下的测定值(以下,亦称为「测试测定夹具测定值」)S11T,S21T。
图9(c)表示在图9(b)的电路两侧,连接将误差特性(ET1),(ET2)中和的接合器(ET1)-1,(ET2)-1的状态。此接合器(ET1)-1,(ET2)-1,理论上,可通过将误差特性的散射矩阵(ET1),(ET2)变换成传递矩阵,求其反矩阵,再次变换成散射矩阵来获得。在误差特性(ET1),(ET2)与接合器(ET1)-1,(ET2)-1间的边界部分80,82,可得到将试样DUT安装于测试测定夹具所测定的测试测定夹具测定值S11T,S21T。在图9(c)的电路两侧的端子上,除去测试测定夹具的误差,可得到试样DUT本身的测定值S11DUT,S21DUT。
由于图9(c)的电路仅与试样DUT等效,因此,与图9(a)相同地,若在两侧连接基准测定夹具的误差特性的散射矩阵(ED1),(ED2),则成为如图10(a)。
图10(a)中,若将由符号84表示的(ED1),(ET1)-1合成的散射矩阵设为(CA1),由符号86表示的(ET2)-1,(ED2)合成的散射矩阵设为(CA2),则成为如图10(b)。这些散射矩阵(CA1),(CA2)是所谓的「相对修正接合器」,使测试测定夹具测定值S11T,S21T与基准测定夹具测定值S11D,S21D相关联。因此,若相对修正接合器(CA1),(CA2)决定,则可根据任意电子元器件在安装于测试测定夹具的状态下的测试测定夹具测定值S11T,S21T,使用相对修正接合器(CA1),(CA2)算出(推测)基准测定夹具测定值S11D,S21D。
相对修正接合器(CA1),(CA2),虽分别包含4个系数c00,c01,c10,c11;c22,c23,c32,c33,但根据互易定理,c01=c10、c23=c32。因此,各端口间,可使用不同特性的3种1端口标准试样(修正数据获取用试样)安装于基准测定夹具与基准测定夹具所测定的测定值,来决定各系数c00,c01,c10,c11;c22,c23,c32,c33。
用以算出相对修正接合器的修正数据获取用试样的基本特性,需要各端口间的传递系数足够小,且相同端口.相同频率中的反射系数特性在各修正数据获取用试样间分别不同。由于为反射系数,因此形成开路、短路及终端,可容易地满足上述修正数据获取用试样的基本特性。又,修正数据获取用试样的外形,最好是与修正对象试样相同地可安装于测定夹具的外形。
各端口间的开路、短路及终端,可通过在与作为测定对象的试样相同的封装体内部等,以引线、芯片电阻器等连接封装体的信号线与接地从而来实现。然而,在此方法中,若作为测定对象的试样小型化,则难以在封装体内部等配置芯片电阻器等构件,无法制作修正数据获取用试样,其结果是,有可能无法使用相对修正法进行产品的良品筛选。
作为对此的对策,利用作为测定对象的试样(电子元器件)的制造工序,制作修正数据获取用试样。此时,也可使用制造作为商品的电子元器件的生产线、实验性地制造电子元器件的试制品的生产线、或者两者的折衷形态中的任一者,来制作修正数据获取用试样。
又,由于安装于基准测定夹具的修正数据获取用试样、与安装于测试测定夹具的修正数据获取用试样,只要在原理上成为相同的电学特性即足够,因此,也可不为相同试样。例如,即使预先准备可视为具有相同电学特性的多个修正数据获取用试样,再从所准备的修正数据获取用试样中任意选择各个修正数据获取用试样,分别安装于基准测定夹具与测试测定夹具来进行测定,也可导出相对修正接合器。
然而,图11(a)的说明图中,如箭头8a所示,存在较多的在测定夹具12a的端口1、2的信号路径4a、5a之间直接传递、而不传递至安装于测定夹具12a的电子元器件2s的端口1、2间的泄漏信号分量。又,图11(b)的说明图中,如箭头8b所示,在测定夹具12b的接近的端口2、3间直接传递的泄漏信号分量变大。现有的相对修正法,根据完全不考虑这种测定夹具的泄漏信号的电路网络模型。因此,现有的相对修正法,残留有因泄漏信号所造成的修正误差。
<本发明的基本原理>其次,参照图1~图3说明本发明的基本原理。
图1,为进行比较,将现有例的相对修正法使用的2端子对电路重新绘制的信号流程图。符号20为相当于基准测定夹具的部分,符号21为相当于基准测定夹具的同轴连接器的端子。符号30为相当于测试测定夹具的部分,符号31为相当于测试测定夹具的同轴连接器的端子。相对修正接合器32,对每一端口1、2相互独立地连接在基准测定夹具20的端子21与测试测定夹具30的端子31之间。
与此不同的是,本发明的相对修正法中,使用图2所示的信号流程图。即,本发明中,对于端口1、2,连接在基准测定夹具20的端子21与测试测定夹具30的端子31之间的相对修正接合器32,在与实线所示的现有例相同的部分上,添加了虚线所示的部分。根据此虚线部分,可假设在基准测定夹具与测试测定夹具中的至少一者的端口间,存在有在端口间直接传递的泄漏信号、即不传递至连接于端口的电子元器件的泄漏信号。
详细而言,CA12从对基准测定夹具的端口2的输入信号(a2),连接至来自基准测定夹具的端口1的输出信号(b1)。CA21从对基准测定夹具的端口1的输入信号(a1),连接至来自基准测定夹具的端口2的输出信号(b2)。
CA34从来自测试测定夹具的端口2的输出信号(b4),连接至对测试测定夹具的端口1的输入信号(a3)。CA43从来自测试测定夹具的端口1的输出信号(b3),连接至对测试测定夹具的端口2的输入信号(a4)。
CA14从来自测试测定夹具的端口2的输出信号(b4),连接至来自基准测定夹具的端口1的输出信号(b1)。CA41从对基准测定夹具的端口1的输入信号(a1),连接至对测试测定夹具的端口2的输入信号(a4)。
CA23从来自测试测定夹具的端口1的输出信号(b3),连接至来自基准测定夹具的端口2的输入信号(b2)。CA32从对基准测定夹具的端口2的输入信号(a2),连接至对测试测定夹具的端口1的输入信号(a3)。
从图2可知,下列3个数学式成立。
[数学式3]
[数学式4]
[数学式5]
此处,将作为相对修正接合器32的T参数TCA
[数学式6]
分割成2x2的正方矩阵的小矩阵,设为TCA11,TCA12,TCA21,TCA22。即,
[数学式7]
[数学式3]可使用[数学式7]表示如下。
[数学式8a]
[数学式8b]
将[数学式5]代入[数学式8a],进而代入[数学式8b],成为下列数学式。
[数学式9]
将[数学式4]代入此[数学式9],成为下列数学式。
[数学式10]
TCA11·ST+TCA12=SD·(TCA21·ST+TCA22)
对该[数学式10],右乘(TCA21.ST+TCA22)-1,成为
[数学式11]
SD=(TCA11·ST+TCA12)·(TCA21·ST+TCA22)-1
导出[数学式11]。
若将该[数学式11]变形为对TCA的线性组合,成为
[数学式12]
[数学式13]
此处,
[数学式14a]
为克罗内克积(kronecker product)。
[数学式14b]
cs[]
为列展开。
右上方的小字t,表示转置矩阵。
I2是2x2的单位矩阵。以下,In定义成nxn的单位矩阵。
[数学式12]若以1个元素例如-tCA11将tCA归一化,则成为
[数学式15]
此处,A4x16是4x16的矩阵,u4x1是4x1的矩阵,B4x15是4x15的矩阵。
因此,成为
[数学式16]
B4×15·tCA′=u4×1
[数学式17]
[数学式16]、[数学式17]表示通过利用基准测定夹具及测试测定夹具测定DUT从而导出对tCA’的4个线性方程式。
设泄漏误差相对修正接合器tCA’为未知,由于[数学式16]、[数学式17]表示对tCA’的4个线性联立方程式,因此,将DUT作为修正数据获取用试样,并通过测定数个修正数据获取用试样从而导出tCA’。在测定Nstd个修正数据获取用试样时,[数学式16]、[数学式17]可用下列数学式表示。
[数学式18]
[数学式19]
[数学式20]
由于C4Nstdx15及υ4N为测定值,因此存在误差。若假设误差分布为正态分布,则tCA’可通过求解最小二乘问题来求得。为了使rank[C4Nstdx15]≥15(tCA’的未知数的数目),只要准备5个以上不同特性的修正数据获取用试样即可。随测定环境来对[数学式18]考虑测定值的方差的差异,藉此提高tCA’的解的精度。又,若误差分布不为正态分布,可使用最大似然法求解来求得。
将利用上述方法求得的tCA’代入[数学式11],可根据测试测定夹具测定值推测基准测定夹具测定值。
<关于归一化>下面,考察因将TCA归一化而对基准测定夹具测定值与测试测定夹具测定值的关系式、[数学式11]的影响。
设-tCA11为α,则[数学式11]可变形如下。
[数学式21]
SD=(TCA11·ST+TCA12)·(TCA21·ST+TCA22)-1
=(α·TCA11′·ST+α·TCA12′)·(α·TCA21′·ST+α·TCA22′)-1
=(TCA11′·ST+TCA12′)·(TCA21′·ST+TCA22′)-1
[数学式22]
[数学式21]、[数学式22],表示即使使用归一化导出的tCA’也可根据测试测定夹具测定值推测基准测定夹具测定值,因此可知归一化是没有问题的。
此外,虽示出了使用-tCA11以作为成为归一化基准的T参数的元素的例子,但实际上最好为选择不取零附近的值的元素。
<扩展为N端口测定系统>下面,说明扩展为任意N端口测定系统。
首先,说明3端口的测定系统。如图3表示将3端口测定中的泄漏信号模型化后的相对修正法的方框图,。各标号的意义,与2端口的例子(图1及图2)相同。
在图3中,ST与SD的关系,若使用泄漏信号相对修正电路网络的T参数TCA,则可用下列数学式表示。其相对于2端口的情形,只是各矩阵成为了3x3,其余大致相同。
[数学式23]
SD=(TCA11·ST+TCA12)·(TCA21·ST+TCA22)-1
[数学式24]
[数学式25]
以与2端口相同的顺序,可求得下列数学式。
[数学式26]
[数学式27]
[数学式26]、[数学式27],虽与2端口时的[数学式12]、[数学式13]的维数不同,但除此以外完全相同,通过相同地进行归一化,可整理成最小二乘法的观测方程式的形式。而且,可利用基准测定夹具与测试测定夹具测定5个以上不同特性的修正数据获取用试样,并将其测定值代入,求出tCA’。
即,3端口的泄漏误差相对修正接合器的解,可考虑由2端口的方法的扩展来得到。
4端口以上也相同,本方法可扩展为任意N端口。
<实施例>为了在2端口进行端口间泄漏信号的相对修正,以同轴线路构成包含端口间泄漏信号的2个测定状态,即基准状态及测试状态。
图4表示测定系统的示意图。图4(a)为基准状态,图4(b)为测试状态。在两者的状态下,如箭头20x,30x所示,因分配器20a,20b;30a,30b而产生不通过DUT3的路径,即产生泄漏信号。泄漏信号电平利用衰减器20s,30s进行调整,并设基准状态为-37dB左右,测试状态为-27dB左右。又,在测试状态中,进一步将-6dB的衰减器30p连接于DUT3侧,相对于基准状态增加损耗。
图5表示修正数据获取用试样。准备5个2端口的修正数据获取用试样2a~2e。图5(a)~图5(c)所示的开路/开路(OPEN/OPEN)、短路/短路(SHORT/SHORT)、加载/加载(LOAD/LOAD)的修正数据获取用试样2a~2c,同时连接2个CAL套件(85052B)。图5(d)的线(LINE)的修正数据获取用试样2d为3.5mm公母连接器。图5(e)的-6dBATT的修正数据获取用试样2e,使用MKTTAISEI公司制的衰减器。修正数据获取用试样2a~2e的电学特性的值本身为未知,仅使用安装于测定夹具的基准状态、测试状态的测定值,导出相对修正电路网络的参数。
其它实验条件如下。
[测定器]E8364B(Agilent Technologies)
[测定频率]500MHz~2GHz
[中间频率]100Hz
[DUT]-3BATT(MKT TAISEI)
使用导出的相对修正电路网络的参数,根据安装于测试测定夹具的状态的测定值,利用相对修正法算出安装于基准测定夹具的状态下的电学特性的推测值。
图6a表示S11,图7a表示S21的修正结果的曲线图。为进行比较,图6b及图7b中,示出使用未考虑端口间泄漏信号的现有例的相对修正接合器时的S11及S21的修正结果的曲线图。图中,「基准测定夹具」,为安装于基准测定夹具的状态下的测定值;「测试测定夹具」,为安装于测试测定夹具的状态下的测定值;「相对修正」,为利用现有例的相对修正法,根据安装于测试测定夹具的状态的测定值所算出的安装于基准测定夹具的状态下的电学特性的推测值;「泄漏相对修正」,为利用本发明的相对修正法,根据安装于测试测定夹具的状态下的测定值所算出的安装于基准测定夹具的状态下的电学特性的推测值。
在现有例中,对于包含如图4的泄漏信号的测定系统,由于无法将泄漏信号包括在内来进行修正,因此,如图6b及图7b所示,残留有修正误差。与此不同的是,如图6a及图7b所示,可知在本发明中即使包含泄漏信号的情况下,也可高精度地修正。根据此结果,在包含实际的泄漏信号的测定中,本发明能期待充分的效果。
此外,通过对测定频率区域内的每一频率导出TCA’,从而可进行考虑了TCA’的频率特性影响的测定误差修正。即,通过求出实际商品使用的频率下的TCA’,并据此进行误差修正,从而可保证高精度的特性。
而且,例如通过与网络分析仪的测定器的校正数据结合,作为1个电路网络进行处理,从而可谋求缩短修正计算时间。由此,量产时可高速地测定商品。
<其它>关于3端口的测定系统,已知仅在特定2个端口间(例如,端口1、2间)存在泄漏信号,而在其它端口间(例如,端口1、3间,端口2、3间)不存在泄漏信号的情况下,为减少未知数,可根据至少3个修正数据获取用试样的测定值决定相对修正接合器。
又,即使使用不存在泄漏信号的基准测定夹具及测试测定夹具的情况下,也可适用本发明的相对修正法。在这种情况下,只是关于泄漏信号,相对修正分量成为零,修正精度成为与现有例的相对修正法相同程度或在其之上。
因此,无论测定夹具中有无泄漏信号,都可适用本发明的相对修正法。
<结论>以往,对每一端口导出将除去测试测定夹具误差的散射矩阵、与基准测定夹具误差的散射矩阵合成后的散射矩阵(相对修正接合器),通过对测试测定夹具测定值的散射矩阵进行合成,从而来推测基准测定夹具测定值。
与此不同的是,本发明的相对修正接合器,如图2的虚线所示,使用以将不通过DUT而在测定夹具的端口间直接传递的泄漏信号分量也包括在内的方式模型化的相对修正接合器。因此,不会产生因泄漏信号分量造成的修正误差。本发明的相对修正接合器,利用基准测定夹具、测试测定夹具测定具有与测定夹具相同端口数的各个特性不同的至少3个修正数据获取用试样,并进行计算来导出。本发明可扩展为2端口以上的任意N端口测定。
由于本发明将较多的也在测定夹具中产生的泄漏信号分量引入修正模型中,因此,不会产生关于泄漏信号分量的修正误差。因此,由于提高相对修正法的修正精度,因此可缩小在筛选工序中的良品判定的裕度,提高良品率。又,由于对于高性能元器件需要保证高精度的特性,因此,其效果变得更大。
又,虽然在小型元器件,测定夹具的端子等的间距变窄,泄漏信号分量增大,但利用本发明可以相同精度进行修正。除此之外,还可应对今后进一步发展的元器件的小型化。
而且,由于本发明可修正泄漏信号分量,因此,对于量产所使用的测定夹具,可无需考虑泄漏信号分量来进行设计、制作,所以可实现比以往更佳的接触性、耐久性且低成本的测定夹具。
此外,本发明并不限定于上述实施方式,可增加各种变更来加以实施。
Claims (6)
1.一种电子元器件特性测定中的测定误差的修正方法,对于具有2端口以上的任意n端口的电子元器件,根据在安装于测试测定夹具的状态下测定电学特性的结果,算出该电子元器件在安装于基准测定夹具的状态下测定时应可得到的电学特性的推测值,其特征在于,具有:
第1步骤,对于具有互异电学特性的至少3个第1修正数据获取试样,在安装于所述基准测定夹具的状态下测定电学特性﹔
第2步骤,对于所述至少3个第1修正数据获取试样、可视为具有与所述至少3个第1修正数据获取试样同等的电学特性的至少3个第2修正数据获取试样、或可视为具有与所述至少3个第1修正数据获取试样中的一部分同等的电学特性的至少1个第3修正数据获取试样及其它所述第1修正数据获取试样,在安装于所述测试测定夹具的状态下测定电学特性﹔
第3步骤,仅使用在所述第1及第2步骤中测定的测定值且通过导出相对误差修正电路网络模型的参数来决定数学式,所述数学式利用所述相对误差修正电路网络模型的参数来表达,且所述相对误差修正电路网络模型假设存在有泄漏信号,该泄漏信号是指在所述基准测定夹具与所述测试测定夹具中的至少一者的至少2个端口间的不传递至与该2个端口连接的电子元器件、而在该2个端口间直接传递的泄漏信号,且该数学式对于同一电子元器件,使在安装于所述测试测定夹具的状态下测定的电学特性的测定值、与在安装于所述基准测定夹具的状态下测定的电学特性的测定值相关联﹔
第4步骤,对于任意电子元器件,在安装于所述测试测定夹具的状态下测定电学特性﹔以及
第5步骤,根据在所述第4步骤中测定的结果,并使用在所述第3步骤中决定的所述数学式,算出该电子元器件在安装于所述基准测定夹具的状态下测定时应可得到的电学特性,
在所述第3步骤中决定的所述数学式为:
对于在任意n端口的测定中,通过对同一端口之间进行连接且对假设存在有泄漏信号的不同端口间进行连接,使所述基准测定夹具的S参数与所述测试测定夹具的S参数之间相关联的相对误差修正电路网络模型,
对使用
所述基准测定夹具的第m个修正数据获取试样测定值的S参数SDm、
所述测试测定夹具的第m个修正数据获取试样测定值的S参数STm、及
所述相对误差修正电路网络模型的T参数TCA
表示的下列数学式
数学式1
cs[]表示列展开
右上方小字t表示转置矩阵
Inxn表示nxn的单位矩阵
以TCA的任意1个元素将TCA归一化所算出的、以所述任意1个元素进行归一化后的所述电路网络模型的T参数TCA’。
2.如权利要求1所述的测定误差的修正方法,其特征在于,
在各个所述基准测定夹具及所述测试测定夹具中,若欲对存在所述泄漏信号的端口全部进行修正,则
在所述第1步骤中,对于具有互异电学特性的至少5个所述第1修正数据获取试样,在安装于所述基准测定夹具的状态下测定电学特性;
在所述第2步骤中,对于所述至少5个第1修正数据获取试样、可视为具有与所述至少5个第1修正数据获取试样同等的电学特性的至少5个所述第2修正数据获取试样、或可视为具有与所述至少5个第1修正数据获取试样中的一部分同等的电学特性的至少1个所述第3修正数据获取试样及其它所述第1修正数据获取试样,在安装于所述测试测定夹具的状态下测定电学特性;
在所述第3步骤中,所述第1及第2步骤中测定的结果决定的所述数学式,是假设修正各个所述基准测定夹具及所述测试测定夹具中所有端口的泄漏信号的数学式。
3.如权利要求1或2所述的测定误差的修正方法,其特征在于,在所述第5步骤中算出电学特性的所述数学式为:
对于在任意n端口的测定中,通过对同一端口之间进行连接且对假设存在有泄漏信号的不同端口间进行连接,使所述基准测定夹具的S参数与所述测试测定夹具的S参数之间相关联的电路网络模型,
根据使用
所述电子元器件在安装于所述基准测定夹具的状态下测定时应可得到的S参数SD、
所述测试测定夹具的所述电子元器件测定值的S参数ST、及
将以在所述第3步骤中算出的所述相对误差修正电路网络模型的TCA的任意1个元素进行归一化后的所述相对误差修正电路网络模型的T参数TCA'分割成nxn的正方矩阵TCA11'、TCA12'、TCA21'、TCA22'
表示的下列数学式
数学式2
SD=(TCA11'·ST+TCA12')·(TCA21'·ST+TCA22')-1
算出的SD。
4.一种电子元器件特性测定装置,对于具有2端口以上的任意n端口的电子元器件,根据在安装于测试测定夹具的状态下测定电学特性的结果,算出该电子元器件在安装于基准测定夹具的状态下测定时应可得到的电学特性,其特征在于,具备:
数学式存储单元,用以存储仅使用根据第1测定结果及第2测定结果且通过导出相对误差修正电路网络模型的参数来决定的数学式,所述数学式利用所述相对误差修正电路网络模型的参数来表达,且所述相对误差修正电路网络模型假设存在有泄漏信号,该泄漏信号是指所述基准测定夹具与所述测试测定夹具中的至少一者的至少2个端口间的不传递至与所述2个端口连接的电子元器件、而在所述2个端口间直接传递的泄漏信号,且该数学式对于同一电子元器件,使在安装于所述测试测定夹具的状态下测定的电学特性的测定值、与在安装于所述基准测定夹具的状态下测定的电学特性的测定值相关联,所述第1测定结果为,对于具有互异电学特性的至少3个第1修正数据获取试样,在安装于所述基准测定夹具的状态下测定电学特性的结果,所述第2测定结果为,对于所述至少3个第1修正数据获取试样、可视为具有与所述至少3个第1修正数据获取试样同等的电学特性的至少3个第2修正数据获取试样、或可视为具有与所述至少3个第1修正数据获取试样中的一部分同等的电学特性的至少1个第3修正数据获取试样及其它所述第1修正数据获取试样,在安装于所述测试测定夹具的状态下测定电学特性的结果﹔以及
电学特性推测单元,根据任意电子元器件在安装于所述测试测定夹具的状态下测定电学特性的结果,并使用存储于所述数学式存储单元的所述数学式,算出该电子元器件在安装于所述基准测定夹具的状态下测定时应可得到的电学特性,
所述数学式存储单元存储的所述数学式为:
对于在任意n端口的测定中,通过对同一端口之间进行连接且对假设存在有泄漏信号的不同端口间进行连接,使所述基准测定夹具的S参数与所述测试测定夹具的S参数之间相关联的相对误差修正电路网络模型,
对使用
所述基准测定夹具的第m个修正数据获取试样测定值的S参数SDm、
所述测试测定夹具的第m个修正数据获取试样测定值的S参数STm、及
所述相对误差修正电路网络模型的T参数TCA
表示的下列数学式
数学式1
此处,表示克罗内克积
cs[]表示列展开
右上方小字t表示转置矩阵
Inxn表示nxn的单位矩阵
以TCA的任意1个元素将TCA归一化所算出的、以所述任意1个元素进行归一化后的所述电路网络模型的T参数TCA’。
5.如权利要求4所述的电子元器件特性测定装置,其特征在于,
在各个所述基准测定夹具及所述测试测定夹具中,若欲对存在所述泄漏信号的端口全部进行修正,
则根据所述第1测定结果及所述第2测定结果,并假设修正各个所述基准测定夹具及所述测试测定夹具中所有端口的泄漏信号,来决定所述数学式存储单元存储的所述数学式;
所述第1测定结果为,对于具有互异电学特性的至少5个所述第1修正数据获取试样,在安装于所述基准测定夹具的状态下测定电学特性的结果;
所述第2测定结果为,对于所述至少5个第1修正数据获取试样、可视为具有与所述至少5个第1修正数据获取试样同等的电学特性的至少5个所述第2修正数据获取试样、或可视为具有与所述至少5个第1修正数据获取试样中的一部分同等的电学特性的至少1个所述第3修正数据获取试样及其它所述第1修正数据获取试样,在安装于所述测试测定夹具的状态下测定电学特性的结果。
6.如权利要求4或5所述的电子元器件特性测定装置,其特征在于,
所述电学特性推测单元,根据任意电子元器件安装于所述测试测定夹具的状态下测定电学特性的结果,算出该电子元器件安装于所述基准测定夹具的状态下测定时应可得到的电学特性时所使用的存储于所述数学式存储单元的所述数学式为:
对于在任意n端口的测定中,通过对同一端口进行连接且对假设存在有泄漏信号的不同端口间进行连接,使所述基准测定夹具的S参数与所述测试测定夹具的S参数之间相关联的电路网络模型,
根据使用
所述电子元器件在安装于所述基准测定夹具的状态下测定时应可得到的S参数SD、
所述测试测定夹具的所述电子元器件测定值的S参数ST、及
将以根据所述第1测定结果与所述第2测定结果算出的所述相对误差修正电路网络模型的TCA的任意1个元素进行归一化后的所述相对误差修正电路网络模型的T参数TCA'分割成nxn的正方矩阵TCA11'、TCA12'、TCA21'、TCA22'
表示的下列数学式
数学式2
SD=(TCA11'·ST+TCA12')·(TCA21'·ST+TCA22')-1
算出的SD。
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