CN101924149A - 光电装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种光电装置及其制造方法，其包括：基板；第一电极，设置在所述基板上；至少一个的光电转换层，设置在所述第一电极上，且包括受光层；第二电极，设置在所述光电转换层上；其中，包括在所述至少一个光电转换层的受光层，包括：第一子层，含有氢化非晶硅；第二子层，含有晶硅晶粒。

Description

光电装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及光电装置(Photovoltaic Device)及其制造方法。
背景技术
目前，伴随着现有能源如石油、煤炭等将会枯竭的预测，人们越来越关注替代这些现有能源的可替代能源。其中，太阳能因其资源丰富且不污染环境而特别受到瞩目。
直接将太阳能转换为电能的装置是光电装置，即太阳能电池。光电装置主要利用了半导体接合的光电现象。即，如果光入射到分别掺杂了P型和n型杂质的半导体pin接合面并被吸收，则光能在半导体内部产生电子和空穴，所产生的电子和空穴通过内部电场发生分离，由此使光电产生在pin接合两端上。此时，如果在接合两端上形成电极，并由导线将其连接，则电流通过电极和导线而流向外部。
为了由太阳能替代现有能源(例如，石油等)，必须降低随着时间的经过而产生的光电装置的劣化率，且提高稳定效率。
发明内容
根据本发明中一个实施例的光电装置，包括：基板；第一电极，被设置在所述基板上；至少一个的光电转换层，设置在所述第一电极上，且包括受光层；第二电极，设置在所述光电转换层上，其中，包括在所述至少一个光电转换层的受光层包括：第一子层，含有氢化非晶硅；第二子层，含有晶硅晶粒。
根据本发明中一实施例的光电装置的制造方法，包括以下步骤：在基板上形成第一电极；在腔室内于所述第一电极上形成包括受光层的至少一个光电转换层；在所述光电转换层上形成第二电极。其中，在形成所述受光层期间，流入到所述腔室的原料气体的氢气稀释比恒定；在形成所述受光层期间，朝向所述腔室中形成有喷嘴的电极交替供给具有第一频率的第一电压和具有大于所述第一频率的第二频率的第二电压，或者持续供给所述第一电压且交替供给所述第二电压。
附图说明
图1是根据本发明第一实施例的光电装置的示意图；
图2是根据本发明第二实施例的另一光电装置的示意图；
图3a至图3h表示本发明实施例的光电装置的制造方法；
图4表示本发明实施例中用于形成受光层的等离子体化学气相沉积装置；
图5表示本发明实施例中为了形成受光层而供给到腔室的、第一电源和第二电源的频率变化；
图6表示包括在本发明实施例的具有多个子层的受光层；
图7表示由原晶硅层构成的受光层；
图8表示本发明实施例中为了形成受光层而供给到腔室的、第一电源和第二电源的另一频率变化。
具体实施方式
下面结合附图详细说明实施例。
图1是根据本发明第一实施例的光电装置的示意图。
如图所示，光电装置包括：基板100、第一电极210、第二电极250、光电转换层230和保护层300。
具体来说，在基板100上配置有第一电极210。第一电极210之间间隔有一定距离，使得相邻的第一电极之间不发生短路。光电转换层230按照覆盖第一电极之间间隔一定距离的区域的方式配置在第一电极210上。第二电极250配置在光电转换层230上，且第二电极250之间间隔有一定距离，使得相邻的第二电极之间不发生短路。此时，第二电极250按照贯通光电转换层230的方式与第一电极210串联连接。相邻的光电转换层230之间按照与第二电极之间的间隔距离相同的方式间隔。保护层300按照覆盖第二电极之间的间隔区域和光电转换层之间的间隔区域的方式配置在第二电极上。
光电转换层230包括p型半导体层231、受光层233和n型半导体层235。受光层233包括第一子层233a和层压在第一子层233a上的第二子层233b；第一子层233a含有氢化非晶硅，第二子层233b含有晶硅晶粒。
图2是根据本发明第二实施例的另一光电装置的示意图。
对于图2的光电装置，由于其结构与图1中的光电装置几乎类似，因此省略对相同结构的说明。图2中的光电转换层230包括第一光电转换层230-1和配置在第一光电转换层上的第二光电转换层203-2；第一光电转换层包括p型半导体层231-1、受光层233-1和n型半导体层235-1，第二光电转换层包括p型半导体层231-2、受光层233-2和n型半导体层235-2。
受光层233-1、233-2由第一子层233-1a、233-2a和层压在第一子层上的第二子层233-1b、233-2b构成。此时，包含在第一光电转换层230-1中的受光层233-1包括：含有氢化非晶硅的第一子层233-1a和含有晶硅晶粒的第二子层233-1b。包含在第二电转换层230-2中的受光层233-2包括：含有氢化微晶硅锗的第一子层233-2a和含有氢化微晶硅的第二子层233-2b。
在本实施例中虽然将光电转换层限定为两个，但也可以包括3个以上的光电转换层。在3个光电转换层中，离入射侧面较远的第二个或第三个光电转换层可以包括具有含有氢化微晶硅锗的第一子层和含有氢化微晶硅的第二子层的受光层。
关于如上根据第一实施例和第二实施例的光电装置，在后述的光电装置的制造方法中将进一步详细说明。
图3a至图3h表示根据本发明实施例的光电装置的制造方法。
如图3a所示，首先准备基板100。基板100可以是绝缘性透明基板100。
如图3b所示，在基板100上形成第一电极210。在本发明的实施例中，第一电极210可通过化学气相沉积法(CVD，Chemical Vapor Deposition)形成，且可由透明导电氧化物(TCO，Transparent Conductive Oxide)来构成，例如，氧化锡(SnO2)或氧化锌(ZnO)。
如图3c所示，通过朝向第一电极210侧或基板100侧照射激光，使第一电极210被划线(scribe)。由此在第一电极210上形成第一分离槽220。即，由于第一分离槽220贯通第一电极210，因此防止相邻的第一电极210之间发生短路。
如图3d所示，包括受光层的一个以上的光电转换层230通过化学气相沉积法进行层压而形成，其用于覆盖第一电极210和第一分离槽220。此时，各个光电转换层230包括p型半导体层、受光层和n型半导体层。为了形成p型半导体层，如果向反应腔室混入诸如单硅烷(SiH4)的含有硅的原料气体和诸如B2H6的含有3族元素的原料气体，则通过化学气相沉积法进行将层压形成p型半导体层。之后，如果将含有硅的原料气体流入反应室，则受光层通过化学气相沉积法而形成于p型半导体层上。对于受光层的形成方法，在后述的记载中进行详细的说明。最后，如果混入诸如PH3的含有5族元素的原料气体和含有硅的原料气体，则n型半导体层通过化学气相沉积法而层压在纯半导体层上。由此，在第一电极210上依次层压形成p型半导体层、受光层和n型半导体层。
根据本发明实施例的受光层可包括在具有一个光电转换层230的单一接合光电装置或具有多个光电转换层的多重接合光电装置。
如图3e所示，通过在大气中朝向基板100侧或光电转换层230侧照射激光，使光电转换层230被划线。由此，在光电转换层230上形成第二分离槽240。
如图3f所示，用于覆盖光电转换层230和第二分离槽240的第二电极250通过化学气相沉积法或溅射法而形成。第二电极250可以为金属电极，例如Al或者Ag。
如图3g所示，在大气中通过照射激光使光电转换层230和第二电极250被划线。由此，针对光电转换层230和第二电极250形成第三分离槽270。
如图3h所示，为了保护包括光电转换层230、第一电极210和第二电极250的光电单元200，保护层300通过公知的层压法覆盖部分或全部的光电单元200。保护层300可含有乙烯-醋酸乙烯共聚物(EVA，Ethylene VinylAcetate)。
通过上述工序，得到形成有保护层300的光电单元200，且可在保护层上形成背板(省略图示)。
其次，参照附图对受光层的制造方法进行详细的说明。
图4表示本发明实施例中用于形成受光层的等离子体化学气相沉积装置。如图4所示，形成有第一电极210和p型半导体层231的基板100被设置在起电极作用的极板300上。
另外，在形成受光层的工序之前，为了去除腔室310内的杂质而使真空泵320工作，由此通过角阀330去除腔室310内的杂质以使腔室310内部达到实质上的真空状态。
如果腔室310内部达到实质上的真空状态，则诸如氢气和硅烷的原料气体通过流量控制器MFC1、MFC2和形成有喷嘴的电极340而流入到腔室310内。例如，氢气通过第一流量控制器MFC1流入到腔室，硅烷通过第二流量控制器MFC2流入到腔室。流入的氢气用于稀释硅烷且降低光辐射引致性能衰退效应(Staebler-Wronski effect)。
此时，第一流量控制器MFC1和第二流量控制器MFC2通过控制使氢气和硅烷的流量保持恒定，角阀330也通过控制使腔室310内压力保持恒定。
另一方面，原料气体被流入，且第一电源E1和第二电源E2分别供给具有第一频率f1和第二频率f2的电压，则电极340和极板300之间产生电位差。由此，原料气体呈等离子体状态而使受光层被沉积在p型半导体层231上。
图5表示本发明实施例中为了形成受光层而供给到腔室310内的、第一电源E1和第二电源E2的频率变化。第一电源E1供给具有第一频率f1的第一电压，第二电源E2供给具有第二频率f2的第二电压。此时，如图5所示，具有第一频率f1的第一电压和具有第二频率f2的第二电压被交替供给。另外，第一电压的供给时间t1与第二电压的供给时间t2之比保持恒定。
如上所述，由于氢气与硅烷的流量、腔室310内压力和具有不同频率的电压供给时间之比均保持恒定，因此腔室310内的氢气稀释比，即相对于硅烷流量的氢气流量之比也保持恒定。
如此，由于氢气稀释比保持恒定，因此能够防止因氢气和硅烷的流量变化而在腔室310内形成涡流的现象。特别是，在用于制造大面积的光电装置的腔室310的情况下，增加原料气体引起涡流的可能性，因此氢气与硅烷的流量和腔室310内压力恒定，能够使大面积的光电装置的制造变得更加容易。
另一方面，如图6所示，包括多个子层(sub-layers)233a、233b的受光层233形成在p型半导体层231上。即，当供给具有低于第二频率f2的第一频率f1的第一电压时，形成沉积相对较慢的、含有非晶硅的第一子层233a。另外，当供给具有高于第一频率f1的第二频率f2时，形成沉积相对较快的、含有晶硅晶粒(crystalline silicon grain)的第二子层233b。
频率越高等离子体密度也越高，从而使沉积速度加快且电子温度(electron temperature)降低，因此减少了薄膜表面或界面的离子损伤且使晶体生长变得容易。
第一子层233a是含有非晶硅的氢化非晶硅子层(hydrogenatedamorphous silicon sub-layer)(a-Si:H)，第二子层233b是含有晶硅晶粒(crystalline silicon grain)的氢化原晶硅子层(hydrogenated proto-crystallinesilicon sub-layer)(pc-Si:H)。氢化原晶硅子层233b生成于非晶硅向微晶硅发生相变之前。
如此，当形成包括多个子层233a、233b的受光层时，减少作为初期效率和稳定效率之差的劣化率，因此本发明实施例中的光电装置能够具有较高的稳定效率。
即，由非晶硅构成的第一子层233a阻碍第二子层233b中晶硅晶粒的柱状生长(columnar growth)。如图7所示，与本发明的实施例不同，当受光层仅由原晶硅构成时，形成随着沉积的进行晶硅晶粒G大小越来越大的、晶硅晶粒的柱状生长。
这样的晶硅晶粒的柱状生长不仅增加载流子(carrier)(如空穴或电子等)的再结合率，且因晶硅晶粒的大小不均匀而增加光电装置达到稳定效率的时间，并且降低稳定效率。
但是，如本发明的实施例，当受光层含有多个子层233a、233b时，短层有序(SRO，Short-Range-Order)和中程有序(MRO，Medium-Range-Order)得到提高，因此加快了受光层233的劣化并提高稳定效率。
第一子层233a的非晶硅阻碍晶硅晶粒的柱状生长并使第二子层233b的晶硅晶粒的大小变得均匀，因此不仅缩短光电装置到达稳定效率的时间且达到较高的稳定效率。而且，在沉积期间实质上保持恒定的、腔室310内的氢气稀释比也使第二子层233b的晶硅晶粒的大小变得均匀，因此缩短光电装置到达稳定效率的时间且达到较高的稳定效率。
另外，第二子层233b的晶硅晶粒被非晶硅覆盖着，因此晶粒之间相互分离。分离的晶硅晶粒对部分被捕获的载流子起到辐射复合的关键作用，因此阻碍悬空键的光生，这又降低了包围晶硅晶粒的第二子层233b的非晶硅的非辐射复合。
另一方面，如上所述，在本发明的实施例中用等离子体化学气相沉积法代替光化学气相沉积法(photo-CVD)。当使用光化学气相沉积法时，该方法不适用于大面积光电装置的制造，且随着沉积的进行，薄膜被沉积在光化学气相沉积装置的石英窗上，由此使透射的UV光减少。
由此，沉积率逐渐下降且使第一子层233a和第二子层233b的厚度逐渐减少。相反，等离子体化学气相沉积法能够克服这种光化学气相沉积法的缺点。
图8表示本发明实施例中为了形成受光层而供给到腔室的、第一电源和第二电源的另一频率变化。
如图8所示，沉积期间，具有第一频率f1的电压被持续供给，而对具有高于第一频率f1的第二频率f2的电压被交替供给。由此，沉积时间包括供给具有第一频率f1的电压的时间t1和供给具有第二频率f2的电压的时间t2。
由于按照图8的频率变化来供给电压，因此当供给具有低于第二频率f2的第一频率f1的第一电压时，形成沉积相对较慢的、含有非晶硅的第一子层233a。另外，当供给具有高于第一频率f1的第二频率f2的第二电压时，形成沉积相对较快的、含有晶硅晶粒的第二子层233b。
如此，形成包括第一子层233a和第二子层233b的受光层，其减少了作为初期效率和稳定效率之差的劣化率，因此本发明的光电装置能够具有高的稳定效率。
当按照图5的频率变化来供给电压时，具有第一频率f1的第一电压的供给起点和具有第二频率f2的第二电压的供给终点必须匹配。而且，第一电压的供给终点和第二电源的供给起点也必须匹配。
与此相比，当按照图8的频率变化供给电压时，在沉积期间供给具有相对较低的第一频率f1的第一电压且反复进行具有第二频率f2的第二电压的供给和供给中止。由此，减轻因如图5所示的第一电压和第二电压的供给起点和供给终点不匹配带来的负担。
在本发明的实施例中，第一频率f1可以为13.56MHz以上。第二频率f2高于第一频率f1。
另一方面，在本发明的实施例中，由非晶硅构成的第一子层233a的厚度可以为10nm以上。另外，在一个周期P内所形成的第一子层233a和第二子层233b的厚度之和可以为50nm以下，优选30nm以下。
此时，在三个以上的周期P内所形成的、含有第一子层233a和第二子层233b的受光层的厚度可以为150nm～350nm。
例如，当一个周期P内所形成的第一子层233a和第二子层233b的厚度之和为50nm时，经过三个周期能够形成具有150nm厚度的、含有三个第一子层233a和三个第二子层233b的受光层233。
在未满三个周期期间，形成厚度为150nm～350nm的受光层233时，由非晶硅层构成的第一子层233a的厚度过厚。由此增加了非晶硅层中的再结合而使稳定效率降低。
晶硅晶粒的直径可以为3nm～10nm。若直径小于3nm，则难以形成晶硅晶粒且降低太阳能电池的劣化率的减少效果。另外，当晶硅晶粒的直径大于10nm时，晶硅晶粒周围的晶界(grain boundary)体积过度增大而使再结合也增加，由此可能降低效率。
这样的受光层包括在单一接合光电装置或者多重接合串联光电装置的顶部单元时，光学能隙可以为1.85eV～2.0eV。顶部单元是包括多个光电转换层的光电装置中光最先入射到的光电转换层。
晶硅晶粒的形成通过量子点(Quantum Dots)产生量子效果，由此根据本发明实施例的受光层233具有1.85eV～2.0eV的较大光学能隙。若光学能隙大于1.85eV，则能够吸收很多能量密度高的短波长区域的光。若光学能隙大于2.0eV，则难以形成包括多个子层233a、233b的受光层233且减少了光的吸收，由此可能因短路电流的减少而导致效率降低。
包括多个子层233a、233b的受光层233的平均氢气含量可以为15atomic％～25atomic％。若受光层的平均氢气含量小于15atomic％，则量子点的大小和密度较小，因此受光层233的能隙也小而可能导致劣化率变大。另外，若受光层233的平均氢气含量大于25atomic％，则晶硅晶粒的大小变得过大且包围晶硅晶粒的、不稳定的非晶硅体积也会变大，因此可能导致劣化率增加。
另一方面，形成受光层233时，不仅将氢气和硅烷流入腔室310内，而且也可以将诸如氧气、碳或锗的原料气体流入腔室310内。此时，如氧气、碳或锗等原料气体的流量能够保持恒定。由于氧气、碳或锗等原料气体的流量保持恒定，因此能够使第一子层233a和第二子层233b的薄膜保持恒定。
当氧气流入腔室310时，第一子层233a和第二子层233b含有氢化非晶氧化硅(i-a-SiO:H)。此时，第二子层233b的晶硅晶粒被氢化非晶氧化硅包围。通过流入氧气而形成包括多个子层233a、233b的受光层233时，受光层233的厚度为150nm～300nm，受光层233的平均氧气含量可以为0atomic％～3atomic％，受光层233的光学能隙可以为1.85eV～2.1eV。
当碳流入腔室310内时，第一子层233a和第二子层233b含有氢化非晶硅碳化物(i-a-SiO:H)且第二子层233b的晶硅晶粒被氢化非晶硅碳化物包围。通过流入碳而形成包括多个子层233a、233b的受光层233时，受光层233的厚度为150nm～300nm，受光层233的平均碳含量可以为0atomic％～3atomic％，受光层233的光学能隙可以为1.85eV～2.1eV。
对于通过流入氧气或碳而形成的受光层233，若其光学能隙大于1.85eV，则能够吸收很多能量密度高的短波长区域的光。另外，若光学能隙大于2.1eV，则难以形成包括多个子层233a、233b的受光层233且减少了光的吸收，由此可能因短路电流的减少而导致效率降低。
对于通过流入氧气或碳而形成的受光层233，若其平均氧气含量或平均碳含量大于3atomic％，则受光层233的光学能隙急剧变大且悬空键(danglingbond)密度也急剧增加，由此可能因短路电流和填充因子(FF，Fill Factor)减少而导致效率降低。
如此，通过流入氧气或碳而形成的受光层233可以包括在多重接合光电装置的顶部单元。
当锗流入腔室310内时，第一子层233a和第二子层233b含有氢化非晶硅锗(i-a-SiGe:H)且第二子层233b的晶硅晶粒被氢化非晶硅锗包围。通过流入锗而形成包括多个子层233a、233b的受光层233时，受光层233的厚度为300nm～1000nm，受光层233的平均锗含量可以为0atomic％～20atomic％，受光层233的光学能隙可以为1.3eV～1.7eV。对于通过流入锗而形成的受光层233，若其光学能隙为1.3eV～1.7eV，则防止受光层233的沉积率急剧下降且使悬空键密度和再结合减少，因此能够防止效率的低下。
对于通过流入锗而形成的受光层233，若其锗含量大于20atomic％，则受光层233的沉积率急剧下降且悬空键密度的增加引起再结合的增加，因此会降低短路电流、填充因子和效率。
另一方面，在通过流入氧气、碳或锗而形成受光层233时，受光层233的平均氢气含量可以为15atomic％～25atomic％。
如此，通过锗的流入而形成的受光层233能够包括在含有两个光电转换层230的二重接合光电装置的底部单元(bottom cell)，或者能够包括在含有三个光电转换层230的三重接合光电装置的中间单元(middle cell)。
即，由于通过锗的流入而形成的受光层233的光学能隙为1.3eV～1.7eV，其小于使用于顶部单元的受光层的光学能隙1.85eV～2.0eV。因此，为了吸收未在顶部单元吸收的、除了短波长区域的光之外的光，可以使用二重接合光电装置的底部单元或者包括三个光电转换层230的三重接合光电装置的中间单元。
另一方面，平均锗含量可以为大于0atomic％且20atomic％以下，这可能因其大于碳或者氧气的平均含量而使沉积速度下降。由此，第一频率f1可以为大于13.56MHz的27.12MHz以上，若第一频率f1变大，则沉积率得到提高且能够顺利形成量子点。

Claims (24)

1.一种光电装置，包括：
基板；
第一电极，设置在所述基板上；
至少一个光电转换层，设置在所述第一电极上，且包括受光层；
第二电极，设置在所述光电转换层上；
其中，包括在所述至少一个光电转换层的受光层，包括：
第一子层，含有氢化非晶硅；
第二子层，含有晶硅晶粒。
2.根据权利要求1所述的光电装置，其特征在于：所述晶硅晶粒的直径为3nm～10nm。
3.根据权利要求1所述的光电装置，其特征在于：所述受光层的平均氢气含量为15atomic％～25atomic％。
4.一种光电装置的制造方法，包括以下步骤：
在基板上形成第一电极；
在腔室内于所述第一电极上形成包括受光层的至少一个光电转换层；
在所述光电转换层上形成第二电极；
其中，形成所述受光层期间，流入到所述腔室内的原料气体的氢气稀释比恒定；
形成所述受光层期间，朝向所述腔室中形成有喷嘴的电极交替供给具有第一频率的第一电压和具有高于所述第一频率的第二频率的第二电压。
5.一种光电装置的制造方法，包括以下步骤：
在基板上形成第一电极；
在腔室的所述第一电极上形成包括受光层的至少一个光电转换层；
在所述光电转换层上形成第二电极；
其中，形成所述受光层期间，流入到所述腔室的氢气和硅烷的流量恒定；
形成所述受光层期间，朝向所述腔室中形成有喷嘴的电极持续供给具有第一频率的第一电压，且交替供给具有高于所述第一频率的第二频率的第二电压。
6.根据权利要求4或5所述的光电装置的制造方法，其特征在于：形成所述受光层期间，所述腔室的压力恒定。
7.根据权利要求4或5所述的光电装置的制造方法，其特征在于：供给所述第一电压和所述第二电压的供给时间之比保持恒定。
8.根据权利要求4或5所述的光电装置的制造方法，其特征在于：供给所述第一电压期间，形成含有非晶硅的第一子层；
供给所述第二电压期间，形成含有晶硅晶粒的第二子层。
9.根据权利要求4或5所述的光电装置的制造方法，其特征在于：所述第一频率为13.56MHz以上。
10.根据权利要求4或5所述的光电装置的制造方法，其特征在于：所述受光层的厚度为150nm～350nm。
11.根据权利要求4或5所述的光电装置的制造方法，其特征在于：所述受光层包括供给所述第一电压期间所形成的第一子层和供给所述第二电压期间所形成的第二子层；以及
所述第一子层的厚度为10nm以上。
12.根据权利要求4或5所述的光电装置的制造方法，其特征在于：所述受光层包括供给所述第一电压期间所形成的第一子层和供给所述第二电压期间所形成的、含有晶硅晶粒的第二子层；
所述晶硅晶粒的直径为3nm～10nm以下。
13.根据权利要求4或5所述的光电装置的制造方法，其特征在于：所述受光层包括供给所述第一电压期间所形成的第一子层和供给所述第二电压期间所形成的第二子层；
一个周期内所形成的所述第一子层和第二子层的厚度为50nm以下。
14.根据权利要求4或5所述的光电装置的制造方法，其特征在于：所述受光层的光学能隙为1.85eV～2.0eV。
15.根据权利要求4或5所述的光电装置的制造方法，其特征在于：形成所述受光层时，氧气、碳或者锗流入所述腔室。
16.根据权利要求4或5所述的光电装置的制造方法，其特征在于：形成所述受光层时，氧气、碳或者锗流入所述腔室；
所述氧气、碳或者锗的流量在沉积期间保持恒定。
17.根据权利要求4或5所述的光电装置的制造方法，其特征在于：形成所述受光层时，氧气、碳或者锗流入所述腔室；
所述受光层包含在所述多个光电转换层中光最先入射到的光电转换层。
18.根据权利要求4或5所述的光电装置的制造方法，其特征在于：所述受光层的平均氢气含量为15atomic％～25atomic％。
19.根据权利要求4或5所述的光电装置的制造方法，其特征在于：形成所述受光层时，氧气、碳或者锗流入所述腔室；
所述受光层的平均氢气含量为15atomic％～25atomic％。
20.根据权利要求4或5所述的光电装置的制造方法，其特征在于：形成所述受光层时，氧气或者碳流入所述腔室；
所述受光层的平均氧气含量或者平均碳含量大于0atomic％且3atomic％以下。
21.根据权利要求4或5所述的光电装置的制造方法，其特征在于：形成所述受光层时，氧气或者碳流入所述腔室；
所述受光层的光学能隙为1.85eV～2.1eV。
22.根据权利要求4或5所述的光电装置的制造方法，其特征在于：形成所述受光层时，锗流入所述腔室；
所述受光层的平均锗含量大于0atomic％且20atomic％以下。
23.根据权利要求4或5所述的光电装置的制造方法，其特征在于：形成所述受光层时，锗流入所述腔室；
所述受光层的光学能隙为1.3eV～1.7eV。
24.根据权利要求4或5所述的光电装置的制造方法，其特征在于：形成所述受光层时，锗流入所述腔室；
所述第一频率为27.12MHz以上。
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