CN101908458B - 一种矩形刻蚀离子枪 - Google Patents
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Abstract
一种矩形刻蚀离子枪，其包括：由下至上同轴放置的第一、第二、第三和第四极靴；位于第一和第二极靴端面间的第一磁铁；位于第二和第三极靴端面间的第二磁铁；位于第三极靴上端面之上的第四极靴；位于第二磁铁内的矩形环状上阳极；位于第一磁铁与矩形管之间的矩形环状下阳极；矩形环状下阳极的上端面为外高内低的矩形锥面；搭置于第四极靴上端面的弧形板状屏栅；悬空置于屏栅上方的弧形板状加速栅；设于第一极靴下表面中心处的底座，底座覆盖矩形管的内孔；阴极灯固定在底座上且位于矩形管内；灯丝位于矩形环状上阳极的矩形环内；充气管穿过底座位于矩形管与阴极灯之间，并与氩气源相通。具有刻蚀用气量小，体积小，功耗低和离子束均匀等优点。
Description
技术领域
发明属于用于刻蚀石英晶体的离子枪设备，特别涉及一种矩形刻蚀离子枪。
技术背景：
随着信息技术的发展，电子元器件越来越小型化，石英晶体作为时钟的关键部件(芯片)也越来越小。用于时钟的石英晶体必须通过频率调控(即石英晶体所镀银层厚度的调控)才能保证时钟的准确性。通常，石英晶体频率调控有两种方式，一种是通过对石英晶体进行真空蒸发镀银层的方式来控制石英晶体银层厚度(石英晶体频率调控)，这种方式适合大尺寸石英晶体，蒸镀的银层和石英晶体之间的结合力是张应力，这种张应力比较小，银层层致密度小。另外一种是通过真空磁控溅射的方法对石英晶体进行镀银，镀的银层和石英晶体结合力为压应力，这种压应力比较大，银层致密度也大；这种方法换需通过离子刻蚀的方法对银层进行刻蚀，减小银层层厚度，达到调整石英晶体频率的目的，这种调频方式适合小尺寸石英晶体(SMD)。目前用于对石英晶体频进行离子刻蚀调控的设备只有日本昭和真空(昭和真空微调机SFE-6230)和美国SAUNDERS(W-5910)能够生产。日本昭和真空微调机的每个离子枪是圆形的，只能同时刻蚀微调2颗晶体，但每个晶体的刻蚀微调速度快(对于12M晶体一般每秒刻蚀速度达2000PPM/S)，为了增加产能，昭和真空微调机SFE-6230使用两个离子枪，能刻四棵晶体；昭和真空微调机SFE-6230的栅网结构图3，栅网两簇孔，每簇孔刻一个石英晶体。美国SAUNDERS(W-5910)能同时刻蚀两排，每排8棵，所以能同时刻16颗，但每个晶体的刻蚀微调速度较慢；图4为美国SAUNDERS(W-5910)圆形栅网的结构示意图。
目前用于石英晶体离子刻蚀微调的设备均是国外进口设备，造成国内大企业花大量外汇进口该设备，同时也无法保证设备的售后服务，设备一旦出了问题，停工待产，同时还需付大量的维护费用，小企业一般无力购买。而随着石英晶体小型化，小体积的石英晶体频率精确微调市场也在逐步扩大，国内若要制造石英晶体频率微调机，使国内整个石英晶体微调行业生产成本降低，同时也有可靠的售后服务，保证生产的顺利进行，就必须研制开发出自已的体积小，功耗低，离子束均匀的刻蚀速度快的离子枪。
图5所示的是中国科学院空间科学与应用研究中心的6厘米圆形离子枪，屏栅 和加速栅均是圆形平板，两个极靴等高，且小于25厘米，仅适用小于8厘米离子源的刻蚀。
图6所示的是中国科学院空间科学与应用研究中心的12厘米圆形离子枪，屏栅和加速栅均是向外凸出的球贯形状，多了一个极靴将上阳极分成两段，这样也就将上阳极表面的磁力线分成了两段，造成阴极损耗加大，阴极灯丝寿命缩短；另外由于屏栅和加速栅均是向外凸出的球贯形状仅适用于材料的离子清洗或光学离子辅助镀膜。
图7所示的是中国科学院空间科学与应用研究中心的8厘米圆形离子枪，其屏栅和加速栅均为盘形栅；由于盘形栅的聚焦范围小，无法刻蚀长宽比较大的器件；由于仅有一个上阳极；采用的是发散型磁场，其离子束均匀性差。
发明内容
本发明目的克服上述国内外圆形离子枪存在的诸多缺陷，提供一种刻蚀用气量小，体积小，功耗低，离子束均匀的用于石英晶体频率微调的矩形刻蚀离子枪，该矩形刻蚀离子枪可以填补国内晶体离子微调机用的离子枪空白，为国内研制离子刻蚀微调机提供可靠保证，可以节约大量外汇。
本发明的技术方案如下：
本发明提供的矩形刻蚀离子枪，其包括：极靴、位于极靴端面之间的磁铁、上阳极、下阳极、阴极灯、屏栅和加速栅；其特征在于：
所述极靴由从下至上同轴放置的一第一极靴2、第二极靴4、第三极靴7和第四极靴8组成；
所述第一极靴2为上表面中心带有一矩形管的环状矩形板；所述第二极靴4、第三极靴7和第四极靴8均为环状矩形板；
所述磁铁由第一磁铁3和第二磁铁5组成；
第一磁铁3位于所述第一极靴2和所述第二极靴4端面之间；
第二磁铁5位于所述第二极靴4和所述第三极靴7端面之间；
所述第四极靴8位于所述第三极靴7上端面之上；
所述第一极靴2、第一磁铁3、第二极靴4、第二磁铁5、第三极靴7和第四极靴8构成外表面为矩形的一整体；
所述上阳极为位于所述第二磁铁5之内的矩形环状上阳极6；
所述下阳极为位于所述第一磁铁3与所述第一极靴2的矩形管之间的矩形环状下阳极1；所述矩形环状下阳极1的上端面为外高内低的矩形锥面；
所述屏栅为搭置于所述第四极靴8上端面上的一弧形板状屏栅9；
所述加速栅为悬空置于所述弧形板状屏栅9上方0.5-2毫米的一弧形板状加速栅10；
一设于所述第一极靴2下表面中心处的底座19，所述底座19覆盖所述第一极靴2的矩形管的内孔；
所述阴极灯固定于所述底座19上且位于所述第一极靴2的矩形管内；所述阴极灯灯丝位于所述矩形环状上阳极6的矩形环内；所述阴极灯灯丝为钍钨丝或碳化钼镧丝；和
穿过所述底座19且位于所述第一极靴2的矩形管与所述阴极灯之间的与氩气源相连通的充气管18；
所述第一磁铁3的磁通量为0.5-1韦伯；
所述第二磁铁5的磁通量为0.1-0.5韦伯。
所述矩形环状上阳极6的高度为25mm到100mm；所述矩形环状上阳极6的四个角为半径不小于3mm的圆角。
所述第二极靴4与所述第三极靴7之间的垂向距离为28-103mm；所述第一极靴2与所述第二极靴4之间的垂向距离为10-50mm；所述矩形环状下阳极1的上端面低于所述第二极靴4下表面2-3毫米。
所述第二极靴4的内环尺寸比所述矩形环状上阳极6内环尺寸小1-15mm。
所述第四极靴8的内环尺寸比所述矩形环状上阳极6外环尺寸小1-15mm。
所述第二极靴4的四个圆角的半径和所述第四极靴8的四个圆角的半径均比所述矩形环状上阳极6的四个圆角的半径大1-10mm。
所述矩形环状下阳极1的外形尺寸和矩形环状上阳极6的外形尺寸均小于所述第三矩形环状极靴7内形尺寸。
所述屏栅9和所述加速栅10的曲率半径均为50-200mm。
所述第一磁铁3由4到20枚垂向放置的磁棒组成；所述第二磁铁5由2到10枚垂向放置的磁棒组成。
在本发明的矩形刻蚀离子枪的弧形板状屏栅9和弧形板状加速栅10的焦点(焦距为50-200mm)位置处放置一可移动挡板17，所述可移动挡板17上装有两排石英晶体(及第一石英晶体13和第二石英晶体14)，两排石英晶表面上均覆有银层；
通过充气管18对所述矩形刻蚀离子枪内充氩气，并加热阴极灯丝11，阴极灯丝11发射的电子向在矩形环状上阳极6和矩形环状下阳极1运动，在运动过程中由于 受到第二磁钢5和第一磁钢3所产生的磁场约束，使阴极灯丝11发射的电子不能直接到达阳极，延长了电子运动轨迹，相应的增加了电子和通过充气管18所充氩气的碰撞几率，增大了氩气的离华率，产生气体放电，产生等离子体，又由于第二磁钢5和第一磁钢3所产生的磁场只在所临近的阳极附近很小的区域，使阳极内绝大部分空间为无磁场区；对于矩形环状下阳极1由于第二极靴4的存在，使整个等离子体比较均匀，即等离子体的矩形度比较好；均匀的等离子体通过弧形板状屏栅9和弧形板状加速栅10组成的离子光学加减速系统有利于拔出均匀的离子束。
离子束通过有一定弧度(曲率半径均为50-200mm)的弧形板状屏栅9和弧形板状加速栅10聚焦在可移动挡板17上的第一石英晶体13和第二石英晶体14的银层上，对所述第一石英晶体13和第二石英晶体14的银层进行刻蚀，从而达到石英晶体频率微调的目的。
本发明的矩形刻蚀离子枪由于采用了聚焦束(离子束通过有一定弧度的弧形板状屏栅9和弧形板状加速栅10聚焦在可移动挡板17上，图3所示为弧形板状屏栅9和弧形板状加速栅的栅网形状，其上基本布满了孔，每个孔出来的束流不大，离子束流被弧形板状加速栅10俘获的离子束流较小，从而保证了加速栅网寿命较长。图4的圆形栅网上只布了一长条孔，而图5的栅网只在轴对称位置布非常少的孔，每个孔出来的束流很大，离子束流被加速栅网俘获的离子束流较大，导致栅网寿命较短)，离子束流密度比较大，刻蚀速度快，能同时刻2排，每排16颗，对于12M晶体每秒刻蚀速度达5000PPM/S，最低达1PPM/S。由于采用了边缘磁场(如图1所示磁力线12分布在磁钢5边缘，即大无磁场区的磁场结构)，使磁力线只分布在矩形上、下阳极(即矩形环状下阳极1和矩形环状上阳极6)很小的部分，该俩阳极的绝大部分矩形空间为无场区，阴极灯丝11发射的电子均匀分布在整个矩形空间，由于第一极靴2的存在，使放电产生的等离子体上下分布比较均匀，以上设计保证了等离子体在放电室(即两阳极组成的矩形空间)内的均匀性；可以满足离子刻蚀微调机对离子枪的要求，其离子束均匀，刻蚀速度高，还可降低离子枪温度。
本发明的矩形刻蚀离子枪可填补了国内晶体离子微调机用的离子枪空白，为国内研制离子刻蚀微调机提供了可靠保证；晶体离子刻蚀微调机的价格在200万到300万之间，随着自主知识产权矩形矩形刻蚀离子枪研制成功，晶体离子刻蚀微调机的价格必将大幅度的下降，使国内大部分行内企业大量采用晶体离子刻蚀微调机，晶体离子刻蚀微调机使国内晶体行业的产品更有竞争力，由于现在经济危机，国外很多使用离子刻蚀微调机的企业，纷纷倒闭，由于国内劳动力低廉，大量的晶体微调 业务正逐步移向国内，使离子刻蚀微调机在国内需求增加。他的出现，必然以较低的价格促进国内厂商普遍采用离子刻蚀微调机。从而带动国内晶体大量出口，从而为中国经济贡献一份力量。
综上所述，本发明的矩形刻蚀离子枪优点如下：
本发明的矩形刻蚀离子枪的矩形离子抢，有利于刻蚀长而窄(横纵比大)的工件，整个离子枪体积小，放电功耗小，阴极灯丝加热电流小，阴极灯丝寿命长。
本发明的矩形刻蚀离子枪采用聚焦离子束，增加了焦点离子束流密度，而每个石英晶体尺寸很小，大约5mm×5mm，只要把离子束流集中在石英晶体尺寸之内，就可以保证很高的刻蚀速度。加速栅寿命较长；其离子束均匀，刻蚀速度高，离子枪温度低，磁场分布，等离子体分布均匀。
附图说明
图1为本发明的结构示意图；
图2为本发明的弧形板状屏栅9和弧形板状加速栅10结构示意图；
图3为昭和真空微调机SFE-6230的栅网示意图；
图4为美国SAUNDERS W-5910栅网示意图；
图5为已有技术中的6厘米圆形刻蚀离子枪结构示意图；
图6为已有技术中的12厘米圆形刻蚀离子枪结构示意图；
图7为已有技术中的8厘米圆形刻蚀离子枪结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图及实施例进一步描述本发明：
图1为本发明的结构示意图；图2为本发明的弧形板状屏栅9和弧形板状加速
栅10结构示意图；由图可知，本发明提供的矩形刻蚀离子枪，其包括：极靴、位于极靴端面之间的磁铁、上阳极、下阳极、阴极灯、屏栅和加速栅；其特征在于：
所述极靴由从下至上同轴放置的一第一极靴2、第二极靴4、第三极靴7和第四极靴8组成；
所述第一极靴2为上表面中心带有一矩形管的环状矩形板；所述第二极靴4、第三极靴7和第四极靴8均为环状矩形板；
所述磁铁由第一磁铁3和第二磁铁5组成；
第一磁铁3位于所述第一极靴2和所述第二极靴4端面之间；
第二磁铁5位于所述第二极靴4和所述第三极靴7端面之间；
所述第四极靴8位于所述第三极靴7上端面之上；
所述第一极靴2、第一磁铁3、第二极靴4、第二磁铁5、第三极靴7和第四极靴8构成外表面为矩形的一整体；
所述上阳极为位于所述第二磁铁5之内的矩形环状上阳极6；
所述下阳极为位于所述第一磁铁3与所述第一极靴2的矩形管之间的矩形环状下阳极1；所述矩形环状下阳极1的上端面为外高内低的矩形锥面；
所述屏栅为搭置于所述第四极靴8上端面上的一弧形板状屏栅9；
所述加速栅为悬空置于所述弧形板状屏栅9上方0.5-2毫米的一弧形板状加速栅10；
一设于所述第一极靴2下表面中心处的底座19，所述底座19覆盖所述第一极靴2的矩形管的内孔；
所述阴极灯固定于所述底座19上且位于所述第一极靴2的矩形管内；
所述阴极灯灯丝位于所述矩形环状上阳极6的矩形环内；所述阴极灯灯丝为碳化钼镧丝、钍钨丝或碳化钼镧丝；和
穿过所述底座19且位于所述第一极靴2的矩形管与所述阴极灯之间的与氩气源相连通的充气管18；
所述第一磁铁3的磁通量为0.5-1韦伯；
所述第二磁铁5的磁通量为0.1-0.5韦伯。
所述矩形环状上阳极6的高度为25mm到100mm；所述矩形环状上阳极6的四个角为半径不小于3mm的圆角。
所述第二极靴4与所述第三极靴7之间的垂向距离为28-103mm；所述第一极靴2与所述第二极靴4之间的垂向距离为10-50mm；所述矩形环状下阳极1的上端面低于所述第二极靴4下表面2-3毫米。
所述第二极靴4的内环尺寸比所述矩形环状上阳极6内环尺寸小1-15mm。
所述第四极靴8的内环尺寸比所述矩形环状上阳极6外环尺寸小1-15mm。
所述第二极靴4的四个圆角的半径和所述第四极靴8的四个圆角的半径均比所述矩形环状上阳极6的四个圆角的半径大1-10mm。
所述矩形环状下阳极1的外形尺寸和矩形环状上阳极6的外形尺寸均小于所述第三矩形环状极靴7内形尺寸。
所述屏栅9和所述加速栅10的曲率半径均为50-200mm。
所述第一磁铁3由4到20枚垂向放置的磁棒组成；所述第二磁铁5由2到10枚垂 向放置的磁棒组成。
实施例1：
如图1所示，本实施例的由所述第一极靴2、第一磁铁3、第二极靴4、第二磁铁5、第三极靴7和第四极靴8构成外表面为矩形的一整体；
所述第一极靴2为上表面中心带有一矩形管的环状矩形板，其环状矩形板的外形尺寸为：90mm(宽)*150mm(长)*5mm(厚)，单边宽度25mm；矩形管尺寸为：40mm(宽)*110mm(长)*20mm(高)，矩形管管壁厚度为2mm；
所述第二极靴4为环状矩形板，其外形尺寸为：90mm(宽)*150(长)*2mm(厚)，单边宽度为10mm
第三极靴7为环状矩形板，其外形尺寸为：90mm(宽)*150mm(长)*5mm(厚)，单边宽度为5mm；
第四极靴8为环状矩形板，其外形尺寸为：90mm(宽)*150mm(长)*10mm(厚)，单边宽度为10mm；
第二极靴4与第三极靴7之间的垂向距离在28-103mm之间；第一极靴2与第二极靴4之间的垂向距离在10-50mm之间；矩形环状下阳极1的上端面低于第二极靴4下表面2-3毫米。
矩形环状上阳极6位于第二磁铁5之内，该矩形环状上阳极6的外形尺寸为：60mm(宽)*120mm(长)*30mm(高)；其高度在25mm-100mm均可；矩形环状上阳极6的四个角为半径不小于3mm的圆角；第二极靴4的内环尺寸比矩形环状上阳极6的内环尺寸大1mm-15mm；
矩形环状下阳极1位于第一磁铁3与所述第一极靴2的矩形管之间；该矩形环状下阳极1的上端面为外高内低的矩形锥面(本实施例的矩形锥面的锥度为30度)；该矩形环状下阳极1的外形尺寸为：60mm(宽)*120mm(长)*10mm(厚)，单边宽度为10mm；
底座19位于第一极靴2下表面中心处并盖住第一极靴2的矩形管，
阴极灯固定在底座19上，阴极灯灯丝位于矩形环状上阳极6的矩形环内；本实施例的阴极灯灯丝为碳化钼镧丝(当然也可以为钍钨丝或碳化钼镧丝)；
充气管18穿过底座19位于第一极靴2的矩形管与阴极灯之间，充气管18与外置的氩气源相连通；
弧形板状屏栅9搭置于第四极靴8上端面上，其曲率半径为200mm(曲率半径在50-200mm之间均可)，其材质为钼，其上分布几乎布满整个板面的孔径为2mm的小孔；
悬空置于弧形板状屏栅9上方0.5-2毫米的弧形板状加速栅10的曲率半径与弧形板状屏栅9的曲率半径相同，其材质为钼：其上分布几乎布满整个板面的孔径为2mm的小孔；
本实施例1的第一磁铁3的磁通量为1韦伯(实际上，第一磁铁3的磁通量在0.5-1韦伯之间均可)；本实施例的第二磁铁5的磁通量在0.1韦伯(实际上，第二磁铁5的磁通量在0.1-0.5韦伯之间均可)；需要说明的是第一磁铁5的磁通量应小于或等于第二磁铁3的磁通量。
上面所说的单边宽度是指：环状矩形板横截面上的内外环尺寸差的一半；
本发明的第三极靴7和第四极靴8实际上是一个极靴，之所以做成两件，是为了便于拆卸以取出矩形环状上阳极6进行清洗用；
本实施例的第一磁钢3可由4至20枚垂向放置的磁棒组成；
所述第二极靴4的四个圆角的半径和所述第四极靴8的四个圆角的半径均比所述矩形环状上阳极6的四个圆角的半径大1-10mm。
使用时，在弧形板状屏栅9和弧形板状加速栅10的焦点(焦距为50-200mm)位置处放置一可移动挡板17，所述可移动挡板17上装有两排石英晶体(及第一石英晶体13和第二石英晶体14)，两排石英晶体表面上均覆有银层；
通过充气管18对所述矩形刻蚀离子枪内充氩气，并加热阴极灯丝11，阴极灯丝11发射的电子向在矩形环状上阳极6和矩形环状下阳极1运动，在运动过程中由于受到第二磁钢5(可由2至10枚垂向放置的磁棒组成)和第一磁钢3(可由4至20枚垂向放置的磁棒组成)所产生的磁场约束，使阴极灯丝11发射的电子不能直接到达阳极，延长了电子运动轨迹，相应的增加了电子和通过充气管18所充氩气的碰撞几率，增大了氩气离华率，产生气体放电，产生等离子体，又由于第二磁钢5和第一磁钢3所产生的磁场只在所临近的阳极附近很小的区域，使阳极内绝大部分空间为无磁场区；对于矩形环状下阳极1由于第二极靴4的存在，使整个等离子体比较均匀，即等离子体的矩形度比较好；均匀的等离子体通过弧形板状屏栅9和弧形板状加速栅10组成的离子光学加减速系统有利于拔出均匀的离子束。
离子束通过有一定弧度(曲率半径均为50-200mm均可)的弧形板状屏栅9和弧形板状加速栅10聚焦在可移动挡板17上的第一石英晶体13和第二石英晶体14的银层上，对所述第一石英晶体13和第二石英晶体14的银层进行刻蚀，从而达到石英晶体频率调控的目的。
Claims (9)
1.一种矩形刻蚀离子枪，其包括：极靴、位于极靴端面之间的磁铁、上阳极、下阳极、阴极灯、屏栅和加速栅；其特征在于：
所述极靴由从下至上同轴放置的一第一极靴(2)、第二极靴(4)、第三极靴(7)和第四极靴(8)组成；
所述第一极靴(2)为上表面中心带有一矩形管的环状矩形板；所述第二极靴(4)、第三极靴(7)和第四极靴(8)均为环状矩形板；
所述磁铁由第一磁铁(3)和第二磁铁(5)组成；
第一磁铁(3)位于所述第一极靴(2)和所述第二极靴(4)端面之间；
第二磁铁(5)位于所述第二极靴(4)和所述第三极靴(7)端面之间；
所述第四极靴(8)位于所述第三极靴(7)上端面之上；
所述第一极靴(2)、第一磁铁(3)、第二极靴(4)、第二磁铁(5)、第三极靴(7)和第四极靴(8)构成外表面为矩形的一整体；
所述上阳极为位于所述第二磁铁(5)之内的矩形环状上阳极(6)；
所述下阳极为位于所述第一磁铁(3)与所述第一极靴(2)的矩形管之间的矩形环状下阳极(1)；所述矩形环状下阳极(1)的上端面为外高内低的矩形锥面；
所述屏栅为搭置于所述第四极靴(8)上端面上的一弧形板状屏栅(9)；
所述加速栅为悬空置于所述弧形板状屏栅(9)上方0.5-2毫米的一弧形板状加速栅(10)；
一设于所述第一极靴(2)下表面中心处的底座(19)，所述底座(19)覆盖所述第一极靴(2)的矩形管的内孔；
所述阴极灯固定于所述底座(19)上且位于所述第一极靴(2)的矩形管内；所述阴极灯灯丝位于所述矩形环状上阳极(6)的矩形环内；所述阴极灯灯丝为钍钨丝或碳化钼镧丝；和
穿过所述底座(19)且位于所述第一极靴(2)的矩形管与所述阴极灯之间的与氩气源相连通的充气管(18)；
所述第一磁铁(3)的磁通量为0.5-1韦伯；
所述第二磁铁(5)的磁通量为0.1-0.5韦伯。
2.按权利要求1所述的矩形刻蚀离子枪，其特征在于，所述矩形环状上阳极(6)的高度为25mm到100mm；所述矩形环状上阳极(6)的四个角为半径不小于3mm的圆角。
3.按权利要求1所述的矩形刻蚀离子枪，其特征在于，所述第二极靴(4)与所述第三极靴(7)之间的垂向距离为28-103mm；所述第一极靴(2)与所述第二极靴(4)之间的垂向距离为10-50mm；所述矩形环状下阳极(1)的上端面低于所述第二极靴(4)下表面2-3毫米。
4.按权利要求1所述的矩形刻蚀离子枪，其特征在于，所述第二极靴(4)的内环尺寸比所述矩形环状上阳极(6)内环尺寸小1-15mm。
5.按权利要求1所述的矩形刻蚀离子枪，其特征在于，所述第四极靴(8)的内环尺寸比所述矩形环状上阳极(6)外环尺寸小1-15mm。
6.按权利要求1所述的矩形刻蚀离子枪，其特征在于，所述第二极靴(4)的四个圆角的半径和所述第四极靴(8)的四个圆角的半径均比所述矩形环状上阳极(6)的四个圆角的半径大1-10mm。
7.按权利要求1所述的矩形刻蚀离子枪，其特征在于，所述矩形环状下阳极(1)的外形尺寸和矩形环状上阳极(6)的外形尺寸均小于所述第三矩形环状极靴(7)内形尺寸。
8.按权利要求1所述的矩形刻蚀离子枪，其特征在于，所述屏栅(9)和所述加速栅(10)的曲率半径均为50-200mm。
9.按权利要求1所述的矩形刻蚀离子枪，其特征在于，所述第一磁铁(3)由4到20枚垂向放置的磁棒组成；所述第二磁铁(5)由2到10枚垂向放置的磁棒组成。
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