CN101900934A - 用多边形光学近似修正线端的方法 - Google Patents
用多边形光学近似修正线端的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101900934A CN101900934A CN2009100573411A CN200910057341A CN101900934A CN 101900934 A CN101900934 A CN 101900934A CN 2009100573411 A CN2009100573411 A CN 2009100573411A CN 200910057341 A CN200910057341 A CN 200910057341A CN 101900934 A CN101900934 A CN 101900934A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- correction
- line end
- polygonal
- limit
- optics
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
本发明公开了一种用多边形光学近似修正线端的方法，包括如下步骤：(1)从电路设计版图中找出线端图形；(2)对步骤(1)中线端进行仿真评估，并决定对线端的光学临近修正采用多边形的边数，该多边形的边数大于五条边；(3)对电路设计版图进行模型式光学临近修正，线端修正采用步骤(2)所决定的多边形。本发明是在传统的模型式光学临近修正对线端采用锤头型的基础上把五条边变成大于五条边，这样在光学临近修正中对线端的修正中有大于五条边可供调整，比传统的方法多了更多条边的修正，这样给光学临近修正提供了更多的灵活性，可以满足修正的要求。
Description
技术领域
本发明属于半导体集成电路制造领域，涉及一种光学临近修正方法，尤其涉及一种用多边形光学近似修正线端的方法。
背景技术
在先进光刻工艺中，因曝光图形尺寸的缩小，须对光掩模图形进行预先的光学临近修正(Optical Proximity Correction，简称OPC)，来弥补由光学系统的有限分辨率造成的光学临近效应。传统的模型式光学临近修正(model based OPC)对线端(Line End，简称LE)是采用加锤头(Hammerhead)的修正方法(见图2和图3)。这种锤头型有五条边可供OPC调整(见图2和图3)，但这在Line End修正中有时不足以满足修正要求(见图5，图6)。因Poly(多晶硅)层的LE(Line End线端)伸出Active(有源区)层比较短，故希望Poly层的LE在硅片上的图形胖一些，以保证刻蚀后Poly LE缩头较少，但同时要求近邻LE的Poly线段CD(关键尺寸)和原始设计一致，没有波动。如图2的修正办法，近邻线端11的Poly线段12的CD和原始设计一致，但线端11形状太尖，不符合要求(见图5)；如图3的修正办法，线端21形状胖一些，但近邻线端21的Poly线段22的CD有波动，不符合要求(见图6)。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种在模型式光学临近修正中对线端采用多边形的修正方法，这种方法是在原来锤头型的基础上把五条边变成大于五条边，这样在OPC中对LE的修正中有大于五条边可供调整，比传统的OPC方法多了更多条边的修正，这样给OPC修正提供了更多的灵活性，可以满足修正的要求。
为解决上述技术问题，本发明提供一种用多边形光学近似修正线端的方法，包括如下步骤：
(1)从电路设计版图中找出线端图形；
(2)对步骤(1)中线端进行仿真评估，并决定对线端的光学临近修正采用多边形的边数，该多边形的边数大于五条边；
(3)对电路设计版图进行模型式光学临近修正，线端修正采用步骤(2)所决定的多边形。
所述的多边形为任意形状的多边形。
步骤(3)中所述线端修正采用的多边形的每条边的修正量由光学临近修正模型进行光学仿真决定。
步骤(3)中光学临近修正模型对多边形的每条边自动进行光学仿真，然后通过移动每条边使仿真图形满足设计要求，每条边相对原有设计的移动量即为该边的修正量。
和现有技术相比，本发明具有以下有益效果：在原来锤头型的基础上把五条边改成大于五条边，按本发明的方法OPC修正后的光掩模图形如图4所示，硅片上仿真得到的图形如图7所示，Poly层的线端31在硅片上的图形胖一些，以保证刻蚀后多晶硅线端缩头较少，并且近邻线端31的Poly线段32的CD和原始设计一致，没有波动。采用本发明方法，在OPC中对LE的修正中有大于五条边可供调整，给OPC修正提供了更多的灵活性，以满足光学临近修正的要求。
附图说明
图1是本发明的电路设计版图；
图2是采用一种传统的模型式光学临近修正方法进行修正后的Poly层的光掩模图形；
图3是采用另一种传统的模型式光学临近修正方法进行修正后的Poly层的光掩模图形；
图4是采用本发明用多边形光学近似修正线端的方法进行修正后的Poly层的光掩模图形；
图5是图2的仿真图形；
图6是图3的仿真图形；
图7是图4的仿真图形。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步详细的说明。
图1是本发明的电路设计版图，其中，Active表示有源区，Poly表示多晶硅。
本发明在原来锤头型的基础上把五条边变成大于五条边，这样在OPC中对LE的修正中有大于五条边可供调整，比传统的锤头型OPC方法多了更多边的修正。多边形的边数大于五即可，图4为九边形的情况。对多边形的角度没限制，可采用任意形状的多边形。这样给OPC修正提供了更多的灵活性，以满足光学临近修正的要求。
本发明的具体操作步骤为：
1.先从电路设计版图中找出线端图形，例如：电路设计版图数据导入OPC软件中，查找图1中A，B同时满足为凸角，且C满足＞0nm并＜500nm，即判断为线端图形；其中A，B为二维图形---角，C为一维图形---线。
2.对步骤1中线端进行仿真评估，并决定对线端的光学临近修正采用多边形的边数，该多边形的边数大于五条边；以图1版图设计为例，对线端先进行传统锤头型修正，如图2，OPC仿真后如图5，有11处不符合要求。然后把五边形变为七边形，即增加图4中边2与边8，OPC再仿真，仍不符合设计要求；再增加图4中边4与边6，OPC仿真符合设计要求，即决定图1设计中的线端OPC修正采用九边形(见图4)。
3.对电路设计版图进行模型式光学临近修正，线端修正采用步骤2所决定的多边形，其中OPC软件会对多边形的每条边自动进行光学仿真，然后通过移动每条边使仿真图形满足设计要求，每条边相对原有设计的移动量即为该边的修正量。
按本发明的方法OPC修正后的光掩模图形如图4所示(以九边形为例)，硅片上仿真得到的图形如图7所示，Poly层的线端31在硅片上的图形胖一些，以保证刻蚀后多晶硅线端缩头较少，并且近邻线端31的Poly线段32的CD(关键尺寸)和原始设计一致，没有波动。
Claims (4)
1.一种用多边形光学近似修正线端的方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)从电路设计版图中找出线端图形；
(2)对步骤(1)中线端进行仿真评估，并决定对线端的光学临近修正采用多边形的边数，该多边形的边数大于五条边；
(3)对电路设计版图进行模型式光学临近修正，线端修正采用步骤(2)所决定的多边形。
2.如权利要求1所述的用多边形光学近似修正线端的方法，其特征在于，所述的多边形为任意形状的多边形。
3.如权利要求1所述的用多边形光学近似修正线端的方法，其特征在于，步骤(3)中所述线端修正采用的多边形的每条边的修正量由光学临近修正模型进行光学仿真决定。
4.如权利要求3所述的用多边形光学近似修正线端的方法，其特征在于，步骤(3)中光学临近修正模型对多边形的每条边自动进行光学仿真，然后通过移动每条边使仿真图形满足设计要求，每条边相对原有设计的移动量即为该边的修正量。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2009100573411A CN101900934A (zh) | 2009-06-01 | 2009-06-01 | 用多边形光学近似修正线端的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2009100573411A CN101900934A (zh) | 2009-06-01 | 2009-06-01 | 用多边形光学近似修正线端的方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101900934A true CN101900934A (zh) | 2010-12-01 |
Family
ID=43226581
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2009100573411A Pending CN101900934A (zh) | 2009-06-01 | 2009-06-01 | 用多边形光学近似修正线端的方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN101900934A (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106468853A (zh) * | 2015-08-21 | 2017-03-01 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 觉知周围环境的opc |
| CN110471251A (zh) * | 2019-07-15 | 2019-11-19 | 苏州悦谱半导体有限公司 | 一种基于模型的opc修正方法 |
-
2009
- 2009-06-01 CN CN2009100573411A patent/CN101900934A/zh active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106468853A (zh) * | 2015-08-21 | 2017-03-01 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 觉知周围环境的opc |
| CN106468853B (zh) * | 2015-08-21 | 2019-12-20 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 觉知周围环境的opc |
| CN110471251A (zh) * | 2019-07-15 | 2019-11-19 | 苏州悦谱半导体有限公司 | 一种基于模型的opc修正方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10528693B2 (en) | Layout optimization of a main pattern and a cut pattern | |
| US8863045B1 (en) | Optical proximity correction method based on hybrid simulation model | |
| CN105283955B (zh) | 用于扩散桥接单元库的方法及设备 | |
| US8103977B2 (en) | Semiconductor device and its manufacturing method, semiconductor manufacturing mask, and optical proximity processing method | |
| CN1779686A (zh) | 确定缓冲器插入的方法和系统 | |
| US20050155007A1 (en) | Automatic layout method of semiconductor integrated circuit | |
| JP2001230323A (ja) | 回路パラメータ抽出方法、半導体集積回路の設計方法および装置 | |
| KR20170073513A (ko) | 회로 구성요소를 규정하는 표준 셀의 레이아웃을 수정하기 위한 컴퓨터 구현 시스템 및 방법 | |
| CN109407460B (zh) | 曝光辅助图形添加方法 | |
| TW200525696A (en) | Pattern(totem)forming method for a semiconductor device | |
| CN106597804B (zh) | 一种基于前层图形判别的离子注入层边界的光学临近修正方法 | |
| CN109977540B (zh) | 集成电路标准单元库建立方法 | |
| CN101900934A (zh) | 用多边形光学近似修正线端的方法 | |
| CN100592494C (zh) | 修正接触孔金属覆盖层布图设计的方法 | |
| CN104750904A (zh) | 用以改进晶体管匹配的方法 | |
| JP2014090213A (ja) | 定電力密度スケーリングの方法 | |
| CN101739470A (zh) | Mos晶体管多尺寸器件的工艺偏差模型的建立方法 | |
| US8122387B2 (en) | Optimizing integrated circuit chip designs for optical proximity correction | |
| CN103869598A (zh) | 离子注入层的光学临近效应修正方法 | |
| CN210776174U (zh) | 组合光罩 | |
| JP4998347B2 (ja) | マスクパターン作成方法 | |
| CN107706103A (zh) | 一种多晶硅层桥接断路的解决方法 | |
| CN104166305B (zh) | 减少修正迭代次数的opc方法 | |
| CN113075855A (zh) | 光学邻近修正方法、掩膜版的制作方法及半导体结构的形成方法 | |
| KR100896856B1 (ko) | 광학근접보상 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Open date: 20101201 |